TWI771409B - 印刷電路板與具有其之電子部件封裝 - Google Patents

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Abstract

本發明是有關於一種印刷電路板及一種包括所述印刷電路板的電子部件封裝。印刷電路板包括：積層體，由絕緣層及電路層構成；第一阻焊層，積層於所述積層體的一個表面上；凸塊，形成於所述積層體的一個表面上，穿透所述第一阻焊層且電性連接至所述電路層；以及第二阻焊層，積層於所述第一阻焊層上且包括將所述凸塊的一個表面暴露出的開口。

Description

印刷電路板與具有其之電子部件封裝
以下說明是有關於一種印刷電路板及一種包括所述印刷電路板的電子部件封裝。
由於半導體封裝技術的發展，封裝基板已變得非常密集及小型化。因此，層疊式封裝（Package On Package，POP）基板的焊料球間距及高度已減小。中介基板亦用於使用具有小間距及高度的焊料球來實作層疊式封裝基板。 [相關技術]
日本公開專利第2010-029867號闡述光觸媒載體的實例。
本發明的目標是提供一種與封裝基板的結合強度得以提高的印刷電路板及一種包括所述印刷電路板的電子部件封裝。
根據本發明的態樣，提供一種印刷電路板，其包括：積層體（laminate），由絕緣層及電路層構成；第一阻焊層，積層於所述積層體的一個表面上；凸塊，形成於所述積層體的一個表面上，穿透所述第一阻焊層且電性連接至所述電路層；以及第二阻焊層，積層於所述第一阻焊層上且包括將所述凸塊的一個表面暴露出的開口。
根據本發明的另一態樣，提供一種電子部件封裝，包括：印刷電路板，其中安裝有電子部件；以及封裝基板，結合至所述印刷電路板，其中所述印刷電路板包括：積層體，由絕緣層及電路層構成；第一阻焊層，積層於所述積層體的一個表面上；凸塊，形成於所述積層體的一個表面上，穿透所述第一阻焊層且電性連接至所述電路層；以及第二阻焊層，積層於所述第一阻焊層上且包括將所述凸塊的一個表面暴露出的開口。
提供以下詳細說明是為了幫助讀者獲得對本文所述的方法、設備及/或系統的全面理解。然而，本文所述的方法、設備及/或系統的各種變化、修改及等效形式將對此項技術中具有通常知識者顯而易見。本文所述的操作的順序僅為實例，且並非受限於本文所述的順序，而是除了必需按某一次序發生的操作以外，可如將對此項技術中具有通常知識者顯而易見般進行改變。此外，為增加清晰性及簡明性，對此項技術中具有通常知識者眾所習知的功能及構造的說明可被省略。
本文所述的特徵可被實施為諸多不同的形式，而不應被視為僅限於本文所述的實例。更確切而言，提供本文所述的實例是為了使本揭露將透徹及完整，且將向此項技術中具有通常知識者傳達本揭露的全部範圍。
除非另外定義，否則本文所使用的包括技術用語及科學用語在內的所有用語具有與本揭露所屬技術中具有通常知識者對所述用語所通常理解的含義相同的含義。在常用字典中定義的任何用語應被理解為在相關技術的上下文中具有相同的含義，且除非另外明確地定義，否則不應將其解釋為具有理想或過於正式的含義。
無論圖編號如何，相同或對應的部件將被賦予相同的參考編號，且將不再重複對相同或對應的部件進行任何冗餘說明。在本揭露的說明通篇中，當確定闡述某一相關傳統技術來回避本揭露的要點時，將省略相干的詳細說明。在闡述各種部件時可使用例如「第一」及「第二」等用語，但以上部件不應侷限於以上用語。以上用語僅用於區分各個部件。在附圖中，一些部件可被誇大、省略或進行簡要說明，且部件的尺寸未必反映所述部件的實際尺寸。
以下，將參照附圖詳細闡述本揭露的某些實施例。
圖1是示出根據本發明實施例的印刷電路板的剖視圖，且圖2是示出根據本發明實施例的電子部件的剖視圖。
參照圖1，根據本發明實施例的印刷電路板可包括積層體、第一阻焊層、凸塊及第二阻焊層。所述印刷電路板可更包括第三阻焊層。
積層體100由絕緣層110及電路層120構成，且具有一個表面及另一表面。此處，積層體100的所述一個表面與所述另一表面彼此相對且不包括側表面。在本發明中，積層體100的一個表面是上面安裝有電子部件600的表面且面對封裝基板（圖2中的800），並且另一表面是結合至主板的表面。在圖1中，積層體100的上表面是一個表面，且下表面是另一表面。
積層體100的絕緣層110由例如樹脂等絕緣材料形成且是薄板狀的。絕緣層110的樹脂可為例如熱固性樹脂及熱塑性樹脂等各種材料，且更具體而言可為環氧樹脂、聚醯亞胺等。環氧樹脂的實例包括萘型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂、橡膠改性環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、矽系環氧樹脂、氮系環氧樹脂、磷系環氧樹脂等。然而，本發明並非僅限於此。
絕緣層100可為預浸體（prepreg，PPG）或增層膜（build-up film）。在預浸體的情形中，將纖維加強構件（例如玻璃布）包含於樹脂中。在增層膜的情形中，將無機填料（例如二氧化矽（SiO2 ））填充於樹脂中。因此，可使用增層膜、味之素增層膜（ajinomoto build-up film，ABF）等。
然而，增層膜中所包含的無機填料可為二氧化矽（SiC2 ）、硫酸鋇（BaSO4 ）、氧化鋁（Al2 O3 ）或者二或更多者的組合。無機填料可更包括碳酸鈣、碳酸鎂、飛灰、天然二氧化矽、合成二氧化矽、高嶺土、黏土、氧化鈣、氧化鎂、氧化鈦、氧化鋅、氫氧化鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、滑石、雲母、水滑石、矽酸鋁、矽酸鎂、矽酸鈣、焙燒滑石、矽灰石、鈦酸鉀、硫酸鎂、硫酸鈣或磷酸鎂。然而，本發明並非僅限於此。
積層體100可以彼此上下積層的多個絕緣層110而形成。雖然圖1中示出了三個絕緣層110，然而絕緣層110的數目並不受限。
積層體100的電路層120是根據電路設計而被圖案化成傳送電性訊號、被形成為具有預定寬度及厚度且成形的導體。考量到導電性質，電路層120可由例如銅（Cu）、鈀（Pd）、鋁（Al）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、金（Au）、鉑（Pt）或其合金等金屬製成。
電路層120形成於絕緣層110中。若形成多個絕緣層110，則電路層120形成於每一絕緣層110中。電路層120可形成於絕緣層110的一或二個表面上，且可嵌置於絕緣層110的一或二個表面中。圖1示出三層式絕緣層110。在此種情形中，電路層120可為四個層。
電路層120中形成於積層體100的一個表面上的電路層121可被形成為嵌置於絕緣層110中。另外，形成於積層體100的一個表面上的電路層121可包括端子接墊121’。端子接墊121’是其中將安裝電子部件600的區。另一方面，形成於積層體100的另一表面上的電路層122可較積層體100的另一表面更多地突出。
電路層120可包括金屬箔（圖中未示出，參見圖3中的S1）及晶種層（圖中未示出，參見圖3中的S2）。可使用晶種層作為引入線（lead-in wire）而藉由電鍍方法來形成除金屬箔及晶種層之外的其餘電路層120。在此種情形中，電路層120可以金屬箔、晶種層及電鍍層的次序被構成。金屬箔及晶種層可為藉由改良型半加成製程（modified semi-additive process，MSAP）形成電路層120的結果。因此，在本發明中，電路層120的金屬箔及晶種層無需一定始終形成。可根據電路層120的製造方法來決定金屬箔及晶種層的存在或不存在。舉例而言，若電路層120是藉由減成（subtractive）（例如，掩孔法（tenting））或半加成製程（semi-additive process，SAP）技術而形成，則電路層120可僅具有晶種層而不具有金屬箔。
積層體100可更包括通孔130，且通孔130電性連接垂直間隔開的電路層120。亦即，通孔130形成於不同的絕緣層110中或者連接形成於絕緣層110的兩個表面上的電路層120。通孔130亦可由與電路層120相同的金屬製成。通孔130可更包括晶種層。
第一阻焊層200積層於積層體100的一個表面上，以用感光性樹脂覆蓋電路層120，進而防止發生不必要的短路。具體而言，第一阻焊層200覆蓋形成於積層體100的一個表面上的電路層121。當形成於積層體100的一個表面上的電路層121嵌置於絕緣層110中時，第一阻焊層200被形成為接觸積層體100的一個表面及嵌置式電路層121的暴露表面。
第一阻焊層200具有第一腔210，且端子接墊121'藉由第一腔210暴露出。在端子接墊121'的暴露表面上可形成有例如金（Au）或鎳（Ni）等表面處理層。此外，電子部件600被插入至第一腔210中且安裝於端子接墊121’上。
凸塊140穿透第一阻焊層200而形成於積層體100的一個表面上，且因此電性連接至積層體100的電路層120。具體而言，凸塊140可與形成於積層體100的一個表面上的電路層121連接並接觸。凸塊140可較第一阻焊層200更多地突出。如圖1中所示，凸塊40可包括穿透第一阻焊層200的穿透部分及較第一阻焊層200更多地突出的突出部分，其中突出部分可位於穿透部分之上，且穿透部分的橫截面積可小於突出部分的橫截面積。
凸塊140可位於第一腔210之外。舉例而言，第一腔210可位於印刷電路板的中心處，且凸塊140可位於第一腔210的周圍。凸塊140可由與電路層120相同的金屬形成。具體而言，凸塊140可由例如銅（Cu）、鈀（Pd）、鋁（Al）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、金（Au）、鉑（Pt）或其合金等金屬形成。然而，本發明並非僅限於此。凸塊140可包括晶種層S2，且在凸塊140的表面上可形成有例如金（Au）或鎳（Ni）等表面處理層。
第二阻焊層300積層於第一阻焊層200上，且包括將凸塊140的一個表面暴露出的開口320。此處，凸塊140的一個表面可為圖1所示凸塊140的上表面，即與另一封裝基板面對的表面。開口320的橫截面積小於凸塊140的一個表面的橫截面積。第二阻焊層300可覆蓋凸塊140的所述一個表面的邊緣。在凸塊140的暴露的上表面上可形成有稍後將闡述的接合構件700。
第二阻焊層300的厚度可大於第一阻焊層200的厚度。當形成於積層體100的一個表面上的電路層121嵌置於絕緣層110中時，即使以薄厚度覆蓋積層體100的所述一個表面，第一阻焊層200亦可展現出其功能。另一方面，由於第二阻焊層300必須被形成為高於凸塊140（尤其是突出部分），因此第二阻焊層300的厚度大於第一阻焊層200的厚度，但本發明無需僅限於此。
第二阻焊層300包括第二腔310，且第二腔310對應於第一腔210。此處，「對應」意指：當將第一腔210及第二腔310投影於與印刷電路板平行的虛擬平面中時，兩個腔210及310彼此交疊。較佳地，第一腔210的中心線與第二腔310的中心線可實質上重合。電子部件600可被插入至第一腔210及第二腔310中。
第二腔310的橫截面積可大於第一腔210的橫截面積。因此，在剖視圖中，第一阻焊層200藉由第二腔310暴露出。
在除腔210及310之外的區中，可藉由第二阻焊層300來確保印刷電路板的高度。若第二阻焊的高度得到充分保證，則可在層疊式封裝基板中省略中介基板。
第三阻焊層400積層於積層體100的另一表面上，以用感光性樹脂材料覆蓋電路層120，進而防止發生不必要的短路。第三阻焊層400位於第一阻焊層200的相對側上。第三阻焊層400覆蓋形成於積層體100的另一表面上的電路層122。當形成於積層體100的另一表面上的電路層122較積層體100的另一表面更多地突出時，第三阻焊層400被積層成高於突出的電路層122。當形成於積層體100的另一表面上的電路層122較積層體100的另一表面更多地突出且形成於積層體100的一個表面上的電路層121嵌置於絕緣層110中時，第三阻焊層400的厚度可大於第一阻焊層200的厚度。
第三阻焊層400設置有第一開口410，以暴露出形成於積層體100的另一表面上的電路層122的一個表面。此處，電路層122的一個表面是面對主板的表面，且可為圖1所示電路層122的下表面。第一開口410的寬度可小於電路層120的寬度，且第三阻焊層400可覆蓋電路層120的邊緣。在電路層120的暴露的下表面上可形成有用於與主板接合的接合構件（例如焊料）。
參照圖2，根據本發明實施例的電子部件封裝可包括其中安裝有電子部件的印刷電路板，且可更包括結合至印刷電路板的封裝基板800。印刷電路板與封裝基板800可藉由接合構件700結合於一起。此種電子部件封裝可為層疊式封裝。
印刷電路板包括：積層體100，由絕緣層110及電路層120構成；第一阻焊層200，積層於積層體100的一個表面上；凸塊140，穿透第一阻焊層200而形成於積層體100的一個表面上且電性連接至電路層120；以及第二阻焊層300，積層於第一阻焊層上且包括將凸塊的一個表面暴露出的開口。印刷電路板可更包括第三阻焊層400。對此種印刷電路板的說明如參照圖1所述。
電子部件600安裝於印刷電路板上。為方便起見，將安裝於印刷電路板上的電子部件被稱為第一電子部件600，且將安裝於封裝基板800上的電子部件被稱為第二電子部件810。第一電子部件600被插入至第一阻焊層200的第一腔210及第二阻焊層300的第二腔310中。可藉由採用例如焊料等導電構件610將第一電子部件600安裝於積層體100的一個表面上的藉由腔210及310暴露出的端子接墊121'上。除使用導電構件610進行的覆晶方法（flip chip method）以外，亦可藉由打線方法（wire bonding method）將第一電子部件600安裝於印刷電路板上。
第一電子部件600的實例包括例如主動裝置、被動裝置及積體電路（integrated circuit，IC）等各種裝置，且第一電子部件600可例如為半導體晶片。
封裝基板800是上面安裝有第二電子部件810的基板，且被結合至印刷電路板上。具體而言，封裝基板800可被安裝成面對印刷電路板的上面安裝有第一電子部件600的表面。第二電子部件810可安裝於相對的表面上。可藉由覆晶方法或打線方法將第二電子部件810安裝於封裝基板800上。在圖2中，第二電子部件810是藉由打線方法結合至基板，以電性連接至基板。
將印刷電路板與封裝基板800結合的接合構件700將印刷電路板的凸塊140與封裝基板800的連接接墊彼此連接。接合構件700可為焊料球。
接合構件700可接觸第二阻焊層300而不接觸第一阻焊層200。此乃因接合構件700形成於凸塊140上且接合構件700的高度因此高於第一阻焊層200的高度。即使焊料球具有窄間距及低高度，焊料球的位置亦藉由凸塊140及第二阻焊層300而升高，以使得印刷電路板與封裝基板800能夠被穩定地結合。
圖3是示出根據本發明另一實施例的印刷電路板的剖視圖，且圖4是示出根據本發明另一實施例的電子部件的剖視圖。
參照圖3，根據本發明另一實施例的印刷電路板可包括積層體100、第一阻焊層200、凸塊140及第二阻焊層300。印刷電路板可更包括第三阻焊層400、加強構件（reinforcement member）420及第四阻焊層500。
對積層體100、第一阻焊層200、凸塊140、第二阻焊層300及第三阻焊層400的說明被省略，乃因此說明與參照圖1及圖2所述的說明相同。
加強構件420形成於第三阻焊層400上，以對印刷電路板賦予剛性。加強構件420可由例如與電路層120相同的金屬等金屬形成。加強構件420可藉由與形成電路層120的方法相同的方式而形成。加強構件420可包括金屬箔S1及晶種層S2。如上所述，根據形成加強構件420的方法，加強構件420可僅包括晶種層S2。代替所述電路形成方法，可以在加強構件420被圖案化之後經圖案化的加強構件420黏附至第一阻焊層200的方式而形成加強構件420。形成加強構件的方法並非僅限於此。
加強構件420可具有較電路層120大的剛性或模數。剛性意指因外力而出現應變。其可被簡單地視為在給出軸向力（垂直應力）時出現應變。此種剛性相依於彈性模數（modulus of elasticity）或楊氏模數（Young's modulus）。應理解，彈性模數或楊氏模數愈大，剛性即愈大。
加強構件420形成於第三阻焊層400上，但可不形成於第三阻焊層400的區域之上。亦即，加強構件420不覆蓋第三阻焊層400的第一開口410。
第四阻焊層500形成於第三阻焊層400上，且覆蓋加強構件420。因此，加強構件420被第三阻焊層400及第四阻焊層500環繞。亦即，加強構件420接觸第三阻焊層400的表面，且加強構件420的不接觸第三阻焊層400的表面接觸第四阻焊層500。因此，加強構件420不被暴露於外部。
第四阻焊層500包括第二開口510，且第二開口510對應於第一開口410。亦即，第一開口410及第二開口510被形成為彼此交疊。形成於積層體100的另一表面上的電路層122可藉由第一開口410及第二開口510暴露出。
第一開口410的橫截面積可小於第二開口510的橫截面積。因此，第三阻焊層400可藉由第二開口510暴露出。
參照圖4，根據本發明另一實施例的電子部件封裝可包括其中安裝有電子部件的印刷電路板。所述電子部件封裝可更包括封裝基板800。印刷電路板及封裝基板800可藉由接合構件700結合於一起。此種電子部件封裝可為層疊式封裝。
印刷電路板可包括：積層體100，由絕緣層110及電路層120構成；第一阻焊層200，積層於積層體100的一個表面上；凸塊140，形成於積層體100的一個表面上，穿透第一阻焊層200且電性連接至電路層120；以及第二阻焊層300，積層於第一阻焊層200上且包括將凸塊140的一個表面暴露出的開口320。印刷電路板可更包括第三阻焊層400、加強構件420及第四阻焊層500。對此種印刷電路板的說明如參照圖1及圖3所述。
電子部件600安裝於印刷電路板上。為方便起見，將安裝於印刷電路板上的電子部件被稱為第一電子部件600，且將安裝於封裝基板800上的電子部件被稱為第二電子部件810。第一電子部件600被插入至第一阻焊層200的第一腔210及第二阻焊層300的第二腔310中。可藉由採用例如焊料等導電構件610將第一電子部件600安裝於積層體100的一個表面上的藉由腔210及310暴露出的端子接墊121'上。除使用導電構件610進行的覆晶方法以外，亦可藉由打線方法將第一電子部件600安裝於印刷電路板上。
第一電子部件600的實例包括例如主動裝置、被動裝置及積體電路（IC）等各種裝置，且第一電子部件600可例如為半導體晶片。
封裝基板800是上面安裝有第二電子部件810的基板，且被結合至印刷電路板上。具體而言，封裝基板800可被安裝成面對印刷電路板的上面安裝有第一電子部件600的表面。第二電子部件810可安裝於相對的表面上。可藉由覆晶方法或打線方法將第二電子部件810安裝於封裝基板800上。在圖2中，第二電子部件810是藉由打線方法結合至基板，以電性連接至基板。
將印刷電路板與封裝基板800結合的接合構件700將印刷電路板的凸塊140與封裝基板800的連接接墊彼此連接。接合構件700可為焊料球。
接合構件700可接觸第二阻焊層300而不接觸第一阻焊層200。此乃因接合構件700形成於凸塊140上且接合構件700的高度因此高於第一阻焊層200的高度。即使焊料球具有窄間距及低高度，焊料球的位置亦藉由凸塊140及第二阻焊層300而升高，以使得印刷電路板與封裝基板800能夠被穩定地結合。
圖5(a)至圖5(e)及圖6(f)至圖6(i)是示出根據本發明實施例的在製造印刷電路板的方法中所使用的製程的剖視圖。根據圖5(a)至圖5(e)及圖6(f)至圖6(i)，可製造根據圖1所示的印刷電路板。
參照圖5(a)，在載體C上形成積層體100。可藉由將多個絕緣層110依序積層於載體C上來形成積層體100。載體C可包括絕緣材料C0、載體金屬C1及晶種金屬C2。載體金屬C1及晶種金屬C2彼此黏附，在其之間夾置有變形層C3。
如上所述，當使用載體C時，積層體100可被形成為無芯形式。在此種情形中，形成於積層體100的一個表面上的電路層121可嵌置於絕緣層110中。在形成積層體100時，可藉由例如改良型半加成製程、半加成製程及掩孔法等各種方法來形成電路層120。電路層120可包括晶種金屬C2及形成於晶種金屬C2上的電鍍層。
參照圖5(b)，將積層體100與載體C分離。具體而言，基於變形層C3的邊界來將載體金屬C1與晶種金屬C2彼此分離。藉由蝕刻來移除晶種金屬C2。
參照圖5(c)，將阻焊層施加至積層體100的兩個表面。所施加的阻焊層可被預先固化。施加至積層體100的一個表面的阻焊層變為第一阻焊層200，且施加至積層體100的另一表面的阻焊層變為第三阻焊層400。
參照圖5(d)，將感光性乾膜D附著至阻焊層，且將乾膜D圖案化。可藉由曝光製程與顯影製程來將乾膜D圖案化。
參照圖5(e)，移除與藉由將乾膜D圖案化而開口的部分對應的阻焊層。因此，形成具有第一腔210的第一阻焊層200及具有第一開口410的第三阻焊層400。可藉由包括曝光與顯影的微影製程或藉由噴除製程（blast process）來執行對阻焊層的移除。在噴除處理的情形中，可作為後續製程而附隨進行用於移除殘留阻焊劑的化學後處理。
參照圖6(f)，剝除乾膜，並對第一阻焊層200及第三阻焊層400進行後固化。在必要時，可使用紫外光（ultraviolet，UV）來實施進一步固化。
參照圖6(g)，藉由氣相沈積、無電鍍覆等來形成晶種層S2。晶種層S2可由例如銅、鈦、銅等金屬形成。晶種層S2形成於第一阻焊層200上且亦形成於第一腔210中。
參照圖6(h)，形成穿透第一阻焊層200的凸塊140。凸塊140穿透第一阻焊層200，且較第一阻焊層200更多地突出以接觸第一阻焊層200的上表面。當凸塊140被形成時，藉由蝕刻等移除在凸塊140之外的區域中的不必要的晶種層S2。
參照圖6(i)，在第一阻焊層200上形成第二阻焊層300。第二阻焊層300包括與第一腔210對應的第二腔310以及用於將凸塊140的上表面暴露出的開口320。
可藉由以下來形成第二阻焊層300：將阻焊劑塗佈至印刷電路板的整個表面，且然後選擇性地移除與第二腔310及開口320的區域對應的阻焊劑。可藉由例如曝光/顯影或噴除等機械處理來執行對阻焊劑的選擇性移除。在此種情形中，當第一阻焊層200及第二阻焊層300皆為感光性時，第一阻焊層200及第二阻焊層300中的每一者可由不同的材料形成或者可具有與不同的光（例如，不同的波長）發生反應的特性，以使得在藉由曝光/顯影形成第二阻焊層300時，第一阻焊層200不受影響。
圖7(a)至圖7(e)及圖8(f)至圖8(k)是示出根據本發明另一實施例的在製造印刷電路板的方法中所使用的製程的剖視圖。根據圖7(a)至圖7(e)及圖8(f)至圖8(k)，可製造根據圖3所示的印刷電路板。
參照圖7(a)，在載體C上形成積層體100。可藉由將多個絕緣層110依序積層於載體C上來形成積層體100。載體C可包括絕緣材料C0、載體金屬C1及晶種金屬C2。載體金屬C1及晶種金屬C2彼此黏附，在其之間夾置有變形層C3。
如上所述，當使用載體C時，積層體100可被形成為無芯形式。在此種情形中，形成於積層體100的一個表面上的電路層121可嵌置於絕緣層110中。在形成積層體100時，可藉由例如改良型半加成製程、半加成製程及掩孔法等各種方法來形成電路層120。電路層120可包括晶種金屬C2及形成於晶種金屬C2上的電鍍層。
參照圖7(b)，在積層體100上形成第三阻焊層400，在第三阻焊層400中形成第一開口410以暴露出電路層122。
參照圖7(d)，在晶種層S2上形成電鍍層，且可使用經圖案化的鍍覆光阻。晶種層S2及形成於其上的電鍍層變為加強構件420，且藉由蝕刻等移除在加強構件420的區之外的不必要的晶種層S2。
參照圖7(e)，在第三阻焊層400上形成覆蓋加強構件420的第四阻焊層500。因此，加強構件420被第三阻焊層400及第四阻焊層500環繞。
參照圖8(f)，將額外的載體C附著至第四阻焊層500上。參照圖8(g)，將積層體100與現有的載體C分離。具體而言，基於變形層C3的邊界來將載體金屬C1與晶種金屬C2彼此分離。藉由蝕刻來移除晶種金屬C2。額外的載體C有助於對積層體100進行搬運。
參照圖8(h)，形成第一阻焊層200。可藉由施加阻焊劑且然後將其中將形成第一腔210及凸塊140的區形成開口來形成第一阻焊層200。藉由氣相沈積、無電鍍覆等在第一阻焊層200上形成晶種層S2。
參照圖8(i)，形成凸塊140。凸塊140穿透第一阻焊層200，且較第一阻焊層200更多地突出以接觸第一阻焊層200的上表面。當凸塊140被形成時，藉由蝕刻等移除在凸塊140之外的區域中的不必要的晶種層S2。
參照圖8(j)，在第一阻焊層200上形成第二阻焊層300。第二光阻層包括與第一腔210對應的第二腔310以及用於將凸塊140的上表面暴露出的開口320。
可藉由以下來形成第二阻焊層300：將阻焊劑塗佈至印刷電路板的整個表面，且然後選擇性地移除與第二腔310及開口320的區域對應的阻焊劑。可藉由例如曝光/顯影或噴除等機械處理來執行對阻焊劑的選擇性移除。在此種情形中，當第一阻焊層200及第二阻焊層300皆為感光性時，第一阻焊層200及第二阻焊層300中的每一者可由不同的材料形成或者可具有與不同的光（例如，不同的波長）發生反應的特性，以使得在藉由曝光/顯影形成第二阻焊層300時，第一阻焊層200不受影響。
參照圖8(k)，移除額外的載體C。具體而言，基於變形層C3的邊界來將載體金屬C1與晶種金屬C2彼此分離。藉由蝕刻來移除晶種金屬C2。此後，在必要時，可在端子接墊121'的藉由第一腔210及第二腔310暴露出的表面上形成表面處理層。
儘管本揭露包括具體實例，然而對於此項技術中具有通常知識者而言將顯而易見的是，在不背離申請專利範圍及其等效範圍的精神及範圍的條件下，可對所述實例作出各種形式及細節上的變化。本文所述的實例應被視為僅具有說明性意義而非用於限制。每一實例中的特徵或態樣的說明應被視為可適用於其他實例中的相似的特徵或態樣。若所述的技術以不同次序來執行及/或若所述系統、架構、裝置或電路中的部件以不同的方式進行組合及/或被替換為其他部件或其等效形式或者藉由其他部件或其等效形式來補充，則可達成合適的結果。因此，本揭露的範圍並非由詳細說明來界定，而是由申請專利範圍及其等效範圍來界定，且處於申請專利範圍及其等效範圍的範圍內的所有變型應被視為包括在本揭露中。
100‧‧‧積層體110‧‧‧絕緣層120、121、122‧‧‧電路層130‧‧‧通孔140‧‧‧凸塊200‧‧‧第一阻焊層210‧‧‧腔121’‧‧‧端子接墊300‧‧‧第二阻焊層310‧‧‧腔320‧‧‧開口400‧‧‧第三阻焊層410‧‧‧第一開口420‧‧‧加強構件500‧‧‧第四阻焊層510‧‧‧第二開口600‧‧‧電子部件610‧‧‧導電構件700‧‧‧接合構件800‧‧‧封裝基板810‧‧‧第二電子部件C‧‧‧載體C0‧‧‧絕緣材料C1‧‧‧載體金屬C2‧‧‧晶種金屬C3‧‧‧變形層D‧‧‧乾膜S1‧‧‧金屬箔S2‧‧‧晶種層
圖1是示出根據本發明實施例的印刷電路板的剖視圖。
圖2是示出根據本發明實施例的電子部件的剖視圖。
圖3是示出根據本發明另一實施例的印刷電路板的剖視圖。
圖4是示出根據本發明另一實施例的電子部件的剖視圖。
圖5(a)至圖5(e)及圖6(f)至圖6(i)是示出根據本發明實施例的在製造印刷電路板的方法中所使用的製程的剖視圖。
圖7(a)至圖7(e)及圖8(f)至圖8(k)是示出根據本發明另一實施例的在製造印刷電路板的方法中所使用的製程的剖視圖。
在所有圖式中及詳細說明通篇中，相同參考編號指代相同的元件。所述圖式可能未必按比例繪製，且為清晰、說明及方便起見，可誇大圖式中的元件的相對大小、比例及描繪。
100‧‧‧積層體
110‧‧‧絕緣層
120、121、122‧‧‧電路層
130‧‧‧通孔
140‧‧‧凸塊
200‧‧‧第一阻焊層
210‧‧‧腔
121’‧‧‧端子接墊
300‧‧‧第二阻焊層
310‧‧‧腔
320‧‧‧開口
400‧‧‧第三阻焊層
410‧‧‧第一開口

Claims (31)

  1. 一種印刷電路板，包括：積層體，由絕緣層及電路層構成；第一阻焊層，積層於所述積層體的一個表面上；凸塊，形成於所述積層體的一個表面上，穿透所述第一阻焊層且電性連接至所述電路層；第一腔，穿透所述第一阻焊層；第二阻焊層，積層於所述第一阻焊層上且包括將所述凸塊的一個表面暴露出的開口；以及第二腔，穿透所述第二阻焊層且具有比所述第一腔大的橫截面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的印刷電路板，其中形成於所述積層體的一個表面上的所述電路層的一部分藉由所述第一腔及所述第二腔暴露出。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的印刷電路板，其中所述凸塊位於所述第一腔的外部上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的印刷電路板，其中所述第二阻焊層的厚度大於所述第一阻焊層的厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的印刷電路板，其中所述絕緣層形成為多個層，其中所述電路層形成於多個所述絕緣層中的每一者上，且其中所述積層體更包括與所述電路層連接的通孔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的印刷電路板，其中形成於所述絕緣層的一個表面上的所述電路層嵌置於所述絕緣層中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的印刷電路板，更包括積層於所述積層體的另一表面上的第三阻焊層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的印刷電路板，更包括積層於所述第三阻焊層上的第四阻焊層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的印刷電路板，其中在所述第三阻焊層上形成有加強構件。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的印刷電路板，其中所述加強構件被所述第三阻焊層及所述第四阻焊層環繞。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的印刷電路板，其中所述加強構件是由與所述電路層相同的金屬形成。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的印刷電路板，其中在所述第三阻焊層中形成有第一開口以暴露出形成於所述積層體的另一表面中的所述電路層，且在所述第四阻焊層中形成有與所述第一開口對應的第二開口。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的印刷電路板，其中所述第一開口的橫截面積小於所述第二開口的橫截面積。
  14. 如申請專利範圍第7項所述的印刷電路板，其中所述第三阻焊層的厚度大於所述第一阻焊層的厚度。
  15. 一種電子部件封裝，包括：印刷電路板，其中安裝有電子部件；以及 封裝基板，結合至所述印刷電路板，其中所述印刷電路板包括：積層體，由絕緣層及電路層構成；第一阻焊層，積層於所述積層體的一個表面上；第一腔，穿透所述第一阻焊層；凸塊，形成於所述積層體的一個表面上，穿透所述第一阻焊層且電性連接至所述電路層；第二阻焊層，積層於所述第一阻焊層上且包括將所述凸塊的一個表面暴露出的開口；以及第二腔，穿透所述第二阻焊層且具有比所述第一腔大的橫截面積。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的電子部件封裝，其中所述電子部件嵌置於所述第一腔及所述第二腔中。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的電子部件封裝，其中所述電子部件是藉由採用導電構件而被安裝於形成於所述積層體的一個表面上的所述電路層的一部分上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的電子部件封裝，其中所述凸塊位於所述電子部件的外部上。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的電子部件封裝，其中所述第二阻焊層的厚度大於所述第一阻焊層的厚度。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的電子部件封裝，其中所述絕緣層形成為多個層， 其中所述電路層形成於多個所述絕緣層中的每一者上，且其中所述積層體更包括與所述電路層連接的通孔。
  21. 如申請專利範圍第15項所述的電子部件封裝，其中形成於所述絕緣層的一個表面上的所述電路層嵌置於所述絕緣層中。
  22. 如申請專利範圍第15項所述的電子部件封裝，更包括積層於所述積層體的另一表面上的第三阻焊層。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的電子部件封裝，更包括積層於所述第三阻焊層上的第四阻焊層。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的電子部件封裝，其中在所述第三阻焊層上形成有加強構件。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的電子部件封裝，其中所述加強構件被所述第三阻焊層及所述第四阻焊層環繞。
  26. 如申請專利範圍第24項所述的電子部件封裝，其中所述加強構件是由與所述電路層相同的金屬形成。
  27. 如申請專利範圍第23項所述的電子部件封裝，其中在所述第三阻焊層中形成有第一開口以暴露出形成於所述積層體的另一表面中的所述電路層，且在所述第四阻焊層中形成有與所述第一開口對應的第二開口。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的電子部件封裝，其中所述第一開口的橫截面積小於所述第二開口的橫截面積。
  29. 如申請專利範圍第22項所述的電子部件封裝，其中所 述第三阻焊層的厚度大於所述第一阻焊層的厚度。
  30. 如申請專利範圍第15項所述的電子部件封裝，更包括形成於所述凸塊上的接合構件，以在所述印刷電路板與所述封裝基板之間進行接合。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的電子部件封裝，其中所述接合構件被形成為高於所述第一阻焊層以不接觸所述第一阻焊層。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201724192A (zh) * 2015-12-28 2017-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 積體電路結構與其形成方法
US20170213804A1 (en) * 2014-08-08 2017-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5106351B2 (ja) * 2008-10-29 2012-12-26 京セラＳｌｃテクノロジー株式会社 配線基板およびその製造方法
JP5083295B2 (ja) 2009-11-12 2012-11-28 株式会社大林組 光触媒担持体、及び光触媒担持体の製造方法
WO2013054504A1 (ja) * 2011-10-13 2013-04-18 住友ベークライト株式会社 半導体パッケージおよび半導体装置
JP5992676B2 (ja) * 2011-11-25 2016-09-14 京セラ株式会社 配線基板の製造方法
JP2015072984A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 イビデン株式会社 プリント配線板、プリント配線板の製造方法、パッケージ−オン−パッケージ
JP6752553B2 (ja) * 2015-04-28 2020-09-09 新光電気工業株式会社 配線基板
KR102333092B1 (ko) * 2015-07-15 2021-12-01 삼성전기주식회사 회로 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170213804A1 (en) * 2014-08-08 2017-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method of the same
TW201724192A (zh) * 2015-12-28 2017-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 積體電路結構與其形成方法

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