TWI767617B - 半導體處理系統 - Google Patents

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Abstract

一種半導體處理系統，包括：一個縱長形傳輸腔，所述傳輸腔包括中間部、位於中間部第一端的第一端部和位於中間段第二端的第二端部，中間部上的第一側壁和第二側壁上設置有至少兩組側面半導體處理模組，所述每組側面半導體處理模組中的處理腔通過各自的氣密閥門連接到所述傳輸腔中間部的側壁，傳輸腔第二端部上還連接有一組端部半導體處理模組，所述端部半導體處理模組包括兩個處理腔，所述端部半導體處理模組的兩個處理腔通過兩個氣密閥門聯通到所述第二端部的端面，所述端部半導體處理模組的兩個氣密閥門具有一跨接距離(D4)，所述端面的寬度大於所述跨接距離，所述傳輸腔中間部上第一側壁和第二側壁的間距(D2)小於所述跨接距離。

Description

半導體處理系統
本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種半導體處理系統。
半導體晶片被日益廣泛的應用到各種電子設備中，其中半導體晶片加工過程需要用到大量等離子處理器以及其它處理器，如化學氣相沉積處理器(CVD)，這些處理器會對待處理的基片進行等離子蝕刻、化學氣相沉積等工藝。半導體生產線需要在無塵室中進行，無塵室需要設置相應的進氣和排氣裝置和過濾裝置等，維持長期運行才能保證無塵室內顆粒物數量低於要求的值。所以維護無塵室需要極高的成本，為了提高經濟效益，需要在有限的無塵室空間內進行盡可能多的基片處理量。所以最佳的半導體處理系統是占地面積(footprint)最小化，同時處理量(throughput)最大化的。
為了實現上述占地面積最小化、處理量最大化的目標，現有技術提出了如圖1所示的半導體處理系統。該系統包括真空傳輸腔120，兩個基片傳輸裝置130、131設置在長條形的真空傳輸腔120內，傳輸腔的兩個長側壁上分別連接著大量處理腔P1-P8，這些處理腔各自通過氣密閥門(如V8)聯通到傳輸腔長側壁上。處理腔P1-P8每個都是獨立的反應腔結構，且與相鄰的處理腔之間保留一定的間隙D0。傳輸腔的第一端包括兩個呈一定夾角的前側壁，兩個前側壁上分別連接著真空鎖101和102。真空鎖101、102兩端通過各自的兩個氣密閥門分別聯通到大氣傳輸腔110(EFEM)和傳輸腔120。大氣傳輸腔在真空鎖101、 102連接面的另一側還包括多個位於大氣環境中的多個基片儲存盒(FOUP)102，基片儲存盒102用於在半導體生產線的不同設備之間保存和運輸大量基片，以完成不同的處理工藝。如圖1所述的現有技術整體占地面積為x0*y0，最大的處理腔設置量是8個，要想增大處理量就需使傳輸腔向第二端方向延長，並在延長的側壁上加載新的一對處理腔P9、P10或更多對。但是這種延長會導致負面作用，整個半導體處理系統延長了處理腔寬度D0長度，因而增加占地面積；另一方面，要向位於傳輸腔第二端的處理腔(如P7、P8)運送基片時，必須經過機械傳輸裝置131中轉傳遞到機械傳輸裝置130，再由機械傳輸裝置130傳入處理腔，再增加處理腔長度就需要再設置額外的機械傳輸裝置，傳輸過程需要更多機械傳輸裝置參與基片中轉傳遞。因此在原有半導體處理系統設計中，掛載的處理腔越多就需要越多機械傳輸裝置，花費更多的中轉傳輸時間，既增加成本也降低處理效率。此外在該設計中由於一個機械臂需要同時處理傳輸腔120兩側的4個或更多個處理腔，機械傳輸裝置的機械臂必然需要傾斜伸入處理腔取放基片，所以需要傳輸腔側壁之間的寬度具有足够大的數值D1以容納更大的機械傳輸裝置，導致系統整體占地面積無法縮小。所以簡單延長傳輸腔長度多掛載的處理腔，會出現成本和處理效率的降低，半導體處理系統的有效處理量並沒有相應的提升，反而增加了占地面積和多出的兩個處理腔成本和新增機械傳輸裝置的成本。此外，現有技術中每個處理腔側壁之間的間隙D0設計的非常小，只能容許手臂伸入，無法在側壁設置拆卸、檢修的功能。所以每個處理腔可以進行拆卸、檢修的操作面只有面向傳輸腔的正面(通過進入傳輸腔內實現)和與正面相對的背面區域，硬體設計時可選的餘地很小，導致處理腔很難設計達到成本和功效的最優化。
現有技術難以提高基片處理的吞吐量，同時處理腔的維護操作空間受限，處理腔硬體設計空間小。
本發明提供了一種半導體處理系統，能够在少量增加半導體處理系統占地面積的情况下增加處理能力，而且通過優化處理腔的空間配置還能使得半導體處理系統更易維護，簡化處理腔設計要求。本發明半導體處理系統包括：一個縱長形的傳輸腔，所述傳輸腔包括中間部、位於中間部兩端的第一端部和第二端部，中間部上的第一側壁和第二側壁上分別設置至少一組側面半導體處理模組，每組側面半導體處理模組包括兩個處理腔，所述每組側面半導體處理模組的處理腔通過各自的氣密閥門連接到所述傳輸腔中間部的第一或第二側壁；所述傳輸腔的第一端部通過真空鎖與大氣環境相連；所述傳輸腔的第二端部連接有一組端部半導體處理模組，所述端部半導體處理模組包括互相平設置的兩個處理腔，所述端部半導體處理模組的兩個處理腔分別通過一個氣密閥門連接到所述第二端部的端面，所述端面的寬度大於所述傳輸腔中間部第一側壁和第二側壁的間距(D2)。其中端面的寬度大於所述端部半導體處理模組上的兩個氣密閥門的跨接距離。使得本發明半導體處理系統少量增加系統長度而能够在狹窄的傳輸腔第二端部的端面上安裝兩個處理腔。
其中所述側面半導體處理模組或端部半導體處理模組中的處理腔具有不同的尺寸，用於執行不同的處理工藝，也可以具有相同的尺寸用於執行相同的工藝。
可選地，所述傳輸腔第一端部上具有第一端部端面，所述第一端部端面上還連接有兩個平行設置的真空鎖，所述兩個平行設置的真空鎖之間具有一真空鎖跨接距離(D4’)，所述第一端部端面的寬度大於等於所述真空鎖跨接距離，所述傳輸腔中間部的第一側壁和第二側壁的間距(D2)小於所述真空鎖跨接距離。進一步在傳輸腔第一端減少系統長度，減小系統占地面積。
其中所述傳輸腔的第二端部包括逐漸向兩側半導體處理模組延伸的側壁，使得第二端部中傳輸腔側壁之間的距離從中間段的側壁間距(D2)逐漸擴展到所述端面的寬度。
進一步的，本發明半導體處理系統的中間部的第一側壁上連接有第一、第三兩組側面半導體處理模組，第二側壁上連接有第二、第四兩組側面半導體處理模組；其中第一、第三側面半導體處理模組在沿所述傳輸腔的縱長方向上具有第一間隙空間，所述第一間隙空間用於對第一、三側面半導體處理模組中與所述第一間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護；其中第二、第四側面半導體處理模組在沿傳輸腔的縱長方向上具有第二間隙空間，所述第二間隙空間用於對第二、第四側面半導體處理模組中與所述第二間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護。其中第一或第二間隙空間中設置有至少一個暫存腔，所述暫存腔與所述傳輸腔相連通，用於存放基片或者處理腔內環狀部件的替換件。使得半導體處理系統能够自動實現聚焦環替換和進行清潔工藝，減少了開腔更換零部件的時間，提高了半導體處理系統的利用率。
其中所述暫存腔的前端側壁穿過所述傳輸腔的側壁伸入所述傳輸腔內，以減少對維護空間的占用。
本發明中的端部半導體處理模組和/或側面半導體處理模組中的兩個處理腔集成為一體，具有共用的側壁，進一步減少系統的整體長度。可選地，本發明中的側面半導體處理模組中的兩個處理腔之間可以具有間隙，所述間隙小於100mm，其單位面積的實際處理效率仍然大於現有技術的系統設計。
較佳的，所述傳輸腔包括一個軌道，一個可移動機械傳輸裝置可沿所述軌道運動，用於實現各個處理腔和所述真空鎖之間的基片傳輸。所述可移動機械傳輸裝置包括一個可移動基座和兩個機械臂。所述可移動機械傳輸裝置運動到與側面半導體處理模組相對的位置時，取放所述位置相對的側面半導 體模組中的基片；運動到靠近所述第二端部位置時，取放端部半導體處理模組的基片。
10:真空傳輸腔
101,102:真空鎖
110,120:傳輸腔
130,131:傳輸裝置
2:基片儲存盒
20:傳輸腔
201:第一側壁
202:第二側壁
20a,20c,20d,20d’:端部
203,204:端面
30:可移動基座
31:機械臂
A1,A2,A3,A4,A5:移動位置
B1:第一暫存腔
D0,D1,D2,D3,D4,D5:間隙、距離、間距
FR:聚焦環
LL1,LL2:真空鎖
P1,P11,P12,P2,P21,P22,P3,P31,P32,P4,P41,P42,P42S,P5,P51,P52,P6,P7,P8:處理腔
Sa1,Sa2,Sv1,Sv2,V8:氣密閥門
W:清潔基片
圖1為現有技術一種半導體處理系統示意圖；圖2為本發明半導體處理系統的俯視示意圖；圖3是本發明另一實施例的半導體處理系統的俯視示意圖；以及圖4是本發明另一實施例的半導體處理系統的俯視示意圖。
為了解决背景技術中描述的技術問題，發明人提出了一種新的半導體處理系統。圖2是本發明提出的半導體處理系統的俯視圖，本發明半導體處理系統包括大氣傳輸腔10，大氣傳輸腔10連接到多個基片儲存盒2。大氣傳輸腔10另一側通過氣密閥門Sa1連接到第一真空鎖LL1，通過氣密閥門Sa2連接到第二真空鎖LL2。第一真空鎖LL1通過氣密閥門Sv1連接到真空的傳輸腔20，第二真空鎖LL2通過氣密閥門Sv2連接到真空的傳輸腔20。大氣傳輸腔中包括大氣環境中的機械臂用於實現基片在基片儲存盒2到第一、第二真空鎖之間的運輸。傳輸腔20呈長條形，包括第一側壁201和第二側壁202，還包括中間部20a、位於中間部20a第一端的端部20d和位於傳輸腔20第二端的端部20c。第一側壁201和第二側壁202在中間部20a兩側平行設置，兩個側壁上均設置有多組側壁半導體處理模組。每組半導體處理模組內均包括一對平行設置且互相緊貼的處理腔，其中第一半導體處理模組包括處理腔P11、P12，第二半導體處理模組包括處理腔P22、P21，第三半導體處理模組包括處理腔P31、P32，第四半導體處理模組包括處理腔P31、P32，其中第一、第二半導體處理模組位於傳輸腔20兩側相對應的位置， 第三、第四半導體處理模組也位於傳輸腔20兩側對應位置，第一、第二、第三和第四半導體處理模組為側面半導體處理模組。傳輸腔20中設置有一個軌道，軌道上包括一個基片傳輸裝置，其中基片傳輸裝置包括一個可移動基座30，基座上設置至少一個機械臂31用於取放基片，基座上設置兩個機械臂時可以實現同時取出處理完的基片並放入另一個待處理基片到反應腔內，進一步提高取放和傳輸效率。其中中間部20a的寬度也就是第一側壁和第二側壁之間的距離D2需要設計的儘量小，以減小整個半導體處理系統的占地面積。本發明第一側壁201和第二側壁202在傳輸腔的端部20c向互相遠離的方向擴展，形成一個擴展空間，最終使得端部20c的側壁間距增加，增加後的間距大小要大於一組處理模組內的兩個氣密閥門的跨接距離D4。跨接距離是指兩個平行設置且互相緊貼的處理腔上的兩個氣密閥門在Y軸方向上的跨越寬度，為兩個氣密閥門的開口寬度與兩個氣密閥門相鄰側壁之間的距離之和。由於上述端面203的寬度足够，使得傳輸腔20第二端部的端面203上能够容納兩個開口與第五半導體處理模組上的兩個氣密閥門互相匹配，實現兩個處理腔P51、P52與傳輸腔20互相聯通。此處的第五半導體處理模組為端部半導體處理模組。端面203的寬度大於中間部第一側壁和第二側壁的間距D2的115%，可選的，端面203的寬度大於中間部第一側壁和第二側壁的間距D2的125%。
其中位於傳輸腔同一側的第一、第二半導體處理模組側壁之間在X方向上設置有一個足够大的間距D3，該間距D3需要滿足容納工作人員進入的要求(如D3>500mm)，在這個由傳輸腔側壁201、處理腔P12、P31圍繞成的維護空間內工作人員可以進入後在處理腔P12、P31的側面進行檢修維護。與之相對的，傳輸腔另一側的兩個半導體處理模組之間也具有這樣的維護空間。在處理過程中，可移動基座30首先運動到傳輸腔中A1位置處，從真空鎖LL1、LL2中取出基片，然後運動到A2位置向處理腔P11、P12或者處理腔P21、P22中輸入基 片，或者根據需要運動到A4位置向處理腔P31、P32或者處理腔P41、P42中輸入基片，也可以經過位置A4進一步運動到傳輸腔深處的A5位置(圖3所示)向處理腔P51、P52輸入基片。基片處理完成後的取片過程與上述過程的運動方向相反但是內容相同，在此不再贅述。
上述A1-A5的移動位置僅僅為本發明半導體處理系統運作方式的一種示例，實際可以由更多的基片傳輸方法，比如掛載在側壁201上第一半導體處理模組與對面的第二半導體處理模組的位置存在錯位，處理腔P11與P21、處理腔P12與P22的真空鎖位置並不對齊，此時可以驅動機械傳輸裝置在第一組半導體處理模組正面停留取放基片，然後再微量移動到對側的第二半導體處理模組相對應的位置進行取放基片。由於本發明採用了可沿軌道水平移動的機械傳輸裝置，可以在軌道內任意位置移動到達處理腔正對位置，然後由機械臂取片，所以具有水平移動能力的機械傳輸裝置縮小了機械臂31的運動範圍，簡化了機械臂驅動控制難度。由於X方向的運動由基座30的水平運動實現，所以機械臂31只需要垂直或者接近垂直伸入處理腔就可以取放基片，機械臂的運動範圍很小，因此本發明中的傳輸腔20側壁間距D2小於現有技術中傳輸腔120側壁間距D1的數值。
在本發明半導體處理系統中第五半導體處理模組的兩個側面均包括一個足够大小的空間以作為維護空間，所以第一至第五每組半導體處理模組的每個處理腔的側壁均包括一個維護空間，也就是每個處理腔均包括3個可以進行維護的面：正面(氣密閥門安裝面)、背面和朝向維護空間的側面。同時由於端部20c從處理腔P32、P42的氣密閥門靠向第二端的預設位置開始，向兩側延展直到第二端端面側壁203的寬度達到D4，其中第二端面203基本與從處理腔P32、P42的側面齊平。因此本發明半導體處理系統，只增加了第二端處反應腔P51、P52的腔體長度，但是半導體處理模組中相鄰的處理腔(如P12、P11)互 相緊貼，將空間集成為一可供工作人員進入的操作空間，提高了設備的維護面。最終整體的占地面積增加了少量，最終系統占地面積為x1*y1，但是處理腔數量增加了2個，實現了處理系統效率和占地面積的最佳化。
較佳的，基座上設置的兩個機械臂時可以實現同時取放一個反應腔內的基片，在一個處理腔完成基片處理時，一個機械臂將處理完的基片取出，同時另一個機械臂裝入待處理的基片，隨後兩個機械臂一起運動到真空鎖處再次進行基片交換。這樣，就能够利用一個機械傳輸裝置更快的實現處理完成基片的取出和待處理基片的放入，使得一個基片傳輸裝置能够應對10個處理腔的傳輸任務。
本發明中的每組半導體處理模組中的兩個處理腔可以是互相緊貼的兩個獨立的處理腔，也可以是整合成一體的處理腔，處理腔由一個共用的分割壁分隔為兩個處理空間，可以使本發明半導體處理系統進一步減少反應腔側壁厚度的長度。此外兩個反應腔整合一體後可以共用一個排氣系統，可以進一步減少反應腔下部空間和製造成本。
圖3所示為本發明另一實施例，與圖2所示的本發明第一實施例相比，傳輸腔第一端的端部20d’的兩個側壁向兩側延展，使得第一端部端面204的寬度足够平行安裝兩個真空鎖LL1、LL2的氣密閥門，也就是大於兩個真空鎖跨接距離D4’。真空鎖跨接距離D4’為兩個真空鎖的氣密閥門的開口寬度與氣密閥門相鄰側壁之間距離之和。其中端面寬度可以與第二端端面203的寬度接近D4，或者略小於D4，但是仍然遠大於中間部20a的寬度D2。相對現有技術中兩個真空鎖需要呈一定夾角配置，本發明傳輸腔第一端的設計可以減小傳輸腔第一端到大氣傳輸腔之間的距離，進一步減小半導體處理系統整體長度到x2(x2<x1<x0)。此外，圖3所示的實施例還提出了一個改進設計：在第一、第二半導體處理模組之間的維護空間內添加了第一暫存腔B1，在第三、第四半導體 處理模組之間的維護空間內添加第二暫存腔B2，第一暫存腔B1和第二暫存腔B2與傳輸腔20直接聯通。第一暫存腔B1中可以設置用於處理腔等離子清潔的可循環使用的清潔基片W(dummy wafer)。在處理腔完成一次或多次處理後需要進行等離子清潔步驟，此時可以通過機械臂將所述清潔基片W送入反應腔，完成相應的清潔步驟後再將清潔基片W放回暫存腔B1。由於清潔基片W與待處理的基片尺寸相同均為300mm，所以暫存腔的尺寸只要略大於基片尺寸就可以，不會影響維修空間進行相應的維修作業。暫存腔中可以設置垂直叠放的多個清潔基片，以滿足多個處理腔的清潔需求。第二暫存腔B2可以用於存放替換用的聚焦環FR，各個處理腔中經常用於執行等離子處理工藝，長期的等離子處理會導致處理腔內環繞處理基片的聚焦環、邊緣環或者其它處理套件(process kits)損耗，為了不影響等離子處理效果需要隔一段時間更換。但是現有技術中的真空鎖LL1、LL2、基片儲存盒2均是為基片傳輸設計的，無法用於長期存放尺寸更大的聚焦環FR等大尺寸處理套件。本發明可以通過大氣傳輸腔(EFEM)和真空鎖將聚焦環送入第二暫存腔B2，待需要更換聚焦環時從暫存腔B2取出與處理腔內的損耗後的聚焦環替換。也可以在每次開腔檢修時打開傳輸腔將足够多的處理套件存放入暫存腔B2內，其中暫存腔B2可以設置叠層的儲存空間，以儲存多個聚焦環。本發明所述的第一暫存腔B1、第二暫存腔B2也可以具有相同的結構和功能，均可以用於存放基片或聚焦環等環形處理套件，這樣可以根據工藝需求由用戶自主地選擇在兩個暫存腔中分別存放的物品和數量。本發明的傳輸腔側壁上也可以只掛載一個暫存腔如B1，一個暫存腔中可以同時放置若干基片和聚焦環，或者在日常處理中只存放基片，只在需要更換聚焦環時才將基片放置到暫存腔中。
本發明半導體處理系統提供第三實施例，如圖4所示為傳輸腔20的中間部20a示意圖，暫存腔B2的尺寸較大，所以可以將暫存腔的前端面伸入傳 輸腔內，越過傳輸腔側壁202，以減小對第三、第四半導體處理模組之間的維護空間的影響。機械傳輸裝置實現所述暫存腔與處理腔之間的基片傳輸，也可以實現處理腔與真空鎖之間的基片傳輸。
本發明半導體處理系統每個處理模組中兩個處理腔之間也可以具有一定間隙，如圖4所示，該間隙距離D5可以小於現有技術中的D0，通常小於100mm。由於本發明在傳輸腔第二端以很小的面積增加，獲得了額外的兩個處理腔，同時增加了每個處理腔的維護空間，改善了處理腔的設計空間。並且在傳輸腔兩側的維護空間中設置了兩個暫存腔，改善了清潔步驟的處理效率，實現了聚焦環等處理套件在真空環境中自動更換，避免了現有技術中需要開腔維護時才能進行聚焦環更換的限制。上述多個技術效果均可以通過本發明提出的半導體處理系統實現，所以本發明提供的半導體處理系統可以少量增加占地面積甚至不增加占地面積的情况下大幅提高處理系統內基片處理效率，也同時降低了處理腔的維護和設計難度，實現了半導體處理系統成本和功效的最大化。
本發明所述的半導體處理系統中的處理腔從掛載在傳輸腔20側面201、202的處理腔P11-P42到掛載在傳輸腔端面203的端面處理模組中的處理腔P51、P52，均可以執行同樣的處理工藝，具有相同的硬體結構，也可以設計為進行不同的處理工藝，特別是進行前後相接的處理工藝。比如P11-P42執行等離子蝕刻工藝，在蝕刻完成後將基片移入處理腔P51、P52進行蝕刻遮罩去除工藝。或者第一組處理腔進行蝕刻工藝，第二組處理腔進行沉積工藝。這種執行不同工藝的處理腔組合可以不必在第一步處理完成後將基片通過真空鎖傳輸到大氣環境中的基片儲存盒2，隨後再轉運到執行下一個處理工藝的另一個半導體處理系統中，而是可以直接在真空環境中移動到同一半導體處理系統中的下一個處理腔，避免了不同環境中的傳輸切換，節約了傳輸時間，減少了被污染的機率，進一步提高了半導體處理系統的處理效率。執行不同工藝的處理腔具有 不同的外部尺寸，所以本發明中同一側相鄰半導體處理模組之間的間隙構成維護空間大小也不盡相同。如圖2、4所示，側壁201上的第一、第三半導體處理模組之間的間隙距離為D3，側壁202上掛載的第二、第四半導體處理模組之間的間隙距離為D3’，其中D3’的數值可以與D3不同。在一個傳輸腔掛載不同處理腔時，本發明由於採用了可線性水平運動的機械傳輸裝置，所以可以將機械傳輸裝置的基座30移動的不同處理腔的對應位置，減少了機械臂31的運動範圍。現有技術揭露的半導體處理系統由於多個機械臂是固定不動的，所以一旦半導體處理系統中更換了一個或多個尺寸不同的處理腔，必須同時使得機械臂具有不同的運動軌述，以適應不同型號的處理腔，大大增加了系統改進的難度。所以本發明提供的半導體處理系統在能適應不同類型處理腔組合的系統結構，具有系統設置靈活性。
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本案所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
10:真空傳輸腔
2:基片儲存盒
20:傳輸腔
20c,20d’:端部
203,204:端面
A1,A3,A4,A5:移動位置
B1:第一暫存腔
FR:聚焦環
LL1,LL2:真空鎖
P11,P12,P21,P22,P31,P32,P41,P42,P42S,P51,P52:處理腔
W:清潔基片

Claims (19)

  1. 一種半導體處理系統，包括：一個縱長形的傳輸腔，該傳輸腔包括一中間部、位於該中間部兩端的一第一端部和一第二端部，該中間部上的一第一側壁和一第二側壁上分別設置至少一組側面半導體處理模組，該每組側面半導體處理模組包括兩個處理腔，該每組側面半導體處理模組的該處理腔通過各自的氣密閥門連接到該傳輸腔的該中間部的該第一側壁或該第二側壁；該傳輸腔的該第一端部通過一真空鎖與大氣環境相連；該傳輸腔的該第二端部連接有一組端部半導體處理模組，該端部半導體處理模組包括兩個處理腔，該端部半導體處理模組的該兩個處理腔分別通過一個氣密閥門連接到該第二端部的一端面，該端部半導體處理模組的該兩個氣密閥門具有一跨接距離(D4)，該端面的寬度大於等於該跨接距離，該傳輸腔的該中間部之該第一側壁和該第二側壁的間距(D2)小於該跨接距離；該中間部的該第一側壁上連接有第一、第三兩組側面半導體處理模組，該第一、第三側面半導體處理模組在沿該傳輸腔的縱長方向上具有一第一間隙空間，該第一間隙空間用於對該第一、三側面半導體處理模組中與該第一間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護。
  2. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該第二側壁上連接有第二、第四兩組側面半導體處理模組；其中該第二、第四側面半導體處理模組在沿傳輸腔的縱長方向上具有一第二間隙空間，該第二間隙空間用於對該第二、第四側面半導體處理模組中與該第二間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護。
  3. 如請求項2所述的半導體處理系統，其中，該第一或第二間隙空間中設置有至少一個暫存腔，該暫存腔與該傳輸腔相連通，用於存放基片或者處理腔內環狀部件的替換件。
  4. 如請求項3所述的半導體處理系統，其中，該第一和第二間隙空間中分別設置一個該暫存腔。
  5. 如請求項4所述的半導體處理系統，其中，該暫存腔具有不同的尺寸，該暫存腔用於存放基片和/或處理腔內環狀部件的替換件。
  6. 如請求項3所述的半導體處理系統，其中，該暫存腔的前端側壁穿過該傳輸腔的側壁伸入該傳輸腔內。
  7. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該端部半導體處理模組和/或該側面半導體處理模組中的兩個處理腔集成為一體，具有共用的側壁。
  8. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該側面半導體處理模組中的兩個處理腔之間具有間隙，該間隙小於100mm。
  9. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該傳輸腔的該第二端部包括逐漸向兩側半導體處理模組延伸的側壁，使得該第二端部中傳輸腔側壁之間的距離從中間段的側壁間距(D2)逐漸擴展到該端面的寬度。
  10. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該傳輸腔包括一個軌道，一個可移動機械傳輸裝置可沿該軌道運動，用於實現各個處理腔和該真空鎖之間的基片傳輸。
  11. 如請求項10所述的半導體處理系統，其中，該可移動機械傳輸裝置包括一個可移動基座和兩個機械臂。
  12. 如請求項10所述的半導體處理系統，其中，該可移動機械傳輸裝置運動到與該側面半導體處理模組相對的一位置時，取放該位置相 對的該側面半導體模組中的基片；運動到靠近該第二端部位置時，取放該端部半導體處理模組的基片。
  13. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該側面半導體處理模組或該端部半導體處理模組中的處理腔具有不同的尺寸，用於執行不同的處理工藝。
  14. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該側面半導體處理模組和該端部半導體處理模組中的處理腔執行相同的處理工藝。
  15. 如請求項1所述的半導體處理系統，其中，該傳輸腔的該第一端部上具有一第一端部端面，該第一端部端面上還連接有兩個平行設置的真空鎖，該兩個平行設置的真空鎖之間具有一真空鎖跨接距離(D4’)，該第一端部端面的寬度大於等於該真空鎖跨接距離，該傳輸腔的該中間部的該第一側壁和該第二側壁的間距(D2)小於該真空鎖跨接距離。
  16. 一種半導體處理系統，包括：一個縱長形的傳輸腔，該傳輸腔包括一中間部、位於該中間部兩端的一第一端部和一第二端部，該中間部上的一第一側壁和一第二側壁上分別設置至少一組側面半導體處理模組，該每組側面半導體處理模組包括兩個處理腔，該每組側面半導體處理模組的處理腔通過各自的氣密閥門連接到該傳輸腔的該中間部的該第一側壁或該第二側壁；該傳輸腔的該第一端部通過一真空鎖與大氣環境相連；該傳輸腔的該第二端部連接有一組端部半導體處理模組，該端部半導體處理模組包括互相平設置的兩個處理腔，該端部半導體處理模組的該兩個處理腔分別通過一個氣密閥門連接到該第二端部的一端面，該端面的寬度大於該傳輸腔的該中間部的該第一側壁和該第二側壁的間距(D2)； 該中間部的該第一側壁上連接有第一、第三兩組側面半導體處理模組，該第一、第三側面半導體處理模組在沿該傳輸腔的縱長方向上具有一第一間隙空間，該第一間隙空間用於對該第一、三側面半導體處理模組中與該第一間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護。
  17. 如請求項16所述的半導體處理系統，其中，該第二側壁上連接有第二、第四兩組側面半導體處理模組；其中該第二、第四側面半導體處理模組在沿傳輸腔的縱長方向上具有一第二間隙空間，該第二間隙空間用於對該第二、第四側面半導體處理模組中與該第二間隙空間相鄰的處理腔進行檢修維護。
  18. 如請求項17所述的半導體處理系統，其中，該第一或第二間隙空間中設置有至少一個暫存腔，該暫存腔與該傳輸腔相連通，用於存放基片或者處理腔內環狀部件的替換件。
  19. 如請求項16所述的半導體處理系統，其中，該端面的寬度大於該端部半導體處理模組上的兩個氣密閥門的跨接距離。
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