TWI771722B - 氣體處理方法及氣體處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能有效去除溴氟乙烯的氣體處理方法及氣體處理裝置。藉由使含有溴氟乙烯的氣體，在0℃以上且未達120℃的溫度環境下接觸具有平均細孔徑0.4nm以上4nm以下之細孔的吸附劑(7)，使溴氟乙烯吸附於吸附劑(7)，而由前述氣體中分離溴氟乙烯。
Description
本發明係有關於一種氣體處理方法及氣體處理裝置。
於半導體之製造步驟中，作為乾蝕刻裝置之蝕刻氣體或CVD裝置之腔室清潔氣體等，係使用四氟化碳、六氟乙烷等全氟碳化物。此等全氟碳化物為極為穩定的化合物且對地球暖化的影響較大，釋放至大氣時有對環境造成不良影響之虞。因此，由半導體之製造步驟中排出的廢氣係以將所含之全氟碳化物回收或分解後再釋放至大氣中為宜。
於專利文獻1中，作為上述全氟碳化物的替代物之環境負荷較小的電漿蝕刻氣體，其揭示一種含有具有雙鍵之溴氟碳化物(溴氟烯)的電漿蝕刻氣體。溴氟烯其與四氟化碳、六氟乙烷等不具有雙鍵之全氟碳化物相比較對地球暖化的影響較小，但並非小到可予以忽視。而且，溴氟烯其毒性較高，直接釋放至大氣時會對人體及環境造成不良影響，因此，由半導體之製造步驟中排出的廢氣必需將所含溴氟烯回收或分解後，再釋放至大氣中。
作為溴氟烯之處理方法，例如專利文獻2中提出一種使碳數3或4之溴氟烯吸附於沸石的方法。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2012/124726號
[專利文獻2]日本專利公開公報 2017年第47338號
[發明所欲解決之課題]
然而，目前仍未發現能有效去除碳數2之溴氟烯(溴氟乙烯)的方法。
本發明係以提供一種能有效去除溴氟乙烯的氣體處理方法及氣體處理裝置為課題。
[解決課題之手段]
為解決前述課題，本發明一樣態係如以下[1]～[9]所述。
[1] 一種氣體處理方法，其係藉由使含有溴氟乙烯的氣體，在0℃以上且未達120℃的溫度環境下接觸具有平均細孔徑0.4nm以上4nm以下之細孔的吸附劑，使前述溴氟乙烯吸附於前述吸附劑，而由前述氣體中分離前述溴氟乙烯。
[2] 如[1]之氣體處理方法，其中前述溴氟乙烯為溴三氟乙烯、1-溴-2,2-二氟乙烯、(E)-1-溴-1,2-二氟乙烯、(Z)-1-溴-1,2-二氟乙烯、1-溴-1-氟乙烯、(E)-1-溴-2-氟乙烯、(Z)-1-溴-2-氟乙烯、1,1-二溴-2-氟乙烯、(E)-1,2-二溴-2-氟乙烯、(Z)-1,2-二溴-2-氟乙烯及三溴氟乙烯中的至少1種。
[3] 如[1]或[2]之氣體處理方法，其中前述含有溴氟乙烯的氣體為前述溴氟乙烯與惰性氣體的混合氣體。
[4] 如[3]之氣體處理方法，其中前述惰性氣體為氮氣、氦氣、氬氣、氖氣及氪氣中的至少1種。
[5] 如[1]～[4]中任一項之氣體處理方法，其中前述含有溴氟乙烯的氣體中之前述溴氟乙烯的含有率係未達25體積%。
[6] 如[1]～[5]中任一項之氣體處理方法，其中前述吸附劑為沸石及活性碳的至少一者。
[7] 如[1]～[6]中任一項之氣體處理方法，其中前述溫度環境為0℃以上100℃以下。
[8] 如[1]～[6]中任一項之氣體處理方法，其中前述溫度環境為0℃以上70℃以下。
[9] 一種氣體處理裝置，其係具備收納有具有平均細孔徑0.4nm以上4nm以下之細孔的吸附劑之吸附處理容器，
前述吸附處理容器係具有：供給口，係供給含有溴氟乙烯的氣體；及排出口，係將對前述含有溴氟乙烯的氣體實施採前述吸附劑之吸附處理而成的經處理氣體，由前述吸附處理容器內向外部排出。
[發明之效果]
根據本發明，可有效去除溴氟乙烯。
[實施發明之形態]
以下就本發明一實施形態加以說明。此外，本實施形態係表示本發明之一例者，本發明非限定於本實施形態。又，對於本實施形態可施加種種變更或改良，且施加各種變更或改良之形態亦可包含於本發明中。
本實施形態之氣體處理裝置1係具備收納有具有平均細孔徑0.4nm以上4nm以下之細孔的吸附劑7之吸附塔6(係相當於本發明之構成要件的「吸附處理容器」)。此吸附塔6係具有：供給口4，係供給含有溴氟乙烯的氣體；及排出口5，係將對含有溴氟乙烯的氣體實施採吸附劑7之吸附處理而成的經處理氣體，由吸附塔6內向外部排出。
進而，本實施形態之氣體處理裝置1係具備：溴氟乙烯氣體供給機構2，係供給溴氟乙烯氣體；惰性氣體供給機構3，係供給惰性氣體；及傅立葉轉換紅外線光譜儀8，係進行傅立葉轉換紅外線光譜分析。
溴氟乙烯氣體供給機構2與吸附塔6的供給口4係以配管連接，由溴氟乙烯氣體供給機構2傳送之溴氟乙烯氣體係由供給口4供給至吸附塔6的內部，在0℃以上且未達120℃的溫度環境下實施採吸附劑7之吸附處理。
由供給口4供給至吸附塔6的內部之氣體可為僅由溴氟乙烯構成的溴氟乙烯氣體，亦可為溴氟乙烯氣體與其他氣體的混合氣體。其他氣體不特別限定，可舉出例如惰性氣體。亦即，可如圖1所示，使從溴氟乙烯氣體供給機構2延伸的配管與從惰性氣體供給機構3延伸的配管匯流，並使匯流之配管連接於吸附塔6的供給口4。
若為此種構成，則由溴氟乙烯氣體供給機構2傳送之溴氟乙烯氣體與由惰性氣體供給機構3傳送之惰性氣體在匯流之配管內混合而形成混合氣體，混合氣體便由供給口4供給至吸附塔6的內部。以下有將僅由溴氟乙烯構成的溴氟乙烯氣體，及溴氟乙烯氣體與其他氣體的混合氣體記載為「含溴氟乙烯之氣體」。
供給至吸附塔6的內部的含溴氟乙烯之氣體，在0℃以上且未達120℃的溫度環境下與吸附劑7接觸，經實施採吸附劑7之吸附處理。亦即，由於含溴氟乙烯之氣體中的溴氟乙烯吸附於吸附劑7，含溴氟乙烯之氣體即分離成溴氟乙烯與其他氣體。
經實施採吸附劑7之吸附處理而成的經處理氣體，即經分離的其他氣體係經由排出口5由吸附塔6內向外部排出。由於排出口5與傅立葉轉換紅外線光譜儀8係藉由配管連接，經處理氣體便供給至傅立葉轉換紅外線光譜儀8。
於傅立葉轉換紅外線光譜儀8中，係進行經處理氣體的傅立葉轉換紅外線光譜分析，且進行經處理氣體中所含有之溴氟乙烯的定量分析或定性分析。
傅立葉轉換紅外線光譜儀8連接有廢棄用配管9，傅立葉轉換紅外線光譜分析完成後的經處理氣體係經由廢棄用配管9向系統外排出。
若採用本實施形態之氣體處理裝置1，無需繁瑣的操作即能以溫和的條件有效去除溴氟乙烯。
以下就本實施形態之氣體處理裝置1與本實施形態之氣體處理方法進一步詳細加以說明。
[溴氟乙烯]
溴氟乙烯係指分子內具有氟原子與溴原子的碳數2之不飽和烴。
溴氟乙烯的具體例可舉出溴三氟乙烯、1-溴-2,2-二氟乙烯、(E)-1-溴-1,2-二氟乙烯、(Z)-1-溴-1,2-二氟乙烯、1-溴-1-氟乙烯、(E)-1-溴-2-氟乙烯、(Z)-1-溴-2-氟乙烯、1,1-二溴-2-氟乙烯、(E)-1,2-二溴-2-氟乙烯、(Z)-1,2-二溴-2-氟乙烯、三溴氟乙烯等。
此等當中，基於可於常溫下容易地氣化之觀點，較佳為溴三氟乙烯、1-溴-2,2-二氟乙烯、(E)-1-溴-1,2-二氟乙烯、(Z)-1-溴-1,2-二氟乙烯、1-溴-1-氟乙烯、(E)-1-溴-2-氟乙烯、(Z)-1-溴-2-氟乙烯。
溴氟乙烯可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
[惰性氣體]
惰性氣體可舉出氮氣(N2
)、氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)。此等當中，較佳為氮氣、氦氣、氬氣、氖氣及氪氣，更佳為氮氣及氬氣。此等惰性氣體可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
[吸附劑]
吸附劑的種類只要是具有平均細孔徑0.4nm以上4nm以下之細孔者則不特別限定，基於經濟性或取得容易性觀點，較佳為活性碳、沸石、二氧化矽凝膠、氧化鋁，更佳為沸石及活性碳。
沸石的構造可舉出例如T型、毛沸石型、菱沸石型、4A型、5A型、ZSM-5型、LiLSX型、AlPO4
-11型、鎂鹼沸石型、矽鉀鋁石型、絲光沸石型、β型、AlPO4
-5型、NaY型、NaX型、CaX型、AlPO4
-8型、UTD-1型、VPI-5型、Clovelite型、MCM-41型、FSM-16型。沸石當中，基於取得容易性觀點，特佳為分子篩4A(例如UNION SHOWA股份有限公司製)、分子篩5A(例如UNION SHOWA股份有限公司製)、分子篩13X(例如UNION SHOWA股份有限公司製)等。
吸附劑所具有之細孔的平均細孔徑若為0.4nm以上4nm以下，能有效吸附溴氟乙烯，且吸附之溴氟乙烯不易發生脫附。
吸附劑的形狀不特別限定，可為例如纖維狀、蜂巢狀、圓柱狀、丸粒狀、破碎狀、粒狀、粉末狀。
[吸附處理的溫度]
採吸附劑7之吸附處理需在0℃以上且未達120℃的溫度環境下進行，較佳在0℃以上100℃以下的溫度環境下，更佳在0℃以上70℃以下的溫度環境下進行。
若在上述的溫度環境下使含溴氟乙烯之氣體與吸附劑7接觸而進行吸附處理，則吸附之溴氟乙烯不易從吸附劑7脫附，因此溴氟乙烯的吸附量增加。再者，由於不需要用以控制溫度的大型裝置，可使氣體處理裝置1的構成更簡單。而且，在吸附塔6內不易發生溴氟乙烯的液化。
[其他吸附條件]
含溴氟乙烯之氣體中之溴氟乙烯的含有率(濃度)、含溴氟乙烯之氣體的流量、吸附劑7的量、吸附塔6的大小等吸附條件不特別限定，可依據含溴氟乙烯之氣體的種類、量等適宜設定。惟，含溴氟乙烯之氣體中之溴氟乙烯的含有率(濃度)可定為50體積%以下，較佳定為30體積%以下，更佳定為25體積%以下。
[實施例]
以下示出實施例及比較例更詳細地說明本發明。
[實施例1]
利用具有與圖1所示氣體處理裝置1同樣構成的氣體處理裝置進行含溴氟乙烯之氣體的吸附處理。此氣體處理裝置係具備內徑1吋、長100mm的不鏽鋼製吸附塔，且此吸附塔中填充有作為吸附劑之28.7g的分子篩13X(UNION SHOWA股份有限公司製)。
分子篩13X所具有之細孔的平均細孔徑為1.0nm。平均細孔徑係藉由BET吸附法來測定。測定條件如下：
測定儀器：日機裝股份有限公司製BELSORP-max
吸附物質：氮氣
測定溫度：-196℃
吸附劑的前處理：於真空條件下以300℃加熱乾燥6h
吸附劑的用量：0.10g。
以流量50mL/min將溴三氟乙烯與乾燥氮氣的混合氣體(混合氣體中之溴三氟乙烯的含有率為20體積%)供給至吸附塔，進行吸附處理。此外，吸附處理中係將吸附塔內的溫度(詳言之為吸附劑的表面溫度)維持於30.0～40.0℃。
利用傅立葉轉換紅外線光譜儀測定由吸附塔的排出口排出之經處理氣體中之溴三氟乙烯的濃度。其結果，混合氣體剛開始供給後至30分鐘之溴三氟乙烯的濃度為206.35～273.81體積ppm(參照下述表1)。亦即，吸附劑使用分子篩13X時，有99.86～99.90%的溴三氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例2]
除吸附劑使用椰殼系活性碳(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。椰殼系活性碳所具有之細孔的平均細孔徑為2.5nm。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之溴三氟乙烯的濃度為27.78～436.51體積ppm(參照下述表2)。亦即，吸附劑使用椰殼系活性碳時，有99.78～99.99%的溴三氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例3]
除吸附劑使用煤系活性碳(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。煤系活性碳所具有之細孔的平均細孔徑為3.4nm。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之溴三氟乙烯的濃度為23.81～369.05體積ppm (參照下述表3)。亦即，吸附劑使用煤系活性碳時，有99.82～99.99%的溴三氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例4]
除吸附劑使用分子篩5A(UNION SHOWA股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。分子篩5A所具有之細孔的平均細孔徑為0.5nm。
其結果，剛開始供給混合氣體後之溴三氟乙烯的濃度為630.95體積ppm，開始供給混合氣體至5分鐘後之溴三氟乙烯的濃度為5507.94體積ppm(參照下述表4)。研判吸附效率降低的原因係吸附劑發生吸附轉效所致。亦即，吸附劑使用分子篩5A時，與分子篩13X及上述活性碳相比吸附容量雖較差，但仍有97%以上的溴三氟乙烯被吸附。
[實施例5]
除將吸附塔內的溫度設為60～70℃以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。其結果，開始供給混合氣體起至15分鐘後之溴三氟乙烯的濃度為503.97體積ppm、20分鐘後之溴三氟乙烯的濃度為2222.22體積ppm(參照下述表5)。
與實施例1相比吸附容量降低的原因，研判係因吸附劑被加溫，而促進溴三氟乙烯的脫附之故。然而，縱為本條件，仍有98%以上的溴三氟乙烯被吸附。
[實施例6]
除將吸附塔內的溫度設為0～5℃以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之溴三氟乙烯的濃度為19.84～206.35體積ppm(參照下述表6)。與實施例1相比吸附容量提升的原因，研判係藉由將吸附劑冷卻，而抑制溴三氟乙烯的脫附之故。
[實施例7]
除含溴氟乙烯之氣體使用1-溴-1-氟乙烯與乾燥氮氣的混合氣體(混合氣體中之1-溴-1-氟乙烯的含有率為20體積%)以外係以與實施例1同樣的方式進行1-溴-1-氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之1-溴-1-氟乙烯的濃度為178.57～202.38體積ppm(參照下述表7)。亦即，吸附劑使用分子篩13X時，有99.90～99.91%的1-溴-1-氟乙烯被吸附劑。
[實施例8]
除吸附劑使用煤系活性碳(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例7同樣的方式進行1-溴-1-氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之1-溴-1-氟乙烯的濃度為23.81～206.35體積ppm(參照下述表8)。亦即，吸附劑使用煤系活性碳時，有99.90～99.99%的1-溴-1-氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例9]
除含溴氟乙烯之氣體使用1-溴-2-氟乙烯((E)-1-溴-2-氟乙烯與(Z)-1-溴-2-氟乙烯以等莫耳量混合者)與乾燥氮氣的混合氣體(混合氣體中之1-溴-2-氟乙烯的含有率為20體積%)以外係以與實施例1同樣的方式進行1-溴-2-氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之1-溴-2-氟乙烯的濃度為162.70～285.71ppm(參照下述表9)。亦即，吸附劑使用分子篩13X時，有99.86～99.92%的1-溴-2-氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例10]
除吸附劑使用煤系活性碳(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例9同樣的方式進行1-溴-2-氟乙烯((E)-1-溴-2-氟乙烯與(Z)-1-溴-2-氟乙烯以等莫耳量混合者)的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之1-溴-2-氟乙烯的濃度為19.84～166.67體積ppm(參照下述表10)。亦即，吸附劑使用煤系活性碳時，有99.92～99.99%的1-溴-2-氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例11]
除含溴氟乙烯之氣體使用1-溴-2,2-二氟乙烯與乾燥氮氣的混合氣體(混合氣體中之1-溴-2,2-二氟乙烯的含有率為20體積%)以外係以與實施例1同樣的方式進行1-溴-2,2-二氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之1-溴-2,2-二氟乙烯的濃度為150.79～246.03體積ppm(參照下述表11)。亦即，吸附劑使用分子篩13X時，有99.88～99.92%的1-溴-2,2-二氟乙烯被吸附劑吸附。
[實施例12]
除吸附劑使用煤系活性碳(Osaka Gas Chemicals股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例11同樣的方式進行1-溴-2,2-二氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後至30分鐘之1-溴-2,2-二氟乙烯的濃度為23.81～206.35體積ppm(參照下述表12)。亦即，吸附劑使用煤系活性碳時，有99.90～99.99%%的1-溴-2,2-二氟乙烯被吸附劑吸附。
[比較例1]
除吸附劑使用B型二氧化矽凝膠(豐田化工股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。B型二氧化矽凝膠所具有之細孔的平均細孔徑為6.0nm。其結果，於開始供給混合氣體起2分鐘以內，檢測出濃度超過定量測定極限(8000ppm)的溴三氟乙烯。亦即，吸附劑使用B型二氧化矽凝膠時，無法吸附溴三氟乙烯。
[比較例2]
除吸附劑使用分子篩3A(UNION SHOWA股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。分子篩3A所具有之細孔的平均細孔徑為0.3nm。其結果，剛開始供給混合氣體後，即檢測出濃度超過定量測定極限(8000ppm)的溴三氟乙烯。亦即，吸附劑使用分子篩3A時，無法吸附溴三氟乙烯。
[比較例3]
除吸附劑使用γ-氧化鋁(高純度化學研究所股份有限公司製)來替代分子篩13X以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。γ-氧化鋁所具有之細孔的平均細孔徑為8.5nm。其結果，剛開始供給混合氣體後，即檢測出濃度超過定量測定極限(8000ppm)的溴三氟乙烯。亦即，吸附劑使用γ-氧化鋁時，無法吸附溴三氟乙烯。
[比較例4]
除將吸附塔內的溫度設為120℃以外係以與實施例1同樣的方式進行溴三氟乙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後，即檢測出濃度超過定量測定極限(8000 ppm)的溴三氟乙烯。亦即，吸附塔內的溫度為120℃以上的高溫時，無法吸附溴三氟乙烯。
[比較例5]
除處理氣體使用2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯與乾燥氮氣的混合氣體(混合氣體中之2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯的含有率為20體積%)以外係以與實施例4同樣的方式進行2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯的吸附處理。其結果，剛開始供給混合氣體後，即檢測出濃度超過定量測定極限(8000ppm)的2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯。亦即，吸附劑使用分子篩5A時，無法吸附2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯。
[比較例6]
除處理氣體使用2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯與乾燥氮氣的混合氣體(混合氣體中之2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯的含有率為20體積%)以外係以與實施例1同樣的方式進行2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯的吸附處理。其結果，開始供給混合氣體之後經過10分鐘後，即檢測出濃度超過定量測定極限(8000ppm)的2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯。亦即，吸附劑使用分子篩13X時，得到2-溴-1,1,3,3,3-五氟丙烯的吸附量較溴三氟乙烯的吸附量為差之結果。
1:氣體處理裝置
2:溴氟乙烯氣體供給機構
3:惰性氣體供給機構
4:供給口
5:排出口
6:吸附塔
7:吸附劑
8:傅立葉轉換紅外線光譜儀
9:廢棄用配管
[圖1]為說明本發明一實施形態之氣體處理裝置的構成的示意圖。
1:氣體處理裝置
2:溴氟乙烯氣體供給機構
3:惰性氣體供給機構
4:供給口
5:排出口
6:吸附塔
7:吸附劑
8:傅立葉轉換紅外線光譜儀
9:廢棄用配管
Claims (9)
- 一種氣體處理方法，其係藉由使含有溴氟乙烯的氣體，在0℃以上且未達120℃的溫度環境下接觸具有平均細孔徑2.5nm以上4nm以下之細孔的吸附劑，使前述溴氟乙烯吸附於前述吸附劑，而由前述氣體中分離前述溴氟乙烯。
- 如請求項1之氣體處理方法，其中前述溴氟乙烯為溴三氟乙烯、1-溴-2,2-二氟乙烯、(E)-1-溴-1,2-二氟乙烯、(Z)-1-溴-1,2-二氟乙烯、1-溴-1-氟乙烯、(E)-1-溴-2-氟乙烯、(Z)-1-溴-2-氟乙烯、1,1-二溴-2-氟乙烯、(E)-1,2-二溴-2-氟乙烯、(Z)-1,2-二溴-2-氟乙烯及三溴氟乙烯中的至少1種。
- 如請求項1或2之氣體處理方法，其中前述含有溴氟乙烯的氣體為前述溴氟乙烯與惰性氣體的混合氣體。
- 如請求項3之氣體處理方法，其中前述惰性氣體為氮氣、氦氣、氬氣、氖氣及氪氣中的至少1種。
- 如請求項1或2之氣體處理方法，其中前述含有溴氟乙烯的氣體中之前述溴氟乙烯的含有率係未達25體積%。
- 如請求項1或2之氣體處理方法，其中前述吸附劑為沸石及活性碳的至少一者。
- 如請求項1或2之氣體處理方法，其中前述溫度環境為0℃以上100℃以下。
- 如請求項1或2之氣體處理方法，其中前述溫度環境為0℃以上70℃以下。
- 一種氣體處理裝置，其係具備收納有具有平均細孔徑2.5nm以上4nm以下之細孔的吸附劑之吸附處理容器，前述吸附處理容器係具有：供給口，係供給含有溴氟乙烯的氣體；及排出口，係將對前述含有溴氟乙烯的氣體實施採前述吸附劑之吸附處理而成的經處理氣體，由前述吸附處理容器內向外部排出。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW583177B (en) * | 2000-04-28 | 2004-04-11 | Showa Denko Kk | Method for purification of tetrafluoromethane and use thereof |
| WO2012124726A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 日本ゼオン株式会社 | エッチングガスおよびエッチング方法 |
| WO2015125877A1 (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 旭硝子株式会社 | トリフルオロエチレンを含む流体の精製方法、およびトリフルオロエチレンの製造方法 |
| JP2017047387A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 日新製鋼株式会社 | 硬化膜の製造方法 |
| TW201930648A (zh) * | 2017-11-02 | 2019-08-01 | 日商昭和電工股份有限公司 | 蝕刻方法及半導體之製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU601817B2 (en) * | 1987-03-04 | 1990-09-20 | Union Carbide Canada Limited | Process for the recovery of halogenated hydrocarbons in a gas stream |
| US4820318A (en) * | 1987-12-24 | 1989-04-11 | Allied-Signal Inc. | Removal of organic compounds from gas streams using carbon molecular sieves |
| RU2215730C2 (ru) * | 2000-04-28 | 2003-11-10 | Сова Денко К.К. | Способ очистки тетрафторметана и его применение |
| KR100719371B1 (ko) * | 2005-08-03 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 퍼플루오르화 화합물을 재생하는 흡착 설비 및 방법 |
| JP5132555B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2013-01-30 | 昭和電工株式会社 | 高純度ヘキサフルオロプロピレンの製造方法及びクリーニングガス |
| US8226747B2 (en) * | 2007-09-07 | 2012-07-24 | Kuraray Chemical Co., Ltd. | Adsorbent, process for producing the same, canister and method for using the same |
| WO2009151723A1 (en) * | 2008-03-26 | 2009-12-17 | Matheson Tri-Gas | Purification of fluorine containing gases |
| EP3888785A3 (en) * | 2009-09-01 | 2021-12-29 | Blue-Zone Technologies Ltd. | Systems and methods for gas treatment |
| TWI454303B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-10-01 | China Steel Corp | 組合式除臭模組及其應用 |
| EP3084152B1 (en) * | 2013-12-20 | 2023-05-31 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated olefins as working fluids and methods of using same |
| JP2017047338A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 宇部興産株式会社 | ブロモフルオロアルケン含有ガスの処理方法及びブロモフルオロアルケン含有ガスの処理装置 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW583177B (en) * | 2000-04-28 | 2004-04-11 | Showa Denko Kk | Method for purification of tetrafluoromethane and use thereof |
| WO2012124726A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 日本ゼオン株式会社 | エッチングガスおよびエッチング方法 |
| WO2015125877A1 (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 旭硝子株式会社 | トリフルオロエチレンを含む流体の精製方法、およびトリフルオロエチレンの製造方法 |
| JP2017047387A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 日新製鋼株式会社 | 硬化膜の製造方法 |
| TW201930648A (zh) * | 2017-11-02 | 2019-08-01 | 日商昭和電工股份有限公司 | 蝕刻方法及半導體之製造方法 |
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