TWI752023B - 碳奈米管薄片構造體及層積體 - Google Patents

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TWI752023B
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Abstract

本發明係一種碳奈米管薄片構造體及層積體，其中，碳奈米管薄片構造體(1)係包含：碳奈米管薄片(20)，和具有與碳奈米管薄片(20)對向之第一基材面(11)之第一基材(10)，和使碳奈米管薄片(20)與第一基材(10)離間之第一墊片部(30)；第一基材(10)之第一基材面(11)係具有：形成有第一墊片部(30)之第一範圍(11a)，和未形成有第一墊片部(30)之第二範圍(11b)；第一基材(10)係在第一基材面(11)之第二範圍(11b)中，與碳奈米管薄片(20)離間。

Description

碳奈米管薄片構造體及層積體
本發明係有關碳奈米管薄片構造體及層積體。
以往，知道有使用碳奈米管之薄片。
對於文獻1(日本特許第5255021號公報)係揭示有：具備至少一枚之牽引構造碳奈米管薄膜，和兩個保護膜之碳奈米管構造體。在文獻1所記載之碳奈米管構造體中，碳奈米管薄膜係夾持於兩個保護膜之間。此保護膜係包含保護基膜及剝離層。對於文獻1係加以記載可堆疊由保護膜所夾持之碳奈米管薄膜而配置者。
自記載於文獻1之碳奈米管構造體，僅取出碳奈米管薄膜而使用之情況，有自碳奈米管薄膜剝離兩個保護膜之必要。但，碳奈米管薄膜係有附著性之故，當作為剝離一方之保護膜，而又欲剝離另一方之保護膜時，碳奈米管薄膜則成為直接附著於另一方之保護膜，而有碳奈米管薄膜產生斷裂之虞。更且，將碳奈米管薄膜返回至獨立(未有保護膜之自立的)狀態者係為困難。
本發明之目的係提供：對於使用時未使其斷裂而可取出碳奈米管薄片之同時，可堆疊而配置之碳奈米管薄片構造體及層積體者。
如根據本發明之一形態，係加以提供一種碳奈米管薄片構造體，其中，前述碳奈米管薄片構造體係含有：具有複數之碳奈米管則優先地排列於薄片之面內的一方向之構造的碳奈米管薄片，和具有與前述碳奈米管薄片對向之第一基材面的第一基材，和使前述碳奈米管薄片與前述第一基材離間之第一墊片部；前述第一基材之前述第一基材面係具有形成有前述第一墊片部之第一範圍，和未形成有前述第一墊片部之第二範圍；前述第一基材係在前述第一基材面的前述第二範圍中，與前述碳奈米管薄片離間之碳奈米管薄片構造體。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，更具有第二墊片部，前述第一基材係具有與前述第一基材面相反側的第二基材面，前述第二墊片部係加以形成於前述第二基材面，而在前述碳奈米管薄片構造體之厚度方向的剖面視，形成於前述第一基材面之前述第一墊片部的位置，和形成於前述第二基材面的前述第二墊片部的位置為重疊者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述碳奈米管薄片係具有：形成有前述第一墊片部之第一薄片面，和與前述第一薄片面相反側之第二薄片面，更含有具有對向於前述碳奈米管薄片之前述第二薄片面之第三基 材面的第二基材者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述碳奈米管薄片則加以配置於前述第三基材面上者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述第三基材面的表面粗度Ra1為0.05μm以上者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述第三基材面的表面粗度Ra1為10μm以下者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述碳奈米管薄片係具有：形成有前述第一墊片部的第一薄片面，和與前述第一薄片面相反側的第二薄片面，更含有具有對向於前述碳奈米管薄片之前述第二薄片面的第四基材面之第三基材，和使前述碳奈米管薄片與前述第三基材離間的第二墊片部；前述第三基材之前述第四基材面係具有：形成前述第二墊片部之第三範圍，和未形成有前述第二墊片部之第四範圍；前述第三基材係在前述第四基材面的第四範圍中，與前述碳奈米管薄片離間，加以配置於前述第一基材與前述碳奈米管薄片之間的前述第一墊片部之位置，和加以配置於前述第三基材與前述碳奈米管薄片之間的前述第二墊片部之位置則在前述碳奈米管薄片構造體的厚度方向之剖面視成為重疊者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，更包含：具有與前述第一基材之前述第一基材面對向之第五基材面的第四基材；前述第一墊片部係加以配置於前述第一基材與前述第四基材之間，前述第四基材的前述第五基 材面係具有：形成有前述第一墊片部之第五範圍，和未形成有前述第一墊片部之第六範圍；前述碳奈米管薄片係與前述第一基材面的前述第二範圍離間，加以配置於前述第五基材面的前述第六範圍上者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述第五基材面的前述第六範圍之表面粗度Ra1則為0.05μm以上者為佳。
在有關本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體中，前述第五基材面的前述第六範圍之表面粗度Ra1則為10μm以下者為佳。
另外，如根據本發明之一形態，提供加以複數層積有關前述之本發明之一形態的碳奈米管薄片構造體之層積體。
另外，如根據本發明之一形態，提供加以層積複數之碳奈米管薄片構造體的層積體，其中，前述碳奈米管薄片構造體係含有：具有複數之碳奈米管則優先地排列於薄片之面內的一方向的構造之碳奈米管薄片，和具有與前述碳奈米管薄片對向之第六基材面，及與前述第六基材面相反側之第七基材面的第五基材，和形成於前述第七基材面之第三墊片部；前述第七基材面係具有：形成有前述第三墊片部之第七範圍，和未形成有前述第三墊片部之第八範圍，在加以層積複數之前述碳奈米管薄片構造體的狀態中，前述碳奈米管薄片係與前述第七基材面的前述第八範圍離間的層積體。
在有關本發明之一形態的層積體中，在前述碳奈米管薄片構造體之前述碳奈米管薄片係加以配置於前述第五基材上，而前述第六基材面之表面粗度Ra1則為0.05μm以上者為佳。
在有關本發明之一形態的層積體中，前述第六基材面的表面粗度Ra1則為10μm以下者為佳。
如根據本發明，可提供對於在使用時未使其斷裂而可取出碳奈米管薄片，可堆疊而配置之碳奈米管薄片構造體及層積體者。
1‧‧‧碳奈米管薄片構造體
10‧‧‧第一基材
11‧‧‧第一基材面
12‧‧‧第二基材面
20‧‧‧碳奈米管薄片
21‧‧‧第一薄片面
22‧‧‧第二薄片面
30‧‧‧第一墊片部
50‧‧‧第二墊片部
100‧‧‧層積體
200‧‧‧第二基材
210‧‧‧第三基材面
300‧‧‧第三基材
310‧‧‧第四基材面
400‧‧‧第四基材
420‧‧‧剝離基材
430‧‧‧剝離劑層
圖1係有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖2係有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體的斜視圖。
圖3A係有關第一實施形態之層積體的剖面圖。
圖3B係有關第一實施形態之層積體的剖面圖。
圖4係有關第一實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的斜視圖。
圖5係有關第一實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的斜視圖。
圖6係有關第一實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的斜視圖。
圖7係有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體的剖 面圖。
圖8係有關第二實施形態之碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖9係有關第三實施形態之碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖10係有關第三實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖11係有關第三實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖12係有關第四實施形態之碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖13係有關第五實施形態之碳奈米管薄片構造體及層積體的剖面圖。
圖14係有關實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖15係有關實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖16係有關實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體及層積體的剖面圖。
圖17係有關實施形態之變形例的碳奈米管薄片構造體的剖面圖。
圖18係有關實施形態之變形例的層積體的剖面圖。
[第一實施形態]
圖1係有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1的剖面圖。
圖2係有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1的斜視圖。
碳奈米管薄片構造體1係包含：碳奈米管薄片20，和第一基材10，和使碳奈米管薄片20與第一基材10離間的第一墊片部30。在碳奈米管薄片構造體1中，依序加以層積碳奈米管薄片20，第一墊片部30，及第一基材10。
(第一基材)
第一基材10係在碳奈米管薄片構造體1中，支持碳奈米管薄片20之構件。對於第一基材10與碳奈米管薄片20之間係加以形成第一墊片部30。
第一基材10係具有：與碳奈米管薄片20對向之第一基材面11，和與第一基材面11相反側之第二基材面12。
第一基材面11係具有：形成有第一墊片部30之第一範圍11a，和未形成有第一墊片部30之第二範圍11b。然而，在本說明書中，形成有墊片部於基材係指：除了與基材的表面接觸而直接形成墊片部之情況之外，亦符合有為了提高基材的表面與墊片部之接著性，而於此等之間加以設置黏著劑層之情況，或為了提高此等之剝離性，而於基材與墊片部之間加以設置有剝離劑層之情況。
第一基材面11係至少在第一範圍11a中，為了提高第 一基材10與第一墊片部30之密著性，而加以施以底漆處理，電暈處理，及電漿處理等之至少一項的表面處理者為佳。
另外，第一基材面11係至少在第一範圍11a中，加以塗佈黏著劑而施以黏著處理亦可。作為使用於第一基材10或其他基材之黏著處理的黏著劑係例如，可舉出丙烯酸系，橡膠系，聚矽氧系，及胺甲酸乙酯系等之黏著劑。
第一基材10之厚度係10μm以上500μm以下者為佳，而15μm以上300μm以下者則更佳，20μm以上250μm以下者又為更佳。第一基材10係不僅為薄片的狀態，而亦可為長尺物的狀態。
作為第一基材10係例如，可使用薄片材料者。作為薄片材料之材質，係例如，可舉出合成樹脂薄膜等。作為合成樹脂薄膜係例如，可舉出聚乙烯薄膜，聚丙烯薄膜，聚丁烯薄膜，聚丁二烯橡膠薄膜，聚甲基戊烯薄膜，聚氯乙烯薄膜，氯乙烯共聚物薄膜，聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，聚萘二酸乙二醇酯薄膜，聚對苯二甲酸丁二酯薄膜，聚氨酯薄膜，乙烯醋酸乙烯酯共聚物薄膜，離子聚合物樹脂薄膜，乙烯．甲基丙烯酸甲酯共聚物薄膜，乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜，聚苯乙烯薄膜，聚碳酸酯薄膜，聚醯亞胺薄膜，及氟樹脂薄膜等。其他，做為第一基材10係可舉出此等之交聯薄膜或層積薄膜等。
在第一基材10中，與第一基材面11相反側的第二基材面12係具有剝離性者為佳。經由第二基材面12具有剝離性 之時，在自使碳奈米管薄片構造體1層積而加以形成之層積體，取出碳奈米管薄片構造體1時，可自第二基材面12，容易地剝離碳奈米管薄片20。
賦予剝離性於第一基材10之第二基材面12的方法係無特別加以限定。例如，第一基材10之第二基材面12則具備剝離劑層者為佳。剝離劑層係例如，加以塗佈剝離劑於第二基材面12而加以形成。作為剝離劑係例如，可舉出包含選自烯烴樹脂，橡膠系彈性體，長鏈烷基系樹脂，醇酸系樹脂，氟系樹脂，及聚矽氧系樹脂所成的群之至少一項的樹脂之剝離劑。作為橡膠系彈性體係例如，可舉出丁二烯系樹脂，及異戊二烯系樹脂。此等剝離劑之中，從碳奈米管薄片20之剝離性提升的觀點，含有氟系樹脂之剝離劑為佳。
剝離劑層之厚度係無特別加以限定。塗佈含有剝離劑之溶液而形成剝離劑層的情況，剝離劑層之厚度係0.01μm以上2.0μm以下者為佳、0.03μm以上1.0μm以下者則更佳。
在第一基材10中，與第一基材面11相反側的第二基材面12之表面粗度Ra1則為0.05μm以上者為佳。第二基材面12之表面粗度Ra1則為0.05μm以上時，在從層積體取出碳奈米管薄片構造體1時，未將與第一基材10之第二基材面12接觸之碳奈米管薄片20斷裂，而可容易地進行剝離者。第二基材面12之表面粗度Ra1係理想為0.1μm以上，而更理想為0.15μm以上。然而，在本申請書之表面粗度係意味算術平均粗度，依據JIS B0633：2001而使用觸針式表面粗 度計所測定的值。第二基材面12之表面粗度Ra1係10μm以下者為佳。當第二基材面12之表面粗度Ra1為10μm以下時，適度地加以維持第二基材面12之平滑性之故，而加以抑制因第二基材面12之凹凸引起之碳奈米管薄片20的破壞等之缺陷的產生。第二基材面12之表面粗度Ra1係更理想為5μm以下，而又更理想為3μm以下。
做為將第二基材面12之表面粗度Ra1控制為前述範圍之手段係例如，可舉出於構成第一基材10之樹脂等之材料，使粒子狀物質含有的方法，在熔融形成構成第一基材10之樹脂等的材料時，將熔融的材料射出於凹凸之某個滾軸等之上方者，將凹凸形狀形成於第二基材面12的方法，經由物理性的造形手段而設置凹凸於第二基材面12之方法，以及混合相溶性低之材料彼此，經由塗佈及乾燥等而形成被膜，經由於一方的材料中之連續構造中，形成另一方之材料的不連續構造之時，設置凹凸形狀於第二基材面12之方法等之手段。作為上述之粒子狀物質係例如，可舉出二氧化矽填充物等無機填充劑，及聚甲基丙烯酸甲酯填充劑等之有機填充劑等。上述之物理性的造形手段係例如，可舉出噴砂，及研磨等。
從使碳奈米管薄片構造體1(第一之碳奈米管薄片構造體)，和其他的碳奈米管薄片構造體1(第二之碳奈米管薄片構造體)重疊之層積體，為了容易地剝離第一基材10及第一墊片部30，而對於第二之碳奈米管薄片構造體的第二基材面12的特定部分加以施以黏著處理亦可。此第二 基材面12的特定部分係與重疊於第二之碳奈米管薄片構造體的第二基材面12側的第一之碳奈米管薄片構造體的第一墊片部30，在層積體的平面視中重疊之部分。經由作為如此之構成之時，第一之碳奈米管薄片構造體的碳奈米管薄片20係加以接著在與第二之碳奈米管薄片構造體的第一基材10加以施以黏著處理之部分，而可自碳奈米管薄片20容易地剝離第一之碳奈米管薄片構造體的第一基材10及第1墊片部30。
例如，於圖3A，顯示重疊2個之碳奈米管薄片構造體1的層積體100。在此，在層積體100中，將一方的碳奈米管薄片構造體作為第一之碳奈米管薄片構造體1a，而將另一方的碳奈米管薄片構造體作為第二之碳奈米管薄片構造體1b。在層積體100中，對於第二之碳奈米管薄片構造體1b的第二基材面12係有加以施以黏著處理之黏著處理部12A。第二之碳奈米管薄片構造體1b之黏著處理部12A的位置係在平面視層積體100時，與第一之碳奈米管薄片構造體1a之第一墊片部30的位置重疊。如根據層積體100，第一之碳奈米管薄片構造體1a之碳奈米管薄片20係因加以接著在第二之碳奈米管薄片構造體1b之第二基材面12的黏著處理部12A之故，可自第一之碳奈米管薄片構造體1a之碳奈米管薄片20容易地剝離第一之碳奈米管薄片構造體1a之第一基材10及第一墊片部30。
(碳奈米管薄片)
碳奈米管薄片20係具有形成有第一墊片部30之第一薄片面21，和與第一薄片面21相反側的第二薄片面22。在碳奈米管薄片構造體1中，對於第二薄片面22側係未特別加以配置其他的構件，而露出有碳奈米管薄片20之狀態。在本說明書中，形成有墊片部於碳奈米管薄片的薄片面係指：除了與薄片面接觸而直接形成墊片部之情況之外，亦符合有為了提高薄片面與墊片部之接著性，而於此等之間加以設置黏著劑層之情況，或為了提高此等之剝離性，而於碳奈米管薄片與墊片部之間加以設置有剝離劑層之情況。
碳奈米管薄片20係具有複數之碳奈米管則優先地排列於薄片面內的一方向之構造。
在本說明書中，「碳奈米管則排列於薄片面內的一方向之狀態」係指碳奈米管則沿著薄片面內的一方向而排列之狀態者，例如，可舉出碳奈米管之長軸則呈成為與薄片面內之一方向平行地排列之狀態。
另外，在本說明書中，「優先地排列之狀態」係指：意味該排列之狀態則為主流之狀況。例如，如上述，碳奈米管之長軸則為呈成為與薄片面內之一方向平行地排列之情況，該排列狀態如為主流時，一部分之碳奈米管係碳奈米管之長軸則即使並非為呈成為與薄片面內之一方向平行地排列之狀態亦可。
碳奈米管薄片20係例如，經由自碳奈米管叢，在薄片的狀態而導出經由分子間力而集合之碳奈米管，而自基板 剝離而加以得到。在此，碳奈米管叢係指：將碳奈米管，呈對於基板而言配向於垂直方向地，複數成長於基板上的成長體者，而亦有稱作「陣列」的情況。
碳奈米管薄片20係具有碳奈米管則集合為纖維狀的構造亦可。如為碳奈米管則集合為纖維狀的構造時，每單位面積之碳奈米管所存在的面積減少之故，例如，可使碳奈米管薄片20之光線透過性提升者。
碳奈米管薄片20係例如，對於經由自碳奈米管叢之取出而製造之情況，係排列於薄片面內之一方向的狀態之碳奈米管則均一地含於碳奈米管薄片。如後述，對於如此之碳奈米管薄片，在自立狀態做成對於蒸氣等之暴露的情況，均一地含於碳奈米管薄片之碳奈米管則局部性地成為微細的束，而形成有碳奈米管則集合為纖維狀的構造。
碳奈米管則集合為纖維狀的構造之平均直徑(複數構造之直徑的平均)係理想為1μm以上300μm以下，而更理想為3μm以上150μm以下，有更理想為5μm以上50μm以下。
然而，在本說明書中，碳奈米管則集合為纖維狀的構造之平均直徑係指：該構造之外側的圓周之平均直徑者。
碳奈米管薄片20係亦可為施以高密度化處理之薄片。
在本說明書中「高密度化處理」係指：綑紮碳奈米管薄片20，以及提升在碳奈米管薄片20之厚度方向的碳奈米管之存在密度的處理者。在此，綑紮係指：對於構成碳奈米管薄片20之碳奈米管，作為接近之複數的碳奈米管成為 束的狀態者。
經由對於碳奈米管薄片20實施綑紮之時，可使碳奈米管則集合為纖維狀的構造形成者。
作為高密度化處理係例如，可舉出對於常溫液體的物質之蒸氣，經由暴露(暴露)自力之碳奈米管薄片20之處理的綑紮，以及對於常溫液體的物質之粒子(懸浮微粒)，經由暴露自力之碳奈米管薄片20之處理的綑紮等。作為使用於高密度化處理之常溫液體的物質係例如，可舉出：水，醇類，酮類，及酯類等，而作為醇類係例如，可舉出：乙醇，甲醇，及異丙醇等，作為酮類係例如，可舉出：丙酮，及丁酮等，作為酯類係例如，可舉出：乙酸乙酯等。
經由常溫液體的物質之粒子而進行高密度化處理之情況，該常溫液體的物質之粒子徑係5nm以上200μm以下者為佳，而7.5nm以上100μm以下者則更佳，10nm以上50μm以下者則又更佳。
另外，在製造碳奈米管薄片20之後，載置碳奈米管薄片20於樹脂薄膜等之基板，經由使碳奈米管薄片20浸潤於液體而進行高密度化處理亦可。對於此情況，含於碳奈米管薄片20之碳奈米管則集中於基板的方向，而引起碳奈米管薄片20之厚度方向的高密度化。
另外，碳奈米管薄片20係亦可為加以複數層積單一之碳奈米管薄片的層積體。由碳奈米管薄片20為層積體者，可得到薄片阻抗低之薄片者。此情況，碳奈米管薄片20係 亦可為加以複數層積作成高密度化處理之碳奈米管薄片的層積體，而亦可將複數層積自叢導出而製造之薄片的層積體作為高密度化處理。另外，亦可將複數層積作成高密度化處理之碳奈米管薄片20之層積體，更作為高密度化處理。
碳奈米管薄片20之厚度係因應用途(例如，從維持低薄片阻抗之情況，或確保光線透過性等之觀點)而加以適宜決定。例如，碳奈米管薄片20之厚度則為0.01μm以上100μm以下者為佳，而0.05μm以上75μm以下者則更佳。
碳奈米管薄片20係與第一基材10同樣地，可作為長尺狀者。對於圖4係加以顯示包含長尺狀的碳奈米管薄片20，和長尺狀的第一基材10之碳奈米管薄片構造體1e。對於碳奈米管薄片20為長尺狀的情況，係第一基材10係為長尺狀者為佳。
另一方面，第一基材10為長尺狀的情況，碳奈米管薄片20係在薄片的狀態，隔開間隔而加以排列於基材上亦可，而長尺狀亦可。對於圖5係加以顯示薄片狀的狀態之複數之碳奈米管薄片20，則藉由第一墊片部30而加以排列於長尺狀的第一基材10上之碳奈米管薄片構造體1f。
然而，在本說明書中，長尺係指：意味在平面視碳奈米管薄片構造體等時，比較縱方向的長度與橫方向的長度，一方的長度則較另一方的長度長10倍以上，而理想係一方的長度則較另一方的長度長30倍以上者。
(第一墊片部)
第一墊片部30係加以配置於碳奈米管薄片20與第一基材10之間。經由第一墊片部30，使碳奈米管薄片20與第一基材10離間，可將碳奈米管薄片20與第一基材10未接觸之部位，設置於碳奈米管薄片構造體1者。第一墊片部30係加以形成於第一基材面11之第一範圍11a。第一墊片部30係加以形成於第一基材面11之第二範圍11b。
第一墊片部30係如使碳奈米管薄片20與第一基材10離間，可形成碳奈米管薄片20與第一基材10未接觸之範圍，形狀或配置係未特別加以限定。例如，碳奈米管薄片20則呈盡可能廣泛得到第一基材10或第一墊片部30未接觸之範圍地，適宜設計第一墊片部30之形狀或配置者為佳。第一墊片部30係例如，亦可為長方體狀，立方體狀，圓柱狀，角柱狀，球狀等之各種形狀。第一墊片部30係亦可作為長尺狀者。
碳奈米管薄片20則如為薄片，第一墊片部30係亦可沿著碳奈米管薄片20之薄片面的外緣部而連續性或非連續性地形成為框狀亦可。
對於圖6係加以顯示碳奈米管薄片構造體1g。碳奈米管薄片構造體1g係具有：薄片狀的碳奈米管薄片20，和長尺狀的第一基材10，和加以配置於碳奈米管薄片20與第一基材10之間的第一墊片部30。在碳奈米管薄片構造體1g中，第一墊片部30係遍布於第一基材10之長度方向而非連續性地加以形成。
如為長尺狀的碳奈米管薄片20時，第一基材10亦作為長尺狀，而第一墊片部30係亦可沿著碳奈米管薄片20之長尺狀的形狀之外緣部，更且遍布於長度方向而連續性或非連續性地加以形成亦可。
在圖4所示之碳奈米管薄片構造體1e中，於長尺狀的碳奈米管薄片20，和長尺狀的第一基材10之間，第一墊片部30則沿著碳奈米管薄片20之長尺狀形狀之外緣部而加以形成。第一墊片部30係遍布於長度方向而連續性地加以形成。
然而，在後述之第二實施形態至第五實施形態為止之實施形態，以及實施形態的變形中，不僅第一基材，而第一基材以外的基材亦可為長尺狀，而不僅第一墊片部而第一墊片部以外之墊片部，亦沿著碳奈米管薄片之形狀的外緣部，更且遍布於長度方向而連續性或非連續性地加以形成亦可。
作為第一墊片部30之材質，係例如，可舉出合成樹脂薄膜等。作為可使用於第一墊片部30之合成樹脂薄膜係與第一基材10同樣。
第一墊片部30係亦可與第一基材10一體地加以形成。例如，經由噴沙法或蝕刻等而削減平坦的合成樹脂薄膜，而可形成第一墊片部30。具體而言，經由將對應於合成樹脂薄膜之第二範圍11b的位置，經由噴沙法或蝕刻等而進行削減之時，形成自薄膜突出之部位，可將此突出部位作為第一墊片部30而利用。
另外，第一墊片部30係亦可為與第一基材10另外的構件，在形成碳奈米管薄片構造體1時，使第一基材10與第一墊片部30作為一體化亦可。此情況，例如，由將具備第一墊片部30的形狀之薄膜構件，貼合於第一基材10之第一基材面11者，可得到附有第一墊片部30之第一基材10者。另外，對於第一基材10用的合成樹脂薄膜利用3D列印等而於第一基材面11的第一範圍11a，形成第一墊片部30亦可。
對於與碳奈米管薄片20接觸之第一墊片部30之表面，係加以實施黏著處理亦可。由作為如此之構成者，在自使碳奈米管薄片構造體1層積所形成之層積體，取出碳奈米管薄片構造體1時，與第一墊片部30接觸之碳奈米管薄片20則不易自第一墊片部30剝離。隨之，可未將與第一基材10的第二基材面12接觸之碳奈米管薄片20斷裂，而容易地進行剝離者。黏著處理係可經由與實施於第一基材面11之方法同樣的方法而進行。另外，黏著處理係亦可將第一墊片部30本身，經由使用具有自我黏著性之材料而形成而進行。作為具有自我黏著性之材料係例如，可舉出聚矽氧凝膠及氨基甲酸酯凝膠。
於圖3B，顯示重疊2個之碳奈米管薄片構造體1的層積體101。在此，在層積體101中，將一方的碳奈米管薄片構造體作為第一之碳奈米管薄片構造體1c，而將另一方的碳奈米管薄片構造體作為第二之碳奈米管薄片構造體1d。在層積體101中，對於與第一碳奈米管薄片構造體1c之碳奈 米管薄片20接觸之第一墊片部30的表面係有實施黏著處理之黏著處理部31。如根據層積體101時，第一之碳奈米管薄片構造體1c的碳奈米管薄片20係不易自第一墊片部30剝離。隨之，可未將與第二之碳奈米管薄片構造體1d之第一基材10的第二基材面12接觸，第一碳奈米管薄片構造體1c之碳奈米管薄片20斷裂而容易地剝離。
(碳奈米管薄片構造體及層積體的製作方法)
碳奈米管薄片構造體1之製造方法係無特別加以限定。
例如，碳奈米管薄片構造體1係歷經如以下的工程而加以製造。
首先，經由公知的方法，對於矽晶圓等之基板上形成碳奈米管叢。接著，扭轉所形成的叢之端部，經由鑷子等導出而自基板拔出之時，製作碳奈米管薄片。
另外，製作具有第一墊片部30之第一基材10。第一基材10係亦可與第一墊片部30一體地加以形成。另外，第一基材10與第一墊片部30係指：亦可為另外的材料，而亦可使用使另外的材料之第一基材10與第一墊片部30作為一體化之構成。
如對於所製作之碳奈米管薄片之一方的面，使第一基材10之第一基材面11(具有第一墊片部30的面)對向，於第一墊片部30使碳奈米管薄片附著時，可得到碳奈米管薄片構造體1。
經由層積由如此作為所得到之碳奈米管薄片構造體1之時，可得到層積體。此情況，於與第一基材10之第一基材面11相反側的第二基材面12，呈接觸碳奈米管薄片20地層積。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1，可維持殘留自立狀態的部分而可將碳奈米管薄片20保持於碳奈米管薄片構造體1中。並且，對於在使用時，在未特意之處，未將碳奈米管薄片20斷裂，而可取出自立狀態之碳奈米管薄片20者。對於維持自立狀態而取出碳奈米管薄片20，係如在欲取出之部分，和與第一墊片部30接觸之碳奈米管薄片20之邊界之間的任一位置，切斷與第一基材10離間之碳奈米管薄片20而取出即可。例如，如圖7所示，在較碳奈米管薄片20與第一墊片部30接觸之部分為內側的位置，切斷碳奈米管薄片20，而可取出自立狀態之碳奈米管薄片20者。即，如迴避碳奈米管薄片20與第一墊片部30接觸之部分，取出與碳奈米管薄片20之第一基材10離間的部位即可。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1，可重疊此等而配置者。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1，與第一基材面11之第二範圍11b對向之碳奈米管薄片20的範圍係加以維持未接觸於第一基材10及第一墊片部30之狀態(自立狀態)。並且，碳奈米管薄片構造體1係作為全體而成為薄片形狀。因此，例如，薄片的狀態之碳奈米管薄 片構造體1係成為可重疊而進行保管及搬送。另外，例如，形成為長尺狀之碳奈米管薄片構造體1係成為可卷繞成滾軸狀而進行保管及搬送。在形成為長尺狀之碳奈米管薄片構造體1中，遍布於碳奈米管薄片構造體1之長度方向而第一基材面11的第二範圍11b則連續者為佳。重疊有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1而配置之情況，與後述之第二實施形態同樣地，加以防止自與第一基材面11相反側的第二基材面12，剝離碳奈米管薄片20時之碳奈米管薄片20的斷裂。另外，加以降低在層積體中，壓迫碳奈米管薄片20之可能性。
[第二實施形態]
對於有關第二實施形態之碳奈米管薄片構造體而加以說明。
在第二實施形態之說明中，與第一實施形態同一之構成要素係作為顯示同一符號或名稱，將說明作為省略或簡略。另外，在第二實施形態中，亦包含具體例，對於未特別提及之構成等，係可使用與在第一實施形態所說明之構成等同樣的構成等。
圖8係有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1A的剖面圖。
有關第二實施形態之碳奈米管薄片構造體1A係在更包含第二基材200的點，與有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1不同。在第二實施形態中，碳奈米管薄片20， 第一基材10，及第一墊片部30係與第一實施形態同樣。
碳奈米管薄片構造體1A係包含：碳奈米管薄片20，和第一基材10，和第一墊片部30，和第二基材200。在碳奈米管薄片構造體1A中，依序加以層積第二基材200，碳奈米管薄片20，第一墊片部30，及第一基材10。
(第二基材)
第二基材200係具有第三基材面210，此第三基材面210與碳奈米管薄片20之第二薄片面22則對向。第二薄片面22係與第一墊片部30接觸的第一薄片面21相反側的面。
在本實施形態中，於第二基材200加以配置碳奈米管薄片20。在碳奈米管薄片構造體1A中，第二薄片面22係由第二基材200被覆而加以保護之狀態。然而，在本說明書中，於其他的構件上加以配置碳奈米管薄片係指：除了與其他構件的表面接觸而直接設置碳奈米管薄片之情況以外，亦符合有為了提高其他構件的表面與碳奈米管薄片之接著性，而於此等之間加以設置黏著劑層之情況，或為了提高此等之剝離性而於碳奈米管薄片與該其他構件之間，設置剝離劑層之情況。
第三基材面210係具有剝離性者為佳。經由第三基材面210具有剝離性之時，可自碳奈米管薄片構造體1A，容易地剝離第二基材200者。對於第三基材面210賦予剝離性之方法係未特別加以限定。
另外，在本實施形態中，第二基材200係具有：剝離 基材220，和形成於剝離基材220面之剝離劑層230亦可。剝離劑層230之表面則相當於第三基材面210。剝離劑層230係僅形成於剝離基材220之單面亦可，而亦可形成於剝離基材220之兩面。
作為剝離基材220係例如，可舉出：紙基材，疊層紙，及塑膠薄膜等。作為紙基材係可舉出：玻璃紙，塗層紙，及塗料紙等。作為疊層紙係可舉出，疊層聚乙烯等之熱可塑性樹脂於前述之紙基材的基材。作為塑膠薄膜係可舉出：聚乙烯對苯二甲酸酯，聚對苯二甲酸丁二酯，及聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯膜，以及聚丙烯或聚乙烯等之聚烯烴薄膜等。作為剝離基材220而使用塑膠薄膜之情況，該塑膠薄膜之厚度係10μm以上500μm以下者為佳，而15μm以上300μm以下者則更佳，20μm以上200μm以下者又為更佳。
剝離劑層230係例如，包含在第一實施形態所述之剝離劑者為佳。作為剝離劑係包含選自烯烴樹脂，橡膠系彈性體，長鏈烷基系樹脂，醇酸系樹脂，氟系樹脂，及聚矽氧系樹脂所成的群之至少一項的樹脂之剝離劑者為佳。剝離劑層230係經由塗佈剝離劑於剝離基材220之時而加以形成。
剝離劑層230之厚度係無特別加以限定。塗佈含有剝離劑之溶液而形成剝離劑層230的情況，剝離劑層230之厚度係0.01μm以上2.0μm以下者為佳、0.03μm以上1.0μm以下者則更佳。
在碳奈米管薄片構造體之平面視中，對於與第三基材面210之第一墊片部30重疊之部分，係加以實施黏著處理亦可。經由作為如此之構成之時，因加以接著第二基材200與碳奈米管薄片20之故，可將第一基材10及第一墊片部30，自碳奈米管薄片20容易地進行剝離。
更且，在碳奈米管薄片構造體之平面視中，對於與第三基材面210之第一墊片部30重疊之部分，係具有加以實施黏著處理所形成之黏著處理部，且對於該黏著處理部以外之第三基材面210係擁有具有剝離性的部分(剝離性部)者為佳。經由作為如此之構成之時，因在黏著處理部中加以接著碳奈米管薄片20與第三基材面210之故，可從碳奈米管薄片構造體1A，將第一基材10及第一墊片部30，自碳奈米管薄片20容易地進行剝離，接著，可自具有第三基材面210之黏著處理部以外的剝離性之部分(剝離性部)容易地剝離碳奈米管薄片20。
第二基材200之厚度係無特別加以限定。第二基材200之厚度係10μm以上500μm以下者為佳，而15μm以上300μm以下者則更佳，20μm以上200μm以下者又為更佳。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1A，除了可維持殘留自立狀態的部分而將碳奈米管薄片20保持於碳奈米管薄片構造體中之效果以外，亦可得到與有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1同樣的效果。
另外，如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1A，因可經由第二基材200而加以支持碳奈米管薄片20之 第二薄片面22側之故，當比較於第一實施形態時，處理性則提升。另外，因經由第二基材200而加以被覆碳奈米管薄片20之第二薄片面22側之故，當比較於第一實施形態時，保護碳奈米管薄片20之效果為高。
另外，如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1A，碳奈米管薄片20係在任一的面中與第一墊片部30或第二基材200接觸，雖並非自立狀態，但在第一薄片面21中係具有未與第一墊片部30接觸而加以開放之範圍S1。然而，自碳奈米管薄片構造體1A，如先剝離第二基材200時，對於碳奈米管薄片20係產生有自立狀態的部分。
如碳奈米管薄片構造體1A之構成係與在如揭示於前述的文獻1之碳奈米管薄片則夾持於兩個保護膜之間之狀態進行保管或搬送之構成做比較，有著如以下的優點。
首先，以兩個保護膜而夾持碳奈米管薄片狀態之構造體的情況，對於自保護膜分離碳奈米管薄片，係剝離一方的保護膜，更加剝離另一方的保護膜。此情況，雙方的保護膜則如未具有自相互不同之碳奈米管薄片的剝離性，之後剝離之另一方的保護膜上成為保持附著有碳奈米管薄片，而有碳奈米管薄片則產生斷裂之情況。另外，假設雙方的保護膜則作為具有自相互不同之碳奈米管薄片的剝離性，比較於自先剝離之一方的保護膜之碳奈米管薄片的剝離性，自之後剝離之另一方的保護膜之碳奈米管薄片的剝離性係因相對為低之故，有著自碳奈米管薄片剝離另一方之保護膜情況為困難之情況。
另一方面，如為有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1A，碳奈米管薄片20之一方的面(第一薄片面21)之中，未與第一基材10及第一墊片部30接觸之範圍S1係不易產生剝離如文獻1之保護膜時之碳奈米管薄片的斷裂。
如重疊碳奈米管薄片，和如重疊之支持體及保護材之至少一種之構造體之薄片狀的物品係保管空間縮小之故，通常，對於物品為薄片之情況係堆疊而保管，對於物品為長尺的情況係卷繞而保管。對於薄片的物品之情況，係堆積之上部的薄片則有壓迫下部的薄片之情況。對於長尺的物品之情況，係在卷繞時產生壓力，所謂產生有捲壓，特別是有加以壓迫接近於中心部的薄片情況。經由此，對於碳奈米管薄片加上厚度方向之壓力，對於在碳奈米管薄片內部之碳奈米管之集合形態產生有變化，而有產生特性的變化之虞。
在另一方面，如為有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1A，碳奈米管薄片20之第一薄片面21係未與第一基材10之第二範圍11b接觸，而在層積體中加以壓迫碳奈米管薄片20之可能性則經由第一墊片部30的存在，而被降低。因此，對於如前述之碳奈米管薄片20加上厚度方向之壓力，可有效地迴避碳奈米管薄片20之特性產生變化者。
[第三實施形態]
對於有關第三實施形態之碳奈米管薄片構造體而加以說明。
在第三實施形態之說明中，與前述之實施形態同一之構成要素係作為顯示同一符號或名稱，將說明作為省略或簡略。另外，在第三實施形態中，亦包含具體例，對於未特別提及之構成等，係可使用與在前述之實施形態所說明之構成等同樣的構成等。
圖9係有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1B的剖面圖。
有關第三實施形態之碳奈米管薄片構造體1B係在更包含加以配置於碳奈米管薄片20之第二薄片面22側的第三基材300，和加以配置於第三基材300及碳奈米管薄片20之間的第二墊片部50的點，與有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1不同。在第三實施形態中，碳奈米管薄片20，第一基材10，及第一墊片部30係與第一實施形態同樣。
碳奈米管薄片構造體1B係包含：碳奈米管薄片20，和第一基材10，和第一墊片部30，和第三基材300，和第二墊片部50。在碳奈米管薄片構造體1B中，依序加以層積第三基材300，第二墊片部50，碳奈米管薄片20，第一墊片部30，及第一基材10。
(第三基材)
碳奈米管薄片構造體1B之第三基材300係以支持碳奈米管薄片20之構件，與第一實施形態的第一基材10同樣的材質而加以構成。
第三基材300係具有第四基材面310。第四基材面310 與碳奈米管薄片20之第二薄片面22則對向。第二薄片面22係與第一墊片部30接觸的第一薄片面21相反側的面。
本實施形態之第三基材300的第四基材面310係具有：形成有第二墊片部50之第三範圍310a，和未形成有第二墊片部50之第四範圍310b。第三基材300係在第四基材面310之第四範圍310b中，與碳奈米管薄片20離間。第三範圍310a係與第一基材面11的第一範圍11a同樣地，亦可加以實施底塗處理之表面處理，以及實施黏著處理。
(第二墊片部)
對於第三基材300與碳奈米管薄片20之間係加以形成第二墊片部50。
碳奈米管薄片構造體1B之第二墊片部50係使碳奈米管薄片20與第三基材300離間之構件，而第二墊片部50係與第一實施形態之第一墊片部300同樣。
加以配置於第一基材10與碳奈米管薄片20之間的第一墊片部30的位置，和加以配置於第三基材300與碳奈米管薄片20之間的第二墊片部50的位置則在碳奈米管薄片構造體1B之厚度方向的剖面視而重疊。在此，墊片部的位置重疊之狀態係指：第一墊片部30的位置與第二墊片部50的位置則不僅完全重疊之狀態，而亦包含在至少一部分重疊之狀態。然而，作為墊片部之位置的重疊程度，如呈可抑制碳奈米管薄片20則被按壓於墊片部而產生變形，以及損傷情況地重疊即可，而在碳奈米管薄片構造體之剖面視，墊 片部之位置則呈一致地重疊者為佳。
與第二墊片部50之碳奈米管薄片20接觸的表面係與第一墊片部30同樣地，加以黏著處理亦可。此情況，僅與第一墊片部30和第二墊片部50之任一方的碳奈米管薄片20接觸之表面則加以黏著處理者為佳。經由如此之構成，將與碳奈米管薄片20接觸之表面未黏著處理之墊片部，自碳奈米管薄片20進行剝離之情況則成為容易。另外，未加以黏著處理之墊片部的表面，與碳奈米管薄片20接觸之墊片部的表面係加以剝離處理亦可。
例如，對於圖10係加以顯示碳奈米管薄片構造體1BX之剖面圖。在碳奈米管薄片構造體1BX中，於與第二墊片部50之碳奈米管薄片20接觸的表面，施以黏著處理而形成黏著處理部51，而對於與第一墊片部30之碳奈米管薄片20接觸的表面係未施以黏著處理。如根據碳奈米管薄片構造體1BX，可容易地自碳奈米管薄片20剝離第一基材10及第一墊片部30。
另外，例如，對於圖11係加以顯示碳奈米管薄片構造體1BY之剖面圖。在碳奈米管薄片構造體1BY中，於與第二墊片部50之碳奈米管薄片20接觸的表面，施以黏著處理而形成黏著處理部51，而對於與第一墊片部30之碳奈米管薄片20接觸的表面，施以剝離處理而加以形成剝離處理部32。如根據碳奈米管薄片構造體1BY，可容易地自碳奈米管薄片20剝離第一基材10及第一墊片部30。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1B，可 得到與有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1同樣的效果。
更且，如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1B，碳奈米管薄片20之第一薄片面21及第二薄片面22的兩面則藉由墊片部，經由第一基材10及第三基材300而加以保護之故，可防止在保管及搬送時，經由來自外部之衝擊的碳奈米管薄片20之破壞。
另外，如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1B，碳奈米管薄片20之第一薄片面21之中，與第二範圍11b對向之範圍係未與第一基材10接觸，而第二薄片面22之中，與第四範圍310b對向之範圍係未與第三基材300接觸，而維持自立狀態。並且，與重疊第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1之情況不同，對於重疊碳奈米管薄片構造體1B之情況，亦加以維持碳奈米管薄片20之自立狀態。因此，保持維持碳奈米管薄片20之自立狀態，保存或搬送碳奈米管薄片構造體1B之情況則成為容易。即，在使碳奈米管薄片構造體1B層積的層積體中，亦可維持碳奈米管薄片20之自立狀態。
加以配置於第一基材10與碳奈米管薄片20之間的第一墊片部30的位置，和加以配置於第三基材300與碳奈米管薄片20之間的第二墊片部50的位置則在碳奈米管薄片構造體1B之厚度方向的剖面視而重疊。經由如此第一墊片部30的位置與第二墊片部50的位置重疊之時，對於加以層積複數之碳奈米管薄片構造體1B，以及加以卷繞長尺之碳奈米 管薄片構造體1B之情況，可減少經由墊片部所按壓之碳奈米管薄片20之範圍者。
[第四實施形態]
對於有關第四實施形態之碳奈米管薄片構造體而加以說明。
在第四實施形態之說明中，與前述之實施形態同一之構成要素係作為顯示同一符號或名稱，將說明作為省略或簡略。另外，在第四實施形態中，亦包含具體例，對於未特別提及之構成等，係可使用與在前述之實施形態所說明之構成等同樣的構成等。
圖12係有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1C的剖面圖。
在有關第四實施形態之碳奈米管薄片構造體1C中，在碳奈米管薄片20A則未加以配置於第一墊片部30上，而對於加以配置於第四基材400上之情況而言，在有關第二實施形態之碳奈米管薄片構造體1A中，係碳奈米管薄片20則加以配置於第一墊片部30上的點為不同。
在第四實施形態中，第一基材10，及第一墊片部30係與第一實施形態同樣。
碳奈米管薄片構造體1C係包含：碳奈米管薄片20A，和第一基材10，和第一墊片部30，和第四基材400。在碳奈米管薄片構造體1C中，依序加以層積第四基材400，碳奈米管薄片20A或第一墊片部30，及第一基材10。碳奈米 管薄片20A係在圖12所示之剖面視中，加以收容於以第一基材10，和第一墊片部30，和第四基材400所區劃之範圍S2內。
(碳奈米管薄片)
有關本實施形態之碳奈米管薄片20A係除了形成於可收容在前述的範圍S2內之尺寸的點以外，與在第一實施形態等所使用之碳奈米管薄片20同樣。碳奈米管薄片20A係具有與第一基材10對向之第一薄片面21A，和與第一薄片面21A相反側的第二薄片面22A。在本實施形態中，碳奈米管薄片20A係與第一基材10及第一墊片部30離間，加以配置於第四基材400上。
(第四基材)
第四基材400係具有與第一基材10之第一基材面11對向的第五基材面410。第五基材面410係具有：形成有第一墊片部30之第五範圍410a，和未形成有第一墊片部30之第六範圍410b。碳奈米管薄片20A在第二薄片面22A中，加以配置於第五基材面410之第六範圍410b上。在本實施形態中，對於第一墊片部30之接觸於第四基材400的表面，加以實施黏著處理的情況，係加以接著第一墊片部30與第五基材面410之第五範圍410a，而加以固定第一墊片部30與第五基材面410。例如，於碳奈米管薄片構造體作為全體為長尺之情況，當卷繞碳奈米管薄片構造體時，第一墊 片部30，和第五基材面410之第五範圍410a之接觸面積則變比較小，但如加以接著第一墊片部30與第五基材面410之第五範圍410a時，可得到容易迴避在第一墊片部30，和第五基材面410之第五範圍410a之間產生有偏移情況的效果。從自第四基材400與配置於其上方之碳奈米管薄片20A，容易地除去第一基材10與第一墊片部30之觀點，第一墊片部30之表面的黏著處理係呈可自第四基材400之表面剝離地加以實施者為佳。在碳奈米管薄片構造體1C中，第二薄片面22A係由第四基材400被覆而加以保護之狀態。
第五基材面410係具有剝離性者為佳。經由第五基材面410具有剝離性之時，可自碳奈米管薄片構造體1C，容易地剝離第四基材400者。對於第五基材面410賦予剝離性之方法係未特別加以限定。然而，對於第一墊片部30之接觸於第四基材400的表面，加以施以黏著處理之情況，係不僅第六範圍410b，而對於第五範圍410a亦加以施以剝離處理亦可。經由此，可自第四基材400與配置於其上方之碳奈米管薄片20A，容易地除去第一基材10與第一墊片部30。
在本實施形態中，第四基材400係具有：剝離基材420，和形成於剝離基材420之剝離劑層430。剝離劑層430之表面則相當於第五基材面410。剝離劑層430係僅形成於剝離基材420之單面亦可，而亦可形成於剝離基材420之兩面。剝離基材420係以與前述的剝離基材220同樣的材質等加以構成。剝離劑層430係以與前述的剝離劑層230同樣的 材質等加以構成。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1C，除了可維持殘留自立狀態的部分而將碳奈米管薄片20保持於碳奈米管薄片構造體中之效果以外，亦可得到與有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1及有關第二實施形態之碳奈米管薄片構造體1A同樣的效果。
例如，於墊片部上加以配置碳奈米管薄片之情況，經由墊片部的材質等，係亦有無法使用加以該配置之範圍的碳奈米管薄片。在另一方面，如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1C時，碳奈米管薄片20A係未加以配置於第一基材10及第一墊片部30上。因此，省去除去配置於墊片部上之範圍的工夫，而可自第四基材而剝離碳奈米管薄片20A直接使用者。
[第五實施形態]
對於有關第五實施形態之碳奈米管薄片構造體而加以說明。
在第五實施形態之說明中，與前述之實施形態同一之構成要素係作為顯示同一符號或名稱，將說明作為省略或簡略。另外，在第五實施形態中，亦包含具體例，對於未特別提及之構成等，係可使用與在前述之實施形態所說明之構成等同樣的構成等。
圖13係加以層積有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1D而構成之層積體100A之剖面圖。然而，在圖13中， 在說明的方便上，加以顯示層積2個之碳奈米管薄片構造體1D(第一之碳奈米管薄片構造體1Da及第二之碳奈米管薄片構造體1Db)之構造，但亦可加以層積3個以上之碳奈米管薄片構造體1D，而對於碳奈米管薄片構造體1D則為長尺狀的情況係加以卷繞3周以上而層積亦可。
有關第五實施形態之碳奈米管薄片構造體1D係包含：碳奈米管薄片20B，第五基材500，和第三墊片部80。在碳奈米管薄片構造體1D中，依序加以層積第三墊片部80，第五基材500，及碳奈米管薄片20B。
(碳奈米管薄片)
本實施形態之碳奈米管薄片20B係具有：第一薄片面21B，和與第一薄片面21B相反側的第二薄片面22B。碳奈米管薄片20B係在第二薄片面22B中，加以配置於第五基材500上。在碳奈米管薄片構造體1D中，第二薄片面22B係由第五基材500被覆而加以保護之狀態。對於第一薄片面21B側係在碳奈米管薄片構造體1D單體的時點中，未特別加以配置其他的構件，而露出有碳奈米管薄片20B之第一薄片面21B的狀態。在加以層積碳奈米管薄片構造體1D之層積體100A之狀態中，碳奈米管薄片20B係在第一薄片面21B之一部分範圍中，加以配置於第三墊片部80上。
(第五基材)
第五基材500係具有：與碳奈米管薄片20B之第二薄片 面22B對向的第六基材面510，和與第六基材面510相反側的第七基材面520。於第五基材500之第七基材面520，加以形成第三墊片部80。第七基材面520係具有：形成有第三墊片部80之第七範圍520a，和未形成有第三墊片部80之第八範圍520b。
第六基材面510係具有剝離性者為佳。經由第六基材面510具有剝離性之時，可自碳奈米管薄片構造體1D，容易地剝離第五基材500者。對於第六基材面510賦予剝離性之方法係未特別加以限定。
在本實施形態中，第五基材500係具有：剝離基材530，和形成於剝離基材530面之剝離劑層540。剝離劑層540之表面則相當於第六基材面510。剝離基材530係以與前述的剝離基材220同樣的材質等加以構成。剝離劑層540係以與前述的剝離劑層230同樣的材質等加以構成。剝離劑層540係僅加以形成於剝離基材530之一方的面，而對於另一方的面係加以實施為了提高與第三墊片部80之密著性的處理者為佳。對於為了提高密著性之表面處理或黏著處理，係可採用與前述同樣的處理。對於形成第三墊片部80之第七範圍520a係作為與第一實施形態之第一基材面11的第一範圍11a同樣地，加以實施底塗處理等之表面處理，以及加以實施黏著處理亦可。
另外，對於碳奈米管薄片20B加以配置於第五基材500上之情況，第六基材面510之表面粗度Ra1為0.05μm以上者為佳，而0.05μm以上10μm以下者則更佳。
當第六基材面510之表面粗度Ra1為0.05μm以上時，可將與第六基材面510接觸的碳奈米管薄片20B未斷裂，而容易地進行剝離者。第六基材面510之表面粗度Ra1係理想為0.1μm以上，而更理想為0.15μm以上。
第六基材面510之表面粗度Ra1係10μm以下者為佳。當第六基材面510之表面粗度Ra1為10μm以下時，適度地加以維持第六基材面510之平滑性之故，而加以抑制因第六基材面510之凹凸引起之碳奈米管薄片20的破壞之缺陷的產生。第六基材面510之表面粗度Ra1係更理想為5μm以下，而又更理想為3μm以下。
(第三墊片部)
第三墊片部80係在使複數之碳奈米管薄片構造體1D層積的層積體100A中，使在第一之碳奈米管薄片構造體1Da的碳奈米管薄片20B，和在加以層積於第一之碳奈米管薄片構造體1Da之第二之碳奈米管薄片構造體1Db的第五基材500離間之構件。如圖13所示，在第一之碳奈米管薄片構造體1Da之碳奈米管薄片20B的第一薄片面21B係在層積狀態中，與在第二碳奈米管薄片構造體1Db之第五基材500的第八範圍520b離間。
第三墊片部80係除了形成於第五基材500之第七基材面520的點以外，與第一實施形態之第一墊片部30同樣。
如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1D時，可得到與如在層積體100A之層積狀態中，有關第一實施形 態之碳奈米管薄片構造體1及有關第二實施形態之碳奈米管薄片構造體1A同樣的效果。
即，在碳奈米管薄片構造體1D單體中，係雖未具有相於在第一實施形態或第二實施形態之第一基材10的構件，但在層積狀態中，於碳奈米管薄片20B上加以層積另外的碳奈米管薄片構造體1D，以及加以卷繞長尺狀的碳奈米管薄片構造體1D之情況，藉由第三墊片部80而加以配置第五基材500。因此，在層積體100A中，碳奈米管薄片20B係經由第五基材500，而兩面同時加以保護。
另外，如根據有關本實施形態之碳奈米管薄片構造體1D時，無須於第五基材500之其他，設置為了保護碳奈米管薄片20B之基材，而可省略資材或製造的勞力。
[實施形態之變形]
本發明係未加以限定於在前述之實施形態所說明之形態，而在可達成本發明之目的之範圍的變形或改良等係含於本發明。然而，在以下的說明中，如為與在前述之實施形態所說明之構件或構成等同一時，附上同一符號或名稱，而省略或簡略化其說明。
[第二實施形態之變形例]
例如，在第二實施形態中，舉例說明過第二基材200則具有剝離基材220及剝離劑層230的構成，但本發明係未加以限定於如此之形態。例如，如圖14所示之碳奈米管薄 片構造體1E，第二基材200則未具有剝離劑層，僅由剝離基材220而加以構成，剝離基材220則以具有剝離性的材質而加以形成，作為第三基材面210，露出有該剝離基材220之構成，亦可作為本發明之一形態而加以舉出。作為剝離性的材質係可舉出氟樹脂薄膜等，而作為氟樹脂薄膜係可舉出：四氟乙烯．六氟丙烯共聚物，及乙烯．四氟乙烯共聚物等之薄膜。然而，關於以具有此剝離性之材質所形成的點，係在第一實施形態中，與第一基材10之第一基材面11相反側的第二基材面12則具有剝離性的情況，在第三實施形態中，與碳奈米管薄片20接觸之墊片部的表面則未加以黏著處理而進行剝離處理之情況，在第五實施形態中，對於第六基材面510則具有剝離性的情況亦為同樣。另外，與此等基材或墊片部之碳奈米管薄片接觸的面，可進行剝離處理的面的表面粗度Ra1為0.05μm以上者為佳。當可進行剝離處理的面的表面粗度Ra1為0.05μm以上時，可將與可進行剝離處理的面接觸的碳奈米管薄片未斷裂而容易地進行剝離者。可進行剝離處理的面的表面粗度Ra1係理想為0.1μm以上，而更理想為0.15μm以上。
當第三基材面210之表面粗度Ra1為0.05μm以上時，在自碳奈米管薄片20剝離第二基材200(剝離基材220)時，可將碳奈米管薄片20未斷裂而容易地進行剝離者。在碳奈米管薄片構造體1E中，第三基材面210之表面粗度Ra1係理想為0.1μm以上，而更理想為0.15μm以上。在碳奈米管薄片構造體1E中，第三基材面210之表面粗度Ra1係10μm以 下者為佳。當第三基材面210之表面粗度Ra1為10μm以下時，適度地加以維持第三基材面210之平滑性之故，而加以抑制因第三基材面210之凹凸引起之碳奈米管薄片20的破壞之缺陷的產生。第三基材面210之表面粗度Ra1係更理想為5μm以下，而又更理想為3μm以下。
[第四實施形態之變形例]
例如，在第四實施形態中，舉例說明過第四基材400則具有剝離基材420及剝離劑層430的構成，但本發明係未加以限定於如此之形態。例如，如圖15所示之碳奈米管薄片構造體1F，第四基材400則未具有剝離劑層，僅由剝離基材420而加以構成，剝離基材420則以具有剝離性的材質而加以形成，作為第五基材面410，露出有該剝離基材420之構成，亦可作為本發明之一形態而加以舉出。作為具有剝離性之材質，係與在上述之第二實施形態的變形例中所舉出之材質為同樣。在此形態中，相當於第五基材面410的面，即，加以配置剝離基材420之碳奈米管薄片20A的面之表面粗度Ra1則為0.05μm以上者為佳，而更理想為0.1μm以上，又更理想為0.15μm以上。當加以配置剝離基材420之碳奈米管薄片20A的面之表面粗度Ra1為0.05μm以上時，未將碳奈米管薄片20A斷裂而可容易地進行剝離。
在碳奈米管薄片構造體1F中，加以配置剝離基材420之碳奈米管薄片20A的面之表面粗度Ra1係為10μm以下為佳，而更理想為5μm以下，又更理想為3μm以下。當加以 配置剝離基材420之碳奈米管薄片20A的面之表面粗度Ra1為10μm以下時，適度地加以維持第六基材面510之平滑性之故，加以抑制因加以配置碳奈米管薄片20A的面之凹凸引起之碳奈米管薄片20之破壞等之缺陷發生。
[第五實施形態之變形例]
例如，在有關第五實施形態之層積體100A中，加以配置於第一之碳奈米管薄片構造體1Da之第五基材500上的碳奈米管薄片20B係舉例說明過對於第二碳奈米管薄片構造體1Db之第三墊片部80上亦加以配置的例，但本發明係未加以限定於如此之形態。例如，如圖16所示之碳奈米管薄片構造體1G及層積體100B之構成，亦作為本發明之一形態而加以舉出。層積體100B係具有：加以層積2個之碳奈米管薄片構造體1G(第一碳奈米管薄片構造體1Ga及第二之碳奈米管薄片構造體1Gb)之構造。第一碳奈米管薄片構造體1Ga及第二之碳奈米管薄片構造體1Gb之各自係包含：碳奈米管薄片20A，第五基材500，和第三墊片部80。在此，碳奈米管薄片構造體1G之碳奈米管薄片20A係在層積狀態中，未加以配置於第三墊片部80上，而在圖16所示之平面視中，加以收容於在2個第五基材500與第三墊片部80所區劃之範圍Sa內。因此，如根據碳奈米管薄片構造體1G時，可得到與第四實施形態及第五實施形態同樣的效果。然而，對於使碳奈米管薄片構造體1G層積所得到之層積體，亦可加以層積3個以上之碳奈米管薄片構造體1G， 而對於碳奈米管薄片構造體1G為長尺狀的情況係卷繞3周以上而加以層積亦可。
[第一實施形態之變形例]
例如，在第一實施形態中，以舉例說明過對於第一基材10與碳奈米管薄片20之間，係形成有第一墊片部30的形態，但本發明係未加以限定於如此之形態。
例如，如圖17所示之碳奈米管薄片構造體1H之構成，亦作為本發明之一形態而加以舉出。在碳奈米管薄片構造體1H中，於第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1之第一基材10之第二基材面12，更且加以形成第二墊片部50。第二基材面12係具有：形成有第二墊片部50之第九範圍12a，和未形成有第二墊片部50之第十範圍12b。第九範圍12a係與第一基材面11的第一範圍11a同樣地，亦可加以實施底塗處理之表面處理，以及實施黏著處理。
碳奈米管薄片構造體1H之第二墊片部50係於使碳奈米管薄片構造體1H複數層積之情況，使碳奈米管薄片20與第一基材10離間的構件。第二墊片部50係與第一實施形態之第一墊片部30同樣。
在碳奈米管薄片構造體1H中，第一墊片部30之位置，和第二墊片部50之位置則在碳奈米管薄片構造體1H之厚度方向的剖面視為重疊。然而，作為墊片部之位置的重疊程度，與前述同樣，使碳奈米管薄片構造體1H複數層積之情況，如呈可抑制碳奈米管薄片20則被按壓於墊片部而產生 變形，以及損傷情況地重疊即可，而在碳奈米管薄片構造體之剖面視，墊片部之位置則呈一致地重疊者為佳。
如根據碳奈米管薄片構造體1H，可得到與有關第一實施形態之碳奈米管薄片構造體1同樣的效果。
對於圖18係加以顯示使碳奈米管薄片構造體1H複數層積之層積體100C的剖面圖。然而，對於層積體100C之最下段係如圖18所示，使碳奈米管薄片構造體1層積亦可。
如根據層積體100C時，加以省略在有關第三實施形態之碳奈米管薄片構造體1B的第三基材300，亦可維持碳奈米管薄片20之自立狀態。因此，如根據層積體100C，保持維持碳奈米管薄片20之自立狀態，保持及搬送碳奈米管薄片構造體1H之情況則為容易。更且，如根據層積體100C時，第一基材10則擔負第三基材300之作用之故，可省略相當於第三基材300之構件而可薄形化，及輕量化層積體。
[第三實施形態之變形例]
在第三實施形態中，舉例過說明第三基材300則以與第一實施形態之第一基材10同樣的材質加以構成之形態，但作為其他的形態，例如，亦可舉出第三基材300則以與第一實施形態的第一基材10不同材質加以構成之碳奈米管薄片構造體。
在第一實施形態之變形例或第三實施形態中，舉例說明過第二墊片部50則與第一實施形態之第一墊片部30同樣 的形態，但作為其他的形態係例如，第二墊片部50與第一墊片部30則在材質，厚度，及形狀之至少一項的要素中，相互不同之碳奈米管薄片構造體亦可加以舉出。
1‧‧‧碳奈米管薄片構造體
10‧‧‧第一基材
11‧‧‧第一基材面
11a‧‧‧第一範圍
11b‧‧‧第二範圍
12‧‧‧第二基材面
20‧‧‧碳奈米管薄片
21‧‧‧第一薄片面
22‧‧‧第二薄片面
30‧‧‧第一墊片部

Claims (14)

  1. 一種碳奈米管薄片構造體，其特徵為前述碳奈米管薄片構造體係含有：具有複數之碳奈米管優先地排列於薄片之面內的一方向之構造的碳奈米管薄片，和具有與前述碳奈米管薄片對向之第一基材面的第一基材，和使前述碳奈米管薄片與前述第一基材離間之第一墊片部；前述第一基材之前述第一基材面係具有：形成有前述第一墊片部之第一範圍，和未形成有前述第一墊片部之第二範圍；前述第一基材係在前述第一基材面的前述第二範圍中，與前述碳奈米管薄片離間，前述第一基材係具有與前述第一基材面相反側之第二基材面，前述第二基材面係具有剝離性之碳奈米管薄片構造體。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，更具有第二墊片部，前述第二墊片部係加以形成於前述第二基材面，在前述碳奈米管薄片構造體之厚度方向的剖面視，形成於前述第一基材面之前述第一墊片部的位置，和形成於 前述第二基材面的前述第二墊片部的位置為重疊者。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述碳奈米管薄片係具有：形成有前述第一墊片部之第一薄片面，和與前述第一薄片面相反側之第二薄片面，更含有具有對向於前述碳奈米管薄片之前述第二薄片面之第三基材面的第二基材者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述碳奈米管薄片則加以配置於前述第三基材面上者。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述第三基材面的表面粗度Ra1為0.05μm以上者。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述第三基材面的表面粗度Ra1為10μm以下者。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述碳奈米管薄片係具有：形成有前述第一墊片部的第一薄片面，和與前述第一薄片面相反側的第二薄片面，更含有具有對向於前述碳奈米管薄片之前述第二薄片 面的第四基材面之第三基材，和使前述碳奈米管薄片與前述第三基材離間的第二墊片部；前述第三基材之前述第四基材面係具有：形成前述第二墊片部之第三範圍，和未形成有前述第二墊片部之第四範圍；前述第三基材係在前述第四基材面的第四範圍中，與前述碳奈米管薄片離間，加以配置於前述第一基材與前述碳奈米管薄片之間的前述第一墊片部之位置，和加以配置於前述第三基材與前述碳奈米管薄片之間的前述第二墊片部之位置則在前述碳奈米管薄片構造體的厚度方向之剖面視成為重疊者。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，更包含：具有與前述第一基材之前述第一基材面對向之第五基材面的第四基材；前述第一墊片部係加以配置於前述第一基材與前述第四基材之間，前述第四基材的前述第五基材面係具有：形成有前述第一墊片部之第五範圍，和未形成有前述第一墊片部之第六範圍；前述碳奈米管薄片係與前述第一基材面的前述第二範圍離間，加以配置於前述第五基材面的前述第六範圍 上者。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述第五基材面的前述第六範圍之表面粗度Ra1為0.05μm以上者。
  10. 如申請專利範圍第9項記載之碳奈米管薄片構造體，其中，前述第五基材面的前述第六範圍之表面粗度Ra1為10μm以下者。
  11. 一種層積體，其特徵為加以複數層積如申請專利範圍第1項至第10項任一項記載之碳奈米管薄片構造體。
  12. 一種層積體，係加以層積複數之碳奈米管薄片構造體之層積體，其特徵為前述碳奈米管薄片構造體係含有：具有複數之碳奈米管優先地排列於薄片之面內的一方向的構造之碳奈米管薄片，和具有與前述碳奈米管薄片對向之第六基材面，及與前述第六基材面相反側之第七基材面的第五基材，和形成於前述第七基材面之第三墊片部；前述第七基材面係具有：形成有前述第三墊片部之第七範圍，和未形成有前述第三墊片部之第八範圍， 在加以層積複數之前述碳奈米管薄片構造體的狀態中，前述碳奈米管薄片係與前述第七基材面的前述第八範圍離間者。
  13. 如申請專利範圍第12項記載之層積體，其中，在前述碳奈米管薄片構造體中，前述碳奈米管薄片係加以配置於前述第五基材上，前述第六基材面之表面粗度Ra1則為0.05μm以上者。
  14. 如申請專利範圍第13項記載之層積體，其中，前述第六基材面的表面粗度Ra1為10μm以下者。
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