TWI760105B

TWI760105B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI760105B
Application number: TW110105003A
Authority: TW
Inventors: 張延任; 王彥凱
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-02-09
Filing date: 2021-02-09
Publication date: 2022-04-01
Also published as: CN113745266B; CN113745266A; TW202232786A

Abstract

一種顯示裝置，包括基板、多條掃描線、多條資料線、多個發光元件、第一降反射層及第二降反射層。掃描線及資料線分別沿第一方向與第二方向延伸。發光元件被掃描線及資料線圍繞。第一降反射層覆蓋掃描線和資料線，且具有多個開口，其中多個開口暴露出發光元件。在顯示裝置的俯視圖中，第二降反射層至少與第一降反射層重疊。發光元件的發光波長不同於第二降反射層的吸收波長。第一降反射層的吸收波長不同於第二降反射層的吸收波長。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有至少兩種降反射層的顯示裝置。

微型發光二極體（Micro-Light Emitting Diode，mLED）具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，在目前也已被應用於平板及小型尺寸的顯示裝置。目前採用微型發光二極體的顯示面板中金屬走線外露無遮蔽，易導致顯示面板存在高反射率的問題。

一般解決方式例如為：實施抗反射表面處理（Anti-Reflect surface treatment）以形成一抗反射膜於顯示面板上，如此可降低約4%的反射率；或者，將一圓偏光片（circular polarizer）配置於顯示面板上，雖可降低約95%的反射率，然圓偏光片會遮擋住設置有發光元件的區域（即顯示面板的發光區），使得顯示面板的穿透率下降約60%；或者，形成黑矩陣（Black matrix，BM）於金屬走線上，然目前形成黑矩陣的製程受限於製程能力而無法大面積完全地覆蓋於金屬走線上，且若採用圓偏光片遮蔽露出的金屬走線時，仍存在上述顯示面板的穿透率下降約60%的問題。因此如何設計出同時兼具低反射率及高穿透率的顯示裝置，已成為本領域研究人員的一大挑戰。

本發明提供一種顯示裝置，其設計可有助於在降低反射率的同時，也可避免穿透率下降及維持色相等色彩特性優異，進而提升顯示裝置的顯示效果。

本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置，包括基板、多條掃描線、多條資料線、多個發光元件、第一降反射層及第二降反射層。掃描線配置於基板上，且沿第一方向延伸。資料線配置於基板上，且沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相交。發光元件陣列排列於基板上。每一發光元件被多條掃描線的相鄰兩條及多條資料線的相鄰兩條圍繞，且發光元件與多條掃描線的其中一者和多條資料線的其中一者電性連接。第一降反射層覆蓋多條掃描線和多條資料線，且具有多個開口，其中開口暴露出發光元件。第二降反射層配置於基板上。在顯示裝置的俯視圖中，第二降反射層至少與第一降反射層重疊。發光元件的發光波長不同於第二降反射層的吸收波長，第一降反射層的吸收波長不同於第二降反射層的吸收波長。

在本發明的一實施例中，上述第一降反射層的顏色包括棕色，上述第二降反射層的顏色包括偏藍色。

在本發明的一實施例中，經第一降反射層反射的反射光在D65光源條件下的國際照明委員會（Commission Internationale del’Eclairage，CIE）色度座標（x,y）滿足下述式（1）與式（2）： 0.350≦x≦0.400 式（1） 0.350≦y≦0.400 式（2）。

在本發明的一實施例中，經第一降反射層反射且穿透第二降反射層的反射光在D65光源條件下的CIE色度座標（x,y）滿足下述式（3）與式（4）： 0.280≦x≦0.350 式（3） 0.280≦y≦0.350 式（4）。

在本發明的一實施例中，上述第二降反射層的吸收波長為590 nm～600 nm，且第二降反射層在波長為590 nm～600 nm的光穿透率為0.30以下。

在本發明的一實施例中，上述第二降反射層全面性地覆蓋於基板上。

在本發明的一實施例中，上述第二降反射層包括平坦層以及吸收層。平坦層配置於基板上，且覆蓋第一降反射層及發光元件。吸收層配置於平坦層上。在顯示裝置的俯視圖中，吸收層至少與第一降反射層重疊。

在本發明的一實施例中，上述第二降反射層包括平坦層以及吸收粒子。平坦層配置於基板上，且覆蓋第一降反射層及發光元件。吸收粒子分散於平坦層中。

在本發明的一實施例中，上述第一降反射層自基板側依序包括第一介電層、光阻層以及第二介電層，且第二介電層共形地覆蓋光阻層。

在本發明的一實施例中，上述第一介電層與上述第二介電層的材料為氮化矽，上述光阻層的材料為正型光阻。

在本發明的一實施例中，上述顯示裝置更包括多個接墊圖案。接墊圖案陣列排列於基板上，且與發光元件電性連接。第一降反射層的多個開口的其中一者暴露出至少一接墊圖案，其中多個開口的其中一者沿著第二方向延伸的一側壁與被暴露的接墊圖案沿著第二方向延伸的一側面之間的距離約10±3% μm。

基於上述，本發明藉由設置第一降反射層來遮蔽大面積的訊號線，以降低因顯示裝置的訊號線外露所造成的反射率。另外，利用具有與第一降反射層的吸收波長不同的吸收波長的第二降反射層覆蓋於第一降反射層上，使經由第一降反射層反射的反射光可在穿透第二降反射層後轉換為接近自然光色相的反射光，如此顯示裝置在具有低反射率的同時，也能呈現色相等色彩特性優異的顯示效果。此外，使第二降反射層的吸收波長不同於發光元件的發光波長，如此即使第二降反射層遮蔽發光元件，也可避免發光元件所發出的光穿透率下降。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在「另一元件上」、或「連接到另一元件」、「重疊於另一元件」時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」、或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」和「一個」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「上面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1A至圖1C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的俯視示意圖。為方便說明，圖1A中省略繪示第一降反射層及第二降反射層的位置；圖1B中省略繪示第二降反射層的位置。

請參照圖1A至圖1C，顯示裝置10包括基板100、多條掃描線GL、多條資料線DL、多個發光元件200、第一降反射層300以及第二降反射層400。在本實施例中，基板100的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料，但本發明不以此為限。掃描線GL配置於基板100上，且沿第一方向D1延伸。資料線DL配置於基板100上，且沿相交於第一方向D1的第二方向D2延伸。

請參照圖1A，多個發光元件200陣列排列於基板100上。換句話說，發光元件200可沿第一方向D1以及第二方向D2陣列排列，其中第一方向D1可理解為橫向方向，而第二方向D2可理解為縱向方向。因此，以下實施例描述的橫向與縱向可分別視為圖1A中的第一方向D1與第二方向D2。在本實施例中，每一發光元件200被相鄰兩條掃描線GL及相鄰兩條資料線DL圍繞。舉例來說，沿第一方向D1排成一列的發光元件200夾於兩條掃描線GL之間；沿第二方向D2排成一行的發光元件200夾於兩條資料線DL之間。因此，以下實施例描述的同一列發光元件200與同一行發光元件200可分別視為圖1中沿第一方向D1排列的發光元件200與沿第二方向D2排列的發光元件200。在一實施例中，發光元件200例如是微型發光二極體（mLED），但本發明不以此為限。

在本實施例中，顯示裝置10還包括多個驅動元件110及多個接墊圖案BP。如圖1A所示，驅動元件110例如配置於掃描線GL上，且驅動元件110分別與多條掃描線GL的其中一者和多條資料線DL的其中一者電性連接。接墊圖案BP陣列排列於基板100上。在本實施例中，每兩個接墊圖案BP被相鄰兩條掃描線GL及相鄰兩條資料線DL圍繞，且接墊圖案BP與發光元件200電性連接。另外，兩個接墊圖案BP的其中一者電性連接至驅動元件110。也就是說，發光元件200經由接墊圖案BP及驅動元件110電性連接至對應的掃描線GL和資料線DL。在本實施例中，沿第一方向D1排列在同一列的發光元件200可分別與同一側的掃描線GL電性連接。舉例來說，同一列發光元件200可經由接墊圖案BP及驅動元件110電性連接至位於同一側（如圖1A的上側）的掃描線GL，但本發明不限於此。另一方面，沿第二方向D2排列在同一行的發光元件200可分別與同一側的資料線DL電性連接。舉例來說，同一行發光元件200可經由接墊圖案BP及驅動元件110電性連接至位於同一側（如圖1A的左側）的資料線DL，但本發明不限於此。需說明的是，雖然圖1A至圖1C中繪示每一發光元件200電性連接至兩個接墊圖案BP，所屬領域中具有通常知識者可依據設計需求調整接墊圖案BP的數量及連接關係，本發明並不以此為限。在一實施例中，接墊圖案BP的材料可以是金屬等導體材料。

在一些實施例中，多個發光元件200可包括分別沿第二方向D2排列的多個紅色發光元件R、多個綠色發光元件G以及多個藍色發光元件B。舉例來說，以圖1A中所標的資料線DL1為例，資料線DL1可電性連接至同一行紅色發光元件R；以圖1中所標的資料線DL2為例，資料線DL2可電性連接至同一行綠色發光元件G；以圖1中所標的資料線DL3為例，資料線DL3可電性連接至同一行藍色發光元件B，所屬領域中具有通常知識者可依據設計需求調整資料線DL與發光元件200的排列及連接關係，本發明並不以此為限。

在本實施例中，接墊圖案BP與資料線DL可分別電性連接至驅動元件110主動層的相對兩側上的汲極與源極。舉例來說，驅動元件110可以是具有閘極、源極與汲極的電晶體，閘極可連接到其中一條掃描線GL，源極可連接到其中一條資料線DL，而汲極可連接到接墊圖案BP。另外，為了避免掃描線GL與資料線DL之間的短路，掃描線GL與資料線DL可由不同膜層構成，且掃描線GL與資料線DL之間可夾有一或多層絕緣層。

請參照圖1B，第一降反射層300至少覆蓋掃描線GL、資料線DL和驅動元件110。在一實施例中，將相鄰兩條掃描線GL及相鄰兩條資料線DL圍繞的區域的面積比設為100%，則第一降反射層300所佔據的面積比例如為70%～95%，發光元件200所佔據的面積比例如為5%以下。在本實施例中，第一降反射層300具有多個第一開口O1，第一開口O1暴露出發光元件200及接墊圖案BP，且並未暴露出掃描線GL、資料線DL和驅動元件110。在一實施例中，第一開口O1沿著第二方向D2延伸的一側壁與被暴露的接墊圖案BP沿著第二方向D2延伸的一側面之間的距離約10±3% μm。如此一來，可避免第一降反射層300遮擋住設置有發光元件200的區域（以下簡稱為發光區LA，如圖1C所示），以確保顯示裝置10的發光面積。

請參照圖1C，第二降反射層400配置於基板100上。如圖1C所示，第二降反射層400至少與第一降反射層300重疊。如此一來，可使經由第一降反射層300反射的反射光通過第二降反射層400，以對上述反射光所呈現的色相進行調整。在本實施例中，第二降反射層400例如全面性地覆蓋於基板100上，但本發明不以此為限，只要經第一降反射層300反射的反射光能夠通過第二降反射層400即可。

在本實施例中，發光元件200的發光波長不同於第二降反射層400的吸收波長，如此即使第二降反射層400遮蔽發光元件200，也可避免發光元件200所發出的光穿透率下降，詳於後文說明。另外，第一降反射層300的吸收波長不同於第二降反射層400的吸收波長。舉例來說，第一降反射層300的顏色包括棕色，第二降反射層400的顏色包括偏藍色。第二降反射層400吸收波長例如為約590 nm～約600 nm，且第二降反射層400在穿透光波長約590 nm～約600 nm的穿透率例如為0.30以下。據此，經第一降反射層300反射的反射光在D65光源條件下的CIE色度座標（x,y）可滿足下述式（1）與式（2）： 0.350≦x≦0.400 式（1） 0.350≦y≦0.400 式（2）。並且，經第一降反射層300反射且穿透第二降反射層400的反射光在D65光源條件下的CIE色度座標（x,y）可滿足下述式（3）與式（4）： 0.280≦x≦0.350 式（3） 0.280≦y≦0.350 式（4）。

也就是說，本實施例之顯示裝置10利用呈棕色之第一降反射層300來遮蔽大面積的訊號線（即掃描線GL和資料線DL等導線），以降低因顯示裝置10的訊號線外露所造成的反射率。並且，利用呈偏藍色之第二降反射層400覆蓋於第一降反射層300上，使經由第一降反射層300反射的棕色反射光可在穿透第二降反射層400後轉換為接近自然光色相的反射光（即相關色溫（correlated color temperature，CCT）約5000 K～6000 K），如此顯示裝置10在具有低反射率的同時，也能呈現色相等色彩特性優異的顯示效果。

以下，將例示說明可應用於上述實施例中第一降反射層及第二降反射層的實施形態，但本發明並不限定於以下的實施形態。

圖2是圖1C的顯示裝置中沿剖線A-A’的剖面的一種實施方式的示意圖。在此必須說明的是，圖2沿用圖1A～圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖2，顯示裝置10A中，發光元件200與第一降反射層300例如位於相同的膜層，且驅動元件110所在的膜層可介於第一降反射層300所在的膜層與基板100之間。如圖2所示，驅動元件110包括閘極GE、閘極絕緣層GI、通道層112、歐姆接觸層114、源極SE以及汲極DE。在本實施例中，閘極GE形成於基板100上，且閘極GE的材料可為導體材料。閘極絕緣層GI覆蓋閘極GE與部分的基板100。通道層112形成於閘極絕緣層GI上，以提供電子傳輸之通道，且通道層112的材料包括非晶矽等適宜的材料。歐姆接觸層114覆蓋在部分的通道層112上，以降低源極SE與通道層112以及汲極DE與通道層112之間的阻抗。由圖2可知，源極SE與汲極DE皆配置於歐姆接觸層114上。歐姆接觸層114的材料可以是N型摻雜非晶矽。須說明的是，驅動元件110是以底部閘極型薄膜電晶體（bottom gate TFT）為例說明，但本發明不限於此。根據其他實施方式，上述驅動元件110也可為頂部閘極型薄膜電晶體（top gate TFT）或其他適合之薄膜電晶體。

在本實施例中，顯示裝置10A還包括鈍化層PV1、絕緣層116以及鈍化層PV2。舉例來說，鈍化層PV1共形地形成於驅動元件110上。絕緣層116毯覆性地覆蓋於鈍化層PV1上。鈍化層PV1和絕緣層116中可具有貫通孔TH，其中貫通孔TH例如暴露出部分的汲極DE。鈍化層PV2共形地覆蓋於貫通孔TH的側壁及絕緣層116的表面。多個接墊圖案BP的其中一者填入貫通孔TH，並覆蓋部分的鈍化層PV2。據此，接墊圖案BP可通過貫通孔TH而與驅動元件110的汲極DE接觸。

在本實施例中，第一降反射層300可為單層或多層結構。在本實施例中，第一降反射層300例如為三層結構。舉例來說，第一降反射層300由下往上依序包括第一介電層302、光阻層304以及第二介電層306。第一介電層302例如覆蓋部分的鈍化層PV2和接墊圖案BP，且填入相鄰兩個接墊圖案BP之間的空隙中。舉例來說，第一介電層302具有多個第二開口O2，第二開口O2暴露出部分的接墊圖案BP，發光元件200通過第二開口O2與接墊圖案BP接觸。據此，發光元件200可經由接墊圖案BP與驅動元件110的汲極DE電性連接。在本實施例中，第二介電層306共形地覆蓋光阻層304。藉此，將第一介電層302與第二介電層306配置於光阻層304的上下兩側，則第一介電層302與第二介電層306所產生的干涉效應可有助於減少顯示裝置10A的反射率，並且可修正顯示裝置10A的色偏，以更優化顯示裝置10A的顯示效果。另外，第一介電層302與第二介電層306也可作為保護層，以保護光阻層304。在一實施例中，第一介電層302與第二介電層306的厚度例如為1000 Å～2000 Å。光阻層304的厚度例如為2.0 μm～3.0 μm。在一實施例中，第一介電層302與第二介電層306的材料可為氮化矽。光阻層304的材料可為正型光阻。如此，可提升形成第一降反射層300的製程裕度，而可大面積完全地覆蓋於金屬走線或訊號線上。

在本實施例中，第二降反射層400A包括平坦層410以及吸收層420。平坦層410例如配置於基板100上，且覆蓋第一降反射層300及發光元件200。吸收層420例如配置於平坦層410上。舉例來說，平坦層410可填入第一降反射層300與發光元件200之間的空間並包覆發光元件200的頂面200a與側面200b，以使吸收層420可設置於平坦層410所形成的平坦表面上。在一實施例中，吸收層420與平坦層410之間還具有基材（未繪示），如此可確保吸收層420平坦的設置於平坦層410上。在一實施例中，平坦層410的厚度例如為50 μm～150 μm。吸收層420的厚度例如為2.5 μm～3 μm。

如圖2所示，吸收層420例如全面性地覆蓋平坦層410的表面410a。在其他實施例中，吸收層420也可僅覆蓋部分的平坦層410的表面410a，只要經第一降反射層300反射的反射光能夠通過吸收層420即可。舉例來說，在顯示裝置10A的俯視方向上，吸收層420可僅與第一降反射層300重疊（未繪示），但本發明不以此為限。如此一來，可使經由第一降反射層300反射的反射光通過吸收層420，以對上述反射光所呈現的色相進行調整。

圖3是圖1C的顯示裝置中沿剖線A-A’的剖面的另一種實施方式的示意圖。在此必須說明的是，圖3沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖3，本實施例之顯示裝置10B與如圖2所示之顯示裝置10A的差異在於第二降反射層400B包括平坦層410以及吸收粒子430。在本實施例中，吸收粒子430例如分散於平坦層410中。舉例來說，形成第二降反射層400B的方法包括以下步驟。首先將用於形成平坦層410的材料（例如凝膠等）與吸收粒子430混合。接著，將所述混合物塗覆於第一降反射層300及發光元件200上，以將第二降反射層400B毯覆性地形成於第一降反射層300及發光元件200上。如此一來，可藉由平坦層410來固定發光元件200，並利用分散於平坦層410中的吸收粒子430來調整經第一降反射層300反射的反射光的色相。因此，第二降反射層400B可在達成固定發光元件200、形成平坦化表面的同時，也能降低反射率及呈現色相等色彩特性優異的顯示效果。

以下，將分析本發明一實施例的顯示裝置的吸收光頻譜、反射率及穿透率等特性。

圖4A至圖4C是依據本發明一實施例所繪示的頻譜圖。

請參照圖4A，圖4A所示的頻譜圖適用於僅具有第一降反射層的顯示裝置。因此，在本實施例中，僅具有第一降反射層的顯示裝置在波長約480 nm～約780 nm的範圍內存在有多個吸收峰，且其穿透率例如介於約0.07～約0.12之間。

請參照圖4B，圖4B所示的頻譜圖適用於第二降反射層。圖4B所示的頻譜圖中的穿透率被歸一化處理。在本實施例中，第二降反射層在波長約595 nm處存在一吸收峰，且吸收峰的穿透率約0.20。

請參照圖4C，圖4C所示的頻譜圖適用於第二降反射層、紅色發光元件、綠色發光元件與藍色發光元件。圖4C所示的頻譜圖中的穿透率被歸一化處理。在本實施例中，發光元件可包括紅色發光元件、綠色發光元件與藍色發光元件。紅色發光元件的發光波長例如約630 nm；綠色發光元件的發光波長例如約520 nm；藍色發光元件的發光波長例如約460 nm。另外，根據圖4B及圖4C所示的頻譜圖可知，第二降反射層的吸收波長例如為約590 nm～約600 nm。換句話說，各發光元件的發光波長位於第二降反射層的吸收波長的範圍之外。也就是說，本實施例的第二降反射層實質上並不會吸收發光元件所發出的光，因此即使第二降反射層遮蔽顯示裝置的發光區，也可避免自發光元件所發出的光在穿透第二降反射層後會造成色偏的問題，並且也能夠避免發光元件所發出的光穿透率的損失。

另一方面，對實施例1、比較例1、比較例2、比較例3進行光學模擬，並將光學模擬所獲得的結果示於下述表1中，其中實施例1為如圖1C所示的顯示裝置，設置有第一降反射層及第二降反射層；比較例1為如圖1A所示的顯示裝置，並未設置第一降反射層或第二降反射層；比較例2為如圖1B所示的顯示裝置，僅設置第一降反射層；比較例3的顯示裝置僅設置第二降反射層。括號內的數值表示相較於比較例1的反射率下降量。

[表1]

	x	y	反射率（%）	CCT（K）
實施例1	0.3406	0.3176	10.22(-79.31)	5086
比較例1	0.3076	0.3142	89.53(0)	6948
比較例2	0.3766	0.3494	15.93(-73.60)	3914
比較例3	0.2280	0.2273	40.63(-48.90)	5213

*x及y分別表示在D65光源條件下的CIE色度座標（x,y）中的x及y。

根據表1可知，相較於比較例1，實施例1之顯示裝置藉由設置第一降反射層及第二降反射層，可使反射率數值減少79.31%，且相關色溫（CCT）由6948 K降低至5086 K。另外，雖比較例2的顯示裝置相較於比較例1而言反射率數值減少73.60%，然比較例2的色溫為3914 K，即比較例2的顯示裝置所呈現出的顏色為偏黃色。此外，雖比較例3的顯示裝置相較於比較例1而言色溫由6948 K降低至5213 K，然比較例3的反射率數值僅減少48.90%，即比較例3的顯示裝置的反射率下降量小於實施例1的顯示裝置的反射率下降量。因此，實施例1之顯示裝置可在大幅降低反射率的同時，也可將色溫調整至自然光色相的範圍（例如5000 K～6000 K）內。

圖5是依據本發明一實施例所繪示的穿透率及反射率的變化示意圖。在本實施例中，以設置有第一降反射層及第二降反射層的顯示裝置為例。

在本實施例中，可對第二降反射層的濃度進行調整。舉例來說，以第二降反射層的濃度由低至高的方式進行調整，使第二降反射層的顏色由透明變為偏藍色、再變為藍色，如此經由第一降反射層反射的棕色反射光，在穿透上述第二降反射層後所獲得的色相由棕色變為白色、再變成藍色。也就是說，將第二降反射層的濃度調整至適宜的濃度可獲得具有色相等色彩特性優異的顯示裝置。

另一方面，第二降反射層的濃度越高，雖會降低反射率，但同時也會降低穿透率。舉例來說，將調整第二降反射層的濃度所造成的穿透率及反射率變化的關係圖繪製於圖5中。根據圖5可知，反射率越低，穿透率也越低。以顯示裝置的顯示效果的觀點來看，優選為將第二降反射層的濃度調整至反射率約40%且穿透率約80%的濃度。如此一來，即使將第二降反射層遮蔽顯示裝置的發光區，也能同時兼具低反射率及高穿透率。

綜上所述，本發明藉由設置第一降反射層來遮蔽大面積的訊號線，以降低因顯示裝置的訊號線外露所造成的反射率。另外，利用具有與第一降反射層的吸收波長不同的吸收波長的第二降反射層覆蓋於第一降反射層上，使經由第一降反射層反射的反射光可在穿透第二降反射層後轉換為接近自然光色相的反射光，如此顯示裝置在具有低反射率的同時，也能呈現色相等色彩特性優異的顯示效果。此外，使第二降反射層的吸收波長不同於發光元件的發光波長，如此即使第二降反射層遮蔽發光元件，也可避免發光元件所發出的光穿透率下降。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10A、10B:顯示裝置 100:基板 110:驅動元件 112:通道層 114:歐姆接觸層 116:絕緣層 200:發光元件 200a:頂面 200b:側面 300:第一降反射層 302:第一介電層 304:光阻層 306:第二介電層 400、400A、400B:第二降反射層 410:平坦層 410a:表面 420:吸收層 430:吸收粒子 B:藍色發光元件 BP:接墊圖案 D1:第一方向 D2:第二方向 DE:汲極 DL、DL1、DL2、DL3:資料線 G:綠色發光元件 GE:閘極 GI:閘極絕緣層 GL:掃描線 LA:發光區 O1:第一開口 O2:第二開口 PV1、PV2:鈍化層 R:紅色發光元件 SE:源極 TH:貫通孔

圖1A至圖1C是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的俯視示意圖。圖2是圖1C的顯示裝置中沿剖線A-A’的剖面的一種實施方式的示意圖。圖3是圖1C的顯示裝置中沿剖線A-A’的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖4A至圖4C是依據本發明一實施例所繪示的頻譜圖。（spectrum）。圖5是依據本發明一實施例所繪示的穿透率及反射率的變化示意圖。

10:顯示裝置

100:基板

200:發光元件

400:第二降反射層

B:藍色發光元件

BP:接墊圖案

D1:第一方向

D2:第二方向

G:綠色發光元件

LA:發光區

R:紅色發光元件

Claims

一種顯示裝置，包括：基板；多條掃描線，配置於所述基板上，且沿第一方向延伸；多條資料線，配置於所述基板上，且沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；多個發光元件，陣列排列於所述基板上，每一所述發光元件被所述多條掃描線的相鄰兩條及所述多條資料線的相鄰兩條圍繞，且所述發光元件與所述多條掃描線的其中一者和所述多條資料線的其中一者電性連接；第一降反射層，覆蓋所述多條掃描線和所述多條資料線，且具有多個開口，其中所述多個開口暴露出所述發光元件；以及第二降反射層，配置於所述基板上，在所述顯示裝置的俯視圖中，所述第二降反射層至少與所述第一降反射層重疊，所述發光元件的發光波長不同於所述第二降反射層的吸收波長，所述第一降反射層的吸收波長不同於所述第二降反射層的吸收波長。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一降反射層的顏色包括棕色，所述第二降反射層的顏色包括偏藍色。
如請求項1所述的顯示裝置，其中經所述第一降反射層反射的反射光在D65光源條件下的CIE色度座標（x,y）滿足下述式（1）與式（2）： 0.350≦x≦0.400 式（1） 0.350≦y≦0.400 式（2）。
如請求項1所述的顯示裝置，其中經所述第一降反射層反射且穿透所述第二降反射層的反射光在D65光源條件下的CIE色度座標（x,y）滿足下述式（3）與式（4）： 0.280≦x≦0.350 式（3） 0.280≦y≦0.350 式（4）。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二降反射層的所述吸收波長為590 nm～600 nm，且所述第二降反射層在波長為590 nm～600 nm的光穿透率為0.30以下。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二降反射層全面性地覆蓋於所述基板上。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述第二降反射層包括：平坦層，配置於所述基板上，且覆蓋所述第一降反射層及所述發光元件；以及吸收層，配置於所述平坦層上，在所述顯示裝置的俯視圖中，所述吸收層至少與所述第一降反射層重疊。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述第二降反射層包括：平坦層，配置於所述基板上，且覆蓋所述第一降反射層及所述發光元件；以及吸收粒子，分散於所述平坦層中。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一降反射層自所述基板側依序包括第一介電層、光阻層以及第二介電層，所述第二介電層共形地覆蓋所述光阻層。
如請求項9所述的顯示裝置，其中所述第一介電層與所述第二介電層的材料為氮化矽，所述光阻層的材料為正型光阻。
如請求項1所述的顯示裝置，更包括：多個接墊圖案，陣列排列於所述基板上，所述第一降反射層的所述多個開口的其中一者暴露出至少一所述接墊圖案，且所述接墊圖案與所述發光元件電性連接，其中所述多個開口的所述其中一者沿著所述第二方向延伸的一側壁與被暴露的所述接墊圖案沿著所述第二方向延伸的一側面之間的距離約10±3% μm。