TWI770665B - 感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種感光性樹脂積層體,其於支持膜上積層有包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層,該感光性樹脂組合物包含(A)鹼溶性高分子10~90質量%、(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物5~70質量%及(C)光聚合起始劑0.01~20質量%,且上述(A)鹼溶性高分子包含含有具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯作為共聚成分之共聚物,作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物,相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量含有丙烯酸酯單體51~100質量%,設定上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚T(μm)、對於波長365 nm下之吸光度A,滿足0<A/T≦0.007所表示之關係,且上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為40 μm以上600 μm以下。

Description

感光性樹脂組合物及感光性樹脂積層體
本發明係關於一種感光性樹脂組合物、以及使用其之感光性樹脂積層體、及抗蝕圖案或半導體凸塊形成方法等。
先前,印刷配線板之製造、金屬之精密加工等係藉由光微影法製造。光微影法所使用之感光性樹脂組合物分類為將未曝光部溶解去除之負型組合物、及將曝光部溶解去除之正型組合物。
於光微影法中,於將感光性樹脂組合物塗佈於基材上時,使用以下任一方法: (1)將光阻劑溶液塗佈於基材並使其乾燥之方法;以及 (2)使用將支持體及包含感光性樹脂組合物之層(以下亦稱為「感光性樹脂層」)、以及視需要之保護層依次積層而得之感光性樹脂積層體,將感光性樹脂層積層於基材之方法。 於製造印刷配線板時,多數情況下使用後者之方法。
關於使用上述感光性樹脂積層體而形成圖案之方法,以下簡單進行敍述。首先,自感光性樹脂積層體剝離保護層。繼而,使用貼合機,於銅箔積層板、銅濺鍍薄膜等基材上,以該基材、感光性樹脂層及支持體之順序,積層感光性樹脂層及支持體。繼而,經由具有所需之配線圖案之光罩,將感光性樹脂層進行曝光。繼而,自曝光後之積層體剝離支持體,然後利用顯影液將非圖案部溶解或分散去除,藉此,於基材上形成抗蝕圖案。
進而,將具備抗蝕圖案之基板供於銅鍍覆、焊劑鍍覆等鍍覆處理,藉此可形成用於半導體等之凸塊。
為了形成抗蝕圖案或半導體凸塊而研究各種感光性樹脂組合物。例如,於專利文獻1~5中,記述有含有特定之鹼溶性高分子、單體及光聚合性起始劑之感光性樹脂組合物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018/164217號 [專利文獻2]日本專利特開平5-341532號公報 [專利文獻3]日本專利特開平5-241340號公報 [專利文獻4]日本專利特開平3-200804號公報 [專利文獻5]國際公開第2015/178462號
[發明所欲解決之問題]
為了應對近年來之配線之微細化及高密度化,而嚴格要求蝕刻後之導體線(例如銅線)之加工線寬等。又,報告有根據剝離液之種類而硬化抗蝕圖案溶解之現象(以下亦稱為「剝離片溶解」)、於鍍覆處理後鍍覆潛入至剝離了硬化抗蝕圖案之基材之接線柱底部之現象(以下亦稱為「鍍覆潛沉」)等。
然而,專利文獻1~5中所記載之感光性樹脂組合物未著眼於剝離片溶解及鍍覆潛沉,或關於剝離片溶解及鍍覆潛沉有改良之餘地。
因此,本發明之目的在於提供一種能夠改良剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之感光性樹脂組合物、以及使用其之感光性樹脂積層體、及抗蝕圖案或半導體凸塊形成方法。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人進行銳意研究並反覆進行實驗,發現藉由以下之技術方法,能夠解決上述課題,從而完成本發明。本發明例示以下之實施態樣。 (1) 一種感光性樹脂積層體,其係於支持膜上積層有包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層者,該感光性樹脂組合物包含: (A)鹼溶性高分子:10質量%~90質量%、 (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物:5質量%~70質量%、及 (C)光聚合起始劑:0.01質量%~20質量%,且 上述(A)鹼溶性高分子包含含有具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯作為共聚成分之共聚物, 作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物,相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量含有丙烯酸酯單體51質量%~100質量%, 於設定上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚T[μm]、對於波長365 nm下之吸光度A時,滿足下式(I): 0<A/T≦0.007        式(I) 所表示之關係,且 上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為40 μm以上600 μm以下。 (2) 如項目(1)所記載之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼溶性高分子包含含有丙烯酸2-乙基己酯作為共聚成分之共聚物。 (3) 如項目(1)或(2)所記載之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼溶性高分子包含含有(甲基)丙烯酸苄酯作為共聚成分之共聚物。 (4) 如項目(1)至(3)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼溶性高分子進而含有上述具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯以外之(甲基)丙烯酸酯、及/或乙烯基化合物作為共聚成分,且 上述(A)鹼溶性高分子含有上述具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯6.0質量%~30質量%作為共聚成分。 (5) 如項目(1)至(4)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其含有具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物。 (6) 如項目(5)所記載之感光性樹脂積層體,其包含於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。 (7) 如項目(5)或(6)所記載之感光性樹脂積層體,其相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物1質量%以上作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。 (8) 如項目(5)至(7)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物10質量%以上作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。 (9) 如項目(5)至(8)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物80質量%以上作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。 (10) 如項目(1)至(9)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其中於含有具有芳香環之化合物作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之情形時,該具有芳香環之化合物由下述式(VII)表示: [化1]
Figure 02_image001
{式中,Y分別獨立地表示碳數2~10之伸烷基,R1 及R2 分別獨立地表示甲基或氫原子,n1 及n2 分別獨立地表示1~100之整數}。 (11) 如項目(1)至(10)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其含有咪唑化合物作為上述(C)光聚合起始劑。 (12) 如項目(1)至(11)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其含有2,4,5-三芳基咪唑二聚物作為上述(C)光聚合起始劑。 (13) 如項目(1)至(12)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其中於設定上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚T[μm]、對於波長365 nm下之吸光度A時,滿足下式(II): 0<A/T≦0.005        式(II) 所表示之關係。 (14) 如項目(1)至(13)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其中上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為超過50 μm且400 μm以下。 (15) 如項目(1)至(14)中任一項所記載之感光性樹脂積層體,其係乾膜抗蝕劑。 (16) 一種抗蝕圖案之形成方法,其包括: 將如項目(1)至(15)中任一項所記載之感光性樹脂積層體層壓於基材之步驟; 對該經層壓之感光性樹脂積層體進行曝光之步驟;及 使該經曝光之感光性樹脂積層體顯影之步驟。 (17) 一種半導體凸塊之形成方法,其包括: 將如項目(1)至(15)中任一項所記載之感光性樹脂積層體層壓於濺鍍銅薄膜上之步驟; 對該經層壓之感光性樹脂積層體進行曝光之步驟; 使該經曝光之感光性樹脂積層體顯影之步驟;及 對該顯影後之濺鍍銅薄膜進行銅鍍覆或焊劑鍍覆之步驟。 [發明之效果]
根據本發明,能夠改良抗蝕圖案之剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質。
以下對用於實施本發明之形態(以下簡記為「實施方式」)詳細地進行說明。本發明並不限定於以下之實施方式,可於其主旨之範圍內進行各種變化而實施。
<感光性樹脂組合物> 一個實施方式提供一種感光性樹脂組合物,其包含: (A)鹼溶性高分子:10質量%~90質量%、 (B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物:5質量%~70質量%、及 (C)光聚合起始劑:0.01質量%~20質量%,且 該(A)鹼溶性高分子包含含有具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯作為共聚成分之共聚物, 作為該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物,相對於該(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量含有丙烯酸酯單體51質量%~100質量%。
理解本發明之感光性樹脂組合物藉由以特定比率使用(A)~(C)之各成分,例如藉由如以下所例示之方法(並不限定於該等),可實現抗蝕圖案之剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之改良。又,本實施方式之感光性樹脂組合物中,根據需要,除(A)~(C)成分以外,亦可包含(A)成分以外之高分子、(B)成分以外之單體、(C)成分以外之起始劑、染料、密接助劑、塑化劑等。以下,對本實施方式之感光性樹脂組合物中所含有之各成分依序進行說明。
<(A)鹼溶性高分子> 本實施方式中之(A)鹼溶性高分子係可溶解於鹼性水溶液之高分子,例如可為含有羧基之乙烯基系高分子。於本實施方式中,(A)鹼溶性高分子包含含有具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯(A1)作為共聚成分之共聚物,較佳為相對於(A)鹼溶性高分子之質量包含(甲基)丙烯酸酯(A1)6.0~30質量%作為共聚成分之共聚物,更佳為包含(甲基)丙烯酸酯(A1)、及(甲基)丙烯酸酯(A1)以外之(甲基)丙烯酸酯(A2)及/或乙烯基化合物(A3)作為共聚成分之共聚物。(A)鹼溶性高分子例如可為除具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯(A1)以外,包含選自(甲基)丙烯酸、具有碳數2以下及/或13以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族基之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺等中之單體作為共聚成分之共聚物。
(A)鹼溶性高分子較佳為含有羧基,且酸當量為100~600。所謂酸當量,係指其中具有1當量之羧基之鹼溶性高分子的克單位之質量。就提高耐顯影性、解像度、及密接性之觀點而言,較佳為將酸當量設為100以上,另一方面,就提高顯影性及剝離性之觀點而言,較佳為將酸當量設為600以下。酸當量之測定可使用滴定裝置(例如平沼產業(股)製造之平沼自動滴定裝置(COM-555)),藉由使用0.1 mol/L氫氧化鈉水溶液之電位差滴定法而進行。(A)鹼溶性高分子之酸當量更佳為250~450,進而較佳為300~440。
(A)鹼溶性高分子之重量平均分子量較佳為5,000以上500,000以下。就顯影凝集物之性狀之觀點、以及感光性樹脂積層體之邊緣熔融性、切屑(cut chip)性等未曝光膜之性狀之觀點而言,較佳為將重量平均分子量設為5,000以上,另一方面,就提高於顯影液中之溶解性之觀點而言,較佳為將重量平均分子量設為500,000以下。所謂邊緣熔融性,係抑制將感光性樹脂積層體捲取為輥狀之情形時感光性樹脂組合物層自輥之端面溢出之現象的性質。所謂切屑性,係抑制將未曝光膜利用切割機切斷之情形時碎片飛濺之現象的性質。若切屑性較差,則會產生如下等不良情況:飛散之碎片例如附著於感光性樹脂積層體之上表面等,該碎片於後續之曝光步驟中轉印至遮罩而成為不良之原因。(A)鹼溶性高分子之重量平均分子量更佳為5,000以上300,000以下,進而較佳為10,000以上200,000以下,進而更佳為25,000以上120,000以下。
就改良剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之觀點而言,作為(A)鹼溶性高分子之共聚成分之(甲基)丙烯酸酯之烷基的碳數,較佳為4以上12以下,更佳為5以上12以下。
作為(A)鹼溶性高分子之共聚成分之(甲基)丙烯酸酯可具有直鏈狀或支鏈狀C3 12 烷基作為碳數3~12之烷基,例如可具有丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。其中,就顯影時間及抗蝕圖案之下緣之有無、形狀、長度之觀點而言,較佳為碳數4~10之烷基,更佳為碳數5~10之烷基,進而較佳為碳數6~8之烷基,進而更佳為2-乙基己基。於作為(A)鹼溶性高分子之共聚成分之(甲基)丙烯酸酯之烷基之碳數處於上述範圍之情形時,有如下傾向:由於感光性樹脂層之自由體積變大,故而顯影液相對而言容易滲透,且容易膨潤,因此顯影時間變短。藉由合成時所使用之一部分單體中使用具有2-乙基己基之(甲基)丙烯酸酯化合物、例如(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等,可將2-乙基己基導入至(A)鹼溶性高分子,獲得含有丙烯酸2-乙基己酯作為共聚成分之共聚物。
(A)鹼溶性高分子較佳為具有芳香族烴基。 藉由(A)鹼溶性高分子具有芳香族烴基,有如下傾向:解像性及密接性提高,進而剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質得到改良。藉由合成時所使用之一部分單體中使用芳香族乙烯基化合物、具有苄基之(甲基)丙烯酸酯化合物、例如(甲基)丙烯酸苄酯等,可將芳香族烴基導入至(A)鹼溶性高分子,獲得含有(甲基)丙烯酸苄酯作為共聚成分之共聚物。
又,(A)鹼溶性高分子亦可藉由自下述2種單體中,使各自1種或2種以上之單體共聚而獲得。 第一單體為分子中具有一個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐。例如可列舉:(甲基)丙烯酸、反丁烯二酸、肉桂酸、丁烯酸、伊康酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸半酯等。尤佳為(甲基)丙烯酸。此處,(甲基)丙烯酸意指丙烯酸或甲基丙烯酸。
(A)鹼溶性高分子中之第一單體之共聚比率可根據該鹼溶性高分子中之所需之酸當量之值而容易地計算。(A)鹼溶性高分子中之第一單體之共聚比率以全部單體成分之合計質量為基準,較佳為10~50質量%。就表現出良好之顯影性之觀點、控制邊緣熔融性等觀點而言,較佳為將該共聚比率設為10質量%以上。就提高解像性之觀點、抑制抗蝕劑下緣之產生之觀點等而言,較佳為將該共聚比率設為50質量%以下。就該等觀點而言,第一單體之共聚比率更佳為20~40質量%,進而較佳為20~30質量%。
第二單體為非酸性且分子中具有至少一個聚合性不飽和基之單體。作為第二單體,可使用上述所說明之具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯化合物、例如(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等,或者可使用上述所說明之具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯化合物、例如(甲基)丙烯酸苄酯等。
進而,作為第二單體,可使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、乙烯醇之酯類;乙酸乙烯酯;(甲基)丙烯腈;芳香族乙烯基化合物等。
作為芳香族乙烯基化合物,例如可列舉:苯乙烯及苯乙烯衍生物。作為苯乙烯衍生物,例如可列舉:氧化苯乙烯、羥基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、烷基苯乙烯、鹵代烷基苯乙烯等。
於本實施方式中,於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之(A)鹼溶性高分子之調配量處於10~90質量%之範圍內,較佳為處於40~80質量%之範圍內,更佳為處於50~70質量%之範圍內。就鹼性顯影性之觀點而言,有利的是將該調配量設為10質量%以上,另一方面,就控制顯影時間之觀點而言,有利的是將該調配量設為90質量%以下。
<(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物> 於本實施方式中,感光性樹脂組合物相對於(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有丙烯酸酯單體51質量%~100質量%作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物。
(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物若其51~100質量%為丙烯酸酯單體,則與其51~100質量%為甲基丙烯酸酯單體之情形相比,有改良抗蝕圖案之剝離片溶解有關之性質之傾向。就除剝離片溶解性以外,提高耐鍍覆性之觀點而言,丙烯酸酯單體之含量相對於(B)化合物總量,較佳為55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上、85質量%以上、或90質量%以上,更佳為91質量%以上。
本實施方式之感光性樹脂組合物較佳為包含具有3官能以上之丙烯酸酯基(即,一分子中具有3個以上之丙烯醯基)之化合物作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物。於感光性樹脂組合物包含具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物作為(B)化合物之情形時,有改良抗蝕圖案之剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之傾向,更佳為將具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物與上述所說明之包含(甲基)丙烯酸酯(A1)及(甲基)丙烯酸酯(A2)及/或乙烯基化合物(A3)作為共聚成分之(A)鹼溶性高分子併用。
若(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之1質量%以上包含具有3官能以上之丙烯酸酯基(一分子中具有3個以上之丙烯醯基)之化合物,則與其超過0質量%且未達1質量%包含一分子中具有3個以上之丙烯醯基之化合物之情形及不包含一分子中具有3個以上之丙烯醯基之化合物之情形相比,有進一步改良抗蝕圖案之剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之傾向。就此種觀點而言,相對於(B)化合物總量,具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物之含量較佳為2質量%以上、3質量%以上、4質量%以上、5質量%以上、6質量%以上、7質量%以上、8質量%以上、9質量%以上、或10質量%以上,更佳為20質量%以上、40質量%以上、60質量%以上、或80質量%以上,而且可為100質量%、或100質量%以下。
作為上述所說明之具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物,就剝離片溶解性及耐鍍覆性之觀點而言,較佳為於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物。
於感光性樹脂組合物包含於三羥甲基丙烷骨架中具有丙烯酸酯基之化合物之情形時,較佳為包含下述通式(III)所表示之化合物作為具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物: [化2]
Figure 02_image003
{式中,n1 、n2 及n3 各自獨立地為1~25之整數,其中,n1 +n2 +n3 為3~75之整數, R1 、R2 及R3 各自獨立地為氫原子}。
通式(V)中,n1 +n2 +n3 之值較佳為3以上50以下。就抑制抗蝕劑下緣之產生之觀點、對硬化膜賦予柔軟性之觀點、及提高膜強度之觀點而言,較佳為將n1 +n2 +n3 設為3以上,另一方面,就獲得較高之解像性及密接性、良好之剝離特性之觀點而言,較佳為將n1 +n2 +n3 設為50以下。n1 +n2 +n3 之更佳之範圍為6以上40以下,進而較佳之範圍為9以上30以下。
作為上述通式(III)所表示之化合物之具體例,可列舉: 於三羥甲基丙烷之羥基之末端加成有平均3莫耳之環氧乙烷之三丙烯酸酯、 於三羥甲基丙烷之羥基之末端加成有平均9莫耳之環氧乙烷之三丙烯酸酯、 於三羥甲基丙烷之羥基之末端加成有平均15莫耳之環氧乙烷之三丙烯酸酯、 於三羥甲基丙烷之羥基之末端加成有平均30莫耳之環氧乙烷之三丙烯酸酯等。
於感光性樹脂組合物包含於季戊四醇骨架中具有丙烯酸酯基之化合物之情形時,較佳為包含下述通式(IV)所表示之化合物作為具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物: [化3]
Figure 02_image005
{式中,n1 、n2 、n3 及n4 各自獨立地表示1~25之整數,n1 +n2 +n3 +n4 為4~100之整數, R1 、R2 、R3 及R4 各自獨立地表示氫原子, R5 、R6 、R7 及R8 各自獨立地表示伸烷基,於R5 、R6 、R7 及R8 各自存在複數個之情形時,該複數個R5 、R6 、R7 及R8 相互可相同,亦可不同}。
通式(IV)中,n1 +n2 +n3 +n4 較佳為9以上60以下。就抑制抗蝕劑下緣之產生之觀點、提高膜強度之觀點、及對硬化膜賦予柔軟性之觀點而言,較佳為將n1 +n2 +n3 +n4 設為9以上,另一方面,就提高解像性及密接性、獲得良好之剝離特性之觀點、以及控制邊緣熔融性之觀點而言,較佳為將n1 +n2 +n3 +n4 設為60以下。進而,n1 +n2 +n3 +n4 之更佳之範圍為16以上60以下。
作為通式(IV)中之R5 、R6 、R7 及R8 ,可各自為1,2-伸乙基、1,2-伸丙基、伸丁基等,就對硬化膜賦予柔軟性之觀點、提高膜強度之觀點、抑制顯影凝集性之觀點、及提高乙烯性不飽和雙鍵之反應性之觀點而言,較佳為1,2-伸乙基。因此,作為通式(IV)所表示之化合物,較佳為下述通式(V)所表示之化合物: [化4]
Figure 02_image007
{式中,n1 、n2 、n3 及n4 各自獨立地為1~25之整數,其中,n1 +n2 +n3 +n4 為4~100之整數, R1 、R2 、R3 及R4 各自獨立地為氫原子}。n1 +n2 +n3 +n4 之較佳之範圍與上述相同。
作為上述通式(IV)所表示之化合物之具體例,例如可列舉: 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均4莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯、 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均9莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯、 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均12莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯、 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均15莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯、 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均20莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯、 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均28莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯、 於季戊四醇之羥基之末端加成有平均35莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯等。
於感光性樹脂組合物包含於二季戊四醇骨架中具有丙烯酸酯基之化合物之情形時,較佳為包含下述通式(VI)所表示之六丙烯酸酯化合物作為具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物: [化5]
Figure 02_image009
{式中,R分別獨立地表示氫原子,且n為0~30之整數}。
於通式(VI)中,由於n為0~30之整數,因此環氧乙烷部分存在與否均可。
作為通式(VI)所表示之六丙烯酸酯化合物之較佳之具體例,可列舉:二季戊四醇六丙烯酸酯、於二季戊四醇之6個末端加成有合計1~36莫耳之環氧乙烷之六丙烯酸酯、及於二季戊四醇之6個末端加成有合計1~10莫耳之ε-己內酯之六丙烯酸酯。
本實施方式之化合物相對於(B)化合物總量,包含上述所說明之於三羥甲基丙烷、季戊四醇或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物較佳為1質量%以上、更佳為10質量%以上、進而較佳為20質量%以上、40質量%以上或60質量%以上、尤佳為80質量%以上。若於三羥甲基丙烷、季戊四醇或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物之含量相對於(B)化合物總量為1質量%以上,則有抗蝕圖案之剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質進一步改良之傾向。於三羥甲基丙烷、季戊四醇或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物之含量之上限例如相對於(B)化合物總量,可為100質量%以下、或未達100質量%。
就進一步提高抗蝕圖案之剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之觀點而言,(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物較佳為具有芳香環。就耐鍍覆性之觀點而言,作為成分(B)之具有芳香環及乙烯性不飽和雙鍵之化合物較佳為於經環氧烷改性之雙酚A之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物,就進一步提高剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之觀點而言,更佳為下述式(VII)所表示者: [化6]
Figure 02_image011
{式中,Y分別獨立地表示碳數2~10之伸烷基,R1 及R2 分別獨立地表示甲基或氫原子,n1 及n2 分別獨立地表示1~100之整數}。
於式(VII)中,Y較佳為分別獨立地為碳數2~4之伸烷基,(Y-O)部分亦可為碳數不同之環氧烷重複單元之無規、交替或嵌段排列。R1 及R2 分別獨立地表示甲基或氫原子,而且就進一步提高剝離片溶解及鍍覆潛沉有關之性質之觀點而言,較佳為R1 及R2 之一者或兩者為甲基。n1 及n2 較佳為分別獨立地表示1~100之整數,而且2≦n1 +n2 ≦200。
式(VII)所表示之化合物可包含於雙酚A之兩端加成有環氧烷之乙二醇之二(甲基)丙烯酸酯化合物。此種二(甲基)丙烯酸酯化合物較佳為二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯化合物,較佳為二甲基丙烯酸酯化合物。作為二甲基丙烯酸酯化合物之具體例,例如可列舉: 於雙酚A之兩端分別加成有平均1莫耳之環氧乙烷之乙二醇之二甲基丙烯酸酯、 於雙酚A之兩端分別加成有平均2莫耳之環氧乙烷之乙二醇之二甲基丙烯酸酯、 於雙酚A之兩端分別加成有平均5莫耳之環氧乙烷之乙二醇之二甲基丙烯酸酯、 於雙酚A之兩端分別加成有平均6莫耳之環氧乙烷及平均2莫耳之環氧丙烷之伸烷基二醇之二甲基丙烯酸酯、 於雙酚A之兩端加成有平均15莫耳之環氧乙烷及平均2莫耳之環氧丙烷之伸烷基二醇之二甲基丙烯酸酯等。
於一個實施方式中,感光性樹脂組合物可使用上述所說明之化合物作為(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物,或者除該等以外,亦可進而包含其他(B)化合物。作為其他(B)化合物,可使用可光聚合之乙烯性不飽和化合物。作為此種可光聚合之乙烯性不飽和化合物,例如可例示具有1個乙烯性雙鍵之化合物、具有2個乙烯性不飽和雙鍵之化合物、及具有3個以上之乙烯性不飽和雙鍵之化合物。
作為上述具有1個乙烯性雙鍵之化合物,例如可列舉: 於聚環氧烷之一個末端加成有(甲基)丙烯酸之化合物; 於聚環氧烷之一個末端加成(甲基)丙烯酸、將另一個末端烷基醚化或烯丙醚化而成之化合物等。
作為分子內具有2個乙烯性不飽和雙鍵之化合物,例如可列舉: 於環氧烷鏈之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物; 於無規、交替、或嵌段鍵結有環氧乙烷單元及環氧丙烷單元之環氧烷鏈之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物等。 作為上述環氧烷改性,例如可列舉:環氧乙烷改性、環氧丙烷改性、環氧丁烷改性、環氧戊烷改性、環氧己烷改性等。更佳為於經環氧乙烷改性之雙酚A之兩末端具有(甲基)丙烯醯基之化合物。該等之中,就耐鍍覆性之觀點而言,較佳為上述所說明之於雙酚A之兩端加成有環氧乙烷之乙二醇之二丙烯酸酯化合物。
分子內具有3個以上之乙烯性不飽和雙鍵之化合物例如可藉由如下方式而獲得: 使用分子內具有3莫耳以上之可加成環氧烷基之基之化合物作為中心骨架,對該化合物加成伸乙氧基、伸丙氧基、伸丁氧基等伸烷氧基而獲得醇,使該醇成為(甲基)丙烯酸酯。於該情形時,關於作為其他(B)化合物之分子內具有3個以上之乙烯性不飽和雙鍵之化合物,作為可成為中心骨架之化合物,例如可列舉甘油、具有異氰尿酸酯環之化合物等。其中,作為亦可經環氧烷改性之3官能甘油(甲基)丙烯酸酯,較佳為下述式(VIII)所表示之化合物: [化7]
Figure 02_image013
{式中,Y分別獨立地表示碳數2~10之伸烷基,R分別獨立地表示甲基或氫原子,n分別獨立地表示0~200之整數}。 於式(VIII)中,n分別獨立地為0~200之整數,較佳為至少1個n為1~200之整數,更佳為3個n為1~200之整數。又,-(Y-O)n -部分可為單個環氧烷重複單元,或者亦可以無規、嵌段、交替等排列包含碳數相互不同之複數個環氧烷單元。
其他(B)化合物可單獨使用,亦可併用2種以上。
於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之調配量為5~70質量%。將該調配量設為5質量%以上係基於提高感度、解像性及密接性之觀點,另一方面,將該調配量設為70質量%以下係基於抑制邊緣熔融之觀點、及抑制硬化抗蝕劑之剝離延遲之觀點。該調配量較佳為10~50質量%,更佳為20~45質量%。
<(C)光聚合起始劑> 於本實施方式中,感光性樹脂組合物較佳為含有咪唑化合物作為(C)光聚合起始劑。感光性樹脂組合物中所包含之咪唑化合物對於抗蝕圖案有耐鍍覆性或抑制抗蝕劑下緣之產生之傾向。
作為咪唑化合物,例如可列舉: 具有脂肪族基之咪唑類,例如甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-異丁基-2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、乙基咪唑、異丙基咪唑、2,4-二甲基咪唑、十一烷基咪唑、十七烷基咪唑等;及 具有芳香族基之咪唑類,例如1-苄基-2-甲基咪唑、苯基咪唑(2-苯基咪唑等)、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、三芳基咪唑、或該等之二聚物等。 其中,就耐鍍覆性及抑制抗蝕劑下緣之產生之觀點而言,較佳為具有芳香族基之咪唑類,更佳為三芳基咪唑(例如咯吩等)或其二聚物,進而較佳為三芳基咪唑二聚物。
作為三芳基咪唑二聚物,例如可列舉:2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等2,4,5-三芳基咪唑二聚物。
(C)光聚合起始劑中之咪唑化合物之含量較佳為相對於(C)光聚合起始劑總量,為99質量%以上100質量%以下。就良好之感度、較高之解像性、及顯影液中之凝集產生之抑制之觀點而言,較佳為將該含量相對於(C)光聚合起始劑總量調整為99~100質量%。就該等觀點而言,咪唑化合物可構成(C)光聚合起始劑之100質量%。
於本實施方式中,感光性樹脂組合物根據需要,除咪唑化合物以外,亦可含有可用作感光性樹脂之光聚合起始劑之各種物質。作為咪唑化合物以外之光聚合起始劑,例如可使用芳香族酮類、吖啶系化合物、及/或N-芳基-α-胺基酸化合物。
就提高感度之觀點而言,較佳為芳香族酮類。作為芳香族酮類,例如可列舉:二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二甲胺基二苯甲酮(米其勒酮)、N,N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲胺基二苯甲酮、4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙酮-1等。其中,較佳為4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮。
就表現出較高之感度之觀點、及兼具高感度及抗蝕劑下緣之產生之抑制之觀點而言,較佳為吖啶系化合物。作為吖啶系化合物,例如可列舉:1,7-雙(9,9'-吖啶基)庚烷、9-苯基吖啶、9-甲基吖啶、9-乙基吖啶、9-氯乙基吖啶、9-甲氧基吖啶、9-乙氧基吖啶、9-(4-甲基苯基)吖啶、9-(4-乙基苯基)吖啶、9-(4-正丙基苯基)吖啶、9-(4-正丁基苯基)吖啶、9-(4-第三丁基苯基)吖啶、9-(4-甲氧基苯基)吖啶、9-(4-乙氧基苯基)吖啶、9-(4-乙醯基苯基)吖啶、9-(4-二甲胺基苯基)吖啶、9-(4-氯苯基)吖啶、9-(4-溴苯基)吖啶、9-(3-甲基苯基)吖啶、9-(3-第三丁基苯基)吖啶、9-(3-乙醯基苯基)吖啶、9-(3-二甲胺基苯基)吖啶、9-(3-二乙胺基苯基)吖啶、9-(3-氯苯基)吖啶、9-(3-溴苯基)吖啶、9-(2-吡啶基)吖啶、9-(3-吡啶基)吖啶、及9-(4-吡啶基)吖啶。該等之中,就感度、解像性、獲取性等方面而言,較佳為1,7-雙(9,9'-吖啶基)庚烷或9-苯基吖啶。
就提高感度之觀點而言,較佳為N-芳基-α-胺基酸化合物。作為N-芳基-α-胺基酸化合物,例如可列舉:N-苯基甘胺酸、N-甲基-N-苯基甘胺酸、N-乙基-N-苯基甘胺酸等。
又,作為咪唑化合物以外之光聚合起始劑之另一例,例如可列舉: 2-乙基蒽醌、菲醌、2-第三丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等醌類; 安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚化合物; 苯偶醯甲基縮酮等苯偶醯衍生物; 香豆素系化合物; 1-苯基-3-(4-第三丁基-苯乙烯基)-5-(4-第三丁基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-聯苯)-5-(4-第三丁基-苯基)-吡唑啉、1-苯基-3-(4-聯苯)-5-(4-第三辛基-苯基)-吡唑啉等吡唑啉衍生物等。
(C)光聚合起始劑可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之(C)光聚合起始劑之調配量為0.01~20質量%。將該調配量設為0.01質量%以上係基於顯影後獲得具有充分之殘膜率之曝光圖案之觀點,另一方面,將該調配量設為20質量%以下係基於使光充分透過直至抗蝕劑底面而獲得較高之解像性之觀點、抑制顯影液中之顯影凝集性之觀點。該調配量之較佳之範圍為0.3~10質量%,更佳之範圍為1~5質量%。
<隱色染料、熒烷染料、著色物質> 本發明之感光性樹脂組合物亦可含有選自隱色染料、熒烷染料、及著色物質中之1種以上。藉由感光性樹脂組合物含有該等成分,曝光部分顯色。因此,就視認性之方面而言較佳。進而,於以下方面亦有利:於檢查機等讀取用於曝光之對準標記之情形時,曝光部與未曝光部之對比度變大而容易識別。
作為隱色染料,可列舉:三(4-二甲胺基苯基)甲烷[隱色結晶紫]、雙(4-二甲胺基苯基)苯基甲烷[隱色孔雀綠]等。尤其是就對比度變得良好之觀點而言,較佳為使用隱色結晶紫作為隱色染料。
作為熒烷染料,例如可列舉:2-(二苄基胺基)熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-二乙胺基熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-二丁基胺基熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-N-乙基-N-異戊基胺基熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-N-甲基-N-環己基胺基熒烷、2-苯胺基-3-氯-6-二乙胺基熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-N-乙基-N-異丁基胺基熒烷、2-苯胺基-6-二丁基胺基熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-N-乙基-N-四氫呋喃甲基胺基熒烷、2-苯胺基-3-甲基-6-哌啶基胺基熒烷、2-(鄰氯苯胺基)-6-二乙胺基熒烷、2-(3,4-二氯苯胺基)-6-二乙胺基熒烷等。
於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之隱色染料或熒烷染料之含量較佳為0.1~10質量%。就提高曝光部分與未曝光部分之對比度之觀點而言,較佳為將該含量設為0.1質量%以上。該含量更佳為0.2質量%以上,進而較佳為0.3質量%以上。另一方面,就維持感光性樹脂組合物之保存穩定性之觀點、抑制顯影時之凝集物之產生之觀點而言,較佳為將該含量設為10質量%以下。該含量更佳為5質量%以下,進而較佳為1質量%以下。
作為著色物質,例如可列舉:品紅、酞菁綠、金黃胺鹼、對品紅、結晶紫、甲基橙、尼羅藍2B、孔雀綠(保土谷化學(股)製造,Aizen(註冊商標) MALACHITE GREEN)、鹼性藍7(例如Aizen(註冊商標) 維多利亞純藍BOH conc.等)、鹼性藍20、鑽石綠(保土谷化學(股)製造,Aizen(註冊商標) DIAMOND GREEN GH)等。 於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之著色物質之含量較佳為0.001質量%~1質量%。就提高操作性之觀點而言,較佳為將該含量設為0.001質量%以上,另一方面,就維持保存穩定性之觀點而言,較佳為將該含量設為1質量%以下。
<鹵素化合物> 於本實施方式之感光性樹脂組合物中,就密接性及對比度之觀點而言,將隱色染料與下述鹵素化合物組合使用係較佳之態樣。 作為鹵素化合物,例如可列舉:溴戊烷、溴異戊烷、1,2-二溴-2-甲基丙烷、1,2-二溴乙烷、二苯溴甲烷、苄基溴、二溴甲烷、三溴甲基苯碸、四溴化碳、磷酸三(2,3-二溴丙基)酯、三氯乙醯胺、碘戊烷、碘異丁烷、1,1,1-三氯-2,2-雙(對氯苯基)乙烷、氯化三𠯤化合物等。尤佳為三溴甲基苯碸。就於與吖啶系化合物併用之情形時效果較大、解像性之提高、密接性之提高、感度之提高、對比度之提高、遮蔽膜耐刺紮性之提高、抗蝕劑下緣之產生之抑制、及蝕刻耐性之提高之觀點而言,較佳為如三溴甲基苯碸之鹵素化合物。
就上述觀點而言,較佳為於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之鹵素化合物之含量為0.01質量%。該含量更佳為0.1質量%以上,進而較佳為0.3質量%以上,尤佳為0.5質量%以上。又,就維持感光層中之色相之保存穩定性之觀點、及抑制顯影時之凝集物之產生之觀點而言,較佳為該含量為3質量%以下。該含量更佳為2質量%以下,進而較佳為1.5質量%以下。
<自由基聚合抑制劑、苯并三唑類、羧基苯并三唑類> 於本實施方式中,為了提高感光性樹脂組合物之熱穩定性及保存穩定性,感光性樹脂組合物亦可進而包含選自由自由基聚合抑制劑、苯并三唑類、及羧基苯并三唑類所組成之群中之至少1種以上之化合物。
作為自由基聚合抑制劑,例如可列舉:對甲氧基苯酚、對苯二酚、鄰苯三酚、萘胺、第三丁基兒茶酚、聯苯酚、氯化亞銅、2,6-二第三丁基對甲酚、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、4,4'-硫代雙(6-第三丁基間甲酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷、苯乙烯化苯酚(例如川口化學工業(股)製造,商品名「Antage SP」)、三苄基苯酚(例如川口化學工業(股)製造,商品名「TBP」,具有1~3個苄基之酚化合物)、二苯基亞硝胺等。
作為苯并三唑類,例如可列舉:1,2,3-苯并三唑、1-氯-1,2,3-苯并三唑、雙(N-2-乙基己基)胺基亞甲基-1,2,3-苯并三唑、雙(N-2-乙基己基)胺基亞甲基-1,2,3-甲苯并三唑、雙(N-2-羥基乙基)胺基亞甲基-1,2,3-苯并三唑等。
作為羧基苯并三唑類,例如可列舉:4-羧基-1,2,3-苯并三唑、5-羧基-1,2,3-苯并三唑、N-(N,N-二-2-乙基己基)胺基亞甲基羧基苯并三唑、N-(N,N-二-2-羥基乙基)胺基亞甲基羧基苯并三唑、N-(N,N-二-2-乙基己基)胺基伸乙基羧基苯并三唑、或其等之混合物等。其中,較佳為4-羧基-1,2,3-苯并三唑與5-羧基-1,2,3-苯并三唑之1:1混合物。
自由基聚合抑制劑、苯并三唑類、及羧基苯并三唑類之合計含量以將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%之情形時之該等之合計含量計,較佳為0.01~3質量%,更佳為0.05~1質量%。就對感光性樹脂組合物賦予保存穩定性之觀點而言,較佳為將該含量設為0.01質量%以上,另一方面,就維持感度並抑制染料之脫色之觀點而言,較佳為將該含量設為3質量%以下。
<塑化劑> 本實施方式之感光性樹脂組合物亦可視需要含有塑化劑。作為該塑化劑,例如可列舉:聚乙二醇、聚丙二醇、聚氧丙烯聚氧乙烯醚、聚氧乙烯單甲醚、聚氧丙烯單甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯單甲醚、聚氧乙烯單乙醚、聚氧丙烯單乙醚、聚氧乙烯聚氧丙烯單乙醚等二醇酯類; 鄰苯二甲酸二乙酯等鄰苯二甲酸酯類; 鄰甲苯磺酸醯胺、對甲苯磺酸醯胺、檸檬酸三丁酯、檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三正丙酯、乙醯檸檬酸三正丁酯等; 於雙酚A之兩末端加成有環氧丙烷之丙二醇、於雙酚A之兩末端加成有環氧乙烷之乙二醇等; 加成有1~3莫耳之亞硝基苯基羥胺之鋁鹽等。 該等可單獨使用1種,或可組合使用2種以上。 尤其是就剝離片溶解性或耐鍍覆性之觀點而言,塑化劑較佳為加成有3莫耳之亞硝基苯基羥胺之鋁鹽。
於將感光性樹脂組合物之總固形物成分質量設為100質量%時,感光性樹脂組合物中之塑化劑之含量較佳為1~50質量%,更佳為1~30質量%。就抑制顯影時間之延遲、對硬化膜賦予柔軟性之觀點而言,較佳為將該含量設為1質量%以上,另一方面,就抑制硬化不足及邊緣熔融之觀點而言,較佳為將該含量設為50質量%以下。
<溶劑> 感光性樹脂組合物可溶解於溶劑而用作溶液。作為所使用之溶劑,例如可列舉: 以甲基乙基酮(MEK)為代表之酮類; 以甲醇、乙醇、及異丙醇為代表之醇類等。 該溶劑較佳為以塗佈於支持膜上之感光性樹脂組合物之溶液之黏度於25℃下成為500~4,000 mPa・s之方式添加於感光性樹脂組合物中。
<感光性樹脂組合物之特性> 本實施方式之感光性樹脂組合物滿足下式(I)所表示之關係: 0<A/T≦0.007        式(I) {式中,包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為T(μm),且A為包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層對於波長365 nm下之吸光度}。 滿足式(I)所表示之關係之感光性樹脂組合物與A/T>0.007之感光性樹脂組合物相比,容易改良抗蝕圖案之剝離片溶解或鍍覆潛沉有關之性質。就進一步改良抗蝕圖案之剝離片溶解或鍍覆潛沉有關之性質之觀點而言,感光性樹脂組合物較佳為滿足下式(II)所表示之關係: 0<A/T≦0.005        式(II) {式中,包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為T(μm),且A為包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層對於波長365 nm下之吸光度}。 就相同之觀點而言,感光性樹脂組合物之A/T值更佳為超過0且未達0.005,進而較佳為超過0且0.004以下。
<感光性樹脂積層體> 本發明之另一態樣可使用上述所說明之感光性樹脂組合物而形成感光性樹脂積層體。本實施方式之感光性樹脂積層體較佳為乾膜抗蝕劑。典型而言,該感光性樹脂積層體具有支持膜、及積層於該支持膜上之上述感光性樹脂組合物之層。該感光性樹脂積層體亦可視需要於支持膜側之相反側之表面具有保護層。
本實施方式之感光性樹脂積層體滿足下式(I)所表示之關係: 0<A/T≦0.007        式(I) {式中,包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為T(μm),且A為包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層對於波長365 nm下之吸光度}。 滿足式(I)所表示之關係之感光性樹脂積層體與A/T>0.007之感光性樹脂積層體相比,有改良抗蝕圖案之剝離片溶解或鍍覆潛沉有關之性質之傾向。
就進一步提高抗蝕圖案之剝離片溶解或鍍覆潛沉有關之性質之觀點而言,感光性樹脂積層體較佳為滿足下式(II)所表示之關係: 0<A/T≦0.005        式(II) {式中,包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為T(μm),且A為包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層對於波長365 nm下之吸光度}。 就相同之觀點而言,感光性樹脂積層體之A/T值更佳為超過0且未達0.005,進而較佳為超過0且0.004以下。
作為支持膜,較理想為使自曝光光源放射之光透過之透明者。作為此種支持膜,例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯醇膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚偏二氯乙烯膜、偏二氯乙烯共聚膜、聚甲基丙烯酸甲酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯腈膜、苯乙烯共聚物膜、聚醯胺膜、纖維素衍生物膜等。該等膜亦可使用視需要經延伸者。 支持膜之霧度較佳為5以下。 支持膜之厚度較薄時,就圖像形成性及經濟性之方面而言有利,但若亦考慮維持強度之功能,則較佳為10~30 μm。
上述所說明之感光性樹脂組合物之層可包含感光性樹脂組合物,或可由感光性樹脂組合物所構成。就適合鍍覆用途之厚度之觀點而言,感光性樹脂積層體中之感光性樹脂組合物之層之膜厚較佳為40 μm以上600 μm以下,更佳為50~400 μm,進而較佳為超過50 μm且400 μm以下,進而更佳為100~400 μm,尤佳為200~400 μm。
用於感光性樹脂積層體之保護層之重要特性為具有適當之密接力。即,較佳為該保護層對於感光性樹脂層之密接力充分小於支持膜對於感光性樹脂層之密接力,保護層能夠容易地自感光性樹脂積層體剝離。作為保護層,例如可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、日本專利特開昭59-202457號公報中所示之剝離性優異之膜等。保護層之膜厚較佳為10~100 μm,更佳為10~50 μm。
<感光性樹脂積層體之製作方法> 感光性樹脂積層體可藉由於支持膜上依次積層感光性樹脂層、及視需要之保護層而製作。作為其方法,可採用已知之方法。例如,將用於感光性樹脂層之感光性樹脂組合物與將該等溶解之溶劑混合而製成均勻之溶液狀之塗敷液。然後,使用棒式塗佈機或輥式塗佈機將該塗敷液塗佈於支持膜上,繼而進行乾燥而可於上述支持膜上積層包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層。繼而,視需要於該感光性樹脂層上層壓保護層,藉此可製作感光性樹脂積層體。
<抗蝕圖案形成方法> 本發明之另一實施方式提供一種抗蝕圖案形成方法,其包括: 將上述之本發明之感光性樹脂積層體層壓於基材上之步驟(層壓步驟)、 對該經層壓之感光性樹脂積層體進行曝光之步驟(曝光步驟)、及 使該經曝光之感光性樹脂積層體顯影之步驟(顯影步驟)。
<半導體凸塊形成方法> 本發明之又一實施方式提供一種半導體凸塊形成方法,其包括: 對藉由上述抗蝕圖案形成方法形成有抗蝕圖案之基材進行銅鍍覆或焊劑鍍覆之步驟(鍍覆步驟)。
根據需要,半導體凸塊形成方法可進而包括對形成有抗蝕圖案之基材進行蝕刻之步驟。
根據需要,半導體凸塊形成方法於鍍覆步驟之前,可進行除渣及鍍覆預處理步驟。
根據需要,半導體凸塊形成方法於上述之一系列步驟之後,可進而包括自基材剝離抗蝕圖案之剝離步驟。
以下,對使用感光性樹脂積層體、及作為基材之濺鍍銅薄膜而形成抗蝕圖案及半導體凸塊之方法之一例進行說明。
(1)層壓步驟 層壓步驟係如下步驟:一面剝離感光性樹脂積層體之保護層,一面使用例如加熱輥貼合機使其密接於濺鍍銅薄膜等基材上。供於層壓步驟之濺鍍銅薄膜較佳為藉由濺鍍裝置於矽晶圓上形成銅層而得之銅濺鍍矽晶圓。
(2)曝光步驟 曝光步驟例如可為如下步驟: 以使具有所需之配線圖案之遮罩膜密接於上述基材上所積層之感光性樹脂積層體之感光性樹脂層的狀態,經由該遮罩膜實施曝光之步驟; 藉由直接成像曝光法對所需之配線圖案實施曝光之步驟;或 藉由經由透鏡進行投影之曝光法對光罩之圖像實施曝光之步驟。
(3)顯影步驟 顯影步驟係如下步驟:於曝光步驟之後,將感光性樹脂層上之支持膜剝離後,使用鹼性水溶液之顯影液,將未曝光部(負型之情形時)或曝光部(正型之情形時)顯影去除而將抗蝕圖案形成於基材上。
作為鹼性水溶液,可使用Na2 CO3 或K2 CO3 之水溶液。鹼性水溶液根據感光性樹脂層之特性進行適當選擇,但較佳為使用約0.2~2質量%之濃度且約20~40℃之Na2 CO3 水溶液。
經過上述各步驟可獲得抗蝕圖案。根據情況,於該等步驟之後,於約100℃~300℃下,可進而進行1分鐘~5小時之加熱步驟。藉由實施該加熱步驟,可進一步提高所獲得之硬化抗蝕圖案之密接性及耐化學品性。該情形時之加熱例如可使用熱風、紅外線、或遠紅外線方式之加熱爐。 再者,關於所獲得之抗蝕圖案,將抗蝕劑之下緣較小之情形時之例示於圖1(a),將抗蝕劑之下緣較大之情形時之例示於圖2(a)。
(除渣及鍍覆預處理) 根據需要,可將形成有抗蝕圖案之基材供於電漿處理及/或浸水處理,進行除渣及鍍覆預處理。
(4)鍍覆步驟 藉由對利用顯影而露出之基材表面(例如濺鍍銅薄膜之銅面)進行銅鍍覆或焊劑鍍覆,可製造導體圖案。鍍覆液較佳為硫酸銅鍍覆液。 再者,將鍍覆潛沉較小之情形時之例示於圖1(b),將鍍覆潛沉較大之情形時之例示於圖2(b)。
(蝕刻步驟) 根據需要,可對經過上述步驟而形成之抗蝕圖案,自上方吹送蝕刻液,蝕刻未被該抗蝕圖案覆蓋之銅面,從而形成電路圖案。作為蝕刻方法,可列舉酸性蝕刻、鹼性蝕刻等,以適合所使用之感光性樹脂積層體之方法進行。
(剝離步驟) 其後,利用具有強於顯影液之鹼性之水溶液處理積層體,自基材剝離抗蝕圖案。剝離液較佳為選自由濃度約2~5質量%且溫度約40~70℃之NaOH或KOH之水溶液、SPR920(製品名)、及R-101(製品名)所組成之群中之至少1種。再者,亦可於剝離液中加入少量水溶性溶劑。
上述所說明之感光性樹脂組合物、感光性樹脂積層體、抗蝕圖案及半導體凸塊例如可利用於半導體封裝之形成等。 [實施例]
以下,利用實施例及比較例對本發明之實施方式之例具體地進行說明。 首先,對實施例及比較例之評價用樣品之製作方法進行說明,繼而,示出關於所獲得之樣品之評價方法及評價結果。
(實施例1~13、及比較例1~4) 首先,對實施例及比較例之評價用樣品之製作方法進行說明,繼而,示出關於所獲得之樣品之評價方法及其評價結果。
1.評價用樣品之製作 實施例及比較例中之評價用樣品按照如下方式進行製作。
<感光性樹脂積層體之製作> 將下述表1所示之組成(其中,各成分之數字表示以固形物成分計之調配量(質量份))之感光性樹脂組合物及溶劑充分攪拌,進行混合而製成感光性樹脂組合物調合液,使用棒式塗佈機均勻塗佈於作為支持體之厚度16 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(東麗(股)製造,FB-40)之表面,於95℃之乾燥機中乾燥12分鐘而形成感光性樹脂層。感光性樹脂層之厚度(T)為240 μm。
繼而,於感光性樹脂層之未積層聚對苯二甲酸乙二酯膜之表面上貼合作為保護層之厚度19 μm之聚乙烯膜(Tamapoly(股)製造,GF-18)而獲得感光性樹脂積層體。又,使用紫外線-可見光(UV-Vis)測定裝置(日立高新技術公司(股)製造,U-3010型分光光度計)按照以下方式測定感光性樹脂積層體對於波長365 nm下之吸光度(A): 剝離感光性樹脂積層體之聚乙烯膜而測定365 nm時之吸光度,將所得之值設為吸光度(A)。又,使用空氣作為空白試樣。
分別於以下之表1中示出感光性樹脂組合物調合液中之調配量及評價結果,而且於以下之表2中示出表1所示之感光性樹脂組合物調合液中之材料成分之名稱。
2.半導體凸塊之製作 <基材> 於製作銅接線柱之情形時,使用藉由ANELVA製造之濺鍍裝置於6英吋之矽晶圓上形成厚度2000埃(Å)之銅層而得之銅濺鍍矽晶圓。
<層壓> 一面剝離感光性樹脂積層體之聚乙烯膜,一面於預熱至70℃之矽晶圓上,利用加熱輥貼合機(Taisei Laminator(股)製造,VA-400III)於輥溫度70℃下進行層壓。將空氣壓力設為0.20 MPa,將層壓速度設為0.18 m/min.。
<曝光> 使用玻璃鉻遮罩,利用Ultratech Prisma ghi步進機(Ultratech(股)製造)以300 mJ/cm2 進行曝光。於基材面測得之照度為2400 mW/cm2
<顯影> 使用旋轉顯影機(瀧澤產業(股)製造之旋轉顯影機AD-1200)於30℃下將1質量% Na2 CO3 水溶液以200 mL/min.之流量噴灑於曝光後之積層體而進行顯影。
<除渣及鍍覆預處理> 藉由利用低壓電漿裝置(神港精機(股)製造,EXAM)於50 Pa、133 W、O2 40 mL/min.、CF4 1 mL/min.之條件下對評價基板進行電漿處理,於純水中浸漬5分鐘而實施除渣及鍍覆預處理。
<硫酸銅鍍覆> 按以下方式進行銅鍍覆並如下所述進行剝離而製作銅接線柱。 於SC-50 MU MA(MICROFAB(註冊商標)製造)968 mL中添加SC-50 R1(MICROFAB公司製造)20 mL、SC-50 R2(MICROFAB公司製造)12 mL而製作硫酸銅鍍覆液。針對鍍覆預處理後之耐鍍覆性評價基板(6 cm×12.5 cm),使用所製作之硫酸銅鍍覆液,藉由哈林槽均勻鍍覆裝置(山本鍍金試驗器股份有限公司製造),以按每分鐘1 μm之高度析出銅之方式調節電流值,進行鍍覆。此時,銅鍍覆覆膜之厚度為100 μm厚。
<剝離> 藉由利用3% NaOH、SPR920(KANTO-PPC製造)、R-101(三菱瓦斯化學(股)製造)之剝離液將實施鍍覆處理後之評價基板於65℃下加熱100分鐘而剝離。
3.最小顯影時間評價 將未曝光部分之感光性樹脂層完全溶解所需要之最少時間設為「最小顯影時間」而進行測定,按以下之方式進行分級: S:最小顯影時間之值為210秒以下; A:最小顯影時間之值為超過210秒且220秒以下; B:最小顯影時間之值為超過220秒且230秒以下; C:最小顯影時間之值超過230秒。
4.抗蝕劑下緣評價 將150 μm之圓孔圖案化,將除渣處理後之基板割斷,對抗蝕劑底部之下緣長度進行SEM觀察。按以下之方式進行分級。 S:下緣長度為1 μm以下; A:超過1 μm且1.5 μm以下; B:超過1.5 μm且2.0 μm以下; C:超過2.0 μm。
5.耐鍍覆性評價 銅鍍覆之後,對剝離了硬化抗蝕劑之基板之銅接線柱底部進行SEM觀察,按以下之方式進行分級。 S:無銅鍍覆潛沉; A:銅鍍覆潛沉為1 μm以下; B:銅鍍覆潛沉為超過1 μm且3 μm以下; C:銅鍍覆潛沉超過3 μm。
6.剝離片溶解性評價 <曝光> 自支持膜側對感光性樹脂積層體進行曝光,製作硬化抗蝕劑。曝光使用Ultratech Prisma ghi步進機(Ultratech(股)製造)。以曝光量300 mJ/cm2 實施。
<顯影> 自經曝光之感光性樹脂積層體剝離支持膜,歷經「最小顯影時間」之2倍時間噴灑30℃之1質量% Na2 CO3 水溶液而進行顯影。其後,剝離保護層而獲得硬化抗蝕劑。
<剝離片溶解性評價1> 將所獲得之硬化抗蝕劑約50 mg浸漬於65℃、3% NaOH之剝離液20 mL中75分鐘。其後,過濾殘存之硬化膜,進行真空乾燥,藉由將所獲得之過濾物之質量除以最初浸漬之硬化抗蝕劑之質量而求出殘膜率,對「剝離片溶解性」進行評價。按以下之方式進行分級。 S:殘膜率之值為0%; A:殘膜率之值為大於0%且10%以下; B:殘膜率之值為大於10%且25%以下; C:殘膜率之值超過25%。
<剝離片溶解性評價2> 於上述評價1中,剝離液使用SPR920以相同之方式進行評價。 S:殘膜率之值為0%; A:殘膜率之值為大於0%且10%以下; B:殘膜率之值為大於10%且25%以下; C:殘膜率之值超過25%。
<剝離片溶解性評價3> 於上述評價1中,剝離液使用R-101以相同之方式進行評價。 S:殘膜率之值為0%; A:殘膜率之值為大於0%且10%以下; B:殘膜率之值為大於10%且25%以下; C:殘膜率之值超過25%。
7.保管時抗蝕劑皺褶評價 將感光性樹脂積層體捲繞於直徑8.5 cm之聚乙烯瓶,於23℃、50%RH之條件下放置固定時間,評價抗蝕劑表面之皺褶之產生度,按以下之方式進行分級。 S:經過12小時以上後無皺褶產生; A:超過6小時且12小時以內產生皺褶; B:超過3小時且6小時以內產生皺褶; C:3小時以內產生皺褶。
[表1]
      實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 實施例 8 實施例 9 實施例 10 比較例 1 比較例 2 實施例 11 實施例 12 比較例 3 實施例 13 比較例 4
黏合劑 A-1 20    20 20       20 20          60               
A-2 40 60                               60 60 60 60   
A-3       40 40 60 60 40 40 60 60                   60
A-4                               60                  
                                                     
單體 B-1 35 35 35 32 35 24          35                3 35
B-2                   35          35 35               
B-3                      35                           
B-4                         35                        
B-5          3                               35      
B-6                11                   35            
B-7                                        35    32   
                                                     
起始劑 I-1 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
I-2 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.03 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.05
染料 D-1 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
D-2 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01
密接助劑 A-1 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005
塑化劑 S-1 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02
合計wt%    98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.465 98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.445 98.485
吸光度A@365 nm    0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 1.54 0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 0.96 2.12
膜厚T[μm]    240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240
A/T    0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.006 0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.004 0.009
效果 最小顯影時間 S S A A A A A A A A C C A S A S A
抗蝕劑下緣評價 S S A A A A A A A A C C A A A A A
耐鍍覆性 S S S A S A A A A B B B C C B C C
剝離片溶解性1 S S S A S S A A A S A A B A C C S
剝離片溶解性2 S S S A S S A A A S A A B A C C S
剝離片溶解性3 S S S A S S A A A S A A B A C C S
保管時抗蝕劑皺褶評價 S A A A A A A A A A A A A A A A A
[表2]
A-1 具有甲基丙烯酸/甲基丙烯酸苄酯(聚合比為20/80)之組成,酸當量為430,重量平均分子量為2萬5千之共聚物之50%(固形物成分)MEK溶液
A-2 具有甲基丙烯酸/甲基丙烯酸苄酯/丙烯酸2-乙基己酯(聚合比為25/55/20)之組成,酸當量為344,重量平均分子量為6萬之共聚物之54%(固形物成分)MEK溶液
A-3 具有甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸/丙烯酸正丁酯(質量比為65/25/10)之組成,酸當量為344,重量平均分子量為12萬之共聚物之36%MEK溶液
A-4 具有甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸/苯乙烯(聚合比為50/25/25)之組成,酸當量為344,重量平均分子量為5萬之共聚物之35%MEK溶液
     
B-1 於季戊四醇加成有平均4莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯
B-2 於三羥甲基丙烷加成有平均3莫耳之環氧乙烷之三丙烯酸酯
B-3 於二季戊四醇具有平均6莫耳之丙烯酸酯之六丙烯酸酯
B-4 於季戊四醇加成有平均15莫耳之環氧乙烷之四丙烯酸酯
B-5 於雙酚A之兩端分別加成有1莫耳之環氧乙烷之二甲基丙烯酸酯
B-6 於苯酚加成有平均6莫耳之環氧乙烷之單丙烯酸酯
B-7 九乙二醇二丙烯酸酯
     
I-1 2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物
I-2 4,4'-雙(二乙胺基)二苯甲酮
     
D-1 隱色結晶紫
D-2 Aizen維多利亞純藍BOH conc.
     
A-1 4-羧基苯并三唑與5-羧基苯并三唑之1:1混合物
     
S-1 加成有3莫耳之亞硝基苯基羥胺之鋁鹽
圖1係表示抗蝕劑下緣(a)及鍍覆潛沉(b)較小之情形時之例之SEM(Scanning Electron Microscope,掃描式電子顯微鏡)照片。 圖2係表示抗蝕劑下緣(a)及鍍覆潛沉(b)較大之情形時之例之SEM照片。

Claims (17)

  1. 一種感光性樹脂積層體,其係於支持膜上積層有包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層者,該感光性樹脂組合物包含:(A)鹼溶性高分子:10質量%~90質量%、(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物:5質量%~70質量%、及(C)光聚合起始劑:0.01質量%~20質量%,且上述(A)鹼溶性高分子包含含有具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯作為共聚成分之共聚物,作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物,相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量含有丙烯酸酯單體51質量%~100質量%,於設定上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚T[μm]、對於波長365nm下之吸光度A時,滿足下式(I):0<A/T≦0.007 式(I)所表示之關係,且上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為40μm以上600μm以下,含有具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物,相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,該化合物之含量為60質量%以上。
  2. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼溶性高分子包含含 有丙烯酸2-乙基己酯作為共聚成分之共聚物。
  3. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼溶性高分子包含含有(甲基)丙烯酸苄酯作為共聚成分之共聚物。
  4. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其中上述(A)鹼溶性高分子進而含有上述具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯以外之(甲基)丙烯酸酯、及/或乙烯基化合物作為共聚成分,且上述(A)鹼溶性高分子含有上述具有碳數3~12之烷基之(甲基)丙烯酸酯6.0質量%~30質量%作為共聚成分。
  5. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其包含於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。
  6. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物1質量%以上作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。
  7. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物10質量%以上作為上述具有3官能 以上之丙烯酸酯基之化合物。
  8. 如請求項1之感光性樹脂積層體,其相對於上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物總量,含有於三羥甲基丙烷、季戊四醇、或二季戊四醇骨架之任一者中具有丙烯酸酯基之化合物80質量%以上作為上述具有3官能以上之丙烯酸酯基之化合物。
  9. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其中於含有具有芳香環之化合物作為上述(B)具有乙烯性不飽和雙鍵之化合物之情形時,該具有芳香環之化合物由下述式(VII)表示:
    Figure 109139314-A0305-02-0050-1
    {式中,Y分別獨立地表示碳數2~10之伸烷基,R1及R2分別獨立地表示甲基或氫原子,n1及n2分別獨立地表示1~100之整數}。
  10. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其含有咪唑化合物作為上述(C)光聚合起始劑。
  11. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其含有2,4,5-三芳基咪唑二聚物作為上述(C)光聚合起始劑。
  12. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其中於設定上述包含感光性樹 脂組合物之感光性樹脂層之膜厚T[μm]、對於波長365nm下之吸光度A時,滿足下式(II):0<A/T≦0.005 式(II)所表示之關係。
  13. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其中上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為超過50μm且400μm以下。
  14. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其中上述包含感光性樹脂組合物之感光性樹脂層之膜厚為100μm以上且400μm以下。
  15. 如請求項1或2之感光性樹脂積層體,其係乾膜抗蝕劑。
  16. 一種抗蝕圖案之形成方法,其包括:將如請求項1至15中任一項之感光性樹脂積層體層壓於基材之步驟;對該經層壓之感光性樹脂積層體進行曝光之步驟;及使該經曝光之感光性樹脂積層體顯影之步驟。
  17. 一種半導體凸塊之形成方法,其包括:將如請求項1至15中任一項之感光性樹脂積層體層壓於濺鍍銅薄膜上之步驟;對該經層壓之感光性樹脂積層體進行曝光之步驟;使該經曝光之感光性樹脂積層體顯影之步驟;及對該顯影後之濺鍍銅薄膜進行銅鍍覆或焊劑鍍覆之步驟。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201619705A (zh) * 2014-09-24 2016-06-01 Asahi Kasei E Materials Corp 感光性樹脂組合物、感光性樹脂積層體、樹脂圖案之製造方法、硬化膜及顯示裝置
TW201701070A (zh) * 2015-04-08 2017-01-01 Asahi Chemical Ind 感光性樹脂組合物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2801047B2 (ja) 1989-12-28 1998-09-21 ダイセル化学工業株式会社 光重合性組成物
JP2756623B2 (ja) 1992-02-26 1998-05-25 富士写真フイルム株式会社 光重合性組成物
JP2832409B2 (ja) 1992-06-09 1998-12-09 富士写真フイルム株式会社 光重合性樹脂材料及びこれを用いたプリント回路の作成方法
KR20140069310A (ko) 2009-09-25 2014-06-09 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 레지스트 재료용 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 적층체
JP2012058675A (ja) 2010-09-13 2012-03-22 Kaneka Corp 感光性樹脂組成物及びその利用
JP5948543B2 (ja) 2012-05-29 2016-07-06 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物
TWI570513B (zh) 2014-05-21 2017-02-11 Asahi Kasei E-Materials Corp And a method for forming a photosensitive resin composition and a circuit pattern
US11142620B2 (en) 2017-03-09 2021-10-12 Mitsubishi Paper Mills Limited Photosensitive resin composition, etching method and plating method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201619705A (zh) * 2014-09-24 2016-06-01 Asahi Kasei E Materials Corp 感光性樹脂組合物、感光性樹脂積層體、樹脂圖案之製造方法、硬化膜及顯示裝置
TW201701070A (zh) * 2015-04-08 2017-01-01 Asahi Chemical Ind 感光性樹脂組合物
TW201812454A (zh) * 2015-04-08 2018-04-01 日商旭化成股份有限公司 感光性樹脂組合物

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