TWI777300B - 用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置 - Google Patents

用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI777300B
TWI777300B TW109140155A TW109140155A TWI777300B TW I777300 B TWI777300 B TW I777300B TW 109140155 A TW109140155 A TW 109140155A TW 109140155 A TW109140155 A TW 109140155A TW I777300 B TWI777300 B TW I777300B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pin
plasma processing
lifting
electrostatic chuck
lift
Prior art date
Application number
TW109140155A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202125575A (zh
Inventor
黃允文
Original Assignee
大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 filed Critical 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Publication of TW202125575A publication Critical patent/TW202125575A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI777300B publication Critical patent/TWI777300B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

本發明涉及一種用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置。該下電極元件包括：靜電夾盤，其包括承載面，用於承載待處理基片；複數個升降銷孔貫通靜電夾盤；各升降銷分別位於各個升降銷孔內；多孔套位於各個升降銷孔內，環繞設置於各升降銷的周圍，多孔套與升降銷之間具有間隙，多孔套內具有複數個孔隙，孔隙與間隙連通；氣浮通道位於靜電夾盤內，與多孔套內的孔隙連通；氣體輸送裝置用於向氣浮通道內輸送氣體，使多孔套與升降銷之間形成氣膜。其優點是：通過氣體輸送裝置向氣浮通道內輸送氣體，使多孔套與升降銷之間形成氣膜，可避免升降銷與升降銷孔之間的摩擦，因此升降銷與升降銷孔的縫隙可縮至非常小，從而能夠抵抗很高電勢和能量而不產生電弧。

Description

用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置
本發明涉及半導體設備的技術領域，特別涉及一種用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置。
在對半導體製程件(如基片)進行加工時，為了保證製程件加工的均勻性，需保證其在處理過程中水平放置，另外也要保證真空反應腔室的潔淨度，從而防止製程件樣品被污染。
傳統的等離子體處理裝置一般包含一真空反應腔室，所述真空反應腔室底部設置有下電極元件，所述下電極元件包含一靜電夾盤，該靜電夾盤包含一承載面用於承載待處理基片(晶圓)，複數個銷孔貫通靜電夾盤，複數個升降銷分別位於各個銷孔內；一舉升機構位於靜電夾盤的下方，所述舉升機構與升降銷連接，以實現升降銷的上下運動，從而實現待處理基片在製程過程中的舉升和放置。
但是在等離子體處理裝置加工和裝配的過程中，各個元件之間可能會存在著公差，因而無法保證連接舉升機構的升降銷與靜電夾盤上的銷孔達到較高的同心度，在升降銷上下運動時，升降銷可能會與銷孔的孔壁發生摩擦。為了避免這一點，需要將靜電夾盤裡面的銷孔的孔徑加大，但是較大孔徑的銷孔就會導致升降銷和銷孔的間隙變大，過大的間隙容易導致空隙電弧放電，從而造成產品損傷。另外，當靜電夾盤在被加熱和冷 卻的過程當中，靜電夾盤的膨脹係數可能和升降銷有所不同，這樣升降銷和靜電夾盤的銷孔更加無法保證同心度。
在處理基片的過程中，若升降銷與靜電夾盤上的升降銷孔未達到較高的同心度，升降銷可能相對靜電夾盤呈傾斜狀態，從而導致待處理基片上下時與靜電夾盤不完全平行，這會影響待處理基片在靜電夾盤上的對準，進而影響待處理基片邊緣的蝕刻品質。
本發明的目的在於提供一種用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置，通過氣體輸送裝置向氣浮通道內輸送氣體，使多孔套與升降銷之間形成氣膜，在所述氣膜的作用下進行動態調整，使升降銷與升降銷孔同心度，且兩者之間的間隙較小，因此，還能夠防止電弧損傷。
為了達到上述目的，本發明通過以下技術方案實現：一種用於等離子體處理裝置的下電極元件，包括：靜電夾盤，包括承載面，用於承載待處理基片；複數個升降銷孔，貫通所述靜電夾盤；複數個升降銷，分別位於各個所述升降銷孔內；複數個多孔套，位於各個所述升降銷孔內，環繞設置於各個所述升降銷的周圍，且所述多孔套與所述升降銷之間具有間隙，所述多孔套內具有複數個孔隙，所述孔隙與所述間隙連通；氣浮通道，位於所述靜電夾盤內，與各個所述多孔套內的所述孔隙連通；以及氣體輸送裝置，用於向所述氣浮通道內輸送氣體，使所述多孔套與所述升降銷之間形成氣膜。
較佳的，還包括：設備板，所述靜電夾盤設置於所述設備板上，所述設備板上具有複數個通孔，各個所述通孔的中心軸線分別與升降銷孔的中心軸線重合，所述升降銷也貫穿所述通孔；升降裝置，位於所述設備板下方；複數個銷底座，各個所述銷底座的一端分別接觸所述升降銷的端部，其另一端與所述升降裝置連接，且所述銷底座可進入所述通孔內，每個所述銷底座的周邊均環繞設置波紋管，所述波紋管的兩端分別與設備板的底部以及升降裝置的頂部固定連接。
較佳的，所述銷底座支撐所述升降銷，且所述升降銷可沿所述銷底座的頂部表面移動。
較佳的，還包括：真空抽氣裝置，與所述靜電夾盤或者設備板底部連接，用於使升降銷下方的氣壓小於頂部和側壁的氣壓。
較佳的，所述靜電夾盤內還具有冷卻通道，所述承載面暴露出所述冷卻通道，一冷卻源與所述冷卻通道連接。
較佳的，所述多孔套由多孔材料製成或經加工而形成具有所述複數個孔隙。
較佳的，所述多孔套與位於所述升降銷孔中的升降銷之間的間隙的寬度為小於或等於0.1毫米。
較佳的，一種等離子體處理裝置，該裝置包括：反應腔室；以及上文所述的下電極元件，位於所述反應腔室內底部。
較佳的，所述等離子體處理裝置包括電容耦合等離子體蝕刻裝置或者電感耦合等離子體蝕刻裝置。
本發明與習知技術相比具有以下優點：
本發明的一種用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置中，將升降銷孔、帶氣浮通道的靜電夾盤、升降銷、帶孔隙的多孔套和氣體輸送裝置相結合，通過氣體輸送裝置向氣浮通道內輸送氣體，使多孔套與升降銷之間形成氣膜，從而使升降銷孔通過氣膜而對升降銷實現精準定位，使升降銷與升降銷孔的同心度較高，當兩者不同心時在壓力的作用下還能夠動態調整使其同心，因此升降銷與升降銷孔的縫隙可縮至非常小，從而能夠抵抗很高電勢和能量而不產生電弧；另一方面，也因為升降銷與升降銷孔之間存在一層氣膜，使得升降銷上下運動非常順滑又可大幅減少摩擦，從而解決了習知的裝置因摩擦而產生微粒或影響運行的穩定性的問題。
進一步，本發明中的升降銷與銷底座之間沒有固定連接，使得升降銷與升降銷孔在氣壓的作用下自動調整位置使其同心的過程中，所述升降銷不被銷底座鎖定，而是可沿所述銷底座的表面水平移動不受銷底座的影響，有利於使升降銷與升降銷孔保持同心。
100:下電極元件
101:基片
102:反應腔室
103:氣體噴淋裝置
104:真空泵
110:靜電夾盤
111:設備板
1111:通孔
112:抽氣通道
113:冷卻通道
120:升降銷孔
130:升降銷
140:多孔套
150:氣浮通道
161:升降裝置
162:銷底座
163:波紋管
圖1是本發明的一種下電極元件的結構示意圖；圖2是圖1中的一種多孔套的結構示意圖；圖3是本發明的另一種多孔套的結構示意圖；以及圖4是本發明的一種等離子體處理裝置的結構示意圖。
為利瞭解本發明的特徵、內容與優點及其所能達成的功效，茲將本發明配合附圖，並以實施方式的表達形式詳細說明如下，而其中所 使用的附圖，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後的真實比例與精準配置，故不應就所附的附圖式的比例與配置關係解讀、局限本發明於實際實施上的權利範圍。
圖1是本發明的一種下電極元件的結構示意圖。
請參考圖1，下電極元件100，包含：靜電夾盤110、複數個升降銷孔120、複數個升降銷130、複數個多孔套140、氣浮通道150及氣體輸送裝置。所述靜電夾盤110包括承載面，該承載面用於承載待處理的基片101，所述升降銷孔120貫通靜電夾盤110，複數個升降銷130分別位於各個升降銷孔120內，所述多孔套140位於各個升降銷孔120內，環繞設置於各個升降銷130的周圍，且多孔套140與升降銷130之間具有間隙，所述多孔套140內具有複數個孔隙，所述孔隙與所述間隙連通。所述氣浮通道150位於所述靜電夾盤110內，與複數個多孔套140內的孔隙連通，所述氣體輸送裝置用於向氣浮通道150內輸送氣體，使多孔套140與升降銷130之間形成氣膜。
在本實施例中，以三個升降銷130進行示意性說明，分別位於三個升降銷孔120內。在其他實施例中，升降銷的個數還可以為其他個數。
其中，由於氣膜可使升降銷130與升降銷孔120保持同心，且兩者之間的間隙較小，在本實施例中，多孔套140與升降銷130之間的間隙寬度為小於或等於0.1毫米。由於所述多孔套140與升降銷130之間的間隙的寬度，使得所述多孔套140與升降銷130之間不易發生電弧放電。
如圖2所示，多孔套140可由多孔材料製備而具備複數個孔隙，或，如圖3所示，多孔套140可由其他無孔材料製備，經由加工而形成 複數個孔隙；所述氣體輸送裝置輸送的氣體可為氦氣，然其僅為舉例，並不以此為限。
在工作過程中，由氣體輸送裝置向靜電夾盤110內的氣浮通道150輸送氣體，該氣體經氣浮通道150傳向多孔套140內的孔隙，進而通過孔隙填充在升降銷130和多孔套140之間的空隙中以形成氣膜。在所述氣膜的作用下，動態校準使所述升降銷130與升降銷孔120保持同心，這層氣膜大幅減少了升降銷130和靜電夾盤110之間的摩擦，上下運動會非常順滑，避免了因摩擦而產生微粒影響設備運行，且多孔套140與升降銷130的空隙可以控制在幾十微米甚至10微米以下，使其能夠抵抗很高電勢和能量而不產生電弧。另外，該裝置也可實現升降銷130與靜電夾盤110的精確定位，使升降銷130在舉升基片101上下時與靜電夾盤110的承載面平行，不會影響基片101在靜電夾盤110上的對準，保證了基片101邊緣的蝕刻品質。
如圖1所示，所述下電極元件100還包括設備板111、升降裝置161和複數個銷底座162。所述靜電夾盤110設置於所述設備板111上，所述設備板111開設有複數個通孔1111，各個通孔1111的中心軸線分別與各個升降銷孔120的中心軸線相重合，升降銷130也貫穿通孔1111。所述升降裝置161位於設備板111下方用於連接各個銷底座162，各個銷底座162的一端接觸升降銷130，其另一端連接所述升降裝置161，且銷底座162可進入通孔1111內。其中，升降裝置161與銷底座162固定連接，而銷底座162只是頂住升降銷130，而不用鎖緊升降銷130，從而保證升降銷130通過升降銷孔120與靜電夾盤110精密定位(升降銷130可在銷底座162的表面上移動)，而不會受到因為與升降裝置161連接所帶來的影響。每個銷底座162 的周邊均環繞設置波紋管163，所述波紋管163的兩端分別與設備板111的底部以及升降裝置161的頂部固定連接，以保證銷底座162在升降裝置161的作用下上下移動時仍能保持良好的氣密性。
在本實施例中(見圖1)，等離子體處理裝置還包含一真空抽氣裝置，對應地，所述設備板111內開設有抽氣通道112，抽氣通道112一端(如設備板111底部的一開口)與真空抽氣裝置的抽氣口連通，且所述抽氣通道112另一端與設備板111的通孔1111連通。真空抽氣裝置開始抽氣時，經過上述抽氣通道112可以使升降銷130下方的氣壓小於頂部和側壁的氣壓，從而使升降銷130保持向下的趨勢，與底部的升降裝置161的銷底座162始終保持接觸狀態。
需要說明的是，所述抽氣通道112不僅可以開設在所述設備板111內(見圖1)，還可以開設在靜電夾盤110底部。當所述抽氣通道112開設在所述靜電夾盤110底部時，所述抽氣通道112與升降銷孔120中位於多孔套140下方的部分連通。真空抽氣裝置與所述抽氣通道112在靜電夾盤110底部的開口連通，用於使升降銷130下方的氣壓小於頂部和側壁的氣壓。
銷底座162支撐升降銷130，且由於銷底座162僅接觸而不固接升降銷130，抽氣通道112和氣浮通道150共同作用可使升降銷130沿銷底座162的表面水平移動，且升降銷130始終與銷底座162保持接觸。舉例說明，當靜電夾盤110和設備板111的膨脹係數不同時，在靜電夾盤110加熱或冷卻時，升降銷130與靜電夾盤110的位置可能會發生變化，導致升降銷130的中心軸線與升降銷孔120的中心軸線不重合。本發明通過氣體輸送裝 置向靜電夾盤110內的氣浮通道150輸送氣體，由於升降銷130僅接觸而不固接銷底座162，從而得以沿銷底座162的表面水平移動，直至升降銷130位移至與升降銷孔120同心的位置(兩者中心軸線重合)。真空抽氣裝置通過抽氣通道112使升降銷130保持向下的趨勢，從而使升降銷130與銷底座162始終保持接觸，因此，氣體輸送裝置、氣浮通道150、真空抽氣裝置、抽氣通道112、升降銷130及銷底座162的應用，可避免設備板111與靜電夾盤110之間因膨脹係數不同而導致的升降銷130與升降銷孔120之間位置變化的問題，以實現升降銷130與升降銷孔120的中心軸線不受溫度影響而保持一致。
另一方面，靜電夾盤110內還開設有冷卻通道113，承載面暴露出冷卻通道113，一冷卻源與所述冷卻通道113連接，所述冷卻源提供冷卻氣體經冷卻通道113傳輸至基片101的背面，以使基片101降溫。在本實施例中，承載面用以承載待處理基片101的一面具有複數個氣孔，所述複數個氣孔連通冷卻通道113。一般情況下，冷卻源提供He、Ar等氣體。在本實施例中，冷卻源提供氦氣經冷卻通道113傳輸至基片101的背面(晶圓背氦)，防止在製程過程中基片101的溫度過高而發生損傷。
需要說明的是，本發明的下電極元件既適用於電容耦合等離子體蝕刻裝置，也適用於電感耦合等離子體蝕刻裝置。
另外，本發明還提供了一種等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置為電容耦合等離子體蝕刻裝置或電感耦合等離子體蝕刻裝置。
如圖4所示，本實施例的等離子體處理裝置包括反應腔室102及上述的下電極元件100，所述下電極元件100位於反應腔室102內底部，基片101放置於所述下電極元件100上。
一個射頻功率源通過匹配器(圖中未示出)連接並供應射頻功率到所述設備板111，所述設備板111上為放置待處理基片101的靜電夾盤110。所述反應腔室102側壁上設有傳片門，用於將基片101在反應腔室102內外之間的傳輸。該等離子體處理裝置還包含一氣體噴淋裝置103，所述氣體噴淋裝置103與反應腔室102外的氣體供應裝置相連，氣體供應裝置中的反應氣體經過氣體噴淋裝置103進入反應腔室102。反應腔室102下方連接一用於抽真空的真空泵104，以便在工作過程中將反應副產物排出反應腔室102。
在工作過程中，通過設備板111將冷卻氣體、射頻等導入靜電夾盤110。射頻功率源的射頻功率施加到設備板111，在反應腔室102內將反應氣體解離為等離子的電場，等離子中包含多種活性粒子，該活性粒子與待處理基片101的表面發生多種物理和化學反應，使得基片101表面的形貌發生改變，真空泵104將反應過程中產生的氣體副產物排出反應腔室102。氣體輸送裝置向氣浮通道150內輸送氣體直至多孔套140，以使升降銷130和多孔套140之間保持微小的距離，升降銷130不發生傾斜。真空抽氣裝置經抽氣通道112對升降銷130下方進行抽氣，使升降銷130下方的氣壓小於頂部和側壁的氣壓，令升降銷130保持向下的趨勢，與銷底座162保持接觸。當升降銷130和升降銷孔120的中心軸線不一致時，採用氣體輸送裝置通過氣浮通道150調整升降銷130在銷底座162上的位置。
綜上所述，本發明的用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置，將升降銷孔120、帶氣浮通道150的靜電夾盤110、升降銷130、帶孔隙的多孔套140和氣體輸送裝置相結合，通過氣體輸送裝置向氣浮通道150內輸送氣體，使多孔套140與升降銷130之間形成氣膜，從而使靜電夾盤110的升降銷孔120通過氣膜而對升降銷130實現精準定位，保證了升降銷130和升降銷孔120之間的同心度，使兩者的中心軸線不受溫度影響而保持一致，且由於氣膜可避免升降銷130與升降銷孔120之間的摩擦，因此升降銷130與升降銷孔120的縫隙可縮至非常小，從而能夠抵抗很高電勢和能量而不產生電弧；另一方面，也因為升降銷130與升降銷孔120之間存在一層氣膜，使得升降銷130上下運動非常順滑又完全沒有摩擦，從而解決了習知的裝置因摩擦而產生微粒或影響運行的穩定性的問題。
此外，本發明中的升降銷130與銷底座162之間沒有固定連接，通過真空抽氣裝置可使得升降銷130下方的氣壓小於頂部的氣壓，使升降銷130保持向下的趨勢，與銷底座162保持接觸。
儘管本發明的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
100:下電極元件
101:基片
110:靜電夾盤
111:設備板
1111:通孔
112:抽氣通道
113:冷卻通道
120:升降銷孔
130:升降銷
140:多孔套
150:氣浮通道
161:升降裝置
162:銷底座
163:波紋管

Claims (9)

  1. 一種用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，包括：一靜電夾盤，包括一承載面，用於承載一待處理基片；複數個升降銷孔，貫通該靜電夾盤；複數個升降銷，分別位於各個該升降銷孔內；複數個多孔套，位於各個該升降銷孔內，環繞設置於各個該升降銷的周圍，且該多孔套與該升降銷之間具有一間隙，該多孔套內具有複數個孔隙，該孔隙與該間隙連通；一氣浮通道，位於該靜電夾盤內，與各個該多孔套內的該孔隙連通；以及一氣體輸送裝置，用於向該氣浮通道內輸送氣體，使該多孔套與該升降銷之間形成氣膜。
  2. 如請求項1所述的用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，還包括：一設備板，該靜電夾盤設置於該設備板上，該設備板上具有複數個通孔，各個該通孔的中心軸線分別與該升降銷孔的中心軸線重合，該升降銷也貫穿該通孔；一升降裝置，位於該設備板下方；以及複數個銷底座，各個該銷底座的一端分別接觸該升降銷的端部，各個該銷底座的另一端與該升降裝置連接，且該銷底座可進入該通孔內，每個該銷底座的周邊均環繞設置一波紋管，該波紋管的兩端分別與該設備板的底部以及該升降裝置的頂部固定連接。
  3. 如請求項2所述的用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，該 銷底座支撐該升降銷，且該升降銷可沿該銷底座的頂部表面移動。
  4. 如請求項2所述的用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，還包括：一真空抽氣裝置，與該靜電夾盤或者該設備板的底部連接，用於使該升降銷下方的氣壓小於頂部和側壁的氣壓。
  5. 如請求項1所述的用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，該靜電夾盤內還具有一冷卻通道，該承載面暴露出該冷卻通道，一冷卻源與該冷卻通道連接。
  6. 如請求項1所述的用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，該多孔套由多孔材料製成或經加工而形成具有該複數個孔隙。
  7. 如請求項1所述的用於等離子體處理裝置的下電極元件，其中，該多孔套與位於該升降銷孔中的該升降銷之間的該間隙的寬度為小於或等於0.1毫米。
  8. 一種等離子體處理裝置，其中，該等離子體處理裝置包括：一反應腔室；以及一如請求項1至請求項7中的任一項所述的下電極元件，位於該反應腔室內底部。
  9. 如請求項8所述的等離子體處理裝置，其中，該等離子體處理裝置包括電容耦合等離子體蝕刻裝置或者電感耦合等離子體蝕刻裝置。
TW109140155A 2019-12-25 2020-11-17 用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置 TWI777300B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911355593.2A CN113035682B (zh) 2019-12-25 2019-12-25 一种下电极组件及其等离子体处理装置
CN201911355593.2 2019-12-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202125575A TW202125575A (zh) 2021-07-01
TWI777300B true TWI777300B (zh) 2022-09-11

Family

ID=76458226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109140155A TWI777300B (zh) 2019-12-25 2020-11-17 用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN113035682B (zh)
TW (1) TWI777300B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201506552A (zh) * 2013-05-23 2015-02-16 尼康股份有限公司 基板保持方法及裝置、曝光方法及裝置、及元件製造方法
US20150097260A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 Xiang Zheng Tu Single Silicon Wafer Micromachined Thermal Conduction Sensor
US20190027394A1 (en) * 2017-07-20 2019-01-24 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
TW201947702A (zh) * 2017-05-15 2019-12-16 美商應用材料股份有限公司 具有閉環夾持力控制的即時監測

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4500173B2 (ja) * 2005-02-01 2010-07-14 オリンパス株式会社 静電気除去方法および基板処理装置
JP4687534B2 (ja) * 2005-09-30 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板の載置機構及び基板処理装置
JP4951536B2 (ja) * 2007-03-27 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
JP5103049B2 (ja) * 2007-04-04 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ ウエハ載置用電極
JP5188385B2 (ja) * 2008-12-26 2013-04-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法
KR101321690B1 (ko) * 2010-04-28 2013-10-23 가부시키가이샤 알박 진공 처리 장치, 기판과 얼라인먼트 마스크의 이동 방법 및 위치 맞춤 방법 그리고 성막 방법
JP5584517B2 (ja) * 2010-05-12 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
US9991153B2 (en) * 2013-03-14 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US10163676B2 (en) * 2013-06-27 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and system for preventing backside peeling defects on semiconductor wafers
KR101574740B1 (ko) * 2013-08-28 2015-12-04 (주)젠 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치
CN103472603A (zh) * 2013-09-17 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种支撑针及显示面板生产设备
JP6322508B2 (ja) * 2014-07-22 2018-05-09 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7130359B2 (ja) * 2016-12-05 2022-09-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7004589B2 (ja) * 2018-02-05 2022-02-10 東京エレクトロン株式会社 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置
KR20190124048A (ko) * 2018-04-25 2019-11-04 세메스 주식회사 부시의 제조 방법, 기판 지지 어셈블리, 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201506552A (zh) * 2013-05-23 2015-02-16 尼康股份有限公司 基板保持方法及裝置、曝光方法及裝置、及元件製造方法
US20180174884A1 (en) * 2013-05-23 2018-06-21 Nikon Corporation Substrate holding method, substrate holding apparatus, exposure apparatus and exposure method
TW201906070A (zh) * 2013-05-23 2019-02-01 日商尼康股份有限公司 基板保持裝置、曝光裝置、及元件製造方法
US20150097260A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 Xiang Zheng Tu Single Silicon Wafer Micromachined Thermal Conduction Sensor
TW201947702A (zh) * 2017-05-15 2019-12-16 美商應用材料股份有限公司 具有閉環夾持力控制的即時監測
US20190027394A1 (en) * 2017-07-20 2019-01-24 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly

Also Published As

Publication number Publication date
TW202125575A (zh) 2021-07-01
CN113035682B (zh) 2023-03-31
CN113035682A (zh) 2021-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI754077B (zh) 電漿處理裝置
TWI663686B (zh) 在電漿處理室中提供間隙高度及平面化調整之基板支架
US8038835B2 (en) Processing device, electrode, electrode plate, and processing method
US20070187363A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4981954B2 (ja) 処理装置
US5683537A (en) Plasma processing apparatus
JP7227154B2 (ja) 柔軟なウエハ温度制御を伴う静電チャック
JPH09129612A (ja) エッチングガス及びエッチング方法
US20090017635A1 (en) Apparatus and method for processing a substrate edge region
JP4833778B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20130141455A (ko) 반도체 기판의 가변 밀도 플라즈마 프로세싱
CN107516626B (zh) 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法
JP2004342703A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20190244791A1 (en) Raising-and-lowering mechanism, stage and plasma processing apparatus
US20090194237A1 (en) Plasma processing system
TWI777300B (zh) 用於等離子體處理裝置的下電極元件及其等離子體處理裝置
KR20180018411A (ko) 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 시스템
KR100712224B1 (ko) 냉각 유로
JP3996002B2 (ja) 真空処理装置
TW202115767A (zh) 電漿處理裝置
KR20040033831A (ko) 반도체 소자 제조 장치
TWI810825B (zh) 一種清潔晶圓、等離子體處理裝置和處理方法
KR100712225B1 (ko) 정전척
KR100323598B1 (ko) 플라즈마에칭방법
TW202343631A (zh) 基板載置台、基板處理裝置、及基板載置台之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent