TWI766983B - 具有大的射頻及瞬時頻寬的反相杜赫功率放大器 - Google Patents
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Abstract
說明用於操作在千兆赫頻率下的反相杜赫放大器的設備與方法。在反相杜赫放大器的輸出網路中的阻抗匹配部件與阻抗反相器被基於主放大器與峰化放大器的特性以及放大器非對稱因數來設計時,可提升RF部分頻寬與訊號頻寬超過習知的杜赫放大器。
Description
本科技相關於高速高功率寬頻寬杜赫放大器(Doherty amplifier)。
由半導體材料形成的高速功率放大器具有各種有用的應用,諸如射頻(RF)通訊、雷達、RF能量、以及微波應用。氮化鎵半導體材料近年來受到了很大的關注,因為氮化鎵半導體材料的可期望的電子性質與光電性質。GaN具有約3.4 eV的寬廣、直接的帶隙,這對應於可見光頻譜中的藍光波段。因為寬廣的帶隙,GaN較不受雪崩崩潰的影響,並可在較高的溫度下維持電氣效能(相較於其他半導體,例如矽)。GaN也具有較高的載子飽和速率,相較於矽。此外,GaN具有纖鋅礦晶體結構(Wurtzite crystal structure)、為非常穩定且堅硬的材料、具有高導熱率、並具有比其他習知半導體(諸如矽、鍺和砷化鎵)高得多的熔解點。因此,GaN有用於高速、高電壓及高功率應用中。
支援當前通訊標準與已提出的未來通訊標準(諸如WiMax、4G、與5G)下的行動通訊與無線網際網路存取的應用,可對由半導體電晶體建置的高速放大器提出苛刻的效能要求。放大器可需要達到相關於輸出功率、訊號線性度、訊號增益、頻寬、與效率的效能規格。
說明用於改良高速高功率寬頻放大器的效能的設備與方法。結構與方法相關於用於在反相杜赫放大器中結合經放大訊號的電路系統。阻抗匹配部件、阻抗反相器的阻抗(有時稱為延遲線或偏移線)、阻抗反相器的相位延遲、以及反相杜赫放大器的結合節點處的阻抗,可經配置以對於對稱反相杜赫放大器與非對稱反相杜赫放大器兩者,有感地改良放大器的RF片段頻寬(Dw/wo
)與訊號頻寬(亦稱為「瞬時頻寬」)。
一些具體實施例相關於一種反相杜赫放大器,包含:在第一電路分支中的主放大器;在第二電路分支中的峰化放大器,峰化放大器經設置以操作為C類放大器;結合節點,在主放大器之後的第一電路分支的第一部分與在峰化放大器之後的第二電路分支的第二部分在結合節點處連接;以及阻抗反相器,阻抗反相器連接在第二電路分支的第二部分中在峰化放大器與結合節點之間,其中結合節點處的阻抗值Zcn
在由下式判定的值的50%以內:其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
連接於主放大器的輸出處時,將從主放大器提供最大功率傳輸,RL
為要由反相杜赫放大器驅動的額定負載的電阻,且α為對於反相杜赫放大器的非對稱因數,其中非對稱因數為峰化放大器的最大功率輸出對主放大器的最大功率輸出的比例。
在一些態樣中,Zoptm
由實電阻Roptm
組成,且阻抗值Zcn
位於上面的式子的20%內。在一些實施例中,阻抗反相器包含微帶傳輸線。微帶傳輸線的特性阻抗,可等於結合節點處的阻抗乘以(1+α)/α。在一些實施例中,阻抗反相器加入約270度的相位延遲。
根據一些實施例,反相杜赫放大器的由主放大器的輸出處看向結合節點的S11散射參數所界定(且峰化放大器位於非放大狀態中)的RF部分頻寬,在對於反相杜赫放大器的非對稱因數為1時位於7%與25%之間。
在一些態樣中,結合節點經設置以直接連接至負載,負載的阻抗約等於50歐姆,且結合節點與負載之間沒有中介的阻抗匹配部件。
在一些實施例中,反相杜赫放大器可進一步包含:耦合器,經設置以將輸入訊號分成提供至第一電路分支的第一訊號以及提供至第二電路分支的第二訊號,並經設置以將相對於第二訊號多於80度的第一相位延遲加至第一訊號;第一阻抗匹配部件,第一阻抗匹配部件連接在第一電路分支的第一部分中,在主放大器與結合節點之間;以及第二阻抗匹配部件,第二阻抗匹配部件連接在第二電路分支的第二部分中,在峰化放大器與阻抗反相器之間。反相杜赫放大器可進一步包含:在第一阻抗匹配部件中的第一旁路電感器與第一電容器,第一旁路電感器與第一電容器串聯連接在來自主放大器的輸出與第一參考電位之間;以及在第二阻抗匹配部件中的第二旁路電感器與第二電容器,第二旁路電感器與第二電容器串聯連接在來自峰化放大器的輸出與第二參考電位之間。在一些情況中,反相杜赫放大器可進一步包含:第一偏壓端點,第一偏壓端點連接至第一旁路電感器,且第一偏壓端點經設置以提供第一偏壓路徑,以經由第一旁路電感器施加第一偏壓電壓至主放大器;以及第二偏壓端點,第二偏壓端點連接至第二旁路電感器,且第二偏壓端點經設置以提供第二偏壓路徑,以經由第二旁路電感器施加第二偏壓電壓至峰化放大器。第一電容器的值可在100微微法拉與10微法拉之間。
在一些實施例中,反相杜赫放大器可進一步包含第三阻抗匹配元件,第三阻抗匹配元件連接在結合節點與反相杜赫放大器的輸出端點之間。第一阻抗匹配部件的第一阻抗轉換比例,可約等於第三阻抗匹配部件的第二阻抗轉換比例。在一些態樣中,阻抗反相器加入約等於第一相位延遲的第二相位延遲。在一些情況中,阻抗反相器加入約等於90度的奇數倍的第二相位延遲。根據一些實施例,第一阻抗匹配部件與第二阻抗匹配部件之每一者提供約90度的相位延遲。
在一些實施例中,本具體實施例的反相杜赫放大器的結合節點處的實阻抗成分為在10歐姆與40歐姆之間的一值。主放大器與峰化放大器可包含氮化鎵電晶體。
一些具體實施例相關於用於操作反相杜赫放大器的方法。一種方法具體實施例可包含以下步驟:接收輸入訊號;分割輸入訊號;提供輸入訊號的第一部分至包含主放大器的第一電路分支;提供輸入訊號的第二部分至包含峰化放大器的第二電路分支,峰化放大器操作為C類放大器;以及在結合節點處結合來自主放大器的第一訊號與來自峰化放大器的第二訊號,結合節點具有阻抗值Zcn
,阻抗值Zcn
在由下式判定的值的50%以內:其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
連接於主放大器的輸出時,將從主放大器提供最大功率傳輸,RL
為由反相杜赫放大器驅動的負載的電阻,且α為對於反相杜赫放大器的非對稱因數,其中非對稱因數為峰化放大器輸出的最大功率對主放大器輸出的最大功率的比例。
在一些實施例中,方法具體實施例可進一步包含以下步驟:將來自主放大器的經放大訊號提供至第一阻抗匹配部件,第一阻抗匹配部件具有第一阻抗轉換比例;將來自峰化放大器的經放大訊號提供至第二阻抗匹配部件,第二阻抗匹配部件具有第二阻抗轉換比例;以及將來自結合節點的經結合訊號提供至具有第三阻抗轉換比例的第三阻抗匹配部件,其中第一阻抗轉換比例約等於第三阻抗轉換比例。 方法可進一步包含:將來自第二阻抗匹配部件的訊號提供至阻抗反相器,阻抗反相器將來自第二阻抗匹配部件的訊號延遲約等於90度的奇數倍的一值。
一些方法具體實施例可進一步包含以下步驟:經由旁路電感器施加汲極對源極電壓至主放大器的電晶體,旁路電感器位於第一阻抗匹配部件中,並與去耦電容器串聯連接在來自主放大器的RF訊號路徑與參考電位之間。方法可包含:將來自結合節點的經結合訊號提供至反相杜赫放大器的輸出埠,而不執行結合節點與輸出埠之間的阻抗匹配。
一些具體實施例相關於一種反相杜赫放大器,包含:主放大器,主放大器在第一電路分支中;峰化放大器,峰化放大器在第二電路分支中並經設置以操作為C類放大器;結合節點,結合節點設置在主放大器之後的第一電路分支的第一部分與峰化放大器之後的第二電路分支的第二部分連接之處;第一阻抗匹配部件,第一阻抗匹配部件連接在第一電路分支的第一部分中,在主放大器與結合節點之間;以及連接在結合節點與反相杜赫放大器的輸出端點之間的輸出阻抗匹配部件,其中第一阻抗匹配部件的第一阻抗轉換比例,約等於輸出阻抗匹配部件的第二阻抗轉換比例。
在一些態樣中,反相杜赫放大器可進一步包含阻抗反相器,阻抗反相器連接在第二電路分支的第二部分中,在峰化放大器與結合節點之間。阻抗反相器可包含微帶傳輸線。在一些情況中,微帶傳輸線的特性阻抗,可等於結合節點處的阻抗乘以(1+α)/α。在一些情況中,阻抗反相器加入約270度的相位延遲。
根據一些實施例,反相杜赫放大器的由主放大器的輸出處看向結合節點的S11散射參數所界定(且峰化放大器位於非放大狀態中)的RF部分頻寬,在對於反相杜赫放大器的非對稱因數為1時位於7%與25%之間。
在一些態樣中,結合節點經設置以直接連接至負載,負載的阻抗約等於50歐姆,且結合節點與負載之間沒有中介的阻抗匹配部件。
反相杜赫放大器可進一步包含:耦合器,耦合器經設置以將輸入訊號分成提供至第一電路分支的第一訊號以及提供至第二電路分支的第二訊號,且耦合器經設置以將相對於第二訊號多於80度的第一相位延遲加至第一訊號;以及第二阻抗匹配部件,第二阻抗匹配部件連接在第二電路分支的第二部分中,在峰化放大器與阻抗反相器之間。反相杜赫放大器可進一步包含:在第一阻抗匹配部件中的第一旁路電感器與第一電容器,第一旁路電感器與第一電容器串聯連接在來自主放大器的輸出與第一參考電位之間;以及在第二阻抗匹配部件中的第二旁路電感器與第二電容器,第二旁路電感器與第二電容器串聯連接在來自峰化放大器的輸出與第二參考電位之間。在一些態樣中,反相杜赫放大器可進一步包含:第一偏壓端點,第一偏壓端點連接至第一旁路電感器,且第一偏壓端點經設置以提供第一偏壓路徑,以經由第一旁路電感器施加第一偏壓電壓至主放大器;以及第二偏壓端點,第二偏壓端點連接至第二旁路電感器,且第二偏壓端點經設置以提供第二偏壓路徑,以經由第二旁路電感器施加第二偏壓電壓至峰化放大器。
根據一些實施例,第一阻抗匹配部件與第二阻抗匹配部件之每一者提供約90度的相位延遲。在一些情況中,阻抗反相器加入約等於90度的奇數倍的第二相位延遲。在一些實施例中,在結合節點處的阻抗值Zcn
在由下式判定的一值的50%以內:其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
連接於主放大器的輸出時,將從主放大器提供最大功率傳輸,RL
為要由反相杜赫放大器驅動的額定負載的電阻,且α為對於反相杜赫放大器的非對稱因數,其中非對稱因數為峰化放大器輸出的最大功率對主放大器輸出的最大功率的比例。
根據反相杜赫放大器的一些實施例,主放大器與峰化放大器包含氮化鎵電晶體。
一些具體實施例相關於一種用於操作反相杜赫放大器的方法。一種方法可包含以下步驟:接收輸入訊號;分割輸入訊號;提供輸入訊號的第一部分至包含主放大器的第一電路分支;提供輸入訊號的第二部分至包含峰化放大器的第二電路分支,峰化放大器操作為C類放大器;在結合節點處結合來自主放大器的第一訊號與來自峰化放大器的第二訊號;由第一阻抗匹配部件將主放大器輸出處的第一阻抗值轉換成第二阻抗值;以及由輸出阻抗匹配部件將結合節點之後的第三阻抗值轉換成約為要由反相杜赫放大器驅動的負載的負載阻抗值,其中第一阻抗匹配部件的第一阻抗轉換比例約等於輸出阻抗匹配部件的第二阻抗轉換比例。
在一些態樣中,第二阻抗值具有阻抗值Zcn
,阻抗值Zcn
位於由下式判定的一值的50%以內其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
連接於主放大器的輸出時,將從主放大器提供最大功率傳輸,RL
為要由反相杜赫放大器驅動的負載的電阻,且α為對於反相杜赫放大器的非對稱因數,其中非對稱因數為峰化放大器輸出的最大功率對主放大器輸出的最大功率的比例。
在一些實施例中,方法具體實施例可進一步包含:由第二阻抗匹配部件將峰化放大器輸出處的第四阻抗值轉換成第五阻抗值;以及將來自第二阻抗匹配部件的訊號提供至阻抗反相器,阻抗反相器將來自第二阻抗匹配部件的訊號延遲約等於90度的奇數倍的一值。
在一些情況中,阻抗反相器為整合式傳輸線,且延遲為約270度。在一些實施例中,阻抗反相器為整合式微帶傳輸線,整合式微帶傳輸線具有約由下式判定的一特性阻抗:其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
連接於主放大器的輸出時,將從主放大器提供最大功率傳輸,RL
為要由反相杜赫放大器驅動的負載的電阻,且α為對於反相杜赫放大器的非對稱因數,其中非對稱因數為峰化放大器輸出的最大功率對主放大器輸出的最大功率的比例。
方法具體實施例可進一步包含以下步驟:經由旁路電感器施加汲極對源極電壓至主放大器的電晶體,旁路電感器位於第一阻抗匹配部件中,並與去耦電容器串聯連接在來自主放大器的RF訊號路徑與參考電位之間。
方法具體實施例可包含:將來自結合節點的經結合訊號提供至反相杜赫放大器的輸出埠,而不執行結合節點與輸出埠之間的阻抗匹配。
一些具體實施例相關於一種反相杜赫放大器,包含:在第一電路分支中的主放大器;在第二電路分支中的峰化放大器,峰化放大器經設置以操作為C類放大器;結合節點,在主放大器之後的第一電路分支的第一部分與在峰化放大器之後的第二電路分支的第二部分在結合節點處連接;以及阻抗反相器,阻抗反相器位在第二電路分支在峰化放大器與結合節點之間,其中阻抗反相器包含整合式傳輸線,整合式傳輸線的特性阻抗在由下式判定的值的50%以內:其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
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在一些態樣中,Zoptm
由實電阻Roptm
組成,且阻抗值Zcn
位於前段的式子的20%內。在一些情況中,阻抗反相器包含微帶傳輸線。根據一些態樣,微帶傳輸線的特性阻抗,等於結合節點處的阻抗乘以(1+α)/α。在一些實施例中,阻抗反相器加入約270度的相位延遲。
根據一些實施例,反相杜赫放大器的由主放大器的輸出處看向結合節點的S11散射參數所界定(且峰化放大器位於非放大狀態中)的RF部分頻寬,在對於反相杜赫放大器的非對稱因數為1時位於7%與25%之間。
在一些態樣中,結合節點經設置以直接連接至負載,負載的阻抗約等於50歐姆,且結合節點與負載之間沒有中介的阻抗匹配部件。
反相杜赫放大器的一些實施例,可進一步包含:耦合器,耦合器經設置以將輸入訊號分成提供至第一電路分支的第一訊號以及提供至第二電路分支的第二訊號,且耦合器經設置以將相對於第二訊號多於80度的第一相位延遲加至第一訊號;第一阻抗匹配部件,第一阻抗匹配部件連接在第一電路分支的第一部分中,在主放大器與結合節點之間;以及第二阻抗匹配部件,第二阻抗匹配部件連接在第二電路分支的第二部分中,在峰化放大器與阻抗反相器之間。
一些實施例可包含:在第一阻抗匹配部件中的第一旁路電感器與第一電容器,第一旁路電感器與第一電容器串聯連接在來自主放大器的輸出與第一參考電位之間;以及在第二阻抗匹配部件中的第二旁路電感器與第二電容器,第二旁路電感器與第二電容器串聯連接在來自峰化放大器的輸出與第二參考電位之間。在一些情況中,反相杜赫放大器進一步包含:第一偏壓端點,第一偏壓端點連接至第一旁路電感器,且第一偏壓端點經設置以提供第一偏壓路徑,以經由第一旁路電感器施加第一偏壓電壓至主放大器;以及第二偏壓端點,第二偏壓端點連接至第二旁路電感器,且第二偏壓端點經設置以提供第二偏壓路徑,以經由第二旁路電感器施加第二偏壓電壓至峰化放大器。
在一些態樣中,反相杜赫放大器可進一步包含第三阻抗匹配元件,第三阻抗匹配元件連接在結合節點與反相杜赫放大器的輸出端點之間。第一阻抗匹配部件的第一阻抗轉換比例,可約等於第三阻抗匹配部件的第二阻抗轉換比例。在一些情況中,第一阻抗匹配部件與第二阻抗匹配部件之每一者提供約90度的相位延遲。在一些實施例中,阻抗反相器加入約等於90度的奇數倍的第二相位延遲。主放大器與峰化放大器可包含氮化鎵電晶體。
一些具體實施例相關於操作反相杜赫放大器的方法。方法可包含以下步驟:接收輸入訊號;分割輸入訊號;提供輸入訊號的第一部分至包含主放大器的第一電路分支;提供輸入訊號的第二部分至包含峰化放大器的第二電路分支,峰化放大器操作為C類放大器;以及將第二電路分支中的輸入訊號的第二部分,提供至結合節點之前的阻抗反相器,其中阻抗反相器包含整合式傳輸線,整合式傳輸線的特性阻抗在由下式判定的一值的50%以內:其中Zoptm
為對於主放大器的阻抗負載,在Zoptm
連接於主放大器的輸出時,將從主放大器提供最大功率傳輸,RL
為要由反相杜赫放大器驅動的負載的電阻,且α為對於反相杜赫放大器的非對稱因數,其中非對稱因數為峰化放大器輸出的最大功率對主放大器輸出的最大功率的比例。
在一些情況中,方法可進一步包含以下步驟:在結合節點處結合來自第一電路分支的第一訊號與來自第二電路分支的第二訊號,結合節點具有阻抗值Zcn
,阻抗值Zcn
在由下式判定的一值的50%以內:根據一些態樣,方法可進一步包含以下步驟:將來自主放大器的經放大訊號提供至第一阻抗匹配部件,第一阻抗匹配部件具有第一阻抗轉換比例;將來自峰化放大器的經放大訊號提供至第二阻抗匹配部件,第二阻抗匹配部件具有第二阻抗轉換比例;以及將來自結合節點的經結合訊號提供至具有第三阻抗轉換比例的第三阻抗匹配部件,其中第一阻抗轉換比例約等於第三阻抗轉換比例。方法亦可包含以下步驟:經由旁路電感器施加汲極對源極電壓至主放大器的電晶體,旁路電感器位於第一阻抗匹配部件中,並與去耦電容器串聯連接在來自主放大器的RF訊號路徑與參考電位之間。方法可進一步包含以下步驟:由阻抗反相器將第二電路分支中的輸入訊號的第二部分,延遲約等於90度的奇數倍的一值。在一些情況中,方法包含以下步驟:由阻抗反相器將第二電路分支中的輸入訊號的第二部分,延遲約等於270度的一值。
方法具體實施例亦可包含:將來自結合節點的經結合訊號提供至反相杜赫放大器的輸出埠,而不執行結合節點與輸出埠之間的阻抗匹配。
前述設備與方法具體實施例,可被實施在任何適合的與前述(以及下文詳細說明的)態樣、特徵與步驟的結合者中。連同附加圖式參閱下列說明之後,可更全面瞭解本教示內容的這些與其他的態樣、具體實施例與特徵。
在可用的多種不同類型的放大器中,杜赫放大器適合用於RF通訊應用。一些RF通訊協定,諸如寬頻分碼多工存取以及正交分頻多工,通常具有具有高的峰對平均功率比的訊號。對於這種系統,放大器線性度是重要的。然而,在大訊號功率範圍上維持單級放大器的放大器線性度,造成放大器功率效率不佳。第 1 圖
繪製的杜赫放大器100可藉由使用串聯放大器來改良功率效率:主放大器132(操作在AB類或B類模式)以及峰化放大器138(操作在C類模式)。雖然主放大器與峰化放大器可為相同設計,但峰化放大器138被控制(例如藉由閘極偏壓)而使得在輸入訊號低於預定功率位準時峰化放大器138關閉(不提供放大),且在對杜赫放大器的輸入訊號上升超過預定功率位準時峰化放大器138開啟(提供訊號放大)。對於峰化放大器138的開啟點被選擇為大約發生在主放大器132的增益開始飽和時。
在杜赫放大器中,主放大器132與峰化放大器138被與其他部件設置在並聯電路分支上。例如,施加至輸入埠的輸入訊號被由90度耦合器110分割,以提供同相衰減訊號至主放大器,且提供旋轉90度的衰減訊號(通常為延遲90度)至峰化放大器。在各種具體實施例中,輸入訊號在約500 MHz與7 GHz之間的射頻(RF)範圍中。耦合器110可實質均等地分割輸入訊號,使得對並聯電路分支的每一訊號的衰減約為3 dB訊號功率。
在主放大器132之後(且設置在主放大器電路分支中),可存在阻抗反相器150,包含90度延遲(亦稱為四分之一波長延遲)。阻抗反相器150補償耦合器110加至峰化放大器電路分支的90度延遲,使得訊號由幾乎相同的相位再結合。來自兩個並聯電路分支的訊號,被在結合節點155處結合,並提供至輸出訊號埠。輸出阻抗匹配部件160可被連接在結合節點與輸出埠之間,並經設計以將杜赫放大器100的輸出阻抗匹配至負載阻抗(未圖示)。
在杜赫放大器100中,阻抗匹配部件122、124可被放置在主放大器132與峰化放大器138之前。這些匹配部件可用於將來自90度耦合器110的傳輸線阻抗匹配至兩個放大器的輸入阻抗,使得來自放大器的訊號反射被減少或實質上消除。可在主放大器與峰化放大器的輸出處放置額外的阻抗匹配部件142、144,以將主放大器與峰化放大器的輸出之間的阻抗匹配至輸出電路中的隨後阻抗值(例如匹配至阻抗反相器150的輸入阻抗(可為50歐姆))。
發明人已認知並理解到,具有繪製於第 1 圖
的配置的杜赫放大器100,具有相關聯於電路拓樸的頻寬限制。頻寬限制部分係因為阻抗匹配部件122、124、142、144所增加的長的電性路徑長度。因為所增加的電性路徑長度,通常不可能讓阻抗反相器150僅採用90度旋轉就能補償90度耦合器所引入的相位旋轉。相對的,在阻抗反相器150處使用90度的奇數倍,諸如270度。發明人已發現到,90度的較高倍數,使得杜赫放大器100的頻寬效能變得較窄。
為了調查杜赫放大器100由於阻抗匹配元件所付出的頻寬效能代價,使用低功率電路模型200執行高頻模擬,如第 2 圖
繪製。低功率電路模型代表在杜赫放大器100的作業期間內,峰化放大器138(模型化為電流源Ip
)位於閒置狀態且不提供放大的時候。在峰化放大器為關閉時,峰化放大器以可感知到的方式改變主放大器132所看到的阻抗(調變負載),且因此影響主放大器輸出處的頻率相依反射係數。因此,低功率作業可限制杜赫放大器的額定RF部分頻寬(Dw/wo
)(例如對於所有訊號位準的保證頻寬)。
在第 2 圖
的低功率電路模型200中,主放大器132呈現為第一電流源Im
,而峰化放大器138呈現為第二電流源Ip
(不輸出電流)。阻抗反相器150被模型化為傳輸線,在中心作業頻率(對於此模擬為2 GHz)下具有50歐姆電阻與270度相位旋轉。在模擬中,在中心頻率周圍的頻率範圍上掃描頻率。在結合節點處的阻抗被固定在Ro
/2(看向負載),其中Ro
阻抗被選定以在全負載條件下獲得來自主放大器的最大功率輸出。為了模擬,將峰化放大器關閉時的阻抗設定為20Ro
。對於這些模擬,Ro
= 2RL
= 100Ω。
可使用諸如可從美國加州Santa Rosa的Keysight Technologies, Inc.取得的Advanced Design System(ADS)的軟體工具,實施本文所說明的模擬電路與電路元件。其他適合的軟體工具,包含但不限於可從美國加州El Segundo的AWR Corporation取得的NI AWR Design Environment,以及可從美國紐約North Syracuse的Sonnet Software取得的Sonnet®軟件工具。
第3 圖
圖示杜赫放大器100的模擬結果(如第 2 圖
所示模型化)。圖形中繪製的頻率響應曲線310呈現從主放大器132(例如電流源Im
)輸出處看進阻抗反相器150所估算的散射參數S11
。頻率響應曲線310可用於判定反射回主放大器的訊號量(例如電壓對駐波比,或電壓反射係數),為對頻率的函數。為了估算放大器效能,可從頻率響應曲線上的-20 dB點之間的頻率差異Dw,來判定放大器的RF部分頻寬(Dw/wo
),其中往回反射訊號的值低於輸入至阻抗反相器的訊號位準至少20 dB。對於所示範例,RF部分頻寬為約6%。若阻抗匹配部件引入的增加電性路徑更大,則阻抗反相器150的相位延遲變得更大,且RF部分頻寬進一步減少。用於RF通訊系統的習知杜赫放大器,通常操作在少於約4%的RF部分頻寬。發明人已認知到,這些RF部分頻寬值將不適合用於未來的寬頻RF通訊系統。
發明人已認知並理解到,經過小心設計的反相杜赫放大器配置,可提供要比習知杜赫放大器大得多的RF部分頻寬。第 4 圖
繪製根據一些具體實施例的反相杜赫放大器拓樸。在反相杜赫放大器中,耦合器110處的90度相位延遲,被提供至前往主放大器132的訊號,且阻抗反相器350被設置於結合節點155與峰化放大器138之間(相較於第 1 圖
)。
綜觀而言(且根據一些具體實施例),反相杜赫放大器300包含:輸入耦合器110;在第一電路分支中的主放大器132;在第二電路分支中的峰化放大器138;第一電路分支與第二電路分支連接處的結合節點155;第一阻抗匹配部件342,連接在主放大器132的輸出與結合節點155之間;第二阻抗匹配部件344,連接在峰化放大器138的輸出與結合節點155之間。反相杜赫放大器300亦包含阻抗反相器350,阻抗反相器350連接在第二阻抗匹配部件344與結合節點155之間。反相杜赫放大器300可進一步包含輸出阻抗匹配部件360,輸出阻抗匹配部件360設置在結合節點155與輸出埠或端點之間。
反相杜赫放大器300的部件可被組裝在密封封裝中,作為RF放大器。例如,反相杜赫放大器可被組裝在高速電路板上(例如印刷電路板、陶瓷電路板、或可從美國亞利桑那州Chandler的Rogers Corporation獲得的高頻層壓結構(型號RO4003®)),且被模製或密封於容器中。可對放大器的輸入訊號、輸出訊號與偏壓提供外部連結。亦可提供散熱能力(例如可裝設至散熱元件的金屬或導熱性基底板)。在一些實施例中,反相杜赫放大器300可被組裝在開放電路板上,開放電路板經配置以由任何適合的方式連接至電子設備(例如插入板槽)。
更進一步來說,輸入耦合器110可為將輸入訊號分割成具有大約相等功率位準的兩個訊號的任何適合的功率耦合器(例如90度混合耦合器)。所分割訊號之每一者的功率位準,可比輸入RF訊號約少3 dB。兩個訊號中被提供至第一電路分支與主放大器的一個訊號,被由耦合器延遲約90度(相對於提供至第二電路分支的訊號)。例如,在對於放大器的額定載波頻率下的正弦訊號的相位,在連接至第一電路分支的耦合器110的第一輸出埠處被延遲約90度(相對於連接至第二電路分支的耦合器的第二輸出埠)。在一些具體實施例中,耦合器110的隔離埠(未圖示)可被由50歐姆負載端接。
主放大器132與峰化放大器138可包含高功率半導體電晶體,諸如氮化鎵場效電晶體(FET)。在一些實施例中,主放大器132與峰化放大器138可包含氮化鎵高電子移動率電晶體(HEMT)。因為氮化鎵(GaN)材料的良好材料性質,GaN電晶體對於高速、高電壓及高功率應用是有用的。例如在RF通訊中,GaN電晶體可用於基地台處的反相杜赫放大器中,以放大資料訊號而用於基地台所涵蓋的細胞元區域內的無線廣播。本文中的詞語「氮化鎵」,是指氮化鎵(GaN)及其任何合金,例如氮化鋁鎵(Alx
Ga(1-x )
N)、氮化銦鎵(Iny
Ga(1-y )
N)、氮化鋁銦鎵(Alx
Iny
Ga(1-x-y )
N)、氮化鎵砷化鎵(GaAsx
Py
N(1-x-y )
)、氮化鋁銦鎵砷磷氮化物(Alx
Iny
Ga(1-x-y )
Asa
Pb
N(1-a-b )
)等等。在一些情況中,可由其他半導體材料形成電晶體,諸如砷化鎵、碳化矽、矽鍺、矽、磷化銦等等,且本發明並不限於基於氮化鎵的放大器。
根據一些具體實施例,主放大器132與峰化放大器138的輸入阻抗,可不同於耦合器110的輸出阻抗。為了使阻抗大略匹配,可在每一電路分支中在耦合器110與對於主放大器132與峰化放大器138的輸入之間設置阻抗匹配部件322、324。
每一阻抗匹配部件322、324、342、344、360可包含集總元件網路、一或更多個分散式裝置(例如微帶傳輸線)、或集總元件網路與一或更多個分散式裝置的結合、且經配置以將輸入處的第一值的阻抗轉換成輸出處的第二值的阻抗。阻抗匹配部件可包含電阻性、電容性、及或電感性電路元件。電路元件可為分立裝置或整合裝置。用詞「阻抗匹配部件」與「阻抗轉換部件」可互換使用,並可用於說明將輸入處的第一阻抗值轉換成輸出處的第二阻抗值的部件。阻抗匹配部件可包含RF網路,RF網路將輸入處的第一值的第一阻抗(例如大約匹配於耦合器110的輸出阻抗)轉換成輸出處的第二值的第二阻抗(例如大約匹配於輸出處所連接的放大器的輸入阻抗)。第一阻抗值與第二阻抗值為不同,並經選定以大略匹配(例如在20%內)於阻抗匹配部件輸入與輸出所連接的電路中的點處的阻抗。阻抗匹配部件可或可不增加相位延遲。
在一些具體實施例中,阻抗反相器350被形成為分散式傳輸線(例如具有預定特性阻抗與預定相位延遲的微帶線)。在一些實施例中,阻抗反相器350被形成為人工傳輸線(例如由集總電感性元件與電容性元件)。在一些具體實施例中,集總電感性元件可包含一或更多個結合線。在一些情況中,阻抗反相器350可包含一或更多個分散式傳輸線與集總元件的結合。
在反相杜赫放大器300的一些具體實施例中,主放大器132與峰化放大器138可操作以將他們的輸入訊號,放大成相同量的最大輸出功率(例如以形成對稱式反相杜赫放大器)。在其他情況中,主放大器132與峰化放大器138可操作或配置以將他們的輸入訊號,放大成不同量的最大輸出功率(例如以形成非對稱式反相杜赫放大器)。在對稱式反相杜赫放大器中,主放大器132與峰化放大器138的設計基本上可相同(例如相同的閘極寬度)。
在非對稱式反相杜赫放大器中,主放大器132與峰化放大器138可具有不同設計(或以不同方式操作)。例如在非對稱式反相杜赫放大器中,峰化放大器138的閘極寬度可大於主放大器132的閘極寬度。或者或額外地,汲極對源極偏壓在主放大器與峰化放大器之間可為不同。非對稱式反相杜赫放大器的特徵可在於非對稱因數α,非對稱因數α代表峰化放大器的最大輸出功率對主放大器最大輸出功率的比例。
在對稱式與非對稱式反相杜赫放大器兩者中,主放大器與峰化放大器的閘極處的偏壓可為不同。主放大器132可被偏壓為使得主放大器132操作在AB類或B類模式中,且峰化放大器138可被偏壓為使得峰化放大器138操作在C類模式中。以此方式,峰化放大器138在低輸入RF訊號位準下可閒置(不提供放大),且在輸入訊號位準超過預定功率位準時可開啟以提供放大。
發明人已認知並理解到,阻抗匹配元件342、344、360與阻抗反相器350的配置、以及結合節點155處的阻抗,可強烈影響反相杜赫放大器在操作於對稱與非對稱模式時的頻寬。根據一些具體實施例,可藉由基於相關聯於主放大器132的阻抗值Roptm
(或Zoptm
)設定結合節點處的阻抗,且亦基於阻抗值Roptm
(或Zoptm
)設定阻抗匹配部件342、344、360與阻抗反相器350的阻抗特性,來改良反相杜赫放大器的RF頻寬。結合節點155處的阻抗,以及阻抗匹配部件與阻抗反相器的阻抗特性,可額外基於杜赫放大器的非對稱因數α以及杜赫放大器驅動的負載RL
。
Roptm
的值為實阻抗值,若直接作為負載連接至主放大器132的電晶體汲極,則將從主放大器的功率電晶體提供最大功率傳輸到負載Roptm
。值Zoptm
可為由一些距離從主放大器的電晶體的汲極連接的負載阻抗(具有電阻性與電抗性成分),以供最大功率傳輸。例如在放大器封裝中,可不存在對於主放大器電晶體的汲極的直接存取。相對的,可存在連接至汲極的引線,引線累積了電抗性阻抗且延伸在放大器汲極與外部鰭、墊或銷之間。隨後可在經配置以連接外部電路系統的主放大器輸出處(例如存取點)判定Zoptm
。根據一些具體實施例,功率放大器可包含形成在半導體上並經配置以並聯放大訊號的多個電晶體。
Roptm
(或Zoptm
)值一般而言取決於放大器的性質。例如(且在一些具體實施例中),可使用下式大略判定Roptm
。(方程式 1
) 其中Vds
為施加至放大器的汲極對源極偏壓,Vk
為放大器的膝部電壓,且Imax
為放大器的最大輸出電流。Vds
、Vk
與Imax
的值,可被列在放大器的操作規格或資料表中,或可被可存取主放大器電晶體的人測量得。可使用其他方法以判定Roptm
,諸如使用負載拉曳(load-pull)技術或使用放大器電晶體的非線性模型。
第5 圖
根據一些具體實施例,圖示反相杜赫放大器的輸出部件(有時稱為負載網路)的進一步細節。在一些情況中,阻抗匹配部件342、344、360之每一者在中心頻率下大約提供四分之一波相位位移。根據一些具體實施例,阻抗反相器在中心頻率下提供約為四分之一波的奇數倍的相位位移。在一些情況中,結合節點155處的阻抗Rcn
被設為約為Rcomb
/的值,其中Rcomb
為尚未被判定的值,且相關於反相杜赫放大器的非對稱因數α(根據下式)(方程式 2
)(方程式 3
) 其中Pp
為峰化放大器138的最大輸出功率能力,且Pm
為主放大器132的最大輸出功率能力。量值有時被稱為杜赫放大器的「調變指數」。
Rcomb
值被選為阻抗匹配部件342的輸出阻抗。Rcomb
值為在主放大器132與峰化放大器138兩者全開操作時,經選定為讓反相杜赫放大器300進行最大功率傳輸的阻抗。根據一些具體實施例,主放大器的阻抗匹配部件342將對主放大器呈現的阻抗Roptm
(經選定為從主放大器傳輸最大功率)轉換成阻抗Rcomb
。藉由此選擇,可看到從主放大器132與峰化放大器兩者到負載的功率傳輸的改良,發生在峰化放大器電路分支上在結合節點155之前的阻抗為Rcomb
/且在結合節點之後的輸出線上的阻抗為Rcomb
/時。
藉由上面對於阻抗值的選擇,以及將阻抗匹配部件342、344、360與阻抗反相器模型化為傳輸線,他們的特性阻抗可被選定為如第 5 圖
所示。例如,阻抗反相器350的特性阻抗可被選定為大約為Rcomb
/。主放大器的阻抗匹配部件342可將大約為Roptm
的輸入阻抗,轉換成大約為Rcomb
的輸出阻抗,且具有約為(Roptm
×Rcomb
)0.5
的特性阻抗。輸出阻抗匹配部件360可將大約為Roptm
/的輸入阻抗,轉換成大約為RL的輸出阻抗,且具有約為((Rcomb
/×RL
)0.5
的特性阻抗。峰化放大器的阻抗匹配部件344可將約為Roptp
的輸入阻抗(根據第 1 式
選定以從峰化放大器傳輸最大功率),轉換成約為Rcomb
/的輸出阻抗,且具有約為(Roptp
×(Rcomb
/))0.5
的特性阻抗。若主放大器與峰化放大器僅存在Zoptm
、Zoptp
,則可分別由這些值代替Roptm
與Roptp
。在上面與下面的式子中,Rcomb
則將成為Zcomb
。為了簡化下面的分析,將僅使用實阻抗值。
根據一些具體實施例,可由以下方式判定Rcomb
的值。如前述,對於杜赫放大器的RF部分頻寬(低功率頻寬)限制,發生在峰化放大器138關閉時。因為主放大器132的輸出與負載RL
之間存在阻抗轉換,改良低功率RF部分頻寬與放大器訊號頻寬的一種方式,為根據下式將主放大器輸出與結合節點之間以及結合節點與負載之間的阻抗匹配部件342、360所提供的阻抗轉換比例大略均等化。(方程式 4
)
對第 4 式
求解Rcomb
,得出下式(方程式 5
) 其中Roptm
代表對於主放大器132的最大功率傳輸的阻抗匹配值(可使用第 1 式
對主放大器大略判定),RL
為負載阻抗,且β為放大器的調變指數。參照第 5 圖
並使用第 2 式
的關係,結合節點處的阻抗Rcn
= Rcomb
/β可大略由下式判定。(方程式 6
)第 6 式
可用於獲得對於反相杜赫放大器的結合節點155處的阻抗的值。在一些具體實施例中,實際值可位於第 6 式
(Rcn
± 0.5Rcn
)所給定的值的30%以內,以獲得杜赫放大器效能的改良。類似的,可根據第 5 式
判定Rcomb
,且此值可與與β值一起使用,以設計阻抗匹配部件342、344與360以及阻抗反相器350(例如根據第 5 圖
圖示的式子)。
僅為了說明而不構成對本發明的限制,可從上面的式子對基於GaN的反相杜赫放大器計算一些範例阻抗值。可基於其他半導體或不同電晶體設計來獲取對於反相杜赫放大器的不同值。在一些主放大器中,汲極對源極電壓可約為50V(在3A的最大電流能力下),且膝部電壓可約為3V。根據第 1 式
,Roptm
約為31.3歐姆。若反相杜赫放大器為對稱式且經配置以驅動50歐姆負載,則根據第 6 式
,結合節點155處的阻抗Rcn
約為28歐姆。則Rcomb
約為56歐姆。對於對稱式杜赫放大器,阻抗反相器350的特性阻抗將為56歐姆。在此範例中,阻抗匹配部件342、344之每一者將把來自放大器的31.3阻抗(Roptm
= Roptp
)轉換成約為56歐姆。輸出阻抗匹配部件360將把28歐姆阻抗轉換成50歐姆負載阻抗。對於阻抗的這些值,將為對於放大器的RF部分頻寬的中心的大約值。雖然僅表示為實(電阻性)值,在一些情況中對於阻抗可存在少量的電容性或電感性(電抗性)成分。在遠離中心頻率處,阻抗可面臨較大的電抗性值。
對於如第 5 圖
繪製配置的反相杜赫放大器執行類似於對習知杜赫放大器所執行的(並於上文結合第 3 圖
所討論的)模擬。在第一組模擬中,阻抗匹配部件342、344被模型化為四分之一波傳輸線。主放大器的阻抗匹配部件342被在3.5 GHz下模型化為四分之一波傳輸線,傳輸線的特性阻抗為(Roptm
Rcomb
)0.5
。對於模擬的Roptm
值為10歐姆,此可對應於具有約10 mm的周邊閘極長度的50伏特GaN電晶體。峰化放大器的阻抗匹配部件344被在3.5 GHz下模型化為四分之一波傳輸線,傳輸線的特性阻抗為(Roptm
Rcomb
/)0.5
。輸出阻抗匹配部件360被在3.5 GHz下模型化為四分之一波傳輸線,傳輸線的特性阻抗為(RL
Rcomb
/β)0.5
。對於模擬,負載電阻為50歐姆。阻抗反相器350被在3.5 GHz下模型化為四分之一波傳輸線,傳輸線的特性阻抗為Rcomb
/。對於模擬,非對稱因數被從1到1.5到2改變。
第6 圖
圖示對於低功率情況(峰化放大器閒置)的模擬結果。圖形繪製在主放大器132輸出處的S11散射參數為對頻率的函數。因為阻抗匹配部件與阻抗反相器全部被模型化為四分之一波傳輸線(具有如第 5 圖
指示的特性阻抗),所產生的頻寬為大的。
對於對稱式反相杜赫放大器(= 1),RF部分頻寬為寬廣的,且來自主放大器的阻抗匹配部件的反射訊號在所模擬的頻率範圍上不會超過約-20 dB。在此情況中,RF部分頻寬可由放大器中的阻抗匹配網路800、900的頻率特性決定。對於非對稱式反相杜赫放大器(= 1.5),RF部分頻寬仍然非常寬廣,且反射訊號在距離3.5 GHz中心頻率約800 MHz遠處上升至約-20 dB。對於非對稱式反相杜赫放大器(= 2.0),RF部分頻寬約為23%,此值要比習知的對稱式杜赫放大器要寬廣得多。對於根據本具體實施例所設計的反相杜赫放大器,通常小於RF部分頻寬的訊號頻寬,對應地將為較大。雖然對於較高的非對稱因數,RF部分頻寬與訊號頻寬減少,但放大器的效率提升。因此,有益的是可在減少的頻寬值下操作非對稱式反相杜赫放大器,以得到改良的效率。
訊號頻寬(亦稱為「即時頻寬」或「視訊頻寬」),可被定義為可由反相杜赫放大器放大而不產生非對稱失真的最大調變訊號。訊號頻寬小於或等於RF部分頻寬。避免引入非對稱失真可為重要的,因為數位預失真系統(可與杜赫放大器結合使用以線性化訊號)可無法校正非對稱失真。
測量訊號頻寬的一種作法,為施加兩個未經調變載波頻調(carrier tones)至反相杜赫放大器。兩個載波頻調之間的頻率間距初始可為小(例如數KHz或數MHz)且隨後提升,同時三階交互調變產物的震幅被繪製為對於頻率間距的函數。根據一些具體實施例,三階交互調變產物的差異存在大變化的頻率間距,大略代表訊號頻寬。
對於第 5 圖
繪製的相同反相杜赫放大器配置執行額外的模擬,以評估RF部分頻寬對於Roptm
變化的敏感度。第 7 圖
圖示這些模擬的結果。在這些模擬中,非對稱因數固定為1.5,且Roptm
以5歐姆步階從5歐姆改變到45歐姆。從5歐姆至25歐姆的Roptm
值,被圖示在每一曲線旁的圖形中。亦繪製對於Roptm
= 45歐姆的曲線。對於約10歐姆與20歐姆之間的Roptm值,反射訊號不會升高超過-20 dB,這指示了可能的寬廣的RF與訊號頻寬。對於少於約10歐姆的Roptm
值,RF部分頻寬變為經良好界定,並隨著Roptm
值減少而變窄。對於大於約20歐姆的Roptm
值,RF部分頻寬變為經良好界定,並隨著Roptm
值增加而變窄。即使是在5歐姆與45歐姆的Roptm
值,RF部分頻寬對於非對稱式配置為約29%,這比習知對稱式杜赫放大器的典型4%頻寬值要大得多。可不大於(且通常小於)RF部分頻寬的訊號頻寬,亦將比習知杜赫放大器的訊號頻寬大得多。甚至對於根據本具體實施例所配置的對稱式反相杜赫放大器而言,RF與訊號頻寬也將較大。
第7 圖
的結果指示在本具體實施例的反相杜赫放大器中,Roptm
可變化多如正負50%(例如20歐姆±10歐姆),且本具體實施例的反相杜赫放大器顯著改良了RF與訊號頻寬(相較於習知杜赫放大器)。對於較大的頻寬,Roptm
可少量改變(例如33%,15歐姆±5歐姆)。在一些情況中,Roptm
可改變不超過20%,以獲得較大的頻寬。
因為可根據第 6 式
基於Roptm
大略判定結合節點155處的阻抗Rcn
,Rcn
的變異可相應地小於Roptm
的變異。例如在Roptm
為20歐姆±10歐姆時,Rcn
可改變不超過約±30%,以獲得改良的RF與訊號頻寬。在Roptm
為15歐姆±5歐姆時,Rcn
可改變不超過約±20%,以獲得改良的RF與訊號頻寬。在一些情況中,Rcn
可改變不超過約±10%,以獲得改良的RF與訊號頻寬。根據一些具體實施例,Rcn
可改變不超過約±50%,且本具體實施例的反相杜赫放大器可提供較大的RF部分頻寬與訊號頻寬(相較於習知杜赫放大器)。
發明人已進一步認知並理解到,仔細設計阻抗匹配部件342、344,可改良寬廣頻寬效能,並允許主放大器與峰化放大器的偏壓。根據一些具體實施例,第 8 圖
圖示範例阻抗匹配網路800。所繪製的阻抗匹配網路可用於阻抗匹配部件342、344之一者或兩者。在一些具體實施例中,阻抗匹配網路800包含與去耦電容器Cdec
串聯連接的旁路電感器Lsh
,在輸入RF訊號路徑上的輸入RF埠(或節點)與參考電位(圖式中圖示為地)之間。在一些具體實施例中,旁路電感器Lsh
可包含一或更多個接合線,接合線連接至放大器的一或多個電晶體(未圖示)的一或更多個汲極墊。阻抗匹配網路800可進一步包含串聯電感器Lser
與串聯電容器Cser
,串聯電感器Lser
與串聯電容器Cser
串聯連接並承載RF訊號從阻抗匹配網路800的輸入埠至輸出埠。旁路電感器Lser
可包含一或更多個接合線,接合線連接至放大器的一或多個電晶體(未圖示)的一或更多個汲極墊。阻抗匹配網路800可進一步包含旁路電容器Csh
,旁路電容器Csh
連接在參考電位(圖示為地)與串聯電感器Lser
與串聯電容器Cser
之間的RF訊號路徑上的一節點(例如串聯電容器Cser
的電極)之間。在一些實施例中,電容器Csh
、Cser
、與Cdec
可包含棒電容器(bar capacitor)。
根據一些具體實施例,阻抗匹配網路800可進一步包含偏壓埠Vbias
,偏壓埠Vbias
用於施加汲極對源極偏壓至放大器的一或多個電晶體。偏壓埠可連接至旁路電感器Lsh
與去耦電容器Cdec
之間的一節點。
第9 圖
圖示說明阻抗匹配網路900的另一範例。第 9 圖
的阻抗匹配網路900可用於阻抗匹配部件342、344之一者或兩者。在一些具體實施例中,阻抗匹配網路900包含與去耦電容器Cdec
串聯連接的旁路電感器Lsh1
,在輸入RF訊號路徑上的輸入RF埠(或節點)與參考電位(圖式中圖示為地)之間。旁路電感器Lsh1
可包含一或更多個接合線,接合線連接至放大器的一或多個電晶體(未圖示)的一或更多個汲極墊。阻抗匹配網路900可進一步包含串聯電容器Cser
,串聯電容器Cser
連接在輸入RF埠與輸出RF埠之間。阻抗匹配網路900可進一步包含第二旁路電感器Lsh2
,第二旁路電感器Lsh2
連接在參考電位(圖示為地)與串聯電容器Cser
之後的RF訊號路徑上的一節點之間。串聯電容器Cser
可連接在兩個旁路電感器Lsh1
、Lsh2
的終端之間。阻抗匹配網路900可進一步包含偏壓埠Vbias
,偏壓埠Vbias
用於施加汲極對源極偏壓至放大器的一或多個電晶體。偏壓埠可連接至旁路電感器Lsh1
與去耦電容器Cdec
之間的一節點。
阻抗匹配網路800、900的電感器與電容器的值可經選定,以使阻抗匹配網路提供所需的相位延遲以及阻抗轉換。接續上文結合第 5 圖
說明的對稱式杜赫放大器範例(其中Roptm
為31.3歐姆且Rcomb
為56歐姆),主放大器的阻抗匹配部件342的電感器與電容器的值將被選定,以提供從約31.3歐姆到約56歐姆的阻抗轉換,並在RF部分頻寬的中心頻率處提供約90度的相位延遲。
第8 圖
與第 9 圖
圖示的阻抗匹配網路兩者,可提供所需的阻抗轉換與相位延遲,從而提供相關聯於每一阻抗匹配網路的頻寬。對兩個阻抗匹配網路進行RF電路模擬,申請人發現到第 8 圖
阻抗匹配網路800中的元件設置在約2.65 GHz的中心頻率下可提供90度相位延遲,並展示約19%的RF部分頻寬(從S11
散射參數的頻率分析判定,此處反射訊號上升至低於入射訊號20 dB)。在RF部分頻寬上,相位延遲改變約正負15度。對於此模擬,Lsh
= 1.25 nH;Cdec
= 0.1 μF;Lser
= 1.29 nH;Cser
= 33.17 pF;以及Csh
= 2.73 pF。可使用其他值,以在其他中心頻率下獲得類似的寬廣頻寬。
作為比較,第 9 圖
的阻抗匹配網路900在約2.59 GHz下可提供90度相位延遲,並展示約7%的RF部分頻寬。阻抗匹配網路900的相位延遲亦從在2.38 GHz下約105度,改變到在2.8 GHz下約75度。對於此模擬,Lsh1
= 0.42 nH;Cdec
= 0.1 μF;Cser
= 2.96 pF;以及Lsh2
= 1.31 nH。根據這些分析,在併入本具體實施例的反相杜赫放大器中時,第 8 圖
中圖示的結構應提供較大的RF部分頻寬與訊號頻寬。
根據一些具體實施例,阻抗匹配部件342、344、360以及阻抗反相器350具有預定相位延遲。阻抗匹配部件342、344、360每一者在中心頻率下可具有約四分之一波(90度)的相位延遲。在一些情況中,阻抗反相器350在中心頻率下可提供90度相位延遲。然而,發明人已認知並理解到,由90度的奇數倍提升阻抗反相器350的相位延遲,可改良反相杜赫放大器的RF頻寬。此結果是有些令人驚訝的,因為這與在習知杜赫放大器中提升阻抗反相器的相位延遲所觀察到的趨勢是相反的。
為了包含第 8 圖
中繪製的阻抗匹配網路800的效果,以及為了評估阻抗反相器350中的提升的相位延遲的效果,執行了額外的模擬。在這些模擬中,模型化第 5 圖
的對稱式高功率(150 W)反相杜赫放大器配置。對於模擬,第 8 圖
中繪製的同一四分之一波網路800被用於每一阻抗匹配部件342、344。負載RL
為50歐姆,且輸出阻抗匹配網路360被模型化為在2.6GHz下具有特性阻抗(50Rcomb
/2)0.5
的四分之一波傳輸線。在第一模擬中,阻抗反相器350被模型化為具有特性阻抗Rcomb
與90度相位延遲的傳輸線。在第二模擬中,阻抗反相器350被模型化為具有特性阻抗Rcomb
與270度相位延遲的傳輸線。Roptm
約為10歐姆。因為Roptm
具有小的值,主放大器的輸出與負載之間存在較大的阻抗失配,相較於例如Roptm
為25歐姆的情況。因為由主放大器的阻抗匹配網路800所施加的較大的失配與頻寬限制,總和頻寬窄於第 7 圖
所圖示的情況。
第 10 圖
繪製對於兩個情況的高功率對稱式反相杜赫放大器模擬的結果。兩個情況為峰化放大器閒置的低功率情況,這代表對於放大器頻寬而言最受到限制的情況。在兩種模擬中,阻抗匹配網路800的部件值為:Lsh
= 1.06 nH;Cdec
= 0.1 μF;Lser
= 1.20 nH;Cser
= 99.02 pF;以及Csh
= 2.32 pF。
在第一模擬中(標示為90度),阻抗反相器350提供的相位延遲為90度。阻抗匹配網路800的效果減少了反相杜赫放大器的RF部分頻寬。在阻抗反相器350提供90度延遲時,RF部分頻寬(由在主放大器輸出處的S11
散射參數判定)為約12%。即使對於Roptm
為小的此高功率情況,RF部分頻寬仍大於習知杜赫放大器的約三倍。
重新配置阻抗反相器350以提供270度相位延遲,有些令人驚訝地將RF部分頻寬提升至約24%。第 10 圖
繪製結果為標示為270度的第二曲線。相信在阻抗反相器350處增加的相位延遲,提供了對於主放大器的阻抗匹配網路800的補償電路系統。
上面的結果指示可由反相杜赫放大器配置獲得放大器RF與訊號頻寬的改良,其中阻抗匹配部件、阻抗反相器、以及結合節點處的阻抗的設計,係基於主放大器與峰化放大器的特性(Roptm
、Roptp
)、杜赫放大器的非對稱因數、以及負載阻抗。部分來說,可藉由將從主放大器132輸出到結合節點155的阻抗轉換比例,與從結合節點到負載的阻抗轉換比例大略均等化,來實現頻寬改良。部分來說,可藉由將結合節點處的阻抗設定為與Roptm
的平方根(square root)成比例(如第 6 式
所示),來實現頻寬改良。部分來說,可藉由在主放大器132與峰化放大器138的輸出處實施阻抗匹配網路,來實現頻寬改良,阻抗匹配網路包含與去耦電容器Cdec
串聯連接的旁路電感器Lsh
。部分來說,可藉由使用在峰化放大器138與結合節點155之間的傳輸線阻抗反相器350,來實現頻寬改良,傳輸線阻抗反相器350的特性阻抗值(Rcomb
/α)與Roptm
的平方根成比例(如可略由第 5 式
所判定的)。部分來說,可藉由將阻抗反相器350的相位延遲提升至90度的奇數倍,來實現頻寬改良。
雖然峰化放大器的阻抗匹配部件344與阻抗反相器350被繪製為個別的部件,但在一些實施例中,他們的功能性可被結合為一個網路,此網路將阻抗Roptp
轉換成阻抗Rcomb
/α,並提供(n+1)180º的相位延遲,其中n為0或正整數。
在一些具體實施例中,可由不同的方式建置非對稱式反相杜赫放大器。一種方法可為將峰化放大器132中的功率電晶體的閘極寬度的尺寸,設為大於主放大器138中的功率電晶體的閘極寬度。另一種方法為在主放大器與峰化放大器138的功率電晶體132上使用不同的汲極對源極電壓偏壓。另一種方法為調諧阻抗匹配網路342、344以使來自每一放大器的功率不平衡。模擬顯示,根據本具體實施例所配置的反相杜赫放大器的頻寬效能為非常穩定的,並幾乎無關於用於建置反相杜赫放大器的方法。在不同的作法中,藉由不同地設定閘極寬度尺寸,或調諧阻抗匹配部件,來建置非對稱式反相杜赫放大器,提供了較大的頻寬。
根據一些具體實施例,可藉由在反相杜赫放大器1100中省略輸出阻抗匹配部件360,如第 11 圖
繪製,來獲得更小型的放大器封裝。在此情況中,仍可由第 5 式
來判定Rcomb
的值。阻抗匹配部件342、344與阻抗反相器350的值,可被如上文所述,基於Rcomb
、Roptm
、Roptp
、α與β來判定。雖然根據此具體實施例建置的反相杜赫放大器可操作在減少的頻寬下(相較於第10圖圖示的結果),但這可藉由省略輸出阻抗匹配網路360而提供更小型的放大器封裝。藉由省略輸出阻抗匹配網路,放大器可具有較少的功率損耗,且因此效率可比由第 4 圖
圖示的部件所建置的放大器要好。這種反相杜赫放大器仍可具有較大的RF與訊號頻寬,相較於習知杜赫放大器。
具體實施例亦相關於操作反相杜赫放大器的方法。作為範例,操作反相杜赫放大器300的方法可包含以下步驟:提供RF訊號至耦合器110,耦合器110經設置以將RF訊號分成提供至第一電路分支的第一訊號與提供至第二電路分支的第二訊號,並由80度到100度之間的量增加第一相位延遲至第一訊號(相對於第二訊號)。方法可進一步包含由第一電路分支中的主放大器132放大訊號,並由第二電路分支中的峰化放大器138選擇性放大訊號。峰化放大器138可被操作為C類放大器,並在輸入訊號超過預定功率位準時經配置或偏壓以提供放大,且在輸入訊號小於預定功率位準時不提供放大。
操作反相杜赫放大器300的方法可進一步包含從主放大器132提供經放大訊號至第一阻抗匹配部件342,第一阻抗匹配部件342連接在主放大器132輸出與結合節點155之間,結合節點155結合來自第一電路分支與第二電路分支的訊號。方法亦可包含從峰化放大器138提供訊號至連接在峰化放大器輸出與結合節點之間的第二阻抗匹配部件344,至連接在第二阻抗匹配部件344與結合節點155之間的阻抗反相器350,至結合節點155。可在結合節點155處結合訊號,其中結合節點處的阻抗被根據第 6 式
大略設定(例如在由第 6 式
判定的值的30%以內)。在一些具體實施例中,阻抗匹配部件342、344為集總元件網路,其阻抗轉換係根據第 5 圖
所圖示的式子(例如從Roptm
到Rcomb
以及從Roptp
到Rcomb
/α)。在一些實施例中,阻抗反相器350為整合式傳輸線,整合式傳輸線具有約為Rcomb
/α的特性阻抗,且方法包含由阻抗反相器提供為90度的奇數倍的相位延遲。
操作反相杜赫放大器300的方法可進一步包含:將訊號從結合節點155提供至第三阻抗匹配部件360與放大器的輸出埠。第三阻抗匹配部件360可根據第 5 圖
圖示的式子來提供阻抗轉換(例如從Rcomb
/β至RL
)。在一些實施例中,方法包含將對於從主放大器行進至負載的訊號在結合節點之前與之後的阻抗轉換比例均等化。
操作反相杜赫放大器300的方法可進一步包含:經由在每一阻抗匹配部件342、344中的旁路電感器Lsh
,偏壓主放大器132與峰化放大器138之一者或兩者。在每一阻抗匹配部件342、344中的旁路電感器,可被與去耦電容器Cdec
串聯連接,在RF訊號路徑與參考電位(例如地)之間。
在一些實施例中,操作反相杜赫放大器1100的方法,可包含從結合節點直接提供訊號至輸出埠與負載,而沒有中介的阻抗反相器。
結論
用詞「約」與「大約」,在一些具體實施例中可用於表示目標尺寸的正負20%,在一些具體實施例中可用於表示目標尺寸的正負10%,在一些具體實施例中可用於表示目標尺寸的正負5%,且在一些具體實施例中可用於表示目標尺寸的正負2%。用詞「約」與「大約」,可包含目標尺寸。
本文所說明的科技,可被實施為方法,已說明了此方法的至少一些步驟。作為方法部分所執行的步驟,可由任何適合的方式排序。因此,可實施其中以不同於所描述的順序執行步驟的具體實施例,其可包括同時執行某些動作,即使在說明性具體實施例中被描述為循序動作。此外,在一些具體實施例中方法可包含比所說明的步驟更多的步驟,且在其他具體實施例中可包含比所說明的步驟更少的步驟。
在已說明了發明的至少一個說明性具體實施例之後,在本發明所屬技術領域中具有通常知識者將輕易思及各種變異、修改與改良。此種變異、修改與改良意為在本發明的精神與範圍之內。因此,前述說明目的僅為示例而不為限制。本發明僅受限於下列申請專利範圍所定義之範圍及其均等範圍。
100‧‧‧杜赫放大器110‧‧‧耦合器122‧‧‧阻抗匹配部件124‧‧‧阻抗匹配部件132‧‧‧主放大器138‧‧‧峰化放大器142‧‧‧阻抗匹配部件144‧‧‧阻抗匹配部件150‧‧‧阻抗反相器155‧‧‧結合節點160‧‧‧輸出阻抗匹配部件200‧‧‧低功率電路模型300‧‧‧反相杜赫放大器310‧‧‧頻率響應曲線322‧‧‧阻抗匹配部件324‧‧‧阻抗匹配部件342‧‧‧阻抗匹配部件344‧‧‧阻抗匹配部件350‧‧‧阻抗反相器360‧‧‧阻抗匹配部件800‧‧‧阻抗匹配網路900‧‧‧阻抗匹配網路1100‧‧‧反相杜赫放大器
熟習技藝者將瞭解到,在此所說明的圖式,目的僅為示例說明。應瞭解到,在一些實例中,具體實施例的各種態樣可被誇大(或放大)圖示,以協助瞭解具體實施例。圖式並非必需按比例繪製,而是著重在圖示說明教示內容的原理上。在圖式中,各種圖式中類似的元件符號一般而言代表類似的特徵、功能上類似的元件及或結構上類似的元件。對於相關於微型製造電路的圖式,可僅圖示一個裝置及(或)電路以簡化圖式。實際上,可在基板的大面積上或整體基板上並行製造大量的裝置或電路。此外,所繪製的裝置或電路可被整合入較大的電路內。
下面的實施方式中,在參照圖式時,可使用如「頂」、「底」、「上」、「下」、「垂直」、「水平」等等的空間性參照。此種參照係用於教示目的,且因此並非意圖作為對於所實施裝置的絕對性的參照。所實施的裝置可被以任何適合的方式空間性地定向,這些定向可不同於圖式中顯示的定向。圖式並非意圖由任何方式限制本教示內容的範圍。
第1 圖
繪製習知杜赫放大器(Doherty Amplifier)的設置;
第2 圖
繪製操作在低輸出功率的杜赫放大器的等效電路;
第3 圖
圖示根據一些具體實施例的對於杜赫放大器的頻率響應曲線;
第4 圖
圖示根據一些具體實施例的反相杜赫放大器,其中在放大器輸出處的阻抗反相器被設置在峰化放大器與結合節點之間;
第5 圖
繪製根據一些具體實施例的反相杜赫放大器的部件;
第6 圖
圖示根據一些具體實施例的對於對稱與非對稱的反相杜赫放大器的頻率響應曲線;
第7 圖
圖示根據一些具體實施例的對於非對稱反相杜赫放大器的頻率響應曲線,其中結合節點處的阻抗被改變;
第8 圖
圖示說明根據一個具體實施例的阻抗匹配網路;
第9 圖
圖示說明對於根據一些具體實施例的反相杜赫放大器的阻抗匹配網路;
第10 圖
圖示根據一些具體實施例的對於反相杜赫放大器的兩個具體實施例的頻率響應曲線;以及
第11 圖
繪製根據一些具體實施例的反相杜赫放大器的部件。
連同圖式來閱讀下面的實施方式,將可更顯然明瞭所圖示說明之具體實施例的特徵與優點。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
132‧‧‧主放大器
138‧‧‧峰化放大器
342‧‧‧阻抗匹配部件
344‧‧‧阻抗匹配部件
350‧‧‧阻抗反相器
360‧‧‧阻抗匹配部件
Claims (68)
- 一種反相杜赫放大器,包含:一主放大器,該主放大器在一第一電路分支中;一峰化放大器,該峰化放大器在一第二電路分支中,該峰化放大器經設置以操作為一C類放大器;一結合節點,該結合節點設置在該主放大器之後的該第一電路分支的一第一部分與該峰化放大器之後的該第二電路分支的一第二部分連接之處;以及一阻抗反相器,該阻抗反相器連接在該第二電路分支的該第二部分中在該峰化放大器與該結合節點之間,其中:該阻抗反相器加入一相位延遲,該相位延遲在270度的正負20%以內;以及該結合節點處的一阻抗值Zcn在由下式判定的一值的50%以內:
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,其中Zoptm由一實電阻Roptm組成,且該阻抗值Zcn位於請求項1中的式子的20%內。
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器包含一微帶傳輸線。
- 如請求項3所述之反相杜赫放大器,其中該微帶傳輸線的一特性阻抗,等於該結合節點處的該阻抗乘以(1+α)/α。
- 如請求項1至4之任一項所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器加入的該相位延遲在270度的正負10%以內。
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,其中該反相杜赫放大器的由該主放大器的該輸出處看向該結合節點的一S11散射參數所界定(且該峰化放大器位於一非放大狀態中)的一RF部分頻寬,在對於該反相杜赫放大器的該非對稱因數為1時位於7%與25%之間。
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,其中該結合節點經設置以直接連接至一負載,該負載的一阻抗等於50歐姆的正負20%以內,且該結合節點與該負載之間沒有中介的阻抗匹配部件。
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:一耦合器,該耦合器經設置以將一輸入訊號分成提供至該第一電路分支的一第一訊號以及提供至該第二電路分支的一第二訊號,且該耦合器經設置以將相對於該第二訊號多於80度的一第一相位延遲加至該第一訊號;一第一阻抗匹配部件,該第一阻抗匹配部件連接在該第一電路分支的該第一部分中,在該主放大器與該結合節點之間;以及一第二阻抗匹配部件,該第二阻抗匹配部件連接在該第二電路分支的該第二部分中,在該峰化放大器與該阻抗反相器之間。
- 如請求項8所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:在該第一阻抗匹配部件中的一第一旁路電感器與一第一電容器,該第一旁路電感器與該第一電容器串聯連接在來自該主放大器的一輸出與一第一參考電位之間;以及在該第二阻抗匹配部件中的一第二旁路電感器與一第二電容器,該第二旁路電感器與該第二電容器串聯連接在來自該峰化放大器的一輸出與一第二參考電位 之間。
- 如請求項9所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:一第一偏壓端點,該第一偏壓端點連接至該第一旁路電感器,且該第一偏壓端點經設置以提供一第一偏壓路徑,以經由該第一旁路電感器施加一第一偏壓電壓至該主放大器;以及一第二偏壓端點,該第二偏壓端點連接至該第二旁路電感器,且該第二偏壓端點經設置以提供一第二偏壓路徑,以經由該第二旁路電感器施加一第二偏壓電壓至該峰化放大器。
- 如請求項9或10所述之反相杜赫放大器,其中該第一電容器的一值在100微微法拉與10微法拉之間。
- 如請求項8至10之任一項所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含一第三阻抗匹配元件,該第三阻抗匹配元件連接在該結合節點與該反相杜赫放大器的一輸出端點之間。
- 如請求項12所述之反相杜赫放大器,其中該第一阻抗匹配部件的一第一阻抗轉換比例,等於該第三阻抗匹配部件的一第二阻抗轉換比例的正負20%以內。
- 如請求項8至13之任一項所述之反相杜赫放大器,其中該第一相位延遲為270度的正負20%以內。
- 如請求項8所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器加入的該相位延遲在270度的正負10%以內。
- 如請求項8所述之反相杜赫放大器,其中該第一阻抗匹配部件與該第二阻抗匹配部件之每一者提供90度的正負20%以內的相位延遲。
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,其中該結合節點處的一實阻抗成分為在10歐姆與40歐姆之間的一值。
- 如請求項1所述之反相杜赫放大器,其中該主放大器與該峰化放大器包含氮化鎵電晶體。
- 一種操作一反相杜赫放大器的方法,該方法包含以下步驟:接收一輸入訊號;分割該輸入訊號;提供該輸入訊號的一第一部分至包含一主放大器的一第一電路分支;提供該輸入訊號的一第二部分至包含一峰化放大器的一第二電路分支,該峰化放大器操作為一C類放大 器;在該峰化放大器與一結合節點之間在該第二電路分支中加入一相位延遲,該相位延遲在270度的正負20%內;以及在該結合節點處結合來自該主放大器的一第一訊號與來自該峰化放大器的一第二訊號,該結合節點具有一阻抗值Zcn,該阻抗值Zcn在由下式判定的一值的50%以內:
- 如請求項19所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:將來自該主放大器的一經放大訊號提供至一第一阻抗匹配部件,該第一阻抗匹配部件具有一第一阻抗轉換比例;將來自該峰化放大器的一經放大訊號提供至一第二 阻抗匹配部件,該第二阻抗匹配部件具有一第二阻抗轉換比例;以及將來自該結合節點的一經結合訊號提供至具有一第三阻抗轉換比例的一第三阻抗匹配部件,其中該第一阻抗轉換比例等於該第三阻抗轉換比例的正負20%內。
- 如請求項20所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:將來自該第二阻抗匹配部件的一訊號提供至一阻抗反相器,其中該阻抗反相器在該第二電路分支的該第二部分中加入的該相位延遲在270度的正負20%以內。
- 如請求項21所述之方法,其中該阻抗反相器為一整合式傳輸線。
- 如請求項20所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:經由一旁路電感器施加一汲極對源極電壓至該主放大器的一電晶體,該旁路電感器位於該第一阻抗匹配部件中,並與一去耦電容器串聯連接在來自該主放大器的一RF訊號路徑與一參考電位之間。
- 如請求項19所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:將來自該結合節點的一經結合訊號提供至該反相杜赫放大器的一輸出埠,而不執行該結合節點與該輸出埠之間的阻抗匹配。
- 一種反相杜赫放大器,包含:一主放大器,該主放大器在一第一電路分支中;一峰化放大器,該峰化放大器在一第二電路分支中並經設置以操作為一C類放大器;一結合節點,該結合節點設置在該主放大器之後的該第一電路分支的一第一部分與該峰化放大器之後的該第二電路分支的一第二部分連接之處;一第一阻抗匹配部件,該第一阻抗匹配部件連接在該第一電路分支的該第一部分中,在該主放大器與該結合節點之間;以及連接在該結合節點與該反相杜赫放大器的一輸出端點之間的一輸出阻抗匹配部件,其中該第一阻抗匹配部件的一第一阻抗轉換比例,等於該輸出阻抗匹配部件的一第二阻抗轉換比例的正負20%以內。
- 如請求項26所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含一阻抗反相器,該阻抗反相器連接在該第二電路分支的該第二部分中,在該峰化放大器與該結合節點之間。
- 如請求項27所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器包含一微帶傳輸線。
- 如請求項28所述之反相杜赫放大器,其中該微帶傳輸線的一特性阻抗,等於該結合節點處的該阻抗乘以(1+α)/α。
- 如請求項27或28所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器加入270度的正負20%以內的一相位延遲。
- 如請求項26所述之反相杜赫放大器,其中該反相杜赫放大器的由該主放大器的該輸出處看向該結合節點的一S11散射參數所界定(且該峰化放大器位於一非放大狀態中)的一RF部分頻寬,在對於該反相杜赫放大器的該非對稱因數為1時位於7%與25%之間。
- 如請求項26所述之反相杜赫放大器,其中該結合節點經設置以直接連接至一負載,該負載的一阻抗等於50歐姆的正負20%以內,且該結合節點與該負載之間沒有中介的阻抗匹配部件。
- 如請求項27所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:一耦合器,該耦合器經設置以將一輸入訊號分成提供至該第一電路分支的一第一訊號以及提供至該第二 電路分支的一第二訊號,且該耦合器經設置以將相對於該第二訊號多於80度的一第一相位延遲加至該第一訊號;以及一第二阻抗匹配部件,該第二阻抗匹配部件連接在該第二電路分支的該第二部分中,在該峰化放大器與該阻抗反相器之間。
- 如請求項33所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:在該第一阻抗匹配部件中的一第一旁路電感器與一第一電容器,該第一旁路電感器與該第一電容器串聯連接在來自該主放大器的一輸出與一第一參考電位之間;以及在該第二阻抗匹配部件中的一第二旁路電感器與一第二電容器,該第二旁路電感器與該第二電容器串聯連接在來自該峰化放大器的一輸出與一第二參考電位之間。
- 如請求項34所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:一第一偏壓端點,該第一偏壓端點連接至該第一旁路電感器,且該第一偏壓端點經設置以提供一第一偏壓路徑,以經由該第一旁路電感器施加一第一偏壓電壓至該主放大器;以及 一第二偏壓端點,該第二偏壓端點連接至該第二旁路電感器,且該第二偏壓端點經設置以提供一第二偏壓路徑,以經由該第二旁路電感器施加一第二偏壓電壓至該峰化放大器。
- 如請求項33所述之反相杜赫放大器,其中該第一阻抗匹配部件與該第二阻抗匹配部件之每一者提供90度的正負20%以內的相位延遲。
- 如請求項27所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器加入等於90度的一整數倍的正負20%以內的一第二相位延遲。
- 如請求項26所述之反相杜赫放大器,其中 該主放大器與該峰化放大器包含氮化鎵電晶體。
- 一種用於操作一反相杜赫放大器的方法,該方法包含以下步驟:接收一輸入訊號;分割該輸入訊號;提供該輸入訊號的一第一部分至包含一主放大器的一第一電路分支;提供該輸入訊號的一第二部分至包含一峰化放大器的一第二電路分支,該峰化放大器操作為一C類放大器;在一結合節點處結合來自該主放大器的一第一訊號與來自該峰化放大器的一第二訊號;由一第一阻抗匹配部件將該主放大器的一輸出處的一第一阻抗值,轉換成一第二阻抗值;以及由一輸出阻抗匹配部件將該結合節點之後的一第三阻抗值,轉換成為要由該反相杜赫放大器驅動的一負載的一負載阻抗值的正負20%以內,其中該第一阻抗匹配部件的一第一阻抗轉換比例等於該輸出阻抗匹配部件的一第二阻抗轉換比例的正負20%以內。
- 如請求項40或41所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:由一第二阻抗匹配部件將該峰化放大器的一輸出處的一第四阻抗值,轉換成一第五阻抗值;以及將來自該第二阻抗匹配部件的一訊號提供至一阻抗反相器,該阻抗反相器將來自該第二阻抗匹配部件的該訊號延遲等於90度的一奇數倍的正負20%以內的一值。
- 如請求項42所述之方法,其中該阻抗反相器為一整合式傳輸線,且該延遲為270度的正負20%以內。
- 如請求項40所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:經由一旁路電感器施加一汲極對源極電壓至該主放大器的一電晶體,該旁路電感器位於該第一阻抗匹配部件中,並與一去耦電容器串聯連接在來自該主放大器的一RF訊號路徑與一參考電位之間。
- 如請求項40所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:將來自該結合節點的一經結合訊號提供至該反相杜赫放大器的一輸出埠,而不執行該結合節點與該輸出埠之間的阻抗匹配。
- 一種反相杜赫放大器,包含:一主放大器,該主放大器在一第一電路分支中;一峰化放大器,該峰化放大器在一第二電路分支中,該峰化放大器經設置以操作為一C類放大器;一結合節點,該結合節點設置在該主放大器之後的 該第一電路分支的一第一部分與該峰化放大器之後的該第二電路分支的一第二部分連接之處;以及一阻抗反相器,該阻抗反相器位於該第二電路分支中在該峰化放大器與該結合節點之間,其中該阻抗反相器加入一相位延遲,該相位延遲在270度的正負20%以內,且該阻抗反相器包含一整合式傳輸線,該整合式傳輸線的一特性阻抗在由下式判定的一值的50%以內:
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,其中Zoptm由一實電阻Roptm組成,且該阻抗值Zcn位於請求項1中的式子的20%內。
- 如請求項47或48所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器包含一微帶傳輸線。
- 如請求項49所述之反相杜赫放大器,其中 該微帶傳輸線的一特性阻抗,等於該結合節點處的該阻抗乘以(1+α)/α。
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器加入270度的正負10%以內的一相位延遲。
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,其中該反相杜赫放大器的由該主放大器的該輸出處看向該結合節點的一S11散射參數所界定(且該峰化放大器位於一非放大狀態中)的一RF部分頻寬,在對於該反相杜赫放大器的該非對稱因數為1時位於7%與25%之間。
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,其中該結合節點經設置以直接連接至一負載,該負載的一阻抗等於50歐姆的正負20%以內,且該結合節點與該負載之間沒有中介的阻抗匹配部件。
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:一耦合器,該耦合器經設置以將一輸入訊號分成提供至該第一電路分支的一第一訊號以及提供至該第二電路分支的一第二訊號,且該耦合器經設置以將相對於該第二訊號多於80度的一第一相位延遲加至該第一訊號; 一第一阻抗匹配部件,該第一阻抗匹配部件連接在該第一電路分支的該第一部分中,在該主放大器與該結合節點之間;以及一第二阻抗匹配部件,該第二阻抗匹配部件連接在該第二電路分支的該第二部分中,在該峰化放大器與該阻抗反相器之間。
- 如請求項54所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:在該第一阻抗匹配部件中的一第一旁路電感器與一第一電容器,該第一旁路電感器與該第一電容器串聯連接在來自該主放大器的一輸出與一第一參考電位之間;以及在該第二阻抗匹配部件中的一第二旁路電感器與一第二電容器,該第二旁路電感器與該第二電容器串聯連接在來自該峰化放大器的一輸出與一第二參考電位之間。
- 如請求項55所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含:一第一偏壓端點,該第一偏壓端點連接至該第一旁路電感器,且該第一偏壓端點經設置以提供一第一偏壓路徑,以經由該第一旁路電感器施加一第一偏壓電壓至該主放大器;以及 一第二偏壓端點,該第二偏壓端點連接至該第二旁路電感器,且該第二偏壓端點經設置以提供一第二偏壓路徑,以經由該第二旁路電感器施加一第二偏壓電壓至該峰化放大器。
- 如請求項54至56之任一項所述之反相杜赫放大器,該反相杜赫放大器進一步包含一第三阻抗匹配元件,該第三阻抗匹配元件連接在該結合節點與該反相杜赫放大器的一輸出端點之間。
- 如請求項57所述之反相杜赫放大器,其中該第一阻抗匹配部件的一第一阻抗轉換比例,等於該第三阻抗匹配部件的一第二阻抗轉換比例的正負20%以內。
- 如請求項54所述之反相杜赫放大器,其中該第一阻抗匹配部件與該第二阻抗匹配部件之每一者提供90度的正負20%以內的相位延遲。
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,其中該阻抗反相器加入約等於90度的一整數倍的正負20%以內的一第二相位延遲。
- 如請求項47所述之反相杜赫放大器,其中該主放大器與該峰化放大器包含氮化鎵電晶體。
- 一種用於操作一反相杜赫放大器的方法,該方法包含以下步驟: 接收一輸入訊號;分割該輸入訊號;提供該輸入訊號的一第一部分至包含一主放大器的一第一電路分支;提供該輸入訊號的一第二部分至包含一峰化放大器的一第二電路分支,該峰化放大器操作為一C類放大器;將該第二電路分支中的該輸入訊號的該第二部分,提供至該結合節點之前的一阻抗反相器,其中該阻抗反相器加入一相位延遲,該相位延遲在270度的正負20%以內,且該阻抗反相器包含一整合式傳輸線,該整合式傳輸線的一特性阻抗在由下式判定的一值的50%以內:
- 如請求項62或63所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:將來自該主放大器的一經放大訊號提供至一第一阻抗匹配部件,該第一阻抗匹配部件具有一第一阻抗轉換比例;將來自該峰化放大器的一經放大訊號提供至一第二阻抗匹配部件,該第二阻抗匹配部件具有一第二阻抗轉換比例;以及將來自該結合節點的一經結合訊號提供至一第三阻抗匹配部件,該第三阻抗匹配部件具有一第三阻抗轉換比例,其中該第一阻抗轉換比例等於該第三阻抗轉換比例的正負20%以內。
- 如請求項64所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:經由一旁路電感器施加一汲極對源極電壓至該主放大器的一電晶體,該旁路電感器位於該第一阻抗匹配部件中,並與一去耦電容器串聯連接在來自該主放大器的一RF訊號路徑與一參考電位之間。
- 如請求項62所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:由該阻抗反相器將該第二電路分支中的該輸入訊號的該第二部分,延遲等於90度的一奇數倍的正負20%以內的一值。
- 如請求項62所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:由該阻抗反相器將該第二電路分支中的該輸入訊號的該第二部分,延遲等於270度的正負20%以內的一值。
- 如請求項62所述之方法,該方法進一步包含以下步驟:將來自該結合節點的一經結合訊號提供至該反相杜赫放大器的一輸出埠,而不執行該結合節點與該輸出埠之間的阻抗匹配。
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