TWI751468B - 記憶體輔助熱傳結構 - Google Patents

Abstract

一種記憶體輔助熱傳結構，與至少一記憶體單元及一水冷組件對應組設，該記憶體輔助熱傳結構，係包含：一本體具有一第一端及一第二端及一中間段，所述中間段具有一受熱側及一接觸側，該受熱側與該記憶體單元上所設之至少一晶片對應設置，所述接觸側係與該水冷組件貼合組設，透過本發明之結構係可減少記憶體單元與水冷組件間之摩擦以及填補間隙降低熱阻現象之發生。

Description

記憶體輔助熱傳結構

一種記憶體輔助熱傳結構，尤指一種具耐磨且熱傳係數高可降低 熱阻抗的記憶體輔助熱傳結構。

現行電子設備中內部具有許多作為數據計算使用的電子晶片，而該等電子晶片即為電子設備中產生熱量的發熱元件，傳統一般針對發熱元件進行解熱係透過熱傳元件(熱管、均溫板、散熱器等)直接接觸熱源並對應設置散熱風扇對熱傳元件進行強制散熱，但隨著計算能力越強的電子晶片進步伴隨而來所產生的熱量也是提升不少，故傳統的解熱方式已經無法滿足，需透過水冷之方式進行解熱。

水冷主要透過於電子設備中設置水冷管路以及吸熱使用之冷水頭進行熱交換，但電子設備中其中之一的發熱源(記憶體單元)表面上係具有複數晶片，該等晶片必須直接貼設吸收熱源的水冷頭構件或水冷套件以進行冷卻，而水冷套件一旦組裝後需要重工之機會具有困難度，一般使用者無法自行更換內部損壞之電子元件例如記憶體單元，故必須將整組電子設備送回原廠後，由原廠進行記憶體單元及其他電子元件的更換，相當不便利。

此外，當記憶體晶片封裝的外部殼體(即金屬或陶瓷材質)與水冷套件接觸之外表面常因插拔產生摩擦，容易在記憶體晶片封裝的外部殼體表面產生刮痕而形成熱阻現象或破壞外部殼體令記憶體晶片裸露而遭受污染。

另者，當水冷套件管路表面因與記憶體晶片封裝的外部殼體產生摩擦而令水冷套件管路易發生破損的現象，進而造成漏水進而使記憶體短路損毀，則不論在組裝時或是重工時都將會因摩擦而產生上述之問題待改善。

故如何解決電子設備散熱以及自行排除電子元件故障之問題，則為現行業者首要解決之目標。

爰此，為有效解決上述之問題，本發明之主要目的，係提供一種提升記憶體之晶片表面與水冷組件表面耐磨性且提升熱傳係數並可降低熱阻抗的記憶體輔助熱傳結構。

為達上述之目的，本發明係提供一種記憶體輔助熱傳結構，與至少一記憶體單元及一水冷組件對應組設，該記憶體輔助熱傳結構，係包含：一本體； 所述本體具有一第一端及一第二端及一中間段，所述中間段兩端延伸連接前述第一、二端，所述中間段具有一受熱側及一接觸側，所述第一、二端與所述記憶體單元對應設置，該受熱側與該記憶體單元上所設之至少一晶片相對應設置，所述接觸側係與該水冷組件貼合組設。

本發明之記憶體輔助熱傳結構係可提供記憶體透過水冷散熱時，可設置於水冷元件與記憶體單元之間，藉以增加記憶體單元之晶片與水冷組件的表面耐磨性，並進一步填充間隙，並提供具耐磨及導熱性質佳的特性，藉此有助於使用者可自行更換記憶體單元，且多次更換也不傷害水冷組件及記憶體單元之晶片者。

1:本體

11:第一端

111:第一夾角

12:第二端

121:第二夾角

13:中間段

131:受熱側

1311:導熱介質

132:接觸側

1321:耐磨層

2:記憶體單元

21:晶片

3:水冷組件

第1圖係為本發明之記憶體輔助熱傳結構第一實施例之立體分解圖； 第1a圖係為本發明之記憶體輔助熱傳結構第一實施例之剖視圖；第2圖係為本發明之記憶體輔助熱傳結構第一實施例之組合圖；第3圖係為本發明之記憶體輔助熱傳結構第二實施例之立體分解圖；第4圖係為本發明之記憶體輔助熱傳結構之操作示意圖；第5圖係為本發明之記憶體輔助熱傳結構之剖視圖。

本發明之上述目的及其結構與功能上的特性，將依據所附圖式之較佳實施例予以說明。

請參閱第1、1a、2圖，係為本發明之記憶體輔助熱傳結構第一實施例之立體分解及剖視與組合圖，如圖所示，本發明記憶體輔助熱傳結構與至少一記憶體單元及一水冷組件對應組設，該記憶體輔助熱傳結構，係包含：一本體1； 所述本體1具有一第一端11及一第二端12及一中間段13，所述中間段13兩端延伸連接前述第一、二端11、12，所述該中間段13與該第一、二端11、12間可具有夾角或曲面或弧面等，其中該夾角係包況一第一夾角111及一第二夾角121，所述第一、二夾角111、121大於等於90度，所述第一、二端11、12與所述記憶體單元2對應設置。

所述中間段13具有一受熱側131及一接觸側132並分別設置於該中間段13之兩側，該受熱側131與該記憶體單元2上所設之至少一晶片21對應設置，所述接觸側132係與該水冷組件3貼合組設。

所述中間段13的接觸側132具有一耐磨層1321，所述耐磨層1321係透過電鍍、表面處理或鍍層其中任一方式成形於該接觸側132，其作用在於增加接觸側132的耐磨性，所述本體1具有彈性，於所述中間段13施加外力時係與該記憶體單 元2上之晶片21表面緊密貼合，當外力移除即恢復原狀遠離該記憶體單元2上之晶片21表面，所述受熱側131具有一導熱介質1311，該導熱介質1311為銀散熱膏、發泡銅、發泡鋁、導熱膠(膏)、gap pad其中任一。

所述本體1係為一導熱性質較佳之材質如金、銀、銅、鐵、鋁、鈦、銅合金、鋁合金、鈦合金、石墨、陶瓷其中任一。

所述本體1之第一端11及該第二端12呈一傾斜狀，所述水冷組件3係為一水冷冷卻管，所述接觸側132係透過插(卡)接之摩擦方式與該水冷組件3接觸結合(參閱第3圖所示)並透過該第一端11或第二端12與本體1產生之斜面或曲面可提升本體1與水冷組件3組合之便利性便於導入結合。

請參閱第3圖，係為本發明之記憶體輔助熱傳結構第二實施例之立體分解圖，如圖所示，本發明記憶體輔助熱傳結構與前述第一實施例部分結構相同，故在此將不再贅述，惟本實施例與前述第一實施例不同處在於，所述記憶體單元2前、後(或左、右)兩側同時設置有複數晶片21，本實施例同時選用兩本體1貼附於前述記憶體單元2的前、後兩側，並當該本體1中間段13受到外力加壓，則該中間段13之受熱側131則向該等晶片21靠近並直接貼(接)設，藉此透過該本體1同時對該記憶體單元2兩側進行熱傳導。

請參閱第4、5圖，係為本發明之記憶體輔助熱傳結構之操作示意圖及剖視圖，如圖所示，本發明記憶體輔助熱傳結構主要應用於電子設備的記憶體，當電子設備使用水冷方式進行散熱時，該記憶體單元2與該水冷組件3之間主要必須透過一填充介質設置於兩者之間作為熱接觸傳遞使用，故本發明透過本體1作為填充於兩者之間使用，並當記憶體單元2組合時同時將該本體1一同嵌入，而該本體1設置於該記憶體單元2與水冷組件3(水冷管、水冷頭)之間的間隙之中， 並當該本體1嵌入該間隙之中時，該本體1的中間段受到擠壓而產生型變，由該中間段13的接觸側132與該水冷組件3摩擦接觸後貼合，而該另側的受熱側131受擠壓後與該記憶體單元2上的晶片21貼設接觸傳導熱量，並因該接觸側132必須透過摩擦之方式與該水冷組件3結合，故該接觸側132則透過表面處理之方式加強耐磨特性或減少摩擦係數之特性，藉此可防止遭受損壞以及避免過度磨耗水冷單元之組件。

另外，受熱側131也進一步設置導熱介質1311(如第1a圖)，該導熱介質1311為銀散熱膏、發泡銅、發泡鋁、導熱膠(膏)、gap pad其中任一，藉此可增加熱傳導之效率以及避免有多餘之間隙產生熱阻之情況發生。

本案主要改善電子設備如使用水冷系統，針對記憶體單元與水冷系統貼合之部位的改良，習知將水冷系統模組化後，許多電子零組件直接受水冷系統中管路夾持且緊密固定，水冷系統無法移除則令使用者無法自行更換電子零組件，而本案主要即是該善使用者無法在使用習知水冷系統的電子設備中自行更換零件等缺失，並提升記憶體晶片與水冷組件間的耐磨性以及便利插拔，藉以大幅提昇便利性。

1:本體

11:第一端

111:第一夾角

12:第二端

121:第二夾角

13:中間段

131:受熱側

132:接觸側

2:記憶體單元

21:晶片

Claims (8)

1. 一種記憶體輔助熱傳結構，與至少一記憶體單元及一水冷組件對應組設，該記憶體輔助熱傳結構，係包含：一本體，具有一第一端及一第二端及一中間段，所述第一、二端由該中間段的兩端向外傾斜延伸所形成，並該第一、二端抵接該記憶體單元一側，所述中間段具有一受熱側及一接觸側，所述受熱側係與該記憶體單元上所設之至少一晶片對應設置，所述本體具有彈性，於所述中間段施加外力時係與該記憶體單元上之晶片表面緊密貼合，所述接觸側係與該水冷組件組設者，所述接觸側具有一耐磨層，進而減少記憶體單元與該水冷組件間之摩擦以及填補間隙降低熱阻現象之發生。
2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述耐磨層係透過電鍍、表面處理或鍍層其中任一方式成形於該接觸側。
3. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述本體具有彈性，所述中間段施加外力係與該記憶體單元上之晶片表面緊密貼合，當外力移除即恢復原狀遠離該記憶體單元上之晶片表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述本體係為一導熱性質較佳之材質如金、銀、銅、鐵、鋁、鈦、銅合金、鋁合金、鈦合金、石墨、陶瓷其中任一。
5. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述受熱側具有一導熱介質，該導熱介質為銀散熱膏、發泡銅、發泡鋁、導熱膠(膏)、gap pad其中任一。
6. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述水冷組件係為一水冷冷卻管，所述接觸側係透過摩擦之方式與該水冷組件接觸結合。
7. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述該中間段與該第一、二端間具有一第一夾角及一第二夾角，所述第一、二夾角大於等於90度。
8. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體輔助熱傳結構，其中所述本體之第一端及該第二端呈傾斜狀。

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