TWI768406B - 改善氣體均一分佈的電漿反應裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電漿反應裝置，包含由殼體、頂板和襯套包圍形成的反應腔。在電漿反應裝置的襯套內壁頂部開設第一環槽，第一環槽的側壁和底面設置在襯套上，第一環槽的頂部由頂板封隔；在第一環槽內設置一個氣流通道環，設置在頂板上與氣流通道環的位置對應的邊緣氣體注入通道及/或反應氣體注入器向反應腔內注入電漿反應氣體。透過與氣流通道環連接的動力裝置驅動氣流通道環上下運動，改變注入反應腔內氣體的流動方式，加速注入氣體擴散，實現了反應腔內氣體的均一性。

Description

改善氣體均一分佈的電漿反應裝置
本發明涉及半導體設備製造技術領域，特別涉及改善電漿均一分佈的技術領域。
電漿反應器是半導體晶片加工的關鍵設備，廣泛用於處理半導體基片以製造積體電路。在基片上形成有圖案化的微電子層，在基片處理過程中，經常使用電漿在基片上沉積薄膜或者刻蝕薄膜上的預定部分。具體方法是先將基片固定放置在電漿反應腔內；接著透過射頻功率發射裝置發射射頻能量到電漿反應腔內形成射頻場；然後各種反應氣體(蝕刻氣體或沉積氣體)被注入到電漿反應腔中，在射頻場的作用下注入的反應氣體在基片上方被激發成電漿狀態；最後電漿和基片之間發生化學反應及/或物理作用(比如刻蝕、沉積等等)形成各種特徵結構，化學反應中形成的揮發性的反應生成物脫離被刻蝕物質表面，並被真空系統抽出腔體。電漿反應腔可以處理各種基片，例如矽晶圓等。
有多種不同的方式向電漿腔發射射頻能量，電感耦合(ICP)反應腔是其中常用的一種設計。ICP反應腔包含封閉殼體，殼體上部設有絕緣頂板，絕緣頂板形成絕緣材料窗。通常是線圈狀的一個天線被放置在頂板上方向反應腔內發射射頻能量。
基片成品是否合格，其檢驗的一個重要標準就是基片加工的均一性。也就是說，一個作用於基片中心區域的製程流程和作用於基片邊緣區域的製程流程相同或者高度相近。例如，矽晶圓中心區域的刻蝕率應與矽晶圓邊緣區域的刻蝕率相同。透過將注入電漿腔的氣體均勻分佈在電漿腔內，可以有效地提高基片加工製程的均一性。
先前技術中，為獲得較好的製程均一性，許多反應腔設計採用安裝在晶圓上方的氣體噴淋頭，以均勻的注入反應氣體。然而，在ICP反應腔室中並沒有給氣體噴淋頭留出相應的空間來實現其氣體均勻注入的功能。通常在ICP反應腔室頂板中部設置中心噴頭，及/或在其腔室側壁設置一個/多個氣體注入通道，實現注入的氣體均勻分佈在ICP反應腔室，從而電漿也能夠均勻分佈在ICP反應腔室中，提高基片加工的均一性。
圖1示出了一種現有電感耦合電漿反應腔設計的截面圖。ICP反應腔腔體，由殼體105、頂板107和襯套106包圍形成，構成可被抽真空裝置125抽真空的氣密空間。頂板107構成絕緣材料窗；基座110支撐夾盤115，夾盤115支撐待處理的基片120。來自射頻功率源的射頻功率被施加到呈線圈狀的天線140。電漿反應氣體透過進氣管線155被供應到反應腔內，以點燃並維持電漿，並由此對基片120進行加工。在標準電感耦合反應腔中，電漿反應氣體透過設置在殼體105側壁的氣體注入通道130和設置在頂板107的氣體注入器135之一或者兩者一同注入來供應到反應腔內的。如圖1所示，殼體105側壁的氣體注入通道130所注入的電漿反應氣體集中在反應腔頂部，這會導致反應腔內電漿反應氣體的不均一性。
先前技術中也揭示了一種電漿反應裝置，其在封閉殼體內以及基座上方和氣體注入器下方設置了一個擋板，透過該擋板以徑向不均勻地限制電漿反應氣體的流動。但擋板將殼體內的空間分隔成為上下兩部分，減少了擋板下方作用於晶圓的氣體的流動空間，不利於氣體均勻分佈，影響晶圓加工的均一性。
本發明的目的是提供一種電漿反應裝置，透過設置在電漿反應腔內的氣流通道環及連接氣流通道環的一個動力裝置。在動力裝置的驅動下，實現透過氣流通道環改變注入反應腔內氣體的流向和高度，同時還可以更進一步的加速反應腔內氣體的擴散速度，實現反應腔內氣體的均一分佈。
為了解決上述問題，本發明的技術方案是公開了一種改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，包括：腔體，由殼體、頂板和襯套包圍形成的反應腔，頂板構成絕緣材料窗；襯套內側壁的頂部與絕緣材料窗底的表面共同圍繞構成第一環槽；基座，其設置於反應腔內的絕緣材料窗下方，用於放置晶圓；基座下方包括用於抽出腔體內氣體維持腔體內低壓的抽真空裝置；射頻功率發射裝置，其設置於絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到反應腔內；氣流通道環，設置於第一環槽內，氣流通道環與第一環槽頂部保持一個間距；頂板上設有複數個與氣流通道環的位置對應的邊緣氣體注入通道；透過邊緣氣體注入通道向下方的第一環槽內注入反應氣體；執行機構，連接氣流通道環，用以驅動氣流通道環在第一環槽內重複的上下運動，改變注入腔體內的反應氣體的高度和方向。
第一環槽內設置有複數個氣流通道環；複數個氣流通道環以反應腔的中心為圓心，形成同心圓結構，且氣流通道環之間無干涉；複數個氣流通道環的外徑均小於第一環槽的直徑。
較佳的，氣流通道環的上表面沿環向設有複數個臺階段；臺階段從臺階段的第一端至臺階段的第二端包含複數個逐級升高的臺階；臺階段的第一端連接相鄰臺階段的第二端。
較佳的，氣流通道環的上表面為外高內低的傾斜面，傾斜面在不同方位角具有不同的傾斜度。
較佳的，執行機構包含複數個動力裝置和複數根活動軸；動力裝置設置在腔體外部，一個動力裝置對應一個氣流通道環；活動軸豎直地穿設殼體側壁，活動軸的第一端位於第一環槽內並連接氣流通道環的底部，活動軸的第二端位於反應腔外部並連接動力裝置；動力裝置驅動活動軸重複的上下運動帶動對應的氣流通道環重複的上下運動。
較佳的，氣流通道環沿徑向被分割為複數個弧段。
較佳的，執行機構包含複數個動力裝置和複數根活動軸；動力裝置設置在腔體外部，一個動力裝置對應一個弧段；活動軸豎直地穿設殼體側壁，活動軸的第一端位於第一環槽內並連接弧段的底部，活動軸的第二端位於反應腔外部並連接動力裝置；動力裝置驅動活動軸重複的上下運動帶動對應的弧段重複的上下運動，實現調節反應腔內不同區域的氣流。
較佳的，動力裝置為馬達或氣缸。
較佳的，改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，進一步包含複數個密封圈；密封圈套設在活動軸的外部，位於殼體側壁和活動軸之間，以封隔反應腔與外部環境。
較佳的，改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，進一步包含複數個波紋管，一個波紋管對應一個活動軸；波紋管套設在活動軸外部，位於殼體側壁和活動軸之間，以封隔反應腔與外部環境。
較佳的，改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，進一步包含複數個氣體通道蓋，用於封堵邊緣氣體注入通道；一個氣體通道蓋對應一個邊緣氣體注入通道；氣體通道蓋包含通道蓋頂部及通道蓋側壁，其具有頂部封閉的空心腔體結構。
通道蓋頂部及/或通道蓋側壁還設置有複數個進氣口，進氣口連通進氣管線和邊緣氣體注入通道。
較佳的，改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，進一步包含反應氣體注入器，其設置在頂板上，用於向腔體內注入反應氣體。
較佳的，構成氣流通道環的材料包含塑膠、陶瓷、或金屬鍍陶瓷。
與先前技術相比，本發明的電漿反應裝置及改善電漿反應氣體均一分佈的方法，其優點在於，本發明透過將一個氣流通道環設置在反應腔內，並透過動力裝置驅動氣流通道環。將先前技術中設置在腔體側壁的氣體注入通道改為設置在頂板上，並與氣流通道環的位置對應。在氣流通道環的上部注入電漿反應氣體時，動力裝置驅動氣流通道環上下運動，以實現改變注入反應腔內氣體的流動模式，並加快了注入氣體的擴散速度。同時，本發明的氣流通道環透過設置在襯套頂部，使得氣流通道環下方有足夠的空間實現氣體擴散。透過本發明保證了反應腔內電漿處理器體的均一分佈。
105,205:殼體
106,206:襯套
107,207:頂板
110,210:基座
115,215:夾盤
120,220:基片
125,225:抽真空裝置
130:氣體注入通道
140:天線
135,235:氣體注入器
155,255:進氣管線
260,460:活動軸
261,361,461,561,661,761,861:氣流通道環
262:氣體通道蓋
263:邊緣氣體注入通道
264:動力裝置
266:進氣口
270,570:第一環槽
280:密封圈
290:第一突起
491:第一輪齒
492:第二輪齒
493:臺階
6611:弧段
l1,l2:寬度
附圖作為本發明說明書的一部分，例證了本發明的實施例，並與說明書一起解釋和說明本發明的原理。附圖用圖解的方式來說明舉例實施例的主要特徵。附圖不是用於說明實際實施例所有特徵也不用於說明圖中元件之間的相對關係，元件之間的相對尺寸也不是按比例繪出。
圖1為先前技術中的電漿反應裝置示意圖；圖2為本發明的電漿反應裝置結構示意圖；圖3為本發明第一個實施例中氣流通道環底部結構示意圖；圖4為本發明第一個實施例中氣流通道環連接活動軸剖面圖；圖5為本發明第一個實施例中的密封圈設置方式示意圖；圖6為本發明第二個實施例中氣流通道環結構示意圖；圖7為本發明第三個實施例中氣流通道環連接活動軸側視圖；圖8為本發明第三個實施例中氣流通道環的寬度示意圖；圖9為本發明第六個實施例中氣流通道環被分割成複數個弧段示意圖；圖10為本發明第七個實施例中氣流通道環X方位向、Y方位向示意圖；圖11為本發明的第七個實施例中氣流通道環X方位向縱剖面示意圖；圖12為本發明的第七個實施例中氣流通道環Y方位向縱剖面示意圖圖13為本發明的第八個實施例中的兩個氣流通道環連接活動軸側視圖。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地說明，顯然，所說明的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本發明保護的範圍。
下文將結合圖2，對本發明的一個實施例進行詳細說明。圖2示出了根據本發明一個實施例的電漿反應裝置。除了2XX系列元件符號外，圖2中示出的對應於圖1中的元件均具有相同的元件符號，應當理解，其中的電漿反應裝置僅僅是示例性的，電漿反應裝置實際上也可以包含更少或額外的元件，元件的排列也可以不同於圖2中所示出。
圖2示出了根據本發明第一實施例的電漿反應裝置截面圖。電漿反應裝置包括腔體，腔體為由殼體205、頂板207和襯套206包圍形成密閉的反應腔。頂板207構成絕緣材料窗，圖2中的頂板207僅作為實例，也可以採用其他的頂板207樣式，如穹頂形狀的。基座210設置於反應腔內的絕緣材料窗下方，用於放置晶圓，基座210下方包括用於抽出腔體內氣體維持腔體內低壓的抽真空裝置225。射頻功率發射裝置設置於絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到反應腔內。射頻功率被施加到天線140，該天線140基本是線圈狀的。反應氣體經過氣體分離器被分為多路，透過進氣管線255被供應到反應腔內以點燃並維持電漿，其中一路透過反應氣體注入器235進入反應腔內。
在襯套206內側壁的頂部開有與襯套206同中心軸的第一環槽270；如圖2所示，襯套206內側壁的頂部與絕緣材料窗底表面共同圍繞構成第一環槽270； 在第一環槽270內設置有一個氣流通道環261，該氣流通道環261與第一環槽270頂部保持一個間距。較佳的，構成氣流通道環261的材料包含耐電漿腐蝕的塑膠、陶瓷、或金屬鍍陶瓷。氣流通道環261的外徑匹配第一環槽270的直徑，保證第一環槽270的側壁與氣流通道環261之間無摩擦力。
執行機構，連接氣流通道環261，用以驅動氣流通道環261在第一環槽270內上下運動，改變注入腔體內的電漿反應氣體的高度和方向。氣流通道環261在第一環槽270內運動時始終和頂板207、第一環槽270底部保持一個距 離，氣流通道環261與頂板207距離最近時，氣流通道環261位於第一位置；氣流通道環261與頂板207最遠時，氣流通道環261位於第二位置。
在本實施例中，執行機構包含動力裝置264和複數根活動軸260；活動軸260豎直地穿設殼體205的側壁，嵌入設置在殼體205的側壁內，活動軸260的第一端位於第一環槽270內連接氣流通道環261的底部，活動軸260的第二端位於反應腔外；動力裝置264設置在腔體外部，連接活動軸260的第二端；動力裝置264驅動活動軸260上下運動。較佳的，動力裝置264為馬達或氣缸。
如圖2所示，頂板207還設有均勻分佈的複數個與氣流通道環261位置對應的邊緣氣體注入通道263；透過邊緣氣體注入通道263向下方的第一環槽270內注入反應氣體。複數個氣體通道蓋262用於封堵邊緣氣體注入通道263；一個氣體通道蓋262對應一個邊緣氣體注入通道263；氣體通道蓋262包含通道蓋頂部及通道蓋側壁，其具有頂部封閉的空心腔體結構。通道蓋頂部及/或通道蓋側壁進一步設置有複數個進氣口266，進氣口266連通進氣管線255和邊緣氣體注入通道263。電漿反應氣體從進氣管線255依次通過氣體通道蓋262上的進氣口266、邊緣氣體注入通道263進入反應腔。氣流通道環261位於第一環槽270內在第一位置和第二位置之間重複的上下運動。透過氣流通道環261的運動對反應腔內氣流產生擾動，改變注入反應腔內氣體的流動狀態，進一步加速反應腔內氣體分佈均勻。
圖3示出了本實施例中氣流通道環261底部的一種結構。圖4示出了氣流通道環261與活動軸連接的一種方式。如圖3所示。氣流通道環261底部均勻分佈有複數個第一突起，第一突起可以是偶數個也可以是奇數個，其形狀可以是圓柱形、長方體形、及多棱柱形中的任意一種。一根活動軸對應一個第一突起290。如圖4所示，活動軸的第一端設有同軸且與第一突起290匹配的活動軸 開孔，第一突起290嵌入設置在活動軸開孔內，以實現活動軸連接氣流通道環261。
如圖5所示，在本實施例中，在活動軸上進一步套設有密封圈280，密封圈280位於殼體的側壁和活動軸之間，封隔反應腔與外部環境；一個活動軸可套設一個或多個密封圈280。
在本發明的第二個實施例中，進一步使得注入反應腔內的氣體形成一個環形的渦流，改變氣體流動方向。如圖6所示，氣流通道環361的上表面沿環向設有複數個臺階段；臺階段從臺階段的第一端至臺階段的第二端包含複數個逐級升高的臺階；臺階段的第一端連接相鄰臺階段的第二端。圖6中示出的是氣流通道環的上表面設有兩個臺階段。當電漿反應氣體從進氣管線依次通過氣體通道蓋上的進氣口、邊緣氣體注入通道進入反應腔，由於臺階高度不同，氣體在臺階上產生不同的衝擊力，改變注入氣體的流向，因而使注入的氣體沿氣流通道環的上表面形成一個環形渦流，使得注入的氣體具有更好的均一性。
在本發明的第三個實施例中，第一環槽內設有一個氣流通道環461，動力裝置驅動活動軸繞中心軸螺旋式上下運動。螺旋式上下運動是指活動軸上下運動的同時還繞自身中心軸轉動。如圖7，氣流通道環461的外周設有第一輪齒491。活動軸第一端外壁，從活動軸第一端端面開始設有與第一輪齒491嚙合的第二輪齒492；複數個活動軸嚙合在氣流通道環周圍，活動軸460帶動氣流通道環461上下運動的同時，驅動氣流通道461進一步環繞氣流通道環中心軸轉動。較佳的，在活動軸的第一端設置一個臺階493，第二輪齒492設置在臺階端面與活動軸的第一端端面之間；透過臺階端面對氣流通道環461進一步提供支撐。
在本發明的第四個實施例中，活動軸外部進一步套設有波紋管，一個波紋管對應一個活動軸；波紋管位於殼體側壁和活動軸之間，封隔反應腔與外部環境。
在本發明的第五個實施例中，如圖8所示，較佳的，氣流通道環561的寬度l1小於或等於第一環槽570的寬度l2，使得反應腔不被氣流通道環分隔為上、下兩個空間，保證了反應腔內為注入的氣體提供足夠的流動空間。
如圖9所示，在本發明的第六個實施例中，氣流通道環661沿徑向被分割為四個弧段6611。每個弧段6611底部均連接有活動軸，不同的弧段6611可以由不同的氣缸驅動，實現各個弧段6611各自獨立的上下運動。透過每個弧段6611獨立的上下運動，實現調節反應腔內不同區域的氣流。
在本發明的第七個實施例中，氣流通道環761上表面為外高內低的傾斜面，傾斜面在不同方位角具有不同的傾斜度。外高內低是指，氣流通道環761的上表面，從氣流通道環內側壁向氣流通道環外側壁的方向逐漸升高。如圖10所示，X和Y分別為氣流通道環761的兩個方位向。如圖11所示，在X方位向，氣流通道環761的上表面與水平面具有一個傾斜角；如圖12所示，在Y方位向，氣流通道環761的上表面與水平面具有一個傾斜角。透過向氣流通道環761具有不同傾斜角度的上表面注入反應氣體，以選擇性的補償氣流通道環761下方反應區域的不均勻性。
如圖13所示，在本發明的第八個實施例中，在第一環槽內包含兩個氣流通道環861，兩個氣流通道環861形成同心圓，兩個氣流通道環861的外徑均小於反應腔直徑。兩個氣流通道環861互不干涉，分別由不同的動力裝置驅動實現各自獨立的上下運動，改變反應腔內氣流分佈形態。
本發明進一步提供一種改善電漿反應氣體均一分佈的方法，採用一電漿反應裝置實現，電漿反應裝置包含一個由圓柱形殼體、頂板和襯套包圍 形成的反應腔，頂板構成絕緣材料窗，改善電漿反應氣體均一分佈的方法包含步驟：S1、在襯套內壁的頂部開設與襯套同中心軸的第一環槽；S2、在第一環槽內設置複數個氣流通道環；複數個氣流通道環以反應腔的中心為圓心，形成同心圓結構；氣流通道環與頂板保持一個間距；S3、在反應腔外部設置複數個動力裝置，一個動力裝置對應一個氣流通道環；將複數個活動軸豎直地穿設殼體側壁；活動軸的第一端位於第一環槽內並連接氣流通道環的底部；活動軸的第二端位於反應腔外部並連接動力裝置；S4、在頂板設置均勻分佈的邊緣氣體注入通道，邊緣氣體注入通道與氣流通道環的位置對應；透過邊緣氣體注入通道向反應腔內提供電漿反應氣體；S5、啟動動力裝置，驅動活動軸上下運動，實現對應的氣流通道環在第一環槽內上下運動，改變注入反應腔內氣流的方向。
較佳的，步驟S2進一步包含在氣流通道環的上表面沿徑向設置複數個臺階。
較佳的，步驟S2進一步包含在氣流通道環上的表面設置外高內低的傾斜面。
較佳的，步驟S2進一步包含將氣流通道環沿徑向分割為複數個弧段。
本發明進一步提供另一種改善電漿反應氣體均一分佈的方法，採用一電漿反應裝置實現，該電漿反應裝置包含一個由圓柱形殼體、頂板和襯套包圍形成的反應腔，頂板構成絕緣材料窗，改善電漿反應氣體均一分佈的方法包含步驟： f1、在襯套內壁的頂部開設與襯套同中心軸的第一環槽；f2、將複數個活動軸豎直地穿設殼體側壁；活動軸的第一端外壁設有第二輪齒；活動軸豎直地穿設殼體側壁，活動軸的第一端位於第一環槽內並與頂板保持一個間距，活動軸的第二端位於反應腔外部；f3、在第一環槽內設置一個氣流通道環；在氣流通道環外側壁設置與第二輪齒嚙合第一輪齒；將氣流通道環嚙合設置在活動軸之間；f4、在頂板設置均勻分佈的邊緣氣體注入通道，邊緣氣體注入通道與氣流通道環的位置對應；透過邊緣氣體注入通道及/或氣體注入器向反應腔內提供電漿反應氣體；f5、在反應腔外部設置一個動力裝置，動力裝置連接活動軸的第二端；啟動動力裝置，驅動活動軸繞活動軸的中心軸螺旋式上下運動，實現驅動氣流通道環繞氣流通道環的中心軸螺旋式上下運動，改變注入反應腔內氣流的方向。
與先前技術相比，本發明的電漿反應裝置及改善電漿反應氣體均一分佈的方法，其優點在於，本發明透過將一個氣流通道環設置在反應腔內，並透過動力裝置驅動氣流通道環。將先前技術中設置在腔體側壁的氣體注入通道改為設置在頂板上，並與氣流通道環的位置對應。在氣流通道環的上部注入電漿反應氣體時，動力裝置驅動該氣流通道環上下運動及/或旋轉，實現改變注入反應腔內氣體的流動模式，並加快了注入氣體的擴散速度。同時，本發明的氣流通道環透過設置在襯套頂部，使得氣流通道環下方有足夠的空間實現氣體擴散。透過本發明保證了反應腔內電漿處理器體的均一分佈。
綜上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何本技術領域具有通常知識者在本發明揭露的技術範圍內，可 輕易想到各種等效的修改或替換，這些修改或替換都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以申請專利範圍的保護範圍為準。
140:天線
205:殼體
206:襯套
207:頂板
210:基座
215:夾盤
220:基片
225:抽真空裝置
235:氣體注入器
255:進氣管線
260:活動軸
261:氣流通道環
262:氣體通道蓋
263:邊緣氣體注入通道
264:動力裝置
266:進氣口
270:第一環槽

Claims (14)

  1. 一種改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，包括：一腔體，由一殼體、一頂板和一襯套包圍形成的一反應腔，該頂板構成一絕緣材料窗；該襯套的內側壁的頂部與該絕緣材料窗的底表面共同圍繞構成一第一環槽；一基座，其設置於該反應腔內的該絕緣材料窗下方，用於放置晶圓；該基座下方包括用於抽出該腔體內氣體維持該腔體內低壓的一抽真空裝置；一射頻功率發射裝置，其設置於該絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到該反應腔內；一氣流通道環，設置於該第一環槽內，該氣流通道環與該第一環槽的頂部保持一個間距；該頂板上設有與該氣流通道環的位置對應的複數個邊緣氣體注入通道；透過該邊緣氣體注入通道向下方的該第一環槽內注入一反應氣體；一執行機構，連接該氣流通道環，用以驅動該氣流通道環在該第一環槽內重複的上下運動，改變注入該腔體內的該反應氣體的高度和方向。
  2. 如請求項1所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該第一環槽內設置有複數個氣流通道環；該複數個氣流通道環以該反應腔的中心為圓心，形成同心圓結構，且各該氣流通道環之間無干涉；該複數個氣流通道環的外徑均小於該第一環槽的直徑。
  3. 如請求項2所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該氣流通道環的上表面沿環向設有複數個臺階段；該臺階段從 該臺階段的第一端至該臺階段的第二端包含逐級升高的複數個臺階；該臺階段的第一端連接相鄰該臺階段的第二端。
  4. 如請求項2所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該氣流通道環的上表面為外高內低的一傾斜面，該傾斜面在不同方位角具有不同的傾斜度。
  5. 如請求項2所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該執行機構包含複數個動力裝置和複數個活動軸；該動力裝置設置在該腔體的外部，一個該動力裝置對應一個該氣流通道環；該活動軸豎直穿設該殼體的側壁，該活動軸的第一端位於該第一環槽內連接該氣流通道環的底部，該活動軸的第二端位於該反應腔的外部連接該動力裝置；該動力裝置驅動該活動軸重複的上下運動帶動對應的該氣流通道環重複的上下運動。
  6. 如請求項2所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該氣流通道環沿徑向被分割為複數個弧段。
  7. 如請求項6所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該執行機構包含複數個動力裝置和複數個活動軸；該動力裝置設置在該腔體的外部，一個該動力裝置對應一個該弧段；該活動軸豎直穿設該殼體的側壁，該活動軸的第一端位於該第一環槽內連接該弧段的底部，該活動軸的第二端位於該反應腔的外部連接該動力裝置；該動力裝置驅動該活動軸重複的上下運動帶動對應的該弧段重複的上下運動，實現調節該反應腔內不同區域的氣流。
  8. 如請求項5或請求項7中的任一項所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該動力裝置為馬達或氣缸。
  9. 如請求項5或請求項7中的任一項所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其進一步包含複數個密封圈；該密封圈套設在該活動軸的外部，位於該殼體的側壁和該活動軸之間，封隔該反應腔與外部環境。
  10. 如請求項5或請求項7中的任一項所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其進一步包含複數個波紋管，一個該波紋管對應一個該活動軸；該波紋管套設在該活動軸的外部，位於該殼體的側壁和該活動軸之間，封隔該反應腔與外部環境。
  11. 如請求項1所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其進一步包含複數個氣體通道蓋，用於封堵該邊緣氣體注入通道；一個該氣體通道蓋對應一個該邊緣氣體注入通道；該氣體通道蓋包含一通道蓋頂部及一通道蓋側壁，其具有頂部封閉的空心腔體結構。
  12. 如請求項11所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中該通道蓋頂部及/或該通道蓋側壁進一步設置有複數個進氣口，該複數個進氣口連通一進氣管線和該邊緣氣體注入通道。
  13. 如請求項1所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其進一步包含一反應氣體注入器，設置在該頂板上，用於向該腔體內注入該反應氣體。
  14. 如請求項1所述的改善氣體均一分佈的電漿反應裝置，其中構成該氣流通道環的材料包含塑膠、陶瓷、或金屬鍍陶瓷。
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