KR20080073001A - 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 - Google Patents

반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 Download PDF

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KR20080073001A KR1020070011428A KR20070011428A KR20080073001A KR 20080073001 A KR20080073001 A KR 20080073001A KR 1020070011428 A KR1020070011428 A KR 1020070011428A KR 20070011428 A KR20070011428 A KR 20070011428A KR 20080073001 A KR20080073001 A KR 20080073001A
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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 가스 링에 의하면, 종래 대비 보다 작은 개수의 공정가스 인젝터가 상기 가스 링의 내주면에 비스듬한 각도로 장착되어 있음을 특징으로 한다. 이처럼, 파티클 발생의 원인이 되는 공정가스 인젝터의 개수를 줄임으로써 프로세스 챔버 내부의 파티클 발생률은 최소화할 수 있으며, 상기 공정가스 인젝터의 장착 각도를 비스듬하게 유지함으로써 공정가스 분사력을 극대화하여 웨이퍼 상에 증착되는 물질막의 증착두께 균일도, 증착률 및 퀄리티 저하를 방지하고, 파티클에 의한 설비 교체 비용 및 공정 로스 타임 또한 최소화할 수 있게 된다.
HDP, 공정가스 인젝터, 가스 링, 파티클

Description

반도체 디바이스 제조설비의 가스 링{gas ring of semiconductor device manufacturing equipment}
도 1은 종래 기술에 따른 HDP 장치의 일부로서, 프로세스 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스 링의 평면 구조를 나타낸다.
도 2는 종래 기술에 따른 HDP 장치의 일부로서, 프로세스 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스 링의 사시 구조를 나타낸다.
도 3은 상기 도 2에 도시되어 있는 가스 링의 숏 인젝터를 통해 분사된 공정가스의 흐름을 도식적으로 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스 링이 적용되는 고밀도 플라즈마 CVD 장치를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 링의 평면 구조를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 링의 사시 구조를 나타낸다.
도 7은 상기 도 6에 도시되어 있는 가스 링의 공정가스 인젝터를 통해 분사된 공정가스의 흐름을 도식적으로 나타낸다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 프로세스 챔버 102: 상부전극
104: 하부전극(정전척) 106: 척 조립체
108: 가스 링 110: 공정가스 인젝터
본 발명은 반도체 디바이스 제조설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상부에 물질막을 증착하는 반도체 디바이스 제조설비에 있어서의 가스 링 구조에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 된다. 반도체 디바이스를 제조하기 위한 공정은 크게 반도체 기판 내부로 3B족(예컨대, B) 또는 5B족(예컨대, P 또는 As)의 불순물을 주입하는 불순물 이온주입 공정, 반도체 기판 상부에 물질막을 형성하는 증착(deposition)공정, 상기 증착공정으로 형성된 물질막을 원하는 패턴으로 형성하는 식각 공정, 그리고 웨이퍼 표면에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 공정을 비롯하여 불순물 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 공정등과 같은 여러 단위 공정들로 이루어져 있다. 따라서, 반도체 디바이스는 상기와 같은 여러 단위 공정들을 선택적으로 반복 실시함으로써 제조하게 된다. 그리고, 반도체 디바이스로 완성되기까지 웨이퍼는 복수개 단위로 카세트 에 탑재되어 상기 각 단위 공정이 진행되는 제조설비, 즉 프로세스 챔버 내부로 이송된다.
한편, 반도체 기판 상부에 물질막을 형성하는 증착 공정에 있어서, 고밀도 플라즈마(High Density Plasma:HDP) 장치를 이용한 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition:CVD) 공정은 메탈층과 메탈층 사이에 실리콘산화막(SiO2)등의 절연층을 형성하여 메탈층 사이의 스페이스를 필링하기 위한 산화막 증착 공정등에 사용된다. 상기 HDP 장치에 있어서 고밀도 플라즈마 형성을 위한 공정가스는 가스 링을 통하여 공급되는데, 상기 가스 링에는 24개의 공정가스 인젝터 및 상기 공정가스 인젝터가 장착되는 노즐 홀이 형성되어 있다.
하기 도 1 및 도 2에는 종래 기술에 따른 HDP 장치의 일부로서, 프로세스 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스 링(12)의 평면 구조 및 사시 구조가 및 평면 구조가 도시되어 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 원통형상의 프로세스 챔버(도시되지 않음) 내부에 웨이퍼가 로딩되는 정전척(10)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 정전척(10) 주위에 환상(ring shape) 구조의 가스 링(12)이 형성되어 있고, 상기 가스 링(12)에는 16개의 숏 인젝터(short injector:14), 4개의 미들 인젝터(middle injector:16) 및 4개의 롱 인젝터(long injector:18)가 형성되어 있다. 따라서, 상기 각각의 인젝터(14,16,18)를 통해 플라즈마 형성을 위한 공정가스가 공급됨으로서, 상기 정전척(10) 상부에 로딩되는 웨이퍼 상부에 물질막이 증착되는 것이다.
한편, 상기와 같은 HDP 장치를 이용하여 웨이퍼 상부에 원하는 두께의 물질층을 형성한 후에는 프로세스 챔버 내부를 비롯하여 플라즈마 형성을 위한 공정가스가 공급되었던 상기 가스 링(12)에 대하여 클리닝 공정을 실시하게 된다. 통상적으로, 약 16000매의 웨이퍼에 대해 고밀도 플라즈마 CVD 공정을 완료한 후에 상기 가스 링(12)에 대하여 클리닝 공정을 진행하게 된다.
그러나, 상기 도 1 및 도 2에 도시되어 있는 것과 같이, 종래 기술에 따른 상기 가스 링에는 모두 24개의 공정가스 인젝터가 형성되어 있다. 통상적으로, 상기 공정가스 인젝터는 세라믹 재질로 형성하게 되는데, 이처럼 세라믹 재질의 공정가스 인젝터는 파티클 소오스가 된다. 따라서, 공정가스 인젝터의 개수에 비례하여 프로세스 챔버 내부에 파티클이 증가하게 되는데, 이러한 파티클이 상기 공정가스 인젝터 내부로 침투할 경우 공정가스 공급이 원활히 이루어지지 못하게 되어 물질막의 증착두께 균일도, 증착률 및 물질막의 퀄리티가 저하되는 문제점이 있다.
또한, 상기 도 2를 통해 알 수 있는 것과 같이, 상기 가스 링(12)에 형성되어 있는 상기 공정가스 인젝터중 숏 인젝터(14)들은 수평으로 형성되어 있다. 따라서, 웨이퍼가 로딩되는 상기 정전척(10)의 측면으로 공정가스를 수평 분사하게 된다.
하기 도 3에는 상기 숏 인젝터(14)를 통해 분사된 공정가스의 흐름이 도식적으로 나타나 있다.
도 3에 도시된 것과 같이, 상기 숏 인젝터(14)를 통해 예컨대 사일렌(SiH4) 가스가 정전척(10)의 측면으로 분사될 경우, 상기 사일렌 가스가 정전척(10)과 웨이퍼 사이의 틈새(참조부호 A)로 침투하여 파우더를 유발하게 된다. 그리고, 이러한 파우더는 결국 파티클로서 작용하게 되어 설비 오류를 초래하고, 그로 인하여 공정 로스 타임을 증가시켜 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성 저하를 야기시킨다.
상기와 같은 종래의 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 웨이퍼 상에 증착되는 물질막의 증착두께 균일도, 증착률 및 퀄리티 저하를 방지할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 프로세스 챔버 내부로 주입된 공정가스가 정전척과 웨이퍼 사이의 틈새로 침투하여 파우더를 유발하는 문제점을 해소할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 프로세스 챔버 내부에 대한 파티클 다운을 최소화할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 소수의 공정가스 인젝터를 이용하면서도 공정가스 분사력을 극대화할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 공정 로스 타임을 최소화할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 디바이스의 생산성 및 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조를 제공함에 있다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링 구조는, 프로세스 챔버 내부의 정전척 주변에 형성되어 있는 환상 구조의 가스 링 본체; 및 상기 프로세스 챔버 내부로 물질막 증착을 위한 공정가스를 공급하기 위하여, 상기 가스 링 본체의 내측면에 비스듬한 각도로 형성되어 있는 다수개의 공정가스 인젝터를 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조설비는, 밀폐된 분위기의 프로세싱 공간을 구획하는 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버 내부의 상측 영역에 형성되어 있으며, 플라즈마 형성을 위한 고주파 파워가 인가되는 상부전극; 상기 프로세스 챔버 내부의 하측 영역에 형성되어 있으며, 상기 상부전극에 대응하는 고주파 파워가 인가되는 하부전극으로서 기능하는 정전척; 및 상기 상부전극과 정전척 사이의 프로세싱 공간으로 플라즈마 형성을 위한 공정 가스를 공급하기 위한 다수개의 공정가스 인젝터가 비스듬한 각도로 장착되어 있는 가스 링을 포함함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 카테고리를 벗어나지 않는 범위내에서 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예 는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 4에는 본 발명의 실시예에 따른 가스 링이 적용되는 고밀도 플라즈마 CVD 장치가 도시되어 있다.
도 4를 참조하면, 상기 고밀도 플라즈마 CVD 장치에는 밀폐된 분위기의 프로세싱 공간을 구획하는 프로세스 챔버(100)가 형성되어 있다. 상기 프로세스 챔버(100)의 상측 영역에는 고주파 파워가 인가되는 돔(dome) 형상의 상부전극(102)이 구비되어 있다. 그리고, 상기 상부전극(102) 하측 영역에는 프로세스 챔버(100) 내부로 투입되는 웨이퍼(도시되지 않음)를 상기 상부전극(102)에 대향하도록 흡착 고정시키며, 상기 상부전극(102)에 대응하는 고주파 파워가 인가되는 하부전극으로서 기능하는 정전척(104)을 포함하는 척 조립체(106)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 상부전극(102)의 말단지점에는 가스 링(108)이 형성되어 있다. 상기 가스 링(108)은 상부전극(102) 및 정전척(104) 사이에 플라즈마 형성을 위한 공정가스를 공급하기 위한 공정가스 공급장치로서, 균일한 간격으로 배치된 복수개의 공정가스 인젝터(110)가 형성되어 있다. 그리고, 가스 링(108)의 내측벽에는 상기 공정가스 인젝터(110)가 장착되는 결합홀(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 공정가스 인젝터(110)는 본 발명에 따른 가스 링(108)을 구성하는 핵심 구성요소로서, 환상 구조의 가스 링(108)을 따라 공정가스 인젝터(110)가 방사상으로 형성되어 있다. 그리고, 상기 공정가스 인젝터(110)는 소정의 각도로 비스듬하게 장착되어 있다. 이처럼, 종래에 비하여 공정가스 인젝터의 개수를 줄이고, 그 장착 각도를 종래에서와 같은 수평이 아닌 소정의 각도를 가지도록 함으로써, 프로세스 챔버 내부에서의 파티클 발생률을 최소화하고 있다.
그러면, 하기 도 5 및 도 6을 참조하여, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 링(108)의 구조를 보다 구체적으로 살펴보기로 하자. 도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상기 가스 링(108)의 평면 구조 및 사시 구조를 나타낸다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 원통형상의 프로세스 챔버(도시되지 않음) 내부에 웨이퍼가 로딩되는 정전척(104)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 정전척(104) 주위에 환상(ring shape) 구조의 가스 링(108)이 형성되어 있으며, 상기 환상 구조를 이루고 있는 가스 링(108)의 내주면을 따라 8개의 공정가스 인젝터(110)가 형성되어 있다. 따라서, 상기 공정가스 인젝터(110)를 통해 플라즈마 형성을 위한 공정가스가 공급됨으로서, 상기 정전척(104) 상부에 로딩되는 웨이퍼 상부에 물질막이 증착되는 것이다. 예컨대, 상기 공정가스 인젝터(110)는 세라믹 재질로 형성할 수 있으며, 상기 공정가스 인젝터(110)를 통해 산소(O2) 및 사일렌(SiH4) 가스가 공급될 수 있다.
상기 세라믹 재질로 이루어진 공정가스 인젝터(110)는 불가피하게 파티클 소오스로서 작용하게 된다. 따라서, 공정가스 인젝터의 개수에 비례하여 프로세스 챔버 내부에 파티클이 증가하게 된다. 따라서, 본 발명에서는 프로세스 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 상기 공정가스 인젝터(110)의 개수를 종래 대비 1/3 수준으로 줄여 전체 8개로 형성함으로써, 프로세스 챔버 내부의 파티클 발생률을 낮추고 있다.
또한, 프로세스 챔버 내부에 존재하는 파티클이 공정가스 인젝터 내부로 침투할 경우 공정가스 공급이 원활히 이루어지지 못하게 되어 물질막의 증착두께 균일도 및 물질막의 퀄리티가 저하되는 문제점이 있다. 그러나, 본 발명에서는 종래에 비하여 파티클을 유발하는 공정가스 인젝터(110)의 개수를 월등히 줄임으로써, 상기와 같은 종래의 문제점들을 해소할 수 있게 된다.
그리고, 도 6에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 상기 공정가스 인젝터(110)는 상기 가스 링(108)의 내주면에 약 45°각도를 이루며 장착되어 있는 것이 특징이다.
종래 기술에 따른 가스 링 구조에 의하면, 전체 24개의 공정가스 인젝터중 사일렌 가스가 분사되는 일부 공정가스 인젝터가 수평으로 형성되어 있다. 따라서, 웨이퍼가 로딩되어 있는 정전척의 측면으로 사일렌 가스가 수평으로 분사되고, 그로 인해 정전척과 웨이퍼 사이의 틈새로 사일렌 가스가 침투하여 파우더를 유발하게 된다.
따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하고자, 상기 공정가스 인젝터(110)를 상기 가스 링(108)의 내주면에 약 45°각도로 장착한 것이다. 이처럼, 상기 공정가스 인젝터(110)를 상기 가스 링(108)의 내주면에 약 45°각도로 형성할 경우, 상기 공정가스 인젝터(110)로부터 공급되는 공정가스 또한 프로세스 챔버 내부에 사선으로 분사된다.
하기 도 7에는 상기 공정가스 인젝터(110)를 통해 분사된 공정가스의 흐름이 도식적으로 나타나 있다.
도 7에 도시된 것과 같이, 상기 공정가스 인젝터(110)를 통해 공급되는 공정가스(예컨대, 사일렌 가스)는 상기 공정가스 인젝터(110)의 장착 각도에 따라 프로세스 챔버 내부에 약 45°각도를 가지며 사선으로 분사된다. 이처럼, 상기 공정가스가 프로세스 챔버 내부에 사선으로 분사될 경우, 상기 정전척(104)과 웨이퍼 사이의 틈새(참조부호 B)로의 공정가스 침투가 방지되어, 상기 정전척과 웨이퍼 사이에 파우더가 유발되는 종래의 문제점을 해소할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 링의 구조적 특징은, ① 상기 공정가스 인젝터의 개수를 종래에 비하여 현저히 줄이고, ② 상기 공정가스 인젝터를 가스 링의 내주면에 소정의 각도로 형성한 것이다.
본 발명에서와 같이, 상기 공정가스 인젝터(110)의 개수를 종래에 비하여 현저히 줄인 것은 파티클을 발생시키는 파티클 소오스를 줄인 것과 동일한 효과를 기대할 수 있다. 따라서, 상기 가스 링에 장착되는 공정가스 인젝터(110)의 개수를 줄임으로써(종래:24EA → 본 발명:8EA), 프로세스 챔버 내부에서의 파티클 발생률을 크게 낮출 수 있게 된다. 그리고, 이처럼 프로세스 챔버 내부에서의 파티클 발생률을 낮춤으로써, 공정가스 인젝터(110) 내부로 파티클이 침투하는 문제점 및 그로 인해 공정가스 공급이 원활히 이루어지지 못하게 되어 물질막의 증착두께 균일도 및 물질막의 퀄리티가 저하되는 종래의 문제점을 해소할 수 있게 된다. 실질적으로, 본 발명에서와 같은 구조로 가스 링을 구현할 경우, 종래의 물질막 증착률 4680Å/min이 5100Å/min 으로 증가하는 것을 밝혀졌다.
그리고, 상기 공정가스 인젝터의 개수를 줄일 경우, 상기 공정가스 인젝터에 대한 클리닝 시간을 단축시켜 전체적인 공정 로스 타임을 줄일 수 있고, 상기 공정가스 인젝터 교체에 따른 생산 비용 또한 절감할 수 있는 부수적인 장점을 얻을 수 있게 된다.
그리고, 상기 가스 링(108)의 내주면에 공정가스 인젝터(110)를 소정의 각도를 이루도록 형성할 경우, 프로세스 챔버 내부로 공급된 공정가스가 수평 상태로 분사되는 경우에 비하여 고루 분사되는 장점이 있다. 따라서, 종래에 비하여 공정가스 인젝터의 개수를 감소시킴으로써 원활한 공정가스 공급이 우려될 수 있으나, 본 발명에서와 같이 상기 공정가스 인젝터(110)의 개수를 줄이는 대신 상기 공정가스 인젝터(110)의 공정가스 분사력을 극대화함으로써, 감소된 공정가스 인젝터의 역할을 충분히 보완할 수 있게 된다. 그리고, 상기 공정가스 인젝터(110)를 통해 공급되는 공정가스는 상기 공정가스 인젝터(110)의 장착 각도에 따라 프로세스 챔버 내부에 약 45°각도를 가지며 사선으로 분사된다. 따라서, 상기 프로세스 챔버 내부로의 분사력은 극대화하면서도 상기 정전척(104)과 웨이퍼 사이의 틈새(참조부호 B)로 공정가스가 침투되는 것을 방지하여 상기 정전척과 웨이퍼 사이에 파우더가 유발되는 종래의 문제점을 해소할 수 있게 된다.
한편, 상기 실시예에서는 8개의 공정가스 인젝터(110)가 약 45°각도로 장착되어 있는 가스 링(108)을 제시하고 있다. 그러나, 상기 공정가스 인젝터(110)의 개수 및 그 장착 각도는 충분히 가변적인 것으로서, 공정 설비의 특성에 따라 상기 공정가스 인젝터의 개수 및 그 장착 각도는 얼마든지 변형될 수 있을 것이다. 예컨대, 상기 공정가스 인젝터는 가스 링의 내주면에 방사상으로, 예컨대 상하좌우 네 영역에 각각 하나씩 형성하여 모두 4개로 형성하거나, 동일한 간격으로 모두 3개로 형성할 수도 있을 것이다. 그리고, 상기 공정가스 인젝터의 장착 각도는 웨이퍼가 로딩되는 정전척의 측면으로 공정가스가 직접 분사되지 않는 10°~ 80°사이에서 자유롭게 조절할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명에서는, 프로세스 챔버 내부로 물질막 증착을 위한 공정가스를 공급하는 가스 링을 구현함에 있어서, 종래 대비 공정가스 인젝터의 개수는 줄이면서도 상기 공정가스 인젝터를 비스듬한 각도로 장착한다. 그 결과, 프로세스 챔버 내부의 파티클 발생률은 최소화하면서도 공정가스 분사력을 극대화함으로써, 웨이퍼 상에 증착되는 물질막의 증착두께 균일도 및 퀄리티 저하를 방지하고, 파티클에 의한 설비 교체 비용 및 공정 로스 타임을 최소화할 수 있게 된다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼 상부에 물질막을 증착하기 위한 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링에 있어서:
    프로세스 챔버 내부의 정전척 주변에 형성되어 있는 환상 구조의 가스 링 본체; 및
    상기 프로세스 챔버 내부로 물질막 증착을 위한 공정가스를 공급하기 위하여, 상기 가스 링 본체의 내측면에 비스듬한 각도로 형성되어 있는 다수개의 공정가스 인젝터를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 방사상으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 10°~ 80°각도 범위 내에서 비스듬히 장착함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 45°각도로 비스듬히 장착함을 특 징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 플라즈마 형성을 위해 프로세스 챔버 내부로 공급되는 공정가스는 O2 및 SiH4 임을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 세라믹 재질로 형성함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 가스 링 본체에는 상기 공정가스 인젝터가 장착되는 결합홀이 더 형성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링.
  8. 웨이퍼 상부에 물질막을 증착하기 위한 반도체 디바이스 제조설비에 있어서:
    밀폐된 분위기의 프로세싱 공간을 구획하는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내부의 상측 영역에 형성되어 있으며, 플라즈마 형성을 위한 고주파 파워가 인가되는 상부전극;
    상기 프로세스 챔버 내부의 하측 영역에 형성되어 있으며, 상기 상부전극에 대응하는 고주파 파워가 인가되는 하부전극으로서 기능하는 정전척; 및
    상기 상부전극과 정전척 사이의 프로세싱 공간으로 플라즈마 형성을 위한 공정 가스를 공급하기 위한 다수개의 공정가스 인젝터가 비스듬한 각도로 장착되어 있는 가스 링을 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 방사상으로 형성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 10°~ 80°각도 범위 내에서 비스듬히 장착함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 45°각도로 비스듬히 장착함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 플라즈마 형성을 위해 프로세스 챔버 내부로 공급되는 공정가스는 O2 및 SiH4 임을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 공정가스 인젝터는 세라믹 재질로 형성함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.
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