TWI739249B - 高速全雙工收發器 - Google Patents

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Abstract

一種收發器包含：一第一數位類比轉換器，其接收一第一數位碼並輸出一第一電流至一第一節點；一第二數位類比轉換器，其接收一第二數位碼並輸出一第二電流至一第二節點；一第一與第二分接（shunt）電阻，其分接該第一與第二節點至一直流節點；一第一直流耦合電阻，其將該第一節點耦接至一第三節點；一第二直流耦合電阻，其將該第二節點耦接至該第三節點；一交流耦合電容，其將該第三節點耦接至一第四節點；一轉阻放大器，其自該第四節點接收一輸入電流並輸出一輸出電流至一第五節點；一電感性負載，其分接該第五節點至一直流節點；以及一類比數位轉換器單元，其接收該第五節點上的電壓並輸出一第三數位碼。

Description

高速全雙工收發器
本案是關於收發器電路，更明確地說，是關於高速全雙工收發器電路。
全雙工收發器電路為包含發射器與接收器的裝置，其中發射器用以傳輸第一訊號至媒體相依介面，且接收器用以自同一媒體相依介面同時接收第二訊號。在實際應用中，部分的第一訊號常會洩漏至接收器，並結合第二訊號成為第三訊號，此第三訊號為接收器實際所接收到且必須處理的訊號。洩漏至接收器的該部分之第一訊號可視為『回音（echo）』，其為有損接收器效能的一種雜訊，須加以抑制。混合式（hybrid）電路通常用以允許發射器與接收器共享同一媒體相依介面，且同時地分別傳輸第一訊號與接收第二訊號。此外，自該媒體相依介面接收的第二訊號為來自遠端發射器並經由通訊媒介（例如為纜線）傳輸至該媒體相依介面，此第二訊號通常會受到分散的影響。接收器通常需藉由等化的方式來修正此分散，故此方式為混合式電路設計中應被考量的要點。
美國專利文獻（美國專利號US 8,045,702）教示了一種使用於全雙工收發器的混合式電路，其用以降低回音。此文獻所揭露的混合式電路使用了多個電路（例如為主動濾波器與比例轉換器等等），而這些電路並不適合高速應用。美國專利文獻（美國專利號US 9,473,204）教示了另一種混合式電路。同樣的，此文獻所揭露的混合式電路需要使用運算放大器，而並不適合高速應用。
鑑於上述，本技術領域期望有一種適合高速應用的全雙工收發器。
於一實施例中，收發器包含：一第一數位類比轉換器，用以接收一第一數位碼並輸出一第一電流至一第一節點，其中該第一節點為該收發器的一媒體相依介面，其用以介接一通訊媒介；一第二數位類比轉換器，用以接收一第二數位碼並輸出一第二電流至一第二節點，其中該第二數位碼相反於該第一數位碼；一第一分接（shunt）電阻，用以分接該第一節點至一第一直流節點；一第二分接電阻，用以分接該第二節點至一第二直流節點；一第一直流耦合電阻，用以將該第一節點耦接至一第三節點；一第二直流耦合電阻，用以將該第二節點耦接至該第三節點；一交流耦合電容，用以將該第三節點耦接至一第四節點；一轉阻放大器，用以自該第四節點接收一輸入電流並輸出一輸出電流至一第五節點；一電感性負載，用以分接該第五節點至一第三直流節點；以及一類比數位轉換器單元，用以接收該第五節點上的一電壓並輸出一第三數位碼。
於一實施例中，訊號收發方法包含下列步驟：根據一第一數位碼輸出一第一電流至一第一節點，其中該第一節點經由一第一分接電阻分接至一第一直流節點；根據一第二數位碼輸出一第二電流至一第二節點，其中該第二數位碼相反於該第一數位碼，且該第二節點經由一第二分接電阻分接至一第二直流節點；藉由一第一直流耦合電阻將該第一節點耦接至一第三節點；藉由一第二直流耦合電阻將該第二節點耦接至該第三節點；藉由一交流耦合電容將該第三節點耦接至一第四節點；藉由一轉阻放大器根據自該第四節點所接收的一輸入電流輸出一輸出電流至一第五節點；藉由一電感性負載分接該第五節點至一第三直流節點；根據該第五節點上的一電壓輸出一第三數位碼；以及經由該第一節點介接一通訊媒介。
有關本案的特徵、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。
本案關聯於全雙工收發器。儘管本說明書揭示了本案的多個實施例可視為實施本案的較佳範例，但本案可藉由多種方式被實施，不限於後述的特定範例，也不限於用來實現該些特定範例之技術特徵的特定方式。此外，已知細節未被顯示或說明，以避免妨礙本案之觀點的呈現。
本技術領域具有通常知識者理解與本案所使用與微電子有關的術語和基本概念，例如『（電路）節點』、『（地）節點)』、『虛擬接地』、『訊號』、『電壓』、『電流』、『歐姆定律』、『偏壓』、『交流耦合』、『直流耦合』、『電容』、『電容值』、『電阻』、『電感』、『傳輸線』、『互補式金屬氧化物半導體（CMOS）』、『PMOS電晶體』、『NMOS電晶體』、『頻率』、『分接（shunt）』、『開關』、『疊接』、『阻抗』、『共源極放大器』、『共閘極放大器』以及『轉阻放大器』。此類的術語和基本概念對於本領域具有通常知識者來說是顯而易知且可以被理解的，故不再說明相關細節。本領域具有通常知識者亦可識別PMOS電晶體與NMOS電晶體的符號，並能識別這些電晶體的『源極』、『閘極』與『汲極』等多個端點。
邏輯訊號為具有兩種狀態的訊號：第一邏輯狀態（或『高』態）以及第二邏輯狀態（或『低』態）。當邏輯訊號被稱為高（低），代表此訊號處於『高』態（『低』態）。這種情形發生在當邏輯訊號充分地高（低）於一臨界位準（稱為跳脫點（trip point））。每一個邏輯訊號都具有一個跳脫點，且兩個邏輯訊號未必然具有相同跳脫點。
本案依據工程觀念下進行呈現。例如，『X相等於Y』代表『X與Y之間的差異小於一特定工程容忍值』。『X實質上小於Y』代表『X與Y之間的比例小於一特定工程容忍值』。例如，在一實施例中，當X與Y之間的比例小於3%時，X被認為是實質上小於Y。
如圖1所繪示，根據本案的一實施例，收發器100包含：第一數位類比轉換器（digital-to-analog converter, DAC）111，其用以接收第一數位碼D1 並輸出第一電流I1 至第一節點101；第一分接電阻RS1 ，其用以分接第一節點101（其具有第一電壓V1 ）至第一電源供應節點VDD1 ；第二數位類比轉換器（DAC）112，其用以接收第二數位碼D2 並輸出第二電流I2 至第二節點102（其具有第二電壓V2 ）；第二分接電阻RS2 ，其用以分接第二節點102至第一電源供應節點VDD1 ；第一直流耦合電阻RC1 ，其用以將第一節點101耦接至第三節點103(其具有第三電壓V3 ）；第二直流耦合電阻RC2 ，其用以將第二節點102耦接至第三節點103；交流耦合電容CC ，其用以將第三節點103耦接至第四節點104（其具有第四電壓V4 ）；轉阻放大器（transimpedance amplifier, TIA）114，其用以自第四節點104接收輸入電流I4 並輸出一輸出電流I5 至第五節點105（其具有第五電壓V5 ）；電感性負載120，其用以分接第五節點105至第二電源供應節點VDD2 ；類比數位轉換器（analog-to-digital converter, ADC）單元115，其用以接收第五節點105上的第五電壓V5 並輸出第三數位碼D3 。第一節點101為收發器100的媒體相依介面，以介接(interface with)傳輸線TL。第一數位碼D1 載有欲經由傳輸線TL傳送給遠端連線夥伴（亦其為收發器）的資訊，而第三數位碼D3 代表該遠端連線夥伴經由傳輸線TL傳送來的資訊且最終會被收發器100進行解碼。第二數位碼D2 反相於第一數位碼D1 ，並用於抵銷自第一數位碼D1 引起的回音。關於回音抵銷的操作原理將於後解釋。
第一電壓V1 可被拆解為3個成分，且在數學上可由下列式子呈現：
Figure 02_image001
（1）。
於式（1）中，
Figure 02_image003
為第一電壓V1 的直流成分；
Figure 02_image005
為屬於第一數位碼D1 所呈現並欲傳送給遠端連線夥伴的資訊之交流成分；且
Figure 02_image007
為屬於從遠端連線夥伴接收到的資訊之交流成分且最終變為第三數位碼D3 。
第二電壓V2 可被拆解為2個成分，且在數學上可由下列式子呈現：
Figure 02_image009
（2）。
於式（2）中，
Figure 02_image011
為第二電壓V2 的直流成分；
Figure 02_image013
為屬於第二數位碼D2 所呈現的資訊之交流成分。
轉阻放大器（例如為TIA 114）為具有低輸入阻抗以及高輸出阻抗的裝置，其中，對交流成分來說，自前置電路所接收到的輸入電流實質上相同於輸出給後續電路的輸出電流。在一實施例中，圖1的TIA 114具有實質上低於前置電路的阻抗（註記為Zp ）的輸入阻抗並具有實質上高於後續電路的阻抗（註記為Zs ）的輸出阻抗。需留意的是，關於多低（多高）可被視為『實質上低於（高於）』之討論為工程觀點的議題，而非嚴格觀點的理論議題。於本案中，作為示例而非用於限制，TIA 114的輸入（輸出）阻抗低於（高於）Zp （Zs ）的30倍，故可被稱為『實質上低於（高於）』並可以忽略不計。由於TIA 114的低輸入阻抗，第四節點104可被視為『虛擬接地』，且第四電壓V4 實質上為靜止的，即：
Figure 02_image015
（3）。
於式（3）中，
Figure 02_image017
為第四電壓V4 的直流成分，且第四電壓V4 的交流成分被省略。
CC 為具有實質上較低的輸入阻抗的交流耦合電容，其在收發器100與遠端連線夥伴之間的通訊連結中的感興趣頻率上可被視為短路。因此，第三節點103亦可被視為『虛擬接地』，且第三電壓V3 為實質上靜止的，即：
Figure 02_image019
（4）。
於式（4）中，
Figure 02_image021
為第三電壓V3 的直流成分，且第三電壓V3 的交流成分被省略。藉由施加克希荷夫電壓定律，可以推得：
Figure 02_image023
（5）。
在第三節點103為虛擬接地的條件下，藉由對第一電壓V1 以及第二電壓V2 兩者的交流成分施加歐姆定律以及克希荷夫電流定律，可以推得：
Figure 02_image025
（6）。
第一電流I1 可以描述為下式：
Figure 02_image027
（7）。
於式（7）中，
Figure 02_image029
為第一電流I1 的直流成分，且IU1 為DAC 111的單位電流。
第二電流I2 可以描述為下式：
Figure 02_image031
（8）。
於式（8）中，
Figure 02_image033
為第二電流I2 的直流成分，且IU2 為DAC 112的單位電流。如先前所提及，第二數位碼D2 相反於第一數位碼D1 ，亦即：
Figure 02_image035
（9）。
假設進入傳輸線TL的阻抗為Z0 ，且若考量所有相對於第一電流I1之負載阻抗，可以獲得以下關係：
Figure 02_image037
（10）。
依據類似概念，可以獲得：
Figure 02_image039
（11）。
將式（9）、（10）與（11）帶入式（6），可以得到：
Figure 02_image041
（12）。
在式（12）的右邊，第1個因子
Figure 02_image043
屬於自遠端連線夥伴傳送給收發器100的資訊，第2個因子
Figure 02_image045
為DAC 111上的回音，且第3個因子
Figure 02_image047
為自DAC 112所產生的校正訊號。在一實施例中，
Figure 02_image049
、
Figure 02_image051
以及
Figure 02_image053
根據
Figure 02_image055
、
Figure 02_image057
、
Figure 02_image059
以及
Figure 02_image053
被設定以保持下列關係成立：
Figure 02_image061
（13）。
如此一來，第3個因子
Figure 02_image047
可以抵銷第2個因子
Figure 02_image045
，從而導致：
Figure 02_image063
（14）。
在此情形下，第四電流I4 只包含自遠端連線夥伴傳送來收發器100的資訊，且來自DAC 111的回音已完全被來自DAC 112的校正訊號抵銷。
由於TIA 114，第五電流I5 的交流值相同於第四電流I4 的交流值。藉由歐姆定律，可得知：
Figure 02_image065
（15）。
於式（15）中，
Figure 02_image067
為第五電壓V5 的直流成分。電感性負載120包含：PMOS電晶體121，其設置於第五節點105以及第二電源供應節點VDD2 之間；分接電容Cg ，其設置以跨越PMOS電晶體121的閘極以及第二電源供應節點VDD2 ；以及回授電阻Rf ，其設置於PMOS電晶體121的閘極以及汲極之間。電感性負載120為『主動電感』電路。藉由忽略在第一節點101上的寄生電容值，阻抗Zs 可以被近似為下式：
Figure 02_image069
（16）。
於式（16）中，gm 為PMOS電晶體121的轉導值，且『s』為拉普拉斯轉換的變數。將式（16）代入式（15）可得：
Figure 02_image071
（17）。
於一實施例中，轉導值gm 大於1/Rf 。在
Figure 02_image073
的低頻率下，第五電壓V5 約為
Figure 02_image075
。在
Figure 02_image077
的高頻率下，第五電壓V5 約為
Figure 02_image079
。由於轉導值gm 大於1/Rf ，v1r 的高頻成分可相較其低頻成分享有較高的增益。上述特性可滿足等化功能的需求。於一些實施例中，回授電阻Rf 與分接電容Cg 中一者為可調整的，且是根據傳輸線TL的分散特性進行調整。例如，若傳輸線TL在高頻具有較高的插入損耗，回授電阻Rf 被調高。
在作为示例而非限制的一例子中，收發器100為使用28奈米的CMOS（互補式金屬氧化半導體）製程製作，其規格可為：在收發器100與遠端連線夥伴之間的全雙工通訊的波特率（baud rate）為5.625吉赫茲（GHz）；Zo 為50歐姆；VDD1 為1.8伏特；RS1 為60歐姆；IU1 為20/3毫安培；D1 為PAM-4（即4位準脈衝振幅調變）訊號，其具有四種可能的數值：｛-3, -1, 1, 3｝；RS2 為240歐姆；IB2 為2.5毫安培；IU2 為5/3毫安培；R C1 為300歐姆；RC2 為480歐姆；CC 為10皮法拉（pF）；Rf 為2千歐姆；Cg 為10飛法拉（fF）；PMOS電晶體121的寬長比為20微米/30奈米；且VDD2 為0.9伏特。
圖2示出一種適用於實施DAC 111的2位元數位類比轉換器200。在此例中，第一數位碼D1 為2位元碼，其包含LSB（即最小有效位元）D1 [0]以及MSB（即最高有效位元）D1 [1]。數位類比轉換器200包含第一電流單元210以及第二電流單元220，其用以分別根據LSBD1 [0]以及MSBD1 [1]輸出第一輸出電流I1a 以及第二輸出電流I1b 。第一電流單元210包含兩個NMOS電晶體211與212，其設置為疊接拓樸，其中NMOS電晶體211操作為由偏壓電壓VB 所偏壓的電流源，且NMOS電晶體212操作為根據LSBD1 [0]所控制而開啟或關閉第一電流單元210的開關。第二電流單元220包含兩個NMOS電晶體221與222，其設置為疊接拓樸，其中NMOS電晶體221操作為由偏壓電壓VB 所偏壓的電流源，且NMOS電晶體222操作為根據MSBD1 [1]所控制而開啟或關閉第二電流單元220的開關。LSBD1 [0]以及MSBD1 [1]皆為邏輯訊號。在作为示例而非限制的一例子中，當LSBD1 [0]為高（低）時，第一輸出電流I1a 為20/3毫安培（0毫安培）；且當MSBD1 [1]為高（低）時，第二輸出電流I1b 為40/3毫安培（0毫安培）。對於第一數位碼D1 的編碼方式列於下表：
Figure 02_image081
 -3 -1 1 3
Figure 02_image081
[0]		 低 高 低 高
Figure 02_image081
[1]		 低 低 高 高
其中，『高』與『低』屬於邏輯狀態；在作为示例而非限制的一例子中，『高』狀態與『低』狀態分別為0.9伏特與0伏特。藉由實施上述的編碼方式，可得到第一輸出電流I1a 、 第二輸出電流I1b 與第一電流I1 （其為第一輸出電流I1a 與第二輸出電流I1b 的總和）的結果如下：
Figure 02_image081
 -3 -1 1 3
Figure 02_image083
 0毫安培 20/3毫安培 0毫安培 20/3毫安培
Figure 02_image085
 0毫安培 0毫安培 40/3毫安培 40/3毫安培
Figure 02_image087
 0毫安培 20/3毫安培 40/3毫安培 20毫安培
如此一來，在IB1 為10毫安培且IU1 為10/3毫安培時，式（7）可被滿足。
在作为示例而非限制的一例子中，NMOS電晶體211的寬長比為30微米/90奈米；NMOS電晶體212的寬長比為30微米/90奈米；NMOS電晶體221的寬長比為60微米/90奈米；NMOS電晶體222的寬長比為60微米/90奈米；且偏壓電壓VB 為600毫伏特。
2位元數位類比轉換器200的相同電路拓樸可用於實施DAC 112，但所有電晶體的寬度需要被減少一合適的倍數，以反映出第一電流I1 與第二電流I2 之間的差異。再者，LSBD1 [0]以及MSBD1 [1]被替換為LSBD2 [0]以及MSBD2 [1]，其對於第二數位碼D2 具有以下編碼方式：
Figure 02_image089
 -3 -1 1 3
Figure 02_image089
[0]		 低 高 低 高
Figure 02_image089
[1]		 低 低 高 高
圖3示出一種可用於實施圖1中的TIA 114之轉阻放大器300。轉阻放大器300包含3個NMOS電晶體301、302與303以及PMOS電晶體304。NMOS電晶體302操作為共閘極放大器；NMOS電晶體301操作為電流源，其用以根據由偏壓電壓VBN 決定的偏壓條件來偏壓該共閘極放大器；NMOS電晶體303操作為共源極放大器，其用以自NMOS電晶體302的源極提供一回授至NMOS電晶體302的閘極，以向該共閘極放大器實施一增益提高（gain boosting）功能；以及PMOS電晶體304操作為共源極放大器的負載，其具有由另一偏壓電壓VBP 所控制的負載阻值。由共源極放大器所提供的增益提高有助於降低該共閘極放大器在節點104上的輸入阻抗。轉阻放大器300為本領域所熟知，故於此不再詳細說明。
請參照圖1，第一節點101為媒體相依介面，其通常具有可察覺的寄生電容值。在虛線框DB130中的電容CP1­ 用以模型化第一節點101上的寄生電容值。電容CP1­ 的存在將對第一節點101引入一極點，並改變式（12）的右邊第2個因子。上述現象將導致消除回音的效能降低。為了減免此降低，在虛線框DB140中的分接電容CP2 被引入至第二節點102，且式（12）可被修改如下：
Figure 02_image091
（18）。
於一些實施例中，分接電容CP2 根據電容CP1­ 被設定，以維持下列關係成立：
Figure 02_image093
（19）。
如此，儘管電容CP1 存在，第3個因子
Figure 02_image095
可抵消第2個因子
Figure 02_image097
。
在圖1中，ADC 115轉換第五電壓V5 為第三數位碼D3 。類比數位轉換將在類比域下的訊號（例如為第五電壓V5 ）轉換為在數位域下的訊號（例如為第三數位碼D3 ），且類比數位轉換的操作原理為本領域所熟知故不在此說明其細節。然而，ADC 115為實施類比數位轉換的功能性方塊，但未必為單一類比數位轉換器電路。類比數位轉換功能採用類比域下的訊號，且將之轉換為數位域下的對應訊號。為了接收器的增益控制，此功能可更包含在類比域下使用預放大器。此功能可更包含在類比域下使用預濾波器。在類比訊號被轉換為數位對應訊號後，此功能可更包含在數位域下的後處理濾波器。為了讓第三數位碼D3 可更精確地呈現自遠端連線夥伴所傳送來的資訊，此功能可更包含前處理濾波器（例如為連續時間線性等化器以及抗混疊濾波器）與後處理濾波器（例如為決策回授濾波器）。由於有數種以上的實施可能性，此處就不再一一贅述。
收發器100為單一訊號傳輸的實施例。藉由組合兩個單端訊號傳輸的實施例，可實現差動訊號傳輸的實施例。
雖電阻RS1 與RS2 在圖中被示為連接至相同的第一電源供應節點VDD1 ，但此種設置方式僅用於示例而非限制。同樣地，電源供應節點VDD1 與VDD2 為電路節點，其具有實質上固定的電壓位準，故亦可被描述為『直流節點』，其中該些節點上的電壓之交流成分可被忽略。再者，接地節點亦可被描述為直流節點。
在一替代性的實施例（未繪示）中，電感性負載120可替換為一串聯連接的被動電感與電阻。相較於主動電感，被動電感可具有較好的線性度，但常會佔據較大的電路面積故成本較為昂貴。
在收發器100的訊號路徑並不存在運算放大器，且在先前提供的例子中，所有電路可以寬裕地實現出5.625GHz的波特率。
如圖4所示的流程圖，根據本案一實施例，方法包含下列步驟：（步驟410）根據第一數位碼輸出第一電流至第一節點，其中第一節點經由第一分接電阻分接至直流節點；（步驟420）根據第二數位碼輸出第二電流至第二節點，其中第二數位碼相反於第一數位碼，且第二節點經由第二分接電阻分接至直流節點；（步驟430）藉由第一直流耦合電阻將第一節點耦接至第三節點；（步驟440）藉由第二直流耦合電阻將第二節點耦接至第三節點；（步驟450）藉由交流耦合電容將第三節點耦接至第四節點；（步驟460）藉由轉阻放大器根據自第四節點所接收到的輸入電流輸出一輸出電流至第五節點；（步驟470）使用電感性負載分接第五節點至直流節點；（步驟480）根據第五節點上的電壓輸出第三數位碼；以及（步驟490）經由第一節點介接通訊媒介。
雖然本案之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本案，本技術領域具有通常知識者可依據本案之明示或隱含之內容對本案之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本案所尋求之專利保護範疇，換言之，本案之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
100:收發器 101:第一節點 102:第二節點 103:第三節點 104:第四節點 105:第五節點 111:第一數位類比轉換器 112:第二數位類比轉換器 114:轉阻放大器 115:類比數位轉換器單元 120:電感性負載 121:PMOS電晶體Cc­ :交流耦合電容CP1­ :電容Cg 、CP2 :分接電容 DB130、DB140:虛線框D1 :第一數位碼D2 :第二數位碼D3 :第三數位碼I1 :第一電流I2 :第二電流I4 :輸入電流I5 :輸出電流RC1 :第一直流耦合電阻RC2 :第二直流耦合電阻Rf :回授電阻RS1 :第一分接電阻RS2 :第二分接電阻 TL:傳輸線V1 :第一電壓V2 :第二電壓V3 :第三電壓V4 :第四電壓V5 :第五電壓VDD1 :第一電源供應節點VDD2 :第二電源供應節點Zp 、Zs 、Z0 :阻抗 200:數位類比轉換器 210:第一電流單元 220:第二電流單元 211、212、221、222:NMOS電晶體D1 [0]:最小有效位元D1 [1]:最高有效位元I1a :第一輸出電流I1b :第二輸出電流VB :偏壓電壓 300:轉阻放大器 301、302、303:NMOS電晶體 304:PMOS電晶體VBN 、VBP :偏壓電壓 410、420、430、440、450:步驟 460、470、480、490:步驟
［圖1］根據本案一實施例顯示收發器的示意圖； ［圖2］顯示2位元數位類比轉換器的示意圖； ［圖3］顯示轉阻放大器的示意圖；以及 ［圖4］根據本案一實施例顯示一種方法的流程圖。
100:收發器
101:第一節點
102:第二節點
103:第三節點
104:第四節點
105:第五節點
111:第一數位類比轉換器
112:第二數位類比轉換器
114:轉阻放大器
115:類比數位轉換器單元
120:電感性負載
121:PMOS電晶體
C c :交流耦合電容
C P1 :電容
C g 、C P2 :分接電容
DB130、DB140:虛線框
D 1 :第一數位碼
D 2 :第二數位碼
D 3 :第三數位碼
I 1 :第一電流
I 2 :第二電流
I 4 :輸入電流
I 5 :輸出電流
R C1 :第一直流耦合電阻
R C2 :第二直流耦合電阻
R f :回授電阻
R S1 :第一分接電阻
R S2 :第二分接電阻
TL:傳輸線
V 1 :第一電壓
V 2 :第二電壓
V 3 :第三電壓
V 4 :第四電壓
V 5 :第五電壓
V DD1 :第一電源供應節點
V DD2 :第二電源供應節點
Z p 、Z s 、Z 0 :阻抗

Claims (10)

  1. 一種收發器，包含： 一第一數位類比轉換器，用以接收一第一數位碼並輸出一第一電流至一第一節點，其中該第一節點為該收發器的一媒體相依介面以介接一通訊媒介； 一第二數位類比轉換器，用以接收一第二數位碼並輸出一第二電流至一第二節點，其中該第二數位碼相反於該第一數位碼； 一第一分接（shunt）電阻，用以分接該第一節點至一第一直流節點； 一第二分接電阻，用以分接該第二節點至一第二直流節點； 一第一直流耦合電阻，用以將該第一節點耦接至一第三節點； 一第二直流耦合電阻，用以將該第二節點耦接至該第三節點； 一交流耦合電容，用以將該第三節點耦接至一第四節點； 一轉阻放大器，用以自該第四節點接收一輸入電流並輸出一輸出電流至一第五節點； 一電感性負載，用以分接該第五節點至一第三直流節點；以及 一類比數位轉換器單元，用以接收該第五節點上的一電壓並輸出一第三數位碼。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之收發器，更包含： 一分接電容，用以分接該第二節點至一第四直流節點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之收發器，其中該電感性負載為一主動電感。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之收發器，其中該電感性負載為可調的且是根據該通訊媒介的分散特性被調整。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之收發器，其中該電感性負載包含串聯連接的一被動電感以及一電阻。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之收發器，其中該轉阻放大器包含一共閘極放大器。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之收發器，其中該轉阻放大器更包含：一共源極放大器，用以向該共閘極放大器提供一增益提高功能。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之收發器，其中該類比數位轉換器單元包含在一類比域下的一預放大器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之收發器，其中該類比數位轉換器單元更包含在該類比域下的一預濾波器。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之收發器，其中該類比數位轉換器單元包含在一數位域下的一後處理濾波器。
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