CN108344790B - 氧化还原反应检测装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种氧化还原反应检测装置及其制造方法。氧化还原反应检测装置包括第一电极、至少一检测结构以及第二电极。第一电极位于衬底上。至少一检测结构位于第一电极与衬底上。至少一检测结构包括金属纳米线层与金属氧化物层。金属纳米线层配置在第一电极与衬底上。金属氧化物层包覆金属纳米线层。第二电极位于至少一检测结构上。通过检测装置中的金属氧化物层以及金属纳米线层均参与检测氧化还原反应，以提高检测装置的检测灵敏度与检测范围。

Description

氧化还原反应检测装置及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种检测装置，且特别是有关于一种适用于检测氧化还原反应的检测装置及其制造方法。
背景技术
通过检测氧化还原的现象，可检测气体、pH值等。在现有的检测技术中，还可使用对待测物具有高选择性的酵素，来将待测物转化为氧化物质。之后，通过检测氧化物质的浓度变化或颜色变化，来间接地得知待测物的浓度。举例而言，当待测物为乙醇(ethanol)时，可选用乙醇氧化酶(alcohol oxidase；AOD)，以将乙醇转化为过氧化氢(H2O2)。接着，通过检测过氧化氢的浓度来得知乙醇的含量。过氧化氢的检测方法例如是在电极上施予一还原电位，使得过氧化氢还原成水。接着，通过量测电流变化的方式来推算过氧化氢的浓度。
一般而言，用于检测氧化还原反应的检测器包括以低价数的金属氧化物所构成的检测层。举例来说，低价数的金属氧化物可为氧化钛、氧化铁、氧化铝、氧化锆或氧化锰。通过量测低价数的金属氧化物的导电度变化，可得知测试样品中的氧化剂或还原剂的含量。然而，上述检测器具有检测灵敏度(sensitivity)不佳与检测范围较小的问题。因此，提高氧化还原检测器的检测灵敏度与检测范围是目前重要的课题。
发明内容
本发明提供一种氧化还原反应检测装置及其制造方法，可提高检测装置的检测灵敏度与检测范围。
本发明的检测装置适用于检测氧化还原反应。检测装置包括第一电极、至少一检测结构以及第二电极。第一电极位于衬底上。至少一检测结构位于第一电极与衬底上。至少一检测结构包括金属纳米线层与金属氧化物层。金属纳米线层配置在第一电极与衬底上。金属氧化物层包覆金属纳米线层。第二电极位于至少一检测结构上
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，金属氧化物层包括价数至少为4的过渡金属氧化物。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，过渡金属氧化物包括氧化钨、氧化钼以及氧化钒。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，过渡金属氧化物为纳米颗粒，其直径范围在1nm至100nm之间。
在本发明的一实施例中，上述的检测装置还包括带有正电的第一高分子材料层与带有正电的第二高分子材料层，第一高分子材料层位于金属纳米线层与第一电极之间，以及位于金属纳米线层与衬底之间。第二高分子材料层位于金属氧化物层与金属纳米线层之间。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，第一高分子材料层的材料及第二高分子材料层的材料包括聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺、聚二甲基二烯丙基氯化铵以及聚离胺酸。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，金属纳米线层包括多条金属纳米线，其中每一金属纳米线的直径范围在1nm至100nm之间，且长度范围在100nm至100μm之间。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，衬底的材料包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚丙烯、环状烯烃聚合物以及聚乙烯，且第一电极与检测结构设置在衬底的周边区。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置中，第一电极与第二电极的材料包括碳粉、纳米碳管以及石墨烯。
本发明的氧化还原反应检测装置的制造方法包括下列步骤。首先，在衬底上形成第一电极。接着，在第一电极与衬底上形成至少一检测结构。形成至少一检测结构的方法包括在第一电极与衬底上形成金属纳米线层，以及形成金属氧化物层，以包覆金属纳米线层。之后，在至少一检测结构上形成第二电极。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置的制造方法中，金属氧化物层包括价数至少为4的过渡金属氧化物。
在本发明的一实施例中，在形成金属纳米线层的步骤之前，上述的检测装置的制造方法还包括下列步骤。在第一电极与衬底上形成第一高分子材料层。在金属纳米线层上形成第二高分子材料层。
在本发明的一实施例中，在上述的检测装置的制造方法中，通过喷印形成第一电极、至少一检测结构、第一高分子材料层、第二高分子材料层与第二电极。
基于上述，氧化还原反应检测装置中的金属氧化物层以及金属纳米线层均参与检测氧化还原反应。另外，由于还原态的金属纳米线的导电度与氧化态的金属纳米线的导电度差异相当大，故氧化还原反应检测装置对于氧化还原反应可具有宽广的检测范围以及良好的检测灵敏度。再者，由于金属纳米线层被金属氧化物层所包覆，故可避免金属纳米线层受到环境影响。据此，可提高检测装置的可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1C是依照本发明的一实施例绘示的氧化还原反应检测装置的制造流程的剖面示意图；
图2A至图2C分别是图1A至图1C的氧化还原反应检测装置的制造流程的上视图；
图3是依照本发明的另一实施例绘示的氧化还原反应检测装置的剖面示意图；
图4是依照本发明的实验例绘示的氧化还原反应检测装置的剖面示意图；
图5是比较例的氧化还原反应检测装置的剖面示意图。
附图标记说明：
100：衬底； 107：第二高分子材料层；
102：第一电极； 108：金属氧化物层；
103：第一高分子材料层； 110：第二电极；
104：检测结构； 112：氧化还原反应检测装置；
106：金属纳米线层； 300：衬底；
302：第一电极； 404：检测结构；
303：第一高分子材料层； 406：金属纳米线层；
304：检测结构； 407：第二高分子材料层；
306：金属纳米线层； 408：金属氧化物层；
307：第二高分子材料层； 410：第二电极；
308：金属氧化物层； 412：氧化还原反应检测装置；
310：第二电极； 500：衬底；
312：氧化还原反应检测装置； 504：金属氧化物层；
402：第一电极； 508：氧化还原反应检测装置。
403：第一高分子材料层；
具体实施方式
图1A至图1C是依照本发明的一实施例的氧化还原反应检测装置的制造流程的剖面示意图。图2A至图2C分别是图1A至图1C的氧化还原反应检测装置的制造流程的上视图。
请参照图1A与图2A，本实施例的氧化还原反应检测装置的制造方法包括下列步骤。首先，在衬底100上形成第一电极102。特别来说，第一电极102可设置在衬底100的周边区。在一实施例中，衬底100可为可挠衬底(flexible substrate)。举例而言，可挠衬底的材料可包括聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚氯乙烯(polyvinylchloride；PVC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、环状烯烃聚合物(cycloolefin polymer；COP)以及聚乙烯(polyethylene；PE)。在其他实施例中，衬底100也可为不可挠衬底(non-flexible substrate)。举例而言，不可挠衬底的材料可为玻璃。
在一实施例中，形成第一电极102的方法可包括喷印(inkjet printing)。特别来说，喷印的墨水可为导电碳浆，其碳原可包括碳粉、纳米碳管以及石墨烯(或还原态的氧化石墨烯)。在一实施例中，第一电极102可经形成为图2A所示的长条形，但本发明并不以第一电极102的图案为限，所属领域中的技术人员可依据其设计需求而将第一电极102形成为其他适合的图案。
请参照图1B与图2B，之后，在第一电极102与衬底100上形成检测结构104。特别来说，检测结构104与第一电极102均可设置在衬底100的周边区。形成检测结构104的方法包括下列步骤。首先，在第一电极102与衬底100上形成金属纳米线层106。在一实施例中，金属纳米线层106包括多条纳米线。举例而言，多条纳米线的材料可包括银、铜或其他导电度高的金属材料。每一纳米线的直径范围可在1nm至100nm之间，且长度范围可在100nm至100μm之间。形成金属纳米线层106的方法可包括喷印。举例而言，可将含有多条金属纳米线的溶液共形地形成在第一电极102与衬底100上。接着，进行固化制程以去除上述溶液中的溶剂，而形成金属纳米线层106。在一实施例中，金属纳米线层106的厚度范围可在20nm至200nm之间。
在一实施例中，金属纳米线层106的多条金属纳米线处于其还原态，以用于检测氧化剂的含量。具体而言，当还原态的金属纳米线被氧化后，其导电度大幅降低且外观由金属色泽转变为灰白色。在一实施例中，氧化剂可包括过氧化氢、超氧离子(superoxide ion)、臭氧离子、二氧化碳以及二氧化氮，本发明并不以氧化剂的种类为限。反之，在其他实施例中，金属纳米线层106的多条金属纳米线也可处于其氧化态，而可用于检测还原剂的含量。在一实施例中，还原剂可包括氢气、硫化氢以及一氧化碳，本发明并不以还原剂的种类为限。由于还原态的金属纳米线的导电度与氧化态的金属纳米线的导电度差异相当大，故金属纳米线层106对于氧化剂或还原剂可具有宽广的检测范围以及良好的检测灵敏度(sensitivity)。
接着，形成金属氧化物层108，以包覆金属纳米线层106。在一实施例中，金属氧化物层108可包括高价数过渡金属氧化物，且高价数的定义为价数至少为4。较佳地，金属氧化物层108可包括价数为5或6的过渡金属氧化物。举例而言，高价数过渡金属氧化物可包括氧化钨、氧化钼以及氧化钒。另外，高价数过渡金属氧化物可为纳米颗粒，其直径范围在1nm至100nm之间。在一实施例中，形成金属氧化物层108的方法包括喷印。特别来说，可将含有高价数过渡金属氧化物的溶液形成在金属纳米线层106上，且包覆金属纳米线层106。接着，进行固化制程以去除上述溶液中的溶剂，而形成金属氧化物层108。在一实施例中，金属氧化物层108的厚度范围可在20nm至200nm之间。
在一实施例中，金属氧化物层108可包括还原态的高价数过渡金属氧化物。高价数过渡金属氧化物处于还原态时，其导电度较高，且其外观呈不透明的深蓝色。当还原态的高价数过渡金属氧化物接触氧化剂而转变为氧化态时，其导电度降低，且外观转变为透明的黄色。基于导电度与颜色的改变，金属氧化物层108适用于检测氧化剂的含量。反之，在其他实施例中，金属氧化物层108也可包括氧化态的高价数过渡金属氧化物。据此，金属氧化物层108适用于检测还原剂的含量。由于金属氧化物层108包覆金属纳米线层106，故可避免金属纳米线层106受到环境中的水气、氧气以及温度所影响。
在形成金属纳米线层106的步骤之前，可选择性地在第一电极102与衬底100上形成第一高分子材料层103。据此，第一高分子材料层103可位于第一电极102与金属纳米线层106之间，以及位于衬底100与金属纳米线层106之间。第一高分子材料层103可带有正电，其可提升第一电极102与金属纳米线层106之间的附着力(adhesion)，以及可提升衬底100与金属纳米线层106之间的附着力。在一实施例中，第一高分子材料层103可为自组装层，其材料可包括聚乙烯亚胺(polyethyleneimine；PEI)、乙氧基化聚乙烯亚胺(polyethylenimineethoxylated；PEIE)、聚二甲基二烯丙基氯化铵(poly(diallyldimethylammoniumchloride)；PDDA)以及聚离胺酸(poly lysine)。
相似地，在形成金属氧化物层108之前，可选择性地在金属纳米线层106上形成第二高分子材料层107。据此，第二高分子材料层107可位于金属纳米线层106与金属氧化物层108之间。相似于第一高分子材料层103，第二高分子材料层107也可带有正电。因此，可提升高金属纳米线层106与金属氧化物层108之间的附着力。在一实施例中，第二高分子材料层107也可为自组装层，其材料可包括聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺、聚二甲基二烯丙基氯化铵以及聚离胺酸。形成第一高分子材料层103与第二高分子材料层107的方法也可包括喷印。
请参照图1C与图2C，接着在检测结构104上形成第二电极110，以完成氧化还原反应检测装置112的制造。相似于第一电极102的形成方法，形成第二电极110的方法也可包括喷印。特别来说，喷印的墨水可为导电碳浆，其碳原可包括碳粉、纳米碳管以及石墨烯(或还原态的氧化石墨烯)。在一实施例中，第二电极110可经形成为图2C所示的长条形，但本发明并不以第二电极110的图案为限，所属领域中的技术人员可依据其设计需求而将第二电极110形成为其他适合的图案。
以下，将参照图1C与图2C说明本发明的氧化还原反应检测装置112的结构。
请参照图1C与图2C，氧化还原反应检测装置112适用于检测氧化还原反应。氧化还原反应检测装置112包括第一电极102、检测结构104以及第二电极110。第一电极102位于衬底100上。衬底100的材料可包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚丙烯、环状烯烃聚合物以及聚乙烯。检测结构104位于第一电极102与衬底100上，且第一电极102与检测结构104可设置在衬底100的周边区。检测结构104包括金属纳米线层106以及金属氧化物层108。金属纳米线层106配置在第一电极102与衬底100上。金属纳米线层106可包括多条金属纳米线，其中每一金属纳米线的直径范围在1nm至100nm之间，且长度范围在100nm至100μm之间。金属氧化物层108包覆金属纳米线层106。金属氧化物层108可包括高价数过渡金属氧化物，其可包括氧化钨、氧化钼以及氧化钒。高价数过渡金属氧化物可为纳米颗粒，其直径范为在1nm至100nm之间。第二电极110位于检测结构104上。第一电极102与第二电极110的材料可包括碳粉、纳米碳管以及石墨烯。在一实施例中，氧化还原反应检测装置112还可包括带有正电的第一高分子材料层103，其位于金属纳米线层106与第一电极102之间，以及位于金属纳米线层106与衬底100之间。相似地，氧化还原反应检测装置112还可包括带有正电的第二高分子材料层107，其位于金属氧化物层108与金属纳米线层106之间。第一高分子材料层103的材料与第二高分子材料层107的材料可包括聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺、聚二甲基二烯丙基氯化铵以及聚离胺酸。
基于上述，氧化还原反应检测装置112中的金属氧化物层108以及金属纳米线层106均可用以检测氧化还原反应。另外，由于还原态的金属纳米线的导电度与氧化态的金属纳米线的导电度差异相当大，故氧化还原反应检测装置112对于氧化还原反应可具有宽广的检测范围以及良好的检测灵敏度。再者，由于金属纳米线层106被金属氧化物层108所包覆，故可避免金属纳米线层106受到环境中的水气、氧气以及温度所影响。据此，可提高氧化还原反应检测装置112的可靠度。
图3是依照本发明的另一实施例的氧化还原反应检测装置的剖面示意图。
请同时参照图1C与图3，图3的氧化还原反应检测装置312与图1C的氧化还原反应检测装置112相似，其主要差异处在于：图3的氧化还原反应检测装置312包括多个检测结构304，其堆叠于第一电极302与衬底300上。
具体而言，氧化还原反应检测装置312的第一电极302与第二电极310之间可包括多个检测结构304。本发明并不以检测结构304的数量为限，所属领域中的技术人员可依据其设计的需求而改变检测结构304的数量。每一检测结构304包括金属纳米线层306以及金属氧化物层308，且金属氧化物层308包覆金属纳米线层306。另外，氧化还原反应检测装置312还可包括多个第一高分子材料层303以及多个第二高分子材料层307。每一第一高分子材料层303可位于每一对应的金属纳米线层306与其下方的膜层之间，且每一第二高分子材料层307可位于每一对应的金属纳米线层306与金属氧化物层308之间。
在本实施例中，最下方的金属纳米线层306的形成方法可包括浸涂(dipcoating)、旋涂(spin coating)以及刮涂(blade coating)。据此，可使最下方的金属纳米线层306经形成以具有实质上平整的上表面。
在一些实施例中，第一电极302与第二电极310之间的多个检测结构304可以并联的方式连接。因此，提高检测结构304的数量可降低氧化还原反应检测装置312的有效电阻，也即提高氧化还原反应检测装置312整体的导电度。如此一来，可通过调整检测结构304的数量而改变氧化还原反应检测装置312的检测范围。
以下举出实验例来验证本发明的功效，但本发明并不局限于以下的内容。
图4是依照本发明的实验例绘示的氧化还原反应检测装置的剖面示意图。图5是比较例的氧化还原反应检测装置的剖面示意图。
实验例
请同时参照图3与图4，相似于图3的氧化还原反应检测装置312，本实验例的氧化还原反应检测装置412的第一电极402与第二电极410之间具有6个检测结构404。每一检测结构404包括金属纳米线层406以及金属氧化物层408，且金属氧化物层408包覆金属纳米线层406。此外，第一电极402与6个检测结构404位于衬底400上。在本实验例中，氧化还原反应检测装置412还包括6个第一高分子材料层403以及6个第二高分子材料层407。每一第一高分子材料层403可位于每一对应的金属纳米线层406与其下的膜层之间，且每一第二高分子材料层407可位于每一对应的金属纳米线层406与金属氧化物层408之间。另外，每一金属氧化物层408的材料为还原态的氧化钼，且每一金属纳米线层406包括多条还原态的银纳米线。
比较例
请同时参照图4与图5，比较例的氧化还原反应检测装置508与实验例的氧化还原反应检测装置412的差异在于：比较例的氧化还原反应检测装置508不包括金属纳米线层、第一高分子材料层以及第二高分子材料层。如此一来，氧化还原反应检测装置508的检测结构即为单层的金属氧化物层504。第一电极502与单层的金属氧化物层504位于衬底500上，且第二电极506位于单层的金属氧化物层504上。另外，金属氧化物层504的材料与图4的金属氧化物层408的材料均为还原态的氧化钼，且金属氧化物层504在衬底500上的厚度与图4的6个检测结构404的总厚度相同。
将实验例的氧化还原反应检测装置412与比较例的氧化还原反应检测装置508浸置在具有不同过氧化氢含量的样本溶液1至样本溶液3中，且分别于纯水润洗并干燥后量测实验例的氧化还原反应检测装置412与比较例的氧化还原反应检测装置512的第一电极与第二电极之间的电阻值，其结果显示于下表1。
表1
Figure GDA0002232287650000091
由上表1可知，在反应前，实验例的电阻值明显低于比较例的电阻值。实验例与比较例之间的差异在于：实验例的氧化还原反应检测装置412的检测结构包括金属纳米线层406与金属氧化物层408，而比较例的氧化还原反应检测装置508的检测结构仅包括金属氧化物层504。由于还原态的纳米银线的导电度高于还原态的氧化钼的导电度，故金属纳米线层406的导电度高于金属氧化物层408或金属氧化物层504的导电度。因此，实验例的氧化还原反应检测装置412在反应前可具有较低的电阻值。
接触过氧化氢后，实验例的金属氧化物层408与金属纳米线层406以及比较例的金属氧化物层504均逐渐地被氧化，以使实验例与比较例的电阻值均提高。对应于样本溶液3，实验例的金属氧化物层408与金属纳米线层406以及比较例的金属氧化物层504均已完全反应，以使其电阻值上升至大约相同的等级(109Ω)。
由此可知，在反应前，实验例的电阻值明显低于比较例的电阻值。此外，完全反应后，实验例的电阻值与比较例的电阻值大约在相同的等级。对于相同的过氧化氢含量的差异，实验例的电阻值改变量明显大于比较例的电阻值改变量。换言之，实验例的氧化还原反应检测装置412对于过氧化氢含量具有较高的检测灵敏度。
另外，依据对应于样本溶液1与样本溶液2(微量的过氧化氢)的电阻值可知，实验例的反应前后的电阻值改变量分别为20000倍以及200000倍，而比较例的反应前后的电阻值并无如此显著的变化。由此可知，实验例的氧化还原反应检测装置412可检测较微量的过氧化氢含量。
综上所述，本发明的检测装置中的金属氧化物层以及金属纳米线层均可用以检测氧化还原反应。另外，由于还原态的金属纳米线的导电度与氧化态的金属纳米线的导电度差异相当大，故检测装置对于氧化还原反应可具有宽广的检测范围以及良好的检测灵敏度。再者，由于金属纳米线层被金属氧化物层所包覆，故可避免金属纳米线层受到环境中的水气、氧气以及温度所影响。据此，可提高氧化还原反应检测装置的可靠度。再者，本案的氧化还原反应检测装置可通过三维打印步骤形成第一电极、检测结构、高分子材料层与第二电极，因此可直接施作于任意基材表面，而不需使用任何定义图形用的遮罩、凸版或凹版等方式，来制作氧化还原反应检测装置。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (13)

1.一种氧化还原反应检测装置，其特征在于，包括：
第一电极，位于衬底上；
至少一检测结构，位于所述第一电极与所述衬底上，所述至少一检测结构包括：
金属纳米线层，配置在所述第一电极与所述衬底上；以及
金属氧化物层，包覆所述金属纳米线层；以及
第二电极，位于所述至少一检测结构上。
2.根据权利要求1所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述金属氧化物层包括价数至少为4的过渡金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述过渡金属氧化物包括氧化钨、氧化钼以及氧化钒。
4.根据权利要求2所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述过渡金属氧化物为纳米颗粒，其直径范围在1nm至100nm之间。
5.根据权利要求1所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，还包括带有正电的第一高分子材料层与带有正电的第二高分子材料层，所述第一高分子材料层位于所述金属纳米线层与所述第一电极之间，以及位于所述金属纳米线层与所述衬底之间，所述第二高分子材料层位于所述金属氧化物层与所述金属纳米线层之间。
6.根据权利要求5所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述第一高分子材料层的材料及所述第二高分子材料层的材料包括聚乙烯亚胺、乙氧基化聚乙烯亚胺、聚二甲基二烯丙基氯化铵以及聚离胺酸。
7.根据权利要求1所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述金属纳米线层包括多条金属纳米线，其中每一金属纳米线的直径范围在1nm至100nm之间，且长度范围在100nm至100μm之间。
8.根据权利要求1所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述衬底的材料包括玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚丙烯、环状烯烃聚合物以及聚乙烯，且所述第一电极与所述检测结构设置在所述衬底的周边区。
9.根据权利要求1所述的氧化还原反应检测装置，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极的材料包括碳粉、纳米碳管以及石墨烯。
10.一种氧化还原反应检测装置的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成第一电极；
在所述第一电极与所述衬底上形成至少一检测结构，其中所述形成至少一检测结构的方法包括：
在所述第一电极与所述衬底上形成金属纳米线层；以及
形成金属氧化物层，以包覆所述金属纳米线层；以及
在所述至少一检测结构上形成第二电极。
11.根据权利要求10所述的氧化还原反应检测装置的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物层包括价数至少为4的过渡金属氧化物。
12.根据权利要求11所述的氧化还原反应检测装置的制造方法，其特征在于，在所述形成金属纳米线层的步骤之前还包括：
在所述第一电极与所述衬底上形成第一高分子材料层；以及
在所述金属纳米线层上形成第二高分子材料层。
13.根据权利要求12所述的氧化还原反应检测装置的制造方法，其特征在于，通过喷印形成所述第一电极、所述第二电极、所述第一高分子材料层、所述第二高分子材料层与所述至少一检测结构。
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