TWI772149B - 真空電容型比壓器 - Google Patents

Abstract

設為具備構成主電容器(或主電容器的一部分)的真空電容器(2)與分壓電容器，可藉由該真空電容器(2)及分壓電容器的分壓來進行電壓測量的構造。於真空電容器(2)中，絕緣筒(4)之軸心方向的一方側的絕緣筒開口部(4a)藉由高壓部(5)堵塞，該軸心方向的另一方側的絕緣筒開口部(4b)藉由接地部(6)堵塞，以構成真空容器(20)。在接地部(6)之真空容器(20)內側與高壓部(5)對向的位置，透過延伸於前述軸心方向之筒狀的絕緣性支持部(7)，絕緣支持分壓部(8)。藉此，成為真空電容器(2)的高壓部(5)、接地部(6)、分壓部(8)分別相互絕緣，該分壓部(8)的外周側藉由該高壓部(5)及接地部(6)覆蓋之狀態。

Description

真空電容型比壓器

本發明係關於可藉由一次側的主電容器與二次側的分壓電容器的分壓，測量電壓之電容型比壓器。

如公知般，比壓器(VT：Voltage Transformers)係使用於為了藉由分壓電路將高電壓轉換成安全的電壓，並輸入至電壓計等的計測器及保護繼電器。於該比壓器，使用線圈型、電容型、電阻型等幾種方式。

電容型比壓器(CVT)係界定為利用電容分壓的比壓器，具備一次線路側端子與分壓點(分壓部)之間的主電容器，與分壓點與接地部之間的分壓電容器，以藉由於分壓電容器直接或透過共振電抗器，並聯連接來使用之CVT的變壓機(CVT變壓器)獲得分壓電壓之方式構成。關於該電容型比壓器，例如公知的專利文獻1及非專利文獻1。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利第5476524號公報 [非專利文獻]

[非專利文獻1] 「變比器」JEC-1201-2007，電器書院股份有限公司，2007年，p.75-76 [非專利文獻2] P.Spolaore, G. Bisoffi, F. Cervellera, R. Pengo , F. Scarpa, The Large Gap Case for HV Insulation in Vacuum, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation Vol. 4 No. 4, August 1997

先前的電容型比壓器係分壓部並未被金屬覆蓋，故例如來自外部的電磁波會影響分壓部，有難以進行高精度的測量之虞。另一方面，為了高精度測量，例如設為以另外的金屬覆蓋分壓部的外周側的構造的話，有難以兼顧外徑方向的小型化與高耐電壓化之狀況。

本發明係為了解決此種先前的問題所發明者，解決課題係提供遮蔽電磁力，可進行高精度的測定，且可貢獻於小型化的電容型比壓器。

本發明的電容型比壓器，係可貢獻於前述課題的解決者，其一樣態係具備一次側的真空電容器與二次側的電容器，可藉由該兩電容器的分壓來進行電壓測量之電容型的比壓器。

真空電容器，係具有：絕緣筒之軸心方向的一方側的絕緣筒開口部藉由高壓部堵塞，該軸心方向的另一方側的絕緣筒開口部藉由接地部堵塞的真空容器，與在前述接地部之真空容器內側與前述高壓部對向的位置，透過延伸於前述軸心方向之筒狀的絕緣性支持部被支持的分壓部。

前述高壓部，係具有：堵塞前述一方側的絕緣筒開口部的高壓端子，與從前述高壓端子的真空容器內側往前述軸心方向的另一方側延展，於前述軸心方向貫通前述絕緣筒的內周側的高壓電極。

前述接地部，係具有：對於前述另一方側的絕緣筒開口部，與前述絕緣筒同軸狀地連續設置，圍繞前述高壓電極的延展方向側之前端部的外周側及前述分壓部的外周側的接地筒，與堵塞前述接地筒之前述軸心方向的另一方側的接地筒開口部的接地端子。

然後，前述分壓部，係具有：堵塞前述絕緣性支持部之前述軸心方向的一方側的支持部開口部的分壓電極，與從前述分壓電極往前述軸心方向的另一方側延展，於前述軸心方向貫通前述絕緣性支持部的內周側及接地端子的分壓端子。

又，具備：筒狀的絕緣筒側遮蔽部，係圍繞前述高壓電極的外周側及前述分壓部的外周側兩者；絕緣筒側遮蔽部，係位於前述兩者與前述接地筒之間，被前述絕緣筒支持亦可。

又，前述絕緣筒，係對於前述軸心方向，分割成複數個筒狀體的多段構造；前述絕緣筒側遮蔽部，係具有從該絕緣筒側遮蔽部往外周側突出的支持部，該支持部被挾持於前述絕緣筒之鄰接的2個筒狀體之間亦可。

又，分別直徑不同之2個以上的前述絕緣筒側遮蔽部，係於前述兩者與前述接地筒之間，相互以非接觸方式同心狀地配置；前述絕緣筒，係前述筒狀體的個數比絕緣筒側遮蔽部還多的多段構造；各絕緣筒側遮蔽部的支持部，係分別被挾持於與前述絕緣筒之不同的筒狀體之間亦可。

又，從前述接地筒的前述軸心方向之一方側沿著前述絕緣筒的內周面，往該軸心方向的一方側延展之筒狀的接地筒側遮蔽部，係以非接觸方式介入前述絕緣筒與絕緣筒側遮蔽部之間亦可。

又，在前述接地部之真空容器內側於分壓部的外周側，設置有從該接地部往前述軸心方向的一方側延展，圍繞該分壓部之筒狀的分壓部側遮蔽部亦可。

又，前述絕緣筒側遮蔽部之前述軸心方向的另一方側，係形成為環狀或該另一方側往外周側彎曲的形狀亦可。

依據以上所示的本發明，可提供遮蔽電磁力，可進行高精度的測定，且可貢獻於小型化的電容型比壓器。

本發明的實施形態所致之真空電容型比壓器，係例如與僅以另外的金屬覆蓋分壓部之外周側的構造完全相異者。

亦即，本實施形態的真空電容型比壓器，係具備一次側的真空電容器與二次側的電容器，可藉由該兩電容器的分壓來進行電壓測量的構造。於真空電容器中，具備絕緣筒之軸心方向(以下僅適當稱為軸心方向)的一方側(以下僅適當稱為軸心一方側)的絕緣筒開口部藉由高壓部堵塞，該軸心方向的另一方側(以下適當稱為軸心另一方側)的絕緣筒開口部藉由接地部堵塞的真空容器。然後，設為在前述接地部之真空容器內側與前述高壓部對向的位置，透過延伸於軸心方向之筒狀的絕緣性支持部，絕緣支持分壓部的構造。

依據此種構造的真空電容型比壓器，成為真空電容器的高壓部、接地部、分壓部分別相互絕緣，該分壓部的外周側藉由該高壓部及接地部覆蓋之狀態。藉此，可抑制例如可從真空容器的外部侵入的電磁波(以下僅適當稱為外部電磁波)的影響(例如對於分壓部的影響)，可進行高精度的測量。

結果，不用作為以另外的金屬覆蓋分壓部的外周側的構造，也可獲得小型且大的靜電容，可抑制高電壓的電磁波所致之影響，根據此觀點，可兼容小型化與高耐電壓化。

本實施形態的真空電容型比壓器，係如上所述般，只要成為真空電容器的高壓部、接地部、分壓部分別相互絕緣，藉由該高壓部及接地部覆蓋該分壓部的外周側之狀態的樣態即可，可適當適用各種領域(例如變壓器、測量器、保護繼電器、真空電容器等的領域)的技術通常知識，可因應需要而適當參照先前技術文獻等，進行設計變更，作為其一例，可舉出以下的實施例。再者，於圖1~圖3中，關於相互相同的內容，藉由引用相同符號，適當省略詳細的說明。

《實施例》 ＜真空電容型比壓器的構造例＞ 圖1係說明實施例所致之真空電容型比壓器1的概略構造者。該真空電容型比壓器1係具備構成主電容器(或主電容器的一部分)的真空電容器2與分壓電容器3，可藉由該真空電容器2及分壓電容器3的分壓，進行所希望的電壓測量。

分壓電容器3係例如真空電容器或薄膜電容器等，設置於框體30內。又，於真空電容器2與分壓電容器3的共通連接點，連接輸出端子31。雖然省略圖示，但是，與分壓電容器3並聯地適當裝備共振電抗器或變壓器、或電壓檢測部，於將該等輸出轉換成必要的輸出形態的變壓裝置部中也適當裝備。

＜真空電容器2的構造例＞ 圖2係說明真空電容器2的概略構造者。圖2的真空電容器2係絕緣筒4之軸心一方側的絕緣筒開口部4a藉由高壓部5堵塞，該軸心另一方側的絕緣筒開口部4b藉由接地部6堵塞，以構成可保持真空狀態的真空容器20。

圖中的真空容器20之狀況中，絕緣筒開口部4b的開口緣面與後述的縮徑部6a接合，藉此，成為從軸心一方側朝向軸心另一方側，階梯狀地擴徑的外觀形狀。

圖中的絕緣筒4之狀況中，成為對於軸心方向，分割成複數個筒狀體40(在圖2中為2個筒狀體40a、40b)，該各筒狀體40以同軸狀連接設置於軸心方向的多段構造。藉此，成為可藉由鄰接之2個筒狀體40之間，挾持後述的絕緣筒側遮蔽部91的構造。

高壓部5係具有堵塞絕緣筒開口部4a之平板狀的高壓端子51，與從該高壓端子51的真空容器20內側往軸心另一方側延展的高壓電極52。於該高壓電極52中，成為於軸心方向貫通絕緣筒4的內周側，該高壓電極52的延展方向的前端部52a從該絕緣筒4的內周側突出的構造。圖中的前端部52a之狀況中，成為比高壓電極52之該前端部52a以外更加擴徑的球狀。於高壓端子51中，例如連接於圖外的母線等。

接地部6係具有對於絕緣筒開口部4b，與絕緣筒4同軸狀地連續設置的接地筒61，與堵塞其接地筒61之軸心另一方側的接地筒開口部6b之平板狀的接地端子62。接地筒61係以圍繞(以非接觸方式圍繞)高壓電極52之前端部52a的外周側及後術之分壓部8的外周側之方式構成。

圖中的接地筒61之狀況中，於該接地筒61之軸心一方側，形成往真空容器20的徑方向(與軸心方向公差的方向；以下僅適當稱為徑方向)的內側縮徑的縮徑部6a。接合該縮徑部6a與絕緣筒開口部4b，以堵塞該絕緣筒開口部4b。

在接地端子62之真空容器20內側與高壓部5對向的位置，設置可於軸心方向貫通後述的分壓端子82之形狀的貫通孔62a。於該貫通孔62a之真空容器20內側的開口緣面，與該貫通孔62a同軸狀地設置延伸於軸心方向之筒狀的絕緣性支持部7。透過該絕緣性支持部7，分壓部8被絕緣支持於接地端子62之真空容器20內側。

該分壓部8係具有堵塞絕緣性支持部7之軸心一方側的支持部開口部7a的分壓電極81，與從該分壓電極81往軸心另一方側延展的分壓端子82。分壓端子82係成為於軸心方向貫通絕緣性支持部7的內周側及貫通孔62a，往真空容器20外周側突出，可連接於分壓電容器3及輸出端子31的構造。

該分壓部8係位於從高壓部5的高壓電極52隔開所定距離的位置，藉此，藉由真空絕緣與該高壓部5之間。然後，在高壓部5與分壓部8之間，形成真空電容器2的主電容器(在後述的圖3中為主電容器C1)。

藉由如上所述的真空電容器2，可成為分別相互絕緣高壓部5、接地部6、分壓部8，可藉由該高壓部5及接地部6覆蓋該分壓部8的外周側之狀態。藉此，可抑制對於分壓部8之外部電磁波的影響。

＜各種遮蔽部的構造例＞ 真空電容器2的真空容器20內的崩潰電壓(Breakdown voltage)係除了電場強度之外，例如相依於該真空容器20之電極間距離。在該電極間距離為所定數值範圍內，則崩潰電壓係與該電極間距離成比例變化。

然而，該電極間距離超過所定數值範圍時，會變成無法保持前述比例關係。亦即，隨著電極間距離超過所定數值範圍而變大，公知會成為崩潰電壓的增加程度逐漸變小，崩潰電場強度降低傾向(例如參照非專利文獻2的圖3)。

因此，在此種傾向的狀況中，可舉出於真空容器20內適當配置各種遮蔽部，適當縮短電極間距離，謀求電場特性的提升。作為其一例，可舉出設置如圖2所示之絕緣筒側遮蔽部91、接地筒側遮蔽部92、分壓部側遮蔽部93等。

圖2的絕緣筒側遮蔽部91係成為圍繞高壓電極52的外周側及分壓部8的外周側兩者(以下僅適當稱為高壓部、分壓部外周側)的筒狀，且以非接觸方式介入該高壓部、分壓部外周側與接地筒61之間，藉由絕緣筒4絕緣支持的構造。

圖中的絕緣筒側遮蔽部91之狀況中，於該絕緣筒側遮蔽部91的軸心一方側中，設置網徑方向外側突出之形狀的支持部91a。藉由鄰接之2個筒狀體之間，挾持該支持部91a，絕緣支持絕緣筒側遮蔽部91。

在設置此種絕緣筒側遮蔽部91之狀況中，可縮短高壓部、分壓部外周側與接地筒61兩者的電極間距離，並且可獲得與不設置絕緣筒側遮蔽部91時相同的電場強度。

於設置該絕緣筒側遮蔽部91時的真空電容型比壓器1中，例如構成如圖3所示的等效電路。如圖3所示，在高壓部5與分壓部8之間，形成真空電容器2的主電容器C1。又，於絕緣筒側遮蔽部91中，在高壓部5、接地部6、分壓部8之間分別形成靜電容C2、C3、C4之外，也形成空間靜電容C0。

在此，於絕緣筒側遮蔽部91中，藉由高壓部5、接地部6之間的靜電容C2、C3分壓，成為中間的電位。所以，藉由將靜電容C2、C3設為大於空間靜電容C0，可抑制外部電磁波的影響，可對實現高精度的測量有所貢獻。

接著，於接地筒側遮蔽部92中，成為從接地筒61的軸心一方側的縮徑部6a沿著絕緣筒4的內周面，往軸心一方側延展之筒狀，且以非接觸方式介入絕緣筒4與絕緣筒側遮蔽部91之間的構造。

在設置此種接地筒側遮蔽部92時，可抑制對於絕緣筒側遮蔽部91之外部電磁波的影響，可對實現更高精度的測量有所貢獻。

接著，於分壓部側遮蔽部93中，成為從接地端子62之真空容器20內側往軸心一方側延展，圍繞分壓部8的外周側之筒狀的構造。該分壓部側遮蔽部93係該分壓部側遮蔽部93之軸心一方側插入絕緣筒側遮蔽部91之軸心另一方側的內周側，相互以非接觸方式重疊於軸心方向。

在設置此種分壓部側遮蔽部93時，可減少分壓部8與絕緣筒側遮蔽部91之間的靜電容，可對實現更進一步高精度的測量有所貢獻。

於如上所述的各遮蔽部91~93中，因應目的的真空電容型比壓器1(例如因應高壓部5的電壓)，能以各種樣態適用，例如可增設或省略該各種遮蔽部91~93之任一，或適用各種形狀。

作為具體例，可舉出將分別直徑不同之複數個絕緣筒側遮蔽部91，於高壓部、分壓部外周側與接地筒61之間中，相互以非接觸方式同心狀地配置。

此時，於絕緣筒4中，作為筒狀體40的個數比絕緣筒側遮蔽部91還多的多段構造。藉此，存在複數個鄰接之2個筒狀體40之間的空間(絕緣筒側遮蔽部91的個數以上)，可藉由分別不同的筒狀體40之間來挾持各絕緣筒側遮蔽部的支持部，以進行絕緣支持。

又，可舉出絕緣筒側遮蔽部91之軸心另一方側的前端部，係作為環狀或將該另一方側(前端部)往徑方向外側彎曲(圓弧彎曲)的形狀。

如上所述，在絕緣筒側遮蔽部91之軸心另一方側的前端部成為環狀等時，電場強度會變高，利用放電時使放電電弧產生於絕緣筒側遮蔽部91與接地部6，讓放電電弧遠離分壓部8，可避免成為高電壓。

＜其他＞ 真空電容器2之各構成要素的材料及接合構造，係可適用各種樣態，並未特別限定。例如，可舉出於該各構成要素中，藉由焊接等適當接合。於絕緣筒4及絕緣性支持部7中，可舉出適用具有絕緣性的材料，例如陶瓷材等。

又，利用將高壓部5、接地部6、分壓部8的一部分或整體的零件設為磁性體，可進行更強的電磁對策。例如，藉由以鐵、不鏽鋼、鎳合金等之公知的軟磁性體形成高壓部5、接地部6、分壓部8的一部分或整體的零件，可獲得充分的磁性遮蔽效果。

例如，藉由以軟磁性體且電阻低的材料形成高壓部5、接地部6、分壓部8的一部分或整體的零件，可更提升磁性遮蔽效果。再者，藉由電鍍等，於高壓部5、接地部6、分壓部8形成該等磁性體的薄膜，也可獲得相同的效果。

以上，於本發明中，僅對於所記載之具體例詳細說明，但是，該發明所屬技術領域中具有通常知識者當然可理解在本發明的技術思想的範圍中可進行各式各樣的變更，此種變更等當然屬於申請專利範圍。

1:真空電容型比壓器 2:真空電容器 3:分壓電容器 4:絕緣筒 4a:絕緣筒開口部 4b:絕緣筒開口部 5:高壓部 6:接地部 6a:縮徑部 6b:接地筒開口部 7:絕緣性支持部 7a:支持部開口部 8:分壓部 20:真空容器 30:框體 31:輸出端子 40:筒狀體 40a:筒狀體 40b:筒狀體 51:高壓端子 52:高壓電極 52a:前端部 61:接地筒 62:接地端子 62a:貫通孔 81:分壓電極 82:分壓端子 91:絕緣筒側遮蔽部 91a:支持部 92:接地筒側遮蔽部 93:分壓部側遮蔽部 C0:空間靜電容 C1:主電容器 C2:靜電容 C3:靜電容 C4:靜電容

[圖1]揭示實施例所致之真空電容型比壓器1的概略構造的概略外觀圖(將框體30剖面的外觀圖)。 [圖2]揭示真空電容器2之概略構造的縱剖面圖(真空容器20之軸心方向的縱剖面圖)。 [圖3]用以說明真空電容型比壓器1的等效電路圖(設置絕緣筒側遮蔽部91時的等效電路圖)。

2:真空電容器 4:絕緣筒 4a:絕緣筒開口部 4b:絕緣筒開口部 5:高壓部 6:接地部 6a:縮徑部 7:絕緣性支持部 7a:支持部開口部 8:分壓部 20:真空容器 40a:筒狀體 40b:筒狀體 51:高壓端子 52:高壓電極 52a:前端部 61:接地筒 62:接地端子 62a:貫通孔 81:分壓電極 82:分壓端子 91:絕緣筒側遮蔽部 91a:支持部 92:接地筒側遮蔽部 93:分壓部側遮蔽部

Claims (7)

1. 一種真空電容型比壓器，係具備一次側的真空電容器與二次側的電容器，可藉由該兩電容器的分壓來進行電壓測量之電容型的比壓器，其特徵為：真空電容器，係具有：真空容器，係絕緣筒之軸心方向的一方側的絕緣筒開口部藉由高壓部堵塞，該軸心方向的另一方側的絕緣筒開口部藉由接地部堵塞；及分壓部，係在前述接地部之真空容器內側與前述高壓部對向的位置，透過延伸於前述軸心方向之筒狀的絕緣性支持部被支持；前述高壓部，係具有：高壓端子，係堵塞前述一方側的絕緣筒開口部；及高壓電極，係從前述高壓端子的真空容器內側往前述軸心方向的另一方側延展，於前述軸心方向貫通前述絕緣筒的內周側；前述接地部，係具有：接地筒，係對於前述另一方側的絕緣筒開口部，與前述絕緣筒同軸狀地連續設置，圍繞前述高壓電極的延展方向側之前端部的外周側及前述分壓部的外周側；及接地端子，係堵塞前述接地筒之前述軸心方向的另一方側的接地筒開口部；前述分壓部，係具有：分壓電極，係堵塞前述絕緣性支持部之前述軸心方向 的一方側的支持部開口部；及分壓端子，係從前述分壓電極往前述軸心方向的另一方側延展，於前述軸心方向貫通前述絕緣性支持部的內周側及接地端子。
2. 如請求項1所記載之真空電容型比壓器，其中，具備：筒狀的絕緣筒側遮蔽部，係圍繞前述高壓電極的外周側及前述分壓部的外周側兩者；絕緣筒側遮蔽部，係位於前述兩者與前述接地筒之間，被前述絕緣筒支持。
3. 如請求項2所記載之真空電容型比壓器，其中，前述絕緣筒，係對於前述軸心方向，分割成複數個筒狀體的多段構造；前述絕緣筒側遮蔽部，係具有從該絕緣筒側遮蔽部往外周側突出的支持部，該支持部被挾持於前述絕緣筒之鄰接的2個筒狀體之間。
4. 如請求項3所記載之真空電容型比壓器，其中，分別直徑不同之2個以上的前述絕緣筒側遮蔽部，係於前述兩者與前述接地筒之間，相互以非接觸方式同心狀地配置；前述絕緣筒，係前述筒狀體的個數比絕緣筒側遮蔽部還多的多段構造； 各絕緣筒側遮蔽部的支持部，係分別被挾持於與前述絕緣筒之不同的筒狀體之間。
5. 如請求項2至4中任一項所記載之真空電容型比壓器，其中，從前述接地筒的前述軸心方向之一方側沿著前述絕緣筒的內周面，往該軸心方向的一方側延展之筒狀的接地筒側遮蔽部，係以非接觸方式介入前述絕緣筒與絕緣筒側遮蔽部之間。
6. 如請求項2至4中任一項所記載之真空電容型比壓器，其中，前述絕緣筒側遮蔽部之前述軸心方向的另一方側，係形成為環狀或該另一方側往外周側彎曲的形狀。
7. 如請求項1至4中任一項所記載之真空電容型比壓器，其中，在前述接地部之真空容器內側於分壓部的外周側，設置有從該接地部往前述軸心方向的一方側延展，圍繞該分壓部之筒狀的分壓部側遮蔽部。

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