JP2008108811A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プロセスガスを効率よく使用することができるとともに、エッチング特性（エッチングレート）のバラツキを抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、チャンバ１２と、チャンバ１２の上方に設けられたドーム型のベルジャ１３と、基板２３を載置固定するステージ１４と、プラズマの空間分布を制御するとともに基板２３の周囲に設けられたフォーカスリング１５と、処理室２１の中にプロセスガスを供給するガス供給口１６と、処理室２１内の使用済みのプロセスガスを排気するガス排気口１７とを有する。フォーカスリング１５は、基板２３の上方が開口しており、更に、この開口する内壁に使用済みのプロセスガスを排気する流路が形成されている。プロセスガスは、基板２３の上方に集中したあと、流路を通ってチャンバ１２の下方に吸引される。
【選択図】図１

Description

本発明は、プロセスガスをプラズマ化して基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関する。

上記したプラズマ処理装置は、例えば、電子サイクロトロン共鳴を起こさせてプラズマを発生させるＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）方式が用いられ、基板上に形成された被処理膜をプラズマエッチング処理によってパターンニングを行う。プラズマ処理装置は、例えば、図６（ａ）に示すように、密閉された処理室１１１を構成するチャンバ１１２及びドーム型のベルジャ１１３と、基板１１４を載置するためのステージ１１５と、処理室１１１にプロセスガスを供給するガス供給口１１６と、処理済みのプロセスガスを排出するガス排気口１１７とを有する。更に、プラズマ処理装置１０１は、処理室１１１にマイクロ波を導入する導波管１１８と、ベルジャ１１３の周囲に配置され処理室１１１に磁場を形成する電磁コイル１１９とを有する。図６（ａ）は、プラズマ処理装置１０１の構造を示す模式断面図である。

プロセスガスは、ベルジャ１１３の下方における内周近傍に亘って設けられたガス供給口１１６によって、処理室１１１に吐出されるようになっている。そして、プロセスガスは、ベルジャ１１３内の上方でプラズマ化される。また、処理済みのプロセスガスは、チャンバ１１２の下方に設けられたガス排気口によってステージ１１５の周囲から下方に引かれて排出されるようになっている。

プラズマエッチング処理は、基板１１４と接触するプロセスガスの質や量によって、エッチングレートにバラツキが生じる。そこで、特許文献１に記載のように、エッチングレートのバラツキを抑えるべく、プラズマの空間分布を制御して基板１１４面内の被処理膜を均一にエッチングできるように、基板１１４の外周に沿って環状のフォーカスリング１２１が配置される。

フォーカスリング１２１には、図６（ｂ）に示すように、処理室１１１にプロセスガスを供給したり処理済みのプロセスガスを排気したりするための貫通孔１２２が、フォーカスリング１２１の全周に亘って複数形成されている。

特開２００４−２００３３７号公報

しかしながら、ガス供給口１１６と被処理膜が形成された基板１１４との間にガス排気口１１７があることから、プロセスガスが処理室１１１の中央に供給される前に、ガス排気口１１７によって排気されるプロセスガスがあり、これにより、プロセスガスが無駄に供給されるという問題がある。また、フォーカスリング１２１に形成された貫通孔１２２がプロセスガスの供給と排気とを兼ねているので、プロセスガスの供給と排気とのバランスが崩れ、処理済みのプロセスガスが排気されにくかったりプロセスガスの質が安定しなかったりする場合がある。これにより、エッチングレートにバラツキが生じるという問題がある。

本発明は、プロセスガスを効率よく使用することができるとともに、エッチング特性（エッチングレート）のバラツキを抑えることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係るプラズマ処理装置は、プロセスガスをプラズマ化させて基板上に形成された被処理膜にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理前の前記プロセスガスである第１ガスを処理室の中に供給するガス供給口と、処理済みのプロセスガスである第２ガスを前記処理室の外に排気するガス排気口と、前記基板を載置固定するステージと、前記ガス供給口と前記ガス排気口との間及び前記基板の周囲に配置され、前記第１ガスと前記第２ガスとの混在が抑えられるとともに、前記第１ガスが前記基板上を通って排気される流路が形成されたフォーカスリングと、を有することを特徴とする。

この構成によれば、基板の周囲に配置されたフォーカスリングによって第１ガスと第２ガスとが混在することを抑えているので、第１ガス及び第２ガスの供給から排気までの流れを一方向に近づけることが可能となり、被処理膜にプラズマ処理を施した際の、例えば、第１ガスの質に起因するエッチングレートのバラツキを抑えることができる。更に、フォーカスリングによって第１ガスが基板上を通って排気されるので、基板上を通らずに排気されることと比較して、第１ガスを必要以上に流すことが抑えられ、第１ガスが無駄に排気される量を少なくすることができる。その結果、第１ガスを効率良く使用することができる。

本発明に係るプラズマ処理装置では、前記フォーカスリングは、前記基板の上方に相当する部分が開口されており、前記開口する側壁における前記基板の近傍に前記流路が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、フォーカスリングにおける基板上方が開口しているので、第１ガスを基板上の領域に絞って（集中するように）流すことが可能となり、処理前の第１ガスと処理済みの第２ガスとが混在することを抑えることができる。これにより、第１ガスの質に起因する、例えば、エッチングレートのバラツキを抑えることができる。

本発明に係るプラズマ処理装置では、前記開口する側壁に形成された前記流路は、前記第１ガス及び前記第２ガスが前記基板の全周に亘って均一に流れるように、前記側壁の全周に形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、フォーカスリングにおける開口する側壁の全周に第２ガスを排気する流路が形成されているので、基板全体に亘って均一に第１ガスを接触させ続けることが可能となる。よって、第１ガスの質や量に起因する、例えば、エッチングレートのバラツキを抑えることができる。

本発明に係るプラズマ処理装置では、前記フォーカスリングは、外周方向に配置される第１リングと、内周方向に配置される第２リングとによって構成され、前記流路は、前記第１リングと前記第２リングとを組み合わせたときに生じる隙間を利用することを特徴とする。

この構成によれば、第１リングと第２リングとを組み合わせてフォーカスリングを構成し、組み合わせた際に生じる隙間を流路としているので、被処理膜にプラズマ処理を施して排気した際に、流路にデポ物が付着したとしても、第１リングと第２リングとを分離することで、デポ物の除去をしやすくすることができる。その結果、メンテナンスにかかる時間を短縮することができる。加えて、第１リングと第２リングとが分離可能になっているので、例えば、プラズマ処理によってどちらかが磨耗したとしても、片側だけを交換することにより対応でき、かかるコストを抑えることができる。更に、フォーカスリングに、例えば、曲がった孔や溝を形成するのに、第１リングと第２リングとを別々に加工することにより、製作しやすくすることができる。

本発明に係るプラズマ処理装置では、前記フォーカスリングは、前記ガス供給口の近傍部分がテーパ及びアールの少なくとも一方が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、フォーカスリングにおけるガス供給口に近い部分がテーパやアールになっているので、ガス供給口から吐出される第１ガスが、フォーカスリングと接触した際に滞留することが抑えられ、処理室に供給しやすくすることができる。

本発明に係るプラズマ処理装置では、前記流路は、丸孔、楕円孔、スリット孔、のうちいずれかであることを特徴とする。

この構成によれば、それぞれの形状の流路を形成することにより、プロセスガスの排気状態を考慮して排気しやすくさせることができる。また、流路の形状によって、メンテナンス性を高めることが可能となる。

以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しながら説明する。

（第１実施形態）
図１は、プラズマ処理装置の構造を示す模式図である。以下、プラズマ処理装置の構造を、図１を参照しながら説明する。

図１に示すように、プラズマ処理装置１１は、例えば上記したように、電子サイクロトロン共鳴を起こさせてプラズマを発生させるＥＣＲ方式であり、チャンバ１２と、ベルジャ１３と、ステージ１４と、フォーカスリング１５と、ガス供給口１６と、ガス排気口１７と、導波管１８と、電磁コイル１９とを有する。

チャンバ１２は、プラズマ処理装置１１における下側に配置されており、略円筒状に形成されている。

ベルジャ１３は、チャンバ１２の上方にチャンバ１２と連続するように設けられており、例えば、上部が閉塞されたドーム型（半球状）に形成されている。ベルジャ１３は、例えば、材質が石英で構成されている。ベルジャ１３には、マイクロ波供給源（図示せず）と接続された導波管１８（高周波導入管）が設けられている。マイクロ波供給源によって発生したマイクロ波は、ベルジャ１３とチャンバ１２とで画成される処理室２１（反応室）に供給される。また、チャンバ１２とベルジャ１３とは、例えばＯリング２２等のシール材によって、気密性（密着性）が保持されている。

ステージ１４は、チャンバ１２の中に設けられており、基板２３を載置固定するために用いられる。基板２３を固定する手段として、例えば、静電吸着式が挙げられる。ステージ１４は、例えば、基板２３を上下させるために、昇降可能に設けられている。また、ステージ１４には、基板２３にイオンを引き込むための高周波（ＲＦ）電源２４が接続されている。ステージ１４には、基板２３にエッチング処理を施す際、高周波電源２４によって、例えば、数百ＫＨｚ〜数ＭＨｚの高周波電圧が印加される。ステージ１４の周囲には、基板２３を囲むようにしてフォーカスリング１５が配置されている。また、ステージ１４は、ステージ１４上における基板２３の周囲に設けられた支持部材２５を介して、フォーカスリング１５と密着する。

フォーカスリング１５は、処理室２１におけるプラズマの空間分布を制御する目的で使用され、プラズマを処理室２１の中心に凝集させることが可能となっている。フォーカスリング１５は、例えば、石英などの絶縁材料で構成されており、チャンバ１２に固定されている。

ガス供給口１６は、処理室２１の中に処理前のプロセスガスである第１ガスを供給するために用いられ、チャンバ１２上に環状に配置されている。ガス供給口１６は、例えば、ベルジャ１３内の下方における内周近傍からベルジャ１３内の中央に向かって第１ガスが流れるように配置されている。第１ガスは、基板２３上に形成された被処理膜の種類によって、適宜選定される。

ガス排気口１７は、処理室２１から外部に処理済みのプロセスガスである第２ガスを排気するために用いられ、例えば、チャンバ１２の下方に設けられている。また、ガス排気口１７は、図示しないガス排気装置に接続されている。この排気装置を作動させることにより、処理室２１内を所定の真空度まで減圧させることが可能となっている。

導波管１８は、マイクロ波を処理室２１の中に導入するために用いられ、例えば、ベルジャ１３の上部に設けられている。また、導波管１８は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源（図示せず）に接続されている。

電磁コイル１９は、処理室２１に磁場を発生させるために用いられ、ベルジャ１３の周囲に巻装されている。電磁コイル１９に電流を流すことによって、ベルジャ１３の側壁を介して、処理室２１に磁場が形成されるようになっている。

以上のような、ＥＣＲ型のプラズマ処理装置１１は、導波管１８から供給されるマイクロ波の周波数と電子サイクロトロン運動の周波数とが一致する処理室２１の空間において共鳴が起こる。この位置では、電子エネルギが最大となり、プラズマ密度が最も高いプラズマ領域を構成する。なお、このプラズマ領域を、ＥＣＲ面（プラズマ生成部位）と呼ぶ。

ガス供給口１６から供給された第１ガスは、電磁コイル１９への高周波通電により発生する磁場と導波管１８（マイクロ波供給源）からのマイクロ波とによりプラズマ化される。基板２３表面の被処理膜は、プラズマ中のラジカルと化学的に反応し、更に、ステージ１４へ周期的に印加される負電位を受けて基板２３上へ流入するプラズマ中のイオンによるスパッタ作用でエッチングされる。

図２は、フォーカスリングの構造を示す模式図である。（ａ）は、フォーカスリングを上方から見た平面図である。（ｂ）は、フォーカスリングの構造を示す模式断面図である。（ｃ）は、フォーカスリングを斜め上方から見た斜視図である。以下、フォーカスリングの構造を、図２を参照しながら説明する。

図２に示すように、フォーカスリング１５は、略円筒形に形成されており、第１ツバ３１と、流路３２と、第２ツバ３３とを有する。

第１ツバ３１は、フォーカスリング１５の上部外周に形成されており、チャンバ１２に固定するために用いられる。

流路３２は、例えば、８つの流路３２ａ〜３２ｈを有する。流路３２は、それぞれフォーカスリング１５の側壁としての内壁１５ａから底面１５ｂにかけて略９０°に曲げられて形成されている。また、流路３２の断面形状は、例えば、丸形状である。

第２ツバ３３は、フォーカスリング１５の内周上側に形成されており、チャンバ１２に固定した際、ステージ１４上に設けられた支持部材２５と密着させる（支持させる）ために用いられる。

このようなフォーカスリング１５をプラズマ処理装置１１に配置することにより（図１参照）、フォーカスリング１５の上方にある第１ガスを、流路３２を通ってフォーカスリング１５の下方に排気させる、つまり、フォーカスリング１５に排気口の役割を備えさせることにより、第１ガス及び第２ガスの流れを一方向にさせることが可能となる。よって、第１ガス及び第２ガスの供給と排気とのバランスを崩すことが抑えられ、第１ガスと第２ガスとが混在することを抑えることができる。これにより、エッチング特性（エッチングレート、均一性など）に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。その結果、第１ガスを必要な量だけ供給すればよく、効率的に使用することができる。

加えて、ステージ１４を上下に昇降させた際の稼動誤差が生じていたり、各部品の寸法にバラツキが生じていたりしたとしても、第１ガス及び第２ガスの流れに影響を与えることなく、更に、エッチングレートに悪影響を及ぼすことを抑えることができる。

次に、図１及び図２を参照しながら、プラズマ処理装置１１の処理動作について説明する。まず、図示しないガス排気装置によって、処理室２１を排気して所定の減圧状態にする。次に、例えば、エッチングに用いられる所定の第１ガスを、ガス供給口１６からベルジャ１３内に供給する。また、ステージ１４には、高周波電力が供給される。そして、導波管１８からベルジャ１３内（処理室２１）にマイクロ波を導入して、ベルジャ１３周囲に配置された電磁コイル１９により形成する磁場との共鳴（ＥＣＲ）により、処理室２１の第１ガスをプラズマ化する。このプラズマを利用してエッチングを行う。

また、処理室２１のプラズマは、フォーカスリング１５によって基板２３周辺に凝集される。プラズマ密度の最も高いＥＣＲ面は、例えば、電磁コイル１９へ通電される高周波電流を制御することによって、フォーカスリング１５の頂部よりも高い位置に形成されている。

また、基板２３に形成された被処理膜へのエッチング処理に伴って発生する処理後の第２ガス（反応生成ガス）は、流路３２を通ってガス排気口１７からプラズマ処理装置１１の外部へ排気される。

以上詳述したように、第１実施形態のプラズマ処理装置１１によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態によれば、基板２３の周囲に配置されるとともに基板２３の上方が開口するフォーカスリング１５を処理室２１に配置することにより、処理前のプロセスガスである第１ガスが基板２３上の領域に集中し、その後第２ガスとなって、フォーカスリング１５の内壁１５ａに設けられた流路３２を通ってチャンバ１２の下方に吸引される。よって、第１ガス及び第２ガスの流れを一方向に流すことが可能となり、第１ガス及び第２ガスの供給と排気とのバランスを保ち、第１ガスと第２ガスとが混在することを抑えることができる。これにより、例えば、基板２３にプラズマエッチング処理を施した際の、第１ガスの質に起因するエッチングレートのバラツキを抑えることができる。更に、第１ガスが基板２３上に絞られてから排気されるので、基板２３上を通らずに排気されることと比較して、第１ガスを必要以上に流すことを抑えることが可能となる。これにより、第１ガスが無駄に排気される量を少なくすることが可能となり、その結果、プロセスガス（第１ガス）を効率良く使用することができる。

（第２実施形態）
図３は、第２実施形態のフォーカスリングの構造を示す模式図である。（ａ）は、フォーカスリングの構造を示す模式断面図である。（ｂ）は、フォーカスリングを構成する第１リングの構造を示す模式断面図である。（ｃ）は、（ｂ）のフォーカスリングを上方から見た模式平面図である。（ｄ）は、フォーカスリングを構成する第２リングの構造を示す模式断面図である。（ｅ）は、（ｄ）のフォーカスリングを上方から見た模式平面図である。以下、第２実施形態のフォーカスリングの構造を、図３を参照しながら説明する。なお、第２実施形態のフォーカスリング５１は、上記した第１実施形態のフォーカスリング１５が一体型であることに対し、分離型であることが異なっている。なお、第１実施形態と同様の構成要素には同じ符合を付し説明は省略する。以下、第１実施形態と異なる部分を主に説明する。

図３に示すように、フォーカスリング５１は、第１リング５２と、第２リング５３とを有する。

第１リング５２は、上記したように、フォーカスリング５１を構成する一つである。第１リング５２の中央部は、略基板２３の大きさに相当する第１開口孔５４が形成されている。また、第１リング５２の下側は、第２リング５３を収納するために、所定の厚みを残して円柱状にくり貫かれている。このくり貫かれた部分を、第２開口孔５５とする。

第２リング５３は、フォーカスリング５１を構成する一つであり、第１リング５２の内側に配置される。第２リング５３は、第１リング５２と同じように、略基板２３の大きさに相当する第３開口孔５６が、第２リング５３における中央部に形成されている。また、第２リング５３は、プラズマ処理装置１１に配置した際、ステージ１４と密着させるための第２ツバ３３を残して円柱状にくり貫かれている。このくり貫かれた部分を第４開口孔５７とする。

以上のように、フォーカスリング５１は、第１リング５２と第２リング５３とを組み合わせることで構成される。なお、第１リング５２は、第１ツバ３１によってチャンバ１２の上部に固定される。一方、第２リング５３は、第２ツバ３３によって、ステージ１４上の支持部材２５に密着固定される。

また、フォーカスリング５１は、第１リング５２と第２リング５３との間に、隙間ができるように配置されている。この隙間が、第２ガスを排気する流路６１となる。第２実施形態の流路６１の形状は、第１実施形態の流路３２と異なり、フォーカスリング５１の全周に亘って流路６１となる溝（スリット）が形成されている。この溝は、例えば、内壁５１ａから底面５１ｂにかけて略９０°に曲げられて形成されている。

このようなフォーカスリング５１をプラズマ処理装置１１に配置することにより、プラズマ処理を行った際に発生するデポ物（反応生成物）が流路６１の側壁に付着したとしても、第１リング５２と第２リング５３とを分離することが可能となっているため、第１実施形態のような一体型のフォーカスリング１５と比べて、容易に除去することができる。よって、メンテナンス性を向上させることができる。

以上詳述したように、第２実施形態のフォーカスリング５１を備えたプラズマ処理装置１１によれば、上記した第１実施形態の（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。

（２）第２実施形態によれば、第１リング５２と第２リング５３とを組み合わせてフォーカスリング５１を構成し、互いの隙間を流路６１として用いるので、プラズマ処理を施した際に、流路６１の側壁にデポ物（反応生成物）が付着したとしても、第１リング５２と第２リング５３とを分離することにより、容易に除去することができる。その結果、メンテナンス（クリーニング）に要する時間を短縮することができる。

（３）第２実施形態によれば、第１リング５２と第２リング５３とが分離可能に構成されているので、プラズマ処理によって、第１リング５２又は第２リング５３が磨耗したとしても、例えば、どちらか一方を交換することで対処することができる。よって、かかるコストを抑えることができる。

（４）第２実施形態によれば、流路６１のように、フォーカスリング５１の内壁５１ａから底面５１ｂにかけて略９０°に曲げて形成するような場合、第１リング５２と第２リング５３とに分けて形成することにより、製作し易くすることができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記した、第１実施形態及び第２実施形態のフォーカスリング１５，５１に加えて、例えば、図４に示すように、プラズマ処理装置１１に配置した際の、フォーカスリング７１におけるガス供給口１６（図１参照）に近い部分をテーパ７２（斜面）にするようにしてもよい。なお、テーパ７２は、フォーカスリング７１の全周に形成されている。また、図５に示すように、フォーカスリング８１におけるガス供給口１６（図１参照）に近い部分をアール８２にするようにしてもよい。なお、アール８２は、フォーカスリング８１の全周に形成されている。図４及び図５に示すフォーカスリング７１，８１によれば、第１ガスがフォーカスリング７１，８１に接触した際に、滞留することなく処理室２１に供給しやすくすることができる。その結果、処理室２１に第１ガスを効率良く供給でき、エッチングレートやエッチングの均一性を向上させることができる。

（変形例２）
上記した第１実施形態のように、流路３２の形状が丸形状であることに限定されず、例えば、楕円形状や角形状であってもよい。例えば、縦長の楕円形状の場合、より基板２３に近い側のプロセスガス（第１ガス及び第２ガス）が排気されるので、プラズマ処理を行った際に発生する第２ガスを排気させやすくすることができる。また、第２実施形態の流路６１が溝であることに限定されず、例えば、第１リング５２と第２リング５３とを組み合わせて丸形状の孔になるようにしてもよい。排気する流路３２，６１の形状は、基板２３へのプラズマ処理の状況をみながら適宜判断することが望ましい。

（変形例３）
上記したように、プラズマ処理を行う装置は、ＥＣＲ型プラズマ処理装置に限定されず、例えば、他のプラズマ生成方法である誘導結合プラズマ（Induction Coupled Plasma：ＩＣＰ）処理装置などに適用するようにしてもよい。

第１実施形態のプラズマ処理装置の構造を示す模式断面図。 第１実施形態のフォーカスリングの構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図、（ｃ）は斜視図。 第２実施形態のフォーカスリングの構造を示す模式図であり、（ａ）はフォーカスリングの模式断面図、（ｂ）は第１リングの模式断面図、（ｃ）は第１リングの模式平面図、（ｄ）は第２リングの模式断面図、（ｅ）は第２リングの模式平面図。 フォーカスリングの変形例を示す模式断面図。 フォーカスリングの変形例を示す模式断面図。 （ａ）は、従来のプラズマ処理装置の構造を示す模式断面図であり、（ｂ）は、従来のフォーカスリングの構造を模式的に示す斜視図。

符号の説明

１１…プラズマ処理装置、１２…チャンバ、１３…ベルジャ、１４…ステージ、１５，５１，７１，８１…フォーカスリング、１５ａ，５１ａ…側壁としての内壁、１５ｂ，５１ｂ…底面、１６…ガス供給口、１７…ガス排気口、１８…導波管、１９…電磁コイル、２１…処理室、２２…Ｏリング、２３…基板、２４…高周波電源、２５…支持部材、３１…第１ツバ、３２，３２ａ〜３２ｈ，６１…流路、３３…第２ツバ、５２…第１リング、５３…第２リング、５４…第１開口孔、５５…第２開口孔、５６…第３開口孔、５７…第４開口孔、７２…テーパ、８２…アール。

Claims (6)

1. プロセスガスをプラズマ化させて基板上に形成された被処理膜にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
   処理前のプロセスガスである第１ガスを処理室の中に供給するガス供給口と、
   処理済みのプロセスガスである第２ガスを前記処理室の外に排気するガス排気口と、
   前記基板を載置固定するステージと、
   前記ガス供給口と前記ガス排気口との間及び前記基板の周囲に配置され、前記第１ガスと前記第２ガスとの混在が抑えられるとともに、前記第１ガスが前記基板上を通って排気される流路が形成されたフォーカスリングと、
   を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記フォーカスリングは、前記基板の上方に相当する部分が開口されており、前記開口する側壁における前記基板の近傍に前記流路が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記開口する側壁に形成された前記流路は、前記第１ガス及び前記第２ガスが前記基板の全周に亘って均一に流れるように、前記側壁の全周に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記フォーカスリングは、外周方向に配置される第１リングと、内周方向に配置される第２リングとによって構成され、
   前記流路は、前記第１リングと前記第２リングとを組み合わせたときに生じる隙間を利用することを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記フォーカスリングは、前記ガス供給口の近傍部分がテーパ及びアールの少なくとも一方が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置であって、
   前記流路は、丸孔、楕円孔、スリット孔、のうちいずれかであることを特徴とするプラズマ処理装置。

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