TWI741702B - 觸控面板及其製作方法 - Google Patents

觸控面板及其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI741702B
TWI741702B TW109125674A TW109125674A TWI741702B TW I741702 B TWI741702 B TW I741702B TW 109125674 A TW109125674 A TW 109125674A TW 109125674 A TW109125674 A TW 109125674A TW I741702 B TWI741702 B TW I741702B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
layer
metal
metal layer
peripheral
Prior art date
Application number
TW109125674A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202125599A (zh
Inventor
徐維佑
黃薇臻
張良亦
陳漢威
吳和虔
Original Assignee
大陸商宸美（廈門）光電有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商宸美（廈門）光電有限公司 filed Critical 大陸商宸美（廈門）光電有限公司
Publication of TW202125599A publication Critical patent/TW202125599A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI741702B publication Critical patent/TWI741702B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

一種觸控面板及其製作方法，方法包括提供基板、設置金屬層、設置金屬奈米線層和進行圖案化步驟。基板具有顯示區與周邊區。設置金屬層包括進行基板的前處理、調整基板的表面特性、在基板的表面形成催化中心、調整催化中心的活性，以及在基板的表面進行化學鍍以形成金屬層。金屬奈米線層的第一部分位於顯示區，金屬奈米線層的第二部分與金屬層位於周邊區。圖案化步驟包括利用可蝕刻金屬層與金屬奈米線層的蝕刻液，將金屬層形成多個周邊引線並同時將金屬奈米線層的第二部分形成多個蝕刻層。

Description

觸控面板及其製作方法
本公開涉及觸控面板及其製作方法。
近年來，透明導體可同時讓光穿過並提供適當的導電性，因而常應用於許多顯示或觸控相關的裝置中。一般而言，透明導體可以是各種金屬氧化物，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide，CTO)或摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)。然而，這些金屬氧化物薄膜並不能滿足顯示裝置的可撓性需求。因此，現今發展出了多種可撓性的透明導體，例如利用奈米線等材料所製作的透明導體。另外，觸控相關的裝置中，周邊區的走線傳統採用無電鍍方式形成，在無電鍍工藝之前，需先在基板上製作催化層，以利無電鍍層的生長。目前，製作催化層的藥液與製程的成本過高，且來源不易取得，形成製作工藝上的一大問題點。
而所述的奈米線工藝技術亦尚有許多需要解決的問題，例如利用奈米線製作觸控電極，奈米線與周邊區的引線在進行對位時需預留對位誤差區域，所述對位誤差區域造成周邊區的引線尺寸無法縮減，進而導致周邊區的寬度較大，尤其採用卷對卷(Roll to Roll)工藝，基板的形變量導致所述對位誤差區域的尺寸更加放大(如150μm)，使得周邊區的寬度最小僅達到2.5mm，故無法滿足顯示器的窄邊框需求。
本公開的部分實施方式中，不須額外的催化層就可以直接進行無電鍍(化學鍍)金屬層的製作，以達到簡化工藝的目的，進而控制製作成本。
本公開的部分實施方式中，透過金屬奈米線層與金屬層的一次性蝕刻，藉以達到不需預留對位時的對位誤差區域，以形成寬度較小的周邊引線，進而滿足窄邊框的需求。
根據本公開的部分實施方式，一種觸控面板的製作方法，包括提供基板、設置金屬層、設置金屬奈米線層和進行圖案化步驟。基板具有顯示區與周邊區。設置金屬層包括進行基板的前處理、調整基板的表面特性、在基板的表面形成催化中心、調整催化中心的活性，以及在基板的表面進行化學鍍以形成金屬層。金屬奈米線層的第一部分位於顯示區，金屬奈米線層的第二部分與金屬層位於周邊區。圖案化步驟包括利用可蝕刻金屬層與金屬奈米線層的蝕刻液，將金屬層形成多個周邊引線並同時將金屬奈米線層的第二部分形成多個蝕刻層。
在本公開的部分實施方式中，圖案化步驟更包括利用蝕刻液將金屬奈米線層的第一部分形成觸控感應電極，觸控感應電極設置於基板的顯示區，觸控感應電極電性連接周邊引線。在本公開的部分實施方式中，進行該基板的前處理包括將該基板進行清潔、除油、粗化步驟。在本公開的部分實施方式中，調整該基板的表面特性包括調整表面的表面電位、表面張力、親水性。在本公開的部分實施方式中，調整該基板的表面特性包括使表面帶正電荷。在本公開的部分實施方式中，在基板的表面形成催化中心包括提供膠體金屬活性液，以及使膠體金屬附著在表面形成低活性(即第一活性)的催化中心。在本公開的部分實施方式中，調整催化中心的活性包括去除膠體，形成高活性(即第二活性)的催化中心，其中解膠步驟之後的催化中心活性高於解膠步驟之前。在本公開的部分實施方式中，圖案化步驟更包括利用蝕刻液將金屬層形成多個標記，蝕刻層包括多個第一覆蓋物及多個第二覆蓋物，各個第一覆蓋物設置在對應的周邊引線上，各個第二覆蓋物設置在對應的標記上。在本公開的部分實施方式中，更包括設置膜層。在本公開的部分實施方式中，製作方法可於基板的一面或雙面進行。
根據本公開的部分實施方式，一種觸控面板的製作方法，包括提供基板、設置金屬層、設置金屬奈米線層，以及進行圖案化步驟，將金屬奈米線層形成位於顯示區的觸控感應電極，觸控感應電極電性連接周邊引線。基板具有顯示區與周邊區。設置金屬層包括進行基板的前處理、調整基板的表面特性、在基板的表面形成催化中心、調整催化中心的活性，以及在基板的表面進行化學鍍以形成該金屬層，其中金屬層具有圖樣而形成位於周邊區的多個周邊引線。
在本公開的部分實施方式中，在基板的表面形成催化中心包括在表面的特定區域形成催化中心，在基板的表面進行化學鍍以形成金屬層包括將金屬層形成於特定區域以製作成周邊引線。在本公開的部分實施方式中，圖案化層是利用柔版印刷、凸版印刷、凹版印刷或網版印刷所成型。在本公開的部分實施方式中，設置金屬層與金屬奈米線層包括設置金屬層在周邊區，以及接著設置金屬奈米線層在顯示區與周邊區，第一部分位於顯示區而成形於基板上，第二部分位於周邊區而成形於金屬層上。在本公開的部分實施方式中，設置金屬層在周邊區包括選擇性的將金屬層成形在周邊區而不成形在顯示區。在本公開的部分實施方式中，設置金屬層在周邊區包括將金屬層成形在周邊區與顯示區，以及移除位於顯示區的金屬層。在本公開的部分實施方式中，設置金屬層與金屬奈米線層包括設置金屬奈米線層在顯示區與周邊區，以及接著設置金屬層在周邊區，其中金屬層位於第二部分上。
以下將以圖式揭露本公開的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本公開。也就是說，在本公開部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
關於本文中所使用的「約」、「大約」或「大致」，一般是指數值的誤差或範圍於百分之二十以內，較好地是於百分之十以內，更佳地是於百分之五以內。文中若無明確說明，所提及的數值皆視為近似值，即具有如「約」、「大約」或「大致」所表示的誤差或範圍。
本公開的部分實施方式提供一種化學鍍方法，其可省去傳統工藝的催化層，其步驟包括基板前處理、調整基板的表面特性、在基板的表面形成催化中心、調整催化中心的活性、在基板的表面進行化學鍍等等，如第9圖所示。上述步驟的具體方式如下文。
基板前處理可包括但不限於清潔、除油、粗化等等。基板較佳為透明基板，詳細而言，可以為硬式透明基板或可撓式透明基板，其材料可以選自玻璃、壓克力(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride，PVC)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、環烯烴聚合物( Cyclo Olefin Polymers，COP)、環烯烴共聚物(cycloolefin copolymer，COC) 、無色聚醯亞胺(CPI)等透明材料。前處理步驟可利用弱鹼液來達到基板的表面清潔、除油/去脂，或可利用雙氧水處理以提高基板的表面粗糙度。前處理步驟更可包括中和步驟，例如將基板浸泡於弱酸液，以中和基板上殘留的弱鹼液。
調整基板的表面特性可包括但不限於調整基板的表面電位、表面張力、親水性(濕潤性)等等。例如提供一種調整液，其組成至少含有陽離子介面活性劑、金屬離子等等，使基板的表面經過調整液後帶正電荷，也可以降低表面張力，增加濕潤(親水性)。所述調整液可以為弱鹼性。
在基板的表面形成催化中心可包括但不限於提供膠體金屬活性液，例如膠體鈀活性液，其組成含有氯化鈀、鹽酸、氯化亞錫、四氰合鈀酸鉀和/或助劑。在另一實施例中膠體鈀活性液是一種酸性溶液，含HCl (100~500 ml/L)、SnCl 2(8~20 g/L)、PdCl 2(0.01~1 g/L)。膠體鈀活性液由鈀(Pd)、錫離子(Sn 2+)、氯離子(Cl -)等組成鈀氯錫化合物(如Pd(SnCl 3))膠合體質點，其在酸性溶液中為穩定態，膠體鈀的大小約 10 -1~10 -3μm。將基板浸泡於膠體鈀活性液中時，基板首先吸附膠體鈀活性液中的錫離子(Sn 2+)，然後再吸附溶液中的氯離子(Cl -)，或是利用基板的表面的正電性來吸附溶液中的氯離子(Cl -)，接著形成以錫及氯組成的一種氯化物吸附膜層，這個膜層又會吸附配製溶液時產生的膠體鈀微粒。從而基板的表面上就形成了膠體鈀微粒，當到達一定條件，就會發生氧化還原反應，產生了具有導電性的金屬單質鈀作為催化中心。然而由於膠狀物的作用，催化中心(即金屬單質鈀)的活性被影響，亦即處於較低活性(低反應性)的第一活性狀態。在一實施例中，可採用膠體銅活性液來製作基板表面的催化中心，或者採用混合型的膠體銅/鈀活性液。在另一實施例中，可先將基板浸泡於低酸性觸媒劑，例如鹽酸，其可提供氯離子與酸性環境，以避免過多水分及雜質帶入前述的膠體金屬活性液。在一實施例中，膠體金屬活性液對基板的處理條件可為室溫，時間為10秒、30秒、60秒、2分鐘、5分鐘、10分鐘等等。
調整催化中心的活性可包括但不限於提供藥水，其作用在於解膠(此步驟又稱解膠步驟或加速步驟)，該藥水與膠體反應，去除氯與錫，露出催化中心(如金屬單質鈀)。也就是說通過解膠工序溶解催化中心(如金屬單質鈀)周圍的膠狀物(如二價亞錫)，使其裸露並具有足夠的催化活性，亦即催化中心處於較高活性(高反應性)的第二活性狀態。
在基板的表面進行化學鍍形成化學鍍層可包括但不限於進行化學鍍銅、化學鍍鎳、化學鍍銅鎳等等。在一實施例中，以化學鍍的方式將銅層沉積於基板表面，化學鍍即在無外加電流的情況下借助合適的還原劑，使鍍液中金屬離子在金屬觸媒催化下還原成金屬並鍍覆於其表面，此過程稱之為無電鍍(electroless plating)，也稱為化學鍍(chemical plating)或自身催化鍍(autocatalytic plating)。具體而言，可採用例如主成分為硫酸銅的鍍液，其組成可為但不限於濃度為5g/L的硫酸銅 (copper sulfate)、濃度為12g/L的乙二胺四乙酸 (ethylenediaminetetraacetic acid)、濃度為5g/L的甲醛 (formaldehyde)等，無電鍍銅鍍液的pH以氫氧化鈉(sodium hydroxide)調整為約11至13，鍍浴溫度為約50至70℃，浸泡的反應時間為1至5分鐘。在進行無電鍍的反應時，銅材料可在催化中心(如金屬單質鈀)上成核，而後靠銅的自我催化繼續成長銅膜。在一實施例中，催化中心(如金屬單質鈀)在化學鎳鍍液中起到催化劑的作用，促使化學鎳生成。
在另一實施例中，可在基板的部分表面形成催化中心，例如，可先遮擋基板表面的部分區域，而裸露部分即具有前述的催化中心。藉此，化學鍍層也會成型在具有催化中心的區域而具有特定圖樣。
根據上述工藝，本公開實施例使用無觸媒化學沉積/化學鍍，解決傳統工藝在化學沉積前，基板需要先製作觸媒層所造成的缺點。
請先參閱第2A圖至第2C圖，其為根據本公開的部分實施方式，觸控面板100的上視示意圖與剖視示意圖。觸控面板100包括基板110、周邊引線120、第一覆蓋物C1以及觸控感應電極TE。參閱第2A圖，基板110具有顯示區VA與周邊區PA，周邊區PA設置在顯示區VA的側邊，例如周邊區PA則可為設置在顯示區VA的四周(即涵蓋右側、左側、上側及下側)的框型區域，但在其他實施例中，周邊區PA可為設置在顯示區VA的左側及下側的L型區域。又如第2A圖所示，本實施例共有八組周邊引線120以及與周邊引線120相對應的第一覆蓋物C1設置於基板110的周邊區PA，觸控感應電極TE大致設置於基板110的顯示區VA。
借由將第一覆蓋物C1設置於周邊引線120的上表面124，使上下兩層材料不須對位就能將第一覆蓋物C1與周邊引線120成型在預定的位置，故可以達到減少或避免在工藝中設置對位誤差區域的需求，藉以降低周邊區PA的寬度，進而達到顯示器的窄邊框需求。
觸控面板100更包括標記140以及第二覆蓋物C2，參閱第2A圖，本實施例具有兩組標記140以及與標記140相對應的第二覆蓋物C2設置於基板110的周邊區PA。上述的周邊引線120、標記140、第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2以及觸控感應電極TE的數量可為一或多個，而以下各具體實施例及圖式中所繪製的數量僅為解說之用，並未限制本公開。
具體而言，請參閱第1A圖至第1C圖，本公開的實施方式中觸控面板100可依以下方式製作。首先提供基板110(亦前述的基板)，其上具有事先定義的周邊區PA與顯示區VA。接著，形成金屬層ML在周邊區PA (如第1A圖)。接著形成金屬奈米線(metal nanowires)層NWL在周邊區PA與顯示區VA(如第1B圖)。接著形成圖案化層PL在金屬奈米線層NWL上(如第1C圖)。接著依據圖案化層PL進行圖案化，以形成具有圖樣的金屬層ML與金屬奈米線層NWL。以下進行更詳細的說明。
請參閱第1A圖，形成金屬層ML於基板110的周邊區PA，金屬層ML可經過後續的圖案化而成為周邊引線。詳細而言，本公開的部分實施方式中，金屬層ML可為依照前述工藝所製作的化學沉積層。
在本實施例中，可利用前述形成催化中心、化學鍍等工藝，直接選擇性的將金屬層ML成形在周邊區PA而不成形在顯示區VA，或是先整面的形成在周邊區PA與顯示區VA，再藉由蝕刻等步驟移除位於顯示區VA的金屬層ML。或者，可先將催化中心(如金屬單質鈀)成形在周邊區PA且具有特定圖案，並再依此圖案成形金屬層ML，換言之，在此實施例中，金屬層ML已經具有第2A圖所繪製的長條狀圖案。在以下實施例中，將以化學銅層選擇性的僅沉積於基板110的周邊區PA(不具圖案)進行說明。
接著，請參閱第1B圖，將至少包括金屬奈米線的金屬奈米線層NWL，例如奈米銀線(silver nanowires)層、奈米金線(gold nanowires)層或奈米銅線(copper nanowires)層，塗布在周邊區PA與顯示區VA。金屬奈米線層NWL的第一部分是在顯示區VA，第一部分主要成形於基板110上，而在周邊區PA的第二部分則主要成形於金屬層ML上。在本實施例的具體作法為，將具有金屬奈米線的分散液或漿料(ink)以塗布方法成型於基板110上，並加以乾燥使金屬奈米線覆著於基板110及金屬層ML的表面，進而成型為設置於基板110及金屬層ML上的金屬奈米線層NWL。而在上述的固化/乾燥步驟之後，溶劑等物質被揮發，而金屬奈米線以隨機的方式分佈於基板110及金屬層ML的表面。較佳地，金屬奈米線會固著於基板110及金屬層ML的表面上而不至脫落，形成所述的金屬奈米線層NWL，且金屬奈米線可彼此接觸以提供連續電流路徑，進而形成導電網路(conductive network)。
在本公開的實施例中，上述分散液可為水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑(苯、甲苯、二甲苯等等)，上述分散液亦可包括添加劑、介面活性劑或粘合劑，例如羧甲基纖維素(carboxymethyl cellulose，CMC)、2-羥乙基纖維素(hydroxyethyl cellulose，HEC)、羥基丙基甲基纖維素(hydroxypropyl methylcellulose，HPMC) 、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸鹽、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟介面活性劑等等。而含有金屬奈米線的分散液或漿料可以用任何方式成型於基板110及金屬層ML的表面，例如但不限於網版印刷、噴頭塗布、滾輪塗布等工藝。在一種實施例中，可採用卷對卷(roll to roll，RTR)工藝，將含有金屬奈米線的分散液或漿料塗布於連續供應的基板110及金屬層ML的表面。
本文所用的「金屬奈米線(metal nanowires)」為集合名詞，其指包括多個元素金屬、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)的金屬線集合，其中所含金屬奈米線的數量，並不影響本公開所主張的保護範圍，且單一金屬奈米線的至少一個截面尺寸(即截面的直徑)小於約500 nm，較佳小於約100 nm，且更佳小於約50 nm。而本公開所稱的為「線(wire)」的金屬奈米結構，主要具有高的縱橫比，例如介於約10至 100000之間，更詳細的說，金屬奈米線的縱橫比(長度：截面的直徑)可大於約10，較佳大於約50，且更佳大於約100。金屬奈米線可以為任何金屬，包括但不限於銀、金、銅、鎳及鍍金的銀。而其他用語，諸如絲(silk)、纖維(fiber)、管(tube)等若同樣具有上述的尺寸及高縱橫比，亦為本公開所涵蓋的範疇。
接著，請參閱第1C圖，形成圖案化層PL在金屬奈米線層NWL上。在一實施例中，可利用光阻、乾膜等以黃光微影、蝕刻工藝製作圖案化層PL。在一實施例中，圖案化層PL可利用柔版印刷(flexography)技術將材料直接以具有圖案的結構成型在金屬奈米線層NWL上，詳細的說，圖案化層PL是利用凸版印刷、凹版印刷或網版印刷等，將待印刷材料依照特定圖樣轉移至金屬奈米線層NWL上。依據印刷技術方法所製作的圖案化層PL可具有印刷側面，有別於經過曝光顯影或蝕刻等工藝所處理成型的側面。在一實施例中，待印刷材料印刷在金屬奈米線層NWL上後可再依照材料特性進行固化步驟。
圖案化層PL可依前述方法形成在周邊區PA，亦可形成在周邊區PA與顯示區VA。位於周邊區PA的圖案化層PL(亦稱第二圖案化層)主要做在周邊區PA的蝕刻遮罩，以用於後述步驟中將周邊區PA的金屬奈米線層NWL與金屬層ML進行圖案化，而位於顯示區VA的圖案化層PL(亦稱第一圖案化層)主要做在顯示區VA的蝕刻遮罩，以用於後述步驟中將顯示區VA的金屬奈米線層NWL進行圖案化。
本公開實施例並不限制圖案化層PL的材料(即前述的待印刷材料)，例如高分子材料包括各類光阻材料、底塗層材料、外塗層材料、保護層材料、絕緣層材料等，而所述高分子材料可為酚醛樹酯、環氧樹酯、壓克力樹酯、PU樹酯、ABS樹酯、胺基樹酯、矽脂樹酯等。而以材料特性而言，圖案化層PL的材料可為光固化型或熱固化型。在一實施例中，圖案化層PL的材料的黏度約200~1500cps，固含量約30~100%。
接著進行圖案化，在圖案化步驟之後即可製作如第2A圖所示的觸控面板100。在一實施例中，在周邊區PA採用可同時蝕刻金屬奈米線層NWL與金屬層ML的蝕刻液，配合圖案化層PL(亦稱第二圖案化層)形成的蝕刻遮罩，以在同一工序中製作具有圖樣的金屬層ML與金屬奈米線層NWL。如第2A圖、第2C圖所示，在周邊區PA上所製作出的具有圖樣的金屬層ML即為周邊引線120，而具有圖樣的金屬奈米線層NWL即構成蝕刻層，由於本實施例的蝕刻層位於周邊引線120上，故亦可稱作第一覆蓋物C1，換言之，在圖案化步驟之後，周邊區PA形成由金屬奈米線層NWL的第二部分所構成的第一覆蓋物C1以及由金屬層ML所構成的周邊引線120。
在另一實施例中，在周邊區PA上可製作出由金屬奈米線層NWL的第二部分所構成的蝕刻層，以及由金屬層ML所構成的周邊引線120與標記140 (請參考第2A圖、第2B圖及第2C圖)，蝕刻層可包括第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2，第一覆蓋物C1設置於對應的周邊引線120上，第二覆蓋物C2設置於對應的標記140上。在一實施例中，可同時蝕刻金屬奈米線層NWL與金屬層ML，指的是蝕刻介質對金屬奈米線層NWL與金屬層ML蝕刻速率比值介於約0.1~10或0.01~100。
根據一具體實施例，金屬奈米線層NWL為奈米銀層，金屬層ML為化學銅層的情況下，蝕刻液可用於蝕刻銅與銀，例如蝕刻液的主成分為H 3PO 4(比例為約55%至70%)及HNO 3(比例約5%至15%)，以在同一工藝中移除銅材料與銀材料。在另一具體實施例中，可在蝕刻液的主成分之外加入添加物，例如蝕刻選擇比調整劑，以調整蝕刻銅與蝕刻銀的速率，舉例而言，可在主成分為H 3PO 4(比例約55%至70%)及HNO 3(比例約5%至15%)中添加約5%至10%的Benzotriazole (BTA)，以解決銅的過蝕刻問題。在另一具體實施例中，蝕刻液的主成分為氯化鐵/硝酸或為磷酸/雙氧水等組成。
在圖案化的步驟中，更可包括同時進行在顯示區VA的金屬奈米線層NWL圖案化。換言之，如第1C圖所示，可配合圖案化層PL(亦即第一圖案化層)形成的蝕刻遮罩，利用前述的蝕刻液將顯示區VA的金屬奈米線層NWL的第一部分進行圖案化，以製作本實施例的觸控感應電極TE在顯示區VA，觸控感應電極TE可電性連接周邊引線120。具體而言，觸控感應電極TE同樣可為至少包括金屬奈米線的金屬奈米線層，也就是說，圖案化之後的金屬奈米線層NWL在顯示區VA形成觸控感應電極TE，而在周邊區PA形成第一覆蓋物C1，故觸控感應電極TE可借由第一覆蓋物C1與周邊引線120的接觸，而達到與周邊引線120形成電性連接進行信號的傳輸。而金屬奈米線層NWL在周邊區PA也會形成第二覆蓋物C2，其設置於標記140的上表面144，標記140可以廣泛的被解讀為非電性功能的圖樣，但不以此為限。在本公開的部分實施例中，周邊引線120與標記140可為同層的金屬層ML所製作(即兩者為相同的金屬材料，如前述經過催化中心的設置所形成的化學鍍銅層)，觸控感應電極TE、第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2可為同層的金屬奈米線層NWL所製作。
在一變化實施例中，位於顯示區VA與周邊區PA的金屬奈米線層NWL可藉由不同的蝕刻步驟(亦即使用不同的蝕刻液)進行圖案化，例如在金屬奈米線層NWL為奈米銀層，金屬層ML為化學鍍銅層的情況下，顯示區VA所使用的蝕刻液可選用僅對銀有蝕刻能力的蝕刻液。換言之，蝕刻液對銀的蝕刻速率大於對銅蝕刻速率的約100倍、約1000倍或約10000倍。
根據一具體實施例，圖案化層PL選用可留存於結構中的材料，換言之，在上述蝕刻步驟之後，圖案化層PL並不會被移除。舉例來說，圖案化層PL可為一種光固化材料，其具高透光性、低介電常數、低霧度，以維持顯示區VA的觸控感應電極TE穿透度介於約88%~94%，霧度介於約0~2，面電阻介於約10~150歐姆/平方(ohm/square)，上述圖案化層PL的光電特性使得圖案化層PL與金屬奈米線層NWL的組合符合在顯示區VA的光學及觸控感測的要求。在本實施方式中，更可包括固化步驟(例如UV curing)，固化之後可使顯示區VA的觸控感應電極TE與圖案化層PL形成複合結構，且複合結構較佳地具有導電性與透光性，例如，所述複合結構的可見光(如波長介於約400nm~700nm)的穿透率(Transmission)可大於約80%，且表面電阻率(surface resistance)在約10 至 1000歐姆/平方(ohm/square)之間。較佳地，複合結構的可見光(例如波長介於約400nm~700nm)的穿透率(Transmission)大於約 85％，且表面電阻率(surface resistance)在約50 至 500歐姆/平方(ohm/square)之間。
根據一具體實施例，圖案化層PL可被移除。更可在移除圖案化層PL後，塗布膜層。上述膜層可與金屬奈米線層NWL (例如第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2或觸控感應電極TE)形成複合結構而具有某些特定的化學、機械及光學特性，例如提供觸控感應電極TE、第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2與基板110的黏著性，或是較佳的實體機械強度，故膜層又可被稱作基質(matrix)。又一方面，使用某些特定的聚合物製作膜層，使觸控感應電極TE、第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2具有額外的抗刮擦及磨損的表面保護，在此情形下，膜層又可被稱作外塗層(overcoat)，採用諸如聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚(矽-丙烯酸)等可使觸控感應電極TE、第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2具有較高的表面強度以提高耐刮能力。然而，上述僅是說明膜層的其他附加功能/名稱的可能性，並非用於限制本公開。值得說明的是，用於製作膜層的聚合物在未固化前或在預固化的狀態下可以滲入金屬奈米線之間而形成填充物，當聚合物固化後，金屬奈米線會嵌入膜層之中。也就是說，本公開不限定膜層與金屬奈米線層NWL(例如第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2或觸控感應電極TE)之間的結構，其可以是分層結構、嵌入式結構或是其組合。膜層也可以在圖案化步驟之前成型。
第2A圖顯示根據本公開的實施方式，觸控面板100的上視示意圖，第2B圖及第2C圖分別為第2A圖的線A-A與線B-B的剖面圖。請先參閱第2B圖，如第2B圖所示，周邊引線120與標記140均設置在周邊區PA，第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2分別成型且覆蓋周邊引線120的上表面124與標記140的上表面144。而在本公開的部分實施方式中，金屬奈米線可為奈米銀線。為了方便說明，本文的周邊引線120與標記140的剖面是為一四邊形(例如第2B圖所繪製的長方形)，但周邊引線120的側面122與上表面124、標記140的側面142與上表面144的結構型態或數量皆可依實際應用而變化，並非以本文的文字與圖式所限制。
在本實施例中，標記140是設置在周邊區PA的接合區BA(如第2A圖所示)，其為對接對位標記，也就是在外部電路板(如第3圖所示的軟性電路板170)連接於觸控面板100的步驟(即bonding步驟)中，將軟性電路板與觸控面板100進行對位的記號。然而，本公開並不限制標記140的放置位置或功能，例如標記140可以是任何在工藝中所需的檢查記號、圖樣或標號，均為本公開保護的範疇。標記140可以具有任何可能的形狀，如圓形、四邊形、十字形、L形、T形等等。另一方面，周邊引線120延伸至接合區BA的部分又可被稱作連接部(bonding section)，同於前述實施例，在接合區BA的連接部之上表面同樣由第一覆蓋物C1所覆蓋。
如第2B圖及第2C圖所示，在周邊區PA中，相鄰周邊引線120之間具有非導電區域136，以電性阻絕相鄰周邊引線120進而避免短路。也就是說，相鄰周邊引線120的側面122之間具有非導電區域136，而在本實施例中，非導電區域136為間隙(gap)，以隔絕相鄰周邊引線120。而利用圖案化層PL，可採用蝕刻法製作上述的間隙，故周邊引線120的側面122與第一覆蓋物C1的側面C1L為一共同蝕刻面，且相互對齊，也就是說利用圖案化層PL的側面作為基準，周邊引線120的側面122與第一覆蓋物C1的側面C1L是在同一個蝕刻步驟中依據圖案化層PL的側面所成型。類似的，標記140的側面142與第二覆蓋物C2的側面C2L為一共同蝕刻面，且相互對齊。在一實施例中，第一覆蓋物C1的側面C1L與第二覆蓋物C2的側面C2L會因上述的蝕刻步驟而不會有所述的金屬奈米線存在於其上。再者，周邊引線120及第一覆蓋物C1會具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為長直狀等的圖樣，且寬度相同或近似。標記140與第二覆蓋物C2也同樣具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為半徑相同或近似的圓形、邊長相同或近似的四邊形等，或其他相同或近似的十字形、L形、T形等的圖樣。
如第2C圖所示，在顯示區VA中，相鄰觸控感應電極TE之間具有非導電區域136，以電性阻絕相鄰觸控感應電極TE進而避免短路。也就是說，相鄰觸控感應電極TE的側壁之間具有非導電區域136，而在本實施例中，非導電區域136為間隙(gap)，以隔絕相鄰觸控感應電極TE。在一實施例中，可採用上述的蝕刻法製作相鄰觸控感應電極TE之間的間隙。在本實施例中，觸控感應電極TE與第一覆蓋物C1可利用同層的金屬奈米線層NWL(如奈米銀線層)所製作，故在顯示區VA與周邊區PA的交界處，金屬奈米線層NWL會形成爬坡結構，以利金屬奈米線層NWL成形並覆蓋周邊引線120的上表面124，而形成所述的第一覆蓋物C1。
本公開的部分實施方式中，觸控面板100的第一覆蓋物C1設置於周邊引線120的上表面124，第一覆蓋物C1及周邊引線120並在同一蝕刻工藝中成型，故可以達到減少或避免在工藝中設置對位誤差區域的需求，藉以降低周邊區PA的寬度，進而達到顯示器的窄邊框需求。具體而言，本公開部分實施方式的觸控面板100的周邊引線120的寬度為約5μm至30μm，相鄰周邊引線120之間的距離為約5μm至30μm。或者，觸控面板100的周邊引線120的寬度為約3μm至20μm，相鄰周邊引線120之間的距離為約3μm至20μm，而周邊區PA的寬度也可以達到約小於2mm的尺寸，較傳統的觸控面板產品縮減約20%或更多的邊框尺寸。
本公開的部分實施方式中，觸控面板100更具有第二覆蓋物C2與標記140，第二覆蓋物C2設置於標記140的上表面144，第二覆蓋物C2與標記140並在同一蝕刻工藝中成型。
第3圖則顯示軟性電路板170與觸控面板100進行對位後的組裝結構，其中軟性電路板170的電極墊(未繪示)可通過導電膠(未繪示，例如異方性導電膠)電性連接位於基板110上的接合區BA中周邊引線120。於部分實施方式中，位於接合區BA的第一覆蓋物C1可以開設開口(未繪示)，而露出周邊引線120，導電膠(例如異方性導電膠)可填入第一覆蓋物C1的開口而直接接觸周邊引線120，形成導電通路。本實施方式中，觸控感應電極TE以非交錯式的排列設置。舉例而言，觸控感應電極TE為沿第一方向D1延伸且在第二方向D2上具有寬度變化的長條型電極，彼此並不產生交錯，但於其他實施方式中，觸控感應電極TE可以具有適當的形狀，而不應以此限制本公開的範圍。本實施方式中，觸控感應電極TE採用單層的配置，其中可以通過偵測各個觸控感應電極TE的自身的電容值變化，而得到觸控位置。再者，圖案化層PL及觸控感應電極TE會具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為上述沿第一方向D1延伸且在第二方向D2上具有寬度變化的長條型電極等的圖樣，且尺寸相同或近似。
本公開亦可將上述方法應用於基板110的雙面，以製作雙面型態的觸控面板100，例如可依以下方式製作。首先提供基板110，如第4圖所示，其上具有事先定義的周邊區PA與顯示區VA。接著，於基板110中相對的第一與第二表面(如上表面與下表面)以前述的催化中心配合化學鍍工藝形成金屬層ML，且金屬層ML位於周邊區PA。接著分別形成金屬奈米線層NWL於第一與第二表面的周邊區PA與顯示區VA。接著分別形成圖案化層PL於第一與第二表面的金屬奈米線層NWL上。接著依據圖案化層進行第一與第二表面的圖案化步驟，以在第一與第二表面形成上述觸控感應電極與周邊引線，且第一覆蓋物會覆蓋於周邊引線。而由於本實施例直接在基板雙面進行催化中心(如鈀膠體)的工藝，並配合化學沉積金屬，有益於簡化工藝並提高良率。本實施例的具體實施方式可參照前文，與此不再贅述。
根據本公開的一些實施方式另提出一種雙面觸控面板，其製作方法可為將兩組單面式的觸控面板，以同方向或反方向疊合所形成。以反方向疊合為例說明，可將第一組單面式觸控面板的觸控電極朝上設置(例如最接近使用者，但不以此為限)，第二組單面式觸控面板的觸控電極則朝下設置(例如最遠離使用者，但不以此為限)，而以光學膠或其他類似黏合劑將兩組觸控面板的基板組裝固定，藉以組成雙面型態的觸控面板。
第5A圖為本公開實施例的觸控面板100，其包括基板110、在基板110之上下兩表面所形成的觸控感應電極TE(即金屬奈米線層所形成的第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2)，以及在基板110之上下表面所形成的周邊引線120。為了圖式的簡潔，第5A圖未標示出第一與第二覆蓋物C1與C2。以基板110之上表面觀之，顯示區VA的第一觸控感應電極TE1與周邊區PA的周邊引線120會彼此電性連接以傳遞信號。類似的，以基板110的下表面觀之，顯示區VA的第二觸控感應電極TE2與周邊區PA的周邊引線120會彼此電性連接以傳遞信號。另外，如同前述實施例，本實施例更可具有標記140(未標示)以及與標記140相對應的第二覆蓋物C2設置於基板110的周邊區PA，具體可參照前文內容。
請參閱第5A圖並配合根據線C-C所顯示的第5B圖之剖視圖，在一實施例中，第一觸控感應電極TE1大致位於顯示區VA，其可包括多個沿同一方向(如第一方向D1)延伸的長直條狀觸控感應電極，而蝕刻去除區則可定義為非導電區域136，以電性阻絕相鄰的第一觸控感應電極TE1。第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2在結構上相互交錯，兩者可組成觸控感應電極TE，以用感應觸碰或控制手勢等。
第6圖為根據本公開的部分實施方式，觸控面板100的上視示意圖。本實施方式與前述實施方式相似，主要的差異在於本實施方式中，觸控面板100更包括設置在周邊區PA的遮罩導線160，其主要包圍觸控感應電極TE與周邊引線120，且遮罩導線160會延伸至第2A圖中的接合區BA而電性連接於軟性電路板上的接地端，故遮罩導線160可以遮罩或消除信號干擾或是靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)防護，特別是人手碰到觸控裝置周圍的連接導線而導致的微小電流變化。
依照前述的製作方法，遮罩導線160與周邊引線120可為同層的金屬層ML所製作(即兩者為相同的金屬材料，例如前述的化學鍍銅層)，其上可有金屬奈米線層NWL(或稱第三覆蓋層)，並依照圖案化層PL的圖樣進行蝕刻之後所製成，亦可理解成遮罩導線160為包括金屬奈米線層NWL及金屬層ML的複合結構層，具體可參照第2B圖及第2C圖所示實施例的說明。
第7圖則顯示本公開單面式的觸控面板100的另一實施例，其為一種單面架橋式(bridge)的觸控面板。此實施例與上述實施例的差異至少在於，成形於基板110上之透明導電層 (即金屬奈米線層NWL)在上述圖案化的步驟後，所形成的觸控感應電極TE可包括沿第一方向D1排列的第一觸控感應電極TE1、沿第二方向D2排列的第二觸控感應電極TE2，以及電性連接兩相鄰之第一觸控感應電極TE1的連接電極CE。另外，絕緣塊164可設置於連接電極CE上，例如以二氧化矽形成絕緣塊164。而橋接導線162再設置於絕緣塊164上，例如以銅/ITO/金屬奈米線等材料形成橋接導線162，並使橋接導線162連接於第二方向D2上相鄰的兩個第二觸控感應電極TE2。絕緣塊164位於連接電極CE與橋接導線162之間，以將連接電極CE以及橋接導線162電性隔絕，以使第一方向D1與第二方向D2上的觸控電極彼此電性隔絕。具體做法可參考前文，於此不再贅述。同於上述實施例，周邊引線120為金屬層所製作(例如前述的化學鍍銅層)，其上有金屬奈米線層，而周邊引線120分別連接第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2。
第8圖則顯示本公開觸控面板100的另一實施例，其中利用前述工藝直接選擇性的將金屬層ML(即化學鍍銅層)成形在周邊區PA，並通過蝕刻等步驟將金屬層ML製作形成周邊線路與/或標記。接著製作位於顯示區VA中金屬奈米線層NWL所形成的觸控感應電極TE。觸控感應電極TE僅在顯示區VA與周邊區PA的交界附近攀爬於周邊線路上，形成電性連接。然而，位於周邊區PA的周邊線路與/或標記上大致不具有金屬奈米線材料。
本公開實施例的觸控面板可與其他電子裝置組裝，例如具觸控功能的顯示器，如可將基板110貼合於顯示元件，例如液晶顯示元件或有機發光二極體（OLED）顯示元件，兩者之間可用光學膠或其他類似黏合劑進行貼合。而觸控感應電極TE上同樣可利用光學膠與外蓋層(如保護玻璃)進行貼合。本公開實施例的觸控面板可應用於可攜式電話、平板電腦、筆記型電腦等等電子設備。
在一部分實施方式中，本文所述的觸控面板100可借由卷對卷(Roll to Roll)工藝來製作，卷對卷(Roll to Roll) 塗覆工藝使用習知設備且可完全自動化，可顯著降低製造觸控面板的成本。卷對卷塗覆的具體工藝如下。首先選用具可撓性的基板110，並使卷帶狀的基板110安裝於兩滾輪之間，利用馬達驅動滾輪，以使基板110可沿兩滾輪之間的移動路徑進行連續性的工藝。例如，利用鍍槽進行金屬層ML的沉積，或是利用儲存槽、噴霧裝置、刷塗裝置及其類似物將含金屬奈米線的漿料沈積於基板110的表面上，並施加固化步驟以形成金屬奈米線層NWL。接著成型具有圖案的圖案化層PL(例如利用前述柔版印刷方式)於金屬層ML及/或金屬奈米線層NWL上。接著利用蝕刻槽或噴塗蝕刻液進行圖案化等步驟。隨後，所完成的觸控面板100借由產線最後端的滾輪加以卷出形成觸控感測器卷帶。
本實施例的觸控感測器卷帶更可以包括膜層，其是全面性的覆蓋觸控感測器卷上未裁切的觸控面板100，也就是說膜層可覆蓋於觸控感測器卷上未裁切的多個觸控面板100上，再被切割分離為個別的觸控面板100。
在本公開的部分實施方式中，基板110較佳為透明基板，詳細而言，可以為硬式透明基板或可撓式透明基板，其材料可以選自玻璃、壓克力(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、環烯烴聚合物(Cyclo Olefin Polymers，COP)、環烯烴共聚物(cycloolefin copolymer，COC)等透明材料。
卷對卷產線可沿基板的移動路徑，依需求調整多個塗覆步驟的順序或是可按需求併入任何數目的額外載臺。舉例而言，為了達到適當的後處理工藝，即可將壓力滾輪或電漿設備安裝於產線中。
於部分實施方式中，所形成的金屬奈米線可進一步進行後處理以提高其導電度，此後處理可為包括如加熱、電漿、電暈放電、UV臭氧、壓力或上述工藝組合的過程步驟。例如，在固化形成金屬奈米線層NWL的步驟後，可利用滾輪施加壓力於其上，在一實施例中，可借由一或多個滾輪向金屬奈米線層NWL施加50至3400 psi的壓力，較佳為可施加100至1000 psi、200至800 psi或300至500 psi的壓力，而上述施加壓力的步驟較佳地實施在塗布膜層的步驟之前。於部分實施方式中，可同時進行加熱與壓力之後處理，詳言之，所形成的金屬奈米線可經由如上文所述的一或多個滾輪施加壓力，並同時加熱。例如由滾輪施加的壓力為10至500 psi，較佳為40至100 psi，同時將滾輪加熱至約70℃與200℃之間，較佳至約100℃與175℃之間，其可提高金屬奈米線的導電度。於部分實施方式中，金屬奈米線較佳可暴露於還原劑中進行後處理，例如由奈米銀線組成的金屬奈米線較佳可暴露於銀還原劑中進行後處理，銀還原劑包括硼氫化物(如硼氫化鈉)、硼氮化合物(如二甲基胺基硼烷(DMAB))或氣體還原劑(如氫氣(H 2))。而所述的暴露時間約10秒至約30分鐘，較佳約1分鐘至約10分鐘。本實施方式的其他細節大致上如上述實施方式所述，在此不再贅言。
本公開的不同實施例的結構可相互引用，並不為上述各具體實施方式的限制。本公開的部分實施方式中，不須透過額外的催化層就可以直接進行無電鍍(化學鍍)金屬層的製作，以達到簡化工藝的目的，進而控制製作成本。本公開的部分實施方式中，通過圖案化層作為蝕刻遮罩，使兩層結構(例如上層為金屬奈米線層與下層為金屬層)可以通過一次性蝕刻以製作周邊區的周邊引線及/或標記或其他電極，故可以避免對位的過程中所預留的誤差空間，故可有效降低周邊區的寬度。本公開的部分實施方式中，可以通過一次性蝕刻進行周邊區與顯示區的圖案化步驟，以達到簡化工藝的目的，進而控制製作成本。
雖然本公開已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本公開，任何熟習此技藝者，在不脫離本公開的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本公開的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為准。
100:觸控面板 110:基板 120:周邊引線 122:側面 124:上表面 136:非導電區域 140:標記 142:側面 144:上表面 160:遮罩導線 162:橋接導線 164:絕緣塊 170:軟性電路板 A-A:線 B-B:線 BA:接合區 C-C:線 CE:連接電極 C1:第一覆蓋物 C1L:側面 C2:第二覆蓋物 C2L:側面 D1:第一方向 D2:第二方向 ML:金屬層 NWL:金屬奈米線層 PA:周邊區 PL:圖案化層 TE:觸控感應電極 TE1:第一觸控感應電極 TE2:第二觸控感應電極 VA:顯示區
第1A圖至第1C圖為根據本公開的部分實施方式，觸控面板製作方法的步驟示意圖。 第2A圖為根據本公開的部分實施方式，觸控面板的上視示意圖。 第2B圖為沿第2A圖的線A-A的剖面示意圖。 第2C圖為沿第2A圖的線B-B的剖面示意圖。 第3圖為根據本公開的部分實施方式，觸控面板與軟性電路板組裝後的上視示意圖。 第4圖為根據本公開的另一實施方式，觸控面板的示意圖。 第5A圖為根據本公開的另一實施方式，觸控面板的上視示意圖。 第5B圖為沿第5A圖的線C-C的剖面示意圖。 第6圖為根據本公開的另一實施方式，觸控面板的上視示意圖。 第7圖為根據本公開的另一實施方式，觸控面板的上視示意圖。 第8圖為根據本公開的另一實施方式，觸控面板的示意圖。 第9圖為根據本公開的化學鍍方法的步驟示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:觸控面板 110:基板 120:周邊引線 140:標記 A-A:線 B-B:線 BA:接合區 C1:第一覆蓋物 C2:第二覆蓋物 D1:第一方向 D2:第二方向 PA:周邊區 TE:觸控感應電極 VA:顯示區

Claims (20)

  1. 一種製作觸控面板的方法，包括： 提供一基板，其中該基板具有一顯示區與一周邊區； 設置一金屬層，包括： 進行該基板的前處理； 調整該基板的一表面的特性； 在該基板的該表面形成一催化中心； 調整該催化中心的活性；及 在該基板的該表面進行化學鍍以形成該金屬層； 設置一金屬奈米線層，其中該金屬奈米線層的一第一部分位於該顯示區，該金屬奈米線層的一第二部分與該金屬層位於該周邊區；及 進行一圖案化步驟，包括利用可蝕刻該金屬層與該金屬奈米線層的一蝕刻液，將該金屬層形成多個周邊引線，並同時將該金屬奈米線層的該第二部分形成多個蝕刻層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該圖案化步驟進一步包括利用該蝕刻液將該金屬奈米線層的該第一部分形成一觸控感應電極，該觸控感應電極設置於該基板的該顯示區，該觸控感應電極電性連接該些周邊引線。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該基板的前處理包括將該基板進行清潔、除油、粗化步驟。
  4. 如請求項3所述之方法，其中調整該基板的該表面的特性包括調整該表面的表面電位、表面張力、親水性。
  5. 如請求項4所述之方法，其中調整該基板的該表面的特性包括使該表面帶正電荷。
  6. 如請求項4所述之方法，其中在該基板的該表面形成該催化中心包括： 提供一膠體金屬活性液；及 使該膠體金屬活性液的一膠體金屬附著在該表面形成具一第一活性的該催化中心。
  7. 如請求項6所述之方法，其中調整該催化中心的活性包括去除該膠體金屬的膠體，形成具一第二活性的該催化中心，該第二活性高於該第一活性。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該圖案化步驟進一步包括利用該蝕刻液將該金屬層形成多個標記，該些蝕刻層包括多個第一覆蓋物及多個第二覆蓋物，各該第一覆蓋物設置在對應的該些周邊引線上，各該第二覆蓋物設置在對應的該些標記上。
  9. 如請求項1所述之方法，進一步包括設置一膜層。
  10. 如請求項1所述之方法，其中該方法可於該基板的一面或雙面進行。
  11. 一種製作觸控面板的方法，包括： 提供一基板，其中該基板具有一顯示區與一周邊區； 設置一金屬層，包括： 進行該基板的前處理； 調整該基板的一表面的特性； 在該基板的該表面形成一催化中心； 調整該催化中心的活性；及 在該基板的該表面進行化學鍍以形成該金屬層，其中該金屬層具有一圖樣而形成位於該周邊區的多個周邊引線； 設置一金屬奈米線層；及 進行一圖案化步驟，將該金屬奈米線層形成位於該顯示區的一觸控感應電極，該觸控感應電極電性連接該些周邊引線。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該基板的前處理包括將該基板進行清潔、除油、粗化步驟。
  13. 如請求項12所述之方法，其中調整該基板的該表面的特性包括調整該表面的表面電位、表面張力、親水性。
  14. 如請求項13所述之方法，其中調整該基板的該表面的特性包括使該表面帶正電荷。
  15. 如請求項13所述之方法，其中在該基板的該表面形成該催化中心包括： 提供一膠體金屬活性液；及 使該膠體金屬活性液的一膠體金屬附著在該表面形成具低活性的該催化中心。
  16. 如請求項15所述之方法，其中調整該催化中心的活性包括去除該膠體金屬的膠體，形成具高活性的該催化中心。
  17. 如請求項11所述之方法，其中在該基板的該表面進行化學鍍以形成該金屬層進一步包括將該金屬層蝕刻成該些周邊引線。
  18. 如請求項11所述之方法，其中在該基板的該表面形成該催化中心包括在該表面的一特定區域形成該催化中心，在該基板的該表面進行化學鍍以形成該金屬層包括將該金屬層形成於該特定區域以製作成該些周邊引線。
  19. 如請求項11所述之方法，其中該方法可於該基板的一面或雙面進行。
  20. 一種根據請求項1或11所述之製作觸控面板的方法所製成的觸控面板。
TW109125674A 2019-12-24 2020-07-29 觸控面板及其製作方法 TWI741702B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911341855.X 2019-12-24
CN201911341855.XA CN113031798B (zh) 2019-12-24 2019-12-24 触控面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202125599A TW202125599A (zh) 2021-07-01
TWI741702B true TWI741702B (zh) 2021-10-01

Family

ID=75164437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109125674A TWI741702B (zh) 2019-12-24 2020-07-29 觸控面板及其製作方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10963112B1 (zh)
JP (1) JP6941718B2 (zh)
KR (1) KR102275806B1 (zh)
CN (1) CN113031798B (zh)
TW (1) TWI741702B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220051901A (ko) * 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190227647A1 (en) * 2018-01-24 2019-07-25 Tpk Glass Solutions (Xiamen) Inc. Touch panel and sheet of touch sensors
TWM588281U (zh) * 2019-03-22 2019-12-21 大陸商祥達光學（廈門）有限公司 觸控面板
TWM588283U (zh) * 2018-09-21 2019-12-21 宸鴻光電科技股份有限公司 觸控面板與觸控感測器卷帶

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4606894B2 (ja) * 2005-02-08 2011-01-05 富士フイルム株式会社 金属パターン形成方法、金属パターン及びそれを用いたプリント配線板並びにｔｆｔ配線回路
JP5635981B2 (ja) * 2008-06-09 2014-12-03 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 改善されたｃｎｔの／トップコートの工程
JP2011134878A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Seiko Epson Corp 基板上への導電パターンの形成方法
JP5730240B2 (ja) * 2011-04-25 2015-06-03 信越ポリマー株式会社 静電容量センサシートの製造方法及び静電容量センサシート
CN103412688B (zh) 2013-03-27 2014-09-17 深圳欧菲光科技股份有限公司 电容触摸屏及其制备方法
CN105448423B (zh) 2014-06-12 2018-06-22 宸鸿科技(厦门)有限公司 导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板
JP2016018482A (ja) * 2014-07-10 2016-02-01 日東電工株式会社 電極パターン作製用積層体、その製造方法、タッチパネル用基板および画像表示装置
JP6267340B2 (ja) * 2014-07-16 2018-01-24 富士フイルム株式会社 静電容量式タッチパネル
CN105320369B (zh) 2014-07-16 2018-05-04 欣永立企业有限公司 触控用导电电极的制造方法及其构造
JP6070675B2 (ja) * 2014-10-27 2017-02-01 大日本印刷株式会社 透明導電基材の製造方法およびタッチパネルセンサ
JP6388558B2 (ja) * 2015-05-29 2018-09-12 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル
CN108344790B (zh) * 2017-01-23 2020-08-11 华邦电子股份有限公司 氧化还原反应检测装置及其制造方法
CN110221718B (zh) * 2018-03-02 2023-07-04 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板的直接图案化方法及其触控面板
CN208459988U (zh) * 2018-06-15 2019-02-01 凯姆控股有限公司 触控面板
CN108829293A (zh) * 2018-09-10 2018-11-16 业成科技（成都）有限公司 触控面板及其制备方法
CN209168059U (zh) * 2018-09-21 2019-07-26 宸鸿光电科技股份有限公司 触控面板与触控传感器卷带
CN111610871A (zh) * 2019-02-25 2020-09-01 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 电极结构及其触控面板
CN209728707U (zh) * 2019-03-22 2019-12-03 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 触控面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190227647A1 (en) * 2018-01-24 2019-07-25 Tpk Glass Solutions (Xiamen) Inc. Touch panel and sheet of touch sensors
TWM588283U (zh) * 2018-09-21 2019-12-21 宸鴻光電科技股份有限公司 觸控面板與觸控感測器卷帶
TWM588281U (zh) * 2019-03-22 2019-12-21 大陸商祥達光學（廈門）有限公司 觸控面板

Also Published As

Publication number Publication date
KR102275806B1 (ko) 2021-07-09
CN113031798B (zh) 2022-04-08
JP6941718B2 (ja) 2021-09-29
KR20210082344A (ko) 2021-07-05
US10963112B1 (en) 2021-03-30
JP2021103514A (ja) 2021-07-15
TW202125599A (zh) 2021-07-01
CN113031798A (zh) 2021-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI734196B (zh) 觸控面板、其製作方法與觸控感測器卷帶
TWI788640B (zh) 觸控面板及其製作方法
TWI749832B (zh) 蝕刻液、觸控面板及其製作方法
WO2021169068A1 (zh) 触控面板、触控面板的制作方法及其装置
TWI749630B (zh) 觸控面板及其製作方法
WO2021169067A1 (zh) 电极、电极的制作方法及其装置
TWM607109U (zh) 觸控面板
TWM599944U (zh) 觸控面板
TWI743883B (zh) 觸控面板及其製作方法
TWI741702B (zh) 觸控面板及其製作方法
TWM604962U (zh) 觸控面板及其裝置
TW202127210A (zh) 觸控面板及其製作方法
US11347359B2 (en) Touch panel, manufacturing method of touch panel, and device thereof
CN211319188U (zh) 触控面板
US20220100315A1 (en) Touch panel, manufacturing method of touch panel, and device thereof
CN211403408U (zh) 触控面板
US20210200383A1 (en) Etching solution, touch panel and manufacturing method thereof
TWI746132B (zh) 觸控面板、觸控面板的製作方法及觸控顯示裝置
TW202206990A (zh) 觸控面板及其裝置