CN112151589B - 显示基板母版及其制备方法、偏移检测方法及装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板母版及其制备方法、偏移检测方法及装置。所述显示基板母版包括基板区域和围绕所述基板区域的外围区域，所述基板区域包括依次设置在基底上的显示功能层和封装层，所述外围区域包括设置在所述基底上的至少一个标记结构，以及设置在所述标记结构远离所述基底一侧的与所述标记结构一一对应的封装标记层，所述标记结构与所述显示功能层同层设置，所述封装标记层与所述封装层同层设置。本实施例提供的方案，通过设置标记结构和封装标记层，可以通过标记结构和封装标记层的偏移检测封装层的偏移，实现偏移检测。
Description
技术领域
本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板母版及其制备方法、偏移检测方法及装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板具有轻薄、主动发光、快速响应、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点，被业界公认为继液晶显示器之后的第三代显示技术。各大面板厂商正在抢占OLED产品市场。OLED产品良率问题是重中之重，尤其是工厂端无法检出的不良，可能会造成批次性产品报废。在蒸镀封装工程中，大部分不良是可以及时监控并得到改善的；但还是有些不良无法及时检查，比如封装膜层偏移，封装膜层厚度仅有1微米(μm)左右，但对水氧阻隔起着关键作用，如果封装膜层制作时发生偏移，则产品封装失效，会造成大量产品报废。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本申请实施例提供了一种显示基板母版及其制备方法、偏移检测方法及装置，实现对封装层的偏移检测。
一方面，本申请实施例提供了一种显示基板母版，所述显示基板母版包括基板区域和围绕所述基板区域的外围区域，所述基板区域包括依次设置在基底上的显示功能层和封装层，所述外围区域包括设置在所述基底上的至少一个标记结构，以及设置在所述标记结构远离所述基底一侧的与所述标记结构一一对应的封装标记层，所述标记结构与所述显示功能层同层设置，所述封装标记层与所述封装层同层设置。
在一示例性实施例中，所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，所述第一方向和所述第二方向相交，所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部。
在一示例性实施例中，当所述封装层无偏移时，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外；所述第二子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外；所述第三子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外；所述第四子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部、第二子标记部、第三子标记部、第四子标记部的截面的形状包括长方形，且所述第一子标记部和所述第二子标记部的截面的较长一侧平行于所述第一方向，所述第三子标记部和所述第四子标记部的截面的较长一侧平行于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向垂直。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述封装标记层的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层的截面的相邻两侧其中一侧平行于所述第一方向，另一侧平行于所述第二方向。
在一示例性实施例中，当所述封装层无偏移时，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部的正投影和所述第二子标记部的正投影相对于所述封装标记层的正投影沿第二方向的中心线对称，所述第三子标记部的正投影和第四子标记部的正投影相对于所述封装标记层的正投影沿第一方向的中心线对称。
在一示例性实施例中，所述显示功能层包括依次设置的驱动结构层和发光结构层，所述发光结构层包括依次设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的第一电极、有机发光层和第二电极；所述标记结构与所述显示功能层同层设置包括：所述标记结构与所述驱动结构层或者所述第一电极同层设置。
在一示例性实施例中，所述封装层包括依次设置的第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层；
所述封装标记层与所述封装层同层设置包括：
所述封装标记层与所述第一无机封装层同层设置，或者，所述封装标记层与所述第二无机封装层同层设置；或者，所述显示基板母版包括多个所述封装标记层，部分所述封装标记层与所述第一无机封装层同层设置，部分所述封装标记层与所述第二无机封装层同层设置。
又一方面，本申请实施例提供一种显示基板母版的制备方法，所述显示基板母版包括多个基板区域和多个围绕所述基板区域的外围区域，所述制备方法包括：
在所述基板区域的基底上形成显示功能层，以及在所述外围区域的基底上形成至少一个标记结构；
在所述基板区域的所述显示功能层上形成封装层，以及在所述外围区域的所述标记结构上形成与所述标记结构一一对应的封装标记层。
在一示例性实施例中，所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，所述第一方向和所述第二方向相交，所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部。
在一示例性实施例中，所述在所述基板区域的基底上形成显示功能层，以及在所述外围区域的基底上形成至少一个标记结构包括：
在所述基板区域的基底上形成驱动结构层，在所述外围区域的基底上形成至少一个标记结构；
在所述基板区域的所述驱动结构层上依次形成第一电极、发光结构层和第二电极；
或者，
在所述基板区域的基底上形成驱动结构层；
在所述基板区域的所述驱动结构层上形成第一电极，以及，在所述外围区域的基底上形成至少一个标记结构；
在所述基板区域的所述第一电极上依次形成有机发光层和第二电极。
在一示例性实施例中，在所述基板区域的所述显示功能层上形成封装层，以及在所述外围区域的所述标记结构上形成与所述标记结构一一对应的封装标记层包括：
通过同一次沉积工艺在所述基板区域的所述显示功能层上形成第一无机封装层，在所述外围区域的所述标记结构上形成与该标记结构对应的封装标记层；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
在所述有机封装层上形成第二无机封装层；
或者，
在所述基板区域的所述显示功能层上形成第一无机封装层；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
通过同一次沉积工艺在所述有机封装层上形成第二无机封装层，在所述外围区域的所述标记结构上形成与该标记结构对应的封装标记层；
或者，
通过同一次沉积工艺在所述基板区域的所述显示功能层上形成第一无机封装层，在所述外围区域的部分所述标记结构上形成与该标记结构对应的封装标记层；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
通过同一次沉积工艺在所述有机封装层上形成第二无机封装层，在所述外围区域的另一部分所述标记结构上形成与该标记结构对应的封装标记层。
再一方面，本申请实施例提供一种偏移检测方法，应用于上述显示基板母版，包括：
获取所述显示基板母版的图像；
根据所述图像确定所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置；
根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息。
在一示例性实施例中，所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，，所述第一方向和所述第二方向垂直所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部；在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部、第二子标记部、第三子标记部、第四子标记部的截面的形状包括长方形，且所述第一子标记部和所述第二子标记部的截面的较长一侧平行于所述第一方向，所述第三子标记部和所述第四子标记部的截面的较长一侧平行于所述第二方向；所述封装标记层的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层的截面的相邻两侧一侧平行于所述第一方向，另一侧平行于所述第二方向；
所述根据所述图像检测所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息包括：
对所述图像进行边界检测，确定所述封装标记层的边界和所述标记结构的边界；
确定所述封装标记层的第一边界与所述第二标记部的第二边界的第一距离，以及，所述封装标记层的第三边界与所述第一标记部的第四边界的第二距离，根据所述第一距离以及预设的第一目标距离，第二距离以及预设的第二目标距离，确定所述封装层的偏移信息；其中，所述第一边界和所述第二边界平行于所述第一方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第二边界为所述第三子标记部或者第四子标记部远离所述第一标记部一侧的边界；所述第三边界和所述第四边界平行于所述第二方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第四边界为所述第一子标记部或者第二子标记部远离所述第二标记部一侧的边界。
又一方面，本申请实施例提供一种偏移检测装置，应用于上述显示基板母版，包括：
图像获取单元，设置为获取所述显示基板母版的图像；
偏移检测单元，设置为根据所述图像确定所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息。
在一示例性实施例中，所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，，所述第一方向和所述第二方向垂直所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部；在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部、第二子标记部、第三子标记部、第四子标记部的截面的形状包括长方形，且所述第一子标记部和所述第二子标记部的截面的较长一侧平行于所述第一方向，所述第三子标记部和所述第四子标记部的截面的较长一侧平行于所述第二方向；所述封装标记层的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层的截面的一边平行于所述第一方向，另一边平行于所述第二方向；
所述偏移检测单元根据所述图像检测所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息包括：
对所述图像进行边界检测，确定所述封装标记层的边界和所述标记结构的边界；
确定所述封装标记层的第一边界与所述第二标记部的第二边界的第一距离，以及，所述封装标记层的第三边界与所述第一标记部的第四边界的第二距离，根据所述第一距离以及预设的第一目标距离，第二距离以及预设的第二目标距离，确定所述封装层的偏移信息；其中，所述第一边界和所述第二边界平行于所述第一方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第二边界为所述第三子标记部或者第四子标记部远离所述第一标记部一侧的边界；所述第三边界和所述第四边界平行于所述第二方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第四边界为所述第一子标记部或者第二子标记部远离所述第二标记部一侧的边界。
本申请实施例包括一种显示基板母版，所述显示基板母版包括基板区域和围绕所述基板区域的外围区域，所述基板区域包括依次设置在基底上的显示功能层和封装层，所述外围区域包括设置在所述基底上的至少一个标记结构，以及设置在所述标记结构远离所述基底一侧的与所述标记结构一一对应的封装标记层，所述标记结构与所述显示功能层同层设置，所述封装标记层与所述封装层同层设置。本实施例提供的显示基板母版，通过在外围区域设置标记结构和封装标记层，可以检测封装层是否偏移，从而可以在封装首片阶段确认工艺是否存在偏移异常，避免发生批量报废品。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一实施例提供的显示基板母版示意图；
图2为一实施例提供的标记结构示意图；
图3为一实施例提供的封装标记层示意图；
图4为一实施例提供的封装层掩膜版示意图；
图5为一实施例提供的无偏移时封装标记层示意图；
图6为一实施例提供的封装标记层的偏移示意图；
图7为另一实施例提供的封装标记层偏移示意图；
图8为一实施例提供的显示基板母版制备方法流程图；
图9为一实施例提供的偏移检测方法流程图；
图10为一实施例提供的偏移检测装置示意图。
具体实施方式
下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，并不表示任何顺序、数量或者重要性。
在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在公开中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
封装膜层发生偏移在工厂端无法监控，如果封装工艺设备出现整体膜层偏移异常，产品流到切割后才能检查发现，将造成批量报废。本申请实施例中，在显示基板母版的外围区域设置标记结构，在封装层掩膜版与标记结构对应的位置设置开口，以在标记结构对应的位置生成封装标记层，根据封装标记层与标记结构的位置，即可判断封装层是否偏移。
图1为本申请实施例提供的显示基板母版示意图。如图1所示，本实施例提供的显示基板母版100包括：基板区域200和围绕所述基板区域200的外围区域300(图1中示出了分别位于切割线A两侧的两个基板区域200和两个外围区域300，但本申请实施例不限于此，可以包括更多)，所述基板区域200可以包括多个显示基板(图中未示出)，在垂直于基底的平面上，所述基板区域200包括依次设置在基底上的显示功能层和封装层(图中未示出)，所述显示功能层比如包括依次设置在基底上的驱动结构层和发光结构层，所述外围区域包括设置在所述基底上的至少一个标记结构400，以及设置在所述标记结构400远离所述基底一侧的与所述标记结构一一对应的封装标记层500，所述标记结构400与所述显示功能层同层设置，所述封装标记层500与所述封装层同层设置。其中，驱动结构层可以包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，发光结构层可以包括第一电极(比如阳极)、像素界定层、有机发光层、第二电极(比如为阴极)，封装层可以包括依次设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。封装标记层500的位置与封装层是否偏移有关，当封装层无偏移时，封装标记层500位于封装结构400的预设区域，当封装层产生偏移时，封装标记层500相应的产生偏移，封装标记层500偏离该预设区域，即封装标记层500相对于标记结构400的位置发生变化，因此，可以通过封装标记层相对于标记结构400的位置判断是否产生偏移，以及，产生偏移时的偏移量。
本实施例提供的显示基板母版，通过在外围区域设置标记结构和封装标记层，可以检测封装层是否偏移，从而可以在封装首片阶段确认工艺是否存在偏移异常，避免发生批量报废品。
在一示例性实施例中，所述标记结构400可以设置在靠近所述显示基板母版100的顶角的位置，以及靠近所述显示基板目标100边缘且靠近所述切割线A的位置，如图1中标记结构400所在的位置，上述位置封装层容易产生偏移，设置标记结构400便于检测偏移。但本申请实施例不限于此，标记结构400可以设置在其他位置；另外，标记结构400不限于在每个外围区域设置4个，可以更多或者更少，可以在任意需要进行检测的位置设置标记结构400。
图2为一实施例提供的标记结构400和封装标记层500的示意图。如图2所示，本实施例提供的所述标记结构400可以包括沿第一方向B延伸的第一标记部401，以及，沿第二方向C延伸的第二标记部402，所述第一方向B和所述第二方向C相交，所述第一标记部401可以包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部4011和第二子标记部4012，所述第二标记部402包括分别位于所述第一标记部401两侧的第三子标记部4021和第四子标记部4022。当封装层无偏移时，封装标记层500所在的位置如图2所示。所述第一子标记部4011和所述第二子标记部4012沿第一方向的间距大于所述第二标记部402在第一方向的宽度，所述第三子标记部4021和所述第四子标记部4022沿第二方向的间距大于所述第一标记部401在第二方向的宽度，在一示例性实施例中，所述第一子标记部4011和第二子标记部4012的沿第一方向B的间距比如为20um，所述第三子标记部4023和所述第四子标记部4022沿第二方向C的间距比如为20um，即第一标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4023互相靠近的四侧延伸构成了一个20um*20um的空白区域403。该空白区域可以在后续进行封装标记层500和标记结构400的边缘检测时，易于实现边缘检测，避免封装标记层500的边缘与标记结构的边缘重叠时，难以检测边缘，比如不存在该空白区域时，封装标记层500偏移到图3所示位置，封装标记层500的一边界与第二标记部402重叠，可能难以检测出该边界。因此，设置如图2所示的空白区域403有利于边缘检测。空白区域403的大小不限于20um*20um，可以根据需要设置为其他值。在平行于所述基底的平面上，第一子标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4022的正投影的大小可以是10um*200um。空白区域、第一子标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4022的大小可以根据可能产生的偏移大小、以及外围区域的大小决定。
在一示例性实施例中，所述第一方向B和第二方向C可以垂直，便于测量在第一方向B和第二方向C的偏移量。但本申请实施例不限于此，第一方向B和第二方向C可以不垂直。
在一示例性实施例中，所述标记结构400可以只包括第一标记部401，或者，只包括第二标记部402。
在一示例性实施例中，如图3所示，所述标记结构400可以包括沿第一方向连续延伸的第一标记部401和沿第二方向连续延伸的第二标记部402，即第一标记部401为一个整体，未分成多个子标记部，第二标记部402为一个整体，未分成多个子标记部。
在一示例性实施例中，当所述封装层无偏移时，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部4011的正投影部分位于所述封装标记层500的正投影内，部分位于所述封装标记层500的正投影外；所述第二子标记部4012的正投影部分位于所述封装标记层500的正投影内，部分位于所述封装标记层500的正投影外；所述第三子标记部4021的正投影部分位于所述封装标记层500的正投影内，部分位于所述封装标记层500的正投影外；所述第四子标记部4022的正投影部分位于所述封装标记层500的正投影内，部分位于所述封装标记层500的正投影外。本实施例提供的方案，封装标记层500的正投影只覆盖第一标记部401的正投影和第二标记部402的正投影的部分区域，便于后续根据显示基板母版的图像进行边界检测时，检测第一标记部401的边界和第二标记部402的边界。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4022的截面的形状可以包括长方形(即呈现条状结构)，且所述第一子标记部4011和所述第二子标记部4012的截面的较长一侧平行于所述第一方向B，所述第三子标记部4021和所述第四子标记部4022的截面的较长一侧平行于所述第二方向C，第一方向B和第二方向C垂直。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4022的截面的大小可以为10um*200um，此处仅为示例。第一子标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4022的大小可以根据封装标记层500的最大偏移量确定，比如，第一子标记部4011、第二子标记部4012、第三子标记部4021、第四子标记部4022可以延伸到封装标记层500可能偏移到的最远位置处。第一子标记部4011、第二子标记部4012的大小可以相同，第三子标记部4021、第四子标记部4022的大小可以相同，第一子标记部4011、第二子标记部4012与第三子标记部4021、第四子标记部4022的大小可以不同。
上述多个子标记部的截面形状仅为示例，本申请实施例不限于此，可以是其他形状，比如梯形等。
在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述封装标记层500的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层500的截面的相邻两侧其中一侧平行于所述第一方向B，另一侧平行于所述第二方向C。所述封装标记层500的截面的形状不限于此，可以是其他形状，比如六边形等。
在一示例性实施例中，当所述封装层无偏移，所述封装标记层500的截面的形状包括长方形或者正方形时，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部4011的正投影和所述第二子标记部4012的正投影可以相对于所述封装标记层500的正投影的第一中心线D对称，所述第三子标记部4021的正投影和第四子标记部4022的正投影可以相对于所述封装标记层500的正投影的第二中心线E对称，所述第一中心线D平行于所述第二方向C，所述第二中心线E平行于所述第一方向B。在平行于所述基底的平面上，所述第一中心线D为所述封装标记层500的正投影的沿第二方向C的中轴线，所述第二中心线E为所述封装标记层500的正投影的沿第一方向B的中轴线。
在一示例性实施例中，所述标记结构400与所述显示功能层同层设置包括：所述标记结构400与所述驱动结构层或者所述第一电极同层设置。所述驱动结构层可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述标记结构可以与栅电极同层设置、可以与源电极、漏电极同层设置，或者，与其他非完全透光的膜层同层设置。所述标记结构400的材料可以是金属或者透明电极，比如制作栅电极、源电极、漏电极、第一电极等的材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等，或者，氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO等。
在一示例性实施例中，所述封装层包括依次设置的第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层；
所述封装标记层500与所述封装层同层设置包括：
所述封装标记层500与所述第一无机封装层同层设置，或者，所述封装标记层500与所述第二无机封装层同层设置；或者，所述显示基板母版包括多个所述封装标记层500，部分所述封装标记层500与所述第一无机封装层同层设置，部分所述封装标记层与所述第二无机封装层同层设置。即可以只设置与第一无机封装层同层设置的封装标记层，从而可以检测第一无机封装层是否偏移，或者，可以只设置与第二无机封装层同层设置的封装标记层，从而可以检测第二无机封装层是否偏移，或者，既设置与第一无机封装层同层的封装标记层，又设置与第二无机封装层同层的封装标记层，可以检测第一无机封装层是否偏移，第二无机封装层是否偏移。本实施例中封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，但本申请实施例不限于此，封装层可以包括更多或更少膜层，封装标记层可以和封装层中的一个或多个膜层同层设置。
在一示例性实施例中，所述显示基板母版100可以包括与所述有机封装层同层设置的封装标记层。
在一示例性实施例中，所述封装标记层500的材料可以为硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。
在一示例性实施例中，所述封装标记层500可以使用与封装层相同的制备方法制备，比如使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方式制备。
为了和封装层同层制备封装标记层，对封装层的掩膜版进行变更。图4为本申请实施例提供的封装层掩膜版示意图。如图4所示，本实施例提供的掩膜版600包括基板区域700和外围区域800，外围区域800包括与封装结构一一对应的至少一个开口部801，使用该掩膜版600进行封装时，开口部801相应的在显示基板母版100上形成封装标记层500。在一示例性实施例中，所述开口部801的形状可以包括正方形或长方形，但本申请实施例不限于此，可以是其他形状。使用该掩膜版600进行封装时，如果掩膜版600无偏移，在平行于所述基底的平面上，所述开口部801的正投影的中心可以与所述标记结构400中间的空白区域403的中心重合，但本申请实施例不限于此。所述开口部801的正投影的中心可以不与所述标记结构400中间的空白区域403的中心重合。在一示例性实施例中，在平行于所述掩膜版600的平面上，所述开口部801的截面大小比如为30um*30um，此处仅为示例，可以根据需要设置开口部801的大小。本实施例中，图4中掩膜版仅为图1所示显示基板母版的一半大小。因为在制备封装层之前，显示基板母版已沿切割线A进行切割(比如，在制备完显示功能层的第一电极后对显示基板母版进行切割)，在切割后的显示基板母版制备封装层。
下面说明一下利用本申请实施例提供的显示基板母版如何实现偏移检测。本实施例中，以标记结构400和无偏移的封装标记层500如图2所示为例进行说明。如图5所示，当封装层无偏移时，封装标记层500的位置在预设位置，即图5中虚线框所示的区域，此时，封装标记层500平行于第二方向C的边界与第二子标记部4012平行于第二方向C的边界的距离为x1(计算彼此间距的两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第二子标记部4012远离第二标记部402一侧的边界)，封装标记层500平行于第二方向C的边界与第一子标记部4011平行于第二方向C的边界的距离为x2(计算彼此间距的两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第一子标记部4011远离第二标记部402一侧的边界)；封装标记层500平行于第一方向B的边界与第三子标记部4021平行于第一方向B的边界的距离为y1(计算彼此间距的这两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第三子标记部4021远离第一标记部401一侧的边界)，封装标记层500平行于第一方向B的边界与第四子标记部4022平行于第一方向B的边界的距离为y2(计算彼此间距的这两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第四子标记部4022远离第一标记部401一侧的边界)；x1,x2，y1，y2为无偏移时封装标记层500与标记结构400分别在第一方向、第二方向的距离，即预设的目标距离。可以设计使得x1＝x2，y1＝y2。本申请实施例不限于此，x1和x2可以不相同，y1和y2可以不相同。
当封装层偏移时，比如封装标记层500偏移到图6中实线框所示的区域，获取显示基板母版的图像，根据图像识别标记结构400和封装标记层500的边界，并计算标记结构400的边界和封装标记层500的边界的距离。此时，测量封装标记层500平行于第二方向C的边界与第二子标记部4012平行于第二方向C的边界的距离x(计算彼此间距的两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第二子标记部4012远离第二标记部402一侧的边界)；测量封装标记层500平行于第一方向B的边界与第三子标记部4021平行于第一方向B的边界的距离y(计算彼此间距的这两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第三子标记部4021远离第一标记部401一侧的边界)。计算x1-x可以得到封装标记层500在第一方向B的偏移量，计算y1-y可以得到封装标记层500在第二方向C的偏移量。
当封装层偏移时，比如封装标记层500偏移到图7中实线框所示的区域，获取显示基板母版的图像，根据图像识别标记结构400和封装标记层500的边界，并计算标记结构400的边界和封装标记层500的边界的距离。此时，测量封装标记层500平行于第二方向C的边界与第一子标记部4011平行于第二方向C的边界的距离x(计算彼此间距的两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第一子标记部4011远离第二标记部402一侧的边界)；测量封装标记层500平行于第一方向B的边界与第四子标记部4022平行于第一方向B的边界的距离y(计算彼此间距的这两条边界位于封装标记层500的同侧，且其中一条边界为第四子标记部4022远离第一标记部401一侧的边界)。计算x2-x可以得到封装标记层500在第一方向B的偏移量，计算y2-y可以得到封装标记层500在第二方向C的偏移量。如果x1＝x2，y1＝y2，即x1＝x2＝x0，y1＝y2＝y0，则可以不区分，直接计算x0-x，y0-y即可，可以简化偏移量的计算。如果x1和x2不相等，y1＝y2不相等，则确定封装标记层的偏移方向，再计算偏移量。偏移方向可以通过计算封装标记层的边界与第一标记部401、第二标记部402的远离所述封装标记部一侧的边界的距离进行判断。以图6为例，可以计算封装标记层500平行于第二方向C的边界与第二子标记部4012的平行于第二方向C且远离第二标记部402的边界的距离x，计算封装标记层500同一边界与第一子标记部4011平行于第二方向C且远离第二标记部402的边界的距离x’，比较x’和x的大小即可知道偏移方向。
上述偏移量的计算方式仅为示例，可以使用其他方式计算偏移量，比如识别边界后，确定封装标记层500的中心，与预设的封装标记层500的中心节点的位置进行比较，确定偏移量，等等。又比如，如图6所示的结构中，可以计算封装标记层500平行于第二方向C的边界与第一子标记部4011平行于第二方向C的边界的距离(计算彼此间距的两条边界位于封装标记层500的不同侧，且其中一条边界为第一子标记部4011远离第二标记部402一侧的边界)，与无偏移时的预设目标值(不同于前面的目标值x1)进行比较确定偏移量。
如果标记结构400中只包括第一子标记部4011和第二子标记部4012，可以只计算封装标记层500沿第一方向B的偏移量，如果标记结构400中只包括第三子标记部4021和第四子标记部4022，可以只计算封装标记层500沿第二方向C的偏移量。在另一实施例中，可以直接比较x和x1，y和y1，或者，比较x和x2，y和y2，判断是否存在偏移即可，不计算偏移值。
上述实施例中只给出了图5所示的标记结构400和封装标记层500的偏移量的计算。标记结构400和封装标记层500为其他结构时，可以根据具体的结构选择相应的计算方法确定二者的相对位置，获得偏移量。
下面通过本实施例显示基板母版的制备过程说明本实施例的技术方案。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶处理。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程中该“薄膜”需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。
本实施例提供的显示基板目标的制备过程包括：
(1)形成基底图案，基底可以包括依次设置的第一基底、缓冲层、第二基底。形成基底图案包括：先在玻璃载板上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底。随后，在第一基底上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第一基底的缓冲层图案。最后，在缓冲层上一层涂布柔性材料，固化成膜，形成第二基底。其中，柔性材料可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底。缓冲薄膜可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。此处仅为示例，基底也可以是其他类型的基底，比如硅基基底，等等。
(2)形成驱动结构层和标记结构400。
形成驱动结构层和标记结构400的制备过程可以包括：
在显示基板母版100的基板区域200，通过构图工艺在每个子像素的基底上制备出有源层，随后形成覆盖有源层的第一绝缘层，在每个子像素的第一绝缘层上形成栅线和栅电极，随后形成覆盖栅线和栅电极的第二绝缘层，在每个子像素的第二绝缘层上形成数据线、源电极和漏电极，形成覆盖数据线、源电极和漏电极的第三绝缘层，其中，栅电极、有源层、源电极和漏电极构成薄膜晶体管，薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，在此不做具体的限定；
在显示基板母版100的外围区域300，在形成所述栅电极、或者，在形成所述源电极和漏电极时，同时形成所述标记结构400，即可以通过一次构图工艺形成所述栅电极和所述标记结构400，或者，通过一次构图工艺形成所述源电极、漏电极和所述标记结构400。
本发明实施例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，可以是单层结构，也可以是多层复合结构。栅电极、源电极、漏电极可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是单层结构，也可以是多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料a-IGZO、氮氧化锌ZnON、氧化铟锌锡IZTO、非晶硅a-Si、多晶硅p-Si、六噻吩、聚噻吩等材料。
(3)在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成覆盖整个基底的平坦化(PLN)层，平坦化层上开设有过孔，过孔形成在基板区域200，暴露出漏电极。
(4)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在平坦化层上形成阳极图案，阳极形成在基板区域200，阳极通过平坦化层上开设的过孔与薄膜晶体管的漏电极连接，其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
(5)在形成前述图案的基底上依次形成像素定义层、有机发光层和阴极。
其中，有机发光层可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，阴极可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。
(6)形成封装层和封装标记层图案。
形成封装层图案包括：在形成前述图案的结构上，通过沉积无机材料、涂覆有机材料或喷墨打印有机材料等，形成密封发光结构层的封装层。封装层比如为第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层的三层结构。当然，封装层可以是其他结构。在基板区域200形成所述封装层时，同时在所述外围区域300形成封装标记层500。所述封装标记层500可以和第一无机封装层使用相同材料，通过一次沉积工艺形成，或者，所述封装标记层500可以和第二无机封装层使用相同材料，通过一次沉积工艺形成，或者，显示基板母版100的外围区域300可以包括多个封装标记层500，一个或多个封装标记层500可以和第一无机封装层使用相同材料，通过一次沉积工艺形成；一个或多个封装标记层500可以和第二无机封装层使用相同材料，通过一次沉积工艺形成。上述制备过程中，显示功能层、封装层仅形成在基板区域200，标记结构400和封装标记层500形成在外围区域300。
图8为本申请实施例提供的显示基板母版的制备方法流程图。如图8所示，本申请实施例提供一种显示基板母版的制备方法，所述显示基板母版包括多个基板区域和多个围绕所述基板区域的外围区域，所述制备方法包括：
步骤810，在所述基板区域200的基底上形成显示功能层，以及在所述外围区域300的基底上形成至少一个标记结构400；
步骤820，在所述基板区域200的所述显示功能层上形成封装层，以及在所述外围区域300的所述标记结构上形成与所述标记结构400一一对应的封装标记层500。
本实施例提供的显示基板母版的制备方法，通过在外围区域形成标记结构和封装标记层，通过标记结构和封装标记层测量偏移，可以及时的进行偏移检测，避免发生批量报废品。本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。
所述标记结构400和封装标记层500的参数可以参考前述显示基板母版实施例中的相关描述，此处不再赘述。
在一示例性实施例中，所述在所述基板区域200的基底上形成显示功能层，以及在所述外围区域300的基底上形成至少一个标记结构400包括：
在所述基板区域200的基底上形成驱动结构层，在所述外围区域的基底上形成至少一个标记结构400；
在所述基板区域200的所述驱动结构层上依次形成第一电极、发光结构层和第二电极；
或者，
在所述基板区域200的基底上形成驱动结构层；
在所述基板区域200的所述驱动结构层上形成第一电极，以及，在所述外围区域300的基底上形成至少一个标记结构400；
在所述基板区域200的所述第一电极上依次形成有机发光层和第二电极。
在一示例性实施例中，在所述基板区域200的所述显示功能层上形成封装层，以及在所述外围区域300的所述标记结构400上形成与所述标记结构一一对应的封装标记层500包括：
通过同一次沉积工艺在所述基板区域的所述显示功能层上形成第一无机封装层，在所述外围区域的所述标记结构400上形成与该标记结构400对应的封装标记层500；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
在所述有机封装层上形成第二无机封装层；
或者，
在所述基板区域200的所述显示功能层上形成第一无机封装层；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
通过同一次沉积工艺在所述有机封装层上形成第二无机封装层，在所述外围区域的所述标记结构上形成与该标记结构400对应的封装标记层500；
或者，
通过同一次沉积工艺在所述基板区域200的所述显示功能层上形成第一无机封装层，在所述外围区域300的部分所述标记结构400上形成与该标记结构400对应的封装标记层500；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
通过同一次沉积工艺在所述有机封装层上形成第二无机封装层，在所述外围区域300的另一部分所述标记结构400上形成与该标记结构400对应的封装标记层500。
图9为本申请实施例提供的偏移检测方法流程图。如图9所示，本申请实施例提供一种偏移检测方法，应用于上述实施例提供的显示基板母版，包括：
步骤910，获取所述显示基板母版的图像；
步骤920，根据所述图像确定所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置；
步骤930，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息。
本实施例提供的偏移检测装置，通过检测标记结构和封装标记层的位置，确定封装层是否偏移，可以及时确认工艺是否存在偏移异常，避免发生批量报废品。
在一示例性实施例中，所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，所述第一方向和所述第二方向垂直所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部；在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部、第二子标记部、第三子标记部、第四子标记部的截面的形状包括长方形，且所述第一子标记部和所述第二子标记部的截面的较长一侧平行于所述第一方向，所述第三子标记部和所述第四子标记部的截面的较长一侧平行于所述第二方向；所述封装标记层的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层的截面的相邻两侧一侧平行于所述第一方向，另一侧平行于所述第二方向；
所述根据所述图像检测所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息包括：
对所述图像进行边界检测，确定所述封装标记层的边界和所述标记结构的边界；
确定所述封装标记层的第一边界与所述第二标记部的第二边界的第一距离，以及，所述封装标记层的第三边界与所述第一标记部的第四边界的第二距离，根据所述第一距离以及预设的第一目标距离，第二距离以及预设的第二目标距离，确定所述封装层的偏移信息；其中，所述第一边界和所述第二边界平行于所述第一方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第二边界为所述第三子标记部或者第四子标记部远离所述第一标记部一侧的边界；所述第三边界和所述第四边界平行于所述第二方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第四边界为所述第一子标记部或者第二子标记部远离所述第二标记部一侧的边界。
在一示例性实施例中，对所述图像进行边界检测比如可以使用sobel边缘检测算法，或者，canny边缘检测算法，等等。
图10为本申请实施例提供的偏移检测装置示意图。如图10所示，本申请实施例提供一种偏移检测装置，应用于上述多个实施所述的显示基板母版，包括：
图像获取单元1010，设置为获取所述显示基板母版的图像；
偏移检测单元1020，设置为根据所述图像确定所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息。
在一示例性实施例中，所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，所述第一方向和所述第二方向垂直所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部；在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部、第二子标记部、第三子标记部、第四子标记部的截面的形状包括长方形，且所述第一子标记部和所述第二子标记部的截面的较长一侧平行于所述第一方向，所述第三子标记部和所述第四子标记部的截面的较长一侧平行于所述第二方向；所述封装标记层的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层的截面的一边平行于所述第一方向，另一边平行于所述第二方向；
所述偏移检测单元1020根据所述图像检测所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置，根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息包括：
对所述图像进行边界检测，确定所述封装标记层的边界和所述标记结构的边界；
确定所述封装标记层的第一边界与所述第二标记部的第二边界的第一距离，以及，所述封装标记层的第三边界与所述第一标记部的第四边界的第二距离，根据所述第一距离以及预设的第一目标距离，第二距离以及预设的第二目标距离，确定所述封装层的偏移信息；其中，所述第一边界和所述第二边界平行于所述第一方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第二边界为所述第三子标记部或者第四子标记部远离所述第一标记部一侧的边界；所述第三边界和所述第四边界平行于所述第二方向，且位于所述封装标记层的同侧，所述第四边界为所述第一子标记部或者第二子标记部远离所述第二标记部一侧的边界。
本实施例提供的偏移检测装置，通过检测标记结构和封装标记层的位置，确定封装层是否偏移，可以及时确认工艺是否存在偏移异常，避免发生批量报废品。
在一示例性实施例中，所述图像获取单元1010可以使用可以专用于显示基板拍摄的设备实现，可以实现微米级的精度的成像设备。
在一示例性实施例中，本实施例中偏移检测单元1020可以使用处理器实现，该处理器可以是中央处理(Central Processing Unit，CPU)、通用处理器、数据信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)，专用集成电路(Application Specific IntegratedCircuit，ASIC)，现场可编程门阵列(Field–programmable Gate Array，FPGA)或其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件的任意组合。可以是计算功能的组合，例如包括一个或多个微处理器组合、DSP和微处理器的组合等。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种显示基板母版，其特征在于，所述显示基板母版包括基板区域和围绕所述基板区域的外围区域，所述基板区域包括依次设置在基底上的显示功能层和封装层，所述外围区域包括设置在所述基底上的至少一个标记结构，以及设置在所述标记结构远离所述基底一侧的与所述标记结构一一对应的封装标记层，所述标记结构与所述显示功能层同层设置，所述封装标记层与所述封装层同层设置；所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，所述第一方向和所述第二方向相交，所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部。
2.根据权利要求1所述的显示基板母版，其特征在于，当所述封装层无偏移时，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外；所述第二子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外；所述第三子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外；所述第四子标记部的正投影部分位于所述封装标记层的正投影内，部分位于所述封装标记层的正投影外。
3.根据权利要求1所述的显示基板母版，其特征在于，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部、第二子标记部、第三子标记部、第四子标记部的截面的形状包括长方形，且所述第一子标记部和所述第二子标记部的截面的较长一侧平行于所述第一方向，所述第三子标记部和所述第四子标记部的截面的较长一侧平行于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求1所述的显示基板母版，其特征在于，在平行于所述基底的平面上，所述封装标记层的截面的形状包括长方形或者正方形，且所述封装标记层的截面的相邻两侧其中一侧平行于所述第一方向，另一侧平行于所述第二方向。
5.根据权利要求4所述的显示基板母版，其特征在于，当所述封装层无偏移时，在平行于所述基底的平面上，所述第一子标记部的正投影和所述第二子标记部的正投影相对于所述封装标记层的正投影沿第二方向的中心线对称，所述第三子标记部的正投影和第四子标记部的正投影相对于所述封装标记层的正投影沿第一方向的中心线对称。
6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板母版，其特征在于，所述显示功能层包括依次设置的驱动结构层和发光结构层，所述发光结构层包括依次设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的第一电极、有机发光层和第二电极；所述标记结构与所述显示功能层同层设置包括：所述标记结构与所述驱动结构层或者所述第一电极同层设置。
7.根据权利要求1至5任一所述的显示基板母版，其特征在于，所述封装层包括依次设置的第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层；
所述封装标记层与所述封装层同层设置包括：
所述封装标记层与所述第一无机封装层同层设置，或者，所述封装标记层与所述第二无机封装层同层设置；或者，所述显示基板母版包括多个所述封装标记层，部分所述封装标记层与所述第一无机封装层同层设置，部分所述封装标记层与所述第二无机封装层同层设置。
8.一种显示基板母版的制备方法，其特征在于，所述显示基板母版包括多个基板区域和多个围绕所述基板区域的外围区域，所述制备方法包括：
在所述基板区域的基底上形成显示功能层，以及在所述外围区域的基底上形成至少一个标记结构；所述标记结构包括沿第一方向延伸的第一标记部，以及，沿第二方向延伸的第二标记部，所述第一方向和所述第二方向相交，所述第一标记部包括分别位于所述第二标记部两侧的第一子标记部和第二子标记部，所述第二标记部包括分别位于所述第一标记部两侧的第三子标记部和第四子标记部；
在所述基板区域的所述显示功能层上形成封装层，以及在所述外围区域的所述标记结构上形成与所述标记结构一一对应的封装标记层。
9.一种偏移检测方法，应用于如权利要求1至7任一所述的显示基板母版，其特征在于，包括：
获取所述显示基板母版的图像；
根据所述图像确定所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置；
根据所述封装标记层的位置和所述标记结构的位置确定所述封装层的偏移信息。
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