TWI761900B - 大型成膜基板及其製造方法、分割成膜基板及其製造方法、分割成膜基板之生產管理方法及生產管理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可實現包含識別標記之大型成膜基板及分割成膜基板之製造成本之低成本化、及識別標記之讀取精度之高精度化之大型成膜基板之製造方法。本發明之大型成膜基板之製造方法包含：標記步驟，其就切割前之大型基板11之一主面側之由切割線L分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記M；及成膜步驟，其藉由在大型基板11上，於除識別標記M之位置以外之位置成膜，而產生大型成膜基板2；且於標記步驟中，以於在切割後將切割大型成膜基板而成之複數個分割成膜基板重疊之情形下，複數個分割成膜基板之識別標記重疊之方式，使用可標記範圍A1小於大型基板11之1個標記裝置，同時標記大型基板11之所有識別標記M。

Description

大型成膜基板及其製造方法、分割成膜基板及其製造方法、分割成膜基板之生產管理方法及生產管理系統
本發明係關於一種大型成膜基板及其製造方法、分割成膜基板及其製造方法、分割成膜基板之生產管理方法及生產管理系統。
業已知悉為了管理使用例如半導體基板(晶圓)之半導體器件之生產履歷資訊(例如製造條件)，而於半導體基板印刷識別標記(例如，切割後之分割基板之固有之識別符)之技術(例如，參照專利文獻1、2)。於專利文獻1中，曾記載當將半導體基板分割為4個時，將4個識別標記印刷於旋轉對稱之位置。於專利文獻2中，曾記載當將半導體基板分割為4個時，將4個識別標記印刷於上下左右對稱之位置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-110491號公報 [專利文獻2]日本特開2003-44119號公報
[發明所欲解決之問題]
在專利文獻2中，於搬送中，使用2個標記裝置，2次同時印刷2個識別標記。此外，於專利文獻1中未記載識別資訊之印刷方法。
基於製造成本之觀點，較佳為使用1個標記裝置，一次打印所有識別標記。然而，因識別資訊之位置，而包含所有識別資訊之標記範圍變大，標記裝置成為大型，而裝置導入成本變高。
又，較理想為，藉由採用二維條碼等更複雜之識別標記，提高識別標記之讀取精度。
本發明之目的在於提供一種可實現包含識別標記之大型成膜基板及分割成膜基板之製造成本之低成本化、及識別標記之讀取精度之高精度化之大型成膜基板及其製造方法、分割成膜基板及其製造方法、分割成膜基板之生產管理方法及生產管理系統。 [解決問題之技術手段]
本發明之大型成膜基板之製造方法係製造於切割前之大型基板上成膜之大型成膜基板者，其包含：標記步驟，其就前述大型基板之一主面側之由切割線分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記；及成膜步驟，其藉由在前述大型基板上，於除前述識別標記之位置以外之位置成膜，而產生前述大型成膜基板；且於前述標記步驟中，以於在切割後將切割前述大型成膜基板而成之複數個分割成膜基板重疊之情形下，前述複數個分割成膜基板之前述識別標記重疊之方式，使用可標記範圍小於前述大型基板之1個標記裝置，同時標記前述大型基板之所有前述識別標記。
本發明之分割成膜基板之製造方法包含上述之大型成膜基板之製造方法，係切割前述大型成膜基板而成之前述複數個分割成膜基板之製造方法，其包含切割步驟，該切割步驟藉由沿前述切割線切割前述大型成膜基板，而產生前述複數個分割成膜基板。
本發明之分割成膜基板之生產管理方法包含上述之分割成膜基板之製造方法，係前述複數個分割成膜基板之生產管理方法，且包含：管理步驟，其以前述標記步驟、前述成膜步驟及前述切割步驟之資訊中至少一者為生產資訊，與前述識別標記表示之資訊建立關聯而予以管理；及讀取步驟，其藉由就前述複數個分割成膜基板之每一者讀取前述識別標記，而讀取前述生產資訊。
本發明之大型成膜基板係藉由上述之大型成膜基板之製造方法而製造之大型成膜基板。
本發明之分割成膜基板係藉由上述之分割成膜基板之製造方法而製造之分割成膜基板。
本發明之分割成膜基板之生產管理系統係用於上述之分割成膜基板之生產管理方法者，其具備：標記裝置，其就大型基板之一主面側之由切割線分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記；成膜裝置，其藉由在前述大型基板上，於除前述識別標記之位置以外之位置成膜，而產生大型成膜基板；切割裝置，其藉由沿前述切割線切割前述大型成膜基板，而產生複數個分割成膜基板；管理裝置，其以由前述標記裝置進行之標記時之資訊、由前述成膜裝置進行之成膜時之資訊、及由前述切割裝置進行之切割時之資訊中至少一者為生產資訊，與前述識別標記表示之資訊建立關聯而予以管理；及讀取裝置，其藉由就前述複數個分割成膜基板之每一者讀取前述識別標記，而讀取前述生產資訊；且前述標記裝置以於在切割後將切割前述大型成膜基板而成之複數個分割成膜基板重疊之情形下，前述複數個分割成膜基板之前述識別標記重疊之方式，使用可標記範圍小於前述大型基板之1個標記裝置，同時標記前述大型基板之所有前述識別標記。 [發明之效果]
根據本發明，可實現包含識別標記之大型成膜基板及分割成膜基板之製造成本之低成本化、及識別標記之讀取精度之高精度化。
以下，參照附圖，作為本發明之實施形態之一例，針對太陽電池之半成品(大型成膜基板、分割成膜基板)及其製造方法、太陽電池之半成品(分割成膜基板)之生產管理方法及生產管理系統進行說明。此外，於各圖式中，對於同一或相當之部分賦予同一符號。又，雖然亦有方便上，省略陰影或構件符號等之情形，但於上述之情形下，參照其他之圖式。
圖1係顯示本實施形態之太陽電池之一例(雙面電極型太陽電池)之剖視圖，圖2係顯示本實施形態之太陽電池之另一例(背面電極型太陽電池)之剖視圖。
(雙面電極型太陽電池) 如圖1所示，雙面電極型太陽電池1具備：半導體基板11、及依序積層(形成)於半導體基板11之受光面(一主面)側之第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25、第1透明電極層27及第1金屬電極層28。又，太陽電池1具備依序積層(形成)於半導體基板11之背面(另一主面)側之第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35、第2透明電極層37及第2金屬電極層38。
於此雙面電極型太陽電池1之情形下，後述之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)2及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3係例如於半導體基板11之受光面側成膜有第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25及第1透明電極層27，於半導體基板11之背面側成膜有第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35及第2透明電極層37之基板。
(背面電極型太陽電池) 如圖2所示，背面電極型太陽電池1具備：半導體基板11、及依序積層(形成)於半導體基板11之受光面(一主面)側之第3本徵半導體層3及防反射層15。又，太陽電池1具備依序積層於半導體基板11之背面(另一主面)側之一部分之第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25、第1透明電極層27及第1金屬電極層28。又，太陽電池1具備依序積層於半導體基板11之背面側之另一部分之第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35、第2透明電極層37及第2金屬電極層38。
於此背面電極型太陽電池1之情形下，後述之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)2及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3係例如於半導體基板11之受光面側成膜有第3本徵半導體層13及防反射層15，於半導體基板11之背面側成膜有第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25、第1透明電極層27、第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35及第2透明電極層37之基板。
以下，說明圖1或圖2所示之太陽電池1之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)2及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3及其製造方法。又，說明太陽電池1之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3之生產管理方法及生產管理系統。
圖3係顯示本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理系統之圖。圖4A係顯示包含本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。圖4B係顯示包含本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。圖4C係顯示包含本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之讀取步驟的圖。
(生產管理系統) 圖3所示之生產管理系統100係進行例如太陽電池1之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3之生產履歷資訊之管理之系統。生產管理系統100包含：標記裝置110、成膜裝置120、切割裝置130、管理裝置140、及讀取裝置150。
標記裝置110係使用例如雷射之標記裝置。標記裝置110於大型半導體基板(例如，6英吋M2晶圓：156.75 mm×156.75 mm)11標記識別標記。具體而言，標記裝置110如圖4A所示，就大型半導體基板11之一主面側(例如背面側)之由被預編程之切割線L分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記M。
標記裝置110之可標記範圍A1小於大型半導體基板11。於圖4A之例中，可標記範圍A1為30 mm×30 mm。標記裝置110以1台同時標記大型半導體基板11之所有識別標記M。
又，標記裝置110以如圖4C所示般，於在由後述之切割裝置130進行切割後，將複數個已成膜之分割半導體基板3重疊之情形下，複數個已成膜之分割半導體基板3之識別標記M重疊之方式，標記複數個識別標記M。換言之，標記裝置110於可標記範圍A1內，相對於切割線L旋轉對稱地標記識別標記M。
識別標記M配置於與切割線L之分開距離為15 mm以下之位置，且配置於大型半導體基板11之中央部。
識別標記M包含英文數字、圖形、條碼、二維條碼等中至少一者。識別標記M包含切割後之分割半導體基板3之固有之識別符、切割前之大型半導體基板2(或11)之固有之識別符、及大型半導體基板2(或11)之分割半導體基板3之位置等。
成膜裝置120係例如CVD(化學汽相沈積)裝置或PVD(物理汽相沈積)裝置。成膜裝置120藉由在大型半導體基板11上，於除識別標記M之位置以外之位置成膜，而形成已成膜之大型半導體基板2。
於例如圖1所示之雙面電極型太陽電池1之情形下，成膜裝置120將第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25及第1透明電極層27成膜於半導體基板11之受光面側，於半導體基板11之背面側，將第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35及第2透明電極層37於除識別標記之位置以外之位置。
另一方面，於例如圖2所示之背面電極型太陽電池1之情形下，成膜裝置120將第3本徵半導體層3及防反射層15依序成膜於半導體基板11之受光面側，於半導體基板11之背面側之一部分，將第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25及第1透明電極層27成膜於除識別標記之位置以外之位置，於半導體基板11之背面側之另一部分，將第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35及第2透明電極層37成膜於除識別標記之位置以外之位置。
切割裝置130係使用例如雷射之切割裝置。切割裝置130藉由沿被預編程之切割線L切割已成膜之大型半導體基板2，而產生複數個已成膜之分割半導體基板3。
管理裝置140以由標記裝置110進行之標記時之資訊、由成膜裝置120進行之成膜時之資訊、及由切割裝置130進行之切割時之資訊中至少一者為生產履歷資訊，與識別標記表示之資訊建立關聯而予以管理。
作為由標記裝置110進行之標記時之生產履歷資訊，可舉出：雷射強度、照射時間、對於大型半導體基板之標記位置(如例如109A、109B、109C、109D)等標記條件。作為由成膜裝置120進行之成膜時之生產履歷資訊，可舉出各層之成膜條件及製膜日期時間等。作為由切割裝置130進行之切割時之生產履歷資訊，可舉出雷射強度、照射時間、大型半導體基板之分割半導體基板之位置等切割條件。
讀取裝置150係使用例如雷射之讀取裝置。讀取裝置150藉由就複數個已成膜之分割半導體基板3之每一者讀取識別標記，而自管理裝置140讀取與識別標記M表示之資訊建立關聯之生產履歷資訊。
(生產管理方法、製造方法) 其次，參照圖4A～圖4C，說明包含本實施形態之太陽電池1之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)2及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3之製造方法之太陽電池1之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3之生產管理方法。
首先，將大型半導體基板(例如6英吋晶圓)11搬送至圖3所示之標記裝置110。藉此，如圖4A所示，於大型半導體基板11之一主面側(例如背面側)，就由被預編程之切割線L分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記M(標記步驟)。
此時，使用可標記範圍A1小於大型半導體基板11之1個標記裝置110，同時標記大型半導體基板11之所有識別標記M。又，以如圖4C所示，於在後述之切割步驟後將複數個已成膜之分割半導體基板3重疊之情形下，複數個已成膜之分割半導體基板3之識別標記M重疊之方式，標記複數個識別標記M。換言之，於1個標記裝置110之可標記範圍A1內，相對於切割線L旋轉對稱地標記識別標記M。
識別標記M配置於與切割線L之分開距離為15 mm以下之位置。於使用雷射之切割中，經切割之端部之特性劣化。根據本實施形態，由於將識別標記M配置於因切割而特性劣化之部位，故可減小因識別標記M引起之發電效率降低。
又，識別標記配置於大型半導體基板11之中央部。藉此，可縮小標記裝置110之可標記範圍A1，而可實現標記裝置110之小型化。
其次，將大型半導體基板11搬送至圖3所示之成膜裝置120。藉此，藉由在大型半導體基板11上，於除識別標記M之位置以外之位置成膜，而產生已成膜之大型半導體基板2(成膜步驟)。
於例如圖1所示之雙面電極型太陽電池1之情形下，將第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25及第1透明電極層27成膜於半導體基板11之受光面側，於半導體基板11之背面側，將第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35及第2透明電極層37成膜於除識別標記之位置以外之位置。
另一方面，於例如圖2所示之背面電極型太陽電池1之情形下，將第3本徵半導體層3及防反射層15依序成膜於半導體基板11之受光面側，於半導體基板11之背面側之一部分，將第1本徵半導體層23、第1導電型半導體層25及第1透明電極層27成膜於除識別標記之位置以外之位置，於半導體基板11之背面側之另一部分，將第2本徵半導體層33、第2導電型半導體層35及第2透明電極層37成膜於除識別標記之位置以外之位置。 (以上為大型成膜基板之製造方法)
其次，將已成膜之大型半導體基板2搬送至圖3所示之切割裝置130。藉此，藉由沿被預編程之切割線L切割已成膜之大型半導體基板2，而如圖4B所示般，產生複數個已成膜之分割半導體基板3(切割步驟)。 (以上為分割成膜基板之製造方法)
此處，於上述之各步驟中，以各步驟之資訊中至少一者為生產履歷資訊，與識別標記M表示之資訊建立關聯而予以管理(管理步驟)。例如，於標記步驟中，以標記步驟之雷射強度、照射時間、對於大型半導體基板之標記位置(如例如109A、109B、109C、109D)等標記條件為生產履歷資訊，與識別標記M表示之資訊建立關聯而予以管理。又，於成膜步驟中，以成膜步驟之各層之成膜條件及製膜日期時間等為生產履歷資訊，與識別標記M表示之資訊建立關聯而予以管理。又，於切割步驟中，以切割步驟之雷射強度、照射時間、大型半導體基板之分割半導體基板之位置等切割條件為生產履歷資訊，與識別標記M表示之資訊建立關聯而予以管理。
其次，將已成膜之分割半導體基板3搬送至圖3所示之讀取裝置150。藉此，藉由就複數個已成膜之分割半導體基板3之每一者讀取識別標記M，而自管理裝置140讀取與識別標記M表示之資訊建立關聯之生產履歷資訊(讀取步驟)。
如以上所說明般，根據本實施形態之大型成膜基板2之製造方法、分割成膜基板3之製造方法、及分割成膜基板3之生產管理方法，於標記步驟中，使用1個標記裝置110，同時標記大型基板11之所有識別標記M，且標記裝置110之可標記範圍A1小於大型基板11。藉此，可實現標記裝置110之小型化，而可降低裝置導入成本。因而，可實現製造成本之低成本化。
又，根據本實施形態之大型成膜基板2之製造方法、分割成膜基板3之製造方法、及分割成膜基板3之生產管理方法，於標記步驟中，以於在切割步驟後將複數個分割成膜基板3重疊之情形下，複數個分割成膜基板3之識別標記M重疊之方式(圖4C)，標記複數個識別標記M。藉此，於讀取步驟中，可於相同之位置容易讀取複數個分割成膜基板3之識別標記M。進而，由於可縮小讀取裝置150之讀取範圍A2，故可提高識別標記M之讀取解析度，而可提高讀取精度。
(變化例1) 圖5A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。圖5B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。
如圖5A及圖5B所示，於標記步驟中，藉由標記裝置110，識別標記M可配置於大型半導體基板11之端部，而不配置於大型半導體基板11之中央部。大型半導體基板11之端部之光電轉換特性以低於大型半導體基板11之中央部之光電轉換特性之情形居多。根據本變化例，由於將識別標記M配置於光電轉換特性較低之端部，故可減小因識別標記M引起之發電效率降低。
此外，於本變化例中，亦可使用可標記範圍A1小於大型半導體基板11之1個標記裝置110，同時標記大型半導體基板11之所有識別標記M。於圖5A之例中，可標記範圍A1為30 mm×170 mm。
又，於本變化例中，亦可以於在切割步驟後將複數個已成膜之分割半導體基板3重疊之情形下，複數個已成膜之分割半導體基板3之識別標記M重疊之方式，標記複數個識別標記M。換言之，於1個標記裝置110之可標記範圍A1內，相對於切割線L旋轉對稱地標記識別標記M。
又，在本變化例中，於切割步驟中，可切掉光電轉換特性較低之大型半導體基板11之端部。此情形下，於由用於切掉大型半導體基板11之端部之切割線L0分割而成之端部區域中，無須考量作為本發明之特徵之識別標記之標記。
(變化例2) 圖6A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。圖6B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。圖6C係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之讀取步驟的圖。
如圖6A～圖6C所示般，可藉由交叉之切割線L，分割為4等份。
此外，於本變化例中，亦可使用可標記範圍A1小於大型半導體基板11之1個標記裝置110，同時標記大型半導體基板11之所有識別標記M。於圖6A之例中，可標記範圍A1為30 mm×30 mm。
又，於本變化例中，亦可以如圖6C所示般，於在切割步驟後將複數個已成膜之分割半導體基板3重疊之情形下，複數個已成膜之分割半導體基板3之識別標記M重疊之方式，標記複數個識別標記M。換言之，於1個標記裝置110之可標記範圍A1內，相對於切割線L旋轉對稱地標記識別標記M。
(變化例3) 圖7A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。圖7B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。
於上述之實施形態中，例示於一方向分割為2等份之形態，但可如圖7A及圖7B所示般，於一方向分割為4、6等份以上(偶數)。
此外，於本變化例中，亦可使用可標記範圍A1小於大型半導體基板11之1個標記裝置110，同時標記大型半導體基板11之所有識別標記M。於圖7A之例中，可標記範圍A1為170 mm×30 mm。
又，於本變化例中，亦可以於在切割步驟後將複數個已成膜之分割半導體基板3重疊之情形下，複數個已成膜之分割半導體基板3之識別標記M重疊之方式，標記複數個識別標記M。換言之，於1個標記裝置110之可標記範圍A1內，相對於切割線L旋轉對稱地標記識別標記M。
(變化例4) 圖8A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。圖8B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。
於上述之實施形態中，例示於一方向分割為2等份之形態，但可如圖8A及圖8B所示般，於一方向分割為3等份以上(奇數)。
此外，於本變化例中，亦可使用可標記範圍A1小於大型半導體基板11之1個標記裝置110，同時標記大型半導體基板11之所有識別標記M。於圖8A之例中，可標記範圍A1為100 mm×170 mm。
又，於本變化例中，亦可以於在切割步驟後將複數個已成膜之分割半導體基板3重疊之情形下，複數個已成膜之分割半導體基板3之識別標記M重疊之方式，標記複數個識別標記M。換言之，於1個標記裝置110之可標記範圍A1內，相對於切割線L旋轉對稱地標記識別標記M。此外，如本變化例般，除進一步相對於切割線L旋轉對稱地配置之識別標記M以外，還可配置識別標記M0。
以上，說明了本發明之實施形態，但本發明並不限定於上述之實施形態，可進行各種變更及變化。例如，於上述之實施形態中，說明了圖1或圖2所示之太陽電池1之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)2及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3及其製造方法。然而，本發明之大型成膜基板及其製造方法、及分割成膜基板及其製造方法並不限定於此，可應用於各種大型成膜基板及其製造方法、及分割成膜基板及其製造方法。
又，於上述之實施形態中，說明了圖1或圖2所示之太陽電池1之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)3之生產管理方法及生產管理系統100。然而，本發明之分割成膜基板之生產管理方法及生產管理系統並不限定於此，可應用於各種分割成膜基板之生產管理方法及生產管理系統。
1:太陽電池 2:已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板) 3:已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板) 11:半導體基板/大型基板 13:第3本徵半導體層 15:防反射層 23:第1本徵半導體層 25:第1導電型半導體層 27:第1透明電極 28:第1金屬電極層 33:第2本徵半導體層 35:第2導電型半導體層 37:第2透明電極 38:第2金屬電極層 100:生產管理系統 110:標記裝置 120:成膜裝置 130:切割裝置 140:管理裝置 150:讀取裝置 A1:可標記範圍 A2:讀取範圍 L,L0:切割線 M,M0:識別標記
圖1係顯示本實施形態之太陽電池之一例(雙面電極型太陽電池)之剖視圖。 圖2係顯示本實施形態之太陽電池之另一例(背面電極型太陽電池)之剖視圖。 圖3係顯示本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理系統之圖。 圖4A係顯示包含本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。 圖4B係顯示包含本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。 圖4C係顯示包含本實施形態之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之讀取步驟的圖。 圖5A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。 圖5B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。 圖6A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。 圖6B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。 圖6C係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之讀取步驟的圖。 圖7A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。 圖7B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。 圖8A係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之標記步驟及成膜步驟的圖。 圖8B係顯示包含本實施形態之變化例之太陽電池之半成品、亦即切割前之已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)及切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之製造方法之太陽電池之半成品、亦即切割後之已成膜之分割半導體基板(分割成膜基板)之生產管理方法之切割步驟的圖。
2:已成膜之大型半導體基板(大型成膜基板)
11:半導體基板/大型基板
A1:可標記範圍
L:切割線
M:識別標記

Claims (13)

  1. 一種大型成膜基板之製造方法，其係製造於切割前之大型基板上成膜之大型成膜基板者，其包含：標記步驟，其就前述大型基板之一主面側之由切割線分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記；及成膜步驟，其藉由在前述大型基板上，於除前述識別標記之位置以外之位置成膜，而產生前述大型成膜基板；且於前述標記步驟中，以於在切割後將切割前述大型成膜基板而成之複數個分割成膜基板重疊之情形下，前述複數個分割成膜基板之前述識別標記重疊之方式，使用可標記範圍小於前述大型基板之1個標記裝置，同時標記前述大型基板之所有前述識別標記。
  2. 如請求項1之大型成膜基板之製造方法，其中在前述標記步驟中，於前述1個標記裝置之前述可標記範圍內，相對於前述切割線旋轉對稱地標記前述識別標記。
  3. 如請求項1或2之大型成膜基板之製造方法，其中前述識別標記配置於與前述切割線之分開距離為15mm以下之位置。
  4. 如請求項1或2之大型成膜基板之製造方法，其中前述識別標記配置於前述大型基板之中央部。
  5. 如請求項1或2之大型成膜基板之製造方法，其中前述識別標記配置於前述大型基板之端部。
  6. 如請求項1或2之大型成膜基板之製造方法，其中前述識別標記包含英文數字、圖形、條碼、二維條碼中至少一者。
  7. 如請求項1或2之大型成膜基板之製造方法，其中前述大型成膜基板為太陽電池之半成品。
  8. 一種分割成膜基板之製造方法，其包含請求項1至7中任一項之大型成膜基板之製造方法，係切斷前述大型成膜基板而成之前述複數個分割成膜基板之製造方法，其包含：切割步驟，其藉由沿前述切割線切割前述大型成膜基板，而產生前述複數個分割成膜基板。
  9. 一種分割成膜基板之生產管理方法，其包含請求項8之分割成膜基板之製造方法，係前述複數個分割成膜基板之生產管理方法，其包含：管理步驟，其以前述標記步驟、前述成膜步驟及前述切割步驟之資訊中至少一者為生產資訊，與前述識別標記表示之資訊建立關聯而予以管理；及讀取步驟，其藉由就前述複數個分割成膜基板之每一者讀取前述識別標記，而讀取前述生產資訊。
  10. 如請求項9之分割成膜基板之生產管理方法，其中前述標記步驟之生產資訊為標記條件；前述成膜步驟之生產資訊為成膜條件；前述切割步驟之生產資訊為切割條件。
  11. 一種大型成膜基板，其係藉由請求項1至7中任一項之大型成膜基板之製造方法製造。
  12. 一種分割成膜基板，其係藉由請求項8之分割成膜基板之製造方法製造。
  13. 一種分割成膜基板之生產管理系統，其係用於請求項9或10之分割成膜基板之生產管理方法者，其具備：標記裝置，其就大型基板之一主面側之由切割線分割而成之分割區域之每一者，標記至少一個識別標記；成膜裝置，其藉由在前述大型基板上，於除前述識別標記之位置以外之位置成膜，而產生大型成膜基板；切割裝置，其藉由沿前述切割線切割前述大型成膜基板，而產生複數個分割成膜基板；管理裝置，其以由前述標記裝置進行之標記時之資訊、由前述成膜裝置進行之成膜時之資訊、及由前述切割裝置進行之切割時之資訊中至少一者為生產資訊，與前述識別標記表示之資訊建立關聯而予以管理；及 讀取裝置，其藉由就前述複數個分割成膜基板之每一者讀取前述識別標記，而讀取前述生產資訊；且前述標記裝置，以於在切割後將切割前述大型成膜基板而成之複數個分割成膜基板重疊之情形下，前述複數個分割成膜基板之前述識別標記重疊之方式，使用可標記範圍小於前述大型基板之1個標記裝置，同時標記前述大型基板之所有前述識別標記。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12180193B2 (en) 2020-08-28 2024-12-31 Arvinas Operations, Inc. Accelerating fibrosarcoma protein degrading compounds and associated methods of use
US11957759B1 (en) 2022-09-07 2024-04-16 Arvinas Operations, Inc. Rapidly accelerated fibrosarcoma (RAF) degrading compounds and associated methods of use

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050554A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 検査用ウェーハ、その作製方法及びその作製装置
JP2002110491A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 検査用ウェーハ及び検査サンプルの作製方法及び作製装置
JP2003044119A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Canon Inc Ｉｄ付き被加工物とその製造方法
CN103962730A (zh) * 2014-04-29 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板切割方法及切割装置、控制装置
TW201445613A (zh) * 2013-03-14 2014-12-01 Asml Netherlands Bv 圖案化器件、於一基板上產生一標記之方法及器件製作方法
WO2015025274A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Navico Holding As Video recording system and methods
CN104597531A (zh) * 2010-04-13 2015-05-06 旭化成电子材料株式会社 自支撑膜、自支撑结构体、自支撑膜的制造方法
CN107454871A (zh) * 2015-03-31 2017-12-08 3M创新有限公司 双重固化纳米结构转印膜
CN107541711A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 佳能特机株式会社 基板的夹持装置、成膜装置、基板载置装置及其方法
TW201819086A (zh) * 2016-11-15 2018-06-01 維亞機械股份有限公司 基板的加工方法
CN109715711A (zh) * 2016-09-29 2019-05-03 日本瑞翁株式会社 树脂膜、隔离膜及导电性膜以及它们的制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62137818A (ja) * 1985-12-12 1987-06-20 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002313853A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Seiko Instruments Inc 半導体装置のウェハーマーキング装置
JP4569097B2 (ja) * 2003-11-18 2010-10-27 凸版印刷株式会社 球状弾性表面波素子およびその製造方法
JP5041957B2 (ja) * 2007-10-23 2012-10-03 東レエンジニアリング株式会社 半導体チップのチップｉｄマーキング方法及びマーキング装置
JP2012104512A (ja) * 2010-11-05 2012-05-31 Sharp Corp 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
US10186489B2 (en) * 2013-08-20 2019-01-22 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Process substrate with crystal orientation mark, method of detecting crystal orientation, and reading device of crystal orientation mark
US10658575B2 (en) * 2016-11-14 2020-05-19 Everspin Technologies, Inc. Method for magnetic device alignment on an integrated circuit

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050554A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 検査用ウェーハ、その作製方法及びその作製装置
JP2002110491A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 検査用ウェーハ及び検査サンプルの作製方法及び作製装置
JP2003044119A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Canon Inc Ｉｄ付き被加工物とその製造方法
CN104597531A (zh) * 2010-04-13 2015-05-06 旭化成电子材料株式会社 自支撑膜、自支撑结构体、自支撑膜的制造方法
TW201445613A (zh) * 2013-03-14 2014-12-01 Asml Netherlands Bv 圖案化器件、於一基板上產生一標記之方法及器件製作方法
WO2015025274A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Navico Holding As Video recording system and methods
CN103962730A (zh) * 2014-04-29 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板切割方法及切割装置、控制装置
CN107454871A (zh) * 2015-03-31 2017-12-08 3M创新有限公司 双重固化纳米结构转印膜
CN107541711A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 佳能特机株式会社 基板的夹持装置、成膜装置、基板载置装置及其方法
CN109715711A (zh) * 2016-09-29 2019-05-03 日本瑞翁株式会社 树脂膜、隔离膜及导电性膜以及它们的制造方法
TW201819086A (zh) * 2016-11-15 2018-06-01 維亞機械股份有限公司 基板的加工方法

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