TWI757544B - 倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法（第二案） - Google Patents

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Abstract

本發明係有關一種倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，包括以下步驟：對未塗覆助焊劑之第一倒裝晶片組的倒裝晶片之一面的凸點照射照明光，進而將凸點的光強度值儲存而為第一數據；藉由將一面浸漬於收容有助焊劑的盛盤，對倒裝晶片塗覆助焊劑；對塗覆有助焊劑的第二倒裝晶片組之倒裝晶片的凸點照射照明光，進而將凸點之光強度值儲存而為第二數據；從第一數據及第二數據各別的常態分佈求得各別的平均光強度值與標準偏差；以及利用平均光強度值與標準偏差自動設定用以檢查倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態的檢查基準光強度值，其中，在第一數據與第二數據的常態分佈之光強度值範圍不重疊之情況下，將檢查基準光強度值設定為第二數據之平均光強度值加上第二數據之標準偏差而得到的值。

Description

倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法(第二案)
本發明係有關一種倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，尤其是有關一種自動設定用以檢查倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態之基準光強度值的方法；其係已獲准為發明第I 590401號專利之另一發明案。
近年來，隨著電子通信技術的發展，各種電子設備進一步小型化、輕量化。因此，內置於各種電子設備的諸如半導體晶片等電子部件必須滿足高集成化、超小型化。
因此，針對將高密度、超小型的表面貼裝部件(SMD：Surface Mount Device)貼裝到印刷電路基板(PCB：Printed Circuit Board，在下文中，將其稱為“基板”)的表面貼裝技術的研究正積極進行著。
作為這種表面貼裝技術，代替以往的引線鍵合(wire bonding)技術而有一種利用凸點(bump)將作為半導體晶片的裸片(die)的電極和基板連接的倒裝晶片 (flip chip)工藝。
倒裝晶片表示能夠以面朝下(face-down)形態將電子裝置或半導體晶片直接安裝到基板的貼裝焊盤的裝置。
在將倒裝晶片安裝到基板時，可以通過生成在晶片表面上的導電性凸點實現電連接，而且在將晶片安裝到基板時，該晶片以倒置的狀態被安裝，因此稱之為倒裝晶片。
倒裝晶片不需要焊線(Wire bond)，因此倒裝晶片的尺寸明顯小於通常的經過引線鍵合工序(Wire-bonding process)的晶片。此外，在引線鍵合中，焊線的晶片和基板之間的連接是以一次附著一個的方式進行，相反，在倒裝晶片中，可以同時執行，因此，相比焊線的晶片，倒裝晶片的費用將會得到減少，而且倒裝晶片的連接長度比引線鍵合短，因此其性能也將會得到提高。
以下，對根據上述的倒裝晶片工藝而將倒裝晶片貼裝到基板的工藝進行簡單說明。
首先，執行凸點加工(bumping)工藝，即，從晶片(wafer)分離並取出晶片之後，翻轉(flip)晶片而使上下表面的位置翻轉。
之後，執行回流(Reflow)工藝，即，貼裝機的頭將被翻轉的晶片吸附之後使其移動到預定的位置，並 且在需要時對包含凸點的面進行加熱。
此時，為提高基板與晶片的接合性能，執行助熔(fluxing)工藝，即，向晶片的凸點轉移助焊劑(flux)。
之後，執行如下的工藝：利用相機視覺(camera vision)識別基板的作為將要貼裝晶片的預定位置的焊盤，從而識別凸點的位置，並使凸點抵接焊盤以貼裝(Mounting)晶片。
最後，通過回流進行加熱以接合基板和晶片，並通過塗覆環氧樹脂的底部填充(under filling)以及借助熱等來進行硬化的固化(curing)而保護晶片。
在如上所述的倒裝晶片工藝中，在進行朝晶片的凸點轉移助焊劑的助熔工藝時，可能會發生助焊劑無法正常地塗覆在晶片的凸點的情況，在此情況下，晶片沒有正常地接合到基板的隱患較大，據此，可能會引起生產出不良電子部件的問題。
對此，在現有技術中，提出了用於檢查助焊劑是否正常地被塗覆在晶片凸點的多樣的方法。
例如，具有如下的方法：將晶片浸漬(Deeping)在裝有助焊劑的容器之後，利用相機對容器內助焊劑的凸點痕跡進行拍攝而檢查助焊劑的塗覆與否。然而這種方法中，由於助焊劑由液體構成，因而其痕跡將會瞬間消失，從而存在著難以容易地檢查針對晶片凸點的助焊劑的塗覆 與否的問題。
另外，還提出過通過利用相機拍攝助焊劑塗覆於晶片之凸點的狀態而獲取的影像或圖像來檢查針對晶片凸點之助焊劑的塗覆與否的方法，然而，存在難以設定易於重複檢查作業的最佳檢查參數的問題。
先行技術文獻
專利文獻1：韓國授權專利第10-1377444號(2014.03.25)
本發明要解決之課題為，提供一種能夠自動設定用於檢查倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態的檢查基準光強度值的倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法。
本發明之課題並不局限於如上所述的課題，本領域技術人員可以根據下文中的記載而容易地理解未提及的其他課題。
用於解決所述課題的根據本發明的第一實施例的倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法可以包括以下步驟：向形成於在倒裝晶片未塗覆助焊劑的第一倒裝晶片組的所述倒裝晶片的一面的凸點照射照明光，進而將所述凸點的光強度值存儲為第一資料；通過將所述一面浸漬於收容助焊劑的盤，從而向所述倒裝晶片塗覆所述助焊劑；向在所述倒裝晶片塗覆有所述助焊劑的第二倒裝晶片組的所述倒裝晶片的所述凸點照射照明光，進而將所述凸點的光 強度值存儲為第二資料；從所述第一資料及所述第二資料各自的正態分佈求得所述第一資料及所述第二資料各自的平均光強度值與標準偏差；以及利用所述平均光強度值與所述標準偏差自動設定用於檢查在所述倒裝晶片的所述凸點塗覆所述助焊劑的狀態的檢查基準光強度值，其中，在所述第一資料的正態分佈與所述第二資料的正態分佈的所述光強度值範圍不重疊的情況下，將所述檢查基準光強度值設定為所述第二資料的平均光強度值加上所述第二資料的標準偏差而得到的值。
在此，在所述第一資料的正態分佈與所述第二資料的正態分佈的所述光強度值範圍重疊的情況下，可以將所述檢查基準光強度值設定為，從所述第一資料的平均光強度值減去所述第一資料的標準偏差而得到的值與在所述第二資料的平均光強度值加上所述第二資料的標準偏差而得到的值的中間值。
並且，所述倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法還可以包括以下步驟：向塗覆有所述助焊劑的檢查物件倒裝晶片的凸點照射所述照明光，進而拾取光強度值，比較拾取出的所述光強度值與自動設定的所述檢查基準光強度值，進而判斷針對所述倒裝晶片的所述凸點的所述助焊劑塗覆狀態是否良好。
在此，在拾取所述檢查物件倒裝晶片的光強度 值的步驟之前，還可以包括以下步驟：拍攝所述檢查物件倒裝晶片的凸點位置；通過所述拍攝步驟識別所述凸點；以及若成功識別所述凸點，進行位置校正而使所述檢查物件倒裝晶片對齊(align)到預設的位置。
在此，所述倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法還可以包括以下步驟：如果未能正常識別所述凸點，則發生錯誤。
並且，拍攝所述凸點位置的步驟還可以包括以下步驟：照射用於照亮所述檢查物件倒裝晶片的凸點位置周圍的第一照明光。
在此，若所述檢查基準光強度值大於拾取出的所述光強度值，則可以判斷為針對所述倒裝晶片的所述凸點的所述助焊劑塗覆狀態良好。
並且，若所述檢查基準光強度值小於拾取出的所述光強度值，則可以判斷為針對所述倒裝晶片的所述凸點的所述助焊劑塗覆狀態不良。
另外，為了拾取所述第一資料與所述第二資料的光強度值而照射的照明光可以是所述照明光的光強度值在具有塗覆於所述倒裝晶片的所述凸點的所述助焊劑能夠容易吸收的特定區域的波長帶的範圍內得到調節的第二照明光。
另外，所述第一資料及所述第二資料可以包括 針對所述第一倒裝晶片組及所述第二倒裝晶片組所包含的多個倒裝晶片進行測定的多個光強度值。
根據本發明的第二實施例的倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法可以包括以下步驟：拍攝塗覆有助焊劑的檢查物件倒裝晶片的凸點位置；通過所述拍攝步驟識別所述凸點；拾取各個所述凸點的光強度值；計算所各個所述凸點的光強度值的平均光強度值，並將所述平均光強度值設定為檢查基準光強度值；比較各個所述凸點光強度值與所述檢查基準光強度值；若所述檢查基準光強度值小於各個所述凸點光強度值，則判斷為所述倒裝晶片的凸點助焊劑塗覆狀態不良的區域；以及若所述不良區域為預定量以上，則判斷為所述檢查物件倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態不良，若所述不良區域少於預定量，則判斷為所述檢查物件倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態良好。
在此，拾取的各個所述凸點的光強度值的區域可以是各個所述凸點球(ball)的整個區域。
10‧‧‧倒裝晶片
15‧‧‧凸點
100‧‧‧第一倒裝晶片組
110‧‧‧第一數據
200‧‧‧第二倒裝晶片組
210‧‧‧第二數據
LI‧‧‧光強度值
Th‧‧‧檢查基準光強度值
第1圖是依流程顯示包含根據本發明之實施例用以檢查倒裝晶片的助焊劑塗覆狀態的方法的表面貼付步驟圖。
第2圖是依流程顯示根據本發明之實施例檢查倒裝晶片的助焊劑塗覆狀態的方法流程圖。
第3圖是顯示進行倒裝晶片之位置校正的模樣的圖。
第4圖是依流程顯示檢查倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態進而判斷塗覆狀態是否良好的方法的程序圖。
第5圖是依流程顯示根據本發明之實施例自動設定檢查基準光強度值的方法的程序圖。
第6圖是顯示根據本發明之實施例第一數據之常態分佈與第二數據之常態分佈所包含的光強度值之範圍不重疊之情況的圖表。
第7圖是顯示根據本發明之實施例第一數據之常態分佈與第二數據之常態分佈所包含的光強度值之範圍重疊之情況的圖表。
第8圖是依流程顯示根據本發明之另一實施例之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法的程序圖。
如果參照附圖與詳細說明之實施例，本發明之優勢與特徵，以及目標達成方法會變得更加明確。然而本發明並不局限於以下公開的實施例，其可由不相同的多種形態來實現，只是，提供本實施例之目的在於完整地公開本發明，且使本發明所屬的技術領域中具有通常的知識的技術人員能完整地理解本發明的範疇，而且，本發明僅由權利要求書的範疇來定義。整個說明書中，相同的參照符號表示相同的構成要素。
除非有其他定義，否則本說明書中使用之全部術語(包括技術及科學方面的術語)可以作為本發明所屬的技術領域中具備基本知識的人員通常能夠理解的含義。並且，通常使用的詞典中所定義的術語，只要沒有明確特殊的定義，不應被限縮地或過度地解釋。
在本說明書中使用的術語用以說明實施例而並非限制本發明。在本說明書中，只要沒有特別說明，單數形態也包括複數形態。在本說明書中，使用的“包括(comprises)”和/或“包括的(comprising)”不排除所提及的構成要素以外的其他構成要素的存在或追加。
另外，參考作為本發明的理想的示例圖的剖視圖和/或者概略圖而對本說明書所記述的實施例進行說明。因此，示例圖的形態可能根據製造技術和/或允許誤差等而調整。另外，在本發明中所顯示的各個附圖中，考慮到說明的方便性，各個構成要素可能被放大或縮小而顯示。在整個說明書中，相同的參照符號指稱相同的構成要素，並且“和/或”包括提及的元素各別及一個以上的全部組合。
在空間上相對的術語應該理解為包括附圖中所示方向以及使用或操作時的構成要素間互不相同之方向的術語。構成要素可以取向為不同方向，因此在空間上相對的術語可以根據取向而解讀。
以下，參照附圖對本發明的較佳具體實施例進行詳細的說明。
第1圖是依流程顯示包含根據本發明的實施例之用以檢查倒裝晶片10的助焊劑塗覆狀態的方法的表面貼付步驟的圖。
如第1圖所示，表面貼付技藝包括如下的步驟：藉由具有吸嘴的拾取頭來拾取(Pick-up)安裝於晶粒(die)穿梭板的倒裝晶片10的步驟；以及用以在凸點15表面塗覆助焊劑(flux)的助焊劑浸漬(dipping)步驟。
所述助焊劑浸漬步驟藉由將倒裝晶片10之一面浸漬於收容有助焊劑之盛盤，能夠對形成於倒裝晶片10一面之凸點15表面塗覆助焊劑。
若藉由助焊劑浸漬步驟將助焊劑塗覆於倒裝晶片10之凸點15表面，則在進行倒裝晶片10之位置校正之後，倒裝晶片10乃接合於印刷電路基板，從而達成貼付。
此時，塗覆於倒裝晶片10之凸點15表面的助焊劑執行使倒裝晶片10接合於基板的功能。
因此，若助焊劑未能藉由助焊步驟良好地塗覆於倒裝晶片10之凸點15，則倒裝晶片即無法接合於基板，從而最終會生產出不良之電子元件。
為解決如上所述之生產出不良電子元件的問題，本發明提出一種檢查倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態的 方法。
第2圖是依流程顯示根據本發明之實施例檢查倒裝晶片10之塗覆狀態方法的流程圖。
如第2圖所示，根據本發明之實施例的倒裝晶片10的助焊劑塗覆狀態檢查方法可以包括如下之步驟：從晶粒穿梭板拾取一面形成有多數凸點15之倒裝晶片10(S10)；以及藉由對被拾取之倒裝晶片10之凸點15浸漬助焊劑，從而使助焊劑塗覆於凸點15表面(S20)。
此外，還可以包括如下之步驟：利用照明部對塗覆有助焊劑之凸點15照射第一照明光之狀態下，利用相機拍攝凸點15之位置(S30)；以及藉由上述之拍攝步驟識別凸點15(S40)。
第3圖是顯示進行倒裝晶片10之位置校正之模樣圖。
當拍攝凸點15之圖像識別凸點15時，可以包括如下之步驟：如果未能正常地識別，則發生錯誤(S50)；如果成功識別凸點15，則如第3圖所示地使倒裝晶片10對齊(align)到預設之位置，從而完成位置之校正(S60)。
此外，在完成倒裝晶片10(即凸點15)位置之校正後，所述照明部乃對凸點15照射具有助焊劑能夠容易吸收之特定區域波長範圍的第二照明光，在此狀態下，可以包括如下之步驟：相機拍攝第二照明光被凸點15反射之 反射光(S70)；以及藉由被拍攝之反射光的光強度差來檢查凸點15之助焊劑的塗覆狀態(S80)。
在此，利用照明部所照射之第一照明光可以是：為了識別倒裝晶片10之凸點15而在相機拍攝時用以提高周圍亮度的光；第二照明光可以是具有助焊劑能夠容易吸收之特定區域之波長範圍的光，在下文中，將會對第二照明光進行詳細的說明。
藉由拍攝上述之第二照明光的反射光而獲取的影像或圖像乃被讀取，從而能夠檢查助焊劑之塗覆狀態(S80)，茲參照第4圖對具體的檢查方法進行說明如下。
第4圖是依流程顯示檢查倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態進而判斷塗覆狀態是否良好的方法的程序圖。
參照第4圖，如果具有助焊劑能夠容易吸收之特定區域之波長範圍的第二照明光利用照明部照射到倒裝晶片10之凸點15，並在該狀態下，相機拍攝到從凸點15反射之第二照明光之反射光，則可以獲取拍攝之影像或圖像(S810)。
其後，可以執行識別凸點15區域之步驟(S820)。如上所述，由於第二照明光為具有助焊劑能夠容易吸收之特定區域的波長範圍的光，因此一部分被塗覆於倒裝晶片10凸點15之助焊劑所吸收。
例如，假設第二照明光之光強度為100，則隨 著一部分的光被塗覆於倒裝晶片10凸點15的助焊劑所吸收，是則從倒裝晶片10凸點15反射的光強度會降至100以下。
相反的，在倒裝晶片10之凸點15未塗覆助焊劑的情況下，從倒裝晶片10凸點15反射的光將會保持原來的100。因此，可以從拍攝的影像或圖像中將光強度值相對低的區域識別為凸點15區域。
接下來，可以執行設定檢查基準光強度值之步驟(S830)。在此，檢查基準光強度值Th為用以判斷倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態是否良好的基準值，在本發明之實施例中，雖然舉例說明了在識別凸點15區域步驟(S820)之後執行的情形，但是也可以在其之前執行，並且只要構成為在下述之對拾取的光強度值LI與檢查基準光強度值Th進行比較的步驟(S850)前執行，則其順序不限於此。
例如，可以執行對應於識別出之凸點15區域而拾取倒裝晶片10之凸點15的平均光強度值LI之步驟(S840)。如上所述，凸點15的光強度值LI可以藉由讀取，對將第二照明光向凸點15照射而反射之反射光進行拍攝，而得到之影像或圖像來拾取，且照明部之第二照明光可以從具有塗覆於倒裝晶片10之凸點15的助焊劑能夠容易吸收之特定區域之波長範圍的光源照射。
如上所述，第二照明光可以藉由具有助焊劑能 夠容易吸收之特定區域之波長範圍的光源，而照射到倒裝晶片10之凸點15，並且可以拾取從位於識別出凸點15區域內之凸點15反射之反射光的平均光強度值LI(S840)，而且執行對拾取之光強度值LI與檢查基準光強度值Th進行比較的步驟(S850)。
此時，若被讀取為檢查基準光強度值Th大於從凸點15所拾取之平均光強度值LI，則可以判斷為助焊劑的塗覆狀態良好(S860)，相反的，若被讀取為檢查基準光強度值Th小於從凸點15所拾取之平均光強度值LI，則可以判斷為助焊劑的塗覆狀態不良(S870)。
在此，在被讀取為檢查基準光強度值Th大於從凸點15拾取的平均光強度值LI的情況下，說明助焊劑被良好地塗覆於凸點15，從而吸收了第二照明光中的一部分，據此，可以判斷為助焊劑的塗覆狀態良好。
相反地，當被讀取為預先設定而輸入的基準光強度值Th小於從凸點15拾取的平均光強度值LI時，顯示助焊劑未良好地塗覆於凸點15，而第二照明光係直接被反射，據此，可以判斷為助焊劑的塗覆狀態不良。
因此，根據本發明之實施例的倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態檢查方法可以在上述的檢查基準光強度值Th設定步驟(S830)中自動設定檢查基準光強度值Th。
具體而言，若從第一倒裝晶片組100與第二倒 裝晶片組200的凸點15拾取的光強度值LI呈常態分佈，根據本發明的實施例的倒裝晶片10的助焊劑塗覆狀態檢查方法，可以利用第一倒裝晶片組100與第二倒裝晶片組200各別常態分佈所具有的平均值與標準偏差，自動設定檢查基準光強度值Th。
在此，第一倒裝晶片組100表示對凸點15表面塗覆助焊劑之前狀態的倒裝晶片10組，第二倒裝晶片組200表示藉由將形成有凸點15的倒裝晶片10的一面浸漬於收容有助焊劑的盛盤，而在凸點15表面塗覆有助焊劑狀態的倒裝晶片10組。
第5圖是依流程顯示根據本發明之實施例的自動設定檢查基準光強度值Th方法的程序圖。
參照第5圖，根據本發明之實施例的倒裝晶片10助焊劑塗覆狀態檢查方法，為了自動設定檢查基準光強度值Th，可以包括如下步驟：從第一倒裝晶片組100拾取光強度值LI而儲存為第一數據110(0)；以及從第二倒裝晶片組200拾取的光強度值LI而儲存為第二數據210(S8330)。
從所述第一倒裝晶片組100及第二倒裝晶片組200分別儲存相當於光強度值LI的第一數據110及第二數據210的步驟(S8310、S8330)中，可以從第一倒裝晶片組100及第二倒裝晶片組200各別包括的多數倒裝晶片10反覆執行，進而，可以儲存包括針對多數倒裝晶片10的多數個光 強度值LI的第一數據110及第二數據210。
首先，可以執行在具有塗覆於倒裝晶片10凸點15之助焊劑能夠容易吸收的特定區域之波長範圍內藉由照明部調節所照射照明光之光強度值的步驟(S8311)。
並且，可以執行以下步驟：讀取對照明部對第一倒裝晶片組100之凸點15照射照明光而反射的光進行拍攝而得到之影像或圖像，從而拾取光強度值LI的步驟(S8312)；以及將拾取出之光強度值LI儲存為第一數據110的步驟(S8313)。
針對未塗覆助焊劑之第一倒裝晶片組100，在儲存第一數據110之後，可以對第一倒裝晶片組100執行浸漬助焊劑之步驟(S8320)。如上所述，浸漬助焊劑之步驟表示：藉由將倒裝晶片10之一面浸漬於收容有助焊劑之盛盤，從而對形成於倒裝晶片10一面之凸點15表面塗覆助焊劑之步驟。
若第一倒裝晶片組100經過浸漬助焊劑步驟，則形成在凸點15塗覆有助焊劑之狀態的第二倒裝晶片組200。相同地，可以執行針對第二倒裝晶片組200之在具有塗覆於倒裝晶片10的凸點15的助焊劑能夠容易被吸收的特定區域之波長範圍內藉由照明部，調節照明光之光強度值之步驟(S8331)。在此，藉由照明部對第一倒裝晶片組100與第二倒裝晶片組200照射之照明光的光強度值可以相同。
接下來，與第一倒裝晶片組100相同，可以執行以下步驟：讀取照明部對第二倒裝晶片組200之凸點15照射照明光而反射的光，進行拍攝而得到之影像或圖像，從而拾取光強度值LI之步驟(S8332)；以及將拾取出之光強度值LI儲存為第二數據210之步驟(S8333)。
如上所述地儲存之第一數據110與第二數據210呈常態分佈，可以執行從第一數據110及第二數據210各別的常態分佈並求得平均值與標準偏差之步驟(S8340)。
在此，可以執行判斷第一數據110之常態分佈與第二數據210之常態分佈所包含的光強度值LI之範圍是否重疊的步驟(S8350)，並根據第一數據110與第二數據210之常態分佈範圍是否重疊而分別應用自動設定檢查基準光強度值Th的方法。
如果為第一數據110之常態分佈與第二數據210之常態分佈所包含的光強度值LI之範圍不重疊的情況，則執行將檢查基準光強度值Th設定為第二數據210之平均值加上第二數據210之標準偏差而得到的值之步驟(S8360)。
第6圖是顯示根據本發明之實施例的第一數據110之常態分佈與第二數據210之常態分佈所包含之光強度值LI之範圍不重疊的情況之圖表。
如第6圖所示，在第一數據110之常態分佈與 第二數據210之常態分佈所包含之光強度值LI之範圍不重疊的情況下，例如如果根據第二數據210之常態分佈所具有的平均光強度值LI為100，標準偏差為20，則可以將檢查基準光強度值Th自動設定為作為第二數據210之平均值光強度值LI的100加上作為第二數據210之標準偏差的20而得到的值120。
相反，在第一數據110之常態分佈與第二數據210之常態分佈所包含的光強度值LI之範圍重疊的情況下，則可以執行將檢查基準光強度值Th設定為第一數據110之平均光強度值LI減去第一數據110之標準偏差而得到的值與第二數據210之平均光強度值LI加上第二數據210之標準偏差而得到的值之中間值的步驟(S8370)。
第7圖是顯示根據本發明之實施例第一數據110之常態分佈與第二數據210之常態分佈所包含的光強度值LI之範圍重疊的情形之圖表。
如第7圖所示，在第一數據110之常態分佈與第二數據210之常態分佈所包含的光強度值LI之範圍重疊的情況下，例如根據第一數據110之常態分佈具有的平均光強度值LI為140，標準偏差為40，根據第二數據210之常態分佈具有的平均光強度值LI可以為80，標準偏差為40。
這種情況下，可以將檢查基準光強度值Th自動設定為作為第一數據110之平均光強度值LI 140減去作為 第一數據110之標準偏差40而得到的值100與作為第二數據210的平均光強度值LI 80加上作為第二數據210的標準偏差40而得到的值120之中間值，即作為100與120之中間值之110。
如上所述，再次參照第4圖，第二照明光藉由具有助焊劑能夠容易吸收的特定區域之波長範圍的光源而照射到倒裝晶片10的凸點15，可以拾取藉由位於識別出之凸點15區域內之凸點15反射的反射光之平均光強度值LI(S840)，而且執行對拾取之光強度值LI與檢查基準光強度值Th進行比較之步驟(S850)。
此時，若被讀取為檢查基準光強度值Th大於從凸點15拾取之平均光強度值LI，則可以判斷為助焊劑之塗覆狀態良好(S860)，相反，如果被讀取為檢查基準光強度值Th小於從凸點15拾取之平均光強度值LI，則可以判斷為助焊劑之塗覆狀態不良(S870)。
若藉由如上所述之檢查方法對倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態檢查結果判斷為助焊劑塗覆狀態良好，則將倒裝晶片10移送到後續步驟，相反，若判斷為助焊劑塗覆狀態不良，則重新執行針對倒裝晶片10之助焊步驟，從而能夠消除大量生產出不良之電子元件的問題。
並且，藉由自動設定檢查基準光強度值Th能夠提高作業效率，並且能夠有效地判斷倒裝晶片10之助焊劑 塗覆狀態是否良好。
第8圖是依流程顯示根據本發明之另一實施例之倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態檢查方法的程序圖。
根據本發明另一實施例倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態檢查方法可以將塗覆有助焊劑之檢查物件倒裝晶片10之整個區域分為倒裝晶片10塗覆狀態良好的區域與不良的區域，若塗覆狀態不良之區域為預定區域以上，則判斷為檢查物件倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態不良，若塗覆狀態不良的區域少於預定區域，則可以判斷為檢查物件倒裝晶片10之塗覆狀態良好。
參照第8圖，具有助焊劑能夠容易吸收的特定區域的波長範圍之第二照明光利用照明部照射到倒裝晶片10之凸點15，並且如果在該狀態下相機拍攝到從凸點15反射之第二照明光的反射光，則可以獲取拍攝之影像或圖像(S810)。
接下來，可以執行識別凸點15區域之步驟(S820)。如上所述，可以從拍攝之影像或圖像中將光強度值相對低的區域識別為凸點15區域(S820)。
並且，可以執行對應於識別出之凸點15區域拾取倒裝晶片10之各個凸點15之光強度值LI之步驟(S831)。同上所述，凸點15之光強度值LI可以藉由讀取對將第二照明光朝凸點15照射而反射之反射光進行拍攝而得到的影像 或圖像來拾取，且照明部之第二照明光可以從具有塗覆於倒裝晶片10之凸點15之助焊劑能夠容易吸收的特定區域之波長範圍的光源照射。
如上所述，第二照明光照射到倒裝晶片10之凸點15，拾取藉由位於識別出之凸點15區域內之各個凸點15之位置反射的反射光之各個光強度值LI(S831)，之後可以計算所述各個凸點15之光強度值LI的平均光強度值LI(S841)。在此，所述平均光強度值LI成為檢查基準光強度值Th。
在此，在各個凸點15之位置拾取被反射的反射光之各個光強度值LI之區域可以是凸點15球(ball)之整個區域，也可以是位於凸點15球之中心部的一部分區域。
接下來，執行對檢查基準光強度值Th與在各個凸點15之位置被反射的反射光之各個光強度值LI進行比較之步驟(S851)。
此時，若被讀取為檢查基準光強度值Th大於從各個凸點15的位置拾取之各個光強度值LI，則可以判斷為助焊劑之塗覆狀態良好的區域(S871)，相反，若被讀取為檢查基準光強度值Th小於從各個凸點15之位置拾取的各個光強度值LI，則可以判斷為助焊劑之塗覆狀態不良的區域(S861)。
最終，若助焊劑之塗覆狀態不良的區域(讀取 為檢查基準光強度值Th小於各個光強度值LI之情況)為預定量以上，則可以判斷為檢查物件倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態不良(S880)，若塗覆狀態不良的區域少於預定區域，則可以判斷為檢查物件倒裝晶片10之塗覆狀態良好(S890)。
並且，若助焊劑之塗覆狀態良好的區域(讀取為檢查基準光強度值Th大於各個光強度值LI之情況)為預定量以下，則可以判斷為檢查物件倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態不良(S880)，若塗覆狀態良好的區域超過預定區域，則可以判斷為檢查物件倒裝晶片10之塗覆狀態良好(S890)。
根據如上所述本發明另一實施例倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態檢查方法，藉由每當更換檢查物件倒裝晶片10時對在各個凸點15的位置之光強度值LI與整個凸點15之平均光強度值LI進行比較，從而能夠判斷倒裝晶片10之助焊劑塗覆狀態是否良好，並且能夠解決隨著凸點15之形狀、材料及照明亮度等外部環境變化而造成識別參數之可靠性下降的問題。
在本發明所屬技術領域中，具有基本知識者皆可理解，本發明在不改變其技術思想或必要特徵之情況下，可實施為其他具體之形態。因此，必需要理解上述之實施例在所有方面皆為例示性的，而非限定性的。本發明 的專利範圍乃根據申請專利範圍而表現，並不受限於上述之詳細的說明，而且從申請專利範圍中的意思及範圍，還有其等同的概念所導出的所有變更或改變，均應解釋為被包括在本發明的範圍內。
雖然本發明對所述較佳具體實施例進行了說明，但是在不脫離發明的主旨與範圍的情況下能夠進行多種修改或變更。因此，只要是屬於本發明主旨的修改或變更就被包含於所附申請專利範圍內。
10‧‧‧倒裝晶片
15‧‧‧凸點

Claims (13)

  1. 一種倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，包括以下步驟：對形成於在倒裝晶片未塗覆助焊劑之第一倒裝晶片組的所述倒裝晶片之一面的凸點照射照明光，進而將所述凸點之光強度值儲存為第一數據；藉由將所述一面浸漬於收容助焊劑之盛盤，從而對所述倒裝晶片塗覆所述助焊劑；對在所述倒裝晶片塗覆有所述助焊劑之第二倒裝晶片組之所述倒裝晶片之所述凸點照射照明光，進而將所述凸點之光強度值儲存為第二數據；從所述第一數據及所述第二數據各別之常態分佈求得所述第一數據及所述第二數據各別之平均光強度值與標準偏差；以及利用所述平均光強度值與所述標準偏差自動設定用以檢查在所述倒裝晶片之所述凸點塗覆所述助焊劑的狀態之檢查基準光強度值，其中，在所述第一數據之常態分佈與所述第二數據之常態分佈的所述光強度值範圍不重疊之情況下，將所述檢查基準光強度值設定為所述第二數據之平均光強度值加上所述第二數據之標準偏差而得到的值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，在所述第一數據之常態分佈與所述第二數據之常態分佈的所述光強度值範圍重疊之情況下，將所述檢查基準光強度值設定為，從所述第一數據之平均光強度值減去所述第一數據之標準偏差而得到的值與在所述第二數據之平均光強度值加上所述第二數據之標準偏差而得到的值之中間值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，還包括以下步驟：對塗覆有所述助焊劑之檢查物件倒裝晶片之凸點照射所述照明光，進而拾取光強度值，比較拾取出之所述光強度值與自動設定之所述檢查基準光強度值，進而判斷針對所述倒裝晶片之所述凸點之所述助焊劑塗覆狀態是否良好。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，在拾取所述檢查物件倒裝晶片之光強度值之步驟之前，還包括以下步驟：拍攝所述檢查物件倒裝晶片之凸點位置；藉由所述拍攝步驟識別所述凸點；以及若成功識別所述凸點，則進行位置校正而使所述檢查物件倒裝晶片對齊到預設之位置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆 狀態檢查方法，還包括以下步驟：如果未能正常識別所述凸點，則發生錯誤。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，拍攝所述凸點位置的步驟還包括以下步驟：照射用以照亮所述檢查物件倒裝晶片之凸點位置周圍之第一照明光。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中若所述檢查基準光強度值大於拾取出之所述光強度值，則判斷為針對所述倒裝晶片之所述凸點之所述助焊劑塗覆狀態良好。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，若所述檢查基準光強度值小於拾取出之所述光強度值，則判斷為針對所述倒裝晶片之所述凸點之所述助焊劑塗覆狀態不良。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，為了拾取所述第一數據與所述第二數據之光強度值而照射之照明光是所述照明光之光強度值在具有塗覆於所述倒裝晶片之所述凸點之所述助焊劑能夠容易吸收之特定區域的波長範圍之範圍內得到調節之第二照明光。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆 狀態檢查方法，其中，所述第一數據及所述第二數據包括針對所述第一倒裝晶片組及所述第二倒裝晶片組所包含之多個倒裝晶片進行測定之多個光強度值。
  11. 一種倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，包括以下步驟：拍攝塗覆有助焊劑之檢查物件倒裝晶片之凸點位置；藉由所述拍攝步驟識別所述凸點；拾取各個所述凸點之光強度值；計算各個所述凸點之光強度值之平均光強度值，並將所述平均光強度值設定為檢查基準光強度值；比較各個所述凸點光強度值與所述檢查基準光強度值；若所述檢查基準光強度值小於各個所述凸點光強度值，則判斷為所述倒裝晶片之凸點助焊劑塗覆狀態不良之區域；以及若所述不良區域為預定量以上，則判斷為所述檢查物件倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態不良，若所述不良區域少於預定量，則判斷為所述檢查物件倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態良好。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，拾取之各個所述凸點之光強度 值的區域是各個所述凸點球之整個區域。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之倒裝晶片之助焊劑塗覆狀態檢查方法，其中，拾取各個所述凸點之光強度值的區域是各個所述凸點球之中心部之一部分區域。
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