TWI745600B - 製造塗覆物件之方法 - Google Patents
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Abstract
某些例示實施例係有關於加施用於一塗覆物件的一部份之一陶瓷塗料加熱,以便至少部份“蝕穿”(etch through)底下之塗層,且任何剩餘材料係可藉由清洗移除,及相關物件。於某些例示實施例,塗層係多層式經濺鍍沉積之塗層,其係形成於一玻璃或其它基材上。加熱係可與會於塗覆物件上實施之傳統熱處理(例如,熱回火)及/或熱彎曲方法一併提供。
Description
技術領域
本發明之某些例示實施例係有關於具有一或多個經陶瓷塗料改質之表面的塗覆物件,及/或其相關方法。更特別地,本發明之某些例示實施例係有關於將施用至一塗覆物件的一部份之一陶瓷塗料加熱,以便至少部份“蝕穿”(eat through)底下之塗層,且任何剩餘材料係可藉由清洗移除,及其相關物件。
背景及概要
一塗覆物件包括藉由一基材支撐之一單層或多層塗層。,玻璃基材時常會與塗覆物件一併使用,且塗層時常會係藉由磁控濺鍍等形成之薄膜塗層。
諸如此等之塗覆物件可用於各種應用,其包括,例如,低放射率(低-E)窗、反射產品(例如,商用或家用之鏡子、太陽反射器等)、電子應用(例如,用於雷達、HF,或其它阻尼或傳送應用;於平板顯示器等)等。抗反射(AR)塗層、防鳥塗層、紫外光阻斷塗層等可與此等產品使用,集成於此等產品內,或與此等產品相比個別
地使用。
為符合此等及/或其它需求,塗覆物件可“獨立地”(例如,以單片產品)、層合產品(例如,其中兩片玻璃使用一聚合物系或其它中間層,諸如,PVB、EVA、PET、PU等結合在一起)、建入絕緣玻璃單元(IG單元或IGU)或真空絕緣玻璃(VIG)單元內使用,用於結構玻璃製品(structural glazing)等。
時常,會需要或想要移除一塗層之至少一部份。例如,時常想要“邊緣刪除”(edge delete)某些塗層。邊緣刪除一般涉及移除底下之基材的周圍邊緣附近之一部份塗層。邊緣刪除於,例如,降低一塗層惡化可能性會係有幫助,因為腐蝕及損害性進水通常開始於未密封之周圍邊緣等。於此等及/或其它之應用,移除塗層於對結合之一材料提供一更結構上牢固的表面會係有幫助,例如,因為與與一塗層之一上表面相比,硬體之一導軌、把手,或其它物件會與原始玻璃形成一更堅固連接,以及其它。相似地,於此等及/或其它之應用,移除塗層於提供電隔離以及其它會係有幫助。
邊緣刪除桌係已知。見,例如,美國專利第4,716,686;5,713,986;5,934,982;6,971,948;6,988,938;7,125,462;7,140,953;及8,449,348號案,此等之每一者在此因而被完整併入。一般,於此等桌,提供至此桌之一系列的腳輪能使玻璃橫過此桌之表面平滑移動。各種寬度之磨輪可與防護罩一併使用,以助於
降低殘屑散射及為了安全目的。將玻璃實質上一致地通過檢測頭底下有效率地自玻璃“刪除”塗層,使得其可,例如,與上述及/或其它之物件一併使用。較寬或較窄之磨輪可用以自玻璃表面刪除更多或更少之塗層。
雖然邊緣刪除桌可用於各種應用,但其等不幸地具有其等之限制。例如,邊緣刪除桌時常係大的且於一處理線中需要額外機具。增加處理步驟會增加遞送時間及成本。邊緣刪除桌因其等之性質亦會產生殘屑,其因此需要處理。
再者,雖然邊緣刪除桌因其名稱所隱含時常係適於邊緣刪除,但其等於移除內部區域之塗層的能力時常係受限制。此會變成增加問題,因為欲被移除之區域變得愈來愈小,因為對於磨輪可能之尺寸降低具有一實際限制,及類似者。傳統之邊緣刪除桌時常係不適於各種電子應用,例如,其中於導電區域間之薄分界線係需要時。
銀漿普遍被用以與金屬導電層形成電連接。見,例如,美國公開第2010/0330309號案及美國專利第4,941,929;8,664,570;及8,668,798號案,此等參考案描述例示之銀熔塊/漿,且因而在此被完整併入以供參考。銀漿典型上被用以滲透氧化或陶瓷膜之頂層(或多個層),以便與一或多個金屬導電層接觸。
但是,不幸地,銀漿並非總是能滲透所有薄膜塗層的最頂層(或多個層)到達金屬導電層,特別是於設於一或多個金屬導電層上之一層(或多個層)係極強介電
質之情況。例如,當塗層堆疊物之設計包括過渡元素或化合物(包括,例如,鋯、鈧、鈦、釩、釔、鈮、鑭、鉿,及/或鉭)之頂部層時,具高表面強度之高介電膜會產生。現今可於市面上購得之標準銀漿通常不會滲透此等高介電膜,且因此不會於塗層堆疊物設計中之金屬電流傳輸層產生一電接觸。再者,於想要完整地蝕穿塗層之應用,許多傳統銀漿會係不足,因為其等可能甚至無法穿透頂部介電材料。改良已於厚介電材料被製成時與形成電連接一併為之(見,例如,美國專利第9,085,051號案,此案之內容因而在此被併入以供參考),但此等改良係被設計成促進電連接,其係與將一塗層完全溶解相反。銀漿及/或其它漿料對於大面積刪除亦會係不實際。
某些例示實施例解決此等及其它顧慮。例如,某些例示實施例係有關於將施用於一塗覆物件的一部份之一陶瓷塗料加熱,以便至少部份“蝕穿”底下之塗層,且任何剩餘材料可藉由清洗移除,及其相關物件。此等技術可被用以替代機械式邊緣刪除、圖案化、雷射刻劃、離子束研磨,及/或其它技術或與此等之一起使用。
於某些例示實施例,提供一種製造塗覆物件之方法,此塗覆物件包括藉由一玻璃基材支撐的一經濺鍍沉積之塗層。一溶解塗層之材料係於此經濺鍍沉積之塗層將被移除的一或多個區域中施用於此經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸。具有施用於經濺鍍沉積之塗層上且與其接
觸之溶解塗層的材料之玻璃基材係於500-700℃之溫度加熱不多於10分鐘。加熱造成於溶解塗層之材料下的經濺鍍沉積之塗層於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域至少部份受損,但不會造成其它區域的經濺鍍沉積之塗層受損。加熱之後,玻璃基材被清洗以使於經濺鍍沉積之塗層將被移除的一或多個區域中的在製造塗覆物件中之過量材料自玻璃基材移除。塗層包含複數個介電層。
於某些例示實施例,提供一種製造塗覆物件之方法,此塗覆物件包括藉由一玻璃基材支撐的一經濺鍍沉積之塗層。具有在此經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域中施用於經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸的一溶解塗層之材料的玻璃基材被加熱,且此加熱至少部份溶解在經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域中的經濺鍍沉積之塗層,但於其餘處不會溶解經濺鍍沉積之塗層,且加熱係與玻璃基材之熱處理及/或熱彎曲一併實施。加熱之後,玻璃基材被清洗以使於經濺鍍沉積之塗層將被移除的一或多個區域中的在製造塗覆物件中之過量材料自玻璃基材移除。
於某些例示實施例,一中間塗覆物件包含一玻璃基材;一經濺鍍沉積之塗層,其係藉由此玻璃基材支撐;及一溶解塗層之材料,其係在經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域中施用於經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸,溶解塗層之材料具有一組成物,其係被選擇以便於玻璃基材之熱處理及/或熱彎曲使用之溫度係可加熱,
造成在經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域中使經濺鍍沉積之塗層溶解,及其後係可藉由清洗移除。
依據某些例示實施例,溶解塗層之材料可為於加熱後係可藉由水清洗而移除之一陶瓷塗料;且經濺鍍沉積之塗層可為一功能性(例如,低-E、AR、導電性、阻斷紫外光、反射性、太陽能控制等)塗層,其包含複數個薄膜層。
此處所述之特徵、面相、優點,及例示實施例可被組合以實現另外實施例。
S102、S104、S106、S108、S102’、S104’、S106’ S202、S108’:步驟
302、402、502、602、702、802、902、1002a、1002b:基材
304a:包含銀之第一層
304b:包含銀之第二層
306a:包含氧化鋅之第一層
306b:包含氧化鋅之第一層
308a、308b、318、412a、412b、412c:包含Ni、Cr,及/或Ti之層
310、312、316a、316b、418:含有矽之層
314a、314b:包含氧化鍚之第一層
320、414a、414b、414c:包含氧化錫之層
404:第一含矽之層
406:包含氧化鈦之層
408a:包含Ag之第一層
408b:包含Ag之第二層
408c:包含Ag之第三層
410a、410b、410c:包含氧化鋅之層
416:包含Ni、Cr,及/或Ti之薄層
420:包含錫酸鋅之層
422a、422b:包含Si之層
504:包含Ni、Cr、Ti,及/或此等之組合之層
506a:第一含有矽之層
506b:第二含有矽之層
604:含矽之層
606a:第一含鈮之層606a
608a:第一矽之交替層
606b:第二含鈮之層
608b:第二含矽之交替層
606c:第三含鈮之層
700、800、900:塗覆物件
704、904、1008、1108:塗層
P1、P2、P3、P4:周圍邊緣
IA:電隔離區域
804a:第一導性塗覆區域
804b:第二導性塗覆區域
MA:安裝區域
1000:IGU
1004:邊緣分隔物
1006:空氣間隙
1100:真空絕緣玻璃單元
1104:密閉式邊緣封件
1106:間隙
此等及其它之特徵與優點可參考下列例示說明實施例之詳細說明並結合圖式而更佳且更完整瞭解,其中:圖1係顯示依據一例示實施例之用於使用一陶瓷塗料移除一塗層的部份之一例示方法的一流程圖;圖2係顯示依據一例示實施例之用於使用一陶瓷塗料移除一塗層的部份之另一例示方法的一流程圖;圖3係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包括一例示之低放射率(低-E)塗層,其可使用某些例示實施例之技術至少部份移除;圖4係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包括另一例示之低-E塗層,其可使用某些例示實施例之技術至少部份移除;圖5係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆
物件包括一例示之高反應性太陽能控制塗層,其可使用某些例示實施例之技術至少部份移除;圖6係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包括一例示之高反應性介電鏡塗層,其可使用某些例示實施例之技術至少部份移除;圖7係一塗覆物件之一頂視圖,此塗覆物件具有其塗層之周圍邊緣,其係使用某些例示實施例之技術移除;圖8係依據某些例示實施例的一塗覆物件之一頂視圖,此塗覆物件具有其塗層之被移除以便產生電隔離區域的區域;圖9係依據某些例示實施例之一塗覆物件的一頂視圖,此塗覆物件具有其塗層之被移除以便支撐其上特徵之安裝的區域;圖10係一絕緣玻璃單元之一示意截面圖,此絕緣玻璃單元包括一塗覆物件,其具有其塗層之周圍邊緣,其係使用某些例示實施例之技術移除;及圖11係一真空絕緣玻璃單元之一示意截面圖,此真空絕緣玻璃單元包括一塗覆物件,其具有其塗層之周圍邊緣,其係使用某些例示實施例之技術移除。
詳細說明
某些例示實施例係有關於用以選擇性移除藉由一基材支撐之一塗層的一部份或多個部份之一改良技術。此塗層
於某些例子可包括一經濺鍍沉積之塗層,其包含一或多個薄膜層,且此基材於某些例示可為一玻璃基材。一旦此膜自所欲區域移除,形成之塗覆物件可用於各種建築、技術/電、汽車,及/或其它之應用。例如,例示技術可與絕緣玻璃單元(IGU或IG單元)一併使用,例如,其中,欲提供用於一邊緣分隔物之一“乾淨”邊緣;真空絕緣玻璃(VIG)單元,例如,其中,欲提供用於將此等單元結合在一起的一玻璃料之一“乾淨”邊緣;結構玻璃製品,例如,其中,欲提供用於一框或其它安裝特徵的一“乾淨”邊緣;裝飾性設計;防鳥單元,例如,其中,欲壓印供鳥觀看之一圖案;用於電分段(例如,用於雷阻尼、HF放射阻尼及/或傳送),例如,產生電隔離區域;用於汽車或相關之應用,例如,其中,欲提供例如,用於滑窗之軌道、止動銷等(例如,用於卡車、曳引機等,以及用於收費亭及其它應用)等。
圖1係顯示依據例示實施例之用於使用一陶瓷塗料移除一塗層的部份之一例示方法的一流程圖。如由圖1會瞭解般,某些例示實施例係有關於一種製造包括藉由一玻璃基材支撐的一經濺鍍沉積之塗層的塗覆物件之方法,及/或一相對應塗覆物件。於步驟S102,塗層係形成於基材上。於此例子之塗層可包括複數個介電層及/或其它層。於某些例示,塗層可包括一包含ITO之層,且其於其它例子可缺乏任何包含ITO之層。於步驟S104,一溶解塗層之材料係於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個
區域中施用於經濺鍍沉積之塗層上及與其接觸。
溶解塗層之材料於某些例示實施例中可為一塗料,例如,一陶瓷塗料。Ferro之TDF9283AAL產品係一無鉛助溶漿,其係用於在燃燒期間溶解於玻璃上之導性ITO系塗層。燃燒層以水移除。此產品中之助溶漿系統包含P2O5-Na2O。Ferro之產品係被設想為以一漿料使用,自粉末混合,可於在690-710℃燃燒3分鐘後用於移除ITO塗層及含有ITO之塗層。相反地,某些例示實施例使此材料作為一塗料,且將其用於在較低溫度移除不同類型之塗層。例如,藉由使此材料作為一塗料,且將其施用於一多層式的經濺鍍沉積之薄膜塗層,某些例示實施例能於典型上用於玻璃之熱處理(例如,熱回火)及/或熱彎曲的一溫度範圍移除底下之塗層。塗料之施用可自動地實施,例如,以可以程式控制之機器人。有利地,對於一邊緣刪除桌及/或其它移除裝置的需求可被去除,因為塗料可被活化而經由已可能係形成一商用生產線的部份之裝置移除底下之區域。操作溫度係可與現存方法相容,此以易於整合於一原有功能性生產線中而言係更有利。再者,陶瓷塗料可通過功能性層,通過另外之厚介電層等“蝕穿”厚介電層,完全移除許多不同種類(包括,例如,低-E、AR、導性、阻斷紫外光、反射、太陽能控制等)之塗層。因此,替代僅露出某些用於電接觸及/或隔離之層,某些例示實施例破壞塗層且使形成之殘屑被簡單地清洗掉,使得基材之表面露出。
再次參考圖1,步驟S106涉及將具有施用於經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸的溶解塗層之材料的玻璃基材於500-700℃(更佳係500-680℃,更佳係580-650℃,其係用於熱回火)之溫度加熱不多於10分鐘。加熱造成在溶解塗層之材料下的經濺鍍沉積之塗層於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域中至少部份受損,但加熱不會造成其它區域中的經濺鍍沉積之塗層非所欲的受損。加熱之後,於步驟S108,玻璃基材被清洗(例如,使用去離子水及/或類似物),而於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域中使於製造塗覆物件中的過量材料自玻璃基材移除。
會瞭解此處揭露之例示技術可被放大,以便與可製造中間塗覆物件之原料片一起作業。在這方面,圖2係顯示依據一例示實施例之用於使用一陶瓷塗料移除一塗層的部份之另一例示方法的一流程圖。圖2之流程圖係與圖1之流程圖相似。例如,於步驟S102’,一塗層係,例如,經由濺鍍或類似者形成於大原料片上。於步驟S104’,陶瓷塗料係在塗層將被移除之區域中施用至原料片。塗覆物件,或會被進一步處理之中間塗覆物件係於步驟S202切割,例如,其上具有塗料。然後,塗覆物件可於步驟S106’中加熱,例如,與熱處理及/或彎曲程序一併,以便損害及實質上移除底下之塗層。於步驟S108’,塗覆物件被清洗而移除殘餘殘屑及/或類似物。
由上述會瞭解此處所述之例示技術可與各
種塗層及塗層型式一併使用。數種例示塗層係顯示於圖3-6且與其等一併作說明。但是,會瞭解除非明確主張,此等例示塗層及此等例示塗層型式係提供作為例示且無限制性。
圖3係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包一例示之低放射率(低-E)塗層,其可使用某些例示實施例之技術至少部份移除。圖3之基材302支撐包含銀之第一及第二層304a及304b。直接於包含銀之第一及第二層304a及304b底下且與其等接觸係包含氧化鋅之第一及第二層(此等亦可包括鋁)306a及306b,此等可助於促進其上之良好Ag生長,且直接於包含銀之第一及第二層304a及304b且與此等接觸係包含Ni、Cr,及/或Ti之層308a及308b,此等於某些例示實施例可被氧化。一含有矽之層310(例如,一包含氧化矽、氮化矽,及/或氧氮化矽之層)係設於玻璃302上,且可作為一鈉阻絕層及/或協會此堆疊物之整體光學件。另一含有矽之層312可提供作為此堆疊物之一最上層,且可助於保護在底下之層,例如,於熱處理期間象於機械磨耗等。包含氧化鍚之第一及第二層314a及314b可設於第一及第二層308a及308b之上,例如,作為破裂物之罩蓋。另一包含矽之層基本上可分裂成二層316a及316b,且以另一包含Ni、Cr,及/或Ti之層318分隔開,其可被氧化,其可進一步保護較低之層堆疊物。另一包含氧化錫之層320可設於包含矽之分裂層之間。會瞭解某些或全部之包含氧化鋅的層亦可包括鋁及
/或鋅等。圖3之例示塗覆物件的例示層材料及厚度係於以下之表中提供:
圖4係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包括另一例示之低-E塗層,其可使用某些例示實施例至少部份移除。基材402支撐一第一含矽之層404及一包含氧化鈦之層406,此等一起助於在整體堆疊物中提供所欲光學件。塗層包括包含Ag之第一層、第二層,及第三層408a,408b,及408c。包含Ag之每一層於其底下個別具有與其直接接觸或接近直接接觸之一包含氧化鋅之層410a,410b,及410c。包含氧化鋅之此等層410a,410b,及410c於某些例示實施例中可包括Al及/或Sn。於此等Ag層上且與此等接觸係包含Ni、Cr,及/或Ti之層412a-412c,此等於某些例示實施例中可被氧化,且於此
等層412a-412c的每一者之上係包含氧化錫之一層414a-414c。包含Ni、Cr,及/或Ti之一薄層416可設於包含Ag之最上層408c之下,例如,於可熱處理整體塗層。一最上之含有矽之層418可被設置以助於保護塗層。包含錫酸鋅之一層420可設置於包含Ag之下層408a與中間層408b之間,例如,作為一破裂物層。包含Si之額外層422a-422b可被設置以助於在期後加工期間保護底下之層,提供所欲光學性質及/或類似者。圖4之例示塗覆物件的例示層材料及厚度係於以下之表中提供:
由圖3及圖4會瞭解包含一、二、三,或更多之功能性Ag層及/或其它層之低-E塗層可被提供,且使用某些例示實施例之技術蝕穿。
圖5係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包括一例示之高反應性太陽能控制塗層,其可使用某些例示實施例之技術至少部份移除。於圖5,基材502支撐包含Ni、Cr、Ti,及/或此等之組合的一層504。於某些例示實施例,此層504於某些例示實施例可被氧化及/或氮化,且其可被夾置於第一及第二之含有矽的層506a及506b(此等可包括氧化矽、氮化矽、氧氮化矽,及/或類似物)之間。於圖5之範例,第一及第二之含有矽之層506a及506b包含氮化矽(例如,Si3N4或其它之適合化學計量)。圖5之例示塗覆物件的例示層材料及厚度係於以下之表中提供:
於某些例示實施例,包含鋯(例如,ZrO2或其它適合化學計量)之一層可被設置作為一最上層,例如,用於增進耐久性。此層於某些例子中可為20-100nm厚。
圖6係一塗覆物件之一示意截面圖,此塗覆物件包括一例示之高反應性介電鏡塗層,其可藉由某些例
示實施例之技術至少部份移除。如圖6中所示,基材602支撐於一含矽之材料與一含鈮之材料間呈交替的複數個層,例如,自基材602遠離之順序且終結於一含鈮之層。更特別地,玻璃基材602支撐一含矽之層604,其可助於降低鈉自玻璃基材602遷移的發生率,一第一含鈮之層606a,一第一矽之交替層608a,一第二含鈮之層606b,一第二含矽之交替層608b,及一第三含鈮之層606c。於某些例示實施例,此等含矽之層604及608a-608b之每一者可包含相同材料(例如,氧化矽、氮化矽、氧氮化層,及/或類似物)或由此相同材料所組成。於某些例示實施例,含矽之交替層608a-608b可包含與含矽之層604不同的相同材料或由此相同材料所組成。例如,含矽之交替層608a-608b可包含氧化矽(例如,SiO2或其它適合化學計量),而含矽之層604可包含氮化矽(例如,Si3N4或其它適合化學計量)。於某些例示實施例,每一含鈮之層可另外或額外地包括鋯,及/或鈮及/或鋯之氧化物。圖6之例示塗覆物件的例示層材料及厚度係於以下之表中提供。
與上述之例示塗層及塗層型式的探討相似,會瞭解此處所述之例示技術可與各種應用及產品/應
用及產品型式一併使用。數種例示產品係顯示於圖7-11且與此等圖一併作說明。但是,會瞭解除非明確主張,此等例示之應用及產品,及此等例示之應用及產品的型式係提供作為例示且並無限制性。
圖7係一塗覆物件700之一頂視圖,此塗覆物件700具有藉由基材702支撐的塗層704之周圍邊緣P1,P2,P3,及P4,此等係使用某些例示實施例之技術移除。如於圖7之範例所示,左及右周圍邊緣P1及P2約略具有相同的被移除材料,以便露出基材702之一頂表面,頂及底周圍邊緣P3及P4約略具有相同的被移除材料,但自左及右周圍邊緣P1及P2移除之材料的量係不同於自頂及底周圍邊緣P3及P4移除之材料的量。因此,如自圖7會瞭解般,自周圍邊緣P1,P2,P3,及P4移除的塗層704之面積可為相同或不同。有關於此,此面積可簡單地藉由對此等區域,例如,以所欲之形狀及配置施用比於基材702之最上表面上欲露出者更多或更少之塗覆而控制。
圖8係相似於圖7,其中,圖8係一塗覆物件800之一頂視圖,其具有依據某些例示實施例被移之其塗層的區域,以便產生電離區域。於此範例,塗層係導性且可,例如,用於一天線、自動販賣機、觸控面板,或其它應用。塗層係於周圍邊緣P1,P2,P3,及P4被移除,此等可用於容納圍繞基材802之一框架。此外,一電隔離區域IA係於約略在基材802之中央形成,藉此,產生第一及第二導性塗覆區域804a及804b。電隔離區域IA可於對於
最終產品係合意之任何處形成,且無需於基材802之中央或鄰近中央形成。相似地,更多電隔離區域於不同例示實施例中,例如,藉由在加熱前塗覆所欲結構之區域而形成。此可用於產生多數個觸控區域等。
圖9係一塗覆物件900之頂視圖,其具有依據某些例示實施例被移除之其塗層的區域,以便支撐其上特徵物之安裝。圖9亦相似於圖7,其中,其顯示一基材902,其具有在其上之一塗層904,其係於周圍邊緣P1,P2,P3,及P4附近被移除。圖9之範例可與一汽車應用一併使用,例如,其中欲將一結構安裝於基材902上之若不的話將被塗層904覆蓋之一區域。有關於此,塗料可“內部”施用至塗層904之外邊緣,使得當加熱時,塗層材料於一安裝區域MA被移除。安裝區域MA可,例如,容納一後視鏡及/或其它電子產品,且塗層904可為一導性塗層,其可接收一電流,以便將窗加熱及除霜。於某些例示實施例,一或多個安裝區域可於所示及/或其它之位置設置。
圖10係一IGU 1000之一示意截面圖,其包括一塗覆物件1002a,其具有使用某些例示實施例之技術移除之其塗層1008的周圍邊緣。圖10之例示IGU 1000包括第一及第二實質上平行間隔開之基材1002a及1002b。於此配置,一空氣間隙1006(其可以氧及/或諸如Ar、Kr、Xe,及/或類似物之一惰性氣體填充)係以第一及第二基材1002a及1002b與邊緣分隔物1004作至少部份界
定。
圖10中之第一基材1002a可相似於圖7之例示基材700般作建構,例如,其中塗層1008可於基材1002a之約略周圍區域移除。相較於若非如此而附著於基材1002b之內表面及塗層1008,如此可使邊緣分隔物1004更佳地附著第一及第二基材1002a及1002b之內表面。此可助於降低破裂,氣體自空穴1006漏出,水分漏入空穴1006內等等之可能性。於此範例中之塗層1008可為,例如,一抗反射(AR)塗層。於某些例示實施例,IGU 1000之多數個主要表面可支撐一塗層,諸如,一抗反射塗層。由圖10之例示圖會瞭解塗層被移除之周圍邊緣P1及P2(與其它處)可被“過度刪除”用以,例如,提供分隔物1004某些額外容忍誤差,基材彼此相對地及/或相對於分隔物之熱及/或風載荷誘發式移除等等。
圖11係一真空絕緣玻璃單元1100之一意截面圖,其包括一塗覆物件1102a,此具有使用某些例示實施例之技術移除的其塗層1108之周圍邊緣。圖11係相似於圖10,其中,第一及第二實質上平行相間隔之基材1102a及1102b與密閉式邊緣封件1104一起形成位於其間之一間隙1106,且其中第一基材1102a支撐一塗層1108。間隙1106抽真空至低於大氣壓之壓力,且邊緣封件1104可自一玻璃料或其它材料形成。多數個分隔物可助於使第一及第二基材維持於彼此實質上平行間隔開。因為塗層1108的存在可提供一弱的及/或可輕易破裂密封,
其可於鄰近密封式邊緣封件1104將被移除處自邊緣移除。
會瞭解一塗層可被移除之區域可於其它連續及未間斷塗層的外側、其中,及/或之內,以便形成塗層所在處之一、二,或更多個界定區域。
雖然某些例示實施例已與經濺鍍沉積之薄膜塗層一併作說明,但會瞭解此處所述之例示技術可與以其它方式形成之塗層一併作說明。例如,此處所述之塗料材料可用以移除其它物理氣相沉積(PVD)之沉積塗層,自溶凝膠形成之塗層,燃燒沉積之沉積塗層,及/或類似物。
術語“熱處理”於此處使用時包括將物件加熱至足以使包括玻璃之物件達到熱回火及/或熱強化之一溫度。此定義包括,例如,將一塗覆物件於一烘箱或爐中在至少約550℃,更佳係至少約580℃,更佳係至少約600℃,更佳係至少約620℃,且最佳係至少約650℃之溫度加熱能回火及/或熱強化之一足夠時間。於某些例示實施例,此可為至少約2分鐘,或最高達約10分鐘。
於此處使用時,術語“上”、“支撐”及類似者不應被解釋為意指二元件係彼此直接相鄰,除非明確表示。換言之,即使其間具有一層或更多層,一第一層可被說成係於一第二層“上”或以此第二層“支撐”。
於某些例示實施例,提供一種製造塗覆物件之方法,此塗覆物件包括以一玻璃基材支撐之一經濺鍍
沉積之塗層。一溶解塗層之材料係於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域。具有施用於經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸的溶解塗層之材料的玻璃基材係於500-700℃之一溫度加熱不多於10分鐘,且加熱造成於溶解塗層之材料下的經濺鍍沉積之塗層係於其中經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域至少部份受損,但於其它區域不會造成經濺鍍沉積之塗層非所欲受損。於加熱之後,玻璃基材被清洗以於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域將在製造塗覆物件的過量材料自玻璃基材移除。塗層包含多數個介電層。
除了前段落的特徵外,於某些例示實施例,溶解塗層之材料可另為一塗料,例如,一陶瓷塗料。
除了前二段落之任一者的特徵外,於某例示實施例,經濺鍍沉積之塗層可為一多層式含銀之低放射率塗層,其至少包含第一及第二以Ag為主之層,且一第一組介電層係位於第一以Ag為主之層與基材之間,且一第二組介電層係位於第一及第二以Ag為主之層之間,且一第三組介電層係位於第二以Ag為主之層之上;且第一組、第二組,及第三組介電層以其中之層的數量及/或型式而言係彼此不同。另外,除了前二段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,經濺鍍沉積之塗層另外可為一抗反射塗層。
除了前三段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,經濺鍍沉積之塗層另外可阻斷及/或反射紫
外光。
除了前四段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,其中經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域可包括玻璃基材之周圍邊緣。
除了前五段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,其中經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域可至少部份界定玻璃基材之一或多個電隔離區。
除了前六段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,加熱可與彎曲玻璃基材一併實施。
除了前七段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,塗層可為非導性及/或可為缺乏任何包含ITO之層。
除了前八段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,加熱可與玻璃基材之熱回火一併實施。
除了前九段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,加熱可於500-680℃,例如,580-650℃之一溫度範圍實施。
於某些例示實施例,提供一種製造塗覆物件之方法,此塗覆物件包括藉由一玻璃基材支撐之一經濺鍍沉積之塗層。具有一溶解塗層之材料的玻璃基材被加熱,此溶解塗層之材料係於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域施用於經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸,且加熱係於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域至少部份溶解經濺鍍沉積之塗層,但於其它處係不會溶解經濺
鍍沉積之塗層,加熱係與玻璃基材之熱處理及/或熱彎曲一併實施。於加熱之後,玻璃基材被清洗以於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域將在製造塗覆物件時之過量材料自玻璃基材移除。
除了先前段落之特徵外,於某些例示實施例,清洗可使用水實施。
除了前二段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,溶解塗層之材料可為一陶瓷塗料。
除了前三段落之任一者的特徵外,於某些例示實施例,經濺鍍沉積之塗層可為一功能性塗層,其包含多數個薄膜層,且此等薄膜層之至少二者可能包括Ag。
於某些例示實施例,提供一種製造絕緣玻璃之方法,此方法包含將依據先前14個段落之任一者製造之一塗覆物件與另一玻璃基材,與一周圍邊緣密封件一併地,以彼此實質上平行間隔開之關係連接在一起。相似地,於某些例示實施例,提供一種製造汽車組件之方法,此方法包含具有依據先前14個段落之任一者製造之一塗覆物件,且經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域係結合區域;及於此等結合區域將一或多個組件與基材結合。
於某些例示實施例,提供一種中間塗覆物件,其包含:一玻璃基材;一經濺鍍沉積之塗層,其係以玻璃基材支撐;及一溶解塗層之材料,其係於經濺鍍沉積
之塗層將被移除之一或多個區域施用於經濺鍍沉積之塗層之上且與其接觸,溶解塗層之材料具有一組成物,其係被選擇以便可在用於玻璃基材之熱處理及/或熱彎曲之溫度加熱,以於經濺鍍沉積之塗層將被移除之一或多個區域造成經濺鍍沉積之塗層溶解,及其後可藉由清洗移除。
除了前段落之特徵外,於某些例示實施例,溶解塗層之材料可為一陶瓷塗料,其於加熱之後係可藉由以水清洗而移除;及/或經濺鍍沉積之塗層可為一功能性塗層,其包含多數個薄膜層。
雖然本發明已與現今被認為係最實際且較佳之實施例一併作說明,但需瞭解本發明並不限於揭露之實施例,相反地,其係打算涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神及範圍內的各種修改及等化配置。
S102:步驟
S104:步驟
S106:步驟
S108:步驟
Claims (9)
- 一種製造塗覆物件之方法,該塗覆物件包括藉由一玻璃基材支撐的一經濺鍍沉積之塗層,該方法包含:於該經濺鍍沉積之塗層之待移除的一或多個區域中,將一包含陶瓷塗料的溶解塗層之材料係施用於該經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸,其中該陶瓷塗料包含磷及鈉之氧化物;將具有施用於該經濺鍍沉積之塗層上且與其接觸之該包含陶瓷塗料的溶解塗層之材料的該玻璃基材於580-650℃之溫度加熱持續不多於10分鐘,該加熱造成於該溶解塗層之材料下的該經濺鍍沉積之塗層於該經濺鍍沉積之塗層之待移除之該一或多個區域至少部份受損,但不會造成其它區域的該經濺鍍沉積之塗層受損;及於該加熱之後,在製造該塗覆物件中,清洗該玻璃基材以使於該經濺鍍沉積之塗層之待移除的該一或多個區域中之過量材料自該玻璃基材移除,其中,該經濺鍍沉積之塗層包含複數個介電層。
- 如請求項1之方法,其中該經濺鍍沉積之塗層係一多層式含銀之低放射率塗層,其至少包含第一及第二以銀為主之層,一位於該第一以銀為主之層與該基材之間之第一組介電層,一位於該第一及第二以銀為主之層之間之第二組介電層,及一位於該第二以銀為主之層之上之第三組介電層;且 其中該第一組、第二組,及第三組介電層,以其中之層的數量及/或型式而言係彼此不同。
- 如請求項1之方法,其中該經濺鍍沉積之塗層係一抗反射塗層。
- 如請求項1之方法,其中該經濺鍍沉積之塗層阻斷及/或反射紫外光。
- 如請求項1之方法,其中該經濺鍍沉積之塗層之待移除之該一或多個區域包括該玻璃基材之周圍邊緣。
- 如請求項1之方法,其中該經濺鍍沉積之塗層之待移除之該一或多個區域係至少部份界定該玻璃基材之一或多個電隔離區。
- 如請求項1之方法,其中該加熱係與彎曲該玻璃基材一同實施。
- 如請求項1之方法,其中該經濺鍍沉積之塗層係非導性且缺乏任何包含ITO之層。
- 如請求項1之方法,其中該加熱係與該玻璃基材之熱回火(thermal temping)一同實施。
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