TWI766370B - 用於數位微影裝置的數位圖樣檔案最佳化 - Google Patents
用於數位微影裝置的數位圖樣檔案最佳化 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI766370B TWI766370B TW109132505A TW109132505A TWI766370B TW I766370 B TWI766370 B TW I766370B TW 109132505 A TW109132505 A TW 109132505A TW 109132505 A TW109132505 A TW 109132505A TW I766370 B TWI766370 B TW I766370B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pattern file
- digital pattern
- updated
- file
- digital
- Prior art date
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 32
- 238000005457 optimization Methods 0.000 title description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 42
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 238000013461 design Methods 0.000 description 23
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
數位圖樣生成系統包括記憶體和控制器。控制器耦合到記憶體,並且被配置為從數位圖樣檔案中去除冗餘單元、生成第一更新的數位圖樣檔案、並將第一更新的數位圖樣檔案與數位圖樣檔案進行比較。再者,減少第一更新的數位圖樣檔案的第一弧形的頂點數目,以生成第二更新的數位圖樣檔案。此外,用第一單元的替代版本替換第二更新的數位圖樣檔案的一第一單元,以生成一第三更新的數位圖樣檔案。再者,將第三更新的數位圖樣檔案中的一個或多個多邊形轉換為一個或多個四邊形多邊形,以生成優化的數位圖樣檔案。
Description
本揭示內容的具體實施例總體上涉及生成用於數位微影系統的設計檔案。
微影法用於半導體裝置的製造中。習知的微影方法包括將設計圖樣轉移到一組光罩上,這組光罩被轉移到光阻劑上。鑑於原始設計,對光罩進行檢查以驗證光罩的準確性和品質。然而,將設計圖樣轉移到一組光罩上並驗證光罩的準確性和品質,是耗時且昂貴的過程。在數位微影處理中,使用成像處理將設計圖樣直接數位化到光阻劑上。另外,數位微影處理包括驗證處理,以驗證設計圖樣的準確性並為成像處理優化設計圖樣。但是,驗證和優化處理既耗時又需要大量運算成本。
因此,本領域需要一種用於優化和驗證設計檔案的改進方法。
在一個示例中,一種用於為數位微影裝置優化數位圖樣檔案的方法包括:從數位圖樣檔案中去除冗餘單元以生成第一更新的數位圖樣檔案,並將第一更新的數位圖樣檔案與數位圖樣檔案進行比較。方法還包括:減少第一更新的數位圖樣檔案的第一弧形的頂點的數量以生成第二更新的數位圖樣檔案,並且將第二更新的數位圖樣檔案與第一更新的數位圖樣檔案進行比較。另外,方法包括:用第一單元的替代版本替換第二更新的數位圖樣檔案的第一單元,以生成第三更新的數位圖樣檔案,並將第三更新的數位圖樣檔案與第二數位圖樣檔案進行比較。此外,方法包括:將第三更新的數位圖樣檔案內的一個或多個多邊形轉換為一個或多個四邊形多邊形以生成優化的數位圖樣檔案,並將優化的數位圖樣檔案與第三更新的數位圖樣檔案進行比較。
在一個示例中,用於生成數位圖樣檔案的電腦程式產品包括電腦可讀取儲存媒體,電腦可讀取儲存媒體具有體現在其上的電腦可讀取程式碼。電腦可讀取程式碼可由一個或多個電腦處理器執行,以從數位圖樣檔案中去除冗餘單元以生成第一更新的數位圖樣檔案,並將第一更新的數位圖樣檔案與數位圖樣檔案進行比較。此外,將第一更新的數位圖樣檔案的第一弧形的頂點的數量減少為第二更新的數位圖樣檔案,並且將第二更新的數位圖樣檔案與第一更新的數位圖樣檔案進行比較。另外,將數位圖樣檔案的第一單元替換為第一單元的替代版本以生成第三更新的數位圖樣檔案,並將第三更新的數位圖樣檔案與第二更新的數位圖樣檔案進行比較。此外,將第三更新的數位圖樣檔案內的一個或多個多邊形轉換為一個或多個四邊形多邊形以生成優化的數位圖樣檔案,並將優化的數位圖樣檔案與第三更新的數位圖樣檔案進行比較。
在一個示例中,一種數位圖樣生成系統,包括記憶體和控制器。記憶體控制器包括數位圖樣檔案。控制器耦合到記憶體,並且被配置為從數位圖樣檔案中去除冗餘單元、生成第一更新的數位圖樣檔案、並將第一更新的數位圖樣檔案與數位圖樣檔案進行比較。控制器進一步配置以:減少第一更新的數位圖樣檔案的第一弧形的頂點的數量以生成第二更新的數位圖樣檔案,並且將第二更新的數位圖樣檔案與第一更新的數位圖樣檔案進行比較。另外,控制器進一步經配置以:用第一單元的替代版本替換第二更新的數位圖樣檔案的第一單元,以生成第三更新的數位圖樣檔案,並將第三更新的數位圖樣檔案與第二數位圖樣檔案進行比較。控制器進一步經配置以:將第三更新的數位圖樣檔案內的一個或多個多邊形轉換為一個或多個四邊形多邊形以生成優化的數位圖樣檔案,並將優化的數位圖樣檔案與第三更新的數位圖樣檔案進行比較。
本文描述的具體實施例提供了一種用於以減少的處理資源來優化設計檔案(數位圖樣檔案)的系統和方法。方法包括將優化處理分為多個步驟,並在每個步驟之間改變數位圖樣檔案。因此,可以在優化過程完成之前偵測並校正優化處理中的錯誤。此外,與處理整個設計檔案相比,將優化處理劃分為較小的步驟可以減少處理和時間需求。
圖1示出了根據一個或多個具體實施例的數位微影系統100。系統100包括數位微影裝置101和優化器130。數位微影裝置101包括平台114和處理設備104。平台114由設置在平板102上的一對軌道116支撐。平台114支撐基板120。平台114由設置在平板102上的一對軌道116支撐。如圖1所示的坐標系所示,平台114沿一對軌道116在X方向上移動。一對軌道116可以是一對平行的磁性通道。如圖所示,一對軌道116中的每個軌道沿直線路徑延伸。編碼器118耦合到平台114,以便將平台114的位置資訊提供給控制器122。
控制器122通常被設計為促進本文描述的處理技術的控制和自動化。控制器122可以耦合到處理設備104、平台114和編碼器118或與之通信。處理設備104和編碼器118可以將關於基板處理和基板對準的資訊提供給控制器122。例如,處理設備104可以將資訊提供給控制器122以警告控制器122基板處理已經完成。控制器122基於由優化器130提供的數位圖樣檔案,來促進數位微影處理的控制和自動化。可以被控制器122讀取的數位圖樣檔案(或電腦指令)(可以被稱為成像設計檔案)決定在基板上可執行哪些任務。數位圖樣檔案(例如數位圖樣檔案140)包括光罩圖樣資料和代碼,以監視和控制處理時間和基板位置。掩模圖樣資料對應於要使用由數位微影裝置101輸出的電磁輻射寫入光阻劑的圖樣。
基板120包括可以用作平板顯示器的一部分的任何合適的材料,例如玻璃。在其他具體實施例中,基板120由能夠用作平板顯示器或其他半導體裝置的一部分的其他材料製成。基板120具有形成在基板120上的要被圖樣化的膜層(例如藉由將圖樣蝕刻在其上),以及在要被圖樣化的膜層上形成的光阻劑層,其對電磁輻射例如UV或深UV「光」敏感。正性光阻劑包括光阻劑的一部分,當暴露於輻射時,在使用電磁輻射將圖樣寫入光阻劑之後,其分別可溶於施加到光阻劑的光阻劑顯影劑。負性光阻劑包括光阻劑的一部分,當暴露於輻射時,在使用電磁輻射將圖樣寫入光阻劑之後,其分別不溶於施加到光阻劑的光阻劑顯影劑。光阻劑的化學成分,決定了光阻劑是正性光阻劑還是負性光阻劑。光阻劑的實例包括但不限於重氮萘醌、酚醛樹脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基戊二醯亞胺)和SU-8中的至少一種。在光阻劑暴露於電磁輻射之後,使光阻劑顯影以在下層膜層上留下圖樣化的光阻劑。然後,使用圖樣化的光阻劑,透過光阻劑中的開口對下層薄膜進行圖樣蝕刻,以形成顯示面板的電子電路系統的一部分。
處理設備104包括支座108和處理單元106。處理設備104跨過一對軌道116並佈置在平板102上,從而包括讓一對軌道116和平台114通過處理單元106下方的開口112。處理單元106由支座108支撐在平板102上。處理單元106可以是被配置為在微影處理中曝光光阻劑的圖樣產生器。在一些具體實施例中,圖樣產生器被配置為執行無掩模微影處理。此外,處理單元106可以包括複數個圖像投影系統。
在操作期間,平台114在X方向上從如圖1所示的裝載位置移動到處理位置。處理位置是處理單元106下方的一個或多個位置。在此,示意性地示出了數位微影裝置101,其中數位微影裝置101的尺寸被設置為能夠在Y方向上曝光基板120上的光阻劑層的整個寬度,亦即,與實際的平板顯示基板相比,基板120較小。然而,在實際的處理系統中,處理設備104在Y方向上將顯著小於基板120在Y方向上的寬度,並且基板120將循序在-X方向上在處理設備104下方移動、在+Y方向上移動或步進、在處理設備104下沿+X方向掃描回。X方向掃描和Y方向步進操作將繼續進行,直到整個基板區域都經過處理設備104的可寫區域下方為止。
優化器130包括控制器132和記憶體(例如資料存儲)134。優化器130可以用於生成、優化、驗證和/或更新數位圖樣檔案140。數位圖樣檔案140可以存儲在記憶體134內。數位圖樣檔案140包括可由數位微影裝置101用來對基板120進行圖樣化的設計資料。
控制器132檢索並執行存儲在記憶體134中的編程資料,並協調其他系統組件的操作。類似地,控制器132存儲和檢索駐留在記憶體134中的應用資料。控制器132可以是一個或多個中央處理單元(CPU)。替代地或附加地,控制器132可以是一個或多個特定應用軟體程式。
記憶體134可以存儲將由控制器132執行的指令和邏輯。此外,記憶體134可以是隨機存取記憶體(RAM)和非揮發性記憶體(NVM)中的一個或多個。NVM可以是硬碟、網路附接儲存器(NAS)和可移動存儲裝置等等。此外,數位圖樣檔案140被存儲在記憶體134內。
數位圖樣檔案140存儲在記憶體134內,並且可由控制器132存取。數位圖樣檔案140可以包括設計資料,設計資料在由數位微影裝置101的控制器122解釋時提供關於如何圖樣化基板120的指令。可以以不同的格式提供數位圖樣檔案140。例如,數位圖樣檔案140的格式可以是GDS格式和OASIS格式中的一種。此外,數位圖樣檔案140可以作為位元映像或另一圖像檔案被提供給控制器122。數位圖樣檔案140的設計資料包括與要在基板(例如,基板120)上產生的圖樣的結構相對應的資訊。數位圖樣檔案140可以包括與一個或多個結構元件相對應的關注區域。可以將結構元件構造為幾何形狀。此外,可以在驗證和/或優化處理中將關注區域表示為單元。
優化器130可以與數位微影裝置101耦合。例如,優化器130可以將數位圖樣檔案(例如數位圖樣檔案140)傳輸到數位微影裝置101,以在微影處理期間使用以對基板120進行圖樣化。可以經由本端區域網路(LAN)將數位圖樣檔案140傳送到數位微影裝置101。或者,數位圖樣檔案140可以被加載在可移除記憶體上並且被加載到數位微影裝置101上。數位圖樣檔案140可以提供定義相應設計佈局的結構的多邊形的坐標。可以在可以參考以構成陣列的層次結構內組織結構。此外,數位圖樣檔案140定義與對應的半導體裝置的層相對應的層。例如,這些層可以包括接觸墊、跡線等。此外,數位圖樣檔案140可以包括單元的分組,其是元素的邏輯分組。例如,單元可以是電晶體的邏輯元件或半導體裝置的另一元件的分組。此外,一個單元可能包含諸如多邊形(邊界、路徑和其他單元)之類的幾何物件。單元中的物件被分配給相應設計的「層」。不同的層可以表示微影處理內的不同處理步驟。每當要繪製此元件時,都可以參照此單元。例如,每當要繪製電晶體時,都可以參照與電晶體相對應的單元。此外,單元可以跨越設計檔案的設計中的一層或多層。單元層次結構可以包括一個或多個單元。例如,頂層單元可以包括相應物件的所有元件,而層次結構下層中的每個單元可以包括物件的不同部分的元件。
圖2A和2B示出了根據一個或多個具體實施例的用於檢查數位圖樣檔案(例如數位圖樣檔案140)的方法200。在操作210,在數位圖樣檔案內替換冗餘單元。例如,優化器130可以被配置為識別數位圖樣檔案140的設計佈局內的一個或多個與另一單元冗餘的單元。圖3示出了單元結構300和單元結構310。單元結構300包括作為共同元件的一部分的單元A、B、C、D和E。例如,單元A可以是單元結構300的層次結構的頂層,並且單元B、C、D和E對應於單元結構300的層次結構的較低層。可以藉由識別單元結構300內的一個或多個冗餘單元,並用均等單元替換那些冗餘單元來生成單元結構310。例如,優化器130檢查單元結構300並識別單元D和單元E是冗餘的。換句話說,由於單元D對應於數位圖樣檔案140的相同元件類型,因此決定單元D均等於單元E。因此,單元E可以由單元D代替,從而產生單元結構310。此外,單元B和C也被決定為均等且冗餘的。因此,可以將單元C替換為單元B,從而生成單元結構310。因此,單元結構300和310是均等的。用單元B替換單元C及用單元D替換單元E,簡化了壓縮和應用於相應數位圖樣檔案的其他處理,因為在優化和驗證任務期間處理的單元數較少。例如,單元結構310由三個單元組成,而單元結構300由五個單元組成。因此,包括單元結構310的數位圖樣檔案比包括單元結構300的數位圖樣檔案需要更少的處理。
在操作212,響應於替換冗餘單元,生成第一更新的數位圖樣檔案。例如,如關於操作210所描述的,控制器132可以生成第一更新的數位圖樣檔案,以包括藉由替換冗餘單元而生成的更新的單元結構。
在操作214,將第一更新的數位圖樣檔案與數位圖樣檔案140進行比較,以進行層次比較,以偵測第一更新的數位圖樣檔案內的錯誤。控制器132可以執行第一更新的數位圖樣檔案的頂部單元與數位圖樣檔案的頂部單元的內容的比較,以偵測更新的數位圖樣檔案內的圖樣差異。可以在單元內或其任何父單元內偵測到錯誤(例如,數位圖樣檔案之間的圖樣差異)。可以將錯誤的數量與錯誤閾值進行比較,以決定是否不驗證第一更新的數位圖樣檔案。例如,錯誤閾值可以為零。或者,錯誤閾值可以是一個或多個。此外,優化器130可以警告用戶以校正任何識別出的錯誤。例如,優化器130可以生成可以呈現給用戶的錯誤報告。
在操作220,減少第一更新的數位圖樣的一個或多個弧形內的頂點。減少一個或多個弧形內的頂點可包括使用更少的頂點來表示弧形。例如,可以用頂點數少的弧形代替弧形。優化器130可以識別第一更新的數位圖樣內的一個或多個弧形,並減少用於形成一個或多個弧形的頂點的數量。減少用於形成弧形的頂點數量可減少表示弧形的資料量,並簡化相應的設計檔案。因此,設計檔案的優化將生成較少的四邊形幾何圖形,並需要較少的處理時間。
當頂點的相應片段在弦容差(例如弦閾值)內時,可以藉由將一個或多個頂點分組為共同弧形的一部分來形成弧形。例如,可以藉由識別與共同中心相對應並且具有小於弦容差的弦距離的連續頂點(例如,沿著邊界的點)來生成弧形。滿足參數的頂點會組合在一起以形成一條共同的弧形。此外,不滿足這些參數的頂點不被分組以形成弧形,並且可以識別弧形的邊界。弧形的頂點和弦可用於形成四邊形多邊形,可在數位圖樣檔案中使用四邊形多邊形來表示弧形。
弦容差可以與輸入弦的長度大致相同。例如,使用刻寫(inscribe)方法時,弦容差與輸入弦的長度相同。在刻寫方法中,線段末端接觸弧形。或者,控制器132可以利用跨騎方法來將有效輸出弦誤差減小一半。跨騎法可使輸出弦容限約為輸入弦長度的兩倍。在跨騎法中,形成弧形的弦在線段中心處與弧形相交。
圖4示出了弧形410和420。弧形410由頂點412形成,並且可以被認為是未優化的。相鄰頂點412之間的距離係基於弦414的長度。例如,弦414的長度可以是大約0.05μm。或者,弦414的長度可以小於大約0.05μm或大於大約0.05μm。此外,用於形成弧形410的頂點412的數量可以是大約40個或更多。但是,隨著用於表示弧形的頂點和和弦的數量增加,與弧形相對應的資料量也增加了。因此,用於優化相應的數位圖樣檔案的優化處理的處理成本高昂。但是,藉由減少用於形成圓弧的頂點和弦的數量,減少了用於優化數位圖樣檔案的處理量。此外,用具有較少頂點和/或弦的弧形代替弧形410,可以簡化相應的設計檔案並減少優化數位圖樣檔案的處理。例如,弧形410可以由由頂點422和弦424形成的弧形420代替,其中頂點422的數量小於頂點412的數量。此外,弦424的數量小於弦414的數量,弦424的長度大於弦414的長度。因此,與包括弧形410的數位圖樣檔案相比,表示弧形420的資料少於弧形410,並且用於優化包括弧形420的數位圖樣檔案的處理較少。用弧形420代替弧形410可以包括減少頂點的數量和/或增加弦長以形成弧形420。
在操作222,響應於減少一個或多個弧內的頂點數量,生成第二更新的數位圖樣檔案。例如,控制器132可以生成第二更新的數位圖樣檔案,以包括由減少數量的頂點形成的弧形。
在操作224,優化器130可以將第二更新的數位圖樣檔案中的更新的單元與第一更新的數位圖樣檔案中的對應的單元進行比較。例如,優化器130可以將第二更新的數位圖樣檔案與第一更新的圖樣檔案進行比較,以偵測第二更新的數位圖樣檔案內的錯誤。優化器130可以執行弧形恢復處理,以決定第二更新的數位圖樣檔案內的弧形數量是否等於第一更新的數位圖樣檔案內的弧形數量。弧形恢復處理可以包括產生從每個弧形的中心到每個頂點的投影。將由第二更新的數位圖樣檔案的弧線形成的投影與由第一更新的數位圖樣檔案的弧線形成的投影進行比較,以偵測投影之間的任何偏差。大於閾值量的偏差可指示第二更新的數位圖樣檔案與第一更新的數位圖樣檔案具有不同數量的弧形。閾值可以是約0.05um。或者,當使用跨騎方法時,閾值可以小於允許的輸出弦誤差的一半。此外,閾值可以大於約0.05μm或小於約0.05μm。此外,優化器130可以警告用戶以校正任何識別出的錯誤。例如,優化器130可以生成可以輸出(例如顯示)給用戶的錯誤報告。
在操作230,將被旋轉、縮放或鏡像放置的單元,替換為無需旋轉、縮放和鏡像即可放置的均等單元。例如,優化器130識別第二更新設計圖樣內的一個或多個藉由旋轉、縮放或鏡像放置的單元,並且將所標識的單元替換為可以無需旋轉、縮放和鏡像的單元的變體。例如,從頂層視圖來看,圖5的單元結構510的單元A'均等於圖5的單元結構520的單元A的旋轉版本。因此,可以將旋轉放置的單元A'替換為不旋轉的單元A。例如,可以決定將以90度旋轉放置的單元A'替換為不旋轉而放置的單元A的90度變體。因此,如果單元A'具有旋轉並且單元A是單元A'的90度變體,則可以用單元A替換單元A'。用變體替換單元會降低相應數位圖樣檔案的複雜性。
在操作232,響應於用單元的旋轉版本替換單元,生成第三更新的數位圖樣檔案。例如,優化器130可以生成第三更新的數位圖樣檔案以包括單元結構。
在操作234,將第三更新的數位圖樣檔案與第二數位圖樣檔案進行比較,以偵測第三更新的數位圖樣檔案內的錯誤。例如,優化器130的控制器132可以將第三更新的數位圖樣檔案的頂部單元的內容與第二數位圖樣檔案的頂部單元的內容進行比較,以偵測第三更新的數位圖樣檔案內的圖樣差異。錯誤可存儲在單元內或其任何父單元內。可以將錯誤的數量與錯誤閾值進行比較,以決定是否不驗證第一更新的數位圖樣檔案。例如,錯誤閾值可以是一個或多個。或者,誤差閾值可以大於零。此外,優化器130可以警告用戶以校正任何識別出的錯誤。此外,優化器130可以警告用戶以校正任何識別出的錯誤。例如,優化器130可以生成可以輸出(例如顯示)給用戶的錯誤報告。
在操作240,將第三更新的數位圖樣檔案的一個或多個多邊形轉換為四邊形多邊形。例如,優化器130可以識別第三更新的數位圖樣檔案內的一個或多個多邊形,並將識別出的多邊形轉換成四邊形多邊形。控制器132可以採用曼哈頓演算法和附近頂點搜索之一,來將多邊形轉換成四邊形多邊形。曼哈頓演算法可以包括將每個多邊形轉換成曼哈頓近似,其中四邊形多邊形的每一側是水平或垂直的。附近頂點搜索利用現有的頂點來構造相應的四邊形多邊形。因此,與其他方法相比,附近頂點搜索可能會減少分割線段的機會,從而產生更少的四邊形。可以選擇曼哈頓演算法或附近頂點搜索以用於基於多邊形的面積、角度和深寬比將多邊形轉換成四邊形多邊形。可以做出使用曼哈頓算法或附近頂點搜索的決定,以最小化總四邊形計數和/或寬度。
在操作242,響應於將多邊形轉換成四邊形多邊形而生成優化的數位圖樣檔案。例如,優化器130可以生成優化的數位圖樣檔案以包括所生成的四邊形。
在操作244,將優化的數位圖樣檔案與第三更新的數位圖樣檔案進行比較。例如,優化器130可以將優化的數位圖樣檔案與第三數位圖樣檔案進行比較,以識別優化的數位圖樣檔案內的任何錯誤。例如,優化器130完成優化的數位圖樣檔案與第三數位圖樣檔案之間的單元對單元的比較,以識別優化的數位圖樣檔案內的錯誤。錯誤可以對應於單元內的圖樣之間的差異大於網格閾值。可以將錯誤數量與錯誤閾值進行比較,以決定是否不驗證第一更新的數位圖樣檔案。例如,錯誤閾值可以為零。或者,錯誤閾值可以是一個或多個。此外,優化器130可以警告用戶以校正任何識別出的錯誤。例如,網格閾值可以是大約20nm。優化器130可以警告用戶以校正任何識別出的錯誤。例如,優化器130可以生成可以輸出(例如顯示)給用戶的錯誤報告。
操作250是可選的。在操作250,驗證由操作242生成的優化的數位圖樣檔案。驗證優化的數位圖樣檔案(例如,最終數位圖樣檔案)可以包括決定優化的數位圖樣檔案是否滿足與第三更新的數位圖樣檔案的比較的參數。優化器130可以根據第三更新的數位圖樣檔案生成優化的數位圖樣檔案。此外,可以將優化的數位圖樣檔案傳送到數位微影系統,以在基板120的圖樣化期間使用。或者,可以由數位微影裝置101的控制器122來生成優化的數位圖樣檔案。例如,控制器122可以根據第三更新的數位圖樣檔案生成優化的數位圖樣檔案。此外,優化的數位圖樣檔案可以是位元映像或其他圖像檔案類型的形式。
優化器130可以被配置為對優化的數位圖樣檔案執行密度檢查,以決定優化的數位圖樣檔案是否滿足與對應的曝光計劃、控制器122的光柵化器高速快取和/或節拍時間(takt time)(例如,從開始生產一個單元到開始生產另一個單元的平均時間)。例如,優化器130對最終數位圖樣檔案執行密度檢查,以決定第三微影數位圖樣檔案是否可以由數位微影裝置101的控制器122處理。優化器130可以藉由網格收集數位圖樣的密度。每個網格都可以包含負載(單個計數加上重複的單元計數),以及總四邊形寬度和四邊形數量的總和。然後,可以使用負載來預測控制器122的光柵化器快取是否可以保存傳入的資料。總四邊形寬度和計數可用於預測節拍時間。此外,優化器130可以解析最終的優化數位圖樣,並計算重複單元的總參考計數加上單個計數,以預測曝光計劃時間。
圖2A和2B中呈現的方法可以存儲在電腦程式產品內並且在優化器的控制器(例如優化器130的控制器132)上執行。電腦程式產品可以包括其上具有用於使處理器執行本發明的態樣的電腦可讀取程式指令的電腦可讀取媒體。
電腦可讀取儲存媒體可以是有形裝置,有形裝置可以保留和存儲供指令執行裝置使用的指令。電腦可讀取儲存媒體可包括記憶體134。電腦可讀取儲存媒體可以是例如但不限於電子存儲裝置、磁存儲裝置、光存儲裝置、電磁存儲裝置、半導體存儲裝置或前述的任何合適的組合。電腦可讀取儲存媒體的更具體示例的非窮舉列表包括以下內容:便攜式電腦磁碟、硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可抹除可編程唯讀記憶體(EPROM或快閃記憶體)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)、便攜式光碟唯讀記憶體(CD-ROM)、數位多功能碟片(DVD)、記憶棒或軟碟等等。
此處描述的電腦可讀取程式指令可以從電腦可讀取儲存媒體下載到相應的計算/處理裝置,或者經由網路(例如網際網路、本端區域網路、廣域網路及/或無線網路)下載到外部電腦或外部儲存裝置。每個計算/處理裝置中的網路配接器卡或網路介面從網路接收電腦可讀取程式指令,並轉發電腦可讀取程式指令以存儲在相應的計算/處理裝置內的電腦可讀取儲存媒體中。
用於執行本發明的操作的電腦可讀取程式指令可以是組譯器指令、指令集架構(ISA)指令、機器指令、機器相關指令、微代碼、韌體指令、狀態設置資料、或用一種或多種程式語言(包括物件導向程式語言,例如Smalltalk、C ++等,和習知程序程式語言(例如「C」程式語言或類似程式語言)的任意組合編寫的源代碼或物件代碼。在一些具體實施例中,包括例如可編程邏輯電路系統、現場可編程閘陣列(FPGA)或可編程邏輯陣列(PLA)的電子電路系統可以藉由利用電腦可讀取程式指令的狀態資訊來執行電腦可讀取程式指令,以個性化電子電路系統以執行本發明的態樣。
這裡參考根據本發明具體實施例的方法、設備(系統)和電腦程式產品的流程圖和/或框圖描述了本發明的各態樣。將理解的是,流程圖圖示和/或框圖的每個框以及流程圖圖示和/或框圖中的框的組合可以由電腦可讀取程式指令來實現。
這些電腦可讀取程式指令可以被提供給控制器122和/或控制器132。此外,可以將電腦可讀取程式指令提供給一般用途電腦、專用電腦或其他可編程資料處理設備的處理器以產生機器,從而使得經由電腦或其他可編程資料處理設備的處理器執行的指令創建用於實現流程圖和/或框圖方框中指定的功能/動作。這些電腦可讀取程式指令也可以存儲在記憶體134中。
雖然前述內容係關於本揭示內容的範例,但可發想其他與進一步的範例而不脫離前述內容的基板範圍,且前述內容的範圍係由下列申請專利範圍判定。
100:數位光刻系統
101:數位光刻裝置
102:平板
104:處理設備
106:處理單元
108:支座
112:開口
114:平台
116:軌道
118:編碼器
120:基板
122:控制器
130:優化器
132:控制器
134:記憶體
140:數位圖樣檔案
200:方法
210-250:操作
300:單元結構
310:單元結構
410:弧形
412:頂點
414:弦
420:弧形
422:頂點
424:弦
510:單元結構
520:單元結構
可參考多個具體實施例以更特定地說明以上簡要總結的本揭示內容,以更詳細瞭解本揭示內容的上述特徵,附加圖式圖示說明了其中一些具體實施例。然而應注意到,附加圖式僅說明示例性具體實施例,且因此不應被視為限制具體實施例的範圍,並可承認其他等效的具體實施例。
圖1是根據一個或多個具體實施例的微影系統的透視圖。
圖2A和2B是根據一個或多個具體實施例的用於驗證數位圖樣檔案的方法的流程圖。
圖3示出了根據一個或多個具體實施例的在等效更新之前和之後的示例單元結構。
圖4示出了根據一個或多個具體實施例的示例弧形。
圖5示出了根據一個或多個具體實施例的示例性單元結構轉換。
為了協助瞭解,已儘可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。已思及到,一個具體實施例的元件與特徵,可無需進一步的敘述即可被有益地併入其他具體實施例中。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
200:方法
210-232:操作
Claims (15)
- 一種用於為一數位微影裝置優化一數位圖樣檔案的方法,該方法包括以下步驟:從該數位圖樣檔案中刪除冗餘單元,以生成一第一更新的數位圖樣檔案;比較該第一更新的數位圖樣檔案和該數位圖樣檔案;減少該第一更新的數位圖樣檔案的一第一弧形的一頂點數目,以生成一第二更新的數位圖樣檔案;比較該第二更新的數位圖樣檔案和該第一更新的數位圖樣檔案;用一第一單元的一替代版本替換該第二更新的數位圖樣檔案的該第一單元,以生成一第三更新的數位圖樣檔案;比較該第三更新的數位圖樣檔案和該第二更新的數位圖樣檔案;將該第三更新的數位圖樣檔案中的一個或多個多邊形轉換為一個或多個四邊形多邊形,以生成一優化的數位圖樣檔案;和比較該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案。
- 如請求項1所述之方法,其中從該數位圖樣檔案中去除冗餘單元之步驟包括以下步驟:識別該數位圖樣檔案的一第一單元,該第一單元均等於該數位圖樣檔案的一第二單元;和 將該數位圖樣檔案的該第二單元替換為該數位圖樣檔案的該第一單元。
- 如請求項1所述之方法,其中比較該第一更新的數位圖樣檔案和該數位圖樣檔案之步驟包括以下步驟:執行該第一更新的數位圖樣檔案與該數位圖樣檔案的一單元比較,並將該比較的一輸出與一錯誤閾值進行比較。
- 如請求項1所述之方法,其中比較該第二更新的數位圖樣檔案和該第一更新的數位圖樣檔案之步驟包括以下步驟:決定該減少頂點的第一弧形和該第一弧形之間的一差;和比較該差與一閾值。
- 如請求項1所述之方法,比較該第三更新的數位圖樣檔案和該第二更新的數位圖樣檔案之步驟包括以下步驟:執行該第三更新的數位圖樣檔案與該第二更新的數位圖樣檔案的一單元比較。
- 如請求項1所述之方法,其中比較該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案之步驟包括以下步驟:識別該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案之間的一差;和 比較該差與一閾值。
- 一種用於一數位微影裝置的數位圖樣生成系統,該系統包括:一記憶體,包括一數位圖樣檔案;和一控制器,該控制器與該記憶體耦合,該控制器配置為:從該數位圖樣檔案中刪除冗餘單元,以生成一第一更新的數位圖樣檔案;比較該第一更新的數位圖樣檔案和該數位圖樣檔案;減少該第一更新的數位圖樣檔案的一第一弧形的一頂點數目,以生成一第二更新的數位圖樣檔案;比較該第二更新的數位圖樣檔案和該第一更新的數位圖樣檔案;用一第一單元的一替代版本替換該第二更新的數位圖樣檔案的該第一單元,以生成一第三更新的數位圖樣檔案;比較該第三更新的數位圖樣檔案和該第二更新的數位圖樣檔案;將該第三更新的數位圖樣檔案中的一個或多個多邊形轉換為四邊形多邊形,以生成一優化的數位圖樣檔案;和比較該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案。
- 如請求項7所述之系統,其中從該數位圖樣檔案中去除冗餘單元包括:識別該數位圖樣檔案的一第一單元,該第一單元均等於該數位圖樣檔案的一第二單元;和將該數位圖樣檔案的該第二單元替換為該數位圖樣檔案的該第一單元。
- 如請求項7所述之系統,其中比較該第一更新的數位圖樣檔案和該數位圖樣檔案包括:執行該第一更新的數位圖樣檔案與該數位圖樣檔案的一單元比較。
- 如請求項7所述之系統,其中比較該第二更新的數位圖樣檔案和該第一更新的數位圖樣檔案包括:決定該減少頂點的第一弧形和該第一弧形之間的一差;和比較該差與一閾值。
- 如請求項7所述之系統,比較該第三更新的數位圖樣檔案和該第二更新的數位圖樣檔案包括:執行該第三更新的數位圖樣檔案與該第二更新的數位圖樣檔案的一單元比較。
- 如請求項7所述之系統,其中比較該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案包括:識別該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案之間的一差;和比較該差與一閾值。
- 一種用於生成一優化的數位圖樣檔案的電腦程式產品,該電腦程式產品包括:一電腦可讀取儲存媒體,其上包含電腦可讀取程式碼,該電腦可讀取程式碼可由一個或多個電腦處理器執行以:從一數位圖樣檔案中刪除冗餘單元,以生成一第一更新的數位圖樣檔案;比較該第一更新的數位圖樣檔案和該數位圖樣檔案;減少該第一更新的數位圖樣檔案的一第一弧形的一頂點數目,以生成一第二更新的數位圖樣檔案;比較該第二更新的數位圖樣檔案和該第一更新的數位圖樣檔案;用一第一單元的一替代版本替換該第二更新的數位圖樣檔案的該第一單元,以生成一第三更新的數位圖樣檔案;比較該第三更新的數位圖樣檔案和該第二更新的數位圖樣檔案;將該第三更新的數位圖樣檔案中的一個或多個多邊形轉換為一個或多個四邊形多邊形,以生成該優化的數位圖樣檔案;和比較該優化的數位圖樣檔案和該第三更新的數位圖樣檔案。
- 如請求項13所述之電腦程式產品,其中從 該數位圖樣檔案中去除冗餘單元包括:識別該數位圖樣檔案的一第一單元,該第一單元均等於該數位圖樣檔案的一第二單元;和由該數位圖樣檔案的該第一單元替換該數位檔案圖樣的該第二單元,且其中比較該第二更新的數位圖樣檔案和該第一更新的數位圖樣檔案包括:決定該減少頂點的第一弧形和該第一弧形之間的一差;和比較該差與一閾值。
- 如請求項13所述之電腦程式產品,其中比較該第一更新的數位圖樣檔案和該數位圖樣檔案包括:執行該第一更新的數位圖樣檔案與該數位圖樣檔案的一單元比較,且其中比較該第三更新的數位圖樣檔案和該第二更新的數位圖樣檔案包括:執行該第三更新的數位圖樣檔案與該第二更新的數位圖樣檔案的一單元比較。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2019/052449 WO2021061092A1 (en) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | Optimization of a digital pattern file for a digital lithography device |
WOPCT/US19/52449 | 2019-09-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202121061A TW202121061A (zh) | 2021-06-01 |
TWI766370B true TWI766370B (zh) | 2022-06-01 |
Family
ID=75164957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109132505A TWI766370B (zh) | 2019-09-23 | 2020-09-21 | 用於數位微影裝置的數位圖樣檔案最佳化 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220367438A1 (zh) |
JP (1) | JP7534391B2 (zh) |
KR (1) | KR20220066382A (zh) |
CN (1) | CN114341735B (zh) |
TW (1) | TWI766370B (zh) |
WO (1) | WO2021061092A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116457727A (zh) * | 2020-12-17 | 2023-07-18 | 应用材料公司 | 自适应替换图在数字光刻中用于进行局部单元格替换的用途 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI262357B (en) * | 2002-12-20 | 2006-09-21 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method and system of defect image classification |
US20160211118A1 (en) * | 2015-01-21 | 2016-07-21 | Nuflare Technology, Inc. | Method of generating write data for energy beam writing apparatus, method of writing with energy beam, and energy beam writing apparatus |
TW201810096A (zh) * | 2015-12-30 | 2018-03-16 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 積體電路元件之多重圖案化方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05234860A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | 電子線描画データ作成方式 |
JP3543430B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | マスクパターンの補正方法および補正装置 |
JP3612166B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画データ作成方法および装置 |
US7698665B2 (en) * | 2003-04-06 | 2010-04-13 | Luminescent Technologies, Inc. | Systems, masks, and methods for manufacturable masks using a functional representation of polygon pattern |
US7000207B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-02-14 | Sioptical, Inc. | Method of using a Manhattan layout to realize non-Manhattan shaped optical structures |
JP4695830B2 (ja) | 2003-11-10 | 2011-06-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 移動体用領域地図提供装置 |
EP1925020A4 (en) * | 2005-09-13 | 2014-01-01 | Luminescent Technologies Inc | SYSTEMS, MASKS AND METHODS FOR PHOTOLITHOGRAPHY |
CN101770529B (zh) * | 2008-12-31 | 2012-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 解析版图设计的方法 |
JP5497503B2 (ja) | 2010-03-19 | 2014-05-21 | 日本コントロールシステム株式会社 | パターンデータからの繰り返しパターン抽出方法 |
JP5658997B2 (ja) | 2010-12-17 | 2015-01-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および描画データ生成方法 |
JP6169876B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-07-26 | 日本コントロールシステム株式会社 | 電子ビーム描画装置、描画用図形データ作成装置、電子ビーム描画方法、描画用図形データ作成方法、およびプログラム |
US9256709B2 (en) | 2014-02-13 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit mask patterning |
EP3037878B1 (en) * | 2014-12-23 | 2020-09-09 | Aselta Nanographics | Method of applying vertex based corrections to a semiconductor design |
JP6782769B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2020-11-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 2次元又は3次元の形状の階層的表現 |
US10430544B2 (en) * | 2016-09-02 | 2019-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-patterning graph reduction and checking flow method |
US11003828B1 (en) * | 2020-08-03 | 2021-05-11 | Siemens Industry Software Inc. | System and method for layout analysis using point of interest patterns and properties |
-
2019
- 2019-09-23 KR KR1020227013592A patent/KR20220066382A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-23 US US17/636,998 patent/US20220367438A1/en active Pending
- 2019-09-23 WO PCT/US2019/052449 patent/WO2021061092A1/en active Application Filing
- 2019-09-23 CN CN201980099993.3A patent/CN114341735B/zh active Active
- 2019-09-23 JP JP2022518269A patent/JP7534391B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-21 TW TW109132505A patent/TWI766370B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI262357B (en) * | 2002-12-20 | 2006-09-21 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method and system of defect image classification |
US20160211118A1 (en) * | 2015-01-21 | 2016-07-21 | Nuflare Technology, Inc. | Method of generating write data for energy beam writing apparatus, method of writing with energy beam, and energy beam writing apparatus |
TW201810096A (zh) * | 2015-12-30 | 2018-03-16 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 積體電路元件之多重圖案化方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114341735A (zh) | 2022-04-12 |
US20220367438A1 (en) | 2022-11-17 |
JP2022549809A (ja) | 2022-11-29 |
TW202121061A (zh) | 2021-06-01 |
CN114341735B (zh) | 2024-03-08 |
JP7534391B2 (ja) | 2024-08-14 |
KR20220066382A (ko) | 2022-05-24 |
WO2021061092A1 (en) | 2021-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6824999B2 (ja) | パターニングプロセスパラメータを決定する方法及び装置 | |
JP4999013B2 (ja) | 集積化されたopc検証ツール | |
JP4686257B2 (ja) | マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
US7356788B2 (en) | Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description | |
JP4216592B2 (ja) | 集積回路の特性を測定するプロセスと装置 | |
US20170004233A1 (en) | Method of simultaneous lithography and etch correction flow | |
JP2004226965A (ja) | 光近接効果補正のために集積回路を分類する方法及びシステム | |
KR20170047101A (ko) | Opc 이용한 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법 | |
CN101470344A (zh) | 用于对全芯片图案实施图案分解的方法 | |
US6996797B1 (en) | Method for verification of resolution enhancement techniques and optical proximity correction in lithography | |
KR102336664B1 (ko) | Opc 방법, 및 그 opc 방법을 이용한 마스크 제조방법 | |
US20200081336A1 (en) | Method for performing optical proximity correction and method of manufacturing a mask using optical proximity correction | |
TWI766370B (zh) | 用於數位微影裝置的數位圖樣檔案最佳化 | |
CN111399335B (zh) | 一种掩模版缺陷修复方法及装置 | |
US11906905B2 (en) | Preserving hierarchical structure information within a design file | |
US20230205092A1 (en) | Optical proximity correction method, mask manufacturing method, semiconductor chip manufacturing method using the same and computing device | |
US20230074316A1 (en) | Mask process correction methods and methods of fabricating lithographic mask using the same | |
US7914949B2 (en) | Method for testing a photomask | |
US11960212B2 (en) | Extreme ultraviolet lithography device and method of operating extreme ultraviolet lithography device | |
TWI782372B (zh) | 改善設計布局的方法及其半導體布局系統 | |
TW202311847A (zh) | 製備光罩資料和製造光罩的方法 | |
Kagalwalla | Computational Methods for Design-Assisted Mask Flows | |
CN117897661A (zh) | 量测目标优化 | |
CN114721217A (zh) | 改善光学近端校正技术的方法及系统 | |
Sundermann et al. | Model-based mask verification on critical 45nm logic masks |