TWI752780B

TWI752780B - 寬波束之天線結構

Info

Publication number: TWI752780B
Application number: TW109147077A
Authority: TW
Inventors: 周耿弘
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2020-12-31
Filing date: 2020-12-31
Publication date: 2022-01-11
Also published as: US11721908B2; TW202228334A; JP2022105282A; US20220209416A1; JP7297043B2

Abstract

一種寬波束之天線結構，包括：一介質基板、一接地面、一第一輻射部、複數個第一導電貫通元件，以及一第一饋入連接部。介質基板具有相對之一第一表面和一第二表面。接地面係設置於介質基板之第二表面。第一輻射部係設置於介質基板之第一表面，其中一第一缺口形成於第一輻射部上。前述之第一導電貫通元件係穿透介質基板。前述之第一導電貫通元件係耦接於第一輻射部和接地面之間。第一饋入連接部係耦接至第一輻射部，其中第一饋入連接部係延伸進入第一輻射部之第一缺口內。

Description

寬波束之天線結構

本發明係關於一種天線結構(Antenna Structure)，特別係關於一種具有寬波束(Wide Beam Width)之天線結構。

隨著自動駕駛技術之演進，雷達已經成為智慧型車輛之標準配備，且其數量在未來將越來越多。

天線(Antenna)為雷達領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其波束寬度(Beam Width)不足，會導致角雷達可偵測視角下降，則需要更多雷達去涵蓋。因此，如何設計出具有較大波束寬度之天線元件，對天線設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本發明提出一種寬波束之天線結構，涵蓋一操作頻帶，並包括：一介質基板，具有相對之一第一表面和一第二表面；一接地面，設置於該介質基板之該第二表面；一第一輻射部，設置於該介質基板之該第一表面，其中一第一缺口形成於該第一輻射部上；複數個第一導電貫通元件，穿透該介質基板，其中該等第一導電貫通元件係耦接於該第一輻射部和該接地面之間；以及一第一饋入連接部，耦接至該第一輻射部，其中該第一饋入連接部係延伸進入該第一輻射部之該第一缺口內。

在一些實施例中，該操作頻帶係介於76GHz至81GHz之間。

在一些實施例中，該第一輻射部具有一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣，以及一第四邊緣，而該第一缺口係位於該第四邊緣處。

在一些實施例中，該第一輻射部之該第一缺口之長度係小於該操作頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，鄰近於該第一輻射部之該第一邊緣處之該等第一導電貫通元件之任二者之間距皆介於該操作頻帶之0.45倍至0.55倍波長之間。

在一些實施例中，鄰近於該第一輻射部之該第四邊緣處之該等第一導電貫通元件之任二者之間距皆小於該操作頻帶之0.4倍波長。

在一些實施例中，鄰近於該第一輻射部之該第三邊緣處之該等第一導電貫通元件之任二者之間距皆小於或等於該操作頻帶之0.152倍波長。

在一些實施例中，該第一饋入連接部之長度係介於該操作頻帶之0.9倍至1.1倍波長之間。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第二輻射部，設置於該介質基板之該第一表面，其中一第二缺口和一第三缺口皆形成於該第二輻射部上。

在一些實施例中，該天線結構更包括：複數個第二導電貫通元件，穿透該介質基板，其中該等第二導電貫通元件係耦接於該第二輻射部和該接地面之間。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一第二饋入連接部，耦接至該第二輻射部，其中該第二饋入連接部係延伸進入該第二輻射部之該第三缺口內。

在一些實施例中，該第一饋入連接部更耦接至該第二輻射部，而該第一饋入連接部更延伸進入該第二輻射部之該第二缺口內。

在一些實施例中，該第二輻射部具有一第五邊緣、一第六邊緣、一第七邊緣，以及一第八邊緣，該第二缺口係位於該第六邊緣處，而該第三缺口係位於該第八邊緣處。

在一些實施例中，該第二輻射部之該第二缺口和該第三缺口之每一者之長度皆小於該操作頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，鄰近於該第二輻射部之該第五邊緣處之該等第二導電貫通元件之任二者之間距皆介於該操作頻帶之0.45倍至0.55倍波長之間。

在一些實施例中，鄰近於該第二輻射部之該第六邊緣或第八邊緣處之該等第二導電貫通元件之任二者之間距皆小於該操作頻帶之0.4倍波長。

在一些實施例中，鄰近於該第二輻射部之該第七邊緣處之該等第二導電貫通元件之任二者之間距皆小於或等於該操作頻帶之0.152倍波長。

在一些實施例中，該第二饋入連接部之長度係介於該操作頻帶之0.9倍至1.1倍波長之間。

為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。

此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構(Antenna Structure)100之俯視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之剖面圖(依第1圖之一第一剖面線LC1)。第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之剖面圖(依第1圖之一第二剖面線LC2)。請一併參考第1、2、3圖。天線結構100可應用於雷達天線之領域，例如：汽車用雷達，但亦不僅限於此。在第1、2、3圖之實施例中，天線結構100包括：一介質基板(Dielectric Substrate)110、一接地面(Ground Plane)120、一第一輻射部(Radiation Element)130、複數個第一導電貫通元件(Conductive Via Element)141至147，以及一第一饋入連接部(Feeding Connection Element)150，其中接地面120、第一輻射部130、第一導電貫通元件141至147，以及第一饋入連接部150皆可用金屬材質製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

根據不同應用需求，介質基板110可以是一FR4(Flame Retardant 4)基板、一陶瓷(Ceramic)基板、一鐵氟龍(Teflon)基板、由前述基板所製成之印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit Board，FPC)。介質基板110具有相對之一第一表面E1和一第二表面E2，其中第一輻射部130係設置於介質基板110之第一表面E1，而接地面120係設置於介質基板110之第二表面E2。接地面120可用於提供一接地電位(Ground Voltage)。在一些實施例中，第一輻射部130於介質基板110之第二表面E2上具有一垂直投影(Vertical Projection)，而此垂直投影係完全位於接地面120之內部。

第一輻射部130可以大致呈現一較大矩形，其具有一第一邊緣(Edge)131、一第二邊緣132、一第三邊緣133，以及一第四邊緣134。一第一缺口(Notch)135可形成於第一輻射部130上，並可位於其第四邊緣134處，其中第一缺口135可以大致呈現一較小矩形。在第一輻射部130中，第三邊緣133係與第一邊緣131相對，而第四邊緣134係與第二邊緣132相對。必須理解的是，第一缺口135於第一輻射部130之第四邊緣134上之確切位置尚可依不同需求進行調整。

第一導電貫通元件141至147皆穿透介質基板110，其中第一導電貫通元件141至147皆耦接於第一輻射部130和接地面120之間。鄰近於第一輻射部130之第一邊緣131處之第一導電貫通元件141、142具有相對較長之一間距D1。鄰近於第一輻射部130之第二邊緣132和第三邊緣133處之第一導電貫通元件142、143、144、145、146、147之任二者具有相對較短之一間距D2。鄰近於第一輻射部130之第四邊緣134處之第一導電貫通元件141、147具有相對適中之一間距DA。另外，第一導電貫通元件144、145、146、147之每一者與第一輻射部130之第一邊緣131皆具有一間距DB。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：5mm或更短)，亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。大致而言，第一導電貫通元件141至147可排列成為一半環圈形(Half Loop Shape)，其開口側(Open Side)可朝向第一輻射部130之第一邊緣131。在另一些實施例中，第一導電貫通元件141至147之總數量及確切位置還可依不同需求進行調整。

第一饋入連接部150可以大致呈現一直條形。詳細而言，第一饋入連接部150之一端係耦接至第一輻射部130並延伸進入其第一缺口135內，而第一饋入連接部150之另一端可耦接至一信號源(Signal Source)(未顯示)。例如，前述信號源可為一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。在另一些實施例中，第一饋入連接部150更可經由其他輻射部和其他饋入連接部耦接至前述信號源。

在一些實施例中，天線結構100可涵蓋介於76GHz至81GHz之間之一操作頻帶(Operation Frequency Band)。因此，天線結構100將至少可支援汽車雷達之毫米波(Millimeter Wave，mmWave)寬頻操作。根據實際量測結果，此種設計有助於增加天線結構100於前述操作頻帶內之主波束寬度(Main Beam Width)。另一方面，第一導電貫通元件141至147之加入可用於限制天線結構100之電磁波方向，使其可大致朝向第一輻射部130之第一邊緣131。詳細而言，鄰近於第一輻射部130之第二邊緣132與第三邊緣133處之第一導電貫通元件142、143、144、145、146、147可避免前述操作頻帶之電磁波(Electromagnetic Wave)發生外漏；相對地，鄰近於第一輻射部130之第四邊緣134處之第一導電貫通元件141、147則可允許前述操作頻帶之電磁波由其間之開口側饋入；鄰近於第一輻射部130之第一邊緣131處之第一導電貫通元件141、142則可允許前述操作頻帶之電磁波由其間之開口側輻射。

在一些實施例中，天線結構100之元件尺寸和元件參數可如下列所述。介質基板110之厚度H1(亦即，第一表面E1和第二表面E2之間距)可介於0.01mm至1mm之間，例如：可約為0.127mm。介質基板110之介電常數(Dielectric Constant)可介於2至5之間，例如：可約為2.89。第一缺口135之長度L2可小於天線結構100之操作頻帶之0.25倍波長(0.25λ)。鄰近於第一輻射部130之第一邊緣131處之第一導電貫通元件141、142之任二者之間距D1皆可介於天線結構100之操作頻帶之0.45倍至0.55倍波長(0.45λ~0.55λ)之間。鄰近於第一輻射部130之第二邊緣132和第三邊緣133處之第一導電貫通元件142、143、144、145、146、147之任二者之間距D2皆可小於或等於天線結構100之操作頻帶之0.152倍波長(0.152λ)。前述間距DA可小於天線結構100之操作頻帶之0.4倍波長(0.4λ)。另外，前述間距DB可介於天線結構100之操作頻帶之0.375倍至0.625倍波長(0.375λ~0.625λ)之間。例如，當前述間距D1變大時，前述間距DB將可隨之變小；反之，當前述間距D1變小時，前述間距DB將可隨之變大。第一饋入連接部150之長度L3可介於天線結構100之操作頻帶之0.9倍至1.1倍波長之間(0.9λ～1.1λ)。必須理解的是，以上「波長」一詞可指自由空間(Free Space)內之波長(λ)，而當使用介電材質時(例如：介質基板110)，其亦可根據介質基板110與自由空間之間之等效介電常數(Effective Dielectric Constant)來調整為波導波長(λg)。以上元件尺寸和元件參數之範圍係根據多次實驗結果而得出，其有助於最佳化天線結構100之波束寬度和阻抗匹配(Impedance Matching)。

第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之俯視圖。第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之剖面圖(依第4圖之一第三剖面線LC3)。第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構200之剖面圖(依第4圖之一第四剖面線LC4)。請一併參考第4、5、6圖。在第4、5、6圖之實施例中，天線結構200更包括一第二輻射部230、複數個第二導電貫通元件241至247，以及一第二饋入輻射部250。必須理解的是，天線結構200亦包括第1、2、3圖中之所有元件，其在此不再贅述。在一些實施例中，第二輻射部230於介質基板110之第二表面E2上具有一垂直投影，而此垂直投影亦完全位於接地面120之內部。

第二輻射部230可以大致呈現一較大矩形，其具有一第五邊緣231、一第六邊緣232、一第七邊緣233，以及一第八邊緣234。一第二缺口235可形成於第二輻射部230上，並可位於其第六邊緣232處，其中第二缺口235可以大致呈現一較小矩形。另外，一第三缺口236更可形成於第二輻射部230上，並可位於其第八邊緣234處，其中第三缺口236亦可大致呈現一較小矩形。在第二輻射部230中，第七邊緣233係與第五邊緣231相對，而第八邊緣234係與第六邊緣232相對。在一些實施例中，第三缺口236比第二缺口235更靠近第二輻射部230之第五邊緣231。然而，本發明並不僅限於此。第二缺口235、第三缺口236分別於第二輻射部230之第六邊緣232、第八邊緣234上之確切位置尚可依不同需求進行調整。在另一些實施例中，第二缺口235和第三缺口236兩者亦可與第二輻射部230之第五邊緣231為等距。

第二導電貫通元件241至247皆穿透介質基板110，其中第二導電貫通元件241至247皆耦接於第二輻射部230和接地面120之間。鄰近於第二輻射部230之第五邊緣231處之第二導電貫通元件241、242具有相對較長之一間距D3。鄰近於第二輻射部230之第七邊緣233處之第二導電貫通元件243、244、245、246、247之任二者具有相對較短之一間距D4。例如，前述間距D3可為前述間距D4之三倍以上，但亦不僅限於此。鄰近於第二輻射部230之第六邊緣232處之第二導電貫通元件242、243具有相對適中之一間距DC。鄰近於第二輻射部230之第八邊緣234處之第二導電貫通元件241、247具有相對適中之一間距DE。另外，第二導電貫通元件243、244、245、246、247之每一者與第二輻射部230之第五邊緣231皆具有一間距DF。大致而言，第二導電貫通元件241至247可排列成為一半環圈形，其開口側可朝向第二輻射部230之第五邊緣231。在另一些實施例中，第二導電貫通元件241至247之總數量及確切位置還可依不同需求進行調整。

在一些實施例中，第一饋入連接部150之另一端更耦接至第二輻射部230，而第一饋入連接部150之另一端更延伸進入第二輻射部230之第二缺口235內。第二饋入連接部250可以大致呈現一直條形。詳細而言，第二饋入連接部250之一端係耦接至第二輻射部230並延伸進入其第三缺口236內，而第二饋入連接部250之另一端可耦接至前述信號源。在另一些實施例中，第二饋入連接部250更可經由其他輻射部和其他饋入連接部耦接至前述信號源。在一些實施例中，第一饋入連接部150和第二饋入連接部250可依照阻抗匹配與功率分配需求調整耦接的位置，例如可對稱地配置，或是排列於同一直線上。

在一些實施例中，天線結構200可涵蓋介於76GHz至81GHz之間之一操作頻帶。因此，天線結構200將至少可支援汽車雷達之毫米波寬頻操作。根據實際量測結果，同時使用第一輻射部130和第二輻射部230能壓縮天線結構200於前述操作頻帶內之主波束寬度(可參考第7圖之XZ平面上之量測結果)，還可進一步提升天線結構200於前述操作頻帶內之輻射增益(Radiation Gain)。另一方面，第二導電貫通元件241至247之加入可用於限制天線結構200之電磁波方向，使其可大致朝向第二輻射部230之第五邊緣231。詳細而言，鄰近於第二輻射部230之第七邊緣233處之第二導電貫通元件243、244、245、246、247可避免前述操作頻帶之電磁波發生外漏；相對地，鄰近於第二輻射部230之第八邊緣234處之第二導電貫通元件241、247則可允許前述操作頻帶之電磁波由其間之開口側饋入；鄰近於第二輻射部230之第六邊緣232處之第二導電貫通元件242、243則可允許前述操作頻帶之電磁波由其間之開口側饋出；鄰近於第二輻射部230之第五邊緣231處之第二導電貫通元件241、242則可允許前述操作頻帶之電磁波由其間之開口側輻射。

在一些實施例中，天線結構200之元件尺寸和元件參數可如下列所述。第二缺口235之長度L5可小於天線結構200之操作頻帶之0.25倍波長(0.25λ)。第三缺口236之長度L6可小於天線結構200之操作頻帶之0.25倍波長(0.25λ)。鄰近於第二輻射部230之第五邊緣231處之第二導電貫通元件241、242之任二者之間距D3皆可介於天線結構200之操作頻帶之0.45倍至0.55倍波長之間(0.45λ~0.55λ)。鄰近於第二輻射部230之第七邊緣233處之第二導電貫通元件243、244、245、246、247之任二者之間距D4皆可小於或等於天線結構200之操作頻帶之0.152倍波長(0.152λ)。第二饋入連接部250之長度L7可介於天線結構200之操作頻帶之0.9倍至1.1倍波長之間(0.9λ～1.1λ)。前述間距DC和前述間距DE之每一者皆可小於天線結構100之操作頻帶之0.4倍波長(0.4λ)。另外，前述間距DF可介於天線結構200之操作頻帶之0.375倍至0.625倍波長(0.375λ~0.625λ)之間。例如，當前述間距D3變大時，前述間距DF將可隨之變小；反之，當前述間距D3變小時，前述間距DF將可隨之變大。必須理解的是，以上「波長」一詞可指自由空間內之波長，而當使用介電材質時(例如：介質基板110)，其亦可根據介質基板110與自由空間之間之等效介電常數來調整為波導波長。以上元件尺寸和元件參數之範圍係根據多次實驗結果而得出，其有助於最佳化天線結構200之波束寬度和阻抗匹配。

第7圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構700之俯視圖。在第7圖之實施例中，天線結構700更包括一第三輻射部330、複數個第三導電貫通元件341、一第三饋入連接部350、一第四輻射部430、複數個第四導電貫通元件441、一第四饋入連接部450、一第五輻射部530、複數個第五導電貫通元件541、一第五饋入連接部550、一第六輻射部630、複數個第六導電貫通元件641、一第六饋入連接部650、一第七輻射部730、複數個第七導電貫通元件741、一第七饋入連接部750、一第八輻射部830、複數個第八導電貫通元件841、一第八饋入連接部850、一第九輻射部930、複數個第九導電貫通元件941，以及一第九饋入連接部950。第九饋入連接部950具有一饋入點(Feeding Point)FP，其可耦接至前述信號源。另外，第三輻射部330、第三導電貫通元件341、第三饋入連接部350、第四輻射部430、第四導電貫通元件441、第四饋入連接部450、第五輻射部530、第五導電貫通元件541、第五饋入連接部550、第六輻射部630、第六導電貫通元件641、第六饋入連接部650、第七輻射部730、第七導電貫通元件741、第七饋入連接部750、第八輻射部830、第八導電貫通元件841、第八饋入連接部850、第九輻射部930、第九導電貫通元件941，以及第九饋入連接部950之結構特徵及連接方式皆大致與第4、5、6圖之實施例所述者相似。必須理解的是，天線結構700亦包括第1-6圖中之所有元件，其在此不再贅述。

第8圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構700之輻射場型圖(沿YZ平面進行量測)，其中橫軸代表天頂角(Theta)(度)，而縱軸代表輻射增益(dB)。根據第8圖之量測結果，天線結構700之10dB波束寬度可達180度以上，此已可滿足一般汽車雷達之實際應用需求。必須理解的是，若將更多輻射部、更多導電貫通元件，以及更多饋入連接部之加入天線結構700，尚可進一步提升其對應之輻射增益。

第9圖係顯示根據本發明一實施例所述之第一輻射部130之能量傳遞圖。根據第9圖之量測結果(如一第一能量路徑901所示)，電磁能量可由第一饋入連接部150處進入，再由第一導電貫通元件141、142之間之開口側輸出。

第10圖係顯示根據本發明一實施例所述之第二輻射部230之能量傳遞圖。根據第10圖之量測結果(如一第二能量路徑902所示)，電磁能量可由第二饋入連接部250處進入，接著，一部份之電磁能量可由第二導電貫通元件241、242之間之開口側輸出，而另一部份之電磁能量可經由第一饋入連接部150輸出至第一輻射部130。

第11圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構910之俯視圖。第11圖和第7圖相似，兩者之差異在於，第11圖之天線結構910之第一饋入連接部150、第二饋入連接部250、第三饋入連接部350、第四饋入連接部450、第五饋入連接部550、第六饋入連接部650、第七饋入連接部750、第八饋入連接部850，以及第九饋入連接部950可各自根據不同需要而調整為一蜿蜒形狀(Meandering Shape)，例如：一U字形或一W字形。根據實際量測結果，此種設計可微縮天線結構910之整體尺寸，同時於有限空間內加入更多輻射部。

第12圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構1200之俯視圖。第12圖和第1、4圖相似。在第12圖之實施例中，天線結構1200包括一介質基板110、一接地面120(未圖示)、一第一輻射部1130、複數個第一導電貫通元件1141至1148、一第一饋入連接部1150、一第二輻射部1230、複數個第二導電貫通元件1241至1247，以及一第二饋入連接部1250。第一輻射部1130可以大致呈現一菱形，並具有一第一缺口1135。第一導電貫通元件1141至1148皆穿透介質基板110，其中第一導電貫通元件1141至1148皆耦接於第一輻射部1130和接地面120之間，而第一導電貫通元件1141、1142具有相對較長之一間距。第二輻射部1230可以大致呈現另一菱形，並具有一第二缺口1235和一第三缺口1236。第二導電貫通元件1241至1247皆穿透介質基板110，其中第二導電貫通元件1241至1247皆耦接於第二輻射部1230和接地面120之間，而第二導電貫通元件1241、1242具有相對較長之一間距。例如，第一缺口1135、第二缺口1235，以及第三缺口1236可各自呈現一較小矩形或一較小菱形，但亦不僅限於此。第12圖之天線結構1200之其餘特徵皆與第1、4圖之天線結構100、200類似，故這些實施例均可達成相似之操作效果。

第13圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構2300之俯視圖。第13圖和第1、4圖相似。在第13圖之實施例中，天線結構2300包括一介質基板110、一接地面120(未圖示)、一第一輻射部2130、複數個第一導電貫通元件2141至2147、一第一饋入連接部2150、一第二輻射部2230、複數個第二導電貫通元件2241至2246，以及一第二饋入連接部2250。第一輻射部2130可以大致呈現一不規則形，並具有一第一缺口2135。第一導電貫通元件2141至2147皆穿透介質基板110，其中第一導電貫通元件2141至2147皆耦接於第一輻射部2130和接地面120之間，而第一導電貫通元件2141、2142具有相對較長之一間距。第二輻射部2230可以大致呈現另一不規則形，並具有一第二缺口2235和一第三缺口2236。第二導電貫通元件2241至2246皆穿透介質基板110，其中第二導電貫通元件2241至2246皆耦接於第二輻射部2230和接地面120之間，而第二導電貫通元件2241、2242具有相對較長之一間距。例如，第一缺口2135、第二缺口2235，以及第三缺口2236可各自呈現一較小半橢圓形，但亦不僅限於此。第13圖之天線結構2300之其餘特徵皆與第1、4圖之天線結構100、200類似，故這些實施例均可達成相似之操作效果。

本發明提出一種新穎之天線結構。相較於傳統設計，本發明可兼得小尺寸、寬頻帶，低製造成本，以及較大之波束寬度等優勢，故其很適合各種各式之天線應用當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀、元件參數，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-13圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-13圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,700,910,1200,2300:天線結構

110:介質基板

120:接地面

130,1130,2130:第一輻射部

131:第一邊緣

132:第二邊緣

133:第三邊緣

134:第四邊緣

135,1135,2135:第一缺口

141,142,143,144,145,146,147, 1141,1142,1143,1144,1145,1146,1147,1148, 2141,2142,2143,2144,2145,2146,2147:第一導電貫通元件

150,1150,2150:第一饋入連接部

230,1230,2230:第二輻射部

231:第五邊緣

232:第六邊緣

233:第七邊緣

234:第八邊緣

235,1235,2235:第二缺口

236,1236,2236:第三缺口

241,242,243,244,245,246,247,1241, 1242, 1243, 1244, 1245,1246,1247,2241,2242,2243,2244,2245,2246:第二導電貫通元件

250,1250,2250:第二饋入連接部

330:第三輻射部

341:第三導電貫通元件

350:第三饋入連接部

430:第四輻射部

441:第四導電貫通元件

450:第四饋入連接部

530:第五輻射部

541:第五導電貫通元件

550:第五饋入連接部

630:第六輻射部

641:第六導電貫通元件

650:第六饋入連接部

730:第七輻射部

741:第七導電貫通元件

750:第七饋入連接部

830:第八輻射部

841:第八導電貫通元件

850:第八饋入連接部

901:第一能量路徑

902:第二能量路徑

930:第九輻射部

941:第九導電貫通元件

950:第九饋入連接部

D1,D2,D3,D4,DA,DB,DC,DE,DF:間距

E1:第一表面

E2:第二表面

FP:饋入點

L2,L3,L5,L6,L7:長度

LC1:第一剖面線

LC2:第二剖面線

X:X軸

Y:Y軸

Z:Z軸

第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第3圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之剖面圖。第7圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第8圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之輻射場型圖。第9圖係顯示根據本發明一實施例所述之第一輻射部能量傳遞圖。第10圖係顯示根據本發明一實施例所述之第二輻射部之能量傳遞圖。第11圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第12圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。第13圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。

100:天線結構

110:介質基板

130:第一輻射部

131:第一邊緣

132:第二邊緣

133:第三邊緣

134:第四邊緣

135:第一缺口

141,142,143,144,145,146,147:第一導電貫通元件

150:第一饋入連接部

D1,D2,DA,DB:間距

E1:第一表面

L2,L3:長度

LC1:第一剖面線

LC2:第二剖面線

Claims

一種寬波束之天線結構，涵蓋一操作頻帶，並包括：一介質基板，具有相對之一第一表面和一第二表面；一接地面，設置於該介質基板之該第二表面；一第一輻射部，設置於該介質基板之該第一表面，其中一第一缺口形成於該第一輻射部上；複數個第一導電貫通元件，穿透該介質基板，其中該等第一導電貫通元件係耦接於該第一輻射部和該接地面之間；以及一第一饋入連接部，耦接至該第一輻射部，其中該第一饋入連接部係延伸進入該第一輻射部之該第一缺口內；其中該第一輻射部具有一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣，以及一第四邊緣，而該第一缺口係位於該第四邊緣處；其中鄰近於該第一輻射部之該第一邊緣處之該等第一導電貫通元件之任二者之間距皆介於該操作頻帶之0.45倍至0.55倍波長之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該操作頻帶係介於76GHz至81GHz之間。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一輻射部之該第一缺口之長度係小於該操作頻帶之0.25倍波長。
如請求項1所述之天線結構，其中鄰近於該第一輻射部之該第四邊緣處之該等第一導電貫通元件之任二者之間距皆小於該操作頻帶之0.4倍波長。
如請求項1所述之天線結構，其中鄰近於該第一輻射部之該第三邊緣處之該等第一導電貫通元件之任二者之間距皆小於或等於該操作頻帶之0.152倍波長。
如請求項1所述之天線結構，其中該第一饋入連接部之長度係介於該操作頻帶之0.9倍至1.1倍波長之間。
如請求項1所述之天線結構，更包括：一第二輻射部，設置於該介質基板之該第一表面，其中一第二缺口和一第三缺口皆形成於該第二輻射部上。
如請求項7所述之天線結構，更包括：複數個第二導電貫通元件，穿透該介質基板，其中該等第二導電貫通元件係耦接於該第二輻射部和該接地面之間。
如請求項8所述之天線結構，更包括：一第二饋入連接部，耦接至該第二輻射部，其中該第二饋入連接部係延伸進入該第二輻射部之該第三缺口內。
如請求項7所述之天線結構，其中該第一饋入連接部更耦接至該第二輻射部，而該第一饋入連接部更延伸進入該第二輻射部之該第二缺口內。
如請求項7所述之天線結構，其中該第二輻射部具有一第五邊緣、一第六邊緣、一第七邊緣，以及一第八邊緣，該第二缺口係位於該第六邊緣處，而該第三缺口係位於該第八邊緣處。
如請求項7所述之天線結構，其中該第二輻射部之該第二缺口和該第三缺口之每一者之長度皆小於該操作頻帶之 0.25倍波長。
如請求項11所述之天線結構，其中鄰近於該第二輻射部之該第五邊緣處之該等第二導電貫通元件之任二者之間距皆介於該操作頻帶之0.45倍至0.55倍波長之間。
如請求項11所述之天線結構，其中鄰近於該第二輻射部之該第六邊緣或第八邊緣處之該等第二導電貫通元件之任二者之間距皆小於該操作頻帶之0.4倍波長。
如請求項11所述之天線結構，其中鄰近於該第二輻射部之該第七邊緣處之該等第二導電貫通元件之任二者之間距皆小於或等於該操作頻帶之0.152倍波長。
如請求項9所述之天線結構，其中該第二饋入連接部之長度係介於該操作頻帶之0.9倍至1.1倍波長之間。