TWI785705B - 有機膜形成裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種可縮短經形成有機膜之工件之冷卻時間、且可維持有機膜之品質之有機膜形成裝置。 實施形態之有機膜形成裝置可將工件在較大氣壓更為減壓之環境下進行加熱，前述工件具有基板、及塗佈於前述基板之上表面之包含有機材料及溶媒之溶液。有機膜形成裝置具備：腔室，其可維持較前述大氣壓更為減壓之環境；排氣部，其可將前述腔室之內部予以排氣；至少1個溫度控制部，其具有外管及發熱部，前述外管呈筒狀，自前述腔室之外側延伸至前述腔室之內側，以成為氣密之方式插通於前述腔室；前述發熱部設置於前述外管之內部空間，沿著前述外管延伸；以及冷卻部，其可將流體供給至前述外管之內部空間。

Description

有機膜形成裝置

本發明之實施形態係關於一種有機膜形成裝置。

作為設置於有機EL顯示器等之基板使用有機膜。關於如此之有機膜，有聚醯亞胺膜。例如，聚醯亞胺膜藉由將具有基板及塗佈於基板之上表面之包含聚醯胺酸之溶液之工件加熱至100℃～600℃左右，將聚醯胺酸亞胺化而形成。所形成之聚醯亞胺膜自基板被剝離，例如使用於有機EL顯示器等。

此處，形成有聚醯亞胺膜等有機膜之工件自進行了加熱處理之腔室之內部被取出，並被搬送至後續步驟等。然而，因工件被加熱至100℃～600℃左右，故原樣自腔室取出、或搬送比較困難。該情形下，若將用於對工件予以冷卻之冷卻裝置不同於有機膜形成裝置而另外設置，則需要用於設置冷卻裝置之場所，或者製造設備之成本會增大。

因此，提議一種對腔室之內部空間供給冷卻氣體，對工件予以冷卻之技術(例如，參照專利文獻1)。 然而，由於腔室之內部空間之體積大，因此為了對腔室之內部空間予以冷卻、以及對工件冷卻而需要時間。

又，若對腔室之內部空間供給冷卻氣體，則有在加熱溶液時產生並附著於腔室之內壁等之昇華物剝離，並附著於有機膜之上之虞。若昇華物附著於有機膜之上，則有機膜之品質變差。 因此，期待開發一種有機膜形成裝置，其可縮短供形成有機膜之工件之冷卻時間、且可維持有機膜之品質。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2019-205991號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明所欲解決之課題在於提供一種可縮短供形成有機膜之工件之冷卻時間、且可維持有機膜之品質之有機膜形成裝置。 [解決課題之技術手段]

實施形態之有機膜形成裝置可將工件在較大氣壓更為減壓之環境下進行加熱，前述工件具有基板、及塗佈於前述基板之上表面之包含有機材料及溶媒之溶液。有機膜形成裝置具備：腔室，其可維持較前述大氣壓更為減壓之環境；排氣部，其可將前述腔室之內部予以排氣；至少1個溫度控制部，其具有外管及發熱部，前述外管呈筒狀，自前述腔室之外側延伸至前述腔室之內側，以成為氣密之方式插通前述腔室；前述發熱部設置於前述外管之內部空間，沿著前述外管延伸；以及冷卻部，其可將流體供給至前述外管之內部空間。 [發明之效果]

根據本發明之實施形態，提供一種可縮短供形成有機膜之工件之冷卻時間、且可維持有機膜之品質之有機膜形成裝置。

以下，一面參照圖式，一面例示實施形態。又，在各圖式中，對於相同之構成要件標註相同之符號且適當省略詳細之說明。又，於本實施形態中，對於將塗佈於基板之上表面之包含有機材料之溶液在減壓環境下烘烤而形成有機膜之有機膜形成裝置進行說明。 圖1係用於例示本實施形態之有機膜形成裝置1之示意立體圖。 再者，圖1中之X方向、Y方向、及Z方向表示相互正交之三個方向。本說明書中之上下方向可設為Z方向。

工件100具有基板、及塗佈於基板之上表面之溶液。 基板例如可設為玻璃基板或半導體晶圓等。然而，基板並不限定於所例示者。 溶液包含有機材料及溶媒。有機材料並無特別限定，只要可藉由溶媒溶解即可。溶液例如可設為含有聚醯胺酸之清漆等。然而，溶液並不限定於所例示者。

有機膜形成裝置1可將工件100在較大氣壓減壓之環境下進行加熱。 如圖1所示般，於有機膜形成裝置1，設置有腔室10、排氣部20、處理部30、冷卻部40、及控制器50。 腔室10呈箱狀。腔室10具有可維持較大氣壓減壓之環境之氣密構造。關於腔室10之外觀形狀並無特別限定。腔室10之外觀形狀例如可設為長方體。腔室10例如包含本體10a、開閉門13、及蓋15。

本體10a呈筒狀。可行的是，於本體10a之一個端部設置凸緣11，於另一個端部，設置凸緣14。本體10a、凸緣11及凸緣14例如包含不鏽鋼等金屬。再者，將對本體10a之兩端部予以連接之外壁稱為側面10a1。

於凸緣11可設置O型環等密封材12。本體10a之設置有凸緣11之側之開口，可藉由開閉門13開閉。

開閉門13呈板狀，例如包含不鏽鋼等金屬。藉由利用未圖示之驅動裝置，將開閉門13按壓於凸緣11(密封材12)，而本體10a之設置有凸緣11之側之開口以成為氣密之方式閉合。藉由利用未圖示之驅動裝置將開閉門13自凸緣11分離，而可經由腔室10之開口進行工件100之搬入或搬出。

於凸緣14可設置O型環等密封材12。本體10a之設置有凸緣14之側之開口由蓋15閉合。

蓋15呈板狀，例如包含不鏽鋼等金屬。蓋15設置有與後述之保持具32c之孔32c2連通之孔15a(參照圖2)。保持具32c以後述之溫度控制部32之數目設置於蓋15。因此，孔15a設置複數個。

在使用螺桿等緊固構件將蓋15安裝於凸緣14時，蓋15被按壓於凸緣14(密封材12)。其後，藉由溫度控制部32與保持具32c氣密地連接，而本體10a之設置有凸緣14之側之開口以成為氣密之方式閉合。又，在進行保養維修等時，藉由卸下蓋15，而可使本體10a之設置有凸緣14之側之開口露出。再者，蓋15不一定為必須，例如，亦可為蓋15與本體10a成為一體而形成。即，亦可設為一端被閉塞之筒狀形狀之本體10a。

亦可於本體10a之側面10a1設置冷卻部16。於冷卻部16連接有未圖示之冷卻水供給部。冷卻部16例如可設為水夾套(Water Jacket)。若設置冷卻部16，則可抑制腔室10之外壁溫度高於特定之溫度。

排氣部20將腔室10之內部空間予以排氣。因此，工件100在較大氣壓減壓之環境中由放射產生之熱能加熱。 排氣部20可具有第1排氣部21、第2排氣部22、及第3排氣部23。 第1排氣部21連接於設置在腔室10之底面之排氣口17。 第1排氣部21可具有排氣泵21a、及壓力控制部21b。排氣泵21a例如可設為乾式真空泵等。 壓力控制部21b設置於排氣口17與排氣泵21a之間。壓力控制部21b基於檢測腔室10之內壓之未圖示之真空計等之輸出，以腔室10之內壓成為特定之壓力之方式進行控制。壓力控制部21b例如可設為APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)等。再者，於排氣口17與壓力控制部21b之間，設置有用於捕捉被排出之昇華物之冷阱24。又，於排氣口17與冷阱24之間設置有閥25。閥25發揮在後述之冷卻步驟中防止流體101流入冷阱24之作用。

第2排氣部22連接於設置在腔室10之底面之排氣口18。 第2排氣部22可具有排氣泵22a、及壓力控制部22b。 第2排氣部22具有可排氣至高真空之分子流區域之排氣能力。因此，排氣泵22a例如可設為渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump，TMP)等。 壓力控制部22b設置於排氣口18與排氣泵22a之間。壓力控制部22b基於檢測腔室10之內壓之未圖示之真空計等之輸出，以腔室10之內壓成為特定之壓力之方式進行控制。壓力控制部22b例如可設為APC等。再者，於排氣口18與壓力控制部21b之間，設置有用於捕捉被排出之昇華物之冷阱24。又，於排氣口18與冷阱24之間設置有閥25。閥25發揮在後述之冷卻步驟中防止流體101流入冷阱24之作用。

第3排氣部23連接於排氣口18與第2排氣部22之閥25之間。第3排氣部23與工廠之排氣系統連接。第3排氣部23可設為例如不鏽鋼等之配管。第3排氣部於排氣口18與工廠之排氣系統之間設置有閥25。

於將腔室10之內部空間予以減壓時，首先，藉由第1排氣部21將腔室10之內壓設為10 Pa左右。接著，藉由第2排氣部22將腔室10之內壓設為1×10 ^-2Pa～10 Pa左右。

第1排氣部21進行自大氣壓至特定之內壓之粗抽排氣，因此第1排氣部21之排氣量多於第2排氣部22之排氣量。又，第2排氣部22在粗抽排氣結束後，進行排氣直至更低之特定之內壓為止。再者，第3排氣部23用於在後述之冷卻步驟中將流體101朝工廠之排氣系統排出。

處理部30具有框架31、溫度控制部32、工件支持部33、均熱部34、均熱板支持部35、及罩體36。 於處理部30之內部，設置有處理區域30a及處理區域30b。處理區域30a、30b為對工件100實施加熱處理之空間。工件100受支持於處理區域30a、30b之內部。處理區域30b設置於處理區域30a之上方。再者，雖然例示設置有2個處理區域之情形，但並不限定於此。亦可僅設置1個處理區域。又，還可設置3個以上之處理區域。於圖1中，作為一例而例示設置2個處理區域之情形，但可同樣地考量設置1個處理區域、及3個以上之處理區域之情形。

處理區域30a、30b係由均熱部34(上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、側部均熱板34d)包圍。如後述般，上部均熱板34a及下部均熱板34b藉由複數個板狀之構件由複數個均熱板支持部35支持而形成。因此，處理區域30a與腔室10之內部之處理區域30a之外側之空間，經由上部均熱板34a彼此之間之間隙、及下部均熱板34b彼此之間之間隙、罩體36彼此之間隙、設置於罩體36之孔或槽隙等相連。因此，若腔室10之內部之處理區域30a之外側之空間之壓力被減壓，則處理區域30a之壓力亦被減壓。處理區域30b為與處理區域30a同樣之構造，因此省略說明。

又，若腔室10之內部之處理區域30a、30b之外側之空間之壓力被減壓，則可減少自處理區域30a、30b朝外部放出之熱。因此，可提高蓄熱效率，故可減少施加於加熱器32a之電力。若可減少施加電力，則可謀求省能源化及加熱器32a之長壽命化。又，若提高蓄熱效率，則容易應對需要急劇之溫度上升之處理。又，由於可抑制腔室10之外壁之溫度變高，因此可將冷卻部16設為簡易者。

框架31具有含有細長之板材或型鋼等之骨架構造。框架31之外觀形狀可設為與腔室10之外觀形狀同樣。框架31之外觀形狀例如可設為長方體。

又，於框架31設置有複數個樑31a。複數個樑31a在處理區域30a、30b之長度方向(圖1中之X方向)上延伸。框架31之設置於開閉門13側之樑31a，與框架31之設置於蓋15側之面之樑31a對向。於樑31a，可將複數個均熱板支持部35以特定之間隔並排設置。

溫度控制部32可設置複數個。溫度控制部32控制工件100之溫度。例如，溫度控制部32對工件100予以加熱，或對經加熱之工件100予以冷卻。溫度控制部32具有沿一方向延伸之形態。溫度控制部32之數目、間隔等可根據所加熱之溶液之組成(成為必要之溶液之加熱溫度等)、工件100之大小等適當變更。溫度控制部32之數目、間隔等可藉由進行模擬或實驗等而適當決定。

溫度控制部32可設置於處理區域30a、30b之下部、及處理區域30a、30b之上部。設置於處理區域30a、30b之下部之溫度控制部32，與設置於處理區域30a、30b之上部之溫度控制部32對向。

再者，於複數個處理區域在上下方向上重疊地設置之情形下，可將設置於下側之處理區域與上側之處理區域之間之溫度控制部32使用於上下之處理區域處之工件100之溫度控制。藉此，可減少溫度控制部32之數目，因此可謀求加熱時之消耗電力之降低、冷卻時之後述之流體101之消耗量之減低、製造成本之降低、省空間化等。

受支持於處理區域30a之內部之工件100之下表面(基板之背面)由設置於處理區域30a之下部之複數個溫度控制部32(溫度控制群3a)加熱或冷卻。受支持於處理區域30a之內部之工件100之上表面(溶液)由被處理區域30a與處理區域30b兼用之複數個溫度控制部32(溫度控制群3ab)加熱或冷卻。受支持於處理區域30b之內部之工件100之下表面(基板之背面)，由溫度控制群3ab加熱或冷卻。受支持於處理區域30b之內部之工件100之上表面(溶液)，由設置於處理區域30b之上部之複數個溫度控制部32(溫度控制群3b)加熱或冷卻。再者，於對溫度控制群不予區別時，稱為溫度控制群3。

圖2係用於例示溫度控制部32之示意剖視圖。 圖3係用於例示溫度控制部32之示意立體圖。 如圖2所示般，於溫度控制部32，可設置加熱器32a、外管32b、及保持具32c。

加熱器32a可具有：發熱部32a1、凸緣32a2、及端子32a3。 發熱部32a1設置於外管32b之內部空間，沿著外管32b延伸。發熱部32a1將電力轉換成熱。發熱部32a1例如可為護套加熱器、陶瓷加熱器、筒式加熱器等。又，亦可更設置覆蓋發熱部32a1之外表面之石英罩體。

凸緣32a2呈板狀，設置於外管32b之開口側之端部。凸緣32a2可設置於發熱部32a1的端子32a3側之端部之附近。凸緣32a2例如可熔接於發熱部32a1之外表面。凸緣32a2之材料例如可設為不鏽鋼等之金屬。

如圖3所示般，凸緣32a2於凸緣32a2之外緣設置貫通凸緣32a2之厚度方向之孔32a2b，以便可使用螺桿等緊固構件安裝於保持具32c之凸緣32c1。亦即，凸緣32a2拆裝自如地設置於腔室10。在將凸緣32a2安裝於腔室10時，以凸緣32a2與腔室10之間成為氣密之方式密封。

又，於凸緣32a2設置有貫通厚度方向、與外管32b之內部空間連通之孔32a2a。孔32a2a可於較孔32a2b更靠近發熱部32a1之位置設置至少2個。為了將說明簡略化，以下對於設置2個孔32a2b之情形進行說明。

於一個孔32a2a(相當於第1孔之一例)，插入管32d(相當於第1管之一例)之一個端部，且熔接。管32d沿著設置於外管32b之內部空間之外管32b延伸。管32d之另一個端部以位於外管32b之內部空間之中央部分至外管32b之前端之間之方式設置。亦即，管32d之另一個端部設置於較外管32b之一個端部與另一個端部之間之中心位置更靠外管32b之閉合側。藉由將管32d之另一個端部設置於如此之位置，而後述之流體101流至外管32b之前端，可防止在外管32b之內部空間內形成不流動流體101之空間。因此，可提高由流體101實現之冷卻之效率。

管32d之一個端部自孔32a2a突出，例如可設置於發熱部32a1之端子32a3側之端部之附近。於管32d之一個端部，與接頭38之一端連接。於接頭38之另一端，連接有撓性之配管39。配管39例如可設為波紋管形狀之不鏽鋼之配管、或由氯乙烯形成之管子等。配管39與後述之冷卻部40連接，管32d經由接頭38及配管39與冷卻部40連接。亦即，於管32d及後述之另一個孔32a2a(相當於第2孔之一例)，連接有可供流體流通、且撓性之配管39。

於另一個孔32a2a，設置有接頭32a2c。接頭32a2c之一端例如藉由熔接連接於另一個孔32a2a。但是，連接方法並不限定於此。例如，亦可為將接頭32a2c之一端設為公螺紋、將另一個孔32a2a設為母螺紋，經由帶狀之密封材而連接。於接頭32a2c之另一端設置有配管39，例如，與第3排氣部23或工廠之排氣系統連接。由於配管39可變形，因此例如在因保養維修等而將加熱器32a及外管32b卸下時，可保持將配管39連接於管32d及另一個孔32a2a之狀態不變地卸下。

端子32a3設置於發熱部32a1之一個端部。端子32a3與設置於發熱部32a1之發熱體電性連接。又，可將設置於有機膜形成裝置1之外部之電源或控制裝置等電性連接於端子32a3。即，經由端子32a3對發熱部32a1供給電力。該情形下，如圖2所示般，端子32a3露出於蓋15之外側，亦即露出於有機膜形成裝置1之外側。因此，容易將電源纜線對端子32a3拆裝。再者，亦可更設置覆蓋端子32a3之絕緣罩體。

如圖2所示般，外管32b呈筒狀，具有沿一方向延伸之形態。外管32b自腔室10之外側延伸至腔室10之內側，以成為氣密之方式插通腔室10。外管32b之一個端部開口，另一個端部閉合。外管32b之開口側之端部藉由熔接等氣密地連接於凸緣32a2。藉由將外管32b連接於凸緣32a2，而可將加熱器32a與外管32b設為一體。

冷卻部40自外管32b之開口側對外管32b之內部空間供給流體101。然後，被供給之流體101自外管32b之開口側排出。具體而言，自冷卻部40供給之流體101經由管32d供給至外管32b之內部空間。然後，供給至外管32b之內部空間之流體101經由未連接有冷卻部40之凸緣32a2之孔32a2a(相當於第2孔之一例)，朝外管32b之外部排出。

可於外管32b之內部空間設置發熱部32a1。於外管32b之內壁與發熱部32a1之外表面之間設置有間隙。因此，可使經由管32d被供給之流體101沿著發熱部32a1之外表面流動。外管32b之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。

又，外管32b之閉合之端部係由支持部37支持。 支持部37係在腔室10內支持溫度控制部32之構件。支持部37例如為矩形，可設置於樑31a。支持部37之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。 支持部37具有：支持面37a，其支持溫度控制部32(外管32b之閉合側之端部)；及傾斜面37b，其與支持面37a連接，且與支持面37a交叉。 支持面37a例如係支持部37之上表面，傾斜面37b係跟與樑31a接觸之面為相反之面，且設置於與支持面37a連接之位置。

溫度控制部32藉由自身重力而前端(外管32b之閉合之端部)垂下。前端垂下之溫度控制部32有時難於載置於支持部37。但是，藉由支持部37具有傾斜面37b，而即便溫度控制部32之前端為垂下之狀態，傾斜面37b亦被朝支持面37a引導，因此容易將溫度控制部32朝支持部37載置。

於保持具32c之一個端部設置有凸緣32c1。保持具32c之另一個端部設置於蓋15之外表面。在進行加熱處理時，可將腔室10之內部空間設為較大氣壓減壓之環境。因此，保持具32c例如可以成為氣密之方式熔接於蓋15。保持具32c之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。

於保持具32c，設置有與設置於蓋15之孔15a連通之孔32c2。因此，加熱器32a及外管32b可自腔室10之外部經由孔32c2插入處理區域30a(30b)之內部空間。藉此，加熱器32a及外管32b之拆裝變得容易，因此有機膜形成裝置1之組裝作業或保養維修作業變得容易。

於凸緣32c1之外緣，設置有與凸緣32a2之孔32a2b對應之螺紋孔32c3(參照圖3)。又，於螺紋孔32c3與孔32c2之間設置有密封構件32c4。可藉由密封構件32c4將加熱器32a氣密地連接於凸緣32c1，而可將腔室10內保持為氣密。

又，發熱部32a1中產生之熱會傳遞至保持具32c。因此，可進而設置將保持具32c冷卻之冷卻部，以免保持具32c之溫度、乃至蓋15之溫度過高。冷卻部例如可設為對保持具32c吹拂氣體者，亦可設為使氣體或液體在設置於保持具32c內部之流路中流動者。

如圖1所示般，工件支持部33在處理區域30a、30b之內部，支持工件100之下表面。工件支持部33可設置複數個。複數個工件支持部33設置於處理區域30a之下部、及處理區域30b之下部。複數個工件支持部33可設為棒狀體。

複數個工件支持部33之上端位於處理區域30a、30b之內部，與工件100之下表面接觸。因此，複數個工件支持部33上端之形狀較佳設為半球狀等。藉此，可抑制工件100之下表面產生損傷。又，由於可減小工件100之下表面與複數個工件支持部33之接觸面積，因此可減少自工件100傳遞至複數個工件支持部33之熱。

複數個工件支持部33之數目、配置、間隔等可根據工件100之大小、剛性(撓曲)等而適當變更。複數個工件支持部33之數目、配置、間隔等可藉由模擬或實驗等而適當決定。

均熱部34具有複數個上部均熱板34a、複數個下部均熱板34b、複數個側部均熱板34c、及複數個側部均熱板34d。複數個上部均熱板34a、複數個下部均熱板34b、複數個側部均熱板34c、及複數個側部均熱板34d呈板狀。

複數個上部均熱板34a設置於設置在工件100上方之複數個溫度控制部32與工件100之間。複數個上部均熱板34a與複數個溫度控制部32隔開地設置。複數個上部均熱板34a排列設置於複數個溫度控制部32所排列之方向(圖1中之X方向)上。

複數個下部均熱板34b設置於設置在工件100下方之複數個溫度控制部32與工件100之間。複數個下部均熱板34b與複數個溫度控制部32隔開地設置。複數個下部均熱板34b排列設置於複數個溫度控制部32所排列之方向(圖1中之X方向)上。

側部均熱板34c在複數個溫度控制部32所排列之方向上，分別設置於處理區域30a、30b之兩側(圖1之X方向)之側部。側部均熱板34c可設置於罩體36之內側。又，亦可在側部均熱板34c與罩體36之間，設置與側部均熱板34c及罩體36隔開地設置之至少1個溫度控制部32。

側部均熱板34d在與複數個溫度控制部32所排列之方向正交之方向(圖1之Y方向)上，分別設置於處理區域30a、30b兩側之側部。 處理區域30a、30b由複數個上部均熱板34a、複數個下部均熱板34b、複數個側部均熱板34c、及複數個側部均熱板34d包圍。又，罩體36包圍其等之外側。

溫度控制部32具有沿一方向延伸之形態，因此熱之放射及熱之吸收係以溫度控制部32之中心軸為中心放射狀進行。該情形下，溫度控制部32之中心軸與溫度控制之對象區域之間之距離愈短，則愈容易產生溫度變化。因此，在以相對於複數個溫度控制部32對向之方式支持工件100時，於工件100容易產生溫度分佈。

於本實施形態之有機膜形成裝置1設置有複數個上部均熱板34a及複數個下部均熱板34b。因此，藉由複數個溫度控制部32執行之熱之放射及熱之吸收經由複數個上部均熱板34a及複數個下部均熱板34b進行。

於加熱工件100時，自複數個溫度控制部32放射之熱入射至上部均熱板34a及下部均熱板34b，且在該等之內部一面於面方向傳遞一面向工件100放射。

於冷卻工件100時，自工件100放射之熱入射至與工件100對向之上部均熱板34a及下部均熱板34b，且在該等之內部一面於面方向傳遞一面向複數個溫度控制部32放射。 因此，無論是加熱工件100時還是冷卻時，均可抑制在工件100產生溫度分佈，進而可提高所形成之有機膜之品質。

複數個上部均熱板34a及複數個下部均熱板34b之材料較佳者係設為熱傳導率高之材料。複數個上部均熱板34a及複數個下部均熱板34b例如可設為鋁、銅、不鏽鋼等金屬。又，於複數個上部均熱板34a及複數個下部均熱板34b之表面，藉由施加鎳鍍敷或耐酸鋁處理等，而可設置包含不易氧化之材料之層。 又，側部均熱板34c、34d之材料可設為與上部均熱板34a及下部均熱板34b之材料相同。

再者，對設置有複數個上部均熱板34a及複數個下部均熱板34b之情形進行了例示，但亦可將上部均熱板34a及下部均熱板34b之至少一者設為單一之板狀構件。

複數個均熱板支持部35(上部均熱板支持部)在複數個上部均熱板34a排列之方向上排列設置。均熱板支持部35在複數個上部均熱板34a排列之方向上，可設置於諸個上部均熱板34a之間之正下方。支持複數個下部均熱板34b之複數個均熱板支持部(下部均熱板支持部)亦可具有同樣之構成。

罩體36呈板狀，覆蓋框架31之上表面、底面、及側面。該情形下，開閉門13側之罩體36例如可設置於開閉門13。罩體36包圍處理區域30a、30b，例如可在罩體36彼此之間設置間隙，或設置孔或槽隙等。藉此，腔室10之內壁與罩體36之間之空間跟處理區域30a、30b相連，因此可將處理區域30a、30b內之壓力設為跟腔室10之內壁與罩體36之間之空間之壓力相同。又，於覆蓋框架31之側面之罩體36，形成有孔36a，其用於將流體101供給設置有後述之溫度控制群3之空間，或自設置有溫度控制群3之空間朝腔室10之內部空間排氣。罩體36例如可包含不鏽鋼等。

冷卻部40可對設置有溫度控制群3a、3ab、3b之空間及各外管32b之內部空間供給流體101。為了便於說明，將朝設置有各溫度控制群3之空間供給流體101之流路稱為第1流路40a，將朝各溫度控制部32之外管32b之內部空間供給流體101之流路稱為第2流路40b。再者，所謂設置有溫度控制群3之空間，係指由樑31a、上部均熱板34a、下部均熱板34b、罩體36包圍複數個溫度控制部32(溫度控制群3)而成之空間(參照圖1)。

對於冷卻部40使用圖4詳細地進行說明。 圖4係顯示流體101之流動之配管系統圖。 如圖4所示般，冷卻部40可具有供給源41、流體控制部42、及配管43～46。 供給源41可作為流體101之供給源。 流體101例如可設為氣體或液體等。 氣體例如可設為乾燥空氣、氮氣、氬或氦氣等惰性氣體等。 液體例如可設為水或碳氟化合物等。 然而，流體101之種類並非限定於所例示者。

於流體101為氣體之情形下，供給源41例如可設為高壓氣瓶或工廠配管等。 於流體101為液體之情形下，供給源41例如可設為使液體循環之泵與收納液體之槽等，或設為工廠配管等。

此處，於流體101為含氧之氣體之情形下，處於高溫狀態之外管32b有氧化之虞。因此，流體101較佳為不含氧之氣體，例如設為氮氣或惰性氣體等。

又，流體101之溫度例如可設為常溫(25℃)以下。若流體101之溫度低，則可使外管32b之溫度迅速下降，進而可使工件100之溫度迅速下降。因此，可設置使流體101冷卻之冷卻器，或可藉由使液狀之流體101氣化時之氣化熱使氣體狀之流體101之溫度下降。

流體控制部42例如可進行流體101之供給與停止、流量或壓力之控制等。流體控制部42例如可設為副質流控制器、或針型閥等。流量控制部42於朝各溫度控制群3供給流體101之配管44與供給源41之間設置1個，於朝各溫度控制群3之各溫度控制部32供給之配管45設置9，共計設置10個。

第1流路40a包含供給源41、配管43、流體控制部42及配管44。如前述般，流量控制部42於配管44與供給源41之間設置1個。具體而言，流量控制部42與配管43連接。 配管43係具有3個端部43a、43b、43c之三通構造之配管。配管43例如可由不鏽鋼等金屬形成。例如，配管43之端部43a與供給源41連接。配管43之端部43b例如與流量控制部42連接。再者，配管43亦包含在三通接頭連接有3條直式配管之構造。 配管43經由流量控制部42與配管44連接。

配管44係未與流量控制部42連接之端部分支成3個之構造之配管。將各分支之部分按照自與流量控制部42連接之端部由近及遠之順序，設為分支部44a、分支部44ab、分支部44b。分支部44a、44ab及44b與設置有各溫度控制群3之空間連接。

分支部44a、44ab及44b與設置於覆蓋框架31之側面之一個罩體36之孔36a連接。供給至設置有各溫度控制群3之空間之幾乎全部之流體101自另一個罩體36之孔36a供給至腔室10之內部空間。

形成設置有溫度控制群3之空間之上部均熱板34a及下部均熱板34b與樑31a或罩體36略小地空開間隙。因此，供給至設置有各溫度控制群3之空間之流體101之一部分，自上部均熱板34a之間隙及下部均熱板34b之間隙供給至處理區域30a、30b。再者，只要以上部均熱板34a之間隙及下部均熱板34b之間隙之電導率大於另一個罩體36之孔36a之電導率之方式設計即可，使得供給至設置有各溫度控制群3之空間之幾乎全部之流體101自另一個罩體36之孔36a排出。

第2流路40b包含：供給源41、配管43、配管45、流體控制部42、及配管46。 配管45之一個端部藉由未圖示之接頭與配管43之端部43c連接。配管45之另一個端部成為分支成3個之構造。將各分支之部分按照自與配管43之端部43c連接之一個端部由近及遠之順序，設為分支部45a、分支部45ab、分支部45b。於本實施形態中，分支部45a、分支部45ab及分支部45b係相同之構造，因此為了將說明簡略化而僅對於分支部45a進行說明。

分支部45a可進一步具有複數個分支。於本實施形態中，將處理區域30a(30b)分成中央部分及其兩側之部分而進行溫度控制，因此分支部45a具有3個分支。

將分支部45a之3個分支按照自與配管43之端部43c連接之一個端部由近及遠之順序設為分支部45a1、分支部45a2、分支部45a3。 分支部45a1、分支部45a2及分支部45a3與流量控制部42連接。而且，分支部45a1、分支部45a2及分支部45a3經由流量控制部42與配管46各自連接。

配管46係跟與流量控制部42連接之端部相反之端部具有與處理區域30a(30b)之中央部分及其兩側之部分對應之溫度控制部32之數目之分支之配管。於本實施形態中係具有6個端部之6通構造。再者，配管46亦包含含有組合複數個接頭與複數個筆直之配管而成之構造之配管、或者含有組合複數個接頭與複數個管子而成之構造之配管。

配管46例如亦可經由配管39，與設置於加熱器32a之凸緣32a2之管32d連接(參照圖3)。而且，自接頭32a2c朝第1排氣部21或工廠之排氣系統排出流體101。

控制器50具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等運算部、及記憶體等記憶部。 控制器50基於儲存於記憶部之控制程式，控制設置於有機膜形成裝置1之各要素之動作。例如，控制器50基於設置於處理區域30a、30b之未圖示之溫度計之檢測值，控制供給至發熱部32a1之電力量、或供給至溫度控制部32之流體101之供給量。

接著，對於有機膜形成裝置1之動作進行例示。 圖5係用於例示工件100之處理步驟之圖表。 如圖5所示般，有機膜之形成步驟包含升溫步驟、加熱處理步驟、及冷卻步驟。 首先，開閉門13自凸緣11分離，工件100被搬入腔室10之內部空間。若工件100被搬入腔室10之內部空間，則藉由排氣部20而腔室10之內部空間被減壓至特定之壓力。

若腔室10之內部空間被減壓至特定之壓力，則對發熱部32a1施加電力。如是，如圖5所示般，工件100之溫度上升。將工件100之溫度上升之步驟稱為升溫步驟。於本實施形態中，升溫步驟實施兩次(升溫步驟(1)、(2))。再者，特定之壓力只要為溶液中之聚醯胺酸不與殘留於腔室10之內部空間之氧反應而被氧化之壓力即可。特定之壓力例如可為1×10 ^-2Pa～100 Pa。即，藉由第2排氣部22排氣不一定為必須，亦可在第1排氣部21開始排氣之後，若腔室10之內部空間成為10 Pa～100 Pa之範圍內之壓力，則開始由溫度控制部32執行之工件100之加熱。

控制器50之記憶部預先記憶升溫步驟後之加熱處理步驟中之特定之溫度及升溫步驟之時間，運算部以在升溫步驟之時間內成為特定之溫度之方式控制。具體而言，控制器50於升溫步驟(1)中，基於未圖示之溫度計之檢測值，控制供給至發熱部32a1之電力量。又，控制器50於升溫步驟(2)中，基於未圖示之溫度計之檢測值，除了控制供給至發熱部32a1之電力量外，亦控制供給至溫度控制部32之流體101之供給量。

於升溫步驟之後，進行加熱處理步驟。加熱處理步驟係將特定之溫度維持特定時間之步驟。於本實施形態中，可設置加熱處理步驟(1)及加熱處理步驟(2)。 加熱處理步驟(1)例如可設為在第1溫度下將工件100加熱特定時間，使溶液所含之水分或氣體等排出之步驟。第1溫度例如只要設為100℃～200℃即可。

控制器50藉由未圖示之溫度計，監視工件100之溫度，以工件100成為上述溫度之方式控制電力朝發熱部32a1之供給量。藉由實施加熱處理步驟(1)，而可防止溶液所含之水分或氣體包含於作為完成品之有機膜。再者，可根據溶液之成分等而加熱處理步驟(1)改變溫度地實施複數次，亦可省略加熱處理步驟(1)。

加熱處理步驟(2)係將塗佈有溶液之基板(工件100)在特定之壓力及溫度下維持特定時間，而形成有機膜之步驟。第2溫度只要為產生亞胺化之溫度即可，例如可設為300℃以上。於本實施形態中，為了獲得分子鏈之填充度高之有機膜，而在400℃～600℃下實施加熱處理步驟(2)。

控制器50藉由未圖示之溫度計，監視工件100之溫度，以工件100成為上述溫度之方式控制電力朝發熱部32a1之供給量。控制器50藉由未圖示之溫度計，監視工件100之溫度，以工件100成為上述溫度之方式控制電力朝發熱部32a1之供給量，且藉由併用後述之使用流體101之溫度控制部32之溫度控制方法，控制工件100之溫度。

冷卻步驟係使形成有機膜之工件100之溫度下降之步驟。於本實施形態中，在加熱處理步驟(2)之後進行。工件100被冷卻至可搬出之溫度。例如，若被搬出之工件100之溫度為常溫，則工件100之搬出容易。然而，於有機膜形成裝置1中，工件100被連續性地加熱處理。因此，若在每次搬出工件100時將工件100之溫度設為常溫，則使後續工件100升溫之時間變長。亦即，有生產性降低之虞。所搬出之工件100之溫度例如可設為50℃～90℃。將該搬出溫度設為第3溫度。

控制器50將第1排氣部21及第2排氣部22之閥25關閉。然後，控制冷卻部40，藉由對溫度控制部32及溫度控制群3供給流體101，而間接性及直接性地使工件100之溫度降低。控制器50維持流體101之供給直至未圖示之溫度計之檢測值成為第3溫度為止。控制器50在檢測腔室10之內壓之未圖示之真空計之輸出成為與大氣壓相同之壓力時，打開第3排氣部23之閥25，將流體101常時排氣。 在形成有機膜之工件100之溫度成為第3溫度時，開閉門13自凸緣11分離，而上述工件100被搬出。在搬出上述工件100之後，後續工件100被搬入腔室10內，且重複上述之步驟。

此處，於冷卻步驟中，對腔室10之內部空間供給冷卻氣體，而可將工件100冷卻。然而，因腔室10之內部空間之體積大，因此無法確實地冷卻成為高溫之構件、例如加熱器32a及均熱部34。即便藉由冷卻氣體僅冷卻工件100，若工件100之周圍之構件之溫度高，則自周圍之構件朝工件100傳遞熱。作為結果，若僅憑藉藉由冷卻內部空間而冷卻工件100之方法，則冷卻工件100需要時間。又，由於需要多量之冷卻氣體，因此運行成本增大。又，進而，在對腔室10之內部空間供給冷卻氣體時，若為冷卻氣體拂觸工件100之供給之方式，則有在加熱溶液時產生且附著於腔室10之內壁等之昇華物剝離，而附著於有機膜之上之虞。若昇華物附著於有機膜之上，則有機膜之品質變差。

冷卻部40藉由對外管32b之內部空間供給流體101而冷卻溫度控制部32，進而，藉由亦對設置有溫度控制群3之空間供給流體101，而冷卻樑31a、罩體36、上部均熱板34a及下部均熱板34b，且經由上部均熱板34a及下部均熱板34b冷卻工件100。可在加熱處理步驟(2)之後，藉由流體101確實地冷卻溫度最高之溫度控制部32及均熱部34，因此可迅速進行工件100之冷卻。特別是，外管32b之內部空間之體積小，因此可迅速進行溫度控制部32之冷卻、以及工件100之冷卻。又，由於供給至外管32b之內部空間之流體101之量少即可，因此與對腔室10之內部空間供給冷卻氣體來冷卻工件100之方法相比，可減少在冷卻步驟中使用之流體101(冷卻氣體)之量。結果，可謀求運行成本之抑制。又，可成為極力抑制朝工件100直接吹拂之流體101之流動之構造。因此，即便供給流體101，亦不會產生前述之昇華物之剝離。 亦即，根據本實施形態之有機膜形成裝置1，可縮短形成有機膜之工件100之冷卻時間、且可維持有機膜之品質。

冷卻步驟中之流體101之供給時序，例如可設為在對工件100之加熱處理結束之後。再者，所謂加熱處理之結束之後，可設為在將形成有機膜之溫度維持特定時間之後。

於本實施形態中，冷卻步驟中之流體101之供給有由第1流路40a執行之對各溫度控制群3之供給、及由第2流路40b執行之對各溫度控制部32(外管32b)之供給之2種。流體101對溫度控制部32(外管32b)之供給時序，可設為與流體101朝各溫度控制群3之供給之時序相同。

供給至外管32b之內部空間之流體101在外管32b之內壁與發熱部32a1之外表面之間之間隙流動。因此，可藉由因對流而實現之冷卻來冷卻外管32b與發熱部32a1。又，由於外管32b之內壁與發熱部32a1之外表面之間之間隙狹窄，因此可以較小之流體101之供給量，有效地冷卻外管32b與發熱部32a1。

然後，藉由對各溫度控制群3供給流體101，而冷卻構成各溫度控制群3之均熱部34及罩體36。如前述般，藉由流體101被供給至外管32b內，而可有效地冷卻各溫度控制部32。因此，可藉由各溫度控制部32而抑制供給至各溫度控制群3之流體101之溫度上升。其結果為，供給至各溫度控制群3之流體101，可確實地冷卻構成各溫度控制群3之均熱部34及罩體36。

又，處理區域30a及30b藉由朝各溫度控制群3供給之流體101中之自上部均熱板34a之間隙漏出之流體101、自下部均熱板34b之間隙漏出之流體101及經由罩體36之孔36a朝腔室10之內部空間排出之流體101而被加壓成與大氣壓相同之壓力。於處理區域30a及30b成為與大氣壓相同之壓力時，工件100之周圍之構件成為先被冷卻之狀態。即，成為工件100之熱易於傳遞至周圍之構件之狀態。亦即，可謀求實質性之冷卻時間之縮短。

以上為冷卻步驟中之溫度控制部32之作用，但溫度控制部32亦可於加熱處理步驟中使用。 亞胺化有在200℃以上產生之情形。即，在升溫過程中亦產生亞胺化。因此，為了藉由特定之溫度(例如，500℃)下之亞胺化來提高有機膜之品質，而需要進行急速加熱。

該情形下，可控制對發熱部32a1之通電，而控制溫度控制部32之溫度、以及工件100之溫度。然而，例如即便已停止對發熱部32a1之通電，但在減壓環境中傳熱效率差，因此外管32b之溫度下降、進而工件100之溫度下降需要時間。又，即便在工件100之溫度低於500℃後開始對發熱部32a1之通電，但外管32b之溫度上升、進而工件100之溫度上升需要時間。

如前述般，若工件100之溫度變得過高，則在有機膜產生氣泡，或有機膜之組成發生變化而有有機膜之品質下降之虞。又，若加熱處理溫度之偏差大，則有有機膜之品質下降之虞。

冷卻部40對外管32b之內部空間供給流體101，因此可使外管32b之溫度迅速下降，進而可使工件100之溫度迅速下降。

又，於工件100之溫度較設定溫度下降之情形下，只要減少流體101之供給量、或停止流體101之供給即可。藉此，不僅來自發熱部32a1之散熱、而且發熱部32a1之熱亦經由流體101傳遞至外管32b，因此可使外管32b之溫度、進而使工件100之溫度迅速上升。

亦即，冷卻部40與發熱部32a1可協同地控制工件100之溫度。因此，可謀求溫度控制之回應之提高、與每一工件100之處理溫度之偏差之抑制，而可謀求生產性之提高與有機膜之品質之提高。又，進而，可針對複數個溫度控制部32每一者控制溫度，因此可抑制在工件100產生溫度分佈。再者，在使溫度迅速上升之情形下，較佳的是停止流體101之供給，且藉由流體101充滿外管32b之內部空間。藉此，可易於將發熱部32a1之熱傳遞至外管32b。再者，為了防止發熱部32a1之熱作為潛熱被流體101吸收，此時之流體101較佳為氣體。

又，處理區域30a(30b)之中央區域之溫度較位於中央區域之兩側之區域之溫度易於變高。若在處理區域30a(30b)內存在溫度分佈，則有在工件100之面內產生溫度分佈之虞。在工件100之面內存在溫度分佈，亦有有機膜之組成不均一而品質下降之虞。該情形下，若在處理區域30a(30b)之中央區域、與位於中央區域之兩側之區域，分別進行流體101之控制，則可抑制在工件100產生溫度分佈。

例如，只要以使分支部45a2之流體101之流量較分支部45a1、45a3之流體101之流量更多之方式對設置在分支部45a之各流體控制部42進行控制即可(參照圖4)。亦可對分支部45ab、分支部45b同樣地控制。

又，溫度控制群3ab之溫度較溫度控制群3a及溫度控制群3b之溫度易於變高。該情形下，若在溫度控制群3ab與溫度控制群3a及溫度控制群3b分別進行流體101之控制，則可抑制在工件100之溫度上產生差。例如，只要以使供給至分支部45ab之各分支部之流體101之流量較供給至分支部45a、分支部45b之各分支部之流體101之流量更多之方式對設置於各分支部之各流體控制部42進行控制即可(參照圖4)。又，亦可組合如下之控制，即對在前述之處理區域30a(30b)之中央區域、與位於中央區域之兩側之區域，分別進行流體101之控制。

如以上所說明般，設置複數個溫度控制部32，且將複數個溫度控制部32區分成複數個溫度控制群3。於冷卻部40，連接有針對設置有溫度控制群3之複數個空間每一者供給流體之第1流路40a、與針對複數個溫度控制部32每一者供給流體之第2流路40b(參照圖4)。 在對經加熱之工件100予以冷卻時，控制器50控制冷卻部40，經由第1流路40a及第2流路40b將流體供給至設置有溫度控制群3之複數個空間與複數個溫度控制部32。

又，控制器50可控制施加於發熱部32a1之電力。 在對工件100進行加熱時，控制器50控制經由第2流路40b之流體之供給、與施加於發熱部32a1之電力，而控制溫度控制部32之溫度。

圖6係用於例示另一實施形態之溫度控制部232之示意剖視圖。 如圖6所示，可於溫度控制部232設置加熱器232a、外管232b、保持具32c、及管232d1、232d2、232d3(相當於第2管之一例)。

加熱器232a可具有：發熱部32a1、凸緣232a2、及端子32a3。 凸緣232a2呈板狀，可設置於發熱部32a1之端子32a3側之端部附近。凸緣232a2例如可熔接於發熱部32a1之外表面。凸緣232a2之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。

外管232b呈筒狀，具有沿一方向延伸之形態。外管232b之一個端部開口，另一個端部閉合。可於外管232b之內部空間設置發熱部32a1。於外管232b之內部設置有壁232b1、232b2。壁232b1、232b2將外管232b之內部空間分隔成複數個區域。壁232b1與壁232b2空開特定間隔而設置。再者，雖然對設置有2個壁之情形進行了例示，但只要至少設置1個壁即可。該情形下，冷卻部40對由壁分隔之複數個區域之每一者供給流體101。

外管232b之開口側之端部亦可設置於凸緣232a2。外管232b之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。

管232d1可設置至少2個。管232d1之一個端部可設置於凸緣232a2。管232d1之另一個端部可連接於外管232b的凸緣232a2與壁232b1之間之內部空間。可於至少1個管232d1，連接冷卻部40。與冷卻部40連接之管232d1形成為較未連接有冷卻部40之管232d1更長。與冷卻部40連接之管232d1之另一個端部，以位於凸緣232a2與壁232b1之間之內部空間之中央部分至壁232b1之間之方式設置。自冷卻部40供給之流體101經由管232d1被供給至外管232b的凸緣232a2與壁232b1之間之內部空間。被供給至該內部空間之流體101經由未連接冷卻部40之管232d1朝外管232b之外部排出。

管232d2可設置至少2個。管232d2之一個端部可設置於凸緣232a2。管232d2之另一個端部可連接於外管232b的壁232b1與壁232b2之間之內部空間。於至少1個管232d2可連接冷卻部40。與冷卻部40連接之管232d2形成為較未連接冷卻部40之管232d2更長。與冷卻部40連接之管232d2之另一個端部以位於壁232b1與壁232b2之間之內部空間之中央部分至壁232b2之間之方式設置。自冷卻部40供給之流體101經由管232d2被供給至外管232b之壁232b1與壁232b2之間之內部空間。被供給至該內部空間之流體101經由未連接冷卻部40之管232d2朝外管232b之外部排出。

管232d3可設置至少2個。管232d3之一個端部可設置於凸緣232a2。管232d3之另一個端部可連接於外管232b之壁232b2與外管232b之閉合端之間之內部空間。於至少1個管232d3可連接冷卻部40。與冷卻部40連接之管232d3形成為較未連接有冷卻部40之管232d3長。與冷卻部40連接之管232d3之另一個端部，以位於壁232b2與外管232b之閉合端之間之內部空間之中央部分至外管232b之閉合端之間之方式設置。自冷卻部40供給之流體101經由管232d3供給至外管232b之壁232b2與外管232b之閉合端之間之內部空間。被供給至該內部空間之流體101經由未連接有冷卻部40之管232d3朝外管232b之外部排出。

亦即，可針對由壁分隔成之複數個區域每一者設置供給流體101之管。管之一個端部連接於對應之區域。管之另一個端部連接於冷卻部40。又，將連接有冷卻部40之管之另一個端部與未連接有冷卻部40之管之另一個端部相比加長插入內部空間之長度。藉此，流體101流動至經分割之內部空間之外管232b之閉合端側，而可防止在各內部空間內形成未流動有流體101之空間。

此處，有時在發熱部32a1之軸向上產生溫度分佈。例如，有於發熱部32a1之與端子32a3側為相反側之端部之附近，未設置發熱體之情形。例如，於發熱部32a1之端子32a3側之端部之附近，未設置凸緣232a2，因此易於散熱。因此，於軸向上，發熱部32a1之中央區域之溫度較發熱部32a1之兩端側之區域之溫度易於變高。而於發熱部32a1產生溫度分佈。於外管232b之溫度分佈為可藉由均熱部34均熱之溫度差以上之情形下，於均熱部34產生溫度分佈。如是，有於工件100產生軸向之溫度分佈之虞。

於本實施形態之溫度控制部232中，將外管232b之內部空間區劃成複數個區域，針對複數個區域每一者進行流體101之供給與排出。因此，於熱處理步驟中，藉由控制流體101之溫度或流量，而可抑制在外管232b之外表面產生溫度分佈。其結果為，即便在發熱部32a1產生溫度分佈，但可抑制在外管232b之外表面產生溫度分佈，進而可抑制在工件100產生溫度分佈。又，藉由併用在前述之處理區域30a(30b)之中央區域、與位於中央區域之兩側之區域分別進行流體101之控制，而不僅可抑制工件100之軸向(Y方向)之溫度分佈，而且可抑制X方向之溫度分佈。

又，若管之沿著發熱部32a1延伸之部分之長度不長則管容易被加熱，進而供給至管所連接之區域之流體101之溫度易於變高。另一方面，若管之沿著發熱部32a1延伸之部分與發熱部32a1之間之距離不長，則管難以被加熱，進而供給至管所連接之區域之流體101之溫度難以變高。

因此，連接於前端側之區域之管232d3設置於外管232b之內壁之附近，連接於凸緣232a2側之區域之管232d1設置於發熱部32a1之附近，連接於中央區域之管232d2設置於管232d3與管232d1之間。藉此，易於將供給至各個區域之流體101之溫度設為一致。

圖7係用於例示又一實施形態之溫度控制部332之示意剖視圖。 如圖7所示般，可於溫度控制部332設置加熱器332a、外管332b、保持具332c、及管332d1、332d2、332d3。

加熱器332a可具有：發熱部32a1、凸緣332a2、及端子32a3。 外管332b之內部空間與前述之外管232b同樣地，由壁332b1、332b2分隔。

管332d1設置至少2個，連接於外管332b之凸緣332a2與壁332b1之間之內部空間。管332d1之功能可與前述之管232d1之功能同樣。

管332d2設置至少2個，連接於外管332b之、壁332b1與壁332b2之間之內部空間。管332d2之功能可與前述之管232d2之功能同樣。

管332d3設置至少2個，連接於外管332b之壁332b2與外管332b之閉合端之間之內部空間。管332d3之功能可與前述之管232d3之功能同樣。

再者，跟與冷卻部40連接之各管之內部空間之連接部，較未與冷卻部40連接之管之連接部於更靠外管332b之閉合端側連接。藉此，所供給之流體101流動至各內部空間之外管232b之閉合端側，而可防止在各內部空間內形成未流動有流體101之空間。

前述之管232d1、232d2、232d3設置於外管232b之內部空間，但管332d1、332d2、332d3設置於外管332b之外部。因此，可抑制在發熱部32a1產生之熱傳遞至管332d1、332d2、332d3。 再者，亦可組合圖6中所例示之管之配設形態、與圖7中所例示之管之配設形態。亦即，管可設置於外管之內部空間與外管之外部。

圖8係用於例示再一實施形態之溫度控制部132之示意剖視圖。本實施形態之溫度控制部132係自腔室10之側面10a1插入(參照圖1)。再者，腔室10內之構件成為以Z軸為旋轉軸旋轉90度而成之構造。 如圖8所示般，於溫度控制部132，可設置加熱器32a、外管132b、及保持具32c。

外管132b呈筒狀，具有沿一方向延伸之形態。外管132b之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。外管132b之兩側之端部開口。外管132b之一端熔接於凸緣32a2。 外管132b之另一端例如配置於處理區域30a內。外管132b之另一端連接於外部連接部60。 外部連接部60設置有帶配管之凸緣61、中心環62、保持具63、及夾持具64。

帶配管之凸緣61設置有凸緣61a、配管65、接頭66、配管67、及接頭68。 凸緣61a呈圓柱狀，於中心設置有貫通厚度方向之孔61b。凸緣61a之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。

配管65插入凸緣61a之孔61b，以貫通凸緣61a之狀態被熔接。配管65之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。配管65之一端例如連接於未圖示之接頭，且連接於第3排氣部23或工廠之排氣系統。配管65之另一端連接於接頭66。

接頭66將金屬之配管彼此氣密地連接。於接頭66之一者連接有配管65，於另一者連接有配管67。

配管67係可變形之配管。配管67例如係波紋管形狀之不鏽鋼之配管。於配管67之與接頭66連接之端部不同之端部，連接有接頭68。

接頭68係將配管67與外管132b氣密地連接之接頭。接頭68之一端與外管132b連接，接頭68之另一端與配管67氣密地連接。 於帶配管之凸緣61之一端，形成有供中心環62嵌入之槽，經由中心環62與保持具63連接。

中心環62係筒狀之構件。於中心環62之外周設置有密封構件。

於保持具63之一個端部設置有凸緣63a。保持具32c之另一個端部設置於腔室10之側面10a1之外表面。在進行加熱處理時，可將腔室10之內部空間設為較大氣壓減壓之環境。因此，保持具63例如可以成為氣密之方式溶解於腔室10之側面10a1。保持具63之材料例如可設為不鏽鋼等金屬。

於保持具63，設置有與設置於腔室10之側面10a1之孔10a2連通之孔63b。因此，帶配管之凸緣61之配管65、接頭66、配管67、接頭68可自腔室10之外部經由孔63b插入處理區域30a(30b)之內部空間。

於凸緣63a之表面，形成有供中心環62嵌入之槽，以隔著中心環62之狀態藉由夾持具64固定，藉此可與帶配管之凸緣61氣密地連接。

夾持具64係帶螺紋之C字形狀金屬件。於C字之一端設置有公螺紋，於C字之另一端設置有母螺紋。藉由將帶配管之凸緣61與保持具63以夾著中心環62之狀態配置於夾持具64之內側，並使公螺紋嵌合於母螺紋，而使形狀自C字形狀朝圓形變化。若為圓形，則帶配管之凸緣61與保持具63被氣密地固定。

與前述之外管32b同樣地，亦可於外管132b之內部空間設置發熱部32a1。於外管132b之內壁與發熱部32a1之外表面之間設置有間隙。因此，可使經由孔32a2a被供給之流體101沿著發熱部32a1之外表面流動。沿著發熱部32a1之外表面流動之流體101排出至處理區域30a(30b)之外側。亦即，冷卻部40自外管132b之一個開口側對內部空間供給流體101。被供給之流體101自外管132b之另一個開口側排出。該情形下，流體101可排出至側部均熱板34d與開閉門13之間，亦可排出至有機膜形成裝置1之外部。

於本實施形態之溫度控制部132，設置有兩側之端部開口之外管132b，因此可使流體101之流動滑順。因此，可謀求冷卻效率之提高。再者，供給至溫度控制部132之流體101可設為前述之氣體。

又，於本實施形態中，經由可變化形狀之配管67，外管132b與接頭68連接。於加熱處理步驟中，於外管132b產生熱膨脹。例如，可將外管132b經由接頭68與配管65直接連接。如是，因熱變形產生之應力施加於帶配管之凸緣61，而有由夾持具64實現之固定脫離之虞。

藉由在外管132b與配管65之間設置可變化形狀之配管67，而可使配管67以與外管132b之熱膨脹抵消之方式變化形狀。因此，即便由夾持具64實現之固定，亦可防止夾持具64脫離。 又，由於可藉由接頭68進行外管132b之拆裝，而可無須卸下夾持具64地進行有機膜形成裝置1之組裝作業或保養維修作業。

以上，針對實施形態進行了例示。然而，本發明並不限定於該等之記述。 例如，於外管32b之另一個端部閉合之情形下，外管32b之開口側之端部亦可設置於蓋15之內壁、保持具32c或者本體10a之側面10a1。 藉此，可將加熱器32a與外管32b分別進行更換。於加熱器32a發生故障之情形下，可僅更換加熱器32a，因此削減成本。 又，對於前述實施形態，即便熟悉此項技術者施加適當設計變更者，只要具備本發明之特徵，亦包含於本發明之範圍內。 又，前述各實施形態所具備之各要件可儘可能地進行組合，組合該等而成者只要包含本發明之特徵則亦包含於本發明之範圍內。

1:有機膜形成裝置 3(3a,3ab,3b):溫度控制群 10:腔室 10a:本體 10a1:側面 10a2:孔 11:凸緣 12:密封材 13:開閉門 14:凸緣 15:蓋 15a:孔 16:冷卻部 17:排氣口 18:排氣口 20:排氣部 21:第1排氣部 21a:排氣泵 21b:壓力控制部 22:第2排氣部 22a:排氣泵 22b:壓力控制部 23:第3排氣部 24:冷阱 25:閥 30:處理部 30a:處理區域 30b:處理區域 31:框架 31a:樑 32:溫度控制部 32a:加熱器 32a1:發熱部 32a2:凸緣 32a2a:孔 32a2b:孔 32a2c:接頭 32a3:端子 32b:外管 32c:保持具 32c1:凸緣 32c2:孔 32c3:螺紋孔 32c4:密封構件 32d:管 33:工件支持部 34:均熱部 34a:上部均熱板 34b:下部均熱板 34c:側部均熱板 34d:側部均熱板 35:均熱板支持部 36:罩體 36a:孔 37:支持部 37a:支持面 37b:傾斜面 38:接頭 39:配管 40:冷卻部 40a:第1流路 40b:第2流路 41:供給源 42:流體控制部 43~46:配管 43a~43c:端部 44a,44ab,44b,45a,45a1,45a2,45a3,45ab,45b:分支部 50:控制器 60:外部連接部 61:帶配管之凸緣 61a:凸緣 61b:孔 62:中心環 63:保持具 63a:凸緣 63b:孔 64:夾持具 65:配管 66:接頭 67:配管 68:接頭 100:工件 101:流體 132:溫度控制部 132b:外管 232:溫度控制部 232a:加熱器 232a2:凸緣 232b:外管 232b1:壁 232b2:壁 232d1~232d3:管 332:溫度控制部 332a:加熱器 332a2:凸緣 332b:外管 332b1:壁 332b2:壁 332c:保持具 332d1~332d3:管 X,Y,Z:方向

圖1係用於例示本實施形態之有機膜形成裝置之示意立體圖。 圖2係用於例示溫度控制部之示意剖視圖。 圖3係用於例示溫度控制部之示意立體圖。 圖4係顯示流體之流動之配管系統圖。 圖5係用於例示工件之處理步驟之圖表。 圖6係用於例示另一實施形態之溫度控制部之示意剖視圖。 圖7係用於例示又一實施形態之溫度控制部之示意剖視圖。 圖8係用於例示再一實施形態之溫度控制部之示意剖視圖。

15:蓋

32a1:發熱部

32a2:凸緣

32a2a,32a2b:孔

32a2c:接頭

32a3:端子

32b:外管

32c:保持具

32c1:凸緣

32c2:孔

32c3:螺紋孔

32c4:密封構件

32d:管

38:接頭

39:配管

Claims (13)

1. 一種有機膜形成裝置，其可將工件在較大氣壓更為減壓之環境下進行加熱，前述工件具有基板、及塗佈於前述基板之上表面之包含有機材料及溶媒之溶液，且該有機膜形成裝置具備： 腔室，其可維持較前述大氣壓更為減壓之環境； 排氣部，其可將前述腔室之內部予以排氣； 至少1個溫度控制部，其具有：外管，其呈筒狀，自前述腔室之外側延伸至前述腔室之內側，以成為氣密之方式插通於前述腔室；及發熱部，其設置於前述外管之內部空間，沿著前述外管延伸；以及 冷卻部，其可將流體供給至前述外管之內部空間。
2. 如請求項1之有機膜形成裝置，其中前述外管之一個端部開口，前述外管之另一個端部閉合， 前述冷卻部自前述外管之開口側將前述流體供給至前述內部空間， 前述被供給之流體自前述外管之開口側排出。
3. 如請求項2之有機膜形成裝置，其中前述溫度控制部更具有設置於前述外管之開口側之端部的凸緣， 前述凸緣拆裝自如地設置於前述腔室， 將前述凸緣安裝於前述腔室時，以前述凸緣與前述腔室之間成為氣密之方式密封。
4. 如請求項3之有機膜形成裝置，其中前述溫度控制部更具有設置於前述外管之內部空間並沿著前述外管延伸之第1管， 前述第1管之一個端部設置於沿厚度方向貫通前述凸緣之第1孔， 前述第1管之另一個端部設置於較前述外管之一個端部與另一個端部之間之中心位置更靠前述外管之閉合側。
5. 如請求項4之有機膜形成裝置，其中前述凸緣更具有沿厚度方向貫通之第2孔， 於前述第1管及前述第2孔，連接有可供前述流體流通且為撓性之配管。
6. 如請求項1之有機膜形成裝置，其更具備將前述外管之內部空間分隔成複數個區域之壁， 前述冷卻部可對前述複數個區域之每一者供給前述流體。
7. 如請求項1之有機膜形成裝置，其更具備將前述外管之內部空間分隔成複數個區域之壁，且 更具備對前述複數個區域之每一者供給前述流體之第2管， 前述第2管之一個端部連接於對應之前述區域， 前述第2管之另一個端部連接於前述冷卻部。
8. 如請求項3之有機膜形成裝置，其更具備將前述外管之內部空間分隔成複數個區域之壁，且 更具備對前述複數個區域之每一者供給前述流體之第2管， 前述第2管之一個端部連接於對應之前述區域， 前述第2管之另一個端部連接於前述冷卻部。
9. 如請求項4之有機膜形成裝置，其更具備支持部，該支持部具有支持前述外管之閉合側之端部之支持面、及與前述支持面交叉之傾斜面。
10. 如請求項8之有機膜形成裝置，其更具備支持部，該支持部具有：支持前述外管之閉合側之端部之支持面、及與前述支持面交叉之傾斜面。
11. 如請求項1之有機膜形成裝置，其中前述外管之兩側之端部開口， 前述冷卻部自前述外管之一個開口側將前述流體供給至前述內部空間， 前述被供給之流體自前述外管之另一個開口側排出。
12. 如請求項1至11中任一項之有機膜形成裝置，其更具備控制前述冷卻部之控制器， 前述溫度控制部設置複數個， 前述複數個溫度控制部被區分成複數個溫度控制群， 於前述冷卻部連接有對供設置前述溫度控制群之複數個空間之每一者供給前述流體之第1流路、與對前述複數個溫度控制部之每一者供給前述流體之第2流路， 要對經加熱之前述工件進行冷卻時，前述控制器控制前述冷卻部，經由前述第1流路及前述第2流路將前述流體供給至設置有前述溫度控制群之複數個空間與前述複數個溫度控制部。
13. 如請求項12之有機膜形成裝置，其中前述控制器更可進行施加於前述發熱部之電力之控制， 要對前述工件進行加熱時，前述控制器控制經由前述第2流路之前述流體之供給、與施加於前述發熱部之電力，而控制前述溫度控制部之溫度。

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