TWM588283U - 觸控面板與觸控感測器卷帶 - Google Patents

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吳和虔
朱俊鴻
蕭仲欽
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宸鴻光電科技股份有限公司
大陸商祥達光學（廈門）有限公司
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Abstract

本新型涉及一種觸控面板與觸控感測器卷帶，其中觸控面板包含基板、催化層、周邊引線、標記、第一覆蓋物與第二覆蓋物。催化層設置於基板的周邊區，周邊引線設置於催化層上，周邊引線具有側壁及上表面；標記設置於催化層上，標記具有側壁及上表面。第一覆蓋物覆蓋周邊引線的上表面，第二覆蓋物覆蓋標記的上表面，其中第一覆蓋物及第二覆蓋物包括金屬奈米線。

Description

觸控面板與觸控感測器卷帶
本新型涉及觸控面板與觸控感測器卷帶。
近年來，透明導體可同時讓光穿過並提供適當的導電性，因而常應用於許多顯示或觸控相關的裝置中。一般而言，透明導體可以是各種金屬氧化物，例如氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）、氧化鎘錫（Cadmium Tin Oxide，CTO）或摻鋁氧化鋅（Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO）。然而，這些金屬氧化物薄膜並不能滿足顯示裝置的可撓性需求。因此，現今發展出了多種可撓性的透明導體，例如利用奈米線等材料所製作的透明導體。
然而，所述的奈米線的工藝技術尚有許多需要解決的問題，例如觸控面板會使用金屬層製作周邊區的引線，傳統工藝上是在基板上濺鍍整面的金屬，之後再依據圖案移除不需要的部分金屬，而觸控面板中占最大面積的為可視區，故將設置於可視區的金屬移除的過程中，大量金屬被移除，僅留下小部分金屬構成周邊區的引線。因此，如何降低工藝中的金屬被移除的部分，進而達到控制製作成本就是重要的課題之一。
再者，利用奈米線製作觸控電極，奈米線與周邊區的引線在進行對位時需預留對位元誤差區域，所述對位元誤差區域造成周邊區的引線尺寸無法縮減，進而導致周邊區的寬度較大，尤其採用卷對卷（Roll to Roll）工藝，基材的形變量導致所述對位元誤差區域的尺寸更加放大（如150μm），使得周邊區的寬度最小僅達到2.5mm，故無法滿足顯示器的窄邊框需求。
本新型的部分實施方式中，通過將金屬材料選擇性地設置於基板的特定位置，以達到控制金屬的使用量，進而控制製作成本。
本新型的部分實施方式中，通過設計周邊引線受到至少由金屬奈米線所形成的第一覆蓋物的覆蓋及標記受到至少由金屬奈米線所形成的第二覆蓋物的覆蓋，藉以達到不需預留對位時的對位元誤差區域的效果，以形成寬度較小的周邊引線，進而滿足窄邊框的需求。此外，本新型的部分實施方式中，提出了新的觸控感測器卷帶結構，因而產生不同於以往的觸控面板結構。
根據本新型的部分實施方式，一種觸控面板包含：一基板，具有一顯示區與一周邊區；一催化層，設置於該周邊區；多個周邊引線，設置於該催化層上，每一該些周邊引線具有一側壁及一上表面；多個標記，設置於該催化層上，每一該些標記具有一側壁及一上表面；多個第一覆蓋物與多個第二覆蓋物，該些第一覆蓋物覆蓋該些周邊引線的該上表面，該些第二覆蓋物覆蓋該些標記的該上表面，其中每一該些第一覆蓋物及每一該些第二覆蓋物包括金屬奈米線，該些周邊引線、該些標記、該些第一覆蓋物以及該些第二覆蓋物設置於該基板的該周邊區；以及一觸控感應電極，設置於該基板的該顯示區，該觸控感應電極電性連接該些周邊引線。
於本新型的部分實施方式中，該催化層為一絕緣層，該絕緣層中填充有催化性的粒子。
於本新型的部分實施方式中，該粒子為奈米粒子。
於本新型的部分實施方式中，該觸控面板更包含：一膜層，其覆蓋該觸控感應電極、裸露於該周邊區的該非導電區域的該催化層、該些第一覆蓋物以及該些第二覆蓋物。
於本新型的部分實施方式中，該觸控面板更包括分別設置在該顯示區與該周邊區的非導電區域。
於本新型的部分實施方式中，非導電區域中具有一與該膜層相同的材料所製成的填充層。
於本新型的部分實施方式中，每一該些第一覆蓋物具有一側面，該側面與該些周邊引線的該側壁為一共同蝕刻面。
於本新型的部分實施方式中，每一該些第二覆蓋物具有一側面，該側面與該些標記的該側壁為一共同蝕刻面。
於本新型的部分實施方式中，該些周邊引線的該側壁與該些標記的該側壁不存在有所述金屬奈米線。
於本新型的部分實施方式中，標記包括對接對位元標記。
於本新型的部分實施方式中，周邊引線的寬度為5μm-20μm，相鄰的該些周邊引線之間的距離為5μm-20μm。
於本新型的部分實施方式中，該些周邊引線與該些標記為金屬材料製成；該觸控感應電極包括金屬奈米線。
於本新型的部分實施方式中，該些周邊引線中的相鄰周邊引線之間的阻值大於1×10 3歐姆，該些周邊引線中的相鄰周邊引線之間的漏電流小於1×10 -6安培。
根據本新型的部分實施方式，一種觸控感測器卷帶包含：一基板，其中該基板上設置有多個觸控面板及該些觸控面板以外的移除區，每一該些觸控面板包括：一顯示區、一周邊區、多個周邊引線、多個第一覆蓋物以及一觸控感應電極，其中一催化層設置於該周邊區與該移除區；該些周邊引線設置於該催化層上，每一該些周邊引線具有一側壁及一上表面；該些第一覆蓋物覆蓋該些周邊引線的該上表面，該些周邊引線與該些第一覆蓋物設置於每一該些觸控面板的該周邊區；以及一觸控感應電極，設置於每一該些觸控面板的該顯示區，該觸控感應電極電性連接該些周邊引線；多個標記，設置於該催化層上，每一該些標記具有一側壁及一上表面；以及多個第二覆蓋物，該些第二覆蓋物覆蓋該些標記的該上表面，其中每一該些第一覆蓋物及每一該些第二覆蓋物包括金屬奈米線。
於本新型的部分實施方式中，該催化層為一絕緣層，該絕緣層中填充有催化性的粒子。
於本新型的部分實施方式中，該粒子為奈米粒子。
於本新型的部分實施方式中，觸控面板更包含：一膜層，其覆蓋該觸控感應電極、該催化層、該些第一覆蓋物以及該些第二覆蓋物。
於本新型的部分實施方式中，觸控面板更包括分別設置在該顯示區與該周邊區的非導電區域。
於本新型的部分實施方式中，非導電區域中具有一與該膜層相同的材料所製成的填充層。
於本新型的部分實施方式中，每一該些第一覆蓋物具有一側面，該側面與該些周邊引線的該側壁為一共同蝕刻面。
於本新型的部分實施方式中，每一該些第二覆蓋物具有一側面，該側面與該些標記的該側壁為一共同蝕刻面。
於本新型的部分實施方式中，該些周邊引線的該側壁與該些標記的該側壁不存在有所述金屬奈米線。
於本新型的部分實施方式中，該些標記包括設置於每一該些觸控面板的該周邊區的對接對位元標記，或設置於相鄰該些觸控面板之間的切割對位元標記，或設置於該基板上的對位元標記、方向標記、尺寸標記或數位/文字標記。
於本新型的部分實施方式中，周邊引線的寬度為5μm-20μm，相鄰的該些周邊引線之間的距離為5μm-20μm。
於本新型的部分實施方式中，該些周邊引線與該些標記為金屬材料製成；該觸控感應電極包括金屬奈米線。
以下將以圖式揭露本新型的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本新型。也就是說，在本新型部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些現有慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
關於本文中所使用的「約」、「大約」或「大致」，一般是指數值的誤差或範圍於百分之二十以內，較好地是於百分之十以內，更佳地是於百分之五以內。文中若無明確說明，所提及的數值皆視為近似值，即具有如「約」、「大約」或「大致」所表示的誤差或範圍。
請先參閱圖2，其為根據本新型的部分實施方式的觸控面板100的上視示意圖。觸控面板100包含基板110、周邊引線120、標記140、第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2、催化層180以及觸控感應電極TE，上述的周邊引線120、標記140、第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2以及觸控感應電極TE的數量可為一或多個，而以下各具體實施例及圖式中所繪製的數量僅為解說之用，並未限制本新型。參閱圖2，基板110具有顯示區VA與周邊區PA，周邊區PA設置於顯示區VA的側邊，例如周邊區PA則可為設置於顯示區VA的四周（即涵蓋右側、左側、上側及下側）的框型區域；但在其他實施例中，周邊區PA可為一設置於顯示區VA的左側及下側的L型區域。又如圖2所示，本實施例的催化層180設置於周邊區，另外共有八組周邊引線120以及與周邊引線120相對應的第一覆蓋物C1設置於基板110的周邊區PA；觸控感應電極TE設置於基板110的顯示區VA。本實施例利用催化層180將周邊引線120與標記140所需的金屬材料僅形成在周邊區PA而不形成於顯示區VA，故可大幅降低傳統技術中大量使用金屬材料的成本。
本實施例更有兩組標記140以及與標記140相對應的第二覆蓋物C2設置於基板110的周邊區PA，藉由將第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2分別設置於周邊引線120的上表面124與標記140的上表面144，使上下兩層材料不須對位就成型在預定的位置，故可以達到減少或避免在工藝中設置對位元誤差區域的需求，藉以降低周邊區PA的寬度，進而達到顯示器的窄邊框需求。
具體而言，請參閱圖1A至圖1C，本新型的實施方式中的觸控面板可依以下方式製作：首先提供基板110，其上具有事先定義的周邊區PA與顯示區VA。接著，形成催化層180在周邊區PA（如圖1A）；接著，形成金屬層ML於催化層180上（如圖1B）；接著形成金屬奈米線（metal nanowires）層NWL於周邊區PA與顯示區VA（如圖1C）；接著進行圖案化，以形成上述第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2、周邊引線120與標記140。以下進行更詳細的說明。
請參閱圖1A，催化層180主要用以催化金屬層ML的沉積，故亦可稱活化層；在一實施例中，催化層180可藉由印刷方式成型，如凸版印刷或凹版印製的工藝方式將其印刷於基板110的周邊區PA，但不以此為限。催化層180為絕緣層或是填充有催化性的粒子的絕緣層，舉例來說，催化層180可為壓克力樹脂或環氧樹脂，其中可填充有奈米導電粒子或催化性的奈米粒子，換言之，上述粒子分散於樹脂層中，並使催化層180呈現整體絕緣。在一實施例中，奈米粒子為鈀奈米粒子、銅/鈀奈米粒子等，催化層180的厚度小於約1μm，如約1μm至約10nm。
請參閱圖1B，催化層180上可用於成形金屬層ML，其可經過圖案化而成為周邊引線120與標記140。詳細而言，本新型的部分實施方式中周邊引線120與標記140可為導電性較佳的金屬所構成，較佳為單層金屬結構，例如銀層、銅層等；或為多層導電結構，例如鉬/鋁/鉬、銅/鎳、鈦/鋁/鈦、鉬/鉻等，上述金屬結構較佳的為不透光，例如可見光（如波長介於400nm-700nm）的光穿透率（Transmission）小於約90%。
在本實施例中，以化學鍍的方式將銅層沉積於催化層180上；而由於顯示區VA中並無催化層180，故銅層僅沉積於周邊區PA。化學鍍即在無外加電流的情況下藉助合適的還原劑，使鍍液中金屬離子在金屬觸媒催化下還原成金屬並鍍覆於其表面，此過程稱之為無電鍍（electroless plating）也稱為化學鍍（chemical plating）或自身催化鍍（autocatalytic plating），是故，本實施例之金屬層ML亦可稱作無電鍍層、化學鍍層或自身催化鍍層。具體而言，可採用例如主成分為硫酸銅的鍍液，其組成可為但不限於：濃度為5g/L的硫酸銅（copper sulfate），濃度為12g/L的乙二胺四乙酸（ethylenediaminetetraacetic acid），濃度為5g/L的甲醛（formaldehyde），無電鍍銅鍍液的pH以氫氧化鈉（sodium hydroxide）調整為約11至13，鍍浴溫度為約50至70℃，浸泡的反應時間為1至5分鐘；在進行無電鍍的反應時，銅材料可在具有催化/活化能力的催化層180上成核，而後靠銅的自我催化繼續成長銅膜。
接著，請參閱圖1C，將至少包括金屬奈米線的金屬奈米線（metal nanowires）層NWL，例如奈米銀線（silver nanowires）層、奈米金線（gold nanowires）層或奈米銅線（copper nanowires）層塗布於周邊區PA與顯示區VA；金屬奈米線層NWL在顯示區VA的部分是成形於基板110上，而在周邊區PA的部分是成形於金屬層ML上。在本實施例的具體作法為：將具有金屬奈米線的分散液或漿料（ink）以塗布方法成型於基板110上，並加以乾燥使金屬奈米線覆著於基板110及前述金屬層ML的表面而成型為設置於基板110及前述金屬層ML上的金屬奈米線層。而在上述的固化/乾燥步驟之後，溶劑等物質被揮發，而金屬奈米線以隨機的方式分佈於基板110及前述金屬層ML的表面；較佳的，金屬奈米線會固著於基板110及前述金屬層ML的表面上而不至脫落而形成所述的金屬奈米線層NWL，且金屬奈米線可彼此接觸以提供連續電流路徑，進而形成一導電網路（conductive network）。
在本新型的實施例中，上述分散液可為水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑（苯、甲苯、二甲苯等等）；上述分散液亦可包含添加劑、介面活性劑或粘合劑，例如羧甲基纖維素（carboxymethyl cellulose；CMC）、2-羥乙基纖維素（hydroxyethyl Cellulose；HEC）、羥基丙基甲基纖維素（hydroxypropyl methylcellulose；HPMC）、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸鹽、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟介面活性劑等等。而所述的含有金屬奈米線的分散液或漿料可以用任何方式成型於基板110及前述金屬層ML的表面，例如但不限於：網版印刷、噴頭塗布、滾輪塗布等工藝；在一種實施例中，可採用卷對卷（roll to roll；RTR）工藝將含有金屬奈米線的分散液或漿料塗布於連續供應的基板110及前述金屬層ML的表面。
本文所用的「金屬奈米線（metal nanowires）」係為一集合名詞，其指包含多個元素金屬、金屬合金或金屬化合物（包括金屬氧化物）的金屬線的集合，其中所含金屬奈米線的數量，並不影響本新型所主張的保護範圍；且單一金屬奈米線的至少一個截面尺寸（即截面的直徑）小於約500 nm，較佳小於約100 nm，且更佳小於約50 nm；而本新型所稱的為”線（wire）”的金屬奈米結構，主要具有高的縱橫比，例如介於約10至100,000之間，更詳細的說，金屬奈米線的縱橫比（長度：截面的直徑）可大於約10，較佳大於約50，且更佳大於約100；金屬奈米線可以為任何金屬，包括（但不限於）銀、金、銅、鎳及鍍金的銀。而其他用語，諸如絲（silk）、纖維（fiber）、管（tube）等若同樣具有上述的尺寸及高縱橫比，亦為本新型所涵蓋的範疇。
接著進行圖案化，在一實施例中，採用可同時蝕刻金屬奈米線層NWL與金屬層ML的蝕刻液，以在同一工序中製作第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2、周邊引線120與標記140。本實施例具體可包括以下步驟：先將感光材料（例如光阻）進行曝光/顯影（即熟知的微影工藝）定義出位於周邊區PA的周邊線路120與標記140的圖案；接著，進行蝕刻，以在周邊區PA上製作出由金屬奈米線層NWL所構成的第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2以及由金屬層ML所構成的周邊線路120（請參考圖2、圖2A及圖2B）。
根據一具體實施例，金屬奈米線層NWL為奈米銀層，金屬層ML為銅層的情況下，蝕刻液可用於蝕刻銅與銀，例如蝕刻液的主成分為H 3PO 4（比例為約5%至15%）及HNO 3（比例約55%至70%），以在同一工藝中移除銅材料與銀材料。在另一具體實施例中，可在蝕刻液的主成分之外加入添加物，例如蝕刻選擇比調整劑，以調整蝕刻銅與蝕刻銀的速率；舉例而言，可在主成分為H 3PO 4（比例約5%至15%）及HNO 3（比例約55%至70%）中添加約5%至10%的Benzotriazole （BTA），以解決銅的過蝕刻問題。
在圖案化的步驟中，更可包括：同時進行在顯示區VA的金屬奈米線層NWL圖案化。換言之，可利用前述的蝕刻液將顯示區VA的金屬奈米線層NWL圖案化以製作本實施例的觸控感應電極TE於顯示區VA，觸控感應電極TE可電性連接周邊引線120。具體而言，觸控感應電極TE同樣可為至少包括金屬奈米線的金屬奈米線（metal nanowires）層，也就是說，圖案化的步驟之後金屬奈米線層NWL在顯示區VA形成觸控感應電極TE，而在周邊區PA形成第一覆蓋物C1，故觸控感應電極TE可藉由第一覆蓋物C1與周邊引線120的接觸而達到與周邊引線120達成電性連接進行信號的傳輸。而金屬奈米線層NWL在周邊區PA也會形成第二覆蓋物C2，其設置於標記140的上表面144，標記140可以廣泛的被解讀為非電性功能的圖樣，但不以此為限。在本新型的部分實施例中，周邊引線120與標記140可為同層的金屬層ML所製作（即兩者為相同的金屬材料，如前述的化學鍍銅層）；觸控感應電極TE、第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2可為同層的金屬奈米線層NWL所製作。
在一變化實施例中，位於顯示區VA與周邊區PA的金屬奈米線層NWL可藉由不同的蝕刻步驟（亦即使用不同的蝕刻液）進行圖案化。
圖2顯示根據本新型的實施方式的觸控面板100的上視示意圖，圖2A及圖2B分別為圖2的A-A線與B-B線的剖面圖。請先參閱圖2A，如圖2A所示，周邊引線120與標記140均設置於催化層180上，第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2分別成型且覆蓋周邊引線120的上表面124與標記140的上表面144。而在本新型的部分實施方式中，金屬奈米線可為奈米銀線。為了方便說明，本文的周邊引線120與標記140的剖面是為一四邊形（例如圖1A所繪製的長方形），但周邊引線120的側壁122與上表面124、與標記140的側壁142與上表面144的結構型態或數量皆可依實際應用而變化，並非以本文的文字與圖式所限制。
在本實施例中，標記140是設置在周邊區PA的接合區BA，其為對接對位元標記，也就是在將一外部電路板，如在軟性電路板170連接於觸控面板100的步驟（即bonding步驟）用於將軟性電路板170與觸控面板100進行對位元的記號（請配合圖2）。然而，本新型並不限制標記140的置放位置或功能，例如標記140可以是任何在工藝中所需的檢查記號、圖樣或標號，均為本新型保護的範疇。標記140可以具有任何可能的形狀，如圓形、四邊形、十字形、L形、T形等等。另一方面，周邊引線120延伸至接合區BA的部分又可被稱作連接部（bonding section），同於前述實施例，在接合區BA的連接部的上表面同樣被第一覆蓋物C1所覆蓋。
如圖2A及圖2B所示，在周邊區PA中，相鄰周邊引線120之間具有非導電區域136，以電性阻絕相鄰周邊引線120進而避免短路。也就是說，相鄰周邊引線120的側壁122之間具有非導電區域136，而在本實施例中，非導電區域136為一間隙，以隔絕相鄰周邊引線120。而在將第一覆蓋物C1設置於周邊引線120的步驟中，可採用蝕刻法制作上述的間隙，故周邊引線120的側壁122與第一覆蓋物C1的側面C1L為一共同蝕刻面，且相互對齊，也就是說周邊引線120的側壁122與第一覆蓋物C1的側面C1L是在同一個蝕刻步驟中所成型；類似的，標記140的側壁142與第二覆蓋物C2的側面C2L為一共同蝕刻面，且相互對齊。在一實施例中，周邊引線120的側壁122與標記140的側壁142會因上述的蝕刻步驟而不會有所述的金屬奈米線存在於其上。更詳細的說，在圖2A所示的接合區BA，相鄰連接部（bonding section）之間具有非導電區域136，而連接部（bonding section）的側壁122與第一覆蓋物C1的側面C1L為一共同蝕刻面。再者，周邊引線120及第一覆蓋物C1會具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為長直狀等的圖樣，且寬度相同或近似；標記140與第二覆蓋物C2也同樣具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為半徑相同或近似的圓形、邊長相同或近似的四邊形等，或其他相同或近似的十字形、L形、T形等的圖樣。
如圖2B所示，在顯示區VA中，相鄰觸控感應電極TE之間具有非導電區域136，以電性阻絕相鄰觸控感應電極TE進而避免短路。也就是說，相鄰觸控感應電極TE的側壁之間具有非導電區域136，而在本實施例中，非導電區域136為一間隙，以隔絕相鄰觸控感應電極TE；在一實施例中，可採用上述的蝕刻法製作相鄰觸控感應電極TE之間的間隙。在本實施例中，觸控感應電極TE與第一覆蓋物C1可利用同層的金屬奈米線層NWL（如奈米銀線層）所製作，故在顯示區VA與周邊區PA的交界處，金屬奈米線層NWL會形成一爬坡結構，以利金屬奈米線層NWL成形並覆蓋周邊引線120的上表面124，而形成所述的第一覆蓋物C1。
本新型的部分實施方式中，觸控面板100的第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2分別設置於周邊引線120的上表面124與標記140的上表面144，可以達到減少或避免在工藝中設置對位元誤差區域的需求，藉以降低周邊區PA的寬度，進而達到顯示器的窄邊框需求。具體而言，本新型部分實施方式的觸控面板100的周邊引線120的寬度為約5μm至20μm，相鄰周邊引線120之間的距離為約5μm至20μm，較佳地觸控面板100的周邊引線120的寬度為約3μm至20μm，相鄰周邊引線120之間的距離為約3μm至20μm，而周邊區PA的寬度也可以達到約小於2mm的尺寸，較傳統的觸控面板產品縮減約20%或更多的邊框尺寸。
本新型的部分實施方式中，在電壓為10伏特（V）條件下，觸控面板100的相鄰周邊引線120之間的阻值大於1×10 3歐姆（Ω），並依歐姆定律，相鄰周邊引線120之間的漏電流小於1×10 -2安培（A）；較佳地，觸控面板100的相鄰周邊引線120之間的阻值大於1×10 7歐姆，相鄰周邊引線120之間的漏電流小於1×10 -6安培；較佳地，觸控面板100的相鄰周邊引線120之間的阻值大於1×10 8歐姆，相鄰周邊引線120之間的漏電流小於1×10 -7安培。在電壓為20伏特（V）條件下，觸控面板100的相鄰周邊引線120之間的阻值大於1×10 3歐姆（Ω），並依歐姆定律，相鄰周邊引線120之間的漏電流小於2×10 -2安培（A）；較佳地，觸控面板100的相鄰周邊引線120之間的阻值大於1×10 7歐姆，相鄰周邊引線120之間的漏電流小於2×10 -6安培；較佳地，觸控面板100的相鄰周邊引線120之間的阻值大於1×10 8歐姆，相鄰周邊引線120之間的漏電流小於2×10 -7安培。藉此本新型實施例的觸控面板可以達到良好的電性特性，以提升的觸控感應靈敏度等。
圖3則顯示軟性電路板170與觸控面板100進行對位元後的組裝結構，其中軟性電路板170的電極墊（未繪示）可通過導電膠（未繪示，例如異方性導電膠）電性連接位於基板110上的接合區BA的周邊引線120。於部分實施方式中，位於接合區BA的第一覆蓋物C1可以開設開口（未繪示），而露出周邊引線120，導電膠（例如異方性導電膠）可填入第一覆蓋物C1的開口而直接接觸周邊引線120而形成導電通路。本實施方式中，觸控感應電極TE以非交錯式的排列設置。舉例而言，觸控感應電極TE為沿第一方向D1延伸的長條型電極，彼此並不產生交錯，但於其他實施方式中，觸控感應電極TE可以具有適當的形狀，而不應以此限制本新型的範圍。本實施方式中，觸控感應電極TE採用單層的配置，其中可以通過偵測各個觸控感應電極TE的自身的電容值變化，而得到觸控位置。
在一實施例中，觸控面板100可包括膜層130，圖4A及圖4B分別為膜層130成型於上述實施例後，圖1的A-A線與B-B線的剖面圖。在一實施例中，膜層130是全面性的覆蓋觸控面板100，也就是說膜層130覆蓋於觸控感應電極TE、第一覆蓋物C1以及第二覆蓋物C2之上。如圖4A及圖4B所示，在周邊區PA中，膜層130覆蓋第一覆蓋物C1以及第二覆蓋物C2之上，膜層130並填入相鄰周邊引線120之間的非導電區域136，也就是說，相鄰周邊引線120之間的非導電區域136中具有一與膜層130相同的材料所製成的填充層，藉以隔絕相鄰周邊引線120，且膜層130覆蓋裸露於非導電區域136的催化層180。另外，以單一組對應的周邊引線120與第一覆蓋物C1而言，膜層130會包圍所述的單一組上下對應的周邊引線120與第一覆蓋物C1，具體而言，膜層130會覆蓋並接觸第一覆蓋物C1的上表面、周邊引線120的側壁122及第一覆蓋物C1的側面C1L；也就是說，每一周邊引線120具有一側壁122及一上表面124，每一第一覆蓋物C1具有一側面C1L，側面C1L與側壁122相互對齊且均接觸填充層（或膜層130），而第一覆蓋物C1接觸所對應的周邊引線120的上表面124。類似的，以單一組對應的標記140與第二覆蓋物C2而言，膜層130會包圍所述的單一組上下對應的標記140與第二覆蓋物C2，具體而言，膜層130會覆蓋並接觸第二覆蓋物C2的上表面、標記140的側壁142及第二覆蓋物C2的側面C2L；也就是說，每一標記140具有一側壁142及一上表面144，每一第二覆蓋物C2具有側面C2L，側面C2L與側壁142相互對齊且均接觸該填充層（或膜層130），每一第二覆蓋物C2接觸所對應的標記140的上表面144。
如圖4B所示，在顯示區VA中，膜層130覆蓋於觸控感應電極TE之上，膜層130並填入相鄰觸控感應電極TE之間的非導電區域136，也就是說，相鄰觸控感應電極TE之間的非導電區域136中具有一與膜層130相同的材料所製成的填充層，藉以隔絕相鄰觸控感應電極TE。
在本實施方式中，顯示區VA的觸控感應電極TE與膜層130所形成的複合結構較佳地具有導電性與透光性，例如，所述複合結構的可見光（如波長介於約400nm-700nm）的光穿透率（Transmission）可大於約80%，且表面電阻率（surface resistance）在約10至1000歐姆/平方（ohm/square）之間；較佳地，複合結構的可見光（例如波長介於約400nm-700nm）的光穿透率（Transmission）大於約85%，且表面電阻率（surface resistance）在約50至500歐姆/平方（ohm/square）之間。
而在本新型的部分實施方式中，膜層130可為聚乙烯（polyethylene；PE）、聚丙烯（Polypropylene；PP）、聚乙烯醇縮丁醛（Polyvinyl butyral；PVB）、聚碳酸酯（polycarbonate；PC）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（Acrylonitrile butadiene styrene；ABS）、聚（3,4-伸乙二氧基噻吩）（PEDOT）、聚（苯乙烯磺酸）（PSS）或陶瓷材料等等。在本新型的一種實施方式中，膜層130可為以下聚合物，但不限於此：聚丙烯酸系樹脂，諸如聚甲基丙烯酸酯（例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)）、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈；聚乙烯醇；聚酯（例如，聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯）；具有高芳香度的聚合物，諸如酚醛樹脂或甲酚-甲醛、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫化物、聚碸、聚伸苯基及聚苯基醚；聚胺基甲酸酯（polyurethane；PU）；環氧樹脂；聚烯烴（例如聚丙烯、聚甲基戊烯及環烯烴）；纖維素；聚矽氧及其他含矽聚合物（例如聚倍半氧矽烷及聚矽烷）；聚氯乙烯（PVC）；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡膠（例如，乙丙橡膠（ethylene-propylene rubber；EPR）、丁苯橡膠（styrene-Butadiene Rubber；SBR）、三元乙丙橡膠（ethylene-Propylene-Diene Monomer；EPDM）；及含氟聚合物（例如，聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯（TFE）或聚六氟丙烯）；氟-烯烴與烴烯烴的共聚物等。在其他實施例中，可使用以二氧化矽、富鋁紅柱石、氧化鋁、SiC、碳纖維、MgO-Al 2O 3-SiO 2、Al 2O 3-SiO 2或MgO-Al 2O 3-SiO 2-Li 2O等無機材料。
此外，上述膜層130可與金屬奈米線（例如第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2或觸控感應電極TE）形成複合結構而具有某些特定的化學、機械及光學特性，例如提供第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2與基板110的黏著性，或是較佳的實體機械強度，故膜層130又可被稱作基質（matrix）。又一方面，使用某些特定的聚合物製作膜層130，使第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2具有額外的抗刮擦及磨損的表面保護，在此情形下，膜層130又可被稱作硬塗層（hard coat），採用諸如聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚（矽-丙烯酸）等可使第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2具有較高的表面強度以提高耐刮能力。再者，膜層130中可添加有紫外光穩定劑（UV stabilizers），以提高第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2的抗紫外線能力。然而，上述僅是說明膜層130的其他附加功能/名稱的可能性，並非用於限制本新型。值得說明的是，本文的附圖將膜層130與第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2繪製為不同層的結構，但用於製作膜層130的聚合物在未固化前或在預固化的狀態下可以滲入金屬奈米線之間而形成填充物，當聚合物固化後，金屬奈米線會嵌入膜層130之中，也就是說，本新型不限定膜層130與金屬奈米線層NWL（例如第一覆蓋物C1、第二覆蓋物C2或觸控感應電極TE）之間的結構。
圖5為根據本新型的部分實施方式的觸控面板100的上視示意圖。本實施方式與圖2的實施方式相似，本實施方式與圖2的實施方式的差別主要在於：本實施方式中，觸控感應電極TE採用雙層的配置。
為方便說明起見，以第一觸控感應電極TE1與第二觸控感應電極TE2來說明本實施方式採用的配置。請參照圖5A，同於前述實施例，催化層180設置於周邊區PA，且設置於基板110的相對兩表面；第一觸控感應電極TE1形成於基板110的一面（如下表面），第二觸控感應電極TE2則形成於基板110的另一面（如上表面），使第一觸控感應電極TE1、第二觸控感應電極TE2彼此電性絕緣；而連接於第一觸控感應電極TE1的周邊引線120與覆蓋於其上的第一覆蓋物C1、以及覆蓋於標記140上的第二覆蓋物C2則對應於第一觸控感應電極TE1而形成於基板的下表面且位於催化層180上。同理，連接於第二觸控感應電極TE2的周邊引線120與覆蓋於其上的第一覆蓋物C1、以及覆蓋於標記140上的第二覆蓋物C2則對應於第二觸控感應電極TE2而形成於基板的上表面且位於催化層180上。第一觸控感應電極TE1為多個沿第一方向D1排列的長條狀電極，第二觸控感應電極TE2為多個沿第二方向D2排列的長條狀電極。長條狀第一觸控感應電極TE1與長條狀第二觸控感應電極TE2的延伸方向不同，而互相交錯。第一觸控感應電極TE1與第二觸控感應電極TE2可分別用以傳送控制信號與接收觸控感應信號。自此，可以經由偵測第一觸控感應電極TE1與第二觸控感應電極TE2之間的信號變化（例如電容變化），得到觸控位置。藉由此設置，使用者可於基板110上的各點進行觸控感應。本實施例之觸控面板100更可以包含膜層130，其是全面性的覆蓋觸控面板100，也就是說基板110的上下兩面均設置有膜層130，並覆蓋於第一觸控感應電極TE1、第二觸控感應電極TE2、第一覆蓋物C1以及第二覆蓋物C2之上，且基板110的上下兩面的催化層180會分別裸露於周邊區PA的非導電區域136，膜層130也同樣覆蓋上述裸露的催化層180。
本新型的部分實施方式的雙面式觸控面板100可依以下方式製作，例如，先分別在基板110的相對兩面上製作催化層180、金屬層ML及金屬奈米線層NWL，再配合雙面曝光、顯影等工藝，以在基板110的相對兩面上形成具圖案化的第一觸控感應電極TE1、第二觸控感應電極TE2、標記140與周邊引線120。
在一實施例中，為避免基板110的相對兩面在進行曝光時的相互干擾，可採用不同時序的光源進行曝光工藝。在另一實施例中，可使用不同波長的光源進行曝光工藝。在另一實施例中，可先在基板110的相對兩面的催化層180中添加UV阻擋粒子/UV吸收粒子，藉此可利用同樣的UV光源進行雙面曝光工藝來加以圖案化，UV阻擋粒子/UV吸收粒子能夠吸收特定波長的部分UV光（例如總能量的至少10%、20%、25%或20%-50%），而實質上可讓可見光波長（例如400-700nm）的光線透射，例如大於總能量的85%的可見光透射。在一實施例中，UV吸收粒子為以下化合物：
Phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(1-methyl-1-phenylethyl)（產品名稱為「Tinuvin® 234」）、phenol, 2, 2’-methylene-bis (6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1, 1, 3, 3-tetramethylbutyl)）（產品名稱為「Tinuvin® 360」），UV吸收粒子的添加濃度約為1%至5%。
圖6為根據本新型的部分實施方式的觸控面板100的上視示意圖。本實施方式與圖2的實施方式相似，本實施方式與圖2的實施方式的差別主要在於：本實施方式中，觸控面板100更包含設置於周邊區PA之遮罩導線160，且遮罩導線160的上表面上覆蓋有第三覆蓋物C3。請參照圖6A，遮罩導線160亦位於催化層180上，其主要包圍觸控感應電極TE與周邊引線120，且遮罩導線160會延伸至接合區BA而電性連接於軟性電路板170上之接地端，故遮罩導線160可以遮罩或消除信號干擾或是靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）防護，特別是人手碰到觸控裝置周圍的連接導線而導致的微小電流變化。
遮罩導線160可由金屬材料製成，較佳地可參照周邊引線120或標記140的說明；第三覆蓋物C3則為金屬奈米線所製成，較佳地可參照第一覆蓋物C1或第二覆蓋物C2的說明，且前述實施方式的具體說明可套用於本實施例的遮罩導線160與第三覆蓋物C3。在本新型的部分實施例中，遮罩導線160、周邊引線120與標記140可為同層的金屬層ML所製作（即三者為相同的金屬材料，例如前述的化學鍍銅層）；觸控感應電極TE、第三覆蓋物C3、第一覆蓋物C1與第二覆蓋物C2可為同層的金屬奈米線層NWL所製作。本實施例之觸控面板100更可以包含膜層130，其是全面性的覆蓋觸控面板100，也就是說膜層130除了覆蓋於第一觸控感應電極TE1、第二觸控感應電極TE2、第一覆蓋物C1以及第二覆蓋物C2上，也覆蓋於第三覆蓋物C3上。
在一部分實施方式中，本文所述的觸控面板100可藉由卷對卷（Roll to Roll）工藝來製作，卷對卷（Roll to Roll） 塗覆工藝使用現有設備且可完全自動化，可顯著降低製造觸控面板的成本。卷對卷塗覆的具體工藝如下：首先選用具可撓性的基板110，並使卷帶狀的基板110安裝於兩滾輪之間，利用馬達驅動滾輪，以使基板110可沿兩滾輪之間的移動路徑進行連續性的工藝。例如，利用印刷方式成形催化層180、利用鍍槽進行金屬層ML的沉積、利用儲存槽、噴霧裝置、刷塗裝置及其類似物將含金屬奈米線的漿料則沈積於基板110的表面上以形成金屬奈米線層NWL；利用蝕刻槽或噴塗蝕刻液進行圖案化等步驟。隨後，所完成的觸控面板100藉由產線最後端的滾輪加以卷出形成觸控感測器卷帶。如圖7，完成上述工藝後的觸控感測器卷帶，其基板110的表面上即可被製作出多個觸控面板100，而觸控面板100以外的區域為移除區CA，基板110的表面上可具有標記140；在本實施例中，催化層180設置於觸控面板100的周邊區PA與移除區CA，因此，觸控面板100的周邊引線120設置於催化層180上，標記140亦設置於催化層180上；標記140可為位於觸控面板100之間（即移除區CA）的切割對位元標記140A，其主要用於將多個觸控面板100自所完成的觸控感測器卷帶進行裁切、切割等步驟以製成個別獨立的觸控面板100，請參照圖7，可藉由基板110上的切割對位元標記140A所定義的切割線將左右兩觸控面板100分割成個別獨立的觸控面板100；標記140也可為對位元標記140B、方向標記140C、尺寸標記140D、數位/文字標記140E，舉例來說，對位元標記140B可用於對位；方向標記140C可用於標記工藝方向，例如基板110的MD/TD方向；尺寸標記140D可用於標記尺規；數位/文字標記140E則可用於logo等圖樣。換言之，本實施例的標記140可包括位於觸控感測器卷帶上而形成於相鄰觸控面板100之間（即移除區CA）的切割對位元標記140A或上述其他標記140B至140E，或者也可包括前述位於觸控面板100的周邊區PA的對接對位元標記或其他工藝上所需的標號。同於前述實施例，本實施例的標記140A至140E為金屬材料製成，標記140A至140E設置於催化層180上且其上表面覆蓋有第二覆蓋物C2，具體說明可參照前文，本實施例的觸控面板100的具體內容亦可參照前文，在此不予重複。
本實施例的觸控感測器卷帶更可以包含膜層130，其是全面性的覆蓋觸控感測器卷上未裁切的觸控面板100，也就是說膜層130可覆蓋於觸控感測器卷帶上未裁切的多個觸控面板100上，再被切割分離為個別的觸控面板100。具體而言，膜層130可覆蓋於觸控感應電極TE、催化層180（包括位於周邊區PA與移除區CA的裸露的催化層180）、第一覆蓋物C1以及第二覆蓋物C2。
於本新型的部分實施方式中，基板110較佳為透明基板，詳細而言，可以為一硬式透明基板或一可撓式透明基板，其材料可以選自玻璃、壓克力（polymethylmethacrylate；PMMA）、聚氯乙烯（polyvinyl Chloride；PVC）、聚丙烯（polypropylene；PP）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚碳酸酯（polycarbonate；PC）、聚苯乙烯（polystyrene；PS）等透明材料。
於本新型的部分實施方式中，膜層130由絕緣材料所形成。舉例而言，膜層130的材料可以是非導電的樹脂或其他有機材料。於本新型的部分實施方式中，可以藉由旋塗、噴塗、印刷等方式形成膜層130。於部分實施方式中，膜層130的厚度大約為20奈米至10微米、或50奈米至200奈米、或30至100奈米，舉例而言，膜層130的厚度大約可為90奈米或100奈米。
卷對卷產線可沿基板的移動路徑依需求調整多個塗覆步驟的順序或是可按需求併入任何數目的額外月臺。舉例而言，為了達到適當的後處理工藝，即可將壓力滾輪或電漿設備安裝於產線中。
於部分實施方式中，所形成的金屬奈米線可進一步進行後處理以提高其導電度，此後處理可為包括如加熱、電漿、電暈放電、UV臭氧、壓力或上述工藝組合的過程步驟。例如，在固化形成金屬奈米線層NWL的步驟後，可利用滾輪施加壓力於其上，在一實施例中，可藉由一或多個滾輪向金屬奈米線層NWL施加50至3400 psi的壓力，較佳為可施加100至1000 psi、200至800 psi或300至500 psi的壓力；而上述施加壓力的步驟較佳地實施在塗布膜層130的步驟之前。於部分實施方式中，可同時進行加熱與壓力之後處理；詳言之，所形成的金屬奈米線可經由如上文所述的一或多個滾輪施加壓力，並同時加熱，例如由滾輪施加的壓力為10至500 psi，較佳為40至100 psi；同時將滾輪加熱至約70℃與200℃之間，較佳至約100℃與175℃之間，其可提高金屬奈米線的導電度。於部分實施方式中，金屬奈米線較佳可暴露於還原劑中進行後處理，例如由奈米銀線組成的金屬奈米線較佳可暴露於銀還原劑中進行後處理，銀還原劑包括硼氫化物，如硼氫化鈉；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷（DMAB）；或氣體還原劑，諸如氫氣（H2）。而所述的暴露時間約10秒至約30分鐘，較佳約1分鐘至約10分鐘。
本實施方式的其他細節大致上如上述實施方式所述，在此不再贅言。
本新型的不同實施例的結構可相互引用，並不為上述各具體實施方式的限制。
本新型的部分實施方式中，通過催化層的設置而讓金屬層選擇性地設置於基板上的預定位置，故不需整面性的塗布金屬，進而達到節省製作成本的效果。
本新型的部分實施方式中，通過設計周邊引線及/或標記上具有由金屬奈米線所形成的第一或第二覆蓋物的覆蓋，可以避免對位的過程中所預留的誤差空間，故可有效降低周邊區的寬度。
雖然本新型已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本新型的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本新型的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧觸控面板
110‧‧‧基板
120‧‧‧周邊引線
122、142‧‧‧側壁
124、144‧‧‧上表面
140、140A、140B、140C、140D、140E‧‧‧標記
130‧‧‧膜層
136‧‧‧非導電區域
160‧‧‧遮罩導線
170‧‧‧軟性電路板
180‧‧‧催化層
ML‧‧‧金屬層
NWL‧‧‧金屬奈米線層
VA‧‧‧顯示區
PA‧‧‧周邊區
BA‧‧‧接合區
CA‧‧‧移除區
TE1‧‧‧第一觸控感應電極
TE2‧‧‧第二觸控感應電極
TE‧‧‧觸控感應電極
C1‧‧‧第一覆蓋物
C1L、C2L‧‧‧側面
C2‧‧‧第二覆蓋物
C3‧‧‧第三覆蓋物
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
圖1A至圖1C為根據本新型的部分實施方式的觸控面板的製作方法的步驟示意圖。
圖2為根據本新型的部分實施方式的觸控面板的上視示意圖。
圖2A為沿圖2的線A-A的剖面示意圖。
圖2B為沿圖2的線B-B的剖面示意圖。
圖3為根據本新型的部分實施方式的觸控面板與軟性電路板組裝後的上視示意圖。
圖4A為圖2的線A-A的變化實施例的剖面示意圖。
圖4B為圖2的線B-B的變化實施例的剖面示意圖。
圖5為根據本新型的另一實施方式的觸控面板的上視示意圖。
圖5A為沿圖5的線A-A的剖面示意圖。
圖6為根據本新型的另一實施方式的觸控面板的剖面示意圖。
圖6A為沿圖6的線A-A的剖面示意圖。
圖7為根據本新型的實施方式的觸控感測器卷帶的示意圖。

Claims (22)

  1. 一種觸控面板，包含：
    一基板，具有一顯示區與一周邊區；
    一催化層，設置於該周邊區；
    多個周邊引線，設置於該催化層上，每一該些周邊引線具有一側壁及一上表面；
    多個標記，設置於該催化層上，每一該些標記具有一側壁及一上表面；
    多個第一覆蓋物與多個第二覆蓋物，該些第一覆蓋物覆蓋該些周邊引線的該上表面，該些第二覆蓋物覆蓋該些標記的該上表面，其中每一該些第一覆蓋物及每一該些第二覆蓋物包括金屬奈米線，該些周邊引線、該些標記、該些第一覆蓋物以及該些第二覆蓋物設置於該基板的該周邊區；以及
    一觸控感應電極，設置於該基板的該顯示區，該觸控感應電極電性連接該些周邊引線。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該催化層為一絕緣層，該絕緣層中填充有催化性的粒子。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的觸控面板，其中該粒子為奈米粒子。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括分別設置在該顯示區與該周邊區的非導電區域。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的觸控面板，更包含：
    一膜層，其覆蓋該觸控感應電極、裸露於該周邊區的該非導電區域的該催化層、該些第一覆蓋物以及該些第二覆蓋物。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中每一該些第一覆蓋物具有一側面，該側面與該些周邊引線的該側壁為一共同蝕刻面。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中每一該些第二覆蓋物具有一側面，該側面與該些標記的該側壁為一共同蝕刻面。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該些標記包括對接對位元標記。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該些周邊引線的寬度為5μm至20μm，相鄰的該些周邊引線之間的距離為5μm至20μm。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該些周邊引線與該些標記為金屬材料製成；該觸控感應電極包括該金屬奈米線。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該些周邊引線中的相鄰周邊引線之間的阻值大於1×10 3歐姆。
  12. 一種觸控感測器卷帶，包含：
    一基板，其中該基板上設置有多個觸控面板及該些觸控面板以外的移除區，每一該些觸控面板包括：一顯示區、一周邊區、多個周邊引線、多個第一覆蓋物以及一觸控感應電極，其中一催化層設置於該周邊區與該移除區；該些周邊引線設置於該催化層上，每一該些周邊引線具有一側壁及一上表面；該些第一覆蓋物覆蓋該些周邊引線的該上表面，該些周邊引線與該些第一覆蓋物設置於每一該些觸控面板的該周邊區；以及一觸控感應電極，設置於每一該些觸控面板的該顯示區，該觸控感應電極電性連接該些周邊引線；
    多個標記，設置於該催化層上，每一該些標記具有一側壁及一上表面；以及
    多個第二覆蓋物，該些第二覆蓋物覆蓋該些標記的該上表面，其中每一該些第一覆蓋物及每一該些第二覆蓋物包括金屬奈米線。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中該催化層為一絕緣層，該絕緣層中填充有催化性的粒子。
  14. 根據申請專利範圍第13項所述的觸控感測器卷帶，其中該粒子為奈米粒子。
  15. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中該觸控面板更包括分別設置在該顯示區與該周邊區的非導電區域。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述的觸控感測器卷帶，其中該觸控面板更包含：
    一膜層，其覆蓋該觸控感應電極、該催化層、該些第一覆蓋物以及該些第二覆蓋物。
  17. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中每一該些第一覆蓋物具有一側面，該側面與該些周邊引線的該側壁為一共同蝕刻面。
  18. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中每一該些第二覆蓋物具有一側面，該側面與該些標記的該側壁為一共同蝕刻面。
  19. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中該些標記包括設置於每一該些觸控面板的該周邊區的對接對位元標記，或設置於該移除區的切割對位元標記、對位元標記、方向標記、尺寸標記或數位/文字標記。
  20. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中該些周邊引線的寬度為5μm至20μm，相鄰的該些周邊引線之間的距離為5μm至20μm。
  21. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中該些周邊引線與該些標記為金屬材料製成；該觸控感應電極包括該金屬奈米線。
  22. 根據申請專利範圍第12項所述的觸控感測器卷帶，其中該些周邊引線中的相鄰周邊引線之間的阻值大於1×10 3歐姆。
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