TWI752676B - 光學源中干擾之補償 - Google Patents

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Abstract

接收自一光學源發射之一脈衝式光束，該脈衝式光束係與一時間重複率相關聯；判定該光學源中之一干擾之一頻率，該頻率為隨該脈衝式光束之該時間重複率變化之一混疊頻率；基於該混疊頻率來產生一校正波形；及藉由基於該所產生之校正波形修改該脈衝式光束之一特性來補償該光學源中之該干擾。

Description

光學源中干擾之補償
所揭示之標的物係關於光學源中之干擾的主動拒絕。
光微影係在諸如矽晶圓之基板上圖案化半導體電路的過程。光微影光源提供用以曝露晶圓上之光阻的深紫外(DUV)光。用於光微影之DUV光由準分子光源產生。通常，光源為雷射源，且脈衝式光束為脈衝雷射光束。使光束穿過光束遞送單元，經由光罩(或遮罩)濾波，且隨後投射至所製備之矽晶圓上。以此方式，晶片設計被圖案化至光阻上，該光阻接著在蝕刻及清洗，且接著重複該過程。
在一個一般態樣中，一種補償一光學源中之一干擾的方法包括：接收自一光學源發射之一脈衝式光束，該脈衝式光束與一時間重複率相關聯；判定該光學源中之一干擾的一頻率，該頻率為隨該脈衝式光束之該時間重複率變化的一混疊頻率；基於該混疊頻率產生一校正波形；及藉由基於該所產生之校正波形修改該脈衝式光束之一特性來補償該光學源中的該干擾。 實施可包括以下特徵中之一或多者。藉由基於該所產生之校正波形修改該脈衝式光束之一特性來補償該光學源中的該干擾可包括將該校正波形應用於一光學總成，該光學總成包括經定位與在該光學源中傳播之光相互作用的一光學元件，將該校正波形應用於該光學總成足以移動該光學元件。該脈衝式光束之該特性可包括該脈衝式光束之一波長。該校正波形可包括與該干擾之一振幅實質上相同的一振幅及相對於該干擾之一相位移位的一相位。該校正波形之該相位可相對於該干擾之該相位被移位一百八十度。 該干擾之該頻率可包括彼此分開且相異之複數個頻率。該複數個頻率可包括與該干擾相關聯之一基本頻率及該基本頻率之一或多個諧波。 在一些實施中，該方法亦包括：基於該光學源中之該干擾的該所判定之混疊頻率，估計與該干擾相關聯之狀態，且其中基於該混疊頻率產生一校正波形包括基於與該干擾相關聯的該等所估計之狀態產生一校正波形。與該干擾相關聯之該等狀態可包括一第一狀態及一第二狀態。該第一狀態可為一同相分量，且該第二狀態可為一正交分量。基於該等所估計之狀態產生一校正波形可包括產生一波形，該波形具有基於該等同相及正交分量之向量和的一量值及基於該正交分量與該同相分量之一比率的一相位。 在一些實施中，該方法亦包括：在補償該干擾之前判定自該光學源發射之該脈衝式光束的一第一頻譜，該第一頻譜包括該干擾之該頻率下的一第一功率量；及在補償該干擾之後判定自該光學源發射之一第二脈衝式光束的一第二頻譜，該第二頻譜包括該干擾之該頻率下的一第二功率量，其中該第二功率量小於該第一功率量。該第二功率量可在該經補償干擾之該頻率下比該第一功率量小至少5分貝(dB)。 可量測該時間重複率。可接收包括該時間重複率之資料。 可基於該脈衝式光束之該時間重複率判定該光學源中之該干擾的該頻率。基於該時間重複率判定該干擾之該頻率可包括：存取一頻率映射，該頻率映射包括隨時間重複率而變之該干擾的一頻率；及判定與來自該所存取頻率映射的該所存取時間重複率相關聯的該干擾之該頻率。該頻率映射可針對每一時間重複率包括複數個頻率。 判定該干擾之該頻率可包括接收包括該干擾之該頻率之值的資料。 該光學元件可經定位以選擇在腔室中傳播之光的一光譜特徵，且移動該光學元件可改變該光之該選定光譜特徵。該光譜特徵可為在該腔室中傳播之該光的一波長。該光學元件可為傳輸在該腔室中傳播之該光的一光學元件。該光學元件可為一稜鏡。 該光學源可包括一增益介質，在該光學源中傳播之該光可沿光束路徑且在該增益介質中傳播，該光學元件可沿著該光束路徑定位，且該源中的該干擾可包括沿該光束路徑創造該增益介質之一不均勻性的一干擾。該光學源中之該干擾可包括由使該增益介質在該腔室中循環之一風扇之運動所造成的一聲學干擾。 在一些實施中，該光學源中之該干擾進一步包括一二次干擾，且該方法亦包括：接收該脈衝式光束之一波長量測，該波長量測包括針對該脈衝式光束中之複數個脈衝的一波長誤差；存取表示該光學源中之一二次干擾的一模型；存取表示致動器之動力學的一模型；及基於該波長誤差、該二次干擾之該模型及表示該致動器之動力學之該模型中的一或多者產生一第二校正波形，其中將校正波形應用於該光學總成進一步包括將該第二校正波形應用於該光學總成。可在無論是否接收到一波長量測之情況下產生該第二校正波形。 在另一一般態樣中，一種補償一光學源中之一干擾的方法包括：接收自一光學源發射之一脈衝式光束，該脈衝式光束與一時間重複率相關聯；判定該光學源中之一干擾的一頻率；反覆估計表示該干擾之一特性之至少一狀態的一值，該估計按等於或大於該時間重複率之一控制事件頻率進行更新；針對該至少一個狀態之每一估計值產生一校正波形之一執行個體，該校正波形之該等執行個體按該控制事件頻率產生；及藉由將該校正波形之一執行個體施加至該光學源來補償該光學源中之該干擾，該補償係按該控制事件頻率應用於該光學源。 該光學源中之該干擾可與複數個相異頻率相關聯。 上述技術中之任一者的實施可包括方法、過程、器件、以有形方式體現於一非暫時性機器可讀儲存介質中之電腦程式產品(該產品包括當被執行時使一或多個電子處理器執行各種動作之指令)，或裝置。附圖及以下描述中闡述了一或多個實施之細節。其他特徵將自描述內容及圖式且自申請專利範圍顯而易見。
揭示了用於主動地且不斷地補償及/或拒絕光學(或光)源中之干擾的技術。該干擾可為由一或多個頻率或載頻調組成的窄頻干擾，其中每一者僅存在於單一頻率中或分散於幾個頻率中之一頻帶上。光學源產生具有標稱位於中心波長處之一波長的光。在光學光源之操作期間，所產生之光的波長可與中心波長偏離。在一段時間內自源發射之一部分光的中心波長與實際波長之間的差值為隨時間而變的波長誤差。可將該波長誤差變換成隨頻率而變之波長誤差，其提供每一頻率與波長誤差之比重的量測。波長積分為自光學源發射的固定數目個光脈衝上之波長誤差之變化(標準差)。下文論述之補償技術導致波長積分之減少及使用光學源將微電子特徵圖案化至晶圓上的光微影系統中之對比度及影像品質之對應改良。 參看圖1，光微影系統100包括一光學(或光)源105，其將光束160提供至晶圓120。光微影系統100亦包括一微影曝露裝置115，其接收晶圓120。微影曝露裝置115包括一投射光學系統125。藉由(例如)將輻射敏感光阻材料層沈積於晶圓120上且用光束160曝露經遮蔽光阻層來將微電子特徵形成於晶圓120上。微影曝露裝置115可為液體浸沒系統或乾式系統。系統100亦包括一控制器170，其控制光自光源105之發射。 光束160在圍繞中心波長分佈之一波長頻帶下輻射。臨界尺寸(CD)取決於光束160之波長，該臨界尺寸為可由系統100列印於晶圓120上之最小特徵尺寸。為維持列印於晶圓120上及由系統100曝露之其他晶圓上的微電子特徵之均勻CD，光束160之波長應保持在中心波長處或中心波長周圍之波長範圍內。標稱或所要中心波長與光束160之實際或量測波長之間的差值為波長誤差。 對於光束160之一部分，可隨時間而變判定波長誤差。舉例而言，可在複數個不同時間取樣光束160之波長，且可藉由比較量測波長與中心波長來判定每次的波長誤差。在光束160為脈衝式光束之實施中，可判定包括許多、可能數百個脈衝之一叢發中的所有脈衝或一部分脈衝之波長誤差。可藉由以下操作判定時間區塊或叢發之波長誤差的頻率含量：藉由(例如)將傅立葉變換應用於時間波長誤差資料來將隨時間而變之波長誤差變換成頻率之函數。此變換之結果揭露不同頻率下的波長誤差之相對比重(或相對功率)，且被稱作波長誤差之功率譜密度(PSD)。波長誤差之PSD之標準差為波長積分。如同隙縫中頻寬之變化，波長積分之變化影響對比度，且因此影響影像品質。同樣，減小波長積分改良系統100之效能。 光學源105中之窄頻干擾可引起波長積分之增大。窄頻干擾為僅存在於一個頻率下或存在於頻譜之僅僅幾個頻率之頻帶內的任何干擾。舉例而言，窄頻干擾可存在於僅包括單一頻率(以赫茲(Hz)為單位)之一頻帶內。在另一實例中，窄頻干擾可為與中心頻率相關聯且具有在一頻率範圍上延伸之一頻帶的干擾。窄頻干擾之最大振幅可出現在中心頻率處，且干擾之量值可顯著衰減，大幅度減退，及/或不存在於除中心頻率之外的頻率處。窄頻干擾之頻帶可為(例如)一鄰接範圍或處於落在中心頻率之任一側上之兩個頻率(第一頻率與第二頻率)之間的頻率之頻帶，其中第一頻率為低於中心頻率之頻率且第二頻率為高於中心頻率之頻率。舉例而言，第一及第二頻率可為最接近中心頻率之頻率，在該等頻率下，干擾之量值比中心頻率下的窄頻干擾之量值小三(3)分貝(dB)。在此實例中，第一與第二頻率之間的差之絕對值為窄頻干擾之頻帶(以赫茲為單位)。頻帶可為(例如)十(10)赫茲或更小。在一些實施中，窄頻干擾由複數個載頻調組成，每一者具有相異及分開之中心頻率及頻帶。 窄頻干擾可由(例如)光學源105中的以週期性或規則方式移動之組件所造成，其可誘發光束路徑中的干擾增大脈衝式光束之波長誤差。因為窄頻干擾在與該干擾相關聯之頻率下導致波長誤差之尖峰或突然增大，所以當存在窄頻干擾時，波長誤差之PSD包括該干擾之頻率下的一尖峰。歸因於尖峰，PSD之標準差傾向於在光學源105中存在窄頻干擾時增大，因此波長積分亦傾向於增大。 如上文所論述，窄頻干擾可由複數個載頻調組成，其中每一者具有相異且分開之中心頻率及頻帶。此之一實例為具有基本頻率及基本頻率之諧波的窄頻干擾。在此實例中，波長誤差之PSD包括在基本頻率及基本頻率之諧波下的功率尖峰(dB/赫茲)。 窄頻干擾之特性可在光學源105之操作期間改變。舉例而言，若干擾在本質上為聲學，則溫度以及頻率可影響窄頻干擾之振幅及相位。因此，在光學源105之操作期間動態估計窄頻干擾之特性。窄頻干擾之特性可包括干擾之振幅、相位及頻率。此等特性可經模型化為具有可隨時間變化之估計值的狀態。 因為窄頻干擾存在於僅僅一頻率下或僅存在於幾赫茲之頻帶內，所以一旦估計窄頻干擾的特性，便可用基於所估計之特性的對應校正波形來抵消該窄頻干擾。校正波形可(例如)為具有與窄頻干擾相同之頻率與量值及與窄頻干擾為180°異相之相位的正弦波。應用校正波形之後，可減小於波長誤差之PSD中可見之干擾的頻率處的比重。以此方式，波長積分可減小。 在一些實施中，除減小光束160之波長誤差的分開校正或補償以外，控制系統170亦應用校正波形以導致總體系統效能之甚至更大的改良。 在論述用於抵消圖4A、圖4B及圖5中之窄頻干擾之效應的校正波形之前，相關於圖2提供光源105之一實例。 亦參考圖2，一例示性光源205被用作光微影系統200中之光源105 (圖1)。光源205產生脈衝式光束260，該脈衝式光束被提供至微影裝置115。系統200亦包括一控制系統270，其經連接至光源205之組件以及經連接至微影曝露裝置115以控制系統200之各種操作。 光源205可為(例如)輸出脈衝式光束260 (其可為雷射光束)之一準分子光源。隨著脈衝式光束260進入微影裝置115，該脈衝式光束被引導穿過投射光學系統125且被投射至晶圓120上。以此方式，一或多個微電子特徵被圖案化至晶圓120上之光阻上，該光阻接著經蝕刻及清潔，且過程重複。 在圖2中所示之實例中，光源205為一雙級雷射系統，其包括將種子光束224提供至功率放大器(PA) 230之一主控振盪器(MO) 212。主控振盪器212實現在由功率放大器230放大至約10 mJ至15 mJ之相對較低輸出脈衝能量(例如，1至1.5毫焦耳(mJ)脈衝能量)下之諸如中心波長及頻寬之參數的精細調諧。功率放大器230自主控振盪器212接收種子光束224，且放大種子光束224以產生光束260，以供微影裝置115中使用。 主控振盪器212包括具有兩個細長電極217之一放電腔室214、一增益介質219 (其為混合氣體)，及用於使氣體在電極217之間循環之一風扇或吹風機。在放電腔室214之一側上的線窄化模組216與放電腔室214之第二側上的輸出耦合器218之間形成諧振器。線窄化模組216可包括一繞射光學器件，諸如，精細地調諧放電腔室214之光譜輸出的光柵。主控振盪器212亦包括自輸出耦合器218接收輸出光束之一線中心分析模組220，及按需要修改輸出光束之大小或形狀以形成種子光束224之一光束修改光學系統222。線中心分析模組220為可用以量測或監視種子光束224之波長的量測系統。線中心分析模組220可被置放於光源205中的其他位置處，或可被置放於光源205之輸出端處。 用於放電腔室214中之混合氣體可為適合於在應用所需之波長及頻寬下產生光束的任何氣體。舉例而言，對於準分子源，除作為緩衝氣體之氦氣及/或氖氣以外，混合氣體可含有諸如氬氣、氪氣或氙氣之惰性氣體(稀有氣體)，及諸如氟或氯之鹵素。混合氣體之特定實例包括在約193 nm之波長下發射光的氟化氬(ArF)、在約248 nm之波長下發光的氟化氪(KrF)，或在約351 nm之波長下發光的氯化氙(XeCl)。藉由將電壓施加至細長電極217，在高電壓放電中用短(例如，奈秒)電流脈衝來抽汲準分子增益介質(混合氣體)。 功率放大器230包括一光束修改光學系統232，其自主控振盪器212接收種子光束224且將光束引導穿過放電腔室240，且引導至光束轉向光學元件252，該光束轉向光學元件修改或改變種子光束224之方向，使得該光束被發送回至放電腔室240。 放電腔室240包括一對細長電極241、一增益介質249 (其為混合氣體)，及用於使混合氣體在電極241之間循環的風扇。 輸出光束260經引導穿過頻寬分析模組262，可在該頻寬分析模組中量測光束260之各種參數(諸如，頻寬或波長)。輸出光束260亦可經引導穿過一脈衝拉伸機，在該脈衝拉伸機中，輸出光束260之脈衝中之每一者於(例如)光延遲單元中及時拉伸以調整撞擊微影裝置115之光束的效能性質。 控制系統270連接至光源205之各種組件。舉例而言，控制系統270分別耦接至主控振盪器212及功率放大器230內的電極217、241，用於控制主控振盪器212及功率放大器230之各別脈衝能量，且亦用於控制範圍可在約500 Hz與12000 Hz或更大值之間的脈衝重複率。控制系統270因此藉由脈衝及劑量能量之反饋及前饋控制相對於彼此提供反覆觸發主控振盪器212之腔室中的放電及功率放大器230之腔室中的放電。反覆脈衝式光束260可具有介於幾瓦與數百瓦之間(例如，自約40 W至約200 W)的平均輸出功率。輸出端處的光束260之輻照度(亦即，每單位面積之平均功率)可為至少約60 W/cm2 或至少約80 W/cm2 。 可在標稱脈衝重複率及標稱脈衝能量下以100%工作循環計算光源205之輸出功率(亦即，連續點火光源205之主控振盪器212及功率放大器230中的電極)。因此，例如，在6000 Hz之標稱脈衝重複率及15 mJ標稱脈衝能量下，光源205之輸出功率(其為光束260之功率)為90 W。作為另一實例，在6000 Hz之標稱脈衝重複率及20 mJ標稱脈衝能量下，光源205之輸出功率(其為光束260之功率)為120 W。 另外，控制器270藉由將一或多個信號發送至光源205來控制光源205發射一光脈衝或包括一或多個光脈衝之叢發的時間。光束260可包括在時間上彼此分開之一或多個叢發。每一叢發可包括一或多個光脈衝。在一些實施中，一叢發包括數百個脈衝，例如，100至400個脈衝。 亦參看圖3，控制器270可經組態以將晶圓曝露信號300發送至光源205，以控制光源205將晶圓120曝露至光束260。晶圓曝露信號300可在晶圓120被曝露時具有高值305 (例如，1)且在晶圓120並未被曝露時具有低值310 (例如，0)。另外，控制器270將閘極信號315發送至光源205。閘極信號315在一脈衝叢發期間具有高值320 (例如，1)且在連續叢發之間的時間期間具有低值325 (例如，0)。控制器亦將觸發信號330發送至光源205。觸發信號330在光源205之每一脈衝期間具有高值335 (例如，1)且在每一連續脈衝之間的時間內具有低值340 (例如，0)。 如上文所論述，當藉由將電壓施加至電極217來抽汲增益介質219時，增益介質219發射光。當電壓以脈衝被施加至電極217時，自介質219發射之光亦經加脈衝。因此，藉由電壓被施加至電極217時的速率判定脈衝式光束260之重複率，其中每次施加電壓產生一光脈衝。觸發信號330 (例如)可用以控制電壓至電極217之施加及脈衝之速率。光脈衝經由增益介質219傳播且經由輸出耦合器218離開腔室214。因此，藉由週期性地、反覆地將電壓施加至電極217來形成一系列脈衝。 亦參看圖4A，展示了一例示性光學系統400之方塊圖。光學系統400包括一光學源405 (其可為(例如)準分子雷射)及一控制系統450。光學源405可被用作系統100中之光源105或被用作系統200中之主控振盪器211。控制系統450藉由將包括校正波形之信號457 (U )提供至光學源405來最小化或減少由光學源405產生之光束424中的波長誤差(自中心波長或另外所要的波長之偏差)。 控制系統450包括一窄頻干擾模組470，其基於所量測之資料動態估計窄頻干擾之干擾狀態且基於所估計狀態產生減少或消除窄頻干擾之效應的校正波形。所估計干擾狀態表示窄頻干擾之特性。舉例而言，窄頻干擾可由包括用於干擾之量值之一值的狀態及包括用於干擾之相位之值的狀態表示。該等狀態在每一控制事件之前進行估計。控制事件出現在控制系統450將信號457提供至光學源405時，其中在以下論述中，個別控制事件由k 索引。藉由估計每一控制事件之干擾狀態，狀態之估計係動態的。因此，即使窄頻干擾之特性隨時間改變，窄頻干擾模組470亦允許主動補償出現在光學源405中之窄頻干擾。在給定關於頻譜中之任一頻率及由光學源405在彼頻率下應用校正波形之能力的先前資訊之情況下，此窄頻干擾模組470可用以補償存在於此頻率下之窄頻干擾。 除窄頻干擾以外，出現於光學源405中之各種其他干擾及實體效應可對波長誤差有影響。舉例而言，波長誤差可由與光學源405中之光相互作用的光學元件442之位置、漂移或瞬時效應所造成。在一些實施中，控制系統450亦包括一波長估計模組460，其說明除窄頻干擾之外的效應。在此等實施中，控制系統450產生減少窄頻干擾之效應且亦提供額外補償之一輸出。 光學源405包括一振盪器412，其包括具有兩個細長電極417之一放電腔室414、一增益介質419 (其為混合氣體)，及用於使增益介質419循環之風扇(或吹風機) 421。在圖4A之實例中，風扇421被定位於電極417中之一者下方。然而，其他位置係可能的。舉例而言，風扇421可被置放於電極417中之一者上方。風扇421可被置放於允許風扇421使增益介質419在腔室414中循環的任何位置中。 在一些實施中，風扇421包括沿圓周存在於表面上之複數個葉片，且葉片圍繞中心以週期性或規則方式旋轉。此實施之實例展示於圖4C及圖4D中，圖4C展示可被用作風扇421之風扇521的透視圖，圖4D展示風扇521之透視側視圖。風扇521為圍繞縱向軸線523旋轉之一旋轉風扇。風扇521包括一外部部分522，其具有複數個區段524，其中每一者由隔框526分隔開。例示性風扇521包括十八個(18)個區段，但可使用其他數目個區段。每一區段524具有複數個葉片528。葉片528可以多種方法配置，且可具有多種形狀。舉例而言，葉片528可具有螺旋形狀。另外，區段524可具有相同數目個葉片，或在該複數個區段當中，葉片之數目可不同。葉片可以有序方式進行配置，或可處於隨機位置中。圖4C及圖4D之例示性風扇521具有葉片528，該等葉片經配置呈雙V形或雙螺旋扇葉配置。當風扇521被用作風扇421時，葉片528之此配置可減少風扇521之旋轉對(例如)增益介質419具有的聲學影響。風扇之另一實例實施揭示於美國專利第8,855,166號中，且(例如)關於美國專利第8,855,166號之圖13至圖18進行展示及論述。 在電極417之點火期間產生的聲波可自風扇421之移動葉片(當風扇421被實施為風扇521時的葉片524)反射離開，且可在葉片旋轉之頻率及其較高階諧波下創造增益介質419之密度的變化。介質419之變化可使在放電腔室414中傳播之光偏轉，藉此改變光之波長且引起波長誤差。 在放電腔室414之一側上的線窄化模組416與放電腔室414之第二側上的輸出耦合器418之間形成諧振器。當電壓被施加至電極417時，增益介質419發射沿光束路徑413在諧振器中傳播的光以形成脈衝式光束424。線窄化模組416包括一光學元件442，其藉由(例如)反射及/或折射在諧振器中傳播之光來與該光相互作用。光學元件442可為一繞射光學器件，諸如，精細地調諧光束424之光譜輸出的光柵。在一些實施中，光學元件442為基於光之波長將光分散的一反射元件，諸如，稜鏡。光學元件442可具有折射及反射組件兩者。光學元件442可為光學元件之集合，其中之一些折射且其中之一些反射，或其皆為相同類型之元件。 光學元件442耦接至一致動器444，其可控制以移動或修改光學元件442之形狀。致動器444可為能夠使光學元件442移動或改變形狀的任何類型之致動器。舉例而言，致動器444可為回應於電壓之施加而改變形狀及/或大小的一壓電轉導器(PZT)。在此實例中，施加電壓以改變致動器444之形狀使光學元件442移動。光學元件442可經由直接或間接實體接觸耦接至致動器444。舉例而言，致動器444可觸控光學元件442或觸控光學元件442之元件(諸如，安裝件)。在一些實施中，致動器444使光學元件442在未進行實體接觸之情況下移動。 光學源405亦包括一線中心分析模組420，其自輸出耦合器418接收輸出光束以形成脈衝式光束424。線中心分析模組420為監視及/或量測脈衝式光束424之脈衝之波長的量測系統。在一些實施中，線中心分析模組420量測脈衝式光束424中的每一脈衝之波長，且經由信號Y (458)將波長量測提供至控制系統450。波長量測可為表示所量測波長與中心波長之間的差之波長誤差。在脈衝式光束424之時間重複率下提供波長量測。脈衝式光束424之時間重複率可不同於控制事件發生之速率。 系統400亦包括控制系統450。控制系統450自線中心分析模組420接收資料及/或信號，諸如，由指示脈衝式光束中之一或多個脈衝之波長或脈衝式光束424之時間重複率的信號458提供之資料。此資料在光束424之時間重複率下於控制系統處接收。 控制系統450包括一估計模組451及一致動控制455。估計模組451估計表示為時變陣列X之干擾狀態，其影響光學源405 (諸如光學元件442)中之組件的波長以及狀態，且將估計提供至致動控制455。基於所估計狀態，致動控制455判定一信號U (457)，該信號在被施加至光學源405時使致動器444以補償經預測存在於光學源405中之窄頻干擾的方式移動。信號457可表示相對於當前所施加或最近施加之信號的改變量。 窄頻干擾模組470估計窄頻干擾之狀態，且所估計之狀態含於X中。在一些實施中，窄頻干擾可經模型化具有兩個干擾狀態：同相分量之狀態(xi )及正交分量之狀態(xq )。同相與正交分量之總和(當以向量方式相加時)導致表示窄頻干擾之波形。以此方式，判定含有窄頻干擾之特性化的狀態X允許致動控制455產生抵消各干擾及效應當中之窄頻干擾之一校正信號。 當發生下一控制事件(k+1 ) (其為緊接當前控制事件k 之後的控制事件)時，可用具有等式(1)中所示之形式的正交振盪器模型來估計腔室414中之窄頻干擾的狀態：
Figure 02_image001
(1)， 其中，Tp 為預測週期，w 為雜訊分量，k 索引控制事件(將信號457提供至光學源405)，且ω 為以弧度每秒計的窄頻干擾之頻率(其可為混疊頻率)。控制事件可按(例如) 6250 Hz之頻率發生(其中每0.16毫秒發生一控制事件)。預測週期Tp 為狀態X之估計之間的時間，且可等於或大於發生有控制事件之頻率的倒數。因此，相比存在控制事件，可存在更多預測。 窄頻干擾之頻率(ω )取決於引起干擾之組件的速度、彼組件之設計及/或時間重複率。舉例而言，當窄頻干擾自風扇421引起時，等式(2)提供窄頻干擾之頻率：
Figure 02_image003
(2)， 其中ω 為窄頻干擾之混疊頻率(以Hz為單位)，h 為表示諧波之整數一(1)或更大數(其中h = 1表示基本頻率)，且b 為表示風扇421上之環形葉片之數目的整數。 將自等式(2)產生之ω 用於等式(1)中導致對在下一控制事件(k+1) 發生時被預測為存在於光學源405中的窄頻干擾之狀態之值的一估計(含於X中)。將具有此等兩個經估計狀態之波形的量值可自等式3判定：
Figure 02_image005
(3)。 將具有此等兩個狀態之波形的相位可自等式(4)判定
Figure 02_image007
(4)。 因此，自等式(3)及(4)，可判定具有與窄頻干擾相同之量值及不同之相位的校正波形。表示該校正波形之資料可為(例如)一正弦電壓信號，該正弦電壓信號具有等於針對窄頻干擾進行估計或判定之頻率及量值的頻率及量值及與窄頻干擾之所估計相位180°異相的相位。另外，可判定窄頻干擾之任何數目諧波的校正波形。 在一些實施中，估計模組451亦包括波長估計模組460，其模型化不同於由窄頻干擾模組470模型化之干擾及系統變化的干擾及系統變化。此實施之一實例展示於圖4B中，該圖為包括波長估計模組460及窄頻干擾模組470兩者的具有一模型456之估計模組451之實施之方塊圖。 波長估計模組460包括一致動器動力學模組461及一二次干擾模組463。致動器動力學模組461提供光學元件442及/或致動器444之行為的模型。此模型可用以進行光學元件442及/或致動器444之狀態的週期性預測。光學元件442之狀態可包括(例如)表示光學元件442之位置及/或速度的一或多個值。 致動器動力學模組461回應於輸入被施加至致動器444而提供致動器444之實體移動或動作的模型。舉例而言，在致動器444為PZT之個例中，致動器動力學模組461將致動器444模型化為二階系統。致動器444之狀態可為可隨時間變化的與致動器444相關聯之任何數量或品質。舉例而言，狀態可為被施加至致動器444之電壓。致動器444之狀態可包括一個以上數量或品質。舉例而言，致動器之狀態可為當前位置，及一或多個尺寸的致動器之電流速度，及最近被施加至致動器444之電壓。二次干擾模組463模型化不同於窄頻干擾的光學源405中之經充分理解之干擾。舉例而言，二次干擾模組463可模型化隨時間之波長漂移。 在估計模組451中，波長估計模組460之輸出被用於窄頻干擾模組470之輸出中，或與該輸出一起使用，以形成狀態空間動態模型480。此狀態空間模型480包括矩陣A及B，其中矩陣A及矩陣B之元素包括窄頻干擾模組470及波長估計模組460。矩陣A及B被提供至更新模組485，該更新模組基於當前控制事件下的值Xk 及致動信號Uk 預測或估計下一控制事件(k+1) 之狀態陣列X。使用等式(5)，可獲得狀態Xk+1 之估計：
Figure 02_image009
(5) 其中k 索引控制事件(其中k 為當前控制事件且k+1 為下一個或緊接著的後續事件)，且U 表示由致動控制455判定之控制信號457。因此，Xk 為光學源405中的一或多個組件或條件之當前狀態，Uk 為來自致動控制455的最近施加之或當前輸出(信號457)。先前值Xk 儲存於電子儲存器453中，且可自該電子儲存器獲得，且值Uk 可自致動控制455獲得。因此，Xk+1 可自等式(5)判定。 如上文所示之方法係基於已知關於光學源405的先驗資訊，諸如，包括於模型456及狀態空間動態模型480中之資訊。然而，假定為關於光學源405之準確資訊的此先前資訊可能歸因於系統或其他未經捕獲之資訊之間的變化而並非完全準確。更新模組485之第二功能為使用經由信號458自線中心分析模組420接收之先前波長量測，以將狀態估計Xk 更新為更接近現實，從而產生基於所量測資料之經更新量測
Figure 02_image011
。可(例如)使用卡爾曼(Kalman)濾波器執行此量測更新。若窄頻干擾之量值及/或相位隨時間改變，則此允許控制系統450改變窄頻干擾之量值及/或相位。接著可自如下等式(6)獲得狀態Xk+1 之估計：
Figure 02_image013
(6) 在判定Xk+1 之後，估計模組451將Xk+1 提供至致動控制455。致動控制455判定信號457，該信號若在下一控制事件(k+1) 時被提供至光學源405，則U 將作用於光學源405及/或光學源405之一組件，以在滿足某些約束時達成接近於光束424之所要波長的波長。此所要波長可為(例如)中心波長。信號457之判定可包括(例如)最佳化U 值(被提供至光學源405之信號)，以考量約束，鑒於包括於X中之值來最小化波長誤差。最佳化中所用之約束之一實例可為U 之絕對值小於臨限值。舉例而言，U 可表示被施加至致動器444以移動光學元件442之電壓或電流。抑制較大U 值之約束可防止較大電流或電壓被施加至致動器。另外，在此實例中，較大U 值可指示由不同於窄頻干擾之事物所引起的誤差。最佳化可被實施為(例如)線性二次調整器(LQR)。致動控制455之輸出可為接著以線性方式被加至目前Uk 值之U 的遞增改變。 因此，致動控制455判定下一值控制信號457或控制信號457之遞增改變(其中任一者在此實例中表示為Uk+1 )，且將彼控制信號457提供至光學源405。因為Uk+1 係自Xk+1 (其係波長誤差之原因之分量及/或條件的狀態)及Uk (控制信號457之先前所施加的值)判定，所以將包括Uk+1 之信號施加至光學源405導致具有更接近於中心波長的波長，且因此具有得以減少之波長誤差的光束。另外，因為估計模組451包括窄頻干擾模組470，所以Uk+1 亦包括減少或消除窄頻干擾之校正波形。 控制系統450亦包括一電子處理器452、一電子儲存器453及一輸入/輸出(I/O)介面454。電子處理器452包括適合於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如，一般或特殊用途微處理器，及任何種類之數位電腦的任何一或多個處理器。通常，處理器自唯讀記憶體或隨機存取記憶體或兩者接收指令及資料。電子處理器452可為任何類型電子處理器。 電子儲存器453可為諸如RAM之揮發性記憶體或非揮發性記憶體。在一些實施中，且電子儲存器453可包括非揮發性及揮發性部分或組件兩者。電子儲存器453可能將指令儲存為一電腦程式，該電腦程式在被執行時，使處理器452與控制系統450及/或光學源405中之其他組件通信。舉例而言，該等指令可為使電子儲存器453儲存與脈衝式光束424中之脈衝之波長有關之資料的指令。該等指令可為使電子處理器452分析所儲存之資料且基於該所儲存之資料來產生一電壓信號的指令。 I/O介面454為允許控制系統450與業者、光學源405及/或在另一電子器件上執行之自動化之處理程序一起接收及/或提供資料及信號之任何種類的電子介面。舉例而言，I/O介面454可包括視覺顯示器、鍵盤或通信介面中之一或多者。 參看圖5，其展示例示性處理程序500之流程圖。處理程序500主動地補償及/或拒絕窄頻干擾。 處理程序500係參考圖4A及圖4B中所示之控制系統450及光學源405來進行論述。然而，其他實施係可能的。舉例而言，過程500可係由控制系統170或270中之一或多個電子處理器執行。在一些實施中，處理程序500係由分佈於光學源405內及/或光學源405外部之電子處理器執行。此外，處理程序500可經實施為能夠被儲存於電腦可讀媒體上之機器可讀及可執行指令，使得處理程序500可被安裝至光源之現有控制系統上作為升級或修整。舉例而言，處理程序500可作為軟體更新而得以安裝，以將額外功能性添加至已包括諸如波長估計模組460之模組的控制系統。 接收一脈衝式光束(505)。該脈衝式光束係自振盪器412發射，且具有時間重複率。時間重複率為脈衝式光束中之兩個連續光脈衝之間的時間。時間重複率可(例如)大於500 Hz、介於500 Hz與6000 Hz之間、介於5990 Hz與6 000 Hz之間，或大於6000 Hz。 可在線中心分析模組420或量測、監視或判定脈衝式光束之特性(諸如，波長)之另一模組處接收光束。該光束可為脈衝式光束424。在其他實例中，光束可為由準分子雷射產生之脈衝式雷射光束、經放大脈衝式光束，或來自並非為雷射之光學源的脈衝式光束。 該光束與中心波長相關聯。表示該光束之波長的信號458被提供至控制系統450。可在每當接收到一光脈衝時提供信號458之一執行個體。因此，控制系統450可在等於在線中心分析模組420處接收脈衝時之頻率的一頻率下接收經更新信號458。 該光束與光學源405經預期產生光之標稱或中心波長相關聯。光束可歸因於腔室414中之干擾而與中心波長偏離。舉例而言，窄頻干擾可出現在光學振盪器412或光學源405之任一組件中。窄頻干擾為僅存在於相對於整個頻譜之單一頻帶或小頻帶處的干擾。窄頻干擾之量值表示干擾對波長的影響。光學源405中之窄頻干擾可含有複數個窄頻干擾，其中每一者按分開且相異之頻率發生，或在分開且相異之頻帶內發生，且具有不同量值。每一窄頻干擾按增益介質419中之干擾之頻率於光束路徑中創造密度差。此可藉由(例如)使光偏轉且改變該光進入線窄化模組416之角度，因此改變光之波長，藉此增大波長誤差來影響光在振盪器412中之傳播。 判定振盪器中之窄頻干擾的頻率(510)。儘管窄頻干擾之實體表現可具有在時間上固定之頻率，但如自波長誤差所量測的干擾之頻率可顯現為隨脈衝式光束之時間重複率變化的混疊頻率。在腔室414中沿光束路徑413行進的光具有按等於光束之重複率之頻率出現的脈衝。以此方式，在光束路徑413上傳播之光按時間重複率取樣的窄頻干擾之基本及諧波頻率。若基本及/或諧波頻率大於重複率之一半，則基本及/或諧波頻率歸因於有限取樣速率而混疊。 基本及諧波頻率混疊至的各別頻率取決於光束之時間重複率(取樣速率)，且混疊頻率可基於時間重複率進行判定。舉例而言，可自實際干擾頻率與時間重複率之間的數學關係來判定混疊頻率。等式2 (在下文中再現且在上文中關於圖4A及圖4B進行論述)展示可用以判定與風扇421造成之窄頻干擾相關聯之混疊頻率的等式之一實例：
Figure 02_image015
(2)。 可自取決於時間重複率、系統設計細節及/或光學源405中之組件移動之頻率的其他等式判定窄頻干擾之頻率。 在一些實施中，諸如等式2之等式及/或所觀察資料可用以產生頻率映射600，該頻率映射使窄頻干擾之混疊頻率與光束424之時間重複率有關。頻率映射600可用以判定窄頻干擾之頻率(基本及/或諧波)的混疊值。亦參看圖6，展示一例示性頻率映射600，該頻率映射用曲線表示隨光束之時間重複率而變的混疊頻率(Hz)。 針對具有二十三個(23)葉片且以速度5000 rpm旋轉之吹風機(風扇)估計展示於頻率映射600上的資料。基本頻率(Hz)及基本頻率之諧波之頻率(Hz) (每一者表示由風扇引起的窄頻聲學干擾)取決於風扇之幾何結構及其旋轉速度，且由等式(7)給出：
Figure 02_image017
(7)， 其中h 為諧波(1或更大的整數)，且b 為風扇中之葉片的數目。窄頻聲學干擾之其他源可用考量產生干擾之組件的設計、幾何結構及運動之等式來表達。 經模型化以產生頻率映射600之窄頻干擾的頻率自等式7所給出之值f 混疊。如等式7所示，在無混疊之情況下，窄頻干擾之基本及諧波頻率係固定的，且並不取決於時間重複率。自圖6，混疊之存在為顯而易見的，該圖展示頻率對光束之時間重複率的依賴性。 另外，在一些時間重複率下，混疊諧波交叉，從而指示不同諧波混疊至同一頻率。在頻率映射600中，此按許多時間重複率出現，包括(例如) 3500 Hz。對於產生時間重複率為3500 Hz之脈衝式光束的光學源，頻率映射600指示第五(第5)及第六(第6)諧波之頻率兩者混疊至1000 Hz。 光束之時間重複率係已知的，或可在光學源405之操作期間自被施加至電極417之電壓之型樣進行判定。使用已知時間重複率，可自頻率映射600判定窄頻干擾之頻率。舉例而言，對於時間重複率6000 Hz，頻率映射600展示第二諧波(其具有未經混疊之頻率3833 Hz)混疊至約2166 Hz之頻率(用標記605展示於頻率映射600上)。干擾之第五諧波(其具有未經混疊之值9585 Hz)混疊至頻率2415 Hz (用標記610展示於頻率映射600上)。 因此，可自頻率映射600判定與窄頻干擾相關聯的一或多個頻率。如圖6之實例中所示，可以圖形方式實施頻率映射600。在一些實施中，頻率映射可表達為儲存於查找表中的數值之集合。在一些實施中，自業者或自動化之處理程序接收窄頻干擾之該(或該等)頻率作為輸入。 可以其他方式判定窄頻干擾之該或該等頻率。舉例而言，可自波長誤差之功率譜密度(PSD)判定窄頻干擾之頻率。亦參看圖7，其展示了作為基於所量測波長誤差之頻率(Hz)之函數的波長誤差之單側功率譜密度(分貝/Hz)的實例。藉由取隨時間而變的波長誤差資料之1024點快速傅立葉變換(FFT)且計算FFT之量值來判定功率譜密度。波長誤差資料包括針對光束中之數百或數千個脈衝之集合中的每一脈衝之波長誤差。 在圖7中所示之實例中，光束之時間重複率為6000 Hz，且風扇421包括以5000 rpm旋轉之二十三(23)個葉片。峰值705、710及715分別展示由風扇421所造成之窄頻干擾的基本、第二及第五諧波之比重的功率。在此實例中，功率譜密度中之尖峰表示窄頻干擾，且按風扇421之運動的基本頻率出現，其中額外峰值按對應於基本頻率之諧波的頻率出現。其他實體效應(諸如，來自不同於風扇421之組件的振動)可引起光學源405中之窄頻干擾。在不顧及窄頻干擾之原因的情況下，該窄頻干擾造成按干擾之該或該等頻率在波長誤差之功率譜密度中之尖峰(集中在單一頻率或含有幾個頻率之頻帶上方的功率之增大)及波長積分之對應增大。 在一些實施中，可或許藉由自動化之電子處理程序來分析波長誤差之PSD (諸如，PSD 700)，以識別指示在彼等頻率下存在窄頻干擾之峰值(PSD之最大值)。峰值出現之該或該等頻率可被用於窄頻干擾模組470及狀態空間模型480中，以使用等式1來判定窄頻干擾之狀態X。 返回至圖5，基於混疊頻率產生一校正波形(515)。該校正波形可基於狀態，其向量和表示在校正波形被施加至光學源405時被預測為存在於腔室中之窄頻干擾。如上文關於等式1所論述，狀態之估計係基於窄頻干擾之頻率，該頻率可為混疊頻率。干擾狀態可包括一同相分量及一正交分量。在一些實施中，干擾狀態中之一者表示窄頻干擾之量值且干擾狀態中之另一者表示窄頻干擾之相位。 干擾狀態之估計可按大於或等於光束之時間重複率的速率進行動態更新。以此方式，干擾狀態之估計考量在光學源405之操作期間發生的改變。 校正波形具有與所估計之窄頻干擾相同的頻率及量值，及與該窄頻干擾不同的相位。因此，校正波形用以取消或減少窄頻干擾。在一些實施中，校正波形具有與窄頻干擾之相位180°相反的相位。 除包括關於窄頻干擾之資訊以外，在一些實施中，校正波形亦包括關於可造成波長誤差之光學源405中之其他干擾及條件的資訊。在此等實施中，波長估計模組460可用以判定表示此等條件及額外干擾之狀態。在此等實施中，處理程序500補償窄頻干擾及波長誤差之額外源。 只要校正波形或來源於該校正波形之信號具有足以使光學源405或光學源405中之一組件回應於施加校正波形而以補償窄頻干擾(及可能的其他干擾)之方式做出反應的資訊，校正波形便可採取任何形式。舉例而言，校正波形可為除補償額外干擾之電壓信號之外的亦包括出現窄頻干擾時之一或多個頻率下的正弦波之電壓信號。將校正波形施加至光學源405可使致動器444及光學元件442移動。在一些實施中，校正波形為經由另外的電子處理轉換成一或多個類比電壓校正波形之數位信號之集合。另外，在一些實施中，校正波形為表示如與先前波形相比之改變(或增量)的波形。 藉由基於所產生之校正波形修改脈衝式光束之特性來補償窄頻干擾(520)。脈衝式光束424之特性可為(例如)光束424之波長。窄頻干擾可包括(例如)基本頻率之複數個諧波。校正波形可為(例如)在基本頻率及諧波中之每一者包括一正弦波的電壓信號，該正弦波在每一頻率具有不同於窄頻干擾之相位(例如，與其相反)的一相位。可將電壓信號施加至致動器444以使光學元件442移動，其方式為使得在腔室414中傳播之光以抵消將由窄頻干擾造成之偏轉的方式進行偏轉。藉由以此方式移動光學元件442，光束424之頻率保持為或變得更接近中心波長，因此減小波長誤差且減小與窄頻干擾相關聯之頻率下的波長誤差之比重。 參看圖8，曲線805及810展示波長誤差之例示性功率譜密度。展示為實線且在圖例中標記為「無色調補償(Without Tone Compensation)」之曲線805表示在未主動補償窄頻干擾之情況下的波長誤差之PSD。展示為虛線且在圖例中標記為「具有色調補償(With Tone Compensation)」之曲線810表示在相同條件下但在使用諸如上文論述之處理程序500之處理程序補償窄頻干擾之後收集的波長誤差資料形成的PSD。 經收集以產生曲線805及曲線810之波長誤差資料係自150個脈衝叢發(其中每一叢發包括數百個脈衝)收集，該等脈衝叢發來自時間重複率為5 995 Hz，腔室溫度為65℃且具有以速度5000 rpm旋轉之23葉片吹風機(風扇)之準分子雷射。在此組態中，吹風機具有在3833 Hz下之第二諧波，其在2157 Hz下混疊。在此實例中，由第二諧波造成之干擾產生對波長誤差之最大影響。 如所示，應用對窄頻干擾之補償將第二諧波對波長誤差之比重的量值減少20分貝(dB)以上。第二諧波之頻率下的相對比重之減小使波長之標準差減小，且因此減小由光學源產生之波長可變性。 參看圖9，展示隨自圖8中所示之資料導出之叢發數目而變的每一叢發之最大波長積分之曲線。曲線900包括並為補償窄頻干擾之資料的波長積分905，及補償窄頻干擾之資料的波長積分910。如藉由比較曲線905與曲線910所展示，補償窄頻干擾減小所有所觀察之叢發的最大波長積分。另外，波長積分905及910係在十個(10)分開測試(或晶圓)上進行收集，展示了結果係可重複的。 其他實施處於以下申請專利範圍之範疇內。
100:光微影系統 105:光學(或光)源 115:微影曝露裝置 120:晶圓 125:投射光學系統 160:光束 170:控制器 200:光微影系統 205:光源 212:主控振盪器 214:放電腔室 216:線窄化模組 217:細長電極 218:輸出耦合器 219:增益介質 220:線中心分析模組 222:光束修改光學系統 224:種子光束 230:功率放大器 232:光束修改光學系統 240:放電腔室 241:細長電極 252:光束轉向光學元件 260:脈衝式光束 262:頻寬分析模組 270:控制系統 300:晶圓曝露信號 305:高值 310:低值 315:閘極信號 320:高值 325:低值 330:觸發信號 335:高值 340:低值 400:光學系統 405:光學源 412:振盪器 413:光束路徑 414:放電腔室 416:線窄化模組 417:細長電極 418:輸出耦合器 419:增益介質 420:線中心分析模組 421:風扇(或吹風機) 424:脈衝式光束 442:光學元件 444:致動器 450:控制系統 451:估計模組 452:電子處理器 453:電子儲存器 454:輸入/輸出(I/O)介面 455:致動控制 456:模型 457:信號 458:信號 460:波長估計模組 461:致動器動力學模組 463:二次干擾模組 470:窄頻干擾模組 480:狀態空間動態模型 485:更新模組 521:風扇 522:外部部分 523:縱向軸線 524:區段 526:隔框 528:葉片 600:頻率映射 605:標記 610:標記 700:功率譜密度(PSD) 705:峰值 710:峰值 715:峰值 805:曲線 810:曲線 900:曲線 905:波長積分/曲線 910:波長積分/曲線
圖1為一例示性光微影系統之方塊圖。 圖2為另一例示性光微影系統之方塊圖。 圖3為用以控制光學源(其為光微影系統之部分)的例示性信號之跡線。 圖4A為包括一光源及一控制系統的一例示性光學系統之方塊圖。 圖4B為可用於圖4A之控制系統中的一例示性估計模組之方塊圖。 圖4C為可用於圖4A之光源中的一例示性風扇之透視圖。 圖4D為圖4C之例示性風扇之側視圖。 圖5為用於補償窄頻干擾之一例示性處理程序之流程圖。 圖6為以曲線圖表示隨窄頻干擾之各種諧波之重複率而變的混疊頻率之一例示性頻率映射。 圖7及圖8為波長誤差之功率譜密度之例示性曲線。 圖9為基於圖8中所示之波長誤差之功率譜密度的波長積分之例示性曲線。
400:光學系統
405:光學源
412:振盪器
413:光束路徑
414:放電腔室
416:線窄化模組
417:細長電極
418:輸出耦合器
419:增益介質
420:線中心分析模組
421:風扇(或吹風機)
424:脈衝式光束
442:光學元件
444:致動器
450:控制系統
451:估計模組
452:電子處理器
453:電子儲存器
454:輸入/輸出(I/O)介面
455:致動控制
457:信號
458:信號
460:波長估計模組
470:窄頻干擾模組

Claims (22)

  1. 一種補償一光學源中之一干擾之方法，包含：判定一脈衝式光束之第一波長誤差，該等第一波長誤差係基於與該脈衝式光束相關聯之一中心波長及該脈衝式光束之第一複數個脈衝之實際波長；判定與該光學源中之該干擾相關聯之一頻率，該所判定之頻率為一混疊頻率(aliased frequency)；施加一校正至該脈衝式光束，該校正係基於該混疊頻率；及判定該脈衝式光束之第二波長誤差，該等第二波長誤差係基於該中心波長及該脈衝式光束之第二複數個脈衝之實際波長，該第二複數個脈衝發生於該校正被施加於該脈衝式光束之後，其中：該等第二波長誤差之一變化(variation)小於該等第一波長誤差之一變化、或至少一該等第二波長誤差小於全部的該等第一波長誤差。
  2. 如請求項1之方法，其中該等第二波長誤差之該變化小於該等第一波長誤差之一變化、且至少一該等第二波長誤差小於全部的該等第一波長誤差。
  3. 如請求項1之方法，其中施加一校正至該脈衝式光束包含基於該混疊頻率判定一校正波形。
  4. 如請求項3之方法，其中施加一校正至該脈衝式光束包含施加該所判 定之校正波形至一光學總成，該光學總成包含經定位以與在該光學源中傳播之光相互作用之一光學元件，該校正波形至該光學總成之該施加足以移動該光學元件。
  5. 如請求項3之方法，其中該校正波形包含與該干擾之一振幅實質上相同之一振幅，及相對於該干擾之一相位而移位之一相位。
  6. 如請求項5之方法，其中該校正波形之該相位相對於該干擾之該相位被移位一百八十度。
  7. 如請求項1之方法，其中該干擾包含複數個分開且相異之頻率。
  8. 如請求項7之方法，其中該複數個頻率包含一基本頻率，及該基本頻率之一或多個諧波。
  9. 如請求項1之方法，其中該脈衝式光束與一重複率相關聯，且該混疊頻率隨著該重複率而變化。
  10. 如請求項1之方法，其中該第一複數個脈衝與該第二複數個脈衝包含相同數量的脈衝。
  11. 如請求項1之方法，其中：該中心波長為在該脈衝式光束中的該等脈衝之一標稱(nominal)波 長，該等第一波長誤差包含該中心波長以及用於在該第一複數個脈衝中的每一該等脈衝之該實際波長之間的一差異，及該等第二波長誤差包含該中心波長以及用於在該第二複數個脈衝中的每一該等脈衝之該實際波長之間的一差異。
  12. 如請求項11之方法，其中該等第一波長誤差之該變化包含該等第一波長誤差之一標準差，該等第二波長誤差之該變化包含該等第二波長誤差之一標準差。
  13. 如請求項11之方法，進一步包含：基於所量測之資料判定在該第一複數個脈衝中的每一脈衝的該實際波長；及基於所量測之資料判定在該第二複數個脈衝中的每一脈衝的該實際波長。
  14. 一種光學系統，包含：一光學源，經組態以產生一脈衝式光束，該脈衝式光束與一中心波長相關聯，該光學源包含：一腔室；在該腔室中之一氣體增益介質(gaseous gain medium)；一光學總成，包含至少一光學元件；及一風扇，經組態以循環該腔室中的該氣體增益介質；及一控制系統，經組態與該光學源通信，該控制系統經操作以： 判定一脈衝式光束之第一波長誤差，該等第一波長誤差係基於該中心波長及該脈衝式光束之第一複數個脈衝之實際波長；判定與該光學源中之一干擾相關聯之一頻率，該所判定之頻率為一混疊頻率(aliased frequency)；施加一校正至該脈衝式光束，該校正係基於該混疊頻率；及判定該脈衝式光束之第二波長誤差，該等第二波長誤差係基於該中心波長及該脈衝式光束之第二複數個脈衝之實際波長，該第二複數個脈衝發生於該校正被施加於該脈衝式光束之後，其中：該等第二波長誤差之一變化小於該等第一波長誤差之一變化、或至少一該等第二波長誤差小於全部的該等第一波長誤差。
  15. 如請求項14之系統，進一步包含一線中心分析模組，該線中心分析模組經組態以量測該脈衝式光束中的脈衝之該波長。
  16. 如請求項15之系統，其中該控制系統經操作以基於來自該線中心分析模組之該等第一複數個脈衝中的該等脈衝之一波長之一指示而判定該等第一複數個脈衝之該等實際波長，且該控制系統經操作以基於來自該線中心分析模組之該第二時間中的該脈衝式光束之一波長之一指示而判定該等第二複數個脈衝之該等第二實際波長。
  17. 如請求項14之系統，其中該控制系統經操作以施加一校正至該脈衝式光束，且包含該控制系統經操作以施加一校正波形至該光學源之該光學總成，該校正波形足以移動該光學源之該至少一光學元件。
  18. 如請求項17之系統，其中該至少一光學元件包含一稜鏡。
  19. 如請求項14之系統，進一步包含一微影曝露裝置經組態與該控制系統通信。
  20. 如請求項14之系統，其中該風扇經組態以在一角頻率中旋轉，且該光學源中的該干擾與該風扇之該旋轉相關聯。
  21. 如請求項14之系統，其中該干擾包含複數個分開且相異之頻率。
  22. 一種用於一光學源之一控制系統，該控制系統包含：一或多個電子處理器；及一非暫時性電腦可讀儲存介質，該介質包含在被執行時使該一或多個電子處理器進行以下操作之指令：判定一脈衝式光束之第一波長誤差，該等第一波長誤差係基於與該脈衝式光束之一中心波長及該脈衝式光束之第一複數個脈衝之實際波長；判定與該光學源中之一干擾相關聯之一頻率，該所判定之頻率為一混疊頻率(aliased frequency)；施加一校正至該脈衝式光束，該校正係基於該混疊頻率；及判定該脈衝式光束之第二波長誤差，該等第二波長誤差係基於該中心波長及該脈衝式光束之第二複數個脈衝之實際波長，該第二複 數個脈衝發生於該校正被施加於該脈衝式光束之後，其中該等第二波長誤差之一變化小於該等第一波長誤差之一變化、或至少一該等第二波長誤差小於全部的該等第一波長誤差。
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