KR102127138B1 - 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 관한 것으로서, 플립 칩의 범프에 플럭스를 도포하는 단계; 상기 플립 칩의 범프들 위치를 인식하고, 인식된 위치를 보정하는 단계; 상기 플럭스에 대한 흡수율이 높은 특정 영역의 파장대를 갖는 조명광을, 상기 플립 칩의 범프들을 향하여 조사하는 단계; 상기 조명광에 의해 상기 범프들로부터 반사되는 반사광을 촬상하여 영상 또는 이미지를 획득하는 단계; 및 상기 획득된 영상 또는 이미지를 판독하여 상기 플립 칩의 범프에 대한 플럭스의 도포 상태를 검사하는 단계를 포함한다.

Description

플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법{Method for coating state check of flux}

본 발명은 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광을 조사하여 반사되는 반사광의 광도 차이를 통해 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하는 방법에 관한 것이다.

최근에는, 전자통신 기술의 발달로 각종 전자기기는 더욱 소형화, 경량화되고 있다. 이에 따라 각종 전자기기에 내장되는 반도체 칩과 같은 전자부품은 고집적화, 초소형화가 필수적이다.

따라서, 고밀도, 초소형의 표면실장부품(SMD : Surface Mount Device)을 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board, 이하 '기판'이라 함)에 실장하는 표면실장기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.

이러한 표면실장기술로서, 종래의 와이어 본딩 기술을 대신하여 반도체 칩인 다이의 전극과 기판을 범프(Bump)로 연결하는 플립 칩(Flip Chip) 공정이 있다.

플립 칩은 전기적 장치나 반도체 칩들을 페이스다운(Face-down) 형태로 기판의 실장 패드에 직접 장착할 수 있는 디바이스를 일컫는다.

플립 칩을 기판에 장착할 때, 전기적인 연결은 칩의 표면에 생성된 전도성 범프를 통해 이루어지며, 칩을 기판에 장착할 때 칩이 뒤집어진 상태로 장착되므로 여기에 기인하여 플립 칩이라 일컫는다.

플립 칩은, 와이어 본드가 필요하지 않기 때문에, 일반적인 와이어 본딩 공정을 거치는 칩에 비하여 사이즈가 훨씬 작다. 또한 와이어 본드의 칩과 기판의 연결이 와이어 본딩에서는 한번에 하나씩 붙이는 반면에, 플립 칩에서는 동시에 수행할 수 있어, 플립 칩은 와이어 본드의 칩 보다 비용이 절감되고, 연결되는 길이가 와이어 본딩보다 짧기 때문에 성능도 향상된다.

이러한 플립 칩 공정에 의하여, 플립 칩을 기판에 실장하는 공정을 간략히 설명하면 다음과 같다.

먼저,웨이퍼로부터 칩을 분리하여 떼어낸 후, 칩을 플립(Flip)하여, 상하면 위치를 반전시키는 범핑(Bumping) 공정을 수행한다.

그리고, 반전된 칩을 마운터의 헤드가 흡착하여 정해진 위치로 이동시키고, 필요 시에 범프가 포함된 면에 열을 가하는 리플로우(Reflow) 공정을 수행한다.

이 때, 기판과 칩의 접합 성능을 향상시키기 위하여 칩의 범프에 플럭스(Flux)를 전사시키는 플럭싱(Fluxing) 공정을 수행한다.

다음에, 기판의 칩이 실장될 정해진 위치인 패드를 카메라 비젼으로 인식하여 범프의 위치를 인식하고, 패드에 범프를 닿게 하여 칩을 마운팅(Mounting) 하는 공정을 수행한다.

마지막으로, 리플로우를 통해 열을 가하여 기판과 칩을 접합시키고, 에폭시를 도포하는 언더필링(Under filling) 및 열 등으로 경화시키는 커링(Curing)을 통해 칩을 보호한다.

이와 같은 플립 칩 공정에서, 칩의 범프에 플럭스를 전사하는 플럭싱 공정 중, 칩의 범프에 플럭스가 제대로 도포되지 않는 경우가 발생될 수 있는데, 이의 경우 기판에 대한 칩의 접합이 제대로 이루어지지 않게 될 우려가 크며, 이에 따라 불량의 전자부품이 생산되는 문제를 야기할 수 있다.

이에, 종래에는 칩의 범프에 플럭스가 제대로 도포되었는지를 검사하기 위한 다양한 방법이 제시되고 있다.

예를 들어, 칩을 플럭스가 담긴 용기에 디핑(Deeping)한 직후에, 용기 내 플럭스의 범프 흔적을 카메라로 촬영하여 플럭스의 도포 유무를 검사하는 방법이 있는데, 이러한 방법은 플럭스가 액체로 이루어짐에 따라 그 흔적이 순식간에 없어지게 됨으로써, 칩의 범프에 대한 플럭스의 도포 여부를 용이하게 검사하기 어려운 문제점이 있었다.

또한, 플럭스에 식별 가능한 다른 첨가물을 넣어 인식이 용이하도록 한 기술도 있으나, 이의 경우 플럭스 특성 변화에 대한 우려가 있었다.

또, 칩의 범프에 플럭스가 도포된 상태를 카메라로 촬영하여 획득한 영상이나 이미지 등을 통해 칩의 범프에 대한 플럭스의 도포 여부를 검사하는 방법도 제시되었으나, 이의 경우에는 플럭스가 무색 액체여서 칩의 범프에 도포된 상태를 정확히 파악하기 위해서는 고가의 렌즈를 갖춘 카메라를 적용하여야 함으로써, 비용적인 부담이 발생되는 문제점도 있었다.

한국등록특허 제10-1377444호 일본공개특허 제2008-041758호

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점에 착안하여 안출된 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광을 플럭스가 도포된 플립 칩의 범프로 조사함으로써, 플럭스가 도포된 범프와 플럭스가 도포되지 않은 범프로부터 반사되는 광들의 광도 차이를 비교 판단함에 따라 플럭스의 도포 여부를 보다 용이하게 검사할 수 있는 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 플럭스가 디핑된 플립 칩의 위치 보정 결과와 노즐의 크기 정보를 이용하여 플럭스 도포 상태 판단을 위한 탐색 영역을 재설정함으로써, 범프의 크기나 노즐의 크기 및 형태에 따라 플럭스의 도포 상태 검사 결과가 다르게 나타나는 것을 예방할 수 있는 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법은, 플립 칩의 범프에 플럭스를 도포하는 단계; 상기 플립 칩의 범프들 위치를 인식하고, 인식된 위치를 보정하는 단계; 상기 플럭스에 대한 흡수율이 높은 특정 영역의 파장대를 갖는 조명광을 상기 플립 칩의 범프들을 향하여 조사하는 단계; 상기 조명광에 의해 상기 범프들로부터 반사되는 반사광을 촬상하여 영상 또는 이미지를 획득하는 단계; 및 상기 획득된 영상 또는 이미지를 판독하여 상기 플립 칩의 범프에 대한 플럭스의 도포 상태를 검사하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 특정 영역의 파장대는, 파장의 변화에 따라 상기 플럭스에 대한 흡수율이 나타내는 복수의 피크들 중 하나의 피크가 갖는 파장대인 것이 바람직하다.

여기서, 상기 플립 칩의 범프들 중, 탐색 영역을 설정하고, 상기 탐색 영역 내에 위치하는 범프들로부터 반사되는 반사광들에 대한 영상 또는 이미지를 획득하는 것이 바람직하다.

이 경우, 상기 탐색 영역 설정은, 상기 범프들의 위치가 보정된 정보와, 상기 플립 칩을 흡착하는 노즐의 크기 정보에 의해 이루어질 수 있다.

또한, 상기 탐색 영역 내에 위치하는 범프들의 평균 광도값을 추출하고, 상기 추출된 평균 광도값과 미리 설정되어 입력된 기준 광도값을 비교하여 플립 칩의 범프들에 대한 플럭스 도포 상태의 양호 또는 불량을 판단하는 단계를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 상기 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 크면, 상기 플립 칩의 범프들에 대한 플럭스 도포 상태가 양호한 것으로 판단하고, 상기 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 상기 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 작으면, 상기 플립 칩의 범프들에 대한 플럭스 도포 상태가 불량인 것으로 판단할 수 있다.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 의하면, 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광이 플럭스가 도포된 플립 칩의 범프로 조사됨으로써, 플럭스가 도포된 범프와 플럭스가 도포되지 않은 범프로부터 반사되는 광들의 광도 차이의 비교 판단에 따라 플럭스의 도포 여부를 보다 용이하게 검사할 수 있는 효과가 제공될 수 있다.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 의하면, 플럭스가 도포된 플립 칩의 위치 보정 결과와 노즐의 크기 정보를 이용하여 플럭스 도포 상태 판단을 위한 탐색 영역을 재설정할 수 있게 됨으로써, 범프의 크기나 노즐의 크기 및 형태에 따라 플럭스의 도포 상태 검사 결과가 다르게 나타나는 것이 예방되어 보다 정확한 플럭스의 도포 상태 검사가 이루어지는 효과도 제공될 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따라 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하기 위한 방법을 포함하는 표면실장공정을 순차적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도.
도 3은 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하여 도포 상태를 판단하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도.
도 4는 노즐이 플립 칩을 흡착한 상태에서 플럭싱 공정을 수행하는 관계를 개략적으로 도시한 구성도.
도 5a 및 도 5b는 도 4에서 노즐의 면적 내에 위치하는 범프들과, 노즐의 면적 외에 위치하는 범프들의 플럭싱에 따른 형상을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 광의 파장대 영역을 확인하기 위하여 플럭스의 흡수 스펙트럼 측정 결과를 표로 나타낸 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 의한 판정 결과를 도시한 도면.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 개략도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 본 발명에 도시된 각 도면에 있어서 각 구성 요소들은 설명의 편의를 고려하여 다소 확대 또는 축소되어 도시된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

이하, 본 발명에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 대한 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따라 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하기 위한 방법을 포함하는 표면실장공정을 순차적으로 도시한 도면이다.

도시된 바와 같이, 표면실장공정은 노즐을 포함하는 헤드에 의하여 다이 셔틀 패드에 안착된 플립 칩을 픽업(Pick-up)하는 공정과. 픽 업된 플립 칩의 범프 표면에 플럭스(flux)를 도포하기 위한 플럭싱 공정을 포함한다.

플럭싱 공정에 의하여 플립 칩의 범프 표면에 플럭스가 도포되면, 플립 칩의 위치 보정이 이루어진 후, 기판에 대하여 플립 칩이 접합되어 실장이 이루어지게 된다.

이 때, 플립 칩의 범프 표면에 도포된 플럭스는 기판에 대하여 플립 칩이 접합되도록 하는 기능을 수행하게 된다.

따라서, 플럭싱 공정에 따라 플립 칩의 범프들에 플럭스의 도포가 제대로 이루어지지 않게 되면, 기판에 플립 칩이 접합되지 않게 되어 결국 불량의 전자부품이 생산될 수 있다.

본 발명은 이와 같은 불량의 전자부품이 생산되는 문제를 해소하기 위하여 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법을 제시한다.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이고, 도 3은 플립 칩의 플럭스 도포 상태를 검사하여 도포 상태를 판단하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법은, 일면에 복수의 범프들이 형성된 플립 칩을 다이 셔틀 패드로부터 픽업 하는 단계(S10)와, 픽업된 플립 칩의 범프들에 플럭스를 디핑(Deeping)함으로써, 범프들 표면에 플럭스가 도포되도록 하는 단계(S20)를 포함할 수 있다.

또한, 플럭스가 도포된 범프들을 향하여 조명부가 제1 조명광을 조사한 상태에서 카메라를 이용하여 범프들의 위치를 촬상하는 단계(S30)를 포함하며, 이러한 촬상 단계를 통하여 범프를 인식(S40)하는 단계를 포함할 수 있다.

범프들의 영상을 촬상하여 범프를 인식할 때, 인식이 제대로 이루어지지 않으면 에러(S50)가 발생되도록 하고, 범프가 성공적으로 인식되면 미리 설정된 위치로 플립 칩이 얼라인 되도록 하여 위치가 보정되는 단계(S60)를 포함할 수 있다.

또한, 플립 칩 즉, 범프들의 위치 보정이 이루어진 후에, 상기 조명부는 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 제2 조명광을 범프들로 조사하고, 이 상태에서 카메라는 제2 조명광이 범프들에 의해 반사되는 반사광을 촬상하는 단계(S70)와, 촬상된 반사광들의 광도 차이를 통하여 범프들에 대한 플럭스의 도포 상태를 검사하는 단계(S80)를 포함할 수 있다.

여기서, 조명부에 의한 제1 조명광은 플립 칩의 범프를 인식하기 위하여 카메라가 촬상할 때 주변 밝기를 밝히기 위한 광일 수 있고, 제2 조명광은 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광일 수 있는데, 제2 조명광에 대한 상세한 설명은 후에 상세히 설명하기로 한다.

이러한 제2 조명광에 의한 반사광을 촬상함에 따라 획득된 영상 또는 이미지는 도시되지 않은 비전부에 의해 판독되어 플럭스의 도포 상태가 검사될 수 있는데, 이의 구체적인 검사 방법을 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

조명부에 의하여 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 제2 조명광이 플립 칩의 범프들로 조사되고, 이 상태에서 카메라가 범프들에 의해 반사되는 제2 조명광의 반사광을 촬상하게 되면, 촬상된 영상 또는 이미지가 획득(S810)될 수 있다.

다음에, 획득된 영상 또는 이미지를 기초로 하여 플럭스 도포 상태를 검사하기 위한 탐색 영역을 설정하는 단계(S820)를 수행한다.

도 4는 노즐이 플립 칩을 흡착한 상태에서 플럭싱 공정을 수행하는 관계를 개략적으로 도시한 구성도로서, 플립 칩(116)의 전체 단면적에 비하여 노즐(110)의 단면적은 상대적으로 작은 것임을 알 수 있다.

따라서, 노즐(110)이 플립 칩(116)을 흡착한 상태에서 플럭스 플레이트에 접촉하게 되면, 노즐의 면적 내에 위치하는 범프들은 플럭스 플레이트에 대한 압착에 의해 도 5a에 도시된 바와 같이 범프의 선단이 플랫(Flat)한 형상(120)으로 변형되고, 노즐(110)의 면적 외에 위치하는 범프(118)들은 플럭스 플레이트에 대한 압착이 이루어지지 않음에 따라 도 5b에 도시된 바와 같이 범프가 원래 형상인 구슬 형태를 그대로 유지할 수 있게 된다.

즉, 노즐(110)의 면적 내에 위치하는 범프들은 상대적으로 플럭스 도포가 제대로 이루어질 수 있는 반면, 노즐(110)의 면적 외에 위치하는 범프들은 상대적으로 플럭스 도포가 제대로 이루어지지 않을 가능성이 있게 된다.

따라서, 탐색 영역을 설정하는 단계(S820)에서는, 노즐(110)의 크기 정보와 플립 칩(116)의 위치가 보정된 정보를 입력(S830)하여 탐색 영역이 설정되도록 하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 노즐(110)의 크기는 일정하지 않고 다양한 크기의 노즐이 적용될 수 있으므로, 범프(118)들의 플럭스 도포 상태를 검사하기 위한 공정에서는 노즐(110)의 크기 정보와 함께 플립 칩(116)의 위치가 보정된 정보의 입력(S830)에 따라 탐색 영역의 설정이 달라질 수 있다.

이와 같이, 범프들에 대한 플럭스의 도포 상태 검사를 위한 탐색 영역이 설정(S820)되면, 미리 설정된 기준 광도값을 입력하는 단계(S840)를 수행할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에서는, 미리 설정된 기준 광도값의 입력 단계(S840)가 탐색 영역 설정 단계(S820) 이후에 이루어지는 것을 일 예로 들어 설명하였으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며 후술되는 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 추출 단계(S850) 이전이라면 어느 단계에서 수행되어도 무방하다.

한편, 탐색 영역 설정 단계(S820) 이후에는, 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값을 추출하는 단계(S850)를 수행할 수 있다.

이러한 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값을 추출하는 단계(S850)는, 앞서 설명한 바와 같이 제2 조명광을 범프들로 조사하여 반사되는 반사광을 촬상한 영상 또는 이미지를 판독하여 추출할 수 있다.

조명부의 제2 조명광은 플립 칩의 범프들에 도포되는 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광원들로부터 조사될 수 있다.

도 6은 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 광의 파장대 영역을 확인하기 위하여 본 발명 출원인이 플럭스의 흡수 스펙트럼 측정 결과를 표로 나타낸 도면으로서, 도 6에 도시된 바와 같이, 플럭스는 300nm 영역의 파장대에서 그 파장대가 점차적으로 높아질수록 광의 흡수량이 증가함을 알 수 있었으며, 특히 첫 번째 피크가 위치하는 420nm 내외의 파장대에서 광을 가장 많이 흡수함을 알 수 있었다.

또한, 420nm 내외의 파장대에서 그 파장대가 점차적으로 높아질수록 광의 흡수량이 줄어들다가 다시 두 번째 피크가 위치하는 465nm 내외의 파장대에서 광을 상대적으로 많이 흡수함을 알 수 있었다.

따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에서는, 400nm~500nm 영역의 파장대를 갖는 광원들에 의하여 제2 조명광이 조사될 수 있다.

참고로, 상기한 영역의 파장대 외에 다른 파장대를 갖는 광원을 이용하되, 편광 필름 등을 배치하여 상기한 영역의 파장대(400nm~500nm)로 광이 조사되도록 할 수도 있음은 물론이다.

이와 같이, 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광원들에 의하여 제2 조명광이 플립 칩의 범프들로 조사되고, 탐색 영역 내의 각 개별 범프들에 의해 반사되는 반사광들의 각 광도는 평균값으로 추출(S850)이 가능하게 되며, 추출된 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값은 미리 설정되어 입력된 기준 광도값과 비교가 이루어지는 단계(S860)를 수행하게 된다.

이 때, 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 더 큰 값으로 판독되면, 플럭스의 도포 상태가 양호한 것으로 판정(S870)될 수 있으며, 반대로 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 더 작은 값으로 판독되면, 플럭스의 도포 상태가 불량인 것으로 판정(S880)될 수 있다.

앞서 설명한 바와 같이, 제2 조명광은 플럭스가 가장 잘 흡수할 수 있는 특정 영역의 파장대를 갖는 광이므로, 플립 칩의 범프들에 도포된 플럭스에 의해 일부 흡수가 이루어지게 된다.

예를 들어, 제2 조명광의 광도가 100이라고 가정할 경우, 플립 칩의 범프에 도포된 플럭스에 의해 일부의 광이 흡수됨에 따라 플립 칩의 범프에 의해 반사되는 광의 크기는 100 이하로 줄어들게 된다.

반면에, 플립 칩의 범프에 플럭스가 도포되지 않은 경우에는, 플립 칩의 범프에 의해 반사되는 광의 크기는 그대로 100을 유지하게 된다.

따라서, 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 더 큰 값으로 판독되는 경우는, 탐색 영역 내 개별 범프들에 플럭스가 제대로 도포됨에 따라 제2 조명광의 일부를 흡수한 것이므로, 플럭스의 도포 상태가 양호한 것으로 판정할 수 있는 것이다.

반대로, 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 더 작은 값으로 판독되는 경우는, 탐색 영역 내 개별 범프들에 플럭스가 제대로 도포되지 않음에 따라 제2 조명광이 그대로 반사된 것이므로, 플럭스의 도포 상태가 불량인 것으로 판정할 수 있는 것이다.

도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법에 의하여 비전부에 의해 디스플레이되는 판정 결과를 도시한 도면으로서, 도 7은 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도 값이 미리 설정되어 입력된 광도값 보다 커서 플럭스가 제대로 도포되지 않은 경우(A-A'라인 광도 참고)를 나타낸 도면이고, 도 8은 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도 값이 미리 설정되어 입력된 광도값 보다 작아서 플럭스가 제대로 도포된 경우(B-B'라인의 광도)를 나타낸 도면이다.

이와 같은 검사 방법에 의하여 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 결과, 플럭스 도포 상태가 양호로 판정되면, 후 공정으로 플립 칩을 이송시키고, 반대로 플럭스 도포 상태가 불량으로 판정되면, 플립 칩에 대한 플럭싱 공정을 다시 수행하도록 함으로써, 불량의 전자부품이 다량으로 생산되는 문제점을 불식시킬 수 있게 된다.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법은, 플립 칩의 보정된 위치와 함께 노즐의 크기 정보에 따라 탐색 영역이 재설정됨으로써, 다양한 크기의 노즐에 따라 플립 칩의 범프에 대한 플럭스의 도포 상태를 검사하기 위한 탐색 영역이 달라지게 되므로, 보다 정확하게 플럭스의 도포 상태를 검사할 수 있게 된다.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

110 : 노즐 116 : 플립 칩
118 : 범프

Claims (6)

1. (a) 플립 칩의 범프에 플럭스를 도포하는 단계;
   (b) 상기 플립 칩의 범프를 인식하기 위하여 주변 밝기를 밝히기 위한 제1 조명광을 조사하는 단계;
   (c) 상기 플립 칩의 범프들 위치를 인식하고, 인식된 위치를 보정하는 단계;
   (d) 상기 플럭스에 대한 흡수율이 높은 특정 영역의 파장대를 갖는 제2 조명광을, 상기 플립 칩의 범프들을 향하여 조사하는 단계;
   (e) 상기 제2 조명광에 의해 상기 범프들로부터 반사되는 반사광을 촬상하여 영상 또는 이미지를 획득하는 단계; 및
   (f) 상기 획득된 영상 또는 이미지를 판독하여 상기 플립 칩의 범프에 대한 플럭스의 도포 상태를 검사하는 단계를 포함하며,
   상기 특정 영역의 파장대는, 파장의 변화에 따라 상기 플럭스에 대한 흡수율이 나타내는 복수의 피크들 중 하나의 피크가 갖는 파장대로서, 400nm~500nm 파장대에 속하고,
   상기 (e) 단계는, 상기 플립 칩의 범프들 중에서 탐색 영역을 설정하고, 상기 탐색 영역 내에 위치하는 범프들로부터 반사되는 반사광들에 대한 영상 또는 이미지를 획득하는 단계를 포함하되,
   상기 탐색 영역 설정은, 상기 범프들의 위치가 보정된 정보와, 상기 플립 칩을 흡착하는 노즐의 크기 정보에 의해 이루어지는, 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제 1항에 있어서,
   상기 탐색 영역 내에 위치하는 범프들의 평균 광도값을 추출하고, 상기 추출된 평균 광도값과 미리 설정되어 입력된 기준 광도값을 비교하여 플립 칩의 범프들에 대한 플럭스 도포 상태의 양호 또는 불량을 판단하는 단계를 포함하는, 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법.
5. 제 4항에 있어서,
   상기 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 상기 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 크면, 상기 플립 칩의 범프들에 대한 플럭스 도포 상태가 양호한 것으로 판단하는, 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법.
6. 제 4항에 있어서,
   상기 탐색 영역 내 개별 범프들의 평균 광도값 보다 상기 미리 설정되어 입력된 기준 광도값이 작으면, 상기 플립 칩의 범프들에 대한 플럭스 도포 상태가 불량인 것으로 판단하는, 플립 칩의 플럭스 도포 상태 검사 방법.

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