TWI770533B - 研磨輸送設備 - Google Patents

研磨輸送設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI770533B
TWI770533B TW109120661A TW109120661A TWI770533B TW I770533 B TWI770533 B TW I770533B TW 109120661 A TW109120661 A TW 109120661A TW 109120661 A TW109120661 A TW 109120661A TW I770533 B TWI770533 B TW I770533B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
conveying
grinding
arm
polishing pad
Prior art date
Application number
TW109120661A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202130940A (zh
Inventor
王俊博
蘇家弘
謝元祺
陳智遠
蔡明發
徐誌旺
Original Assignee
南亞科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南亞科技股份有限公司 filed Critical 南亞科技股份有限公司
Publication of TW202130940A publication Critical patent/TW202130940A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI770533B publication Critical patent/TWI770533B/zh

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一種研磨輸送設備配置以提供研磨漿料及清洗劑至研磨墊,且研磨輸送設備包括輸送臂、至少一個第一噴嘴、以及至少一個第二噴嘴。輸送臂可旋轉地連接研磨墊,且具有背對研磨墊的弧形頂面、背對弧形頂面的底面以及由底面內縮的凹槽。第一噴嘴安裝於輸送臂的底面上,且具有面向研磨墊的第一噴嘴頭。第二噴嘴安裝於輸送臂的凹槽中,且具有三個第二噴嘴頭,其中一個第二噴嘴頭面向研磨墊,且另兩個第二噴嘴頭面向凹槽的側壁。

Description

研磨輸送設備
本揭露內容是有關於一種研磨輸送設備。
半導體裝置被使用於各種電子應用中,例如個人計算機、手機、數位相機及其他電子設備。半導體工業透過不斷地減小最小特徵尺寸來持續地提高各種電子元件(例如,電晶體、二極體、電阻器及電容器等)的積體密度,以允許將更多的元件集成至特定區域中。
在半導體裝置的製造過程中,各種製程步驟被用於在半導體晶圓上製造積體電路。一般來說,製程步驟包括用於半導體晶圓之平坦化的化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP) 製程,以有助於在積體電路上提供更精確之結構化的裝置特徵。化學機械研磨製程是結合化學移除與機械研磨的平坦化製程。由於化學機械研磨製程是用於形成積體電路最重要的製程之一,因此期望提供一種機制來維持化學機械研磨製程的可靠性及效率。
根據本揭露一實施方式,研磨輸送設備配置以提供研磨漿料及清洗劑至研磨墊,且研磨輸送設備包括輸送臂、至少一個第一噴嘴、以及至少一個第二噴嘴。輸送臂可旋轉地連接研磨墊,且具有背對研磨墊的弧形頂面、背對弧形頂面的底面以及由底面內縮的凹槽。第一噴嘴安裝於輸送臂的底面上,且具有面向研磨墊的第一噴嘴頭。第二噴嘴安裝於輸送臂的凹槽中,且具有三個第二噴嘴頭,其中一個第二噴嘴頭面向研磨墊,且另兩個第二噴嘴頭面向凹槽的側壁。
在本揭露一實施方式中,面向研磨墊的第二噴嘴頭與研磨墊的延伸平面之間的夾角介於85°至95°的範圍中。
在本揭露一實施方式中,面向凹槽之側壁的第二噴嘴頭緊密地接觸凹槽的頂面。
在本揭露一實施方式中,面向凹槽之側壁的第二噴嘴頭彼此相互背對。
在本揭露一實施方式中,弧形頂面的曲率半徑為R,輸送臂的寬度為W,且R介於W/3至2W/3的範圍中。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括至少一個研磨漿料輸送管線以及清洗劑輸送管線。研磨漿料輸送管線連接第一噴嘴。清洗劑輸送管線連接第二噴嘴。
在本揭露一實施方式中,研磨漿料輸送管線及第一噴嘴為一體成型且兩者之間不具有界面。
在本揭露一實施方式中,研磨漿料輸送管線具有主幹部及分支部。研磨漿料輸送管線的主幹部在輸送臂的延伸方向上延伸。研磨漿料輸送管線的分支部連接第一噴嘴。
在本揭露一實施方式中,清洗劑輸送管線具有主幹部及至少一個分支部。清洗劑輸送管線的主幹部在輸送臂的延伸方向上延伸。清洗劑輸送管線的分支部連接第二噴嘴。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括複數個研磨漿料輸送管線。研磨漿料輸送管線的主幹部平均地分佈在清洗劑輸送管線的分支部的兩側。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括至少一個第三噴嘴,安裝於輸送臂的邊緣上。第三噴嘴具有第三噴嘴頭,且第三噴嘴頭與研磨墊的延伸平面之間的夾角介於125°至135°的範圍中。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括至少兩個清洗劑輸送管線,分別連接第一噴嘴及第三噴嘴。兩個清洗劑輸送管線彼此耦接。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括第四噴嘴,安裝於輸送臂的前端。第四噴嘴具有第四噴嘴頭,且第四噴嘴頭與研磨墊的延伸平面之間的夾角介於125°至135°的範圍中。
在本揭露一實施方式中,第四噴嘴安裝為高於第一噴嘴及第二噴嘴。
在本揭露一實施方式中,輸送臂具有凸部及主體部,且輸送臂的凸部可拆卸地固定至主體部。
在本揭露一實施方式中,第一噴嘴安裝於輸送臂之凸部的底面。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括至少一個固定元件,將輸送臂的凸部固定至主體部。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括至少一個蓋體元件,緊密地覆蓋固定元件。
在本揭露一實施方式中,研磨輸送設備更包括複數個第二噴嘴,且第二噴嘴在輸送臂的延伸方向排列。
在本揭露一實施方式中,輸送臂的弧形頂面由包括鐵氟龍(Teflon)的材料所製成。
根據本揭露上述實施方式,由於輸送臂具有背對研磨墊的弧形頂面,因此在化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)製程期間,噴濺至輸送臂之弧形頂面上的研磨漿料有較大的機會掉落回研磨墊上。因此,研磨漿料幾乎不可能變質為可於後續掉落回研磨墊上而導致晶圓產生缺陷之乾燥的殘餘物。此外,由面向凹槽之側壁的第二噴嘴頭噴射的清洗劑可在化學機械研磨製程期間沖洗掉噴濺至凹槽中的研磨漿料,進而防止研磨漿料在凹槽中變質為乾燥的殘餘物。
以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說,在本揭露部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的,因此不應用以限制本揭露。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外,為了便於讀者觀看,圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。
第1圖繪示根據本揭露一實施方示之化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)系統的上視示意圖。化學機械研磨系統1包括研磨墊10、晶圓支架20、調節組件30以及研磨輸送設備100。研磨墊10可在化學機械研磨製程期間繞著旋轉軸C旋轉。晶圓支架20可被放置於研磨墊10上,且配置以固持晶圓5。調節組件30配置以調節研磨墊10。研磨輸送設備100可旋轉地連接研磨墊10,且配置以提供研磨漿料以及清洗劑至研磨墊10。
第2圖繪示第1圖之研磨輸送設備100的示意圖。第3圖繪示第2圖之研磨輸送設備100的下視圖。請同時參閱第1圖及第3圖。研磨輸送設備100包括輸送臂110、至少一個第一噴嘴120以及至少一個第二噴嘴130。輸送臂110具有弧形頂面112、底面114以及凹槽R。輸送臂110的弧形頂面112背對研磨墊10。舉例而言,弧形頂面112可相對於研磨墊10呈現倒置的「U」型。底面114背對輸送臂110的弧形頂面112。換句話說,輸送臂110的底面114面向研磨墊10。此外,凹槽R由輸送臂110的底面114內縮。
當執行化學機械研磨時,研磨漿料可能被噴濺至輸送臂110上。由於輸送臂110具有背對研磨墊10的弧形頂面112,因此在化學機械研磨製程期間,噴濺至輸送臂110上的研磨漿料有較大的機會掉落回研磨墊10上。換句話說,研磨漿料幾乎不可能牢固地附著在輸送臂110上並變質為可於後續掉落回研磨墊10上而導致晶圓5產生缺陷之乾燥的殘餘物。在一些實施方式中,輸送臂110的弧形頂面112由包括相當光滑之鐵氟龍(Teflon)的材料所製成,以避免研磨漿料牢固地附著在輸送臂110上。
在一些實施方式中,弧形頂面112的曲率半徑R1(請先參閱第4圖)被調整,使得噴濺至輸送臂110之弧形頂面112上的研磨漿料具有較大的機會掉落回研磨墊10上。在一些實施方式中,弧形頂面112的曲率半徑R1(見第4圖)介於W/3至2W/3的範圍中,其中W為輸送臂110的寬度。舉例而言,弧形頂面112的曲率半徑R1可為W/2,其中W為輸送臂110的寬度。
在一些實施方式中,輸送臂110具有主體部110B以及凸部110C。凸部110C由前側可拆卸地固定至輸送臂110的主體部110B。利用將凸部110C組裝至主體部110B及由主體部110B拆卸可組裝及拆卸設置在傳送臂110中之研磨輸送設備100的其他元件,此將於下文中進行說明。
在一些實施方式中,第一噴嘴120安裝於輸送臂110的底面114上。舉例而言,第一噴嘴120可安裝於輸送臂110之凸部110C的底面上。在一些實施方式中,第一噴嘴120配置以在化學機械研磨製程期間提供研磨漿料至研磨墊10。在其他實施方式中,第一噴嘴120配置以在化學機械研磨製程期間依序提供研磨漿料及清洗劑至研磨墊10。第一噴嘴120具有面向研磨墊10的第一噴嘴頭122。在一些實施方式中,第一噴嘴頭122與研磨墊10的延伸平面之間的夾角θ1(見第5圖)介於85°至95°的範圍中。舉例而言,第一噴嘴頭122與研磨墊10的延伸平面之間的夾角θ1可為90°。
在一些實施方式中,第二噴嘴130安裝於輸送臂110的凹槽R中,並配置以在化學機械研磨製程期間提供清洗劑。舉例而言,第二噴嘴130可至少向研磨墊10提供清洗劑。在一些實施方式中,研磨輸送設備100包括複數個第二噴嘴130,且第二噴嘴130沿著輸送臂110的延伸方向D在凹槽R中排列。在一些實施方式中,第二噴嘴130之間的距離d是相同的。
第4圖繪示第2圖之研磨輸送設備100沿線段a-a'的剖面圖。請參閱第4圖。第二噴嘴130安裝於凹槽R的頂面T中。在一些實施方式中,第二噴嘴130具有三個第二噴嘴頭132,其中一個第二噴嘴頭132面向研磨墊10並被稱為「第二噴嘴頭132a」,另兩個第二噴嘴頭132面向凹槽R的側壁S並各自被稱為「第二噴嘴頭132b」。第二噴嘴頭132a配置以提供清洗劑至研磨墊10,以執行化學機械研磨製程。在一些實施方式中,第二噴嘴頭132a與研磨墊10的延伸平面之間的夾角θ2介於85°至95°的範圍中。舉例而言,第二噴嘴頭132a與研磨墊10的延伸平面之間的夾角θ2可為90°。
在一些實施方式中,每一個第二噴嘴頭132b配置以提供清洗劑至凹槽R的側壁S,以避免研磨漿料附著至凹槽R中。舉例而言,朝著凹槽R之側壁S噴射的清洗劑可在化學機械研磨製程期間沖洗掉噴濺至凹槽R中的研磨漿料,進而防止研磨漿料在凹槽R中變質為可能掉落回晶圓5上並造成晶圓缺陷之乾燥的殘餘物。在一些實施方式中,第二噴嘴頭132b與凹槽R的頂面T緊密接觸,使得由第二噴嘴頭132b噴射的清洗劑可沖洗掉附著在凹槽R之頂面T的研磨漿料。換句話說,清洗劑可沿著凹槽R的頂面T及側壁S流動,以徹底沖洗掉研磨漿料。在一些實施方式中,兩個第二噴嘴頭132b彼此相互背對,亦即兩個第二噴嘴頭132b朝著兩個相反的方向噴射清洗劑。
第5圖繪示第2圖之研磨輸送設備100的側視圖。請參閱第5圖。研磨輸送設備100更包括至少一個第三噴嘴140,安裝於輸送臂110的邊緣上,並配置以在化學機械研磨製程期間提供清洗劑至研磨墊10。舉例而言,第三噴嘴140可安裝於輸送臂110之側壁116與底面114之間的邊緣上,以提供清洗劑。在一些實施方式中,第三噴嘴140具有第三噴嘴頭142,清洗劑由第三噴嘴頭142噴射,且第三噴嘴頭142與研磨墊10的延伸平面之間的夾角θ3介於125°至135°的範圍中,使得由第三噴嘴頭142噴射的清洗劑可抵達研磨墊10的遠端。在一些實施方式中,第三噴嘴140的數量為複數個,且第三噴嘴140沿著輸送臂110的延伸方向D在輸送臂110的一個邊緣上排列。
在一些實施方式中,研磨輸送設備100更包括至少一個第四噴嘴150,安裝於輸送臂110的前端118,並配置以在化學機械研磨製程期間提供清洗劑至研磨墊10。舉例而言,第四噴嘴150可安裝於位在輸送臂110之凸部110C上方的前端118,以提供清洗劑。 在一些實施方式中,第四噴嘴150具有第四噴嘴頭152,清洗劑由第四噴嘴頭152噴射,且第四噴嘴頭154與研磨墊10的延伸平面之間的夾角θ4介於125°至135°的範圍中,使得由第四噴嘴頭152噴射的清洗劑可抵達研磨墊10的遠端。
在一些實施方式中,第一噴嘴120、第二噴嘴130、第三噴嘴140以及第四噴嘴150以不同的高度安裝,使得研磨墊10的不同區域可被提供清洗劑。舉例而言,第四噴嘴150可被安裝為高於第一噴嘴120、第二噴嘴130以及第三噴嘴140。舉另一例而言,第三噴嘴140以及第四噴嘴150可被安裝為高於第一噴嘴120以及第二噴嘴130。由於第一噴嘴120、第二噴嘴130、第三噴嘴140以及第四噴嘴150被設計為以不同的高度與角度進行安裝,因此可確保化學機械研磨製程被完整且良好地實現。此外,第三噴嘴140以及第四噴嘴150可透過由包括聚醚醚酮(polyether ether ketone,PEEK)之材料製成的各種固定元件(例如,螺絲及螺母等)安裝於輸送臂110上。此種材料可防止固定元件生鏽,進而增加研磨輸送設備100的結構強度。
第6圖繪示第2圖之研磨輸送設備100沿線段b-b'的剖面圖。請同時參閱第4圖及第6圖。研磨輸送設備100更包括連接第一噴嘴120的至少一個研磨漿料輸送管線160。在一些實施方式中,研磨漿料輸送管線160具有主幹部162以及分支部164,主幹部162在輸送臂110的延伸方向D上延伸,且分支部164連接第一噴嘴120。在一些實施方式中,研磨漿料輸送管線160耦接研磨漿料的源頭以將研磨漿料輸送至第一噴嘴120。在其他實施方式中,研磨漿料輸送管線160耦接研磨漿料的源頭以及清洗劑的源頭,以依序將研磨漿料以及清洗劑輸送至第一噴嘴120。此外,可根據第一噴嘴120的數量來調整研磨漿料輸送管線160的數量。舉例而言,可將研磨漿料輸送管線160的數量調整為與第一噴嘴120的數量相同,且其中每個研磨漿料輸送管線160連接一個第一噴嘴120。
在一些實施方式中,研磨漿料輸送管線160及第一噴嘴120為一體成型且兩者之間不具有界面,以避免提供使研磨漿料聚積的界面。換句話說,研磨漿料輸送管線160及第一噴嘴120可一起形成為穿過輸送臂110之底面114(例如,輸送臂110之凸部110C的底面)的管線。
在一些實施方式中,研磨輸送設備100更包括至少兩個清洗劑輸送管線170,其中一個清洗劑輸送管線170連接第二噴嘴130及第四噴嘴150,並被稱為「清洗劑輸送管線170a」,另一個清洗劑輸送管線170連接第三噴嘴140,並被稱為「清洗劑輸送管線170b」。清洗劑輸送管線170a具有主幹部172a及至少一個分支部174a,主幹部172a在輸送臂110的延伸方向D上延伸並連接第四噴嘴150,且分支部174a連接第二噴嘴130。此外,清洗劑輸送管線170b亦具有主幹部172b及至少一個分支部174b,主幹部172b在輸送臂110的延伸方向D上延伸,且主幹部172b及分支部174b可各自連接一個第三噴嘴140。在一些實施方式中,清洗劑輸送管線170a及170b彼此耦接,並進一步耦接清洗劑的源頭以將清洗劑輸送至第二噴嘴140、第三噴嘴140以及第四噴嘴150。
在一些實施方式中,當研磨漿料輸送管線160的數量為複數個時,研磨漿料輸送管線160的主幹部162平均地分佈在清洗劑輸送管線170a之分支部174a的兩側。在一些實施方中,研磨漿料輸送管線160的主幹部162在清洗劑輸送管線170a之分支部174a的兩側對稱地分佈。如此一來,可輕易地實現研磨漿料輸送管線160及清洗劑輸送管線170a的對齊。
第7圖繪示第2圖之研磨輸送設備100的前視圖。在一些實施方式中,研磨輸送設備100更包括至少一個固定元件180,將凸部110C固定至輸送臂110的主體部110B,使得凸部110C可拆卸地固定至輸送臂110的主體部110B。當將凸部110C由主體部110B拆卸時,研磨漿料輸送管線160(見第6圖)及第一噴嘴120可由輸送臂110中移除,以進行清潔與更換。此外,研磨輸送設備100更包括至少一個蓋體元件190,緊密地覆蓋固定元件180。如此一來,噴濺至研磨輸送設備100的研磨漿料幾乎不可能積聚在固定元件180的邊緣上,以進一步避免由研磨漿料變質而成的乾燥之殘餘物的形成。
根據本揭露上述實施方式,由於輸送臂具有背對研磨墊的弧形頂面,因此在化學機械研磨製程期間,噴濺至輸送臂之弧形頂面上的研磨漿料有較大的機會掉落回研磨墊上。因此,研磨漿料幾乎不可能變質為可於後續掉落回研磨墊上而導致晶圓產生缺陷之乾燥的殘餘物。此外,由面向凹槽之側壁的第二噴嘴頭噴射的清洗劑可在化學機械研磨製程期間沖洗掉噴濺至凹槽中的研磨漿料,進而防止研磨漿料在凹槽中變質為乾燥的殘餘物。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本揭露,任何熟習此技藝者,在不脫離本揭露之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:化學機械研磨系統 5:晶圓 10:研磨墊 20:晶圓支架 30:調節組件 100:研磨輸送設備 110:輸送臂 110B:主體部 110C:凸部 112:弧形頂面 114:底面 116:側壁 118:前端 120:第一噴嘴 122:第一噴嘴頭 130:第二噴嘴 132,132a,132b:第二噴嘴頭 140:第三噴嘴 142:第三噴嘴頭 150:第四噴嘴 152:第四噴嘴頭 160:研磨漿料輸送管線 162:主幹部 164:分支部 170,170a,170b:清洗劑輸送管線 172a,172b:主幹部 174a,174b:分支部 180:固定元件 190:蓋體元件 C:旋轉軸 W:寬度 T:頂面 S:側壁 R1:曲率半徑 D:延伸方向 θ1,θ2,θ3,θ4:夾角 R:凹槽 D:延伸方向 a-a'、b-b':線段
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下: 第1圖繪示根據本揭露一實施方示之化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)系統的上視示意圖。 第2圖繪示第1圖之研磨輸送設備的示意圖。 第3圖繪示第2圖之研磨輸送設備的下視圖。 第4圖繪示第2圖之研磨輸送設備沿線段a-a'的剖面圖。 第5圖繪示第2圖之研磨輸送設備的側視圖。 第6圖繪示第2圖之研磨輸送設備沿線段b-b'的剖面圖。 第7圖繪示第2圖之研磨輸送設備的前視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:研磨輸送設備
110:輸送臂
110B:主體部
110C:凸部
112:弧形頂面
120:第一噴嘴
122:第一噴嘴頭
R:凹槽
D:延伸方向
a-a'、b-b':線段

Claims (19)

  1. 一種研磨輸送設備,配置以提供一研磨漿料及一清洗劑至一研磨墊,且該研磨輸送設備包括:一輸送臂,可旋轉地連接該研磨墊,其中該輸送臂具有背對該研磨墊的一弧形頂面、背對該弧形頂面的一底面以及由該底面內縮的一凹槽;至少一第一噴嘴,安裝於該輸送臂的該底面上,其中該第一噴嘴具有面向該研磨墊的一第一噴嘴頭;以及至少一第二噴嘴,安裝於該輸送臂的該凹槽中,其中該第二噴嘴具有三第二噴嘴頭,該三第二噴嘴頭中的一者面向該研磨墊,且該三第二噴嘴頭中的另兩者面向該凹槽的側壁,且面向該凹槽之該些側壁的該些第二噴嘴頭緊密地接觸該凹槽的一頂面。
  2. 如請求項1所述的研磨輸送設備,其中面向該研磨墊的該第二噴嘴頭與該研磨墊的一延伸平面之間的一夾角介於85°至95°的範圍中。
  3. 如請求項1所述的研磨輸送設備,其中面向該凹槽之該些側壁的該些第二噴嘴頭彼此相互背對。
  4. 如請求項1所述的研磨輸送設備,其中該弧形頂面的一曲率半徑為R,該輸送臂的一寬度為W,且R介於W/3至2W/3的範圍中。
  5. 如請求項1所述的研磨輸送設備,更包括:至少一研磨漿料輸送管線,連接該第一噴嘴;以及一清洗劑輸送管線,連接該第二噴嘴。
  6. 如請求項5所述的研磨輸送設備,其中該研磨漿料輸送管線及該第一噴嘴為一體成型且兩者之間不具有界面。
  7. 如請求項5所述的研磨輸送設備,其中該研磨漿料輸送管線具有一主幹部及一分支部,該研磨漿料輸送管線的該主幹部在該輸送臂的一延伸方向上延伸,且該研磨漿料輸送管線的該分支部連接該第一噴嘴。
  8. 如請求項7所述的研磨輸送設備,其中該清洗劑輸送管線具有一主幹部及至少一分支部,該清洗劑輸送管線的該主幹部在該輸送臂的該延伸方向上延伸,且該清洗劑輸送管線的該分支部連接該第二噴嘴。
  9. 如請求項8所述的研磨輸送設備,更包括複數個該研磨漿料輸送管線,其中該些研磨漿料輸送管線的該些主幹部平均地分佈在該清洗劑輸送管線的該分支部的兩側。
  10. 如請求項1所述的研磨輸送設備,更包括:至少一第三噴嘴,安裝於該輸送臂的一邊緣上,其中該第三噴嘴具有一第三噴嘴頭,且該第三噴嘴頭與該研磨墊的一延伸平面之間的一夾角介於125°至135°的範圍中。
  11. 如請求項10所述的研磨輸送設備,更包括:至少兩清洗劑輸送管線,分別連接該第一噴嘴及該第三噴嘴,其中該兩清洗劑輸送管線彼此耦接。
  12. 如請求項1所述的研磨輸送設備,更包括一第四噴嘴,安裝於該輸送臂的一前端,其中該第四噴嘴具有一第四噴嘴頭,且該第四噴嘴頭與該研磨墊的一延伸平面之間的一夾角介於125°至135°的範圍中。
  13. 如請求項12所述的研磨輸送設備,其中該第四噴嘴安裝為高於該第一噴嘴及該第二噴嘴。
  14. 如請求項1所述的研磨輸送設備,其中該輸送臂具有一凸部及一主體部,且該輸送臂的該凸部可拆卸地固定至該主體部。
  15. 如請求項14所述的研磨輸送設備,其中該第一噴嘴安裝於該輸送臂之該凸部的一底面上。
  16. 如請求項14所述的研磨輸送設備,更包括至少一固定元件,將該輸送臂的該凸部固定至該主體部。
  17. 如請求項16所述的研磨輸送設備,更包括至少一蓋體元件,緊密地覆蓋該固定元件。
  18. 如請求項1所述的研磨輸送設備,更包括複數個該第二噴嘴,且該些第二噴嘴在該輸送臂的一延伸方向排列。
  19. 如請求項1所述的研磨輸送設備,其中該輸送臂的該弧形頂面由包括鐵氟龍(Teflon)的材料所製成。
TW109120661A 2020-02-14 2020-06-18 研磨輸送設備 TWI770533B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/792,155 2020-02-14
US16/792,155 US11298798B2 (en) 2020-02-14 2020-02-14 Polishing delivery apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202130940A TW202130940A (zh) 2021-08-16
TWI770533B true TWI770533B (zh) 2022-07-11

Family

ID=77227675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109120661A TWI770533B (zh) 2020-02-14 2020-06-18 研磨輸送設備

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11298798B2 (zh)
CN (1) CN113263448B (zh)
TW (1) TWI770533B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI765192B (zh) * 2019-11-19 2022-05-21 大量科技股份有限公司 化學機械研磨裝置之研磨墊檢測方法與研磨墊檢測裝置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6053801A (en) * 1999-05-10 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with reduced contamination
TW434113B (en) * 1999-03-16 2001-05-16 Applied Materials Inc Polishing apparatus
US6896600B1 (en) * 2002-03-29 2005-05-24 Lam Research Corporation Liquid dispense manifold for chemical-mechanical polisher
TWI273650B (en) * 2005-03-01 2007-02-11 Taiwan Semiconductor Mfg Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing
JP2007168039A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Ebara Corp 研磨テーブルの研磨面洗浄機構、及び研磨装置
JP2010251524A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄機構
JP2014087908A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Ebara Corp 研磨装置
TWI466757B (zh) * 2008-10-31 2015-01-01 Applied Materials Inc 自清潔及可調整之漿料傳送臂
TW201527046A (zh) * 2014-01-02 2015-07-16 Kojem Internat Co Ltd 用於化學機械硏磨之漿料傳送裝置
KR101681679B1 (ko) * 2016-03-31 2016-12-01 에이프로테크주식회사 웨이퍼 연마 장치용 슬러리 공급 장치
CN208020018U (zh) * 2018-03-15 2018-10-30 清华大学 自清洁抛光液输送装置
TWM592373U (zh) * 2019-11-19 2020-03-21 鴻久科技有限公司 研磨液輸送臂

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445634B1 (ko) * 2002-01-28 2004-08-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비
US6506098B1 (en) * 2002-05-20 2003-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Self-cleaning slurry arm on a CMP tool
KR20090002780A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 슬러리 공급 암
JP6313196B2 (ja) * 2014-11-20 2018-04-18 株式会社荏原製作所 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法
CN107107304A (zh) * 2014-12-12 2017-08-29 应用材料公司 用于cmp期间的原位副产物移除及台板冷却的系统及工艺
JP6717691B2 (ja) * 2016-07-06 2020-07-01 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6923342B2 (ja) * 2017-04-11 2021-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
CN109333335A (zh) * 2018-11-28 2019-02-15 长江存储科技有限责任公司 移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备
CN209125576U (zh) * 2018-12-04 2019-07-19 德淮半导体有限公司 研磨液供给手臂及化学机械研磨装置
CN109590907A (zh) * 2019-01-11 2019-04-09 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 一种抛光液输送摆臂及抛光设备
CN110587471B (zh) * 2019-10-22 2021-08-27 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种自清洁防护罩

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW434113B (en) * 1999-03-16 2001-05-16 Applied Materials Inc Polishing apparatus
US6053801A (en) * 1999-05-10 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with reduced contamination
US6896600B1 (en) * 2002-03-29 2005-05-24 Lam Research Corporation Liquid dispense manifold for chemical-mechanical polisher
TWI273650B (en) * 2005-03-01 2007-02-11 Taiwan Semiconductor Mfg Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing
JP2007168039A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Ebara Corp 研磨テーブルの研磨面洗浄機構、及び研磨装置
TWI466757B (zh) * 2008-10-31 2015-01-01 Applied Materials Inc 自清潔及可調整之漿料傳送臂
JP2010251524A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄機構
JP2014087908A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Ebara Corp 研磨装置
TW201527046A (zh) * 2014-01-02 2015-07-16 Kojem Internat Co Ltd 用於化學機械硏磨之漿料傳送裝置
KR101681679B1 (ko) * 2016-03-31 2016-12-01 에이프로테크주식회사 웨이퍼 연마 장치용 슬러리 공급 장치
CN208020018U (zh) * 2018-03-15 2018-10-30 清华大学 自清洁抛光液输送装置
TWM592373U (zh) * 2019-11-19 2020-03-21 鴻久科技有限公司 研磨液輸送臂

Also Published As

Publication number Publication date
TW202130940A (zh) 2021-08-16
US11298798B2 (en) 2022-04-12
CN113263448B (zh) 2022-08-16
US20210252669A1 (en) 2021-08-19
CN113263448A (zh) 2021-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3410385B2 (ja) 洗浄装置及び切削装置
US10737366B2 (en) Dressing apparatus and wafer polishing apparatus comprising same
US6550091B1 (en) Double-sided wafer edge scrubbing apparatus and method for using the same
US7743449B2 (en) System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
TWI702111B (zh) 拋光處理裝置及基板處理裝置
TWI770533B (zh) 研磨輸送設備
US20050139318A1 (en) Proximity meniscus manifold
US20190189470A1 (en) Wafer cleaning apparatus
US6910240B1 (en) Wafer bevel edge cleaning system and apparatus
KR20000077317A (ko) 웨이퍼 세정장치 및 웨이퍼 세정방법
TW201643985A (zh) 基板搬送用手臂及基板處理裝置
US7025663B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus having conditioning cleaning device
KR20070062915A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20140352608A1 (en) Substrate processing apparatus
WO2009008531A1 (ja) 研磨装置
TW201628791A (zh) 研磨面洗淨裝置、研磨裝置、及研磨面洗淨裝置之製造方法
TWM538507U (zh) 清潔裝置以及具有清潔裝置的高溫製程裝置
US7007333B1 (en) System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
CN108284383B (zh) 一种化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
WO2006126455A1 (ja) ポリシング装置
CN113165142B (zh) 清洗组件及具备清洗组件的基板处理装置
US6878045B2 (en) Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems
KR20230047021A (ko) 세정 장치
JP2002079190A (ja) 基板洗浄部材、ならびにこれを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR102632279B1 (ko) 비접촉식 웨이퍼 픽업 및 세정장치