TWI785217B - 轉印薄膜、積層體之製造方法、積層體、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠依次形成含金屬氧化物粒子層及黏著層並且可獲得降低透明電極圖案的可見性優異的積層體之轉印薄膜及使用上述轉印薄膜之積層體之製造方法。又,提供一種依次具有含金屬氧化物粒子層及與上述含金屬氧化物粒子層相鄰之黏著層並且降低透明電極圖案的可見性優異的積層體、包含上述積層體之靜電電容型輸入裝置及具備上述靜電電容型輸入裝置之圖像顯示裝置。轉印薄膜依次具有臨時支撐體、黏著層及包含金屬氧化物粒子之含金屬氧化物粒子層,上述含金屬氧化物粒子層中的上述金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。

Description

轉印薄膜、積層體之製造方法、積層體、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置
本發明關於一種轉印薄膜、積層體之製造方法、積層體、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置。
在具備靜電電容型觸控面板之顯示裝置等中使用經圖案化之ITO(氧化銦錫)等透明電極(透明電極圖案)。
在此,在上述顯示裝置等中,已知有在上述透明電極圖案上形成折射率調整層以降低上述透明電極圖案的可見性。
又,已知有為了簡化製程而使用轉印薄膜形成上述折射率調整層。
例如,專利文獻1中記載有一種轉印薄膜,其特徵在於,其依次具有臨時支撐體、第一硬化性透明樹脂層及與上述第一硬化性透明樹脂層相鄰地配置之第二硬化性透明樹脂層,上述第二硬化性透明樹脂層的折射率高於上述第一硬化性透明樹脂層的折射率,上述第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.60以上。
專利文獻2中記載有一種透明導電性薄膜積層體,其特徵在於,其包含支撐體、上述支撐體上的透明的黏著劑層、上述透明的黏著劑層上的透明的薄膜基材及上述透明的薄膜基材上的透明導電性層,上述透明的黏著劑層包含:從其中一方的主面朝厚度方向 藉由透明的黏著劑基底材料基本形成之基底黏著劑區段;從上述黏著劑層的另一方的主面朝厚度方向形成之透明的黏著性的折射率調整用區段,上述基底黏著劑區段與上述透明的薄膜基材接觸,上述折射率調整用區段與上述支撐體接觸,並且具有比上述黏著劑基底材料的折射率還高的折射率。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-108541號公報
[專利文獻2]日本特開2017-024262號公報
如專利文獻1所記載,已知以降低透明電極圖案的可見性為目的而在透明電極圖案上形成折射率調整層。
專利文獻1中,為了保護上述折射率調整層,在折射率調整層(第二硬化性透明樹脂層)上配置有第一硬化性透明樹脂層(亦稱為“外塗層”。)。
在具有例如液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等圖像顯示裝置之觸控面板等的製造中,將偏振薄膜、相位差薄膜、罩玻璃、其他各種光學構件接合到上述折射率調整層上。
因此,例如使用專利文獻1之轉印薄膜形成折射率調整層及外塗層時,例如,藉由外塗層保護折射率調整層之同時,在外塗層上進一步形成黏著層,並與其他光學構件接合。
又,專利文獻2中記載有至少積層有黏著層和折射率調整層之轉印薄膜。藉由使用該種轉印薄膜,能夠省略上述外塗層的形 成,並且能夠在折射率調整層上形成具有黏著層之構件。
但是,本發明人進行了深入研究之結果發現了,在專利文獻2之轉印薄膜中,具有折射率調整層作為從黏著劑層的另一方的主面沿厚度方向形成之透明的黏著性的折射率調整用區段,因此在膜厚方向上產生折射率的偏差(變動),並且透明電極圖案的可見性的降低可能會不充分。
本發明之實施形態所欲解決之課題在於,提供一種能夠依次形成含金屬氧化物粒子層及黏著層,並且可獲得降低透明電極圖案的可見性優異的積層體之轉印薄膜及使用上述轉印薄膜之積層體之製造方法。
本發明之另一實施形態所欲解決之課題在於,提供一種依次具有含金屬氧化物粒子層及與上述含金屬氧化物粒子層相鄰之黏著層,並且降低透明電極圖案的可見性優異的積層體、包含上述積層體之靜電電容型輸入裝置及具備上述靜電電容型輸入裝置之圖像顯示裝置。
用於解決上述課題之手段包括以下態樣。
<1>一種轉印薄膜,其依次具有:臨時支撐體;黏著層;及含金屬氧化物粒子層,其包含金屬氧化物粒子,上述含金屬氧化物粒子層中的上述金屬氧化物粒子的含量在 膜厚方向的變動量為10%以下。
<2>如<1>所述之轉印薄膜,其中上述含金屬氧化物粒子層包含選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團。
<3>如<2>所述之轉印薄膜,其包含選自如下群組中之至少一種化合物,該群組包括具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物。
<4>如<3>所述之轉印薄膜,其中上述具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及上述具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的合計含量相對於上述含金屬氧化物粒子層的總質量為0.1質量%~20質量%。
<5>如<2>至<4>中任一項所述之轉印薄膜,其包含如下樹脂,該樹脂具有羧基及磷酸基中的至少一者,且分子量為2,000以上且10,000以下,玻璃轉移溫度為23℃以下,並且酸值為80mgKOH/g以上的樹脂。
<6>如<1>至<5>中任一項所述之轉印薄膜,其中上述黏著層在23℃下的tanδ為1.5以上,在23℃下的斷裂伸長率為600%以上,在23℃下的黏度為1.0×106Pa.s以下。
<7>如<1>至<6>中任一項所述之轉印薄膜,其在60℃下的水蒸氣透過率為1,100g/(m2.天)以下。
<8>如<1>至<7>中任一項所述之轉印薄膜,其中上述黏著層的厚度為5μm~200μm。
<9>如<1>至<8>中任一項所述之轉印薄膜,其中上述含金屬氧化物粒子層的厚度為30nm~1,000nm。
<10>一種積層體之製造方法,其包括在透明電極圖案上依次積層<1>至<9>中任一項所述之轉印薄膜中的上述含金屬氧化物粒子層及上述黏著層之製程。
<11>一種積層體,其依次具有:透明電極圖案;含金屬氧化物粒子層;其包含金屬氧化物粒子且與上述透明電極圖案相鄰地配置;及黏著層,其與上述含金屬氧化物粒子層相鄰地配置,上述含金屬氧化物粒子層中的上述金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。
<12>如<11>所述之積層體,其中上述含金屬氧化物粒子層包含如下化合物,該化合物具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團。
<13>如<12>所述之積層體,其包含選自如下群組中之至少一種化合物,該群組包括具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物。
<14>如<13>所述之積層體,其中上述具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及上述具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的合計含量相對於上述含金屬氧化 物粒子層的總質量為0.1質量%~20質量%。
<15>如<11>至<14>中任一項所述之積層體,其中上述黏著層在23℃下的tanδ為1.5以上,在23℃下的斷裂伸長率為600%以上,在23℃下的黏度為1.0×106Pa.s以下。
<16>如<11>至<15>中任一項所述之積層體,其中將上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層組合而成之層在60℃下的水蒸氣透過率為1,100g/(m2.天)以下。
<17>如<11>至<16>中任一項所述之積層體,其中上述黏著層的厚度為5μm~200μm。
<18>如<11>至<17>中任一項所述之積層體,其中上述含金屬氧化物粒子層的厚度為30nm~1,000nm。
<19>一種靜電電容型輸入裝置,其包含<11>至<18>中任一項所述之積層體。
<20>一種圖像顯示裝置,其具備<19>所述之靜電電容型輸入裝置。
藉由本發明之實施形態,提供一種能夠依次形成含金屬氧化物粒子層及黏著層,並且可獲得降低透明電極圖案的可見性優異的積層體之轉印薄膜及使用上述轉印薄膜之積層體之製造方法。
藉由本發明之另一實施形態,能夠提供一種依次具有含金屬氧化物粒子層及與上述含金屬氧化物粒子層相鄰之黏著層,並且 降低透明電極圖案的可見性優異的積層體、包含上述積層體之靜電電容型輸入裝置及具備上述靜電電容型輸入裝置之圖像顯示裝置。
1:透明基材(前面板)
2:遮罩層
3:透明電極圖案(第一透明電極圖案)
3a:墊部分
3b:連接部分
4:透明電極圖案(第二透明電極圖案)
5:絕緣層
6:不同的導電性要素
10:靜電電容型輸入裝置
11:透明膜
12:含金屬氧化物粒子層(可以具有透明絕緣層的功能)
13:積層體
14:罩構件
15:顯示裝置
16:臨時支撐體
18:黏著層
20:轉印薄膜
21:依次積層有透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層之區域
22:非圖案區域
50:PET基材
52:Kapton膠帶
54:含金屬氧化物粒子層及黏著層
56:臨時支撐體
58:空隙
α:錐角
D:邊界空隙寬度
LY:第一方向
LX:第二方向
圖1係表示本發明的一實施形態之轉印薄膜的一例之概略剖面圖。
圖2係表示本發明的一實施形態之靜電電容型輸入裝置的結構的一例之剖面概略圖。
圖3係表示本發明的一實施形態之透明電極圖案與非圖案區域的關係的一例之說明圖。
圖4係表示本發明的一實施形態之透明電極圖案的端部的錐形形狀的一例之說明圖。
圖5係表示本發明的一實施形態之透明電極圖案與非圖案區域的關係的一例之說明圖。
圖6係表示本發明之積層體的一例的剖面圖之示意圖。
圖7係用於說明本發明的實施例中的段差追蹤性的評價方法的說明圖。
以下,對本發明的一實施形態進行說明。
本發明中的基團(原子團)的標記中,未標有經取代及未經取代的標記係包含不具有取代基者和具有取代基者。例如,“烷基”係 指,不僅包含不具有取代基之烷基(未經取代烷基),亦包含具有取代基之烷基(經取代烷基)。
本發明中,使用“~”所表示之數值範圍係指將“~”的前後記載之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。
在本發明中分階段記載之數值範圍中,以1個數值範圍記載之上限值或下限值可置換為其他階段之記載的數值範圍的上限值或下限值。又,本發明中所記載之數值範圍中,其數值範圍的上限值或下限值可置換為實施例所示之值。
本發明中,含金屬氧化物粒子層等層中的各成分的量,當含金屬氧化物粒子層等層中存在複數種相當於各成分之物質時,只要未進行特別說明,係指含金屬氧化物粒子層等層中存在之上述複數種物質的合計量。
本發明中,“(甲基)丙烯酸”係包括丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者之概念,“(甲基)丙烯酸酯”係包括丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯這兩者之概念,“(甲基)丙烯醯基”係包括丙烯醯基及甲基丙烯醯基這兩者之概念。
又,本發明中的“製程”的術語不僅為獨立之步驟,而且即使在無法與其他步驟明確區分之情況下,亦實現該步驟的所期望的目的,則包含在本術語中。
又,本發明中,“質量%”的含義與“重量%”的含義相同,“質量份”的含義與“重量份”的含義相同。
此外,本發明中,2以上的較佳的態樣的組合係更佳的態樣。
又,關於本發明中的重量平均分子量(Mw)及數平均分子量(Mn),只要無特別說明,係利用使用了TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2000HxL(均為TOSOH CORPORATION製的產品名)的管柱之凝膠滲透色譜法(GPC)分析裝置,藉由溶劑THF(四氫呋喃)、差示折射計來檢測,使用聚苯乙烯作為標準物質而換算之分子量。
分子量具有分子量分佈時,只要未特別說明,則為重量平均分子量。
聚合物中的結構單元的組成比,只要未特別說明,則為莫耳比。
本發明中,總固體成分量係指去除組成物中的溶劑等揮發性成分而得之成分的總質量。
本發明中的圖式中,對相同的結構賦予相同符號,並省略詳細情況的說明。
本發明中,“光”係包括γ射線、β射線、電子束、紫外線、可見光線、紅外線之類的活性能量射線之概念。
本發明中的“曝光”除非另有說明,否則不僅包含利用水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線、X射線及EUV(Extreme ultraviolet)光等進行之曝光,還包含利用電子束及離子束等粒子束進行之曝光。
本發明中,“透明”係指在23℃下的波長400nm~800nm中的總光線透過率為80%以上(較佳為90%以上,更佳為95%以上)。利用積分球式光線透過率測量裝置(例如,KONICA MINOLTA, INC.製的商品名稱“CM-3600A”)測量上述總光線透過率。
(轉印薄膜)
本發明之轉印薄膜依次具有臨時支撐體、黏著層及包含金屬氧化物粒子之含金屬氧化物粒子層,上述含金屬氧化物粒子層中的上述金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。
本發明人進行了深入研究之結果發現了,藉由採用上述結構,能夠在透明電極圖案上依次形成含金屬氧化物粒子層及黏著層,並且可獲得降低透明電極圖案的可見性優異的積層體。
關於獲得上述效果之機理尚未明確,但如下推測。
本發明中的含金屬氧化物粒子層包含金屬氧化物粒子,其目的是提高折射率以降低透明電極圖案的可見性。
該金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下,認為可降低含金屬氧化物粒子層的折射率的偏差,並進一步降低透明電極圖案的可見性。
又,本發明之轉印薄膜能夠一次形成含金屬氧化物粒子層及黏著層。
此外,上述黏著層能夠作為比上述外塗層柔軟的層而形成。
因此,將本發明之轉印薄膜貼合到具有段差之構件時,認為容易抑制段差部分中氣泡的產生。
又,例如,認為還容易應用於顯示部等具有柔軟性之觸控面板顯示裝置。
以下,對構成本發明之轉印薄膜之各要件進行說明。
<轉印薄膜的結構>
圖1係本發明之轉印薄膜20的概略剖面圖。
轉印薄膜20在臨時支撐體16上依據具有黏著層18及含金屬氧化物粒子層12。
臨時支撐體16與黏著層18相鄰為較佳。然而,可以具有與臨時支撐體一同剝離之層,以使剝離臨時支撐體16時黏著層成為最外層。
黏著層18與含金屬氧化物粒子層12之間可以具有中間層等,但從透明電極圖案的可見性的降低及段差追蹤性的觀點考慮,相鄰為較佳。
含金屬氧化物粒子層12具有轉印時剝離之保護膜(未圖示)為較佳。
又,從透明電極圖案的可見性降低的觀點及在積層體中與透明電極圖案相鄰為較佳的觀點考慮,含金屬氧化物粒子層12係最外層或與保護膜相鄰為較佳。
[WVTR]
從抑制透明電極圖案及金屬配線(銅配線等)的腐蝕的觀點考慮,轉印薄膜的在60℃下的水蒸氣透過率(WVTR)係1100g/(m2.天)以下為較佳,200g/(m2.天)~600g/(m2.天)為更佳,200g/(m2.天)~400g/(m2.天)為進一步較佳。WVTR在60℃、90%RH的環境下藉由MOCON公司製的AQUATRAN(MODEL-1)來測量。
轉印薄膜的在60℃下的WVTR在從轉印薄膜剝離臨時支撐體 之狀態下被測量。又,轉印薄膜具有後述覆膜時,在覆膜亦剝離之狀態下被測量。在實際測量中,測量轉印到膜濾器之積層體的WVTR(膜濾器的WVTR與轉印薄膜的WVTR相比極其高,實質上測量轉印薄膜本身的WVTR)。
在本發明中,轉印薄膜的在60℃下的WVTR例如能夠藉由設計後述黏著層的組成、厚度等而設為上述範圍內。
以下,對各層的詳細情況進行說明。
<含金屬氧化物粒子層>
本發明之轉印薄膜具有含金屬氧化物粒子層。
本發明中的含金屬氧化物粒子層係透明為較佳。
又,本發明中的含金屬氧化物粒子層的、23℃、波長400nm~750nm中的折射率係1.55~2.00為較佳,1.60~1.90為更佳,1.61~1.89為進一步較佳,1.62~1.75為最佳。
本發明中,波長400nm~750nm下的折射率例如為1.50以上係指上述範圍的波長的光中的平均折射率為1.50以上,具有上述範圍的波長之所有光中的折射率無需為1.50以上。又,平均折射率係將具有上述範圍的波長之、對以每隔1nm的間隔測量之各光的折射率的測量值的總和除以測量點的數值而得之值。
本發明中的含金屬氧化物粒子層的波長550nm下的折射率係1.55~2.00為較佳,1.60~1.90為更佳,1.61~1.89為進一步較佳,1.62~1.75為最佳。
本發明中的含金屬氧化物粒子層的波長633nm下的折射率 係1.55~2.00為較佳,1.60~1.90為更佳,1.61~1.89為進一步較佳,1.62~1.75為最佳。
本發明中的含金屬氧化物粒子層的折射率高於後述黏著層的折射率為較佳。
本發明中,只要未特別說明,折射率係在23℃、波長550nm下利用橢圓偏振計測量而得之值。
[金屬氧化物粒子]
本發明中的含金屬氧化物粒子層包含金屬氧化物粒子。藉由包含金屬氧化物粒子,可獲得折射率及透光性優異的含金屬氧化物粒子層。
金屬氧化物粒子的23℃、波長400nm~750nm下的折射率係1.50以上為較佳,1.70以上為更佳,1.90以上為更佳。
金屬氧化物粒子的折射率的上限並無特別限定,例如3.0以下即可。
本發明中的金屬氧化物粒子的金屬還包含B、Si、Ge、As、Sb、Te等半金屬。
作為透光性且折射率高的金屬氧化物粒子,包含Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Gd、Tb、Dy、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Zn、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te等原子之氧化物粒子為較佳,氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋅、氧化鋯、氧化錫、鋯/錫氧化物、銦/錫氧化物、銻/錫氧化物為更佳,氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化錫、氧化鋯為進一步較佳,氧化鈦或氧化鋯為 特佳,氧化鋯為最佳。作為氧化鈦,二氧化鈦為較佳,作為二氧化鈦,尤其係折射率高的金紅石型為較佳。
該等金屬氧化物粒子亦能夠為了賦予分散穩定性而用有機材料對表面進行處理。
-粒徑-
從含金屬氧化物粒子層的透明性的觀點考慮,上述金屬氧化物粒子的平均一次粒徑係1nm~200nm為較佳,3nm~80nm為特佳。金屬氧化物粒子的平均一次粒徑係指藉由電子顯微鏡來測量任意200個粒子的粒徑且其算數平均。又,粒子的形狀為非球形的情況下,將最長的徑設為直徑。
又,上述金屬氧化物粒子可以單獨使用1種,亦可以併用2種以上。
含金屬氧化物粒子層中的金屬氧化物粒子的含量考慮所獲得的之光學構件所需之折射率、透光性等而適當的確定即可,相對於含金屬氧化物粒子層的總質量,設為5質量%~95質量%為較佳,設為50質量%~95質量%為更佳,設為65質量%~90質量%為最佳。
作為氧化鈦粒子的例子,可列舉TAYCA CORPORATION製的TS-020(水分散液、不揮發分25.6質量%)、Nissan Chemical Corporation製二氧化鈦溶膠R(甲醇分散液、不揮發成分32.1質量%)等。
作為氧化鋯粒子的例子,可列舉Nissan Chemical Corporation 製的Nano Use OZ-S30M(甲醇分散液、不揮發成分30.5質量%)、Sakai Chemical Industry Co.,Ltd.製的SZR-CW(水分散液、不揮發分30質量%)、SZR-M(甲醇分散液、不揮發分30質量%)等。
-膜厚方向的變動量-
在本發明中,含金屬氧化物粒子層中的金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下,8%以下為較佳,5%以下為更佳。
例如金屬氧化物粒子包含氧化鋯粒子時,使用XPS裝置“PHI-5600”(ULVAC-PHI,INCORPORATED製)對上述變動量實施氬氣‧濺射(4kV),從膜表面沿膜厚方向切割膜,藉由X射線光電子能譜法來測量膜表面的Zr原子相對於碳原子的含有率。藉由上述測量,相對於總膜厚的深度方向(膜厚方向),分別測量10%膜厚、50%膜厚及90%膜厚中Zr原子相對於碳原子的含有率,在該等3點的平均值與該等3點各自的值之差的絕對值中,將最大值設為變動量。上述10%(50%或90%)膜厚係指從含金屬氧化物粒子層的表面刮下含金屬氧化物粒子層的膜厚的10%(50%或90%)之位置。
即使當金屬氧化物粒子為其他粒子時,亦能夠與使用上述氧化鋯粒子之情況同樣地進行計算。
當含有複數個金屬氧化物粒子時,將各金屬的合計設為金屬氧化物粒子的含量。
[樹脂]
含金屬氧化物粒子層包含樹脂為較佳。
作為黏合劑聚合物,能夠使用公知的高分子。在側鏈上具有羧酸之丙烯酸樹脂為較佳。重量平均分子量係5,000~50,000為較佳。例如,能夠使用日本特開2011-095716號公報的0025段、日本特開2010-237589號公報的0033~0052段所記載之樹脂(A)。
上述樹脂並無特別限定,(甲基)丙烯酸樹脂為較佳。
在此,(甲基)丙烯酸樹脂係指包含來自於(甲基)丙烯酸之結構單元及來自於(甲基)丙烯酸酯之結構單元中的至少一者之樹脂。
(甲基)丙烯酸樹脂中的來自於(甲基)丙烯酸之結構單元及來自於(甲基)丙烯酸酯之結構單元的合計比例係30莫耳%以上為較佳,50莫耳%以上為更佳。上限並無特別限定,100莫耳%以下即可。
又,樹脂具有乙烯性不飽和基為較佳。
樹脂具有乙烯性不飽和基,因此與後述黏著層的密合性優異。
作為乙烯性不飽和基,可列舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基、烯丙基等。
該等乙烯性不飽和基例如可以在製造樹脂時使用具有該等乙烯性不飽和基之單體導入到樹脂中,亦可以藉由高分子反應等導入到樹脂中。
又,上述樹脂除了上述(甲基)丙烯酸樹脂以外,依據目的還能夠適當的選擇使用任意的膜形成樹脂。為了提高表面硬度、耐熱性,可以使用公知的感光性矽氧烷樹脂材料等。
上述樹脂可以單獨使用1種,亦可以併用2種以上。
樹脂的含量相對於上述含金屬氧化物粒子層的總質量,0質量%~40質量%為較佳,10質量%~30質量%為更佳。
[具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團之化合物]
含金屬氧化物粒子層包含具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團之化合物(以下,亦稱為“特定化合物”。)為較佳。
含金屬氧化物粒子層含有特定化合物,藉此在形成含金屬氧化物粒子層時,可抑制在含金屬氧化物粒子層中產生裂紋,並且更容易降低透明電極圖案的可見性。
作為特定化合物,係選自包括具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量(具有分子量分佈時為重量平均分子量)小於2,000的化合物及具有磷酸基之分子量小於2,000的化合物的群組中之至少一種化合物(以下,亦稱為“特定化合物A”。)為較佳。
-具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物-
具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物的分子量係120以上且1,000以下為較佳。
上述分子量能夠藉由公知的質量分析法進行測量。
又,具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物可以為僅具有1個羧基之化合物,亦可以為具有複數個羧 基之化合物,具有複數個羧基之化合物為較佳。
具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物中的羧基的pKa係1.0~6.0為較佳,1.0~4.0為更佳。具有羧基且分子量小於2,000的化合物具有複數個pKa時,上述pKa為複數個pKa中的最小值。
作為具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物,可列舉鄰苯二甲酸、偏苯三酸、順丁烯二酸、苯甲酸、檸檬酸等。
-具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物-
具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的分子量係120以上且1,000以下為較佳。
上述分子量能夠藉由公知的質量分析法進行測量。
又,具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物還具有乙烯性不飽和基為較佳。
作為上述乙烯性不飽和基並無特別限定,可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等。
又,具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物可以為僅具有1個磷酸基之化合物,亦可以為具有複數個磷酸基之化合物。
作為具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物,可列舉LIGHT ESTER P-2M(KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD.製)等。
-特定化合物B-
又,作為特定化合物,還能夠較佳地使用具有羧基及磷酸基中 的至少一者,分子量為2,000以上且10,000以下,玻璃轉移溫度(Tg)為23℃以下,並且酸值為80mgKOH/g以上之樹脂(以下,亦稱為“特定化合物B”。)。
在本發明中,樹脂等聚合物的玻璃轉移溫度能夠利用差示掃描量熱計(DSC)來測量。
具體的測定方法依JIS K 7121(1987年)或JIS K 6240(2011年)中記載的方法的順序進行。本說明書中的玻璃轉移溫度使用外推玻璃轉移開始溫度(以下,有時稱為Tig)。
對玻璃轉移溫度的測定方法進行更具體地說明。
求出玻璃轉移溫度之情況下,在比預想之Tg低約50℃的溫度下保持裝置直至穩定之後,以加熱速度20℃/分鐘,加熱至比結束了玻璃轉移之溫度高約30℃的溫度,並描繪DTA曲線或DSC曲線。
關於外推玻璃轉移開始溫度(Tig)亦即本說明書中的玻璃轉移溫度Tg,在作為將DTA曲線或DSC曲線中的低溫側的基準線沿高溫側延長之直線與在玻璃轉移的階梯狀變化部分的曲線的梯度成為最大之點繪製之切線的交點的溫度來求出。
作為將Tg調整為已敘述的較佳的範圍之方法,例如能夠控制作為目標之聚合物的各構成單元的均聚物的Tg及由各構成單元的質量比將FOX式為準則而作為目標之特定聚合物的Tg。
關於FOX式,將聚合物中所包含之第1構成單元的均聚物的Tg設為Tg1、 將第1構成單元的共聚物中的質量分率設為W1、將第2構成單元的均聚物的Tg設為Tg2、將第2構成單元的共聚物中的質量分率設為W2時,包含第1構成單元及第2構成單元之共聚物的Tg0(K)能夠依據以下的式來推斷。
FOX式:1/Tg0=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)
利用已敘述的FOX式,調整共聚物中所包含之各構成單元的種類及質量分率,能夠得到具有所期望的Tg之共聚物。
又,藉由調整聚合物的重量平均分子量,亦能夠調整聚合物的Tg。
本發明中的樹脂等聚合物的酸值係表示為了中和每1g聚合物的酸性成分所需之氫氧化鉀的質量者。具體而言,使測量樣品溶解於四氫呋喃/水=9/1混合溶劑中,並使用電位差滴定裝置(商品名稱:AT-510,KYOTO ELECTRONICS MANUFACTURING CO.,LTD.製),在23℃下,藉由0.1M氫氧化鈉水溶液對所獲得的之溶液進行中和滴定。將滴定pH曲線的拐點設為滴定終點,並藉由下式來算出酸值。
A=56.11×Vs×0.1×f/w
A:酸值(mgKOH/g)
Vs:滴定所需之0.1mol/l氫氧化鈉水溶液的使用量(mL)
f:0.1mol/l氫氧化鈉水溶液的滴定量
w:測量樣品的質量(g)(固體成分換算)
<<具有羧基,重量平均分子量為2,000以上且10,000 以下且Tg 23℃以下的樹脂>>
從抑制金屬配線的腐蝕之觀點考慮,作為特定化合物,使用具有羧基,分子量為2,000以上且10,000以下,玻璃轉移溫度(Tg)為23℃以下,並且酸值為80mgKOH/g以上之樹脂為較佳。
上述分子量係2,000~8,000為較佳,2,500~5,000為更佳。
上述Tg係-40℃~30℃為較佳,-20℃~25℃為更佳。
上述酸值係80mgKOH/g~300mgKOH/g為較佳,從溶解性的觀點考慮,80mgKOH/g~200mgKOH/g為更佳。
作為上述樹脂,丙烯酸樹脂為較佳。
作為較佳的例子,可列舉Soken Chemical & Engineering Co.,Ltd.製的Actflow CB-3060、CB-3098、CB-CBB-3098等。
<<具有磷酸基,重量平均分子量為2,000以上且10,000以下且Tg 23℃以下的樹脂>>
從抑制金屬配線腐蝕之觀點考慮,作為特定化合物,使用具有磷酸基,分子量為2,000以上且10,000以下,Tg為23℃以下,並且酸值為80mgKOH/g以上之樹脂為較佳。
作為具有上述磷酸基之樹脂,使用在側鏈上具有磷酸基之樹脂為較佳。
具有上述磷酸基之樹脂可以具有乙烯性不飽和基,係不具有乙烯性不飽和基之樹脂為較佳。
具有磷酸基之樹脂係具有包含磷酸基之結構單元之樹脂為較佳。
具有磷酸基之樹脂例如可在製造樹脂時使用具有磷酸基之單體而獲得。
-含量-
本發明之含金屬氧化物粒子層可以單獨含有1種特定化合物,亦可以併用2種以上。
特定化合物的含量相對於上述含金屬氧化物粒子層的總質量,係0.1質量%~50質量%為較佳,1.0質量%~40質量%為更佳。
又,特定化合物A的合計含量相對於上述含金屬氧化物粒子層的總質量,係0.1質量%~20質量%為較佳,1.0質量%~10.0質量%為更佳。
[其他聚合性化合物]
本發明中的含金屬氧化物粒子層可以還具有除了上述樹脂及特定化合物以外的其他聚合性化合物。
作為其他聚合性化合物,能夠列舉分子中具有至少一個可加成聚合之乙烯性不飽和基且沸點在常壓下為100℃以上的化合物。能夠列舉聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等單官能丙烯酸酯或單官能甲基丙烯酸酯;聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己二醇二 (甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(丙烯醯氧基丙基)醚、異氰尿酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、氰尿酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯;在三羥甲基丙烷或甘油等多官能醇上加成環氧乙烷或環氧丙烷之後(甲基)丙烯酸酯化而成者;在二新戊四醇等多官能醇上加成次羧酸或羧酸酐後(甲基)丙烯酸酯化而成者等多官能丙烯酸酯或多官能甲基丙烯酸酯。
[聚合起始劑或聚合起始系]
本發明中的含金屬氧化物粒子層可以還具有聚合起始劑或聚合起始系。作為聚合起始劑或聚合起始系並無特別限定,可列舉日本特開2011-095716號公報中記載之0031~0042段中記載之聚合起始劑或聚合起始系。
[其他添加劑]
含金屬氧化物粒子層可以還包含其他添加劑。作為其他添加劑,例如可列舉日本專利第4502784號公報的0017段、日本特開2009-237362號公報的0060~0071段中記載之界面活性劑或日本專利第4502784號公報的0018段中記載之熱聚合防止劑,進而可列舉日本特開2000-310706號公報的0058~0071段中記載之其他添加劑等。
[為正型材料之情況]
含金屬氧化物粒子層可以為正型材料。為含金屬氧化物粒子層正型材料時,例如可使用日本特開2005-221726號公報中所記載之材料等,但並不限定於此。
[厚度]
含金屬氧化物粒子層的厚度係30nm~1000nm為較佳,30nm~300nm為更佳,50nm~150nm為最佳。
<黏著層>
本發明之轉印薄膜具有黏著層。
作為黏著層,只要為具有黏著性之層,則並無特別限定,黏貼玻璃基材時的剝離力係0.2N/mm以上為較佳。藉由在室溫環境(23℃)下以拉伸速度300mm/min進行180°剝離試驗來測量上述剝離力。
[黏著層的特性]
-tanδ-
從使段差追蹤性良好的觀點考慮,黏著層的在23℃下的tanδ係1.5以上為較佳,大於1.5為更佳,2.0~4.0為進一步較佳。
在本發明中,tanδ作為在黏度測量中置於G’(儲存彈性模數)和G”(損耗彈性模數)之G”/G’的比率而獲得。上述儲存彈性模數G’及損耗彈性模數G”藉由JIS K 7244-1:1998中所記載之方法來測量。
-斷裂伸長率-
本發明中的黏著層的、在23℃下的斷裂伸長率從使段差追蹤性良好的觀點考慮,600%以上為較佳,600%~1000%為更佳。上述斷裂伸長率藉由使用拉伸試驗機(Tensilon Co.,Ltd.製)拉伸膜厚75μm、長度30mm、寬度5mm的自支撐膜的樣品膜來測量。 上述測量在夾頭間距離20mm、23℃、相對濕度50%下進行。
-黏度-
本發明中的黏著層的、在23℃下的黏度從使段差追蹤性良好的觀點考慮,1.0×106Pa.s以下為較佳,1.0×104Pa.s以上且1.0×106Pa.s以下為更佳。
上述黏度使用TA Instruments Japan Ltd.製流變計DHR-2(20mmf的平行板及帕耳帖板(Gap:約0.5mm))在測量開始溫度20℃、測量結束溫度50℃、升溫速度5℃/min、頻率1Hz、應變0.5%的條件下測量。樣品在帕耳帖板上將試樣在約80℃下溶解並以Gap恆定(0.5mm)模式下進行測量。以載荷恆定(1N)模式測量膜厚,使得帕耳帖板上厚度成為75μm。
從段差追蹤性的觀點考慮,本發明中的黏著層在23℃下的tanδ為1.5以上,在23℃下的斷裂伸長率為600%以上,在23℃下的黏度為1.0×106Pa.s以下為較佳。
tanδ、斷裂伸長率及黏度的較佳範圍分別如上所述。
-剝離力-
臨時支撐體與黏著層之間的剝離力係5.0N/25mm以下(0.2N/mm)為較佳,以使在臨時支撐體與黏著層之間的界面處容易剝離。
又,黏著層與含金屬氧化物粒子層之間的剝離力係5.0N/25mm以上為較佳,以使在黏著層與含金屬氧化物粒子層的界面處不易剝離。
上述剝離力藉由在室溫環境(23℃)下以拉伸速度300mm/min進行180°剝離試驗來測量。
-光學特性-
本發明中的黏著層係透明為較佳。
又,本發明中的黏著層的、23℃、波長400nm~750nm下的折射率係1.40~1.60為較佳,1.45~1.55為更佳。
[黏著層形成用組成物]
本發明中的黏著層藉由將黏著層形成用組成物進行硬化或乾燥而獲得。
例如,藉由將包含橡膠、依據需要的黏著賦予劑、聚合性單體及聚合起始劑之黏著層形成用組成物進行硬化、或將包含聚合性單體、樹脂及溶劑之黏著層形成用組成物進行乾燥而獲得。
以下,對本發明中的黏著層形成用組成物中所含有之成分及可以含有之成分進行說明。
-橡膠-
本發明中的黏著層形成用組成物含有橡膠為較佳。黏著層形成用組成物(黏著層)含有橡膠,藉此能夠提高黏著層的疏水性並能夠降低上述WVTR及所獲得的之靜電電容型輸入裝置中的相對介電係數。
本發明中的黏著層形成用組成物中所含有之橡膠在常溫(23℃)下係液態為較佳。又,併用在上述常溫為液態的橡膠和後述追加添加橡膠為較佳。
在常溫下為液態的橡膠的重量平均分子量係1000~10萬為較佳,1000~5萬為更佳,1000~3萬5000為進一步較佳。
在常溫下為液態的橡膠的重量平均分子量在上述範圍內,從而容易獲得段差追蹤性優異的黏著層,又,黏著層形成用組成物的處理性提高。
又,在常溫下為液態的橡膠的重量平均分子量為1000以上,藉此容易獲得黏著力優異且可抑制流動、洩漏等之黏著層。
另一方面,在常溫下為液態的橡膠的重量平均分子量為10萬以下,從而黏著層的段差追蹤性優異,黏著層形成用組成物的黏度不太高,因此處理性提高。
作為在常溫下為液態的橡膠,例如包含未改性或改性的橡膠,更具體而言,可列舉天然橡膠、(改性)聚異丁烯、(改性)聚丁二烯、(改性)氫化聚異戊二烯、(改性)氫化聚丁二烯、(改性)聚異戊二烯、(改性)聚丁烯、(改性)苯乙烯丁二烯共聚物、或從該等群組中任意選擇之組合的共聚物、該等的混合物等。另外,上述例示中的“(改性)A”(“A”為化合物名)係包含用任意的基團改性之A及未改性的A這兩者之總稱。
在常溫下為液態的橡膠中可以包含具有聚合性基之橡膠。具有聚合性基之橡膠係改性橡膠的一種。作為該種聚合性基,可列舉公知的自由基聚合性基((甲基)丙烯醯基、丙烯醯胺基、乙烯基、乙烯基苯基、烯丙基等)或公知的陽離子聚合性基(環氧基等)。作為具有聚合性基之第1橡膠,例如可列舉具有(甲基)丙烯醯基 之橡膠(例如,聚丁二烯、聚異戊二烯、氫化聚丁二烯及氫化聚異戊二烯等)。另外,具有聚合性基之橡膠不包含於後述聚合性單體。
從實現低介電常數及低溫度依賴性的觀點考慮,在常溫下為液態的橡膠包含選自包括聚丁二烯、聚異戊二烯、改性聚丁二烯及改性聚異戊二烯(較佳為(甲基)丙烯酸改性聚異戊二烯)的群組中之至少一種為較佳。
從本發明中的效果更優異的觀點考慮,在常溫下為液態的橡膠的含量相對於黏著層形成用組成物的總質量,5質量%~45質量%為較佳,10質量%~30質量%為更佳。
<<追加添加橡膠>>
黏著層形成用組成物除了在上述常溫下為液態的橡膠以外可以還包含追加添加橡膠。
追加添加橡膠係重量平均分子量在25萬~200萬的範圍內,並且在常溫(23℃)下為固體的橡膠為較佳。藉由還包含追加添加橡膠,可獲得濕熱密合性優異的黏著層。
若追加添加橡膠的重量平均分子量為25萬以上,則容易提高黏著層的濕熱密合性,又,若追加添加橡膠的重量平均分子量為200萬以下,則容易製備黏著層形成用組成物。
作為追加添加橡膠的具體例,由於與在常溫下為液態的橡膠相同,因此省略其說明。
從實現低介電常數及低溫度依賴性的觀點考慮,上述追加添加橡膠包含選自包括聚丁二烯、聚異戊二烯、改性聚丁二烯及改性 聚異戊二烯(較佳為(甲基)丙烯酸改性聚異戊二烯)的群組中之至少一種為較佳。
追加添加橡膠的含量相對於黏著層形成用組成物的總質量(100質量%)為10質量%以上,10~25質量%為較佳。
這樣,含量為10質量%以上,從而可獲得濕熱密合性優異的黏著層。又,若追加添加橡膠的含量為25質量%以下,則黏著層的柔軟性變得良好並且藉由段差追蹤性獲得優異的黏著層,又,在製備黏著層形成用組成物時,溶解性趨於良好。
另一方面,若追加添加橡膠的含量小於10質量%,則黏著層的濕熱密合性可能會不充分。
<<聚合性單體>>
本發明中的黏著層形成用組成物包含聚合性單體為較佳。
聚合性單體係具有聚合性基之化合物。作為聚合性基,能夠使用公知的聚合性基,可列舉所謂的自由基聚合性基((甲基)丙烯醯基、丙烯醯胺基、乙烯基、乙烯基苯基、烯丙基等)或陽離子聚合性基(環氧基等)。
其中,從處理性及聚合性優異且能夠進一步提高所獲得的之黏著層的段差追蹤性之觀點考慮,作為聚合性單體,(甲基)丙烯酸單體為較佳,尤其,單官能性(甲基)丙烯酸單體為更佳。另外,藉由聚合(甲基)丙烯酸單體而獲得(甲基)丙烯酸聚合物(聚(甲基)丙烯酸酯)。
(甲基)丙烯酸單體係具有(甲基)丙烯醯基之聚合性單體。 又,單官能性(甲基)丙烯酸單體係具有1個(甲基)丙烯醯基之聚合性單體。
另外,作為聚合性單體,可以僅使用1種,亦可以併用2種以上。
(甲基)丙烯酸單體的種類並無特別限制,就處理性優異的觀點考慮,(甲基)丙烯酸烷基酯為較佳,由下述式(A)表示之單官能性(甲基)丙烯酸單體為更佳。
式(A) CH2=CHR1-COO-R2
式(A)中,R1表示氫原子或烷基。作為烷基,碳數1~3為較佳,碳數1為更佳。
R2表示可以具有雜原子之烴基。
其中,就所獲得的之黏著層的段差追蹤性更優異的觀點而言,由R2表示之烴基中的碳原子的數(碳數)係6個以上為較佳,6個~16個為更佳,8個~12個為進一步較佳。
作為烴基,可較佳地列舉脂肪族烴基、芳香族烴基或將該等組合而成之基團。脂肪族烴基可以為直鏈狀、支鏈或環狀,更具體而言,可列舉直鏈狀脂肪族烴基、支鏈狀脂肪族烴基、環狀脂肪族烴基(脂環式烴基)等。
作為脂肪族烴基,例如可列舉烷基、環烷基、烯基等。作為芳香族烴基,例如可列舉苯基、萘基等。
(甲基)丙烯酸單體的溶解度參數(SP值)並無特別限制,就本發明中的效果更優異的觀點而言,8.0MPa1/2~10.0MPa1/2 為較佳。
在此,SP值係藉由基於Michael M.Collman,John F.Graf,Paul C.Painter(Pensylvania State Univ.)的“Specific Interactions and the Miscibility of Polymer Blends”(1991),Technomic Publishing Co.Inc.中所記載之計算而求出之值。
作為(甲基)丙烯酸單體,具體而言,可列舉(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二酯、(甲基)丙烯酸正十三酯、(甲基)丙烯酸正十四酯、(甲基)丙烯酸正十六酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧乙酯等。
作為(甲基)丙烯酸單體的較佳的態樣之一,就本發明中的效果更優異的觀點而言,可列舉併用2種(甲基)丙烯酸單體之態樣,其中,可更佳地列舉併用上述式(A)中的R2為鏈狀脂肪族烴基(較佳為支鏈狀脂肪族烴基)之單體X及上述式(A)中的R2為環狀脂肪族烴基之單體Y之態樣。
又,從提高黏著層的密合性的觀點考慮,包含單官能乙烯性不飽和化合物為較佳。作為單官能乙烯性不飽和化合物,可列舉單官能(甲基)丙烯酸酯化合物或(甲基)丙烯酸,可較佳地列舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、丁氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、丁氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸 酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、四乙二醇單甲醚(甲基)丙烯酸酯、六乙二醇單甲醚(甲基)丙烯酸酯、八乙二醇單甲醚(甲基)丙烯酸酯、九乙二醇甲醚(甲基)丙烯酸酯、七丙二醇單甲醚(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇乙醚(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、六乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、八丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚、(甲基)丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N-第三丁基(甲基)丙烯醯胺、N,N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-第三辛基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基胺基乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、雙丙酮丙烯醯胺、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺等。
含有單官能乙烯性不飽和化合物時的含量並無特別限定,相對於黏著層形成用組成物的總質量,0.1質量%~10質量%為較佳,0.5質量%~3質量%為更佳。
又,黏著層包含多官能乙烯性不飽和化合物為較佳。作為多官能乙烯性不飽和化合物,可列舉多官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯,例如可列舉乙二醇(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙 烯酸酯、雙苯氧基乙醇茀二丙烯酸酯、雙苯氧基乙醇茀二丙烯酸酯等2官能(甲基)丙烯酸酯、或三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯醯氧基乙基)磷酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物等3官能以上的(甲基)丙烯酸酯等。
作為含有多官能乙烯性不飽和化合物時的含量並無特別限定,相對於黏著層形成用組成物的總質量100質量%,0.01~2質量%為較佳,0.1~1質量%為更佳。
聚合性單體的含量並無特別限制,相對於黏著層形成用組成物的總質量,10質量%~45質量%為較佳,15質量%~30質量%為更佳,20質量%~30質量%為進一步較佳。
-光聚合起始劑-
本發明中的黏著層形成用組成物可以包含光聚合起始劑。
光聚合起始劑的種類並無特別限制,能夠使用公知的光聚合起始劑(自由基光聚合起始劑、陽離子光聚合起始劑)。例如,可列舉烷基苯酮系光聚合起始劑、甲氧基酮系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、羥基酮系光聚合起始劑(例如、IRGACURE 184;1,2-α-羥烷基苯酮)、胺基酮系光聚合起始劑(例如,2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-
Figure 108108698-A0305-02-0034-8
啉基-丙烷-1-酮(IRGACURE(註冊商標)907))、肟系光聚合起始劑(例如,IRGACURE OXE-01)。
其中,作為光聚合起始劑,醯基氧化膦系光聚合起始劑為較佳, 包含選自包括單醯基氧化膦及雙醯基氧化膦中的群組中之至少一個為更佳。
作為單醯基氧化膦的具體例,可列舉苯甲醯基-二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦、2,3,5,6-四甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦、3,4-二甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基-苯基乙氧基氧化膦等。
作為雙醯基氧化膦的具體例,可列舉雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦、雙(2,6-二甲基苯甲醯基)-乙基氧化膦等。
另外,作為光聚合起始劑,可以僅使用1種,亦可以併用2種以上。
光聚合起始劑的含量並無特別限制,相對於黏著層形成用組成物的總質量,1.0質量%~5.0質量%為較佳,1.5質量%~4.0質量%為更佳。
-黏著賦予劑-
本發明中的黏著層形成用組成物含有黏著賦予劑為較佳。
作為黏著賦予劑,在貼附劑或貼附製劑的領域適當地選擇使用公知者即可。例如可列舉石油系樹脂(例如,芳香族系石油樹脂、脂肪族系石油樹脂、基於C9餾分的樹脂等)、萜烯系樹脂(例如,α蒎烯樹脂、β蒎烯樹脂、萜烯樹脂、萜烯苯酚共聚物、氫化萜烯苯酚樹脂、芳香族改性氫化萜烯樹脂、芳香族改性萜烯樹脂、松脂酸酯(abietic acid ester)系樹脂)、松香系樹脂(例如、部分氫化 脂松香樹脂、丁四醇改性木材松香樹脂、妥爾油松香樹脂、木松香樹脂)、苯并呋喃茚樹脂(例如、苯并呋喃茚苯乙烯共聚物)、苯乙烯系樹脂(例如,聚苯乙烯、苯乙烯與α-甲基苯乙烯的共聚物等)等。作為更佳的黏著賦予劑,可列舉不含有極性基之石油系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂,萜烯系樹脂為最佳。
上述萜烯系樹脂中,萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂為較佳,氫化萜烯樹脂為最佳。
該種萜烯系樹脂能夠使用市售品,具體而言,可列舉CLEARON P150、CLEARON P135、CLEARON P125、CLEARON P115、CLEARON P105、CLEARON P85(YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.製)等。
另外,作為黏著賦予劑,可以僅使用1種,亦可以併用2種以上。
就本發明之效果更優異的觀點而言,黏著賦予劑的含量相對於黏著層形成用組成物總質量(100質量%),5質量%~50質量%為較佳,20質量%~45質量%為更佳。
又,就本發明之效果更優異的觀點而言,黏著賦予劑的含量相對於黏著層的總質量,5質量%~50質量%為較佳,20質量%~45質量%為更佳。
-抗氧化劑-
本發明中的黏著層形成用組成物含有抗氧化劑為較佳。
藉由含有抗氧化劑,能夠在製備黏著層形成用組成物時,抑制 聚合性單體等中包含之聚合性基反應,因此能夠提高黏著層的密合性。
作為抗氧化劑,例如可列舉苯酚系抗氧化劑、對苯二酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、羥胺系抗氧化劑等。
作為苯酚系或對苯二酚系抗氧化劑,例如可列舉2,6-二-三級丁基-4-甲基苯酚、4,4’-硫代雙-(6-三級丁基-3-甲基苯酚)、1,1’-雙(4-羥基苯基)環己烷、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-三級丁基苯酚)、2,5-二-三級丁基對苯二酚、新戊四醇-四[3-(3,5-二-三級丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]等。
作為磷系抗氧化劑,例如可列舉三(4-甲氧基-3,5-二苯基)亞磷酸酯、三(壬基苯基)亞磷酸酯、三(2,4-二三級丁基苯基)亞磷酸酯、雙(2,6-二-三級丁基-4-甲基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯、雙(2,4-二-三級丁基苯基)新戊四醇二亞磷酸酯等亞磷酸酯系抗氧化劑。
作為羥胺系抗氧化劑,例如可列舉N,N-雙十八烷基羥胺、N,N-二苄基羥胺等。
其中,從進一步發揮上述效果且聚合抑制小的觀點考慮,使用磷系抗氧化劑為較佳,使用亞磷酸酯系抗氧化劑為更佳。
作為抗氧化劑,可以僅使用1種,亦可以併用2種以上。
-其他成分-
<<鏈轉移劑>>
本發明中的黏著層形成用組成物可以含有鏈轉移劑。鏈轉移劑的種類並無特別限制,可使用公知的鏈轉移劑(例如、1-十二烷 基硫醇、三羥甲基丙烷三硫代丙酸酯、新戊四醇四硫代丙酸酯等)。
<<交聯劑>>
本發明中的黏著層形成用組成物可以還包含交聯劑。
作為交聯劑,例如能夠使用異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、多官能(甲基)丙烯酸酯等。
作為異氰酸酯系交聯劑,例如可列舉2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、水素化二異氰酸甲苯酯、1,3-二異氰酸苯二甲酯、1,4-二異氰酸苯二甲酯、二異氰酸六亞甲酯、4,4-二異氰酸二苯甲烷酯、二異氰酸異佛爾酮酯、1,3-雙(異氰酸甲酯基)環己烷、二異氰酸四甲基苯二甲酯、1,5-二異氰酸萘酯、三異氰酸三苯基甲烷酯及該等聚異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷等多元醇化合物的加成物、該等聚異氰酸酯化合物的縮二脲體或異氰尿酸酯體等。異氰酸酯系交聯劑中,從黏著層的介電常數的觀點考慮,2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、1,3-二異氰酸苯二甲酯、1,4-二異氰酸苯二甲酯、二異氰酸六亞甲酯、二異氰酸異佛爾酮酯為較佳,從隨時間的著色的觀點考慮,二異氰酸六亞甲酯、二異氰酸異佛爾酮酯為更佳。
該等異氰酸酯系交聯劑中的異氰酸酯基可以藉由公知的封端劑封端。作為分解溫度,100℃~130℃為較佳。
作為環氧系交聯劑,例如可列舉雙酚A‧環氧氯丙烷型的環氧樹脂、乙二醇二環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、甘油二環氧丙基醚、甘油三環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、三羥 甲基丙烷三環氧丙基醚、山梨糖醇聚環氧丙基醚、聚甘油基聚環氧丙基醚、新戊四醇聚縮水甘油基赤藻醇、二甘油聚環氧丙基醚等。環氧系交聯劑中,從黏著層的柔軟性的觀點考慮,乙二醇二環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚為較佳,從介電常數的觀點考慮,1,6-己二醇二環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚為更佳。
作為含有交聯劑時的含量並無特別限定,相對於黏著層形成用組成物的總質量100質量%,0.01~2質量%為較佳,0.1~1質量%為更佳。
該等交聯劑可以單獨使用,亦可以併用2種以上。
<<腐蝕抑制劑>>
黏著層或含金屬氧化物粒子層中含有具有唑類結構之唑類化合物為較佳,以防止透明電極的腐蝕或防止引繞配線。唑類化合物的分子量係60以上且1,000以下為較佳。唑類化合物中含有選自包括咪唑化合物、三唑化合物、四唑化合物、噻唑化合物及噻二唑化合物的群組中之至少一種唑類化合物(以下,亦稱為特定唑類化合物)為較佳。
另外,在本說明書中,“咪唑化合物”係指具有咪唑結構之化合物,“三唑化合物”係指具有三唑結構之化合物,“四唑化合物”係指具有四唑結構之化合物,“噻唑化合物”係指具有噻唑結構之化合物,“噻二唑化合物”係指具有噻二唑結構之化合物。
藉由含有特定唑類化合物,能夠抑制觸控面板用配線的變色。
作為特定唑類化合物並無特別限制。
下述表1及表2中示出特定唑類化合物的具體例。但是,本發明中的特定唑類化合物並不限定於該等。
表1及表2中,除了化合物名稱以外還示出分類、結構式、共軛酸的pKa及市售品的例子。
Figure 108108698-A0305-02-0041-1
Figure 108108698-A0305-02-0042-2
此外,作為特定唑類化合物的具體例,可列舉作為咪唑化合物的、1-甲基咪唑、4-甲基咪唑、2-巰基-1-甲基咪唑、2-苯基咪 唑、2-乙基-4-甲基咪唑、咪唑、5,6-二甲基苯并咪唑、5-乙氧基-2-巰基苯并咪唑、2-苯基咪唑、2-巰基-5-甲基苯并咪唑、2-巰基-5-甲氧基苯并咪唑、2-巰基-5-苯并咪唑羧酸、2-(4-噻唑基)苯并咪唑、2-胺基-1-甲基苯并咪唑、2-胺基苯并咪唑、1-(3-胺基丙基)咪唑、6-胺基苯并咪唑、5-胺基苯并咪唑等。
該等中,作為特定唑類化合物,從進一步抑制觸控面板用配線的變色的觀點考慮,選自包括三唑化合物及四唑化合物的群組中之至少一種的唑類化合物為較佳,選自1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、及5-胺基-1H-四唑中的至少一種的唑類化合物為更佳,選自1,2,3-苯并三唑及5-胺基-1H-四唑中的至少一種的唑類化合物為進一步較佳。
由於特別顯示出上述特定唑類化合物的效果,因此引繞配線為銅為較佳。
<<其他成分>>
本發明中的黏著層形成用組成物除了上述以外依據使用之用途還能夠適當地添加溶劑(水、有機溶劑等)、重合阻害抑制劑、表面潤滑劑、調平劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑、無機填充劑或有機填充劑、金屬粉、顏料等粉體、粒子狀、箔狀物等先前公知的各種添加劑。
[厚度]
黏著層的厚度係5μm~200μm為較佳,25μm~100μm為更佳。
<臨時支撐體>
本發明的轉印薄膜包含臨時支撐體。
臨時支撐體係薄膜為較佳,樹脂薄膜為更佳。
臨時支撐體係透明為較佳。
作為臨時支撐體,能夠使用具有可撓性,並且在加壓下或加壓及加熱下不產生顯著的變形、收縮或伸展的膜。
作為該種膜,例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯膜、三乙酸纖維素膜、聚苯乙烯膜、聚醯亞胺膜及聚碳酸酯膜。
其中,雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯膜為特佳。
臨時支撐體的厚度並無特別限制,係5μm~200μm為較佳。從處理容易性及通用性的觀點考慮,臨時支撐體的厚度係10μm~150μm為特佳。
<中間層>
從防止塗佈複數個層時及塗佈後的保存時的成分的混合的觀點考慮,本發明之轉印薄膜可以在上述含金屬氧化物粒子層與上述黏著層之間還包含中間層。
作為中間層,日本特開平5-072724號公報中作為“分離層”記載之、具有阻氧功能之阻氧膜為較佳,曝光時的靈敏度增加,並且能夠降低曝光機的負荷時間,生產性提高。
<保護膜>
本發明之轉印薄膜在上述含金屬氧化物粒子層的表面進一步設置保護膜(保護剝離層)等為較佳。
作為上述保護膜,係丙烯酸樹脂膜或聚丙烯樹脂膜為較佳。又,保護膜的膜厚係12μm~40μm為較佳。
能夠適當地使用日本特開2006-259138號公報的0083~0087段及0093段中所記載者。
<轉印薄膜之製造方法>
本發明之轉印薄膜並無特別限定,例如藉由以下的本發明之轉印薄膜之製造方法來製造為較佳。
本發明之轉印薄膜之製造方法具有在臨時支撐體上形成黏著層之製程及在黏著層上形成含金屬氧化物粒子層之製程。
[形成黏著層之製程]
黏著層藉由對上述黏著層形成用組成物進行硬化及乾燥中的至少任1個而獲得。
亦即,將上述黏著層形成用組成物賦予臨時支撐體上,實施硬化處理及乾燥處理中的至少任一種而形成黏著層。
作為賦予黏著層形成用組成物之方法,例如可列舉基於凹版塗佈機、缺角輪塗佈機(comma coater)、棒式塗佈機、刀式塗佈機、模塗佈機、滾筒塗佈機等進行之塗佈等。除此以外,只要能夠在臨時支撐體上賦予黏著層形成用組成物則不限於塗佈,能夠利用公知的方法。
作為硬化處理,依據黏著層形成用組成物的組成等選擇適當的方法即可,例如可列舉光硬化處理、熱硬化處理等。
光硬化處理可以包括複數次的硬化製程,所使用的之光波長 可以從複數個中適當選擇。又,熱硬化處理亦可以包括複數次硬化製程,施加熱之方法可以從烘箱、回焊爐、紅外線加熱器等適當的方法中選擇。進而可以適當地組合光硬化處理和熱硬化處理。
上述光硬化處理時所使用的之光源並無特別限制,可列舉低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、疝氣燈、金屬鹵化物燈、無電極燈等。作為用於光硬化處理之光係紫外光為較佳,例如,使用一般的紫外線照射裝置,更具體而言,使用帶式輸送機式的紫外線照射裝置為較佳。
上述光硬化處理時的條件藉由所使用之組成物的成分等適當地選擇,作為照射量(例如,紫外線照射量),100mJ/cm2~2500mJ/cm2為較佳,200mJ/cm2~1100mJ/cm2為更佳。
又,上述曝光可以藉由在所賦予之黏著層形成用組成物的表面上黏貼剝離片、在惰性氣體環境下進行等來降低由氧引起之影響之基礎上進行。
作為乾燥處理並無特別限定,可列舉自然乾燥、藉由鼓風機等裝置進行之風乾燥、藉由加熱板、烘箱等裝置進行之加熱乾燥等方法。
在本發明中,乾燥係指去除組成物中所含有之溶劑的至少一部分。
[形成含金屬氧化物粒子層之製程]
含金屬氧化物粒子層例如藉由將含金屬氧化物粒子層形成用組成物賦予到黏著層上而獲得,該含金屬氧化物粒子層形成用組 成物藉由將上述含金屬氧化物粒子層中所包含之成分與公知的溶劑進行混合而獲得。又,亦可以藉由在黏著層上轉印含金屬氧化物粒子層而獲得。
作為將含金屬氧化物粒子層形成用組成物賦予到黏著層上之方法,可列舉與賦予上述黏著層形成用組成物之方法相同的方法。
上述賦予後,藉由乾燥所賦予之含金屬氧化物粒子層形成用組成物來獲得含金屬氧化物粒子層。作為乾燥方法並無特別限定,例如可使用上述自然乾燥、風乾燥、加熱乾燥等公知的方法。
[其他製程]
除此以外,在本發明之轉印薄膜之製造方法中,可以還包括設置保護膜之製程、設置中間層之製程等。
關於該等製程的詳細情況,能夠參閱日本特開2014-108541號公報的記載。
在本發明的轉印薄膜中,黏著層及含金屬氧化物的層的波長400nm下的透過率係85%以上為較佳,90%以上為更佳。
(積層體)
本發明之積層體依次具有透明電極圖案、與上述透明電極圖案相鄰地配置且包含金屬氧化物粒子之含金屬氧化物粒子層及與上述含金屬氧化物粒子層相鄰地配置之黏著層,上述含金屬氧化物粒子層中的上述金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。
藉由本發明之積層體,可降低透明電極圖案的可見性。
[WVTR]
從抑制透明電極圖案及金屬配線(銅配線等)的腐蝕的觀點考慮,本發明之積層體中的、將前述黏著層及前述含金屬氧化物粒子層組合而成之層在60℃下的WVTR係1100g/(m2.天)以下為較佳,200g/(m2.天)~600g/(m2.天)為更佳,200g/(m2.天)~400g/(m2.天)為進一步較佳。
<積層體的結構>
[黏著層及含金屬氧化物粒子層]
黏著層及含金屬氧化物粒子層的較佳範圍與本發明之轉印薄膜中的黏著層及含金屬氧化物粒子層的較佳範圍相同。
從進一步改善透明電極圖案的可見性之觀點考慮,本發明之積層體在上述透明電極圖案的與形成有上述含金屬氧化物粒子層之一側相反的一側還具有折射率1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜為較佳。另外,本發明中,只要未特別說明,當記載為“透明膜”時,係指上述“折射率1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜”。透明膜的膜厚係55nm~110nm為更佳。
本發明之積層體在上述折射率1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜的與形成有上述透明電極圖案之一側相反的一側還具有透明基材為較佳。
圖2中示出本發明之積層體的較佳的態樣的一例(亦稱為“態樣A”。)。
圖2中,具有透明基材1及折射率1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜11,進一步在面內具有依次積層有透明電極圖案4、含金屬氧化物粒子層12及黏著層18之區域。
面內係指相對於與積層體的透明基材平行的面大致平行的方向。在面內包括依次積層有透明電極圖案4、含金屬氧化物粒子層12及黏著層18之區域,係指依次積層有透明電極圖案4、含金屬氧化物粒子層12及黏著層18之區域對於與積層體的透明基材平行的面上的正投影存在於與積層體的透明基材平行的面內。
在此,當將本發明的積層體用於後述的靜電電容型輸入裝置時,有時在行方向與列方向的大致正交之2個方向上分別設置透明電極圖案作為第一透明電極圖案及第二透明電極圖案(例如,參閱圖5)。例如,在圖5的構成中,本發明之積層體中的透明電極圖案可以為第二透明電極圖案4,亦可為第一透明電極圖案3的墊部分3a。換言之,在以下的本發明之積層體的說明中,有時由“4”來代表表示透明電極圖案的符號,但本發明之積層體中的透明電極圖案並不限定於用於本發明之靜電電容型輸入裝置中的第二透明電極圖案4,例如亦可用作第一透明電極圖案3的墊部分3a。
本發明之積層體包含未形成上述透明電極圖案之非圖案區域為較佳。本發明中,所謂非圖案區域,是指未形成透明電極圖案4之區域。
圖3中示出本發明之積層體包含非圖案區域22之態樣。
本發明之積層體在面內包含在未形成上述透明電極圖案之非圖案區域22的至少一部分中依次積層有上述透明基板、上述透明膜及含金屬氧化物粒子層之區域為較佳。
本發明之積層體在依次積層有上述透明基板、上述透明膜及含金屬氧化物粒子層之區域中,上述透明膜及含金屬氧化物粒子層相互鄰接為較佳。
但是,在上述非圖案區域22的其他區域中,只要不違反本發明的主旨,則亦可以在任意的位置上配置其他構件,例如當將本發明之積層體用於後述的靜電電容型輸入裝置時,能夠積層圖2中的遮罩層2、或絕緣層5或導電性要素6等。
關於本發明之積層體,上述透明基材及透明膜相互鄰接為較佳。
圖2中示出在透明基材1上鄰接並積層有透明膜11之態樣。
本發明之積層體中,上述透明膜的厚度為55nm~110nm,60nm~110nm為較佳,70nm~90nm為更佳。
在此、上述透明膜可以為單層結構,亦可以為2層以上的積層結構。當上述透明膜為2層以上的積層結構時,上述透明膜的膜厚係指所有層的合計膜厚。
關於本發明之積層體,上述透明膜及上述透明電極圖案相互鄰接為較佳。
圖2中示出在透明膜11的一部分區域上鄰接並積層有透明電極圖案4之態樣。
如圖2所示,透明電極圖案4的端部的形狀並無特別限制,可以具有錐形形狀,例如,可以具有上述透明基材側的面比與上述透明基材相反的一側的面寬的錐形形狀。
在此,上述透明電極圖案的端部為錐形形狀時的透明電極圖案的端部的角度(以下,亦稱為錐角)係30°以下為較佳,0.1°~15°為更佳,0.5°~5°為特佳。
本發明中的錐角的測量方法能夠藉由拍攝上述透明電極圖案的端部的顯微鏡照片,將該顯微鏡照片的錐形部分近似成三角形,並直接測定錐角來求出。
圖4表示透明電極圖案的端部為錐形形狀時的一例。圖4中的近似錐形部分的三角形的底面為800nm,高度(與底面大致平行的上底部分中的膜厚)為40nm,此時的錐角α為約3°。近似錐形部分的三角形的底面係10nm~3000nm為較佳,100nm~1500nm為更佳,300nm~1000nm為特佳。另外,近似錐形部分的三角形的高度的較佳的範圍與透明電極圖案的膜厚的較佳的範圍相同。
本發明之積層體在面內包括上述透明電極圖案及含金屬氧化物粒子層相互鄰接之區域為較佳。
圖3中示出在依次積層有上述透明電極圖案、含金屬氧化物粒子層及黏著層之區域21中,上述透明電極圖案、含金屬氧化物粒子層及黏著層相互鄰接之態樣。
又,關於本發明之積層體,上述透明電極圖案及未形成上 述透明電極圖案之非圖案區域22兩者連續並直接或經由其他層被上述透明膜及含金屬氧化物粒子層包覆。
在此,所謂“連續”,係指上述透明膜及含金屬氧化物粒子層為連續膜而非圖案膜。亦即,從使透明電極圖案難以被識別的觀點考慮,上述透明膜及含金屬氧化物粒子層不具有開口部為較佳。
又,與上述透明電極圖案及非圖案區域22經由其他層而被上述透明膜及上述含金屬氧化物粒子層包覆相比,直接包覆為較佳。作為經由其他層而被包覆時的上述“其他層”,能夠列舉後述的本發明之靜電電容型輸入裝置中所含有之絕緣層5、或當如後述的本發明之靜電電容型輸入裝置般含有2層以上的透明電極圖案時,能夠列舉第2層的透明電極圖案等。
圖3中示出橫跨透明膜11上的未積層透明電極圖案4之區域與透明電極圖案4上,與兩者分別鄰接來積層有含金屬氧化物粒子層12之態樣。
又,當透明電極圖案4的端部為錐形形狀時,沿著錐形形狀(以與錐角相同的斜度)積層含金屬氧化物粒子層12為較佳。
圖3中,示出在含金屬氧化物粒子層12的與形成有上述透明電極圖案之表面相反的一側的表面上積層有黏著層18之態樣。
<積層體的材料>
[透明基材]
本發明之積層體中,上述透明基材係折射率1.50~1.55的玻璃基材或樹脂薄膜基材為較佳。
上述透明基材由玻璃基材等透光性基材構成,能夠使用環烯烴聚合物(COP)薄膜基材、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材、強化玻璃等。又,作為上述透明基材,能夠較佳地使用日本特開2010-086684號公報、日本特開2010-152809號公報及日本特開2010-257492號公報中所使用之材料,將該等文獻的內容編入本發明中。
[透明電極圖案]
上述透明電極圖案的折射率係1.75~2.10為較佳。
上述透明電極圖案的材料並無特別限制,能夠使用公知的材料。例如,能夠由ITO(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide:氧化銦鋅)、SiO2等透光性的導電性金屬酸化膜、Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等的金屬等來製作。其中,折射率1.75~2.10的ITO膜為特佳。厚度能夠設為10~200nm。又,因藉由煅燒來將非晶的ITO膜作為多晶的ITO膜,因此亦能夠減小電阻。又,後述第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及後述的導電性要素6亦能夠使用導電性纖維來製造。此外,當藉由ITO等來形成第一導電性圖案等時,能夠參閱日本專利第4506785號公報的0014~0016段等。
[透明膜]
本發明之積層體的上述透明膜的折射率為1.60~1.78,1.65~1.74為較佳。在此,上述透明膜可以為單層結構,亦可以為2層以上的積層結構。當上述透明膜為2層以上的積層結構時,上述 透明膜的折射率係指所有層的折射率。
只要滿足該種折射率的範圍,則上述透明膜的材料並無特別限制。
上述透明膜的材料的較佳的範圍和折射率等的物性的較佳的範圍與上述含金屬氧化物粒子層的該等的較佳的範圍相同。
從光學的均質性的觀點考慮,本發明之積層體係上述透明膜與上述含金屬氧化物粒子層由相同的材料構成為較佳。
本發明之積層體係上述透明膜為透明樹脂膜為較佳。作為透明樹脂膜中所使用之金屬氧化物粒子或樹脂(黏合劑)或其他添加劑,只要不違反本發明的主旨,則並無特別限制,能夠較佳地使用本發明之轉印薄膜中的上述含金屬氧化物粒子層中所使用之樹脂或其他添加劑。
本發明之積層體中,上述透明膜可以為無機膜。作為無機膜中所使用之材料,能夠較佳地使用本發明之轉印薄膜中的上述含金屬氧化物粒子層中所使用之材料。
在本發明之積層體中,在與黏著層的含金屬氧化物粒子層相反的一側可以不具有任何物質,亦可以具有上述臨時支撐體,亦可以具有偏振片等光學構件,亦可以具有例如液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等顯示裝置中的顯示面板,亦可以具有保護玻璃等保護構件。
例如,將圖2或圖3中所記載之積層體中的與黏著層18的含金屬氧化物粒子層12相反的一側的面依據需要在剝離臨時支撐體 之後貼附於上述光學構件或上述顯示面板,藉此可獲得具有上述光學構件或上述顯示面板之積層體。
將本發明之積層體的另一態樣(以下,亦稱為“態樣B”。)示於圖6。
圖6係表示本發明之積層體13的一例的剖面圖之示意圖。
圖6中,積層體13依次具有黏著層18、含金屬氧化物粒子層12、透明電極圖案4及透明基材14。
作為顯示裝置15,可列舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等。
藉由將該種積層體13的、與黏著層18的含金屬氧化物粒子層12相反的一側的面貼附於顯示裝置15來獲得包括顯示裝置15之積層體。
在該種態樣中,例如可列舉作為透明基材14使用玻璃基材之態樣。又,作為透明基材14使用樹脂基材,並且可以在與上述樹脂基材的含金屬氧化物粒子層12相反的一側的面進一步黏貼玻璃構件。
又,藉由將積層體13的、與透明基材14的含金屬氧化物粒子層12相反的一側的面貼附於顯示裝置15之態樣,亦可獲得包括顯示裝置15之積層體。
在該種態樣中,例如,可列舉在與黏著層18的含金屬氧化物粒子層12相反的一側的面黏貼罩玻璃等保護構件之態樣。
在本發明中,作為保護構件,可列舉玻璃、樹脂等,例如可使 用玻璃板、樹脂片等。
此外,積層體13亦可以為,在透明基材14的兩者的面上形成有透明電極圖案4,進一步在兩者的面上分別形成有含金屬氧化物粒子層12及黏著層18之態樣。
藉由該種態樣,例如能夠將其中1個面上的黏著層18貼附於罩玻璃等保護構件,將另1個面上的黏著層18貼附於顯示裝置15。
藉由上述貼附,可獲得依次具有保護構件、黏著層18、含金屬氧化物粒子層12、透明電極圖案4、透明基材14、透明電極圖案4、含金屬氧化物粒子層12、黏著層18及顯示裝置15之積層體。
態樣B中的黏著層18及含金屬氧化物粒子層12的較佳的範圍分別與本發明之轉印薄膜中的黏著層及含金屬氧化物粒子層的較佳的範圍相同。
在態樣B中,可以在透明基材14與透明電極圖案4之間具有上述透明膜(未圖示)。
又,可以在透明電極圖案4與透明基材14之間具有底塗層、外塗層。上述塗佈層可以由1層或2層以上的複數層形成。上述塗佈層可以具有折射率調整功能。上述塗佈層的折射率係導電層的折射率以下為較佳。上述塗佈層中可以具有阻氣功能、防鏽功能。
態樣B中的透明電極圖案4的較佳的態樣與態樣A中的 透明電極圖案4的較佳的態樣相同。
又,透明電極圖案4可以還包括金屬奈米線或金屬網。金屬奈米線係指,材質為金屬,形狀為針狀或絲狀,直徑為奈米尺寸的導電性物質。金屬奈米線可以為直線狀,亦可以為曲線狀。若使用由金屬奈米線構成之透明導電層,則金屬奈米線成為網眼狀,藉此即使為少量的金屬奈米線,亦能夠形成良好的導電路徑,並且能夠獲得電阻小的透明導電性薄膜。進而,藉由金屬奈米線成為網眼狀,在網眼的間隙形成開口部而能夠獲得光透過率高的透明導電性薄膜。
作為構成上述金屬奈米線之金屬,只要為導電性高的金屬,能夠使用任意適當的金屬。作為構成上述金屬奈米線之金屬,例如可列舉銀、金、銅、鎳等。又,亦可以使用對該等金屬進行鍍覆處理(例如,鍍金處理)之材料。其中,從導電性的觀點考慮,較佳為銀、銅或金,更加為銀。
包含金屬網之透明導電層在透明基材14上,金屬細線以例如格子狀的圖案形成。能夠使用與構成上述金屬奈米線之金屬相同的金屬。包含金屬網之透明導電層能夠藉由任意適當的方法形成。透明導電層例如能夠藉由將包含銀鹼之感光性組成物(透明導電層形成用組成物)塗佈於基材積層體上,然後進行曝光處理及顯影處理,從而以規定的圖案形成金屬細線來獲得。
透明基材14經過配線圖案和黑矩陣的形成、結晶化處理等製程,因此具有優異的耐熱性、耐化學性為較佳。作為透明基材 14的材質,可列舉玻璃、樹脂基材等,可以由單層或幾個構件的複合系統形成。樹脂基材14的厚度係0.05mm~2.00mm為較佳,0.1mm~1.3mm為更佳,特佳為0.2mm~1.1mm。當使用厚度為0.2mm以下的玻璃時,可獲得彎曲性優異的基板,但是為了防止裂紋的進展及破裂的風險,能夠具備玻璃的單側或兩側之樹脂層為較佳。又,樹脂基材的一部分或全部可以形成為彎曲、曲面形狀。
透明基材14的材質為玻璃時,選擇鈉玻璃、無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃等強度及透過率優異的玻璃板為較佳。若選擇強度優異的玻璃板,則能夠薄型化,尤其,化學強化玻璃(鋁矽酸鹽、鹼石灰)耐壓強度優異,因此較佳地使用。
作為透明樹脂基材的原料,例如能夠使用PET、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂、COP、環烯烴共聚物(COC)等環烯烴系樹脂、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等聚烯烴系樹脂、乙烯基系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚碸系樹脂、倍半矽氧烷系樹脂、三乙醯纖維素(TAC)等。為了避免由於相位差而產生之著色干擾不均勻的產生,光學各向同性的基材為較佳。作為推薦之光學各向同性的樹脂材料,可列舉環烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚芳酯系樹脂。
從顯示裝置15觀察,透明基材14構件的外側(可見側)可以具有功能層。作為功能層,可列舉硬塗(HC)層、防反射層、 防污層、抗靜電層、實施以防止擴散、防眩光為目的之處理之層等,可以將該等任意組合、複合而形成。又,可以對罩構件或上述功能層賦予紫外線吸收功能。
可以在透明基材的外側、內側的任意側積層有用於防止飛散之保護膜。防飛散膜亦可以具有前述功能層。為了避免由相位差導致之著色干擾不均勻的產生,使用光學各向同性的基材(未拉伸的環烯烴聚合物膜、藉由流延法形成之聚碳酸酯膜)為較佳。此外,亦可以設為在罩構件於圖像顯示裝置之間的任意位置配置用於與太陽鏡對應之相位差板(λ/4波長板)之結構。相位差板(λ/4波長板)配置為使慢軸相對於圖像顯示裝置的可見側偏振片的吸收軸成為45度為較佳。
透明基材14上亦能夠設置裝飾層。例如,裝飾層由樹脂黏合劑及含有顏料或染料作為著色劑之著色油墨而形成。藉由網版印刷、膠版印刷、凹版印刷等方法以單層或多層形成,上述印刷層的厚度設為0.5~50μm左右為較佳。又,為了表現金屬光澤色,可以形成包括藉由蒸鍍法、濺射法形成之金屬薄膜層之層。裝飾層可以形成於罩構件的任意面,亦可以形成並積層於上述防飛散膜等膜上。又,可以形成於保護構件。
(積層體之製造方法)
本發明之積層體之製造方法包括在透明電極圖案上依次積層本發明之轉印薄膜中的上述含金屬氧化物粒子層及上述黏著層之製程。
藉由該種結構,能夠統一轉印積層體的含金屬氧化物粒子層及上述黏著層,並且能夠容易且生產性良好地製造降低透明電極圖案的可見性之積層體。
另外,本發明之積層體之製造方法中的上述含金屬氧化物粒子層直接或經由其他層形成於上述透明電極圖案上、上述非圖案區域中的上述透明膜上。
<透明基材的表面處理>
又,為了提高之後的轉印製程中的由層壓引起之各層的密合性,能夠預先在透明基材(前面板)的非接觸面實施表面處理。作為上述表面處理,能夠實施使用矽烷化合物之表面處理(矽烷耦合處理)或電暈處理。
<透明電極圖案的成膜>
上述透明電極圖案能夠利用後述之本發明之靜電電容型輸入裝置的說明中的、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及不同的導電性要素6的形成方法等,在透明基材上或上述折射率1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜上成膜,使用感光性薄膜之方法為較佳。
<黏著層及含金屬氧化物粒子層的成膜>
形成上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層之方法可列舉具有如下製程之方法:從本發明之轉印薄膜中依據需要去除上述保護膜之保護膜去除製程;將去除上述保護膜而得之本發明之轉印薄膜的上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層轉印至透明電極圖 案上之轉印製程;依據需要對轉印至透明電極圖案上之黏著層及上述含金屬氧化物粒子層進行曝光之曝光製程;及依據需要對經曝光之黏著層及上述含金屬氧化物粒子層進行顯影之顯影製程。
[轉印製程]
上述轉印製程係將去除上述保護膜而得之本發明之轉印薄膜的上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層轉印至透明電極圖案上之製程。
此時,係包括將本發明之轉印薄膜的上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層層壓於透明電極圖案之後,將臨時支撐體去除之製程之方法為較佳。
上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層的基材表面上的轉印(貼合)藉由將上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層疊加於透明電極圖案表面,並進行加壓、加熱來進行。貼合能夠使用層壓機、真空層壓機、及能夠進一步提高生產性的自動切割層壓機等公知的層壓機。
[曝光製程及其他製程]
作為上述曝光製程及其他製程的例子,在本發明中亦能夠較佳地使用日本特開2006-023696號公報的0035~0051段中所記載之方法。
上述曝光製程係對轉印到透明電極圖案上之上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層進行曝光之製程。
在此,作為上述曝光的光源,只要為能夠照射能夠硬化上述黏 著層及上述含金屬氧化物粒子層之波長區域的光(例如,365nm、405nm等)者,則能夠適當地選擇使用。具體而言,可列舉超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等。作為曝光量,5mJ/cm2~200mJ/cm2左右為較佳,10mJ/cm2~100mJ/cm2左右為更佳。
上述積層體之製造方法可以具有後曝光製程、後烘烤製程等其他製程。
<透明膜的成膜>
本發明之積層體在上述透明電極圖案的與形成有上述含金屬氧化物粒子層之側相反的一側上進一步具有折射率1.60~1.78且膜厚為55nm~110nm的透明膜時,上述透明膜在上述透明電極圖案上直接或經由上述第三透明膜等其他層而成膜。
作為上述透明膜的成膜方法並無特別限制,藉由轉印或濺射成膜為較佳。
其中,本發明之積層體係,上述透明膜藉由將形成於臨時支撐體上之透明硬化性樹脂膜轉印到上述透明基材上而成膜為較佳,轉印後硬化而成膜為更佳。作為轉印及硬化的方法,可列舉使用日本特開2014-158541號公報的0105~0138段中所記載之具有光硬化性樹脂層之感光性薄膜,與轉印本發明之積層體之製造方法中的上述黏著層及上述含金屬氧化物粒子層之方法同樣地進行轉印、曝光、顯影及其他製程之方法。在該情況下,藉由使上述金屬氧化物微粒子分散在上述感光性薄膜中的光硬化性樹脂層而在上述範圍內調整上述透明膜的折射率為較佳。
另一方面,上述透明膜為無機膜時,藉由濺射而形成為較佳。亦即,本發明之積層體的上述透明膜藉由濺射而形成亦為較佳。
作為濺射的方法,能夠較佳地使用日本特開2010-086684號公報、日本特開2010-152809號公報及日本特開2010-257492號公報中所記載之方法,將該等文獻的內容編入本發明中。
(靜電電容型輸入裝置)
本發明之靜電電容型輸入裝置使用本發明之轉印薄膜製作或包含本發明之積層體。
本發明之靜電電容型輸入裝置具有積層體為較佳,該積層體具有透明電極圖案、與上述透明電極圖案相鄰地配置且包含金屬氧化物粒子之含金屬氧化物粒子層及與上述含金屬氧化物粒子層相鄰地配置之黏著層,上述含金屬氧化物粒子層中的上述金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。
以下,對本發明之靜電電容型輸入裝置的較佳的態樣的詳細情況進行說明。
本發明的靜電電容型輸入裝置具有前面板(相當於本發明的積層體中的上述透明基材)、及在上述前面板的非接觸面側至少具有下述(3)~(5)、(7)及(8)的要素,且具有本發明的積層體為較佳。
(3)複數個墊部分經由連接部分而在第一方向上延伸而形成之複數個第一透明電極圖案
(4)與上述第一透明電極圖案電氣絕緣,且包含在與上述第一方向交叉之方向上延伸而形成之複數個墊部分之複數個第二電極圖案
(5)使上述第一透明電極圖案與上述第二電極圖案電氣絕緣之絕緣層
(7)以覆蓋(3)~(5)的要素的全部或一部分之方式形成之含金屬氧化物粒子層
(8)與(7)中的含金屬氧化物粒子層鄰接而形成之黏著層
在此,(7)含金屬氧化物粒子層相當於本發明的積層體中的上述含金屬氧化物粒子層。又,(8)黏著層相當於本發明的積層體中的上述黏著層。
這樣,藉由製造具有黏著層之靜電電容型輸入裝置,能夠容易在上述黏著層上接合偏振膜、相位差膜、罩玻璃、其他各種光學構件。
本發明之靜電電容型輸入裝置中,(4)第二電極圖案可以為透明電極圖案,亦可以並非透明電極圖案,但透明電極圖案為較佳。
本發明之靜電電容型輸入裝置可以還具有(6)的要素。
(6)與上述第一透明電極圖案及上述第二電極圖案的至少一者電連接、且與上述第一透明電極圖案及上述第二電極圖案不同的導電性要素。
本發明之靜電電容型輸入裝置中的上述透明電極圖案上所形 成之層的WVTR在上述範圍內,在抑制上述第一透明電極圖案或第二透明電極圖案的腐蝕方面為較佳,尤其在起到抑制上述導電性要素的腐蝕之效果方面為較佳。
在此,當(4)第二電極圖案並非透明電極圖案,且不具有(6)不同的導電性要素時,(3)第一透明電極圖案相當於本發明的積層體中的透明電極圖案。
當(4)第二電極圖案為透明電極圖案,且不具有(6)不同的導電性要素時,(3)第一透明電極圖案及(4)第二電極圖案中的至少一個相當於本發明的積層體中的透明電極圖案。
當(4)第二電極圖案並非透明電極圖案,且具有(6)不同的導電性要素時,(3)第一透明電極圖案及(6)不同的導電性要素中的至少一個相當於本發明的積層體中的透明電極圖案。
當(4)第二電極圖案為透明電極圖案,且具有(6)不同的導電性要素時,(3)第一透明電極圖案、(4)第二電極圖案及(6)不同的導電性要素中的至少一個相當於本發明之積層體中的透明電極圖案。
本發明的靜電電容型輸入裝置在(3)第一透明電極圖案與上述前面板之間、(4)第二電極圖案與上述前面板之間、或(6)不同的導電性要素與上述前面板之間進一步具有(2)透明膜為較佳。在此,從進一步改善透明電極圖案的可見性的觀點考慮,(2)透明膜相當於本發明之積層體中的折射率為1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜為較佳。
本發明之靜電電容型輸入裝置依據需要還具有(1)遮罩層及/或裝飾層為較佳。為了不從接觸側識別透明電極圖案的引繞配線或為了進行裝飾,上述遮罩層亦可作為黑色的邊框而設置於利用手指或觸控筆等所接觸之區域的周圍。為了進行裝飾,上述裝飾層例如設置白色的裝飾層為較佳。
在(2)透明膜與上述前面板之間、(3)第一透明電極圖案與上述前面板之間、(4)第二透明電極圖案與上述前面板之間、或(6)不同的導電性要素與上述前面板之間具有(1)遮罩層及/或裝飾層為較佳。(1)遮罩層及/或裝飾層與上述前面板相鄰地配置為更佳。
本發明之靜電電容型輸入裝置即使在包含該種各種構件之情況下,藉由包含與透明電極圖案相鄰地配置之上述含金屬氧化物粒子層、及與上述含金屬氧化物粒子層相鄰地配置之上述黏著層,亦能夠降低透明電極圖案的可見性。進而,如上所述,使用上述折射率為1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜與上述含金屬氧化物粒子層,並設為將透明電極圖案夾入之結構,藉此能夠進一步改善透明電極圖案的可見性的問題。
<靜電電容型輸入裝置的結構>
首先,關於本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳的結構,結合構成裝置之各構件之製造方法來進行說明。圖2係表示本發明之靜電電容型輸入裝置的較佳的結構之剖面圖。圖2中表示靜電電容型輸入裝置10包含透明基板(前面板)1、遮罩層2、折射率為1.60~1.78且膜厚為30nm以上且300nm以下的透明膜11、第一 透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、絕緣層5、導電性要素6、含金屬氧化物粒子層12及黏著層18之態樣。
導電性要素6能夠由Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等金屬來製作。從導電性的觀點考慮,銅為最佳。
又,表示後述的圖5中的X1-X2剖面之圖3亦同樣為表示本發明之靜電電容型輸入裝置的較佳的結構的剖面圖。圖3中表示靜電電容型輸入裝置10由透明基板(前面板)1、折射率為1.60~1.78且膜厚為55nm~110nm的透明膜11、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、含金屬氧化物粒子層12及黏著層18之態樣。
透明基材(前面板)1能夠使用作為本發明之積層體中的透明電極圖案的材料所列舉之材料。又,在圖2中,將前面板1的設置有各要素之側稱為非接觸面側。在本發明的靜電電容型輸入裝置10中,使手指等接觸前面板1的接觸面(非接觸面的相反面)等來進行輸入。
又,在前面板1的非接觸面上設置有遮罩層2。遮罩層2為形成於觸控面板前面板的非接觸側之顯示區域周圍的邊框狀的圖案,並且為了使引繞配線等不被看見而形成。
在前面板1的接觸面上形成有:複數個第一透明電極圖案3,複數個墊部分經由連接部分而在第一方向上延伸來形成;複數個第二透明電極圖案4,與第一透明電極圖案3電氣絕緣,並且包含在與第一方向交叉之方向上延伸而形成之複數個墊部分;及 絕緣層5,使第一透明電極圖案3與第二透明電極圖案4電氣絕緣。上述第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及後述的導電性要素6能夠使用作為本發明的積層體中的透明電極圖案的材料所列舉者。
又,第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的至少一者能夠橫跨前面板1的非接觸面及遮罩層2的與前面板1相反的一側的面這兩個區域來設置。圖2中,示出第二透明電極圖案橫跨前面板1的非接觸面及遮罩層2的與前面板1相反的一側的面這兩個區域來設置之圖。如此,在橫跨需要一定的厚度的遮罩層與前面板背面來層壓感光性膜的情況下,藉由使用後述的具有特定的層結構之感光性膜,即使不使用真空層壓機等昂貴的設備,亦能夠以簡單的製程進行在遮罩部分邊界不產生氣泡之層壓。
使用圖5對第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4進行說明。圖5係表示本發明中的第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的一例之說明圖。如圖5所示,第一透明電極圖案3係墊部分3a經由連接部分3b而於第一方向LY上延伸來形成。又,第二透明電極圖案4藉由絕緣層5而與第一透明電極圖案3電氣絕緣,且由在與第一方向LY交叉之方向(圖5中的第二方向LX)上延伸而形成之複數個墊部分構成。在此,當形成第一透明電極圖案3時,可將上述墊部分3a與連接部分3b製作成一體,亦可僅製作連接部分3b,而將墊部分3a與第二透明電極圖案4製作成一體(圖案化)。當將墊部分3a與第二透明電極圖案4製作成一體 (圖案化)時,如圖5所示,以如下方式形成各層:連接部分3b的一部分與墊部分3a的一部分連結,並且第一透明電極圖案3與第二透明電極圖案4藉由絕緣層5而電氣絕緣。
又,圖5中的未形成第一透明電極圖案3或第二透明電極圖案4或後述的導電性要素6之區域相當於本發明的積層體中的非圖案區域22。
在圖2中,在遮罩層2的與前面板1相反的一側的面側設置有導電性要素6。導電性要素6為與第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的至少一者電性連接、且與第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4不同的要素。
又,在圖2中,以將各構成要素全部覆蓋的方式設置有黏著層18。黏著層18可以以僅覆蓋各構成要素的一部分的方式構成。絕緣層5與黏著層18可以為相同的材料,亦可以為不同的材料。作為構成絕緣層5之材料,能夠較佳地使用作為本發明的積層體中的第一或含金屬氧化物粒子層的材料所列舉者。
<靜電電容型輸入裝置之製造方法>
作為製造本發明之靜電電容型輸入裝置之過程中所形成之態樣例,能夠列舉日本特開2014-158541號公報的圖3~圖7的態樣。
靜電電容型輸入裝置之製造方法中,當形成上述含金屬粒子層12及上述黏著層18時,能夠藉由使用本發明的轉印薄膜,將上述黏著層及上述黏著層轉印至任意地形成有各要素之上述前 面板1的表面來形成。
靜電電容型輸入裝置之製造方法中,可以使用依次具有臨時支撐體及光硬化性樹脂層之日本特開2014-158541號公報的0105~0138段中所記載之感光性薄膜來形成遮罩層2、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、絕緣層5及導電性要素6的至少一要素。
若使用本發明的轉印薄膜或上述感光性膜來形成上述各要素,則即使是具有開口部之基材(前面板),抗蝕劑成分亦不會或很少從開口部分漏出,尤其,在需要形成遮光圖案直至前面板的邊界線為止的遮罩層因抗蝕劑成分不會從玻璃端滲出,因此抑制了基材背面側的污染,而能夠以簡單的製程製造具有薄層化、輕量化的優點之觸控面板。
在使用上述感光性膜來形成利用上述述遮罩層、絕緣層、具有導電性之光硬化性樹脂層時的第一透明電極圖案、第二透明電極圖案及導電性要素等永久材料的情況下,將感光性膜層壓於基材上後,依據需要曝光成圖案狀,在負型材料的情況下對非曝光部分進行顯影處理來將其去除,在正型材料的情況下對曝光部分進行顯影處理來將其去除,藉此能夠獲得圖案。顯影可利用不同的液體將熱塑性樹脂層與光硬化性樹脂層顯影去除,亦可利用同一種液體去除。依據需要,亦可組合刷子或高壓噴射等公知的顯影設備。顯影後,依據需要可進行後曝光、後烘烤。
(圖像顯示裝置)
本發明之圖像顯示裝置的特徵在於具備本發明之靜電電容型輸入裝置。
本發明之靜電電容型輸入裝置及將上述靜電電容型輸入裝置作為構成要素而具備之圖像顯示裝置能夠適用“最新觸控面板技術』(2009年7月6日發行,Techno Times Co.,Ltd.)、三谷雄二監修、“觸控面板的技術和開發”、CMC出版(2004,12)、FPD International 2009 Forum T-11講座教材、Cypress Semiconductor Corporation應用筆記AN2292等中揭示之結構。
[實施例]
以下舉出實施例進一步具體說明本發明。以下的實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不脫離本發明的宗旨就能夠適當地進行變更。從而,本發明的範圍不限定於以下所示之具體例。另外,只要無特別說明,“份”、“%”係質量基準。
(實施例1~實施例11、比較例1~比較例3)
<轉印薄膜的製作>
[黏著層形成用組成物的製作]
如成為下述表3或表4所記載的組成那樣,混合各成分,分別製備了黏著層形成用塗佈液A-1~A-2及C-1~C-3。各表中的數值表示所使用之成分的質量份。
Figure 108108698-A0305-02-0072-3
表3中,化合物D為下述結構的樹脂。表示結構單元之括弧的添字表示各結構單元的含有比(質量比)。
Figure 108108698-A0305-02-0072-4
Figure 108108698-A0305-02-0072-5
表4中的縮寫所記載之各成分的詳細情況如下所述。
[聚合性單體]
‧EHA(2-丙烯酸乙基己酯,Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製,SP值7.8)
‧IBXA(丙烯酸異莰酯,OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.製,SP值8.4)
[密合提高劑]
‧CYCLOMER M-100(商品名稱,Daicel Corporation製,甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯)
[橡膠]
‧Kuraprene UC-102M(商品名稱,KURARAY CO.,LTD,甲基丙烯酸酯改性聚異戊二烯,重量平均分子量17,000,SP值8.0)
‧Polyvest110(商品名稱,Evonik Japan Co.,Ltd.製,未改性液體聚丁二烯,重量平均分子量2,600,SP值8.3)
[黏著賦予劑]
‧UH-115(商品名稱,YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.製,氫化萜烯苯酚樹脂)
[鏈轉移劑]
‧DDT(商品名稱,十二烷基硫醇,Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製)
[光聚合起始劑]
‧Lucirin TPO(商品名稱,BASF公司製,2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦)
[含金屬氧化物粒子層形成用組成物的製作]
以成為下述表5中所記載之組成之方式,混合各成分,分別 製備了含金屬氧化物粒子層形成用組成物B-1~B-5及比較用B’-1。各表中的數值表示所使用之成分的質量份。
Figure 108108698-A0305-02-0074-6
[轉印薄膜的製作]
在各實施例或比較例中,在臨時支撐體(Cerapeel 25 WZ、Toray Industries,Inc.製,25μm)上,使用狹縫狀噴嘴,以乾燥後的膜厚成為75.0μm之方式調整塗佈量,並塗佈下述表6中所記載之黏著層形成用組成物A-1~A-2及C-1~C-3中的任一種,並在120℃下乾燥2分鐘。
然後,在塗佈有黏著層形成用組成物C-1~C-3之例子中,在經塗佈之黏著層形成用組成物上覆蓋剝離膜,利用金屬鹵化物燈照射3分鐘紫外線(曝光量:400mJ/cm2)而形成了黏著層。
在使用了黏著層形成用組成物A-1~A-2中的任一種之例子中,不進行曝光而設為黏著層。
然後,以如下方式形成了含金屬氧化物粒子層。
在實施例1~8、10、11中,以乾燥後的膜厚成為約70nm的膜厚之方式調整塗佈量並使用狹縫狀噴嘴將下述表6中記載之各含金屬氧化物粒子層形成用組成物塗佈於上述黏著層上。在實施例9中,使用狹縫狀噴嘴以膜厚成為40nm之方式進行了塗佈。
在比較例中,使用狹縫狀噴嘴分別以與實施例1中的含金屬氧化物粒子層形成用組成物B-1相同的塗佈量將B’-1塗佈於黏著層上。
然後,在120℃下乾燥2分鐘,形成了含金屬氧化物粒子層。在含金屬氧化物粒子層上壓接保護膜(厚度12μm聚丙烯膜),製作了實施例1~11及比較例1~3的轉印薄膜。
<折射率、變動量、tanδ、斷裂伸長率、黏度及WVTR的測量>
使用在各實施例或比較例中獲得之轉印薄膜,藉由上述方法分別測量含金屬氧化物粒子層折射率、及含金屬氧化物粒子層中的金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量(variation amount)、黏著層的在23℃下的tanδ、在23℃下的斷裂伸長率、在23℃下的黏度、以及轉印薄膜的在60℃下的WVTR,並記載於表6。
<裂紋的評價>
對各實施例或比較例中獲得之轉印薄膜進行表面掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察(400倍),確認有無含金屬氧化物粒子層的裂紋。
評價結果記載於表6中。當確認到裂紋時記載為“有”,當未確認到裂紋時記載為“無”。在實施例4中,觀察到實際應用上沒有問題的程度的些許裂紋。
<WVTR的評價>
使用在各實施例或比較例中獲得之轉印薄膜,藉由上述方法測量WVTR,將測量結果記載於表6。
<段差追蹤性的評價>
將各實施例或比較例中獲得之轉印薄膜切割成3.0cm×4.0cm,並剝離保護膜,將含金屬氧化物粒子層側貼合於預先黏貼有25μm厚的聚醯亞胺膠帶(Kapton(註冊商標)膠帶,Du Pont-Toray Co.,Ltd.製)之玻璃基材上,以23℃、6m/min的轉印速度、壓力0.7kg/cm2形成了評價用積層體。
關於製作之評價用積層體,使用NIKON CORPORATION製光學顯微鏡觀察Kapton膠帶周邊的段差,並測量了邊界空隙寬度。
更具體而言,如圖7所示,所獲得之樣品的結構相當於在貼合有Kapton膠帶52之PET基材50上配置含金屬氧化物粒子層及黏著層54及臨時支撐體56之態樣。
如圖7所示,在Kapton膠帶52的段差部分中,PET基材50與含金屬氧化物粒子層及黏著層54之間容易產生空隙58,所謂邊界空隙寬度係指Kapton膠帶52與含金屬氧化物粒子層及黏著層54不接觸之玻璃基材上的距離D。
可以認為距離D越小,段差追蹤性越優異。評價結果係A或 B為較佳。評價依據下述評價基準來進行,評價結果記載於表6中。
-評價基準-
A:邊界空隙寬度(距離D)小於200μm。
B:邊界空隙寬度(距離D)為200μm以上且小於1000μm。
C:邊界空隙寬度(距離D)為1000μm以上。
<銅的腐蝕抑制性的評價>
除了將上述Kapton膠帶設為銅膜(厚度6μm)以外,將藉由與段差追蹤性的評價相同的方法製作之評價用積層體在85℃、85%RH的環境下放置了300小時。
然後,使用光學顯微鏡(倍率:50倍)觀察黏著層及含金屬氧化物粒子層下的銅膜的表面,依據下述評價基準評價了銅的變色。評價結果記載於表6。評價結果係A、B或C為較佳。已變色之部分的比例越小,銅膜的腐蝕越被抑制。
-評價基準-
A:完全沒有確認到已變色之部分。
B:已變色之部分的比例為銅膜的表面的10%以下。
C:已變色之部分的比例大於銅膜的表面的10%且50%以下。
D:已變色之部分的比例大於銅膜的表面的50%。
<可見性的抑制評價>
準備了在其中1個面形成有透明膜而在另一面形成有透明電極圖案之玻璃基材。
將各實施例或比較例中獲得之轉印薄膜切割成3.0cm×4.0cm, 並剝離保護膜,將含金屬氧化物粒子層側貼合於上述玻璃基材的透明電極圖案上,以23℃、6m/min的轉印速度、壓力0.7kg/cm2進行層壓,從而形成了評價用積層體。
經由透明黏接膠帶(3M Company製,商品名稱,OCA膠帶8171CL)黏接積層體的透明膜側與黑色PET材料。
使用GENTOS LED燈(手電筒、亮度200流明,商品名稱:閃335 SG-335)對黏貼上述遮光後的評價用積層體的轉印薄膜之一側照射光的同時從各種角度進行了觀察。評價依據下述評價基準進行,評價結果記載於表6中的“可見性”一欄。評價結果係A或B為較佳。
-評價基準-
A:在目視下,從任何角度都幾乎看不到透明電極圖案。
B:在目視下,在一定角度,透明電極圖案在LED燈的反射光中略微可見。
C:在目視下,在一定角度,透明電極圖案在LED燈的反射光中閃閃可見。
D:在目視下,在任何角度,透明電極圖案在LED燈的反射光中閃閃可見。
Figure 108108698-A0305-02-0079-7
由表6中所記載之結果,藉由本發明之轉印薄膜,能夠提供依次形成含金屬氧化物粒子層及黏著層,並且獲得降低透明電極圖案的可見性優異的積層體之轉印薄膜及使用了上述轉印薄膜之積層體之製造方法。
又,由表6中所記載之結果,可知藉由本發明之轉印薄膜,容易獲得抑制裂紋的產生且段差追蹤性優異,又抑制銅腐蝕之積層體。
尤其,可知當含金屬氧化物粒子層包含特定化合物A時,可顯著地抑制裂紋的產生。
又,可知黏著層的、在23℃下的tanδ為1.5以上、在23℃下的斷裂伸長率為600%以上、在23℃下的黏度為1.0×106Pa.s以下時,可顯著地抑制段差追蹤性。
此外,可知若WVTR為1100g/(m2.天)以下,則可顯著地抑制銅腐蝕。又,可知包含具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物作為特定化合物A的情況及包含具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物之情況下,容易抑制銅腐蝕。
(靜電電容型輸入裝置的製作)
藉由日本特開2014-108541號公報的0167~0191段中所記載之方法,獲得了形成遮罩層、透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、第二透明電極圖案、與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素之前面板。
藉由與上述可見性評價相同的條件將各實施例或比較例中所 獲得之轉印薄膜層壓於上述前面板,從前面板側依次形成了含金屬氧化物粒子層及黏著層。
(圖像顯示裝置的製作)
在藉由日本特開2009-47936號公報中所記載之方法製造之液晶顯示元件貼合各實施例或比較例中形成含金屬氧化物粒子層及黏著層之上述前面板,並藉由公知的方法製作了將靜電電容型輸入裝置作為構成要素具備之實施例101~108、比較例101~103的圖像顯示裝置。
(評價)
相對於各實施例中的圖像顯示裝置,與上述可見性評價同樣地從圖面側使用GENTOS LED燈(手電筒,亮度200流明,商品名稱:閃335 SG-335)照射光的同時從各種角度進行了觀察。
藉由與上述可見性評價中的評價基準相同的評價基準進行了評價。
評價結果與使用各實施例或比較例中的每1個轉印薄膜進行了上述可見性評價時的評價結果相同。
12‧‧‧含金屬氧化物粒子層(可以具有透明絕緣層的功能)
16‧‧‧臨時支撐體
18‧‧‧黏著層
20‧‧‧轉印薄膜

Claims (16)

  1. 一種轉印薄膜,其依次具有:臨時支撐體;黏著層;及含金屬氧化物粒子層,其包含金屬氧化物粒子以及具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團之化合物,該具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團之化合物包括具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的群組中之至少一種化合物,該含金屬氧化物粒子層中的該金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之轉印薄膜,其中該具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及該具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的合計含量相對於該含金屬氧化物粒子層的總質量為0.1質量%~20質量%。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印薄膜,其包含如下樹脂,該樹脂具有羧基及磷酸基中的至少一者,且分子量為2,000以上且10,000以下,玻璃轉移溫度為23℃以下,並且酸值為80mgKOH/g以上。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印薄膜,其中 該黏著層在23℃下的tanδ為1.5以上,在23℃下的斷裂伸長率為600%以上,在23℃下的黏度為1.0×106Pa.s以下。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印薄膜,其在60℃下的水蒸氣透過率為1,100g/(m2.天)以下。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印薄膜,其中該黏著層的厚度為5μm~200μm。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之轉印薄膜,其中該含金屬氧化物粒子層的厚度為30nm~1,000nm。
  8. 一種積層體之製造方法,其包括在透明電極圖案上依次積層如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之轉印薄膜中的該含金屬氧化物粒子層及該黏著層之製程。
  9. 一種積層體,其依次具有:透明電極圖案;含金屬氧化物粒子層,其包含金屬氧化物粒子以及具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團之化合物,且與該透明電極圖案相鄰地配置;及黏著層,其與該含金屬氧化物粒子層相鄰地配置,該具有選自包括羧基及磷酸基的群組中之至少一種基團之化合物包括具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的群組中之至少一種化合物, 該含金屬氧化物粒子層中的該金屬氧化物粒子的含量在膜厚方向的變動量為10%以下。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之積層體,其中該具有羧基且不具有乙烯性不飽和基之分子量小於2,000的化合物及該具有磷酸基且分子量小於2,000的化合物的合計含量相對於該含金屬氧化物粒子層的總質量為0.1質量%~20質量%。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之積層體,其中該黏著層在23℃下的tanδ為1.5以上,在23℃下的斷裂伸長率為600%以上,在23℃下的黏度為1.0×106Pa.s以下。
  12. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之積層體,其中將該黏著層及該含金屬氧化物粒子層組合而成之層在60℃下的水蒸氣透過率為1,100g/(m2.天)以下。
  13. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之積層體,其中該黏著層的厚度為5μm~200μm。
  14. 如申請專利範圍第9項或第10項所述之積層體,其中該含金屬氧化物粒子層的厚度為30nm~1,000nm。
  15. 一種靜電電容型輸入裝置,其包含如申請專利範圍第9項至第14項中任一項所述之積層體。
  16. 一種圖像顯示裝置,其具備如申請專利範圍第15項所述之靜電電容型輸入裝置。
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