TWI778194B - 顯示器用玻璃基板 - Google Patents

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井川信彰
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0。

Description

顯示器用玻璃基板
本發明係關於一種顯示器用玻璃基板。
於平板顯示器(FPD)中，將於玻璃基板上形成透明電極、半導體元件等而成者用作基板。例如，於液晶顯示器(LCD)中，將於玻璃基板上形成透明電極、TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)等而成者用作基板。
透明電極、半導體元件等向玻璃基板上之形成係於將玻璃基板之與半導體元件形成面相反之側之玻璃表面藉由真空吸附固定於吸附台上之狀態下進行。然而，於將形成有透明電極、半導體元件等之玻璃基板自吸附台剝離時，玻璃基板帶電，產生TFT等半導體元件之靜電破壞。
專利文獻1中，關於玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，藉由其表面性狀由凹凸之平均間隔定義之RSm為0.05 μm以上且表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk小於0之構造，謀求減少帶電。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-201445號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，如專利文獻1般，若歪度Rsk小於0，則玻璃基板與金屬或絕緣體之板等接觸剝離之面積增大，存在玻璃基板之靜電之帶電反而成為問題之可能性。
本發明係鑒於上述問題而完成者，提供一種於自吸附台剝離時不易產生剝離帶電之顯示器用玻璃基板。 [解決問題之技術手段]
本發明提供一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0。 [發明之效果]
本發明之顯示器用玻璃基板於自吸附台剝離時不易產生剝離帶電。
[顯示器用玻璃基板] 以下，對本發明之實施形態之顯示器用玻璃基板進行說明。
本實施形態之顯示器用玻璃基板係其玻璃組成並無特別限定，可為鈉鈣矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃等廣泛之玻璃組成。
本申請案發明者們為了使玻璃基板之帶電量減少，而著眼於玻璃基板之主表面之表面性狀。本申請案發明者們進行了潛心研究，發現表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0之玻璃基板具有優異之性質。
本實施形態之顯示器用玻璃基板中，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0。
Rsk於藉由均方根粗糙度Rq之立方而無因次化之基準長度中，表示玻璃基板之主表面中之山部與谷部之高度Z(x)之立方平均。換言之，Rsk係指歪度(skewness)，且係表示以平均線(參照圖5(b)之虛線)為中心時之山部與谷部之對稱性之指標，亦被稱為粗糙度曲線之偏斜度。此處，圖5(a)係表示均方根粗糙度Rq之概念之概念圖，Rq係由下述式(1)求出且於基準長度l(L)中表示Z(x)之均方根之指標。如圖5(a)所示，l表示沿著主表面之山部與谷部之重複之基準長度。又，圖5(b)係表示Rsk之概念之概念圖，Rsk係由下述式(2)而求出。
[數1]
Figure 02_image001
[數2]
Figure 02_image003
如圖5(b)所示，Rsk係相對於根據其值以虛線表示之平均線，具有如下所述之性質。Rsk＝0：相對於平均線對稱(正規分佈)，Rsk＞0：相對於平均線偏向下側，Rsk＜0：相對於平均線偏向上側
藉由Rsk取大於0之值，而如圖5(b)所示，玻璃基板與金屬或絕緣體之板接觸剝離之面積減少，可減少玻璃基板之靜電之帶電。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為Rsk大於0、且小於1.5。 若Rsk大於0，則接觸面積減少，可減少靜電之帶電，若Rsk小於1.5，則可使玻璃基板之表面不易缺損。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為表面性狀之算術平均粗糙度Ra大於1 nm、且為3.0 nm以下。Ra為於基準長度l中表示Z(x)之絕對值之平均之指標。 若Ra大於1 nm，則可減少靜電之帶電。 又，若Ra為3.0 nm以下，則光之散射較少，可減少反射光，而維持玻璃之透明性。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為表面性狀之均方根粗糙度Rq大於1 nm、且為5.0 nm以下。如上所述，Rq為於基準長度l中表示Z(x)之均方根之指標。 若Rq大於1 nm，則可減少靜電之帶電。又，若Rq為5.0 nm以下，則光之散射較少，可減少反射光，而維持玻璃之透明性。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為表面性狀之最大高度粗糙度Rz為8～35 nm。Rz為於基準長度l中表示輪廓曲線之山高度Zp之最大值與谷深度Zv之最大值之和的指標。「山」係較輪廓曲線之平均線(X軸)靠上側(自玻璃基板側向空間側之方向)之部分，「谷」係相當於較輪廓曲線之平均線(X軸)靠下側(自周圍之空間朝向玻璃基板側之方向)之部分。 若Rz為8 nm以上，則透過率開始上升。又，若Rz為35 nm以下，則較可見光之λ/4(75 nm)小，故而光之散射較少，可減少反射光，而維持玻璃之透明性。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為表面性狀之最大山高度Rp為3～20 nm。Rp為於基準長度l中表示輪廓曲線之山高度Zp之最大值之指標。 若Rp為3 nm以上，則可減少靜電之帶電。又，若Rp為20 nm以下，則可使玻璃基板之表面不易缺損。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為表面性狀之最大谷深度Rv為5～15 nm。Rv為於基準長度l中表示輪廓曲線之谷深度Zv之最大值之指標。 若Rv為5 nm以上，則可減少靜電之帶電。又，若Rv為15 nm以下，則可使玻璃基板之表面不易缺損，並且不易附著污染物。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為於一玻璃表面中，具有自表面凹凸之面粗糙度中心面起1.0 nm以上之高度之第1凸部係分散地設置，且第1凸部占玻璃表面之面積之面積比率為15～40%。 若第1凸部之面積比率為15%以上，則可容易切割玻璃，若第1凸部之面積比率為40%以下，則可維持玻璃之透明性。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為於一玻璃表面中，具有自表面凹凸之面粗糙度中心面起1.5 nm以上之高度之第2凸部係分散地設置，且第2凸部占玻璃表面之面積之面積比率為5～30%。 若第2凸部之面積比率為5%以上，則可容易切割玻璃，若第2凸部之面積比率為30%以下，則可維持玻璃之透明性。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為於玻璃基板之主表面中之另一玻璃表面形成半導體元件。
本實施形態之顯示器用玻璃基板之尺寸並無特別限定，但為了抑制玻璃基板之剝離帶電，以大型之玻璃基板較佳。具體而言，較佳為基板尺寸為長邊2500 mm以上，短邊2200 mm以上，更佳為長邊3130 mm以上，短邊2880 mm以上。 關於板厚亦無特別限定，但為了抑制玻璃基板之剝離帶電，薄板之玻璃基板較佳。具體而言，較佳為1.0 mm以下，更佳為0.75 mm以下，進而較佳為0.45 mm以下。
本實施形態之顯示器用玻璃基板較佳為無鹼玻璃。 較佳為，無鹼玻璃以下述氧化物基準之質量百分率表示，含有50～73%之SiO2 、10.5～24%之Al2 O3 、0.1～12%之B2 O3 、0～8%之MgO、0～14.5%之CaO、0～24%之SrO、0～13.5%之BaO、0～5%之ZrO2 ，且MgO、CaO、SrO及BaO之合計量(MgO＋CaO＋SrO＋BaO)為8～29.5%。 又，較佳為，無鹼玻璃以下述氧化物基準之質量百分率表示，含有58～66%之SiO2 、15～22%之Al2 O3 、5～12%之B2 O3 、0～8%之MgO、0～9%之CaO、3～12.5%之SrO、0～2%之BaO，且MgO、CaO、SrO及BaO之合計量(MgO＋CaO＋SrO＋BaO)為9～18%。 又，較佳為，無鹼玻璃以下述氧化物基準之質量百分率表示，含有54～73%之SiO2 、10.5～22.5%之Al2 O3 、0.1～5.5%之B2 O3 、0～8%之MgO、0～9%之CaO、0～16%之SrO、0～2.5%之BaO，且MgO、CaO、SrO及BaO之合計量(MgO＋CaO＋SrO＋BaO)為8～26%。
[顯示器用玻璃基板之製造方法] 其次，對本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法之構成例進行說明。 圖1係本發明之實施形態之顯示器用玻璃基板之製造方法之說明圖，且係表示熱處理裝置之一構成例之模式圖。 於圖1所示之熱處理裝置60中，板玻璃20於箭頭方向被搬送。搬送機構並無特別限定，例如，為未圖示之搬送輥。又，熱處理裝置60及下述熱處理裝置62具備未圖示之加熱器。 此處，板玻璃20之下表面22係顯示器用玻璃基板中之半導體元件形成面，板玻璃20之上表面24係半導體元件形成面之相反側之玻璃表面，如上所述，於半導體元件形成時，藉由真空吸附而固定於吸附台上。
圖1所示之熱處理裝置60具有噴射器70。自噴射器70之供給口71吹送至板玻璃20之上表面24之氣體在相對於板玻璃20之移動方向為順向或逆向之流路74中移動，向排氣口75流出。 圖1所示之噴射器70係自供給口71向排氣口75之氣體之流動相對於板玻璃20之移動方向而均等地分為順向與逆向之雙流類型之噴射器。
圖2係表示熱處理裝置之另一構成例之模式圖。圖2所示之熱處理裝置62具有噴射器80。噴射器80係單流類型之噴射器。所謂單流類型之噴射器係指自供給口81向排氣口85之氣體之流動相對於板玻璃20之移動方向固定為順向或逆向之任一者之噴射器。圖2所示之噴射器80係自供給口81向排氣口85之流路84相對於板玻璃20之移動方向為順向。但是，並不限定於此，亦可為自供給口81向排氣口85之流路84相對於板玻璃20之移動方向為逆向。
於本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法中，自噴射器70、80之供給口71、81對板玻璃20之上表面24供給含有氟化氫(HF)之氣體。 藉此，半導體元件形成面之相反側之玻璃表面附近之氟濃度與玻璃基板內部之氟濃度相比變高，玻璃基板與吸附台之功函數之差變小，可抑制玻璃基板之剝離帶電。
於本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法中，將供給含有HF之氣體時之玻璃表面溫度，即板玻璃20之上表面24之溫度設為500～900℃。藉由將玻璃表面溫度設為500℃以上而發揮以下之效果。 氟進入至玻璃表面附近，玻璃表面附近之氟濃度與玻璃基板內部之氟濃度相比變高。玻璃表面溫度更佳為550℃以上，進而較佳為600℃以上。 又，藉由將玻璃表面溫度設為900℃以下而發揮以下之效果。 抑制玻璃表面之表面粗糙度Ra變得過大，形成一樣之表面形狀。玻璃表面溫度更佳為850℃以下，進而較佳為800℃以下。
於本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法中，就熱處理裝置60、62之噴射器70、80等設備之抗腐蝕之觀點而言，含有HF之氣體使用氮氣(N2 )或稀有氣體等惰性氣體作為載氣，作為與該等載氣之混合氣體供給至板玻璃20之上表面24。 將自噴射器70、80之供給口71、81供給之含有HF之氣體之HF濃度設為0.5～30 vol%。藉由將HF濃度設為0.5 vol%以上而發揮以下之效果。 氟進入至玻璃表面附近，玻璃表面附近之氟濃度與玻璃基板內部之氟濃度相比變高。 HF濃度更佳為2 vol%以上，進而較佳為4 vol%以上。 又，藉由將HF濃度設為30 vol%以下而發揮以下之效果。 可抑制產生因玻璃表面與HF之反應而形成之玻璃表面之缺陷，抑制玻璃基板之強度降低。HF濃度更佳為26 vol%以下，進而較佳為22 vol%以下。
噴射器70、80之供給口71、81與板玻璃20之上表面24之距離D較佳為5～50 mm。距離D更佳為8 mm以上。又，距離D更佳為30 mm以下，進而較佳為20 mm以下。藉由將距離D設為5 mm以上，例如即便板玻璃20因地震等而振動，亦可避免板玻璃20之上表面24與噴射器70、80之接觸。另一方面，藉由將距離D設為50 mm以下，可抑制氣體於裝置內部擴散，使相對於所期望之氣體量為充分之量之氣體到達至板玻璃20之上表面24。
噴射器70、80之板玻璃20之移動方向之距離L較佳為100～500 mm。距離L更佳為150 mm以上，進而較佳為200 mm以上。又，距離L更佳為450 mm以下，進而較佳為400 mm以下。藉由將距離L設為100 mm以上，可設置供給口71、81與排氣口75、85。尤其，較佳為噴射器70之距離L為150 mm以上，噴射器80之距離L為100 mm以上。另一方面，藉由將距離L設為500 mm以下，可抑制因噴射器70、80所致之板玻璃20之脫熱量，故而可抑制複數個加熱器之輸出。
較佳為，噴射器70、80之板玻璃20之寬度方向之距離具有板玻璃20之該方向之製品區域以上之距離。於將本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施之情形時，較佳為3000 mm以上，更佳為4000 mm以上。
又，含有HF之氣體之流速(線速度)較佳為20～300 cm/s。藉由將流速(線速度)設為20 cm/s以上，含有HF之氣體之氣流穩定，可將玻璃表面一樣地處理。流速(線速度)更佳為50 cm/s以上，進而較佳為80 cm/s以上。 又，如下所述，於將本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施之情形時，藉由將流速(線速度)設為300 cm/s以下，可於抑制氣體於緩冷裝置之內部擴散之狀態下，使充分之量之氣體到達至玻璃帶之頂面。流速(線速度)更佳為250 cm/s以下，進而較佳為200 cm/s以下。
本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法既可作為線上處理實施，亦可作為離線處理實施。本說明書中之所謂「線上處理」係指於將藉由浮式法或下拉法等成形之玻璃帶緩冷之緩冷過程中應用本發明之方法之情形。另一方面，所謂「離線處理」係指於對成形且被切斷為所期望之大小之板玻璃應用本發明之方法之情形。因此，本說明書中之板玻璃除了包含成形且被切割為所期望之大小之板玻璃以外，還包含藉由浮式法或下拉法等成形之玻璃帶。 本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施根據以下之理由而較佳。 若為離線處理，則必須增加步驟，相對於此，若為線上處理，則無須增加步驟，故而能夠以低成本進行處理。又，若為離線處理，則含有HF之氣體於玻璃基板間繞入至玻璃基板之半導體元件形成面，相對於此，若為玻璃帶之線上處理，則可抑制含有HF之氣體繞入。
如顯示器用玻璃基板之板玻璃之製造順序具有：熔解步驟，其係將玻璃原料熔解而形成熔融玻璃；成形步驟，其係將上述熔解步驟中所獲得之熔融玻璃成形為帶狀而形成玻璃帶；及緩冷步驟，其係將上述成形步驟中所獲得之玻璃帶緩冷。作為上述成形步驟，可列舉利用浮式法之浮式成形步驟、利用下拉法之下拉成形步驟。 於將本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施之情形時，於上述緩冷步驟中，對玻璃帶之頂面供給含有HF之氣體。
圖3係本發明之實施形態之顯示器用玻璃基板之製造方法之說明圖，且係表示浮式玻璃製造裝置之概略之剖視圖。
圖3所示之浮式玻璃製造裝置100具備：熔解裝置200，其將玻璃原料10熔解而形成熔融玻璃12；成形裝置300，其將自熔解裝置200供給之熔融玻璃12成形為帶狀而形成玻璃帶14；及緩冷裝置400，其將藉由成形裝置300成形之玻璃帶14緩冷。
熔解裝置200具備：熔解槽210，其收容熔融玻璃12；及燃燒器220，其於收容於熔解槽210內之熔融玻璃12之上方形成火焰。投入至熔解槽210內之玻璃原料10藉由來自燃燒器220所形成之火焰之輻射熱而逐漸熔入至熔融玻璃12。熔融玻璃12自熔解槽210連續地供給至成形裝置300。
成形裝置300具備收容熔融錫310之浴槽320。成形裝置300藉由使連續地供給至熔融錫310上之熔融玻璃12於熔融錫310上向特定方向流動而成形為帶狀，從而形成玻璃帶14。成形裝置300內之環境溫度越自成形裝置300之入口朝向出口越成為低溫。成形裝置300內之環境溫度由設置於成形裝置300內之加熱器(未圖示)等來調整。玻璃帶14一面向特定方向流動，一面被冷卻，於浴槽320之下游區域自熔融錫310提拉。自熔融錫310提拉之玻璃帶14藉由提昇輥510而搬送至緩冷裝置400。
緩冷裝置400將藉由成形裝置300成形之玻璃帶14緩冷。緩冷裝置400例如包含隔熱構造之緩冷爐410及複數個搬送輥420，該等複數個搬送輥420配設於緩冷爐410內，且將玻璃帶14向特定方向搬送。緩冷爐410內之環境溫度越自緩冷爐410之入口朝向出口越成為低溫。緩冷爐410內之環境溫度由設置於緩冷爐410內之加熱器440等來調整。自緩冷爐410之出口搬出之玻璃帶14藉由切斷機而切斷為特定之尺寸，作為製品出貨。
於作為製品出貨之前，亦可視需要，對玻璃基板之兩表面之至少一者進行研磨，而將玻璃基板洗淨。再者，於本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施之情形時，玻璃基板之與半導體元件形成面相反之側之玻璃表面對應於玻璃帶14之頂面，半導體元件形成面對應於玻璃帶14之底面。 於本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法中，藉由使半導體元件形成面之相反側之玻璃表面附近之氟濃度與玻璃基板內部之氟濃度相比較高，而使玻璃基板與吸附台之功函數之差變小，抑制玻璃基板之剝離帶電，因此於實施研磨之情形時較佳為僅對玻璃帶14之底面進行研磨。玻璃基板之半導體元件形成面係一面供給氧化鈰水溶液，一面藉由研磨具而進行研磨。於研磨時，氧化鈰水溶液之一部分繞入至玻璃基板之與半導體元件形成面相反之側之玻璃表面，成為漿料殘渣。
玻璃基板之洗淨例如藉由噴淋洗淨、使用圓盤刷之漿料洗淨、噴淋沖洗而進行。漿料洗淨係藉由一面對玻璃基板之與半導體元件形成面相反之側之玻璃表面供給漿料(例如，氧化鈰水溶液、碳酸鈣水溶液)，一面藉由圓盤刷進行研磨，而將殘留於與半導體元件形成面相反之側之玻璃表面之漿料殘渣去除。
圖3所示之浮式玻璃製造裝置100將本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施，故而於緩冷裝置400內之玻璃帶14之上方設置有噴射器70、80，使用該等噴射器70、80，對玻璃帶14之頂面，供給含有氟化氫(HF)之氣體。再者，圖1、2所示之熱處理裝置60、62於將本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法作為線上處理實施之情形時，對應於圖3所示之緩冷裝置400。 又，於圖3中，噴射器70、80設置於緩冷裝置400內，但本發明之另一實施形態之浮式玻璃製造裝置中，若供給含有HF之氣體時之玻璃表面溫度為500～900℃，則亦可將噴射器設置於成形裝置300內。 [實施例]
以下，對本發明之實施例及比較例具體地進行說明。再者，本發明並不限定於此等之記載。 作為線上處理，實施本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法。 使用圖3所示之浮式玻璃製造裝置100，製造如下之無鹼玻璃板，其厚度為0.5 mm，以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO2 ：59.5%、Al2 O3 ：17%、B2 O3 ：8%、MgO：3.3%、CaO：4%、SrO：7.6%、BaO：0.1%、ZrO2 ：0.1%，且MgO＋CaO＋SrO＋BaO：15%，剩餘部分為不可避免的雜質，鹼金屬氧化物之含量之合計量為0.1%以下。
藉由熔解裝置200將玻璃原料10熔解而形成熔融玻璃12之後，將熔融玻璃12供給至成形裝置300，將熔融玻璃12成形為帶狀而獲得玻璃帶14。自成形裝置300之出口拉出玻璃帶14之後，於緩冷裝置400內緩冷。 於緩冷裝置400內之玻璃帶14之溫度為500℃之位置，設置玻璃帶14之移動方向之距離L為300 mm之噴射器70。 圖4係表示實驗例2中之噴射器之狹縫寬度(a)、處理長度(b)、處理寬度(c)之關係的圖。上述a(mm)、b(mm)、c(mm)、及包含HF之氣體之流量(L/min)、處理時間(sec)、線速(mm/sec)設為下述所示之條件。
a：5 mm b：392 mm c：1200 mm 包含HF之氣體之流量：120 L/min 處理時間：4 sec 線速：500 mm/sec
又，噴射器70之供給口71與玻璃板20之上表面之距離D設定為10 mm。 又，供給包含HF之氣體時之玻璃表面溫度(於表1中，記載為溫度)、HF濃度(vol%)設為下述表1所示之條件。於表1中，例1～例4為實施例，例5為比較例。 關於所獲得之玻璃板，實施以下所示之評估。
[玻璃表面之表面性狀參數] 將由上述順序所獲得之玻璃基板切斷為寬度5 mm×長度5 mm，利用以下之方法測定玻璃基板之玻璃表面之歪度Rsk、算術平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rq、最大高度粗糙度Rz、最大山高度Rp、最大谷深度Rv(標準編號JIS B0601：2013，標準名稱為製品之幾何特性規格(GPS)－表面性狀：輪廓曲線方式－用語、定義及表面性狀參數)。使用原子力顯微鏡(製品名：SPI-3800N，精工電子公司製造)觀察玻璃基板之玻璃表面。懸臂使用SI-DF40P2。觀察係對掃描區域5 μm×5 μm，使用動力模式，以掃描速率1 Hz進行(區域內資料數：256×256)。基於該觀察，算出各測定點之表面性狀參數。計算軟體使用附屬於原子力顯微鏡之軟體(軟體名：SPA-400)。
[玻璃基板之剝離帶電量] 利用以下之方法測定由上述順序所獲得之玻璃基板之剝離帶電量。使寬度410 mm×長度520 mm×厚度0.5 mm之玻璃基板接觸於SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)304製之真空吸附台之後，使玻璃基板之吸附與釋放重複110個循環。然後，使用頂起銷將玻璃基板自真空吸附台剝離。利用表面電位計(製品名：MODEL341B，Tolec Japan公司製造)測定玻璃基板自真空吸附台離開上升5 cm為止之表面電位之變化。將測定結果之峰值設為剝離帶電量。 再者，關於帶電性，將帶電量之絕對值為12 kV以下者設為○，將大於12 kV者設為×。關於透明性，將滿足以下之A且B者設為○，將除此以外設為×。A：利用測霧計測得為0.8%以下(須賀試驗機：接觸式霧度電腦型號：HZ-1)；B：於420 nm、440 nm、500 nm、630 nm、700 nm(SHIMADZU：分光光度計UV2600)之各波長時顯示為90%以上之分光透過率者。
[表1] 表1
Figure 107145429-A0304-0001
關於實施例之玻璃基板，獲得關於帶電性、透明性良好之結果，但關於比較例之玻璃基板，無法獲得關於帶電性、透明性之任一者均良好之結果。
參照特定之實施態樣對本發明詳細地進行了說明，但對業者而言明確不脫離本發明之精神與範圍可增加各種變更或修正。本申請案係基於2017年12月18日申請之日本專利申請案2017-242075者，其內容以參照之形式併入於此。
10‧‧‧玻璃原料12‧‧‧熔融玻璃14‧‧‧玻璃帶20‧‧‧板玻璃22‧‧‧下表面24‧‧‧上表面60‧‧‧熱處理裝置62‧‧‧熱處理裝置70‧‧‧噴射器71‧‧‧供給口74‧‧‧流路75‧‧‧排氣口80‧‧‧噴射器81‧‧‧供給口84‧‧‧流路85‧‧‧排氣口100‧‧‧浮式玻璃製造裝置200‧‧‧熔解裝置210‧‧‧熔解槽220‧‧‧燃燒器300‧‧‧成形裝置310‧‧‧熔融錫320‧‧‧浴槽400‧‧‧緩冷裝置410‧‧‧緩冷爐420‧‧‧搬送輥440‧‧‧加熱器510‧‧‧提昇輥D‧‧‧距離L‧‧‧距離
圖1係本發明之實施形態之顯示器用玻璃基板之製造方法之說明圖，且係表示熱處理裝置之一構成例之模式圖。 圖2係本發明之實施形態之顯示器用玻璃基板之製造方法之說明圖，且係表示熱處理裝置之另一構成例之模式圖。 圖3係本發明之實施形態之顯示器用玻璃基板之製造方法之說明圖，且係表示浮式玻璃製造裝置之概略之剖視圖。 圖4係表示實施例中之噴射器之狹縫寬度(a)、處理長度(b)、處理寬度(c)之關係的圖。 圖5(a)係表示均方根粗糙度Rq之概念之概念圖，圖5(b)係表示表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk之概念的概念圖。
10‧‧‧玻璃原料
12‧‧‧熔融玻璃
14‧‧‧玻璃帶
70‧‧‧噴射器
80‧‧‧噴射器
100‧‧‧浮式玻璃製造裝置
200‧‧‧熔解裝置
210‧‧‧熔解槽
220‧‧‧燃燒器
300‧‧‧成形裝置
310‧‧‧熔融錫
320‧‧‧浴槽
400‧‧‧緩冷裝置
410‧‧‧緩冷爐
420‧‧‧搬送輥
440‧‧‧加熱器
510‧‧‧提昇輥

Claims (10)

  1. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且上述表面性狀之算術平均粗糙度Ra大於1nm、且為3.0nm以下。
  2. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且上述表面性狀之均方根粗糙度Rq大於1nm、且為5.0nm以下。
  3. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且上述表面性狀之最大高度粗糙度Rz為8~35nm。
  4. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且上述表面性狀之最大山高度Rp為3~20nm。
  5. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且上述表面性狀之最大谷深度Rv為5~15nm。
  6. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻 璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且於上述一玻璃表面中，具有自表面凹凸之面粗糙度中心面起1.0nm以上之高度之第1凸部係分散地設置，上述第1凸部占上述玻璃表面之面積之面積比率為15~40%。
  7. 一種顯示器用玻璃基板，其特徵在於，玻璃基板之主表面中之一玻璃表面，其表面性狀之表示山部與谷部之對稱性之歪度Rsk大於0，且於上述一玻璃表面中，具有自表面凹凸之面粗糙度中心面起1.5nm以上之高度之第2凸部係分散地設置，上述第2凸部占上述玻璃表面之面積之面積比率為5~30%。
  8. 如請求項1至7中任一項之顯示器用玻璃基板，其中上述歪度Rsk大於0、且小於1.5。
  9. 如請求項1至7中任一項之顯示器用玻璃基板，其中於上述玻璃基板之主表面中之另一玻璃表面形成半導體元件。
  10. 如請求項8之顯示器用玻璃基板，其中於上述玻璃基板之主表面中之另一玻璃表面形成半導體元件。
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