TWI765486B - 顯示器 - Google Patents

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Abstract

提供一種顯示器，包括陣列基板、光學結構與發光元件。陣列基板包括基底與驅動元件，且驅動元件設置於基底上。光學結構嵌於陣列基板中，且光學結構與陣列基板構成第一容置空間。發光元件設置於第一容置空間內並與驅動元件電性連接，其中發光元件的出光面面向光學結構。另提供一種包括由陣列基板的頂面貫穿至基底的頂面的第二容置空間的顯示器。

Description

顯示器
本發明是有關於一種電子產品，且特別是有關於一種顯示器。
一般而言，在顯示器中，許多因素都會直接影響到其可靠度與顯示品質，舉例而言，如發光元件的對位精度與在不同視角上的亮暗差異等，因此如何設計出具有較佳可靠度與顯示品質的顯示器，已成為本領域研究人員的一大挑戰。
本發明提供一種顯示器，具有較佳的可靠度與顯示品質。
本發明的一種顯示器，包括陣列基板、光學結構與發光元件。陣列基板包括基底與驅動元件，且驅動元件設置於基底上。光學結構嵌於陣列基板中，且光學結構與陣列基板構成第一容置空間。發光元件設置於第一容置空間內並與驅動元件電性連接，其中發光元件的出光面面向光學結構。
本發明的一種顯示器，包括陣列基板、光學結構與發光元件。陣列基板包括基底與驅動元件，驅動元件設置於基底上。光學結構嵌於陣列基板中，且光學結構與陣列基板構成第一容置空間。光學結構具有第一折射層與第二折射層，第一折射層與第二折射層的形狀互補且凹凸配合，且第一折射層的折射率不同於第二折射層的折射率。發光元件設置於第一容置空間內並與驅動元件電性連接，其中發光元件的出光面面向光學結構。
本發明的一種顯示器，包括陣列基板、第二容置空間與發光元件。陣列基板包括基底與驅動元件，且驅動元件設置於基底上。第二容置空間由陣列基板的頂面貫穿至基底上，其中第二容置空間的底部尺寸大於第二容置空間的頂部尺寸。發光元件設置於第二容置空間內並與驅動元件電性連接，其中發光元件的出光面面向基底，且第二容置空間的頂部尺寸大於發光元件的尺寸。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解的是，這些實務上的細節不應用被以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知的結構與元件在圖式中將省略或以簡單示意的方式為之。
在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同或類似的元件。在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者所述元件與所述另一元件中間可以也存在其他元件。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，所述元件與所述另一元件中間不存在其他元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，二元件互相「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的術語僅僅是為了描述本發明特定的實施例，而不是用來限制本發明。舉例來說，本文使用的「一」、「一個」和「該」並非限制元件為單數形式或複數形式。本文使用的「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」或「包含」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則原本被描述為在元件的「下」側的其他元件將變成被定向在元件的「上」側。因此，取決於附圖的特定取向，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為原本在元件「下」或「下方」的其他元件將變成被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。
本文使用的「約」或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1至圖13是依照本發明的一些實施例的顯示器的部分剖視圖。
請參考圖1，在本實施例中，顯示器100可以包括陣列基板110、光學結構120以及發光元件130。陣列基板110可以包括基底112與設置於基底112上的驅動元件114。基底112的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料，驅動元件114可以包括源/汲極1142、閘極1144以及半導體層1146，其中源/汲極1142可以分別形成於閘極1144兩側且電性連接至下方的半導體層1146。
應說明的是，驅動元件114是以頂部閘極型薄膜電晶體(top gate TFT)為例說明，但本發明不限於此。根據其他實施方式，上述驅動元件114也可為底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate TFT)或其他適合之薄膜電晶體。
在本實施例中，光學結構120可以是嵌於陣列基板110中，且光學結構120與陣列基板110可以構成第一容置空間O1。此外，發光元件130可以設置於第一容置空間O1內並與驅動元件114電性連接，其中發光元件130的出光面130a可以面向光學結構120，換句話說，發光元件130可以以電極朝上的方式配置於第一容置空間O1內。
本實施例的顯示器100設計有用於承載發光元件130的容置空間(第一容置空間O1)，因此可以有效改善發光元件130的對位精度問題，進而可以具有較佳的可靠度與顯示品質。進一步而言，藉由容置空間(第一容置空間O1)的設計可以縮短放置發光元件130時與基板(陣列基板110)之間的距離，因此可以降低放置發光元件130時所產生的對位偏移或彈射的機率，進而可以有效改善發光元件130的對位精度問題。
在一些實施例中，由於可以將發光元件130侷限於第一容置空間O1中，因此可以省略用於黏著發光元件130的接著材料，直接使用後續的封裝膠體進行固定，而可以進一步降低材料成本，但本發明不限於此。
在一些實施例中，發光元件130的例如是微型發光二極體(micro-LED)，因此發光元件130可以為藉由雷射(laser)方式轉移(例如是巨量轉移)的元件，由於藉由雷射方式轉移對轉移基板(未繪示)的水平度會有較嚴格的要求，因此本實施例藉由容置空間(第一容置空間O1)的設計可以降低對轉移基板的水平度要求，但本發明不限於此。
在一些實施例中，光學結構120可以用於提升顯示器100的光學效能。進一步而言，可以設計使發光元件130發出的光通過具有不同折射率的材料，以增加出光量提升光學效能。另一方面，在前述設計下也可以減少發光元件130發出的光通過陣列基板110中的材料層，減少多餘的光損耗。
在一些實施例中，光學結構120的頂面120a可以具有凹陷122，換句話說，光學結構120與發光元件130之間可以具有空隙形成凹面，因此發光元件130發出的光可以依序通過折射率較小的凹陷122及折射率較大的光學結構120，即折射率在出光面130a往基底112方向上可以由低到高排列，但本發明不限於此。
在一些實施例中，凹陷122的尺寸可以大於發光元件130的尺寸，換句話說，光學結構120的頂面120a的凹陷弧度具有較小的曲度，即較大的曲率半徑，因此凹陷122可以包覆發光元件130，使發光元件130發出的光可以沿弧面出光，提升容許誤差，但本發明不限於此。
在此必須說明的是，以下實施例沿用上述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參考圖2，相較於顯示器100而言，本實施例的顯示器200的光學結構220的頂面220a的凹陷222可以具有不同的曲率半徑，以因應顯示器所需的不同光學設計。進一步而言，在本實施例中，凹陷222的曲度可以大於凹陷122的曲度，即凹陷222的曲率半徑可以小於凹陷122的曲率半徑，且凹陷222的尺寸可以小於發光元件130的尺寸，因此，凹陷222可以不包覆發光元件130，但本發明不限於此。
在一些實施例中，發光元件130於基底112上的正投影可以與凹陷222完全重疊，但本發明不限於此。
請參考圖3，相較於顯示器100而言，本實施例的顯示器300的光學結構320的頂面320a可以為凸面，且發光元件130與凸面的頂點直接接觸，以更進一步利用幾何結構提升收光能力，進而可以更有效地提升光學效能，但本發明不限於此。
在一些實施例中，光學結構320與發光元件130之間可以夾有部分空隙，但本發明不限於此。
請參考圖4，相較於顯示器100而言，本實施例的顯示器400的光學結構420的頂面420a可以為平面。進一步而言，圖1中的光學結構120在本實施例中可以視為第一折射層，而可以於光學結構120的頂面120a的凹陷122中壓印材料，以形成本實施例的第二折射層424，換句話說，第二折射層424可以位於發光元件130與第一折射層(如光學結構120)之間，且第二折射層424可以被第一折射層(如光學結構120)所包覆，且第一折射層(如光學結構120)與第二折射層424的形狀可以互補且凹凸配合。
在本實施例中，光學結構420可以包括至少兩層折射層，如第一折射層(如光學結構120)與第二折射層424，其中第一折射層(如光學結構120)的頂面與第二折射層424的頂面可以形成連續的平面。
在一些實施例中，光學結構420中的每一層可以具有不同折射率，且光學結構420中的每一層在出光面130a往基底112方向上可以由低到高排列。舉例而言，第一折射層(如光學結構120)與第二折射層424可以具有不同折射率，且第一折射層(如光學結構120)與第二折射層424的折射率在出光面130a往基底112方向上由低到高排列，換句話說，第二折射層424的折射率可以小於第一折射層(如光學結構120)的折射率，但本發明不限於此。
在一些實施例中，第一折射層(如光學結構120)的材料例如是壓印光阻材料，如氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )或氧化鈮(Nb2 O5 )，第二折射層424的材料例如是壓印光阻材料，如氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )或氧化鈮(Nb2 O5 )，但本發明不限於此。
請參考圖5，相較於顯示器200而言，本實施例的顯示器500的光學結構520的頂面520a可以為平面。進一步而言，圖2中的光學結構220在本實施例中可以視為第一折射層，而可以於光學結構220的頂面220a的凹陷222中壓印材料，以形成第二折射層524，換句話說，光學結構520可以包括第一折射層(如光學結構220)與第二折射層524，其中第一折射層(如光學結構220)的頂面與第二折射層524的頂面可以形成連續的平面，且第一折射層(如光學結構220)與第二折射層524的形狀可以互補且凹凸配合，但本發明不限於此。
第一折射層(如光學結構220)與第二折射層524之間的配置與折射率關係及材料可以類似於第一折射層(如光學結構120)與第二折射層424之間的配置與折射率關係及材料，於此不再贅述。
請參考圖6，相較於顯示器300而言，本實施例的顯示器600的光學結構620的頂面620a可以為平面。進一步而言，圖3中的光學結構320在本實施例中可以視為第一折射層，而光學結構620可以更包括第二折射層624，其中為第一折射層(如光學結構320)與第二折射層624的形狀可以互補且凹凸配合，但本發明不限於此。
第一折射層(如光學結構320)與第二折射層624之間的配置與折射率關係可以類似於第一折射層(如光學結構120)與第二折射層424，於此不再贅述。
請參考圖7，相較於顯示器400而言，本實施例的顯示器700的光學結構720可以包括第一折射層722、第二折射層724與第三折射層726，其中第三折射層726、第二折射層724與第一折射層722可以由出光面130a往基底112的方向依序排列，且第一折射層722可以包覆第二折射層724與第三折射層726，而第二折射層724可以包覆第三折射層726，且第一折射層722、第二折射層724與第三折射層726的形狀可以互補且凹凸配合，因此藉由此種多層弧狀折射層的設計可以達到集光的作用，增加出光量，但本發明不限於此。
在一些實施例中，第三折射層726的折射率小於第二折射層724的折射率，第二折射層724的折射率小於第一折射層722的折射率，但本發明不限於此。
請參考圖8，相較於顯示器400而言，本實施例的顯示器800的光學結構820的第一折射層822與第二折射層824可以具有不同的形狀設計，以形成稜鏡結構，調整顯示器800在不同視角上的亮暗差異。進一步而言，光學結構820可以包括第一折射層822與第二折射層824，其中第一折射層822與第二折射層824的交界由多個第一斜邊10與多個第二斜邊20交替連接而成，且第一斜邊10與相鄰的第二斜邊20可以構成三角錐形，但本發明不限於此。
在本實施例中，第一斜邊10可以與第二斜邊20具有不同長度，舉例而言，如圖8所示，第一斜邊10的長度可以大於第二斜邊20的長度，而發光元件130的光可以經由較短的第二斜邊20，如圖8的箭頭所示。舉例而言，在車用系統中，常需要對應不同位置配置具有特定視角的顯示器，因此顯示器800藉由調整第一斜邊10與第二斜邊20的長度差異與選擇稜鏡結構的出光邊，可以形成大角度特定視角的出光，以對不同位置上的觀看者進行視角補償，進而有效涵蓋不同位置上的觀看者的視角範圍，但本發明不限於此。
此外，光學結構820中的每一層可以具有不同折射率，且光學結構820中的每一層在出光面130a往基底112方向上可以由低到高排列。舉例而言，第一折射層(如光學結構822)與第二折射層824可以具有不同折射率，且第一折射層(如光學結構822)與第二折射層824的折射率在出光面130a往基底112方向上由低到高排列，換句話說，第二折射層824的折射率可以小於第一折射層(如光學結構822)的折射率，但本發明不限於此。
請參考圖9，相較於顯示器800而言，本實施例的顯示器900的光學結構920的第一折射層922與第二折射層924可以具有不同的折射率設計。在本實施例中，第一折射層922的折射率可以小於第二折射層924的折射率，換句話說，折射率在出光面130a往基底112方向上可以由高到低排列。進一步而言，在本實施例中，發光元件130的光可以經由較長的第一斜邊10，如圖9的箭頭所示。
據此，圖9的顯示器900的光學結構920與圖8的顯示器800的光學結構820在出光面130a往基底112方向上的折射率排列方式相反，且發光元件130的光可以選擇經由稜鏡結構的不同出光邊(圖9的顯示器900的發光元件130的光經由較長的第一斜邊10，而圖8的顯示器800的發光元件130的光經由較較短的第二斜邊20)，在此設計下，圖9的顯示器900與圖8的顯示器800可以達到一樣的視角補償效果，即形成大角度特定視角的出光，以對不同位置上的觀看者進行視角補償，進而有效涵蓋不同位置上的觀看者的視角範圍，但本發明不限於此。
請參考圖10，相較於顯示器900而言，本實施例的顯示器1000可以具有多組光學結構，以形成多個特定視角的出光。進一步而言，多組光學結構可以包括如圖9所示的光學結構920(第一光學結構)以及光學結構1020(第二光學結構)，其中光學結構920(第一光學結構)與折射率光學結構1020(第二光學結構)可以皆是在出光面130a往基底112方向上可以由高到低排列，並藉由調整光學結構920之第二斜邊20的出光傾斜角度θ1(第二斜邊20的延伸線與基底112表面的夾角)、光學結構1020之第二斜邊201的出光傾斜角度θ2(第二斜邊201的延伸線與基底112表面的夾角)、光學結構920之第二斜邊20與第一斜邊10的比例、以及光學結構1020之第二斜邊201與第一斜邊101的比例，以分別形成第一視角與第二視角。舉例而言，在車用系統中，當使用長條彎曲型顯示器，此時需要將視角方向控制至駕駛者位置，而越遠離駕駛者的位置需要配置視角較大的光學結構。在本實施例的顯示器1000中，藉由調整光學結構920之第二斜邊20的出光傾斜角度θ1大於光學結構1020之第二斜邊201的出光傾斜角度θ2、以及光學結構920的第二斜邊20與第一斜邊10的比例小於光學結構1020的第二斜邊201與第一斜邊101的比例，即可使光學結構920形成出光傾斜角度較小的第一視角，而可以設置較靠近駕駛者D的位置，而光學結構1020形成出光傾斜角度較大的第二視角，而可以設置較遠離駕駛者D的位置，因此駕駛者D例如是位於圖面的右方位置，但本發明不限於此。
請參考圖11，相較於顯示器1000而言，本實施例的顯示器1100的光學結構920與光學結構1120可以具有不同方向的視角設計。在本實施例中，光學結構920與光學結構1120可以呈現鏡像設計，如光學結構920之第二斜邊20與第一斜邊10的比例可以與光學結構1120之第二斜邊202與第一斜邊102的比例相同但呈現鏡像配置，且光學結構1120之第二斜邊202可以具有與光學結構920之第二斜邊20相同的出光傾斜角度θ1，如此一來，可使光學結構920形成出光方向朝向圖面的右方位置觀賞者的第一視角，而光學結構1120形成出光方向朝向圖面的左方位置觀賞者的第二視角，但本發明不限於此。
應說明的是，儘管顯示器1000與顯示器1100僅形成兩個不同的視角，但本發明不限制在顯示器中所能呈現的視角數目，可以視實際設計上的需求而進行調整。
請參考圖12，相較於顯示器900而言，本實施例的顯示器1200的第一斜邊103與第二斜邊203可以具有相同長度，以達到窄角度出光，將光集中至中間區域，具有限縮可視角的防窺功能，但本發明不限於此。
應說明的是，本發明不限制在前述實施例中的折射層的層數與材料，可以視實際設計上的需求而定。
請參考圖13，在本實施例中，顯示器1300可以包括陣列基板110、第二容置空間O2與發光元件130。陣列基板110可以包括基底112與驅動元件114，且驅動元件114可以設置於基底112上。第二容置空間O2可以由陣列基板110的頂面貫穿至基底112上，其中第二容置空間O2的底部OB尺寸大於第二容置空間O2的頂部OT尺寸。發光元件130設置於第二容置空間O2內並與驅動元件130電性連接，其中發光元件130的出光面130a面向基底112，且第二容置空間O2的頂部OT尺寸大於發光元件130的尺寸。
因此，本實施例的顯示器1300設計有用於承載發光元件130的容置空間(第二容置空間O2)，因此可以有效改善發光元件130的對位精度問題，進而可以具有較佳的可靠度與顯示品質。進一步而言，藉由容置空間(第二容置空間O2)的設計可以縮短放置發光元件130時與基板(陣列基板110)之間的距離，因此可以降低放置發光元件130時所產生的對位偏移，進而可以有效改善發光元件130的對位精度問題。此外，由於第二容置空間O2的底部OB尺寸大於第二容置空間O2的頂部OT尺寸，且第二容置空間O2的頂部OT尺寸大於發光元件130的尺寸，因此可以有效地緩衝邊角的應力，更進一步提升顯示器1300的可靠度。
在一些實施例中，發光元件130與第二容置空間O2的側壁OS可以具有距離，但本發明不限於此。
在一些實施例中，第二容置空間O2可以為底切結構，但本發明不限於此。
在一些實施例中，基底112為可撓性基底，因此在多次撓曲的情況下，本實施例的第二容置空間O2設計可以達到更佳的緩衝效果，但本發明不限於此。
在一些實施例中，陣列基板110可以更包括緩衝層115、黑色矩陣層(Black Matrix, BM)116、層間絕緣層1151、將閘極1144與其他線路電性隔離的介電層1152、保護層(passivation layer)1171、1172與線路層118等膜層，其中緩衝層115、層間絕緣層1151、介電層1152、黑色矩陣層116、保護層1171、1172與線路層118等膜層可以經由任何適宜的材料所製成，且可以經由任何適宜的方式配置，舉例而言，可以如圖1至圖13中任一態樣所示，但本發明不限於此。此外，陣列基板110還可以包括任何未繪示的適宜膜層。
綜上所述，本發明的顯示器設計有用於承載發光元件的容置空間，如由陣列基板與光學結構構成的容置空間，或由陣列基板的頂面貫穿至基底的頂面的容置空間，因此可以有效改善發光元件的對位精度問題，進而可以具有較佳的可靠度與顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、20、101、201、102、202、103、203:斜邊 100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300:顯示器 110:陣列基板 112:基底 114:驅動元件 1142:源/汲極 1144:閘極 1146:半導體層 115:緩衝層 1151:層間絕緣層 1152:介電層 116:黑色矩陣層 1171、1172:保護層 118:線路層 120、220、320、420、520、620、720、820、920、1020、1120:光學結構 120a、220a、320a、420a、520a、620a:頂面 122、222:凹陷 130:發光元件 130a:出光面 424、524、624、722、724、726、822、824、922、924:折射層 D:駕駛者 O1、O2:容置空間 OB:底部 OT:頂部 OS:側壁 θ1、θ2:出光傾斜角度
圖1至圖13是依照本發明的一些實施例的顯示器的部分剖視圖。
100:顯示器
110:陣列基板
112:基底
114:驅動元件
1142:源/汲極
1144:閘極
1146:半導體層
115:內連線層
1151、1152:介電層
116:黑色矩陣層
1171、1172:保護層
118:線路層
120:光學結構
120a:頂面
122:凹陷
130:發光元件
130a:出光面
O1:容置空間

Claims (12)

  1. 一種顯示器，包括：陣列基板，其中所述陣列基板包括基底與驅動元件，且所述驅動元件設置於所述基底上；光學結構，嵌於所述陣列基板中，且所述光學結構與所述陣列基板構成第一容置空間；以及發光元件，設置於所述第一容置空間內並與所述驅動元件電性連接，其中所述發光元件的出光面面向所述光學結構，其中所述光學結構與所述發光元件之間具有空隙；或所述光學結構包括壓印材料形成的折射層。
  2. 如請求項1所述的顯示器，其中所述發光元件為藉由雷射方式轉移的元件。
  3. 如請求項1所述的顯示器，其中所述光學結構與所述發光元件之間具有所述空隙時，所述光學結構的頂面具有凹陷，且所述凹陷的尺寸大於所述發光元件的尺寸。
  4. 如請求項1所述的顯示器，其中所述光學結構與所述發光元件之間具有所述空隙時，所述光學結構的頂面具有凹陷，且所述凹陷的尺寸小於所述發光元件的尺寸。
  5. 如請求項1所述的顯示器，其中所述光學結構與所述發光元件之間具有所述空隙時，所述光學結構的頂面為凸面，且所述發光元件與所述凸面的頂點直接接觸。
  6. 如請求項1所述的顯示器，其中所述光學結構更包括所述折射層時，所述光學結構的頂面為平面。
  7. 如請求項6所述的顯示器，其中所述光學結構更包括所述折射層時，所述折射層為至少二層折射層，所述至少二層折射層中的每一層具有不同折射率，且所述至少二層折射層中的所述每一層的折射率在所述出光面往所述基底方向上由低到高或由高到低排列。
  8. 一種顯示器，包括：一陣列基板，其中所述陣列基板包括一基底與至少一驅動元件，且所述至少一驅動元件設置於所述基底上；至少一光學結構，嵌於所述陣列基板中，且所述光學結構與所述陣列基板構成一第一容置空間，其中所述光學結構具有第一折射層與第二折射層，所述第一折射層與所述第二折射層的形狀互補且凹凸配合，所述第一折射層的折射率不同於所述第二折射層的折射率，且所述第二折射層由壓印材料形成；以及至少一發光元件，設置於所述第一容置空間內並與所述至少一驅動元件電性連接，其中所述發光元件的出光面面向所述光學結構。
  9. 如請求項8所述的顯示器，其中所述第一折射層與所述第二折射層的交界由多個第一斜邊與多個第二斜邊交替連接而成，且所述第一斜邊與相鄰的所述第二斜邊構成三角錐形。
  10. 如請求項9所述的顯示器，其中所述第一斜邊與所述第二斜邊具有不同長度。
  11. 如請求項9所述的顯示器，其中所述第一斜邊與所述第二斜邊具有相同長度。
  12. 如請求項9所述的顯示器，其中所述至少一光學結構包含一第一光學結構與一第二光學結構，且所述第一光學結構的第二斜邊的出光傾斜角度與所述第二光學結構的第二斜邊的出光傾斜角度不相同。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114694517B (zh) * 2022-03-25 2023-06-02 Tcl华星光电技术有限公司 拼接显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102308406A (zh) * 2009-02-05 2012-01-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
TW201800813A (zh) * 2016-06-30 2018-01-01 樂金顯示科技股份有限公司 光學構件與具有其之有機發光顯示裝置
TW201824220A (zh) * 2016-09-30 2018-07-01 半導體能源硏究所股份有限公司 顯示面板、顯示裝置、輸入輸出裝置、資料處理裝置
US20190097177A1 (en) * 2017-09-27 2019-03-28 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
TW201926294A (zh) * 2017-12-05 2019-07-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 電致發光顯示裝置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI277222B (en) * 2004-10-29 2007-03-21 Lighthouse Technology Co Ltd LED module and method of packing the same
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
KR20060133670A (ko) * 2005-06-21 2006-12-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법과, 이를 구비한 표시 기판
US7841741B2 (en) * 2007-04-02 2010-11-30 Endicott Interconnect Technologies, Inc. LED lighting assembly and lamp utilizing same
JP2010021400A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 放熱特性に優れたプリント配線基板
JP5244191B2 (ja) * 2008-09-19 2013-07-24 シャープ株式会社 薄膜付き基板、有機エレクトロルミネセンス表示装置、カラーフィルタ基板及び薄膜付き基板の製造方法
CN201820758U (zh) * 2010-09-15 2011-05-04 杨东佐 一种带有冷却装置的led集成结构
KR101925915B1 (ko) * 2011-10-24 2018-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5744166B1 (ja) * 2013-12-24 2015-07-01 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 表示パネルおよび表示パネルの組み立て方法および表示パネルを有する電子装置
CN104037276A (zh) 2014-06-24 2014-09-10 合肥工业大学 一种具有梯度折射率的多层结构白光led器件及其封装方法
US10134803B2 (en) 2015-01-23 2018-11-20 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
KR102365778B1 (ko) * 2015-02-24 2022-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105698481B (zh) * 2016-03-09 2018-10-12 青岛海尔股份有限公司 显示装置及冰箱抽屉
TWI588985B (zh) * 2016-04-22 2017-06-21 友達光電股份有限公司 微型發光二極體結構及其畫素單元與發光二極體顯示面板
TWI590212B (zh) * 2016-05-18 2017-07-01 光寶光電（常州）有限公司 發光顯示器以及形成發光顯示器的方法
TWI618266B (zh) * 2016-09-07 2018-03-11 友達光電股份有限公司 微型發光二極體單元之中介結構及其製造方法、微型發光二極體單元及其製造方法與微型發光二極體裝置
US11018285B2 (en) * 2017-03-23 2021-05-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN107093662A (zh) * 2017-04-11 2017-08-25 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种新型的全无机钙钛矿量子点硅胶透镜及其制备方法
TW201838173A (zh) * 2017-04-12 2018-10-16 啟端光電股份有限公司 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法
CN107154465A (zh) * 2017-05-26 2017-09-12 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置
CN107195747B (zh) * 2017-06-01 2024-03-26 华南理工大学 一种微米尺寸倒装led芯片及其制备方法
US10021762B1 (en) * 2017-06-30 2018-07-10 Innolux Corporation Display device
US10325791B1 (en) * 2017-12-13 2019-06-18 Facebook Technologies, Llc Formation of elastomeric layer on selective regions of light emitting device
KR102517393B1 (ko) * 2018-04-18 2023-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
JP7105612B2 (ja) * 2018-05-21 2022-07-25 シャープ株式会社 画像表示素子およびその形成方法
TWI667786B (zh) * 2018-05-31 2019-08-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
WO2019230250A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びアレイ基板
CN108878626B (zh) * 2018-06-29 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
TWI688933B (zh) * 2018-07-16 2020-03-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US10943526B2 (en) * 2018-07-31 2021-03-09 Innolux Corporation Display device, backlight module and electronic device
JP7256622B2 (ja) * 2018-09-26 2023-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110767689B (zh) * 2018-10-31 2022-08-16 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板、显示面板、其制备方法及显示终端
DE112020000521T5 (de) * 2019-01-25 2021-10-14 Sony Group Corporation Lichtemittierende vorrichtung und bildanzeigegerät
TWI670850B (zh) * 2019-03-08 2019-09-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN109979981B (zh) 2019-03-29 2021-05-14 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
TWI692100B (zh) * 2019-07-04 2020-04-21 宏碁股份有限公司 微型發光顯示器及其製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102308406A (zh) * 2009-02-05 2012-01-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
TW201800813A (zh) * 2016-06-30 2018-01-01 樂金顯示科技股份有限公司 光學構件與具有其之有機發光顯示裝置
TW201824220A (zh) * 2016-09-30 2018-07-01 半導體能源硏究所股份有限公司 顯示面板、顯示裝置、輸入輸出裝置、資料處理裝置
US20190097177A1 (en) * 2017-09-27 2019-03-28 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
TW201926294A (zh) * 2017-12-05 2019-07-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 電致發光顯示裝置

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