TWI736593B - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制翹曲之發生，且具有優良剝離強度及耐熱性之樹脂組成物、樹脂薄片、線路基板，及半導體晶片封裝。

一種樹脂組成物，其特徵為，含有(a)彈性體、(b)環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d)二羥基萘化合物之樹脂組成物，其中，(a)成份之含量，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為30質量%~85質量%，(c)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為50質量%~95質量%，該樹脂組成物於180℃、1小時熱硬化後之熱硬化物，於23℃中之彈性率為18GPa以下。

Description

樹脂組成物

本發明為有關樹脂組成物。又，有關使用樹脂組成物之樹脂薄片、線路基板，及半導體晶片封裝之發明。

近年來，因智慧型手機、平板電腦PC等小型高機能電子機器之需要度提高，伴隨於此，亦對該些小型電子機器所使用的半導體封裝用絕緣材料(絕緣層)尋求更高之機能化。

該些絕緣層，已知為將樹脂組成物硬化而形成者等(例如專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2015-82535號公報

其中，使用晶圓層級的晶片尺寸封裝，或具備有埋入型配線層的配線板所使用之絕緣層時，為抑制形成絕緣層所發生的翹曲，及剝離強度等理由，而開始研究使用於柔軟樹脂中高度填充無機填充材的材料。

但，目前對於所需求的可滿足抑制翹曲及剝離強度的物質仍未被研發出來。

本發明，即是以解決上述問題所提出者，而以提出一種可以抑制翹曲的發生，且具有優良剝離強度及耐熱性之樹脂組成物，及使用該樹脂組成物之樹脂薄片、線路基板，及半導體晶片封裝。

即，本發明包含以下之內容。

〔1〕一種樹脂組成物，其為含有(a)彈性體、(b)具有芳香族構造之環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d)二羥基萘化合物之樹脂組成物，其特徵為，(a)成份之含量，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為30質量%~85質量%，(c)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為50質量%~95質量%，該樹脂組成物於180℃、1小時熱硬化後之熱硬化物，於23℃中之彈性率為18GPa以下。

〔2〕如〔1〕所記載之樹脂組成物，其中，(d) 成份為以下述式(1)所表示者；

(式(1)中，R¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基，n表示0~4之整數。R¹存在複數個時，各別之R¹可為相同亦可、互為相異者亦可。R²表示單鍵或可具有取代基之2價的連結基，m表示1~6之整數；R²存在複數個時，各別之R²可為相同亦可、互為相異者亦可)。

〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之樹脂組成物，其中，(d)成份為下述式(2)所表示者。

(式(2)中，R¹¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基，n1表示0~6之整數；R¹¹存 在複數個時，各別之R¹¹可為相同亦可、互為相異者亦可)。

〔4〕如〔1〕~〔3〕中任一項所記載的樹脂組成物，其中，(a)成份為具有，由丁二烯結構單位、聚矽氧烷結構單位、(甲基)丙烯酸酯結構單位、烷烴(alkylene)結構單位、烷氧烴(alkyleneoxy)結構單位、異戊二烯結構單位、異丁烯結構單位，及聚碳酸酯結構單位所選出之1種以上的結構單位。

〔5〕如〔1〕~〔4〕中任一項所記載的樹脂組成物，其中，(a)成份為，由玻璃轉移溫度為25℃以下之樹脂，及25℃下為液狀之樹脂中所選出之1種以上者。

〔6〕如〔1〕~〔5〕中任一項所記載的樹脂組成物，其中，(a)成份具有可與(b)成份進行反應之官能基。

〔7〕如〔1〕~〔6〕中任一項所記載的樹脂組成物，其中，(a)成份具有醯亞胺構造。

〔8〕如〔1〕~〔7〕中任一項所記載的樹脂組成物，其中，(a)成份具有酚性羥基。

〔9〕一種樹脂薄片，其特徵為，具有支撐體，與設置於該支撐體上之含有〔1〕~〔8〕中任一項所記載的樹脂組成物之樹脂組成物層。

〔10〕一種線路基板，其特徵為，於搭載半導體晶片之面上，含有由〔1〕~〔8〕中任一項所記載的樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層。

〔11〕一種半導體晶片封裝，其特徵為，於〔10〕所記載之線路基板上，搭載半導體晶片。

依本發明之內容，可提供一種抑制翹曲之發生，且具有優良剝離強度及耐熱性之樹脂組成物、使用該樹脂組成物之樹脂薄片、線路基板，及半導體晶片封裝。

1‧‧‧半導體晶片封裝

11‧‧‧基板

12‧‧‧配線層

13‧‧‧絕緣層

14‧‧‧線路基板

15‧‧‧半導體晶片

[圖1]圖1為本發明之半導體晶片封裝的一例示之概略截面圖。

[實施發明之形態]

以下，將對本發明之樹脂組成物、樹脂薄片、線路基板，及半導體晶片封裝作詳細說明。

〔樹脂組成物〕

本發明之樹脂組成物為，含有(a)彈性體、(b)具有芳香族構造之環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d)二羥基萘化合物之樹脂組成物，其中，(a)成份之含量，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為30質量%~85質量 %，(c)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為50質量%~95質量%，該樹脂組成物於180℃、1小時熱硬化後之熱硬化物，於23℃中之彈性率為18GPa以下。

本發明之樹脂組成物，就提高剝離強度及耐熱性，且可抑制翹曲之發生的觀點，為含有(a)彈性體、(b)具有芳香族構造之環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d)二羥基萘化合物。樹脂組成物，可配合必要性，再含有(e)硬化劑、(f)硬化促進劑，及(g)難燃劑。以下，將對樹脂組成物所含的各成份進行詳細說明。

<(a)彈性體>

樹脂組成物為含有(a)彈性體。本發明中所指之彈性體，係指具有柔軟性之樹脂之意，其並未有特別之限定，例如分子內具有由丁二烯結構單位、聚矽氧烷結構單位、(甲基)丙烯酸酯結構單位、烷烴結構單位、烷氧烴結構單位、異戊二烯結構單位、異丁烯結構單位，及聚碳酸酯結構單位所選出之1種或2種以上的結構單位，且顯示出柔軟性之樹脂等。含有(a)成份等柔軟樹脂時，可提高對鍍銅等時之剝離強度，此外也可抑制翹曲等的發生。

更具體而言，(a)成份以具有由聚丁二烯及氫化聚丁二烯等的丁二烯結構單位、聚矽氧橡膠等的聚矽 氧烷結構單位、(甲基)丙烯酸酯結構單位、烷烴結構單位(較佳為碳原子數2~15、更佳為碳原子數3~10、特佳為碳原子數5~6)、烷氧烴結構單位(較佳為碳原子數2~15、更佳為碳原子數3~10、特佳為碳原子數5~6)、異戊二烯結構單位、異丁烯結構單位，及聚碳酸酯結構單位所選出之1種或2種以上的結構單位者為佳；又以具有由丁二烯結構單位、聚矽氧烷結構單位、(甲基)丙烯酸酯結構單位、異戊二烯結構單位、異丁烯結構單位，或聚碳酸酯結構單位所選出之1種或2種以上的結構單位者為佳，以具有由丁二烯結構單位、(甲基)丙烯酸酯結構單位所選出之1以上的結構單位者為較佳。又，「(甲基)丙烯酸酯」係指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯之意。

(a)成份就顯示柔軟性之觀點，以高分子量者為佳，其數平均分子量(Mn)，較佳為1,000~1,000,000、更佳為5,000~900,000。數平均分子量(Mn)，為使用GPC(凝膠浸透色層分析)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。

就使(a)成份顯示柔軟性之觀點，以由玻璃轉移溫度為25℃以下之樹脂及25℃下為液狀之樹脂所選出之1種以上的樹脂為佳。

玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下之樹脂的玻璃轉移溫度，較佳為20℃以下，更佳為15℃以下。玻璃轉移溫度之下限並未有特別之限定，通常為-15℃以上。又，25℃下為液狀之樹脂，較佳為20℃下為液狀之樹脂， 更佳為15℃下為液狀之樹脂。

(a)成份，只要為柔軟樹脂時，並未有特別之限定，又以具有可與後述(b)成份進行反應之官能基者為佳。又，可與(b)成份進行反應之官能基，亦包含例如經由加熱所顯現之官能基。

適當的一實施形態中，可與(b)成份進行反應之官能基，為由羥基(更佳為酚性羥基)、羧基、酸酐基、環氧基、異氰酸酯基及胺基甲酸酯基所成之群所選出之1種以上的官能基。其中，該官能基，可列舉如，以羥基、酸酐基、環氧基、異氰酸酯基為佳，以羥基、酸酐基、環氧基為較佳。但，含有環氧基作為官能基時，(a)成份並不具有芳香族構造。

(a)成份之適當的一實施形態，為丁二烯樹脂。丁二烯樹脂中，又以25℃下為液狀或玻璃轉移溫度為25℃以下之丁二烯樹脂為佳，以含有氫化聚丁二烯骨架之樹脂(例如含有氫化聚丁二烯骨架之環氧樹脂)、含有羥基之丁二烯樹脂(更佳為含有酚性羥基之之丁二烯樹脂)、含羧基之丁二烯樹脂、含有酸酐基之丁二烯樹脂、含有環氧基之丁二烯樹脂、含有異氰酸酯基之丁二烯樹脂及含有胺基甲酸酯基之丁二烯樹脂所成之群所選出之1種以上之樹脂為較佳。其中，「丁二烯樹脂」係指，含有丁二烯構造之樹脂，該些樹脂中，可包含於主鏈或側鏈上含有丁二烯構造者。丁二烯構造中，可以部份或全部被氫化。其中，「含有氫化聚丁二烯骨架之樹脂」係指，聚丁 二烯骨架中之至少一部被氫化之樹脂之意，並無必要需為聚丁二烯骨架中全部被氫化之樹脂。

丁二烯樹脂之數平均分子量(Mn)，較佳為1,000~100,000、更佳為5,000~50,000、更佳為7,500~30,000、特佳為10,000~15,000。其中，樹脂之數平均分子量(Mn)，為使用GPC(凝膠浸透色層分析)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。

丁二烯樹脂具有官能基時，該官能基之當量，較佳為100~10000、更佳為200~5000。又，官能基當量，係指含有1克當量的官能基之樹脂的克數之意。例如，環氧基當量，可依JIS K7236予以測定。羥基當量，可依JIS K1557-1所測定之羥基價，再除以KOH之分子量之方式而算出。

丁二烯樹脂之具體例，可列舉如，Cray Valley公司製之「Ricon 657」(含有環氧基之聚丁二烯)、「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(含有酸酐基之聚丁二烯)、日本曹達(股)製之「JP-100」、「JP-200」(環氧化聚丁二烯)、「GQ-1000」(羥基、羧基導入聚丁二烯)、「G-1000」、「G-2000」、「G-3000」(兩末端羥基聚丁二烯)、「GI-1000」、「GI-2000」、「GI-3000」(兩末端羥基氫化聚丁二烯)、(股)Daicel製之 「PB3600」、「PB4700」(聚丁二烯骨架環氧樹脂)、「Epobland A1005」、「Epobland A1010」、「Epobland A1020」(苯乙烯與丁二烯與苯乙烯嵌段共聚物之環氧化物)、長瀨化學科技(股)製之「FCA-061L」(氫化聚丁二烯骨架環氧樹脂)、「R-45EPT」(聚丁二烯骨架環氧樹脂)、等。

又，(a)成份之其他適當的一實施形態，例如，可使用羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四鹼酸酐作為原料之線狀聚醯亞胺(特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號記載之聚醯亞胺)。該聚醯亞胺樹脂的丁二烯構造之含有率，較佳為60質量%~95質量%、更佳為75質量%~85質量%。該聚醯亞胺樹脂之詳細內容，可參酌特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號之記載，該內容亦併入本說明書之說明中。

(a)成份之其他的適當的一實施形態，為丙烯酸樹脂。丙烯酸樹脂，以Tg為25℃以下之丙烯酸樹脂為佳，以由含有羥基之丙烯酸樹脂(更佳為含有酚性羥基之之丙烯酸樹脂)、含羧基之丙烯酸樹脂、含有酸酐基之丙烯酸樹脂、含有環氧基之丙烯酸樹脂、含有異氰酸酯基之丙烯酸樹脂及含有胺基甲酸酯基之丙烯酸樹脂所成之群所選出之1種以上之樹脂為較佳。其中，「丙烯酸樹脂」係指，含有(甲基)丙烯酸酯構造之樹脂，該些樹脂中，亦包含主鏈或側鏈含有(甲基)丙烯酸酯構造者。

丙烯酸樹脂之數平均分子量(Mn)，較佳為 10,000~1,000,000、更佳為30,000~900,000。其中，樹脂之數平均分子量(Mn)，為使用GPC(凝膠浸透色層分析)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。

丙烯酸樹脂具有官能基時，該官能基當量較佳為1000~50000、更佳為2500~30000。

丙烯酸樹脂之具體例，可列舉如，長瀨化學科技(股)製之Teisanresin「SG-70L」、「SG-708-6」、「WS-023」「SG-700AS」「SG-280TEA」(含羧基之丙烯酸酯共聚物樹脂、酸價5~34mgKOH/g、重量平均分子量40萬~90萬、Tg-30~5℃)、「SG-80H」、「SG-80H-3」、「SG-P3」(含有環氧基之丙烯酸酯共聚物樹脂、環氧當量4761~14285g/eq、重量平均分子量35萬~85萬、Tg11~12℃)、「SG-600TEA」、「SG-790」」(含有羥基之丙烯酸酯共聚物樹脂、羥基價20~40mgKOH/g、重量平均分子量50萬~120萬、Tg-37~-32℃)、根上工業(股)製之「ME-2000」、「W-116.3」(含羧基之丙烯酸酯共聚物樹脂)、「W-197C」(含有羥基之丙烯酸酯共聚物樹脂)、「KG-25」、「KG-3000」(含有環氧基之丙烯酸酯共聚物樹脂)等。

又，(a)成份之適當的一實施形態，為碳酸酯樹脂。碳酸酯樹脂以玻璃轉移溫度為25℃以下之碳酸酯樹脂為佳，以由含有羥基之碳酸酯樹脂(更佳為含有酚性羥基之之碳酸酯樹脂)、含羧基之碳酸酯樹脂、含有酸酐基之碳酸酯樹脂、含有環氧基之碳酸酯樹脂、含有異氰酸 酯基之碳酸酯樹脂及含有胺基甲酸酯基之碳酸酯樹脂所成之群所選出之1種以上之樹脂為佳。其中，「碳酸酯樹脂」係指，含有碳酸酯構造之樹脂，該些樹脂中亦包含主鏈或側鏈上含有碳酸酯構造者。

碳酸酯樹脂之數平均分子量(Mn)，其官能基當量與丁二烯樹脂為相同，較佳之範圍亦為相同。

碳酸酯樹脂之具體例，可列舉如，旭化成化學(股)製之「T6002」、「T6001」(聚碳酸酯二醇)、KURARAY(股)製之「C-1090」、「C-2090」、「C-3090」(聚碳酸酯二醇)等。

又，亦可使用羥基末端聚碳酸酯、二異氰酸酯化合物及四鹼酸酐作為原料之線狀聚醯亞胺(PCT/JP2016/053609)。該聚醯亞胺樹脂的碳酸酯構造之含有率，較佳為60質量%~95質量%、更佳為75質量%~85質量%。該聚醯亞胺樹脂之詳細內容，可參酌PCT/JP2016/053609之記載，該內容亦併入本說明書之說明中。

又，另外的(a)成份之適當的一實施形態，為聚矽氧烷樹脂、伸烷基樹脂、伸烷氧基樹脂，例如，三菱化學(股)製之「YX-7180」(含有具有醚鍵結的伸烷基構造之樹脂)、異戊二烯樹脂、異丁烯樹脂。

聚矽氧烷樹脂之具體例，例如，信越聚矽氧(股)製之「SMP-2006」、「SMP-2003PGMEA」、「SMP-5005PGMEA」。或，以胺基末端聚矽氧烷、四鹼酸酐作為原料之線狀聚醯亞胺(WO2010/053185)等。伸烷基 樹脂之具體例，例如，旭化成纖維(股)製之「PTXG-1000」、「PTXG-1800」等。異戊二烯樹脂之具體例，例如，KURARAY(股)製之「KL-610」、「KL613」等。異丁烯樹脂之具體例，例如，佳麗卡(股)製之「SIBSTAR-073T」(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物)、「SIBSTAR-042D」(苯乙烯-異丁烯二嵌段共聚物)等。

又，例如(a)成份之適當的實施形態，可列舉如，丙烯酸橡膠粒子、聚醯胺微粒子、聚矽氧粒子等。丙烯酸橡膠粒子之具體例，可列舉如，丙烯腈丁二烯橡膠、丁二烯橡膠、丙烯酸基橡膠等具有橡膠彈性的樹脂，經施以化學性交聯處理，而形成不溶於有機溶劑且為不熔之樹脂的微粒子體等，具體而言，例如，XER-91(日本合成橡膠(股)製)、Sterophildo AC3355、AC3816、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上、Gans化成(股)製)、Tairoid EXL2655、EXL2602(以上，吳羽化學工業(股)製)等。聚醯胺微粒子之具體例，例如，尼龍等之脂肪族聚醯胺，又，例如只要具有聚醯胺醯亞胺等柔軟骨架等者亦可，具體而言，例如，VESTOSINT 2070(DaicelHilus(股)製)或，SP500(東麗(股)製)等。

樹脂組成物中之(a)成份之含量，就可賦予柔軟性之觀點，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為30質量%~85質量%。含量之上限，較佳為80質量%以下，更佳為70質量%以下， 特佳為60質量%以下。又，下限較佳為35質量%以上、更佳為45質量%以上、特佳為55質量%以上。

<(b)具有芳香族構造之環氧樹脂>

樹脂組成物為含有(b)具有芳香族構造之環氧樹脂。具有芳香族構造之環氧樹脂(以下，亦簡稱為「環氧樹脂」)，只要為具有芳香族構造時，並未有特別之限定。芳香族構造係指，一般定義為芳香族之化學構造，亦包含多環芳香族及芳香族雜環。

具有芳香族構造之環氧樹脂，例如，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚-酚醛清漆型環氧樹脂、酚-酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油胺型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、具有芳香族構造之線狀脂肪族環氧樹脂、具有芳香族構造與丁二烯構造之環氧樹脂、具有芳香族構造之脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、具有芳香族構造之含有螺環之環氧樹脂、具有芳香族構造之環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、具有芳香族構造之三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。乾些環氧樹脂可單獨使用1種亦可、將2種以上組合使用亦可。(b)成份，以由雙酚A型 環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂，及萘型環氧樹脂所選出之1種以上為較佳，以雙酚F型環氧樹脂，及萘型環氧樹脂為更佳。

環氧樹脂，以含有1分子中具有2個以上的環氧基之環氧樹脂為佳。以環氧樹脂的不揮發成份為100質量%時，以至少50質量%以上為1分子中具有2個以上的環氧基之環氧樹脂為佳。其中，又以含有1分子中具有2個以上的環氧基，且溫度20℃下為液狀的環氧樹脂(以下，亦稱為「液狀環氧樹脂」)，與1分子中具有3個以上的環氧基，且溫度20℃下為固體狀的環氧樹脂(以下，亦稱為「固體狀環氧樹脂」)者為佳。環氧樹脂，於併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時，可製得具有優良可撓性的樹脂組成物。又，亦可提升樹脂組成物之硬化物的斷裂強度。又，環氧樹脂中僅含有液狀環氧樹脂者亦佳。

液狀環氧樹脂，例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油酯型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油胺型環氧樹脂、酚-酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造與酯骨架的脂環式環氧樹脂、具有芳香族構造之環己烷二甲醇型環氧樹脂及具有芳香族構造與丁二烯構造的環氧樹脂為佳，以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂及萘型環氧樹脂為較佳，以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂為更佳。液狀環氧樹脂之具體例，可列舉如，DIC(股)製之「HP4032」、 「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「JER806」、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「630」、「630LSD」(縮水甘油胺型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、長瀨化學科技(股)製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、(股)Daicel製之「Selkiside 2021P」(具有酯骨架的脂環式環氧樹脂)、新日鐵化學(股)製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油環己烷)等。該些可單獨使用1種，或將2種以上組合使用亦可。

液狀環氧樹脂，以1分子中具有2個以上的環氧基，且溫度20℃下為液狀之具有芳香環構造的環氧樹脂為佳，固體狀環氧樹脂，以1分子中具有3個以上的環氧基，且溫度20℃下為固體狀之具有芳香環構造的環氧樹脂為佳。

固體狀環氧樹脂，以萘型4官能環氧樹脂、甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造之二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂為佳，以萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂，及聯苯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂為較佳，以萘型4官能環氧樹 脂、萘醚型環氧樹脂為更佳。固體狀環氧樹脂之具體例，可列舉如，DIC(股)製之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200L」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「HP-7200HHH」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(雙二甲酚型環氧樹脂)、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪氣體化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)、「157S70」(雙酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000HK」(雙二甲酚型環氧樹 脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪氣體化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。該些可單獨使用1種，或將2種以上組合使用亦可。

環氧樹脂，於併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時，該些之量比(固體狀環氧樹脂：液狀環氧樹脂)，依質量比，以1：0.1~1：15之範圍為佳。液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比，於該範圍內時，可得到i)以樹脂薄片形態使用時，可具有適度的黏著性、ii)以樹脂薄片形態使用時，具有充分的可撓性，而可提高處理性，及iii)可製得具有充分斷裂強度的硬化物等的效果。由上述i)~iii)之效果等觀點，該液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(固體狀環氧樹脂：液狀環氧樹脂)，依質量比，以1：0.3~1：10之範圍為較佳，以1：0.6~1：8之範圍為更佳。

樹脂組成物中的環氧樹脂之含量，就可製得具有良好的機械強度、絕緣信賴性的絕緣層之觀點，較佳為1質量%以上、更佳為2質量%以上、特佳為3質量%以上。環氧樹脂之含量的上限，只要可達到本發明效果時，並未有特別之限定，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，特佳為10質量%以下。

又，本發明中，樹脂組成物中的各成份之含量，若無其他明確揭示時，係指相對於樹脂組成物中的不 揮發成份設定為100質量%時之值。

環氧樹脂之環氧當量，較佳為50~5000、更佳為50~3000、特佳為80~2000、特佳為110~1000。於該範圍時，可使硬化物具有充分的交聯密度，且可製得表面粗度較小的絕緣層。又，環氧當量為依JIS K7236規定予以測定者，係指含有1當量的環氧基時之樹脂的質量。

環氧樹脂的重量平均分子量，較佳為100~5000、更佳為250~3000、特佳為400~1500。其中，環氧樹脂的重量平均分子量，為使用凝膠滲透色層分析(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

<(c)無機填充材>

樹脂組成物，為含有(c)無機填充材。無機填充材之材料並未有特別之限定，例如，二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯，及磷酸鎢酸鋯等。該些之中，又以二氧化矽為特佳。又，二氧化矽以球形二氧化矽為佳。無機填充材，可單獨使用1種亦可、將2種以上組合使用亦可。

無機填充材之平均粒徑，就可製得高線路埋入性、低表面粗度的絕緣層之觀點，較佳為5μm以下，更 佳為2.5μm以下，特佳為2.2μm以下，最佳為2μm以下。該平均粒徑之下限，並未有特別之限定，較佳為0.01μm以上、更佳為0.05μm以上、特佳為0.1μm以上。具有該些平均粒徑之無機填充材的市售品，例如，(股)ADMATECHS製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、電氣化學工業(股)製「UFP-30」、(股)德山製「SilFile NSS-3N」、「SilFile NSS-4N」、「SilFile NSS-5N」、(股)ADMATECHS製「SC2500SQ」、「SO-C6」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。

無機填充材之平均粒徑可使用以米氏(Mie)散亂理論為基礎之雷射繞射‧散射法予以測定。具體而言，為使用雷射繞射散亂式粒度分佈測定裝置，依體積基準製作無機填充材之粒度分佈，並以其中間值的直徑作為平均粒徑之方式予以測定。測定樣品，以使超音波於水中分散所得之無機填充材為較佳者。雷射繞射散亂式粒度分佈測定裝置，可使用(股)堀場製作所製「LA-500」等。

無機填充材，就具有高耐濕性及分散性之觀點，以使用胺基矽烷系耦合劑、環氧矽烷系耦合劑、氫硫基矽烷系耦合劑、矽烷系耦合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系耦合劑等的1種以上的表面處理劑處理者為佳。表面處理劑之市售品，例如，信越化學工業(股)製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM803」(3-氫硫基 丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業(股)製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷耦合劑)等。

使用表面處理劑進行表面處理之程度，可使用每一無機填充材的單位表面積的碳量進行評估。每一無機填充材的單位表面積的碳量，就提高無機填充材分散性之觀點，以0.02mg/m²以上為佳，以0.1mg/m²以上為較佳，以0.2mg/m²以上為更佳。又，就防止樹脂塗料之溶融黏度或薄片形態之溶融黏度的上升之觀點，以1mg/m²以下為佳，以0.8mg/m²以下為較佳，以0.5mg/m²以下為更佳。

每一無機填充材的單位表面積的碳量，可於使用溶劑(例如，甲基乙酮(MEK))對表面處理後的無機填充材進行洗淨處理後予以測定。具體而言，將使用具有充分的量之MEK的溶劑作為表面處理劑進行表面處理後的無機填充材，再以25℃、5分鐘時間進行超音波洗淨。去除上澄清液，使固形成份乾燥後，使用碳分析計測定每一無機填充材的單位表面積之碳量。碳分析計可為使用(股)堀場製作所製「EMIA-320V」等。

樹脂組成物中的無機填充材之含量，就可製 得低熱膨張率的絕緣層之觀點，為50質量%~95質量%。較佳為55質量%以上、更佳為60質量%以上、特佳為65質量%以上。其上限，就絕緣層之機械強度，特別是拉伸度之觀點，較佳為90質量%以下，更佳為85質量%以下，特佳為80質量%以下。

<(d)二羥基萘化合物>

樹脂組成物為含有(d)二羥基萘化合物。含有(d)成份時，可抑制翹曲的發生，而提供一種具有優良剝離強度及耐熱性之樹脂組成物。(d)成份所具有的2個羥基，於熱硬化時可與(b)成份反應，而形成(b)成份與(d)成份具有強固鍵結者，而可提高剝離強度及耐熱性。又，因熱硬化時，(d)成份為與(b)成份進行反應，故不會產生揮發。因此，可抑制伴隨揮發所發生的翹曲現象。

(d)成份，只要為具有2個羥基之萘化合物時，並未有特別之限定，亦可使用市售品。其中，(d)成份，又以下述式(1)所表示之二羥基萘化合物為佳。

(式(1)中，R¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷 基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基，n表示0~4之整數。R¹存在複數個時，各別之R¹可為相同亦可、互為相異者亦可。R²表示單鍵或可具有取代基之2價的連結基，m表示1~6之整數；R²存在複數個時，各別之R²可為相同亦可、互為相異者亦可)。

R¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基。碳原子數1~6之烷基，以碳原子數1~5之烷基為佳，以碳原子數1~4之烷基為較佳，以碳原子數1~3之烷基為更佳。上述碳原子數並不含取代基之碳原子數。碳原子數1~6之烷基之例，例如，甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、戊基、新戊基、己基、環己基等。

碳原子數1~6之烷氧基，以碳原子數1~5之烷氧基為佳，以碳原子數1~4之烷氧基為較佳，以碳原子數1~3之烷氧基為更佳。上述碳原子數並不含取代基之碳原子數。碳原子數1~6之烷基之例，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、sec-丁氧基、異丁氧基、tert-丁氧基、戊氧基、己氧基等。碳原子數1~6之烷基及碳原子數1~6之烷氧基，可為直鏈、分支、環狀之任一者皆可，又以直鏈或分枝之烷基、烷氧基為佳。

碳原子數6~10之芳基之例，例如，苯基、萘基等。

式(1)中，2個之OH基、-H、-R²-，及n個之R¹，可鍵結於萘環的1位至8位中任一位置皆可。

R¹所表示之碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基，或碳原子數6~10之芳基，亦可具有取代基。

取代基，並未有特別之限制，例如，鹵素原子、-OH、-O-C_1-6烷基、-N(C_1-6烷基)₂、C_1-6烷基、C_6-10芳基、-NH₂、-CN、-C(O)O-C_1-6烷基、-COOH、-C(O)H、-NO₂等。

其中，「C_p-q」(p及q為正整數，且滿足p<q)之用語，為表示該用語後所記載之有機基的碳原子數為p~q之意。例如，「C_1-6烷基」之表現方式，為表示碳原子數1~6之烷基之意。

上述取代基，可再具有取代基(以下，亦可稱為「二次取代基」)。二次取代基，於未有特別之記載時，可使用與上述取代基為相同之內容。

n表示0~4之整數，又以表示0~3之整數為佳，以表示0~2之整數為較佳，以0為更佳。

R²表示單鍵或可具有取代基之2價的連結基。2價的連結基，可列舉如，伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸芳基、-C(=O)-、-C(=O)-O-、氧原子、硫原子、C(=O)NR-、-NR-(R為氫原子、碳原子數1~3之烷基)，及該些之組合所形成之基等。

伸烷基，可列舉如，以碳原子數1~6之伸烷 基為佳，以碳原子數1~5之伸烷基為較佳，以碳原子數1~3之伸烷基為特佳。上述碳原子數並不含取代基之碳原子數。又，R²所表示之伸烷基，可為直鏈、分支、環狀中之任一者皆可，又以直鏈之伸烷基為佳。該些伸烷基，可列舉如，伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基等。

伸烯基，可列舉如，以碳原子數2~6之伸烯基為佳，以碳原子數2~5之伸烯基為較佳，以碳原子數2~4之伸烯基為特佳。上述碳原子數並不含取代基之碳原子數。又，R²所表示之伸烯基，可為直鏈、分支、環狀中之任一者皆可，又以直鏈之伸烯基為佳。該些伸烯基，可列舉如，伸乙烯基、伸丙烯基、伸丁烯基、伸戊烯基、伸己烯基等。

伸炔基，可列舉如，以碳原子數2~6之伸炔基為佳，以碳原子數2~5之伸炔基為較佳，以碳原子數2~4之伸炔基為特佳。上述碳原子數並不含取代基之碳原子數。又，R²所表示之伸炔基，可為直鏈、分支、環狀中之任一者皆可，又以直鏈之伸炔基為佳。該些伸炔基，可列舉如，伸乙炔基、伸丙炔基、伸丁炔基、伸戊炔基、伸己炔基等。

伸芳基，可列舉如，以碳原子數6~10之伸芳基為佳。上述碳原子數並不含取代基之碳原子數。伸芳基，可列舉如，伸苯基、伸萘基等。

該些之中，R²又以單鍵，或由伸烷基與伸芳 基組合所形成之基(例如，具有伸烷基-伸芳基-伸烷基構造的2價之基)為佳，以單鍵，或伸甲基與伸苯基組合所形成之基(例如，具有伸甲基-伸苯基-伸甲基構造的2價之基)為較佳。

R²所表示之2價的連結基亦可具有取代基。取代基，可列舉如，與R¹中所說明之取代基為相同內容，較佳之範圍亦為相同。

m表示1~6之整數，又以表示1~5之整數為佳，以表示1~3之整數為較佳，以表示1為更佳。

又，(d)成份，以下述式(2)所表示之二羥基萘化合物為佳。

(式(2)中，R¹¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基，n1表示0~6之整數；R¹¹存在複數個時，各別之R¹¹可為相同亦可、互為相異者亦可)。

R¹¹，與式(1)中之R¹具有相同之意義，其較佳之範圍亦為相同。n1表示0~6之整數，又以表示0~4之整數為佳，以表示0~3之整數為較佳，以表示0~2之整 數、0或1，或0為更佳。

式(2)中，2個的OH基及n1個的R¹¹，可鍵結於萘環的1位至8位中之任何位置。

(d)成份之具體例，可列舉如，1,3-二羥基萘、1,4-二羥基萘、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、下述所示之二羥基萘化合物等。但本發明並不受該些內容所限定。

(式中，m1表示0至6之整數)。

(d)成份之含量，較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下，特佳為1質量%以下，或0.5質量%以下。又，下限並未有特別之限制，較佳為0.01質量%以上、更佳為0.05質量%以上、特佳為0.1質量%以上。

<(e)硬化劑>

樹脂組成物中，可含有(e)硬化劑。硬化劑，只要具有可使(b)成份等的樹脂硬化之機能時，並未有特別之限定，例如，酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯併噁

系硬化劑、氰酸酯酯系硬化劑，及碳二醯亞胺系硬化劑等。硬化劑，可單獨使用1種亦可，或將2種 以上合併使用亦可。(e)成份，以由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯酯系硬化劑所選出之1種以上為佳。

酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，就耐熱性及耐水性之觀點，以具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑，或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑為佳。又，就與配線層之密著性的觀點，以含氮酚系硬化劑為佳，以含有三

骨架之酚系硬化劑為較佳。其中，就可高度滿足耐熱性、耐水性，及與配線層之密著性等觀點，以含有三

骨架之酚-酚醛清漆硬化劑為佳。

酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，可列舉如，明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金(股)製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495V」、「SN375」、「SN395」、DIC(股)製之「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」、「KA-1160」、「KA-1163」、「KA-1165」、群榮化學(股)製之「GDP-6115L」、「GDP-6115H」等。

就可製得與配線層具有優良密著性之絕緣層的觀點，亦可使用活性酯系硬化劑。活性酯系硬化劑，並未有特別之限制，一般以使用1分子中具有2個以上的酚酯 類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等具有高反應活性酯基之化合物為佳。該活性酯系硬化劑，以使羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物進行縮合反應而製得者為佳。特別是就提高耐熱性之觀點，以由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑為佳，以由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑為較佳。羧酸化合物，例如，安息香酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、依康酸、苯二甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。酚化合物或萘酚化合物，例如，氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、酚-酚醛清漆等。其中，「二環戊二烯型二酚化合物」係指，由二環戊二烯1分子與酚2分子經縮合而得之二酚化合物之意。

具體而言，以含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含有萘構造之活性酯化合物、含有酚-酚醛清漆的乙醯化物的活性酯化合物、含有酚-酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯化合物為佳，其中，又以含有萘構造的活性酯化合物、含有二環戊二烯型二酚構造的活性酯化合物為較佳。「二環戊二烯型二酚構造」係指，由伸苯基-二環伸戊基-伸苯基所形成之2價的結構單位之意。

活性酯系硬化劑之市售品中，含有二環戊二烯型二酚構造的活性酯化合物，可列舉如，「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC(股)製)，含有萘構造的活性酯化合物，可列舉如，「EXB9416-70BK」(DIC(股)製)，含有酚-酚醛清漆的乙醯化物之活性酯化合物，可列舉如，「DC808」(三菱化學(股)製)，含有酚-酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯化合物，可列舉如，「YLH1026」(三菱化學(股)製)，含有酚-酚醛清漆的乙醯化物之活性酯系硬化劑，可列舉如，「DC808」(三菱化學(股)製)，含有酚-酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯系硬化劑，可列舉如，「YLH1026」(三菱化學(股)製)、「YLH1030」(三菱化學(股)製)、「YLH1048」(三菱化學(股)製)等。

苯併噁

系硬化劑之具體例，可列舉如，昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」等。

氰酸酯酯系硬化劑，例如，雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯、寡(3-伸甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-伸甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基 亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚，及雙(4-氰酸酯苯基)醚等的2官能氰酸酯樹脂、酚-酚醛清漆及甲酚-酚醛清漆等所衍生之多官能氰酸酯樹脂，該些氰酸酯樹脂經部份三

化而得之預聚合物等。氰酸酯酯系硬化劑之具體例，可列舉如，Lonza日本(股)製之「PT30」及「PT60」(皆為酚-酚醛清漆型多官能氰酸酯酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯之一部份或全部經三

化而得之三聚物等預聚合物)等。

碳二醯亞胺系硬化劑之具體例，可列舉如，日清紡化學(股)製之「V-03」、「V-07」等。

樹脂組成物中之硬化劑之含量，並未有特別之限定，較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，特佳為5質量%以下。又，下限並未有特別之限制，又以1質量%以上為佳。

<(f)硬化促進劑>

樹脂組成物，可含有(f)硬化促進劑。硬化促進劑，例如，磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，又以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為佳，以胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為較佳。硬化促進劑可單獨使用1種，或將2種以上組合使用亦可。

磷系硬化促進劑，例如，三苯基次膦 (phosphine)、鏻硼酸氯化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、n-丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸酯、四苯基鏻硫代氰酸酯、丁基三苯基鏻硫代氰酸酯等，又以三苯基次膦(phosphine)、四丁基鏻癸酸鹽為佳。

胺系硬化促進劑，例如，三乙基胺、三丁基胺等的三烷基胺、4-二甲胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6-參(二甲基胺甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯等，又以4-二甲胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯為佳。

咪唑系硬化促進劑，例如，2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鹽偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鹽偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三

、2,4-二胺基-6-〔2’-十一烷基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三

、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三

、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三

三聚異氰酸加成物、2-苯基咪唑三聚異氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑、 2,3-二氫-1H-吡咯〔1,2-a〕苯併咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鹽氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等的咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物等，又以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑為佳。

咪唑系硬化促進劑，亦可使用市售品，例如，三菱化學(股)製之「P200-H50」等。

胍系硬化促進劑，例如，二氰二醯胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，又以二氰二醯胺、1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕癸-5-烯為佳。

金屬系硬化促進劑，例如，鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等的金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽等。有機金屬錯合物之具體例，可列舉如，鈷(II)乙醯基乙酸鹽、鈷(III)乙醯基乙酸鹽等的有機鈷錯合物、銅(II)乙醯基乙酸鹽等的有機銅錯合物、鋅(II)乙醯基乙酸鹽等的有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯基乙酸鹽等的有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯基乙酸鹽等的有機鎳錯合物、錳(II)乙醯基乙酸鹽等的有機錳錯合物等。有機金屬鹽，例如，辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂 酸錫、硬脂酸鋅等。

樹脂組成物中之硬化促進劑之含量，並未有特別之限定，於(b)成份與硬化劑之不揮發成份合計量為100質量%時，以0.01質量%~3質量%為佳。

<(g)難燃劑>

樹脂組成物，亦可含有(g)難燃劑。難燃劑，例如，有機磷系難燃劑、含有有機系氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可單獨使用1種亦可，或將2種以上合併使用亦可。

難燃劑，亦可使用市售品，例如，三光(股)製之「HCA-HQ」等。

樹脂組成物含有難燃劑時，難燃劑之含量並未有特別之限定，較佳為0.5質量%~20質量%、更佳為0.5質量%~15質量%、特佳為0.5質量%~10質量%。

<(h)其他的添加劑>

樹脂組成物，可再配合必要性，含有其他的添加劑，該些其他的添加劑，例如，有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等的有機金屬化合物，及，膠黏劑、增黏劑、消泡劑、均染劑、密著性賦予劑，及著色劑等的樹脂添加劑等。

本發明之樹脂組成物，就抑制翹曲之觀點，於180℃、1小時熱硬化而得之硬化物，於23℃中之彈性率 為18GPa以下，又以15GPa以下為佳，以13GPa以下，11GPa以下，10GPa以下，9GPa以下，或8GPa以下等較佳。其下限並未有特別之限定，例如，可為0.01GPa以上、0.5GPa以上、1GPa以上等。上述彈性率，可依後述<樹脂組成物之彈性率>所記載之方法進行測定。

本發明之樹脂組成物(或樹脂組成物層)，具有抑制翹曲發生之特性。翹曲之大小，較佳為未達3cm、特佳為1.5cm以下。翹曲之測定，可依後述<翹曲評估>所記載之方法進行測定。

本發明之樹脂組成物(或樹脂組成物層)之硬化物(例如經180℃、90分鐘硬化而製得之硬化物)，具有良好的剝離強度。即可形成具有良好剝離強度之絕緣層。樹脂組成物(或樹脂組成物層)之硬化物的剝離強度，較佳為1.5kgf/cm以下，更佳為1kgf/cm以下，特佳為0.7kgf/cm以下。上限例如為0.1kgf/cm以上等。剝離強度之測定方法，可依後述<剝離強度評估>所記載之方法進行測定。

本發明之樹脂組成物(或樹脂組成物層)經180℃、90分鐘間熱硬化而得之樹脂組成物層之彈性率，與經210℃、90分鐘熱硬化而得之樹脂組成物(或樹脂組成物層)之彈性率之差，較佳為未達2GPa、更佳為1.5GPa以下，特佳為1GPa以下。下限較佳為0GPa以上。因此，將本發明之樹脂組成物(或樹脂組成物層)熱硬化而製得之硬化物(例如經180℃、90分鐘間，或210℃、90分鐘硬 化而製得之硬化物)顯示出良好的耐熱性。即可形成具有良好耐熱性之絕緣層。耐熱性，可依後述實施例之<耐熱性評估>所記載之方法進行測定。

〔樹脂薄片〕

本發明之樹脂薄片，為由含有支撐體，與，與該該支撐體相連接之樹脂組成物層所形成，樹脂組成物層為由本發明之樹脂組成物所形成。

樹脂組成物層之厚度，就薄型化之觀點，較佳為100μm以下，更佳為80μm以下，特佳為60μm以下，特佳為50μm以下或40μm以下。樹脂組成物層之厚度的下限，並未有特別之限定，通常為1μm以上、5μm以上、10μm以上等。

支撐體，例如，由塑膠材料所形成之薄膜、金屬箔、離型紙等，又以由塑膠材料所形成之薄膜、金屬箔為佳。

支撐體於使用由塑膠材料所形成之薄膜時，塑膠材料，例如，聚乙烯對苯二甲酸酯(以下，亦稱為「PET」)、聚乙烯萘酯(以下，亦稱為「PEN」)等的聚酯、聚碳酸酯(以下，亦稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的丙烯酸酯、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫醚(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，又以聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘酯為佳，以廉價之聚乙烯對苯二甲酸酯為特佳。

支撐體於使用金屬箔時，金屬箔，例如，銅箔、鋁箔等，又以銅箔為佳。銅箔，可使用由銅的單金屬所形成之箔，亦可使用銅與其他的金屬(例如，錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所形成之箔。

支撐體，亦可對與樹脂組成物層接合之面實施消光處理、電暈處理等。

又，支撐體，可使用於與樹脂組成物層接合之面具有離型層的附有離型層之支撐體。附有離型層之支撐體的離型層中所使用離型劑，例如，醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂，及聚矽氧樹脂所成之群所選出之1種以上的離型劑等。附有離型層之支撐體，可使用市售品，例如，具有以醇酸樹脂系離型劑為主成份的離型層之PET薄膜、琳德(股)製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東麗(股)製「Rumina T6AM」等。

支撐體之厚度，並未有特別之限定，一般以5μm~75μm之範圍為佳，以10μm~60μm之範圍為較佳。又，使用附有離型層之支撐體時，附有離型層之支撐體全體之厚度以於上述範圍者為佳。

樹脂薄片，例如，可製得使樹脂組成物溶解於有機溶劑而得之樹脂塗料，並將該樹脂塗料使用刮刀塗佈機等塗佈於支撐體上，再使其乾燥後，而形成樹脂組成物層之方式予以製造。

有機溶劑，例如，丙酮、甲基乙酮(MEK)及環己酮等的酮類、乙酸乙酯、乙酸丁基、溶纖劑 (cellosolve)乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等的乙酸酯類、溶纖劑及丁基卡必醇等的卡必醇類、甲苯及二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可單獨使用1種、將2種以上組合使用亦可。

乾燥處理，可使用加熱、吹拂熱風等的公知的方法實施。乾燥條件並未有特別之限定，一般以使樹脂組成物層中的有機溶劑之含量降低至10質量%以下，較佳為5質量%以下之方式進行乾燥。因樹脂塗料中的有機溶劑之沸點的差異，例如使用含有30質量%~60質量%有機溶劑之樹脂塗料時，可於50℃~150℃間進行3分鐘~10分鐘乾燥之方式，而形成樹脂組成物層。

樹脂薄片中，未與樹脂組成物層之支撐體接合之面(即，與支撐體為相反側之面)，可再層合配合支撐體之保護薄膜。保護薄膜之厚度，並未有特別之限制，例如，為1μm~40μm。經由層合保護薄膜之方式，可防止樹脂組成物層的表面附著殘渣或形成傷痕。樹脂薄片，可以捲曲為滾筒狀之方式保存。樹脂薄片具有保護薄膜時，可經由將保護薄膜剝離之方式而可使用。

本發明之樹脂薄片，可使用於薄片狀纖維基材中含浸本發明之樹脂組成物而形成的預浸體替代使用。

預浸體所使用的薄片狀纖維基材並未有特別之限定，一般可使用常用的玻璃纖維布、芳綸(aramid)不織布、液晶聚合物不織布等的預浸體用基材。就薄型化之 觀點，薄片狀纖維基材之厚度，較佳為900μm以下，更佳為800μm以下，特佳為700μm以下，特佳為600μm以下。特別是本發明為將含浸之深度抑制至最小之狀態，故以30μm以下為佳，以20μm以下為較佳，以10μm以下為更佳。薄片狀纖維基材之厚度的下限，並未有特別之限定，通常為1μm以上、1.5μm以上、2μm以上等。

預浸體，可使用熱熔膠法、溶劑法等的公知的方法予以製造。

預浸體之厚度，可與上述之樹脂薄片中之樹脂組成物層為相同之範圍。

本發明之樹脂薄片，極適合使用於半導體晶片封裝製造中，形成線路基板之絕緣層。本發明之樹脂薄片，又適合使用於要求高絕緣信賴性的其他的廣範用途，例如，適合使用於實際裝設半導體晶片封裝時，形成印刷配線板等的線路基板之絕緣層。其中，本發明之樹脂薄片，因含有本發明之樹脂組成物，且本發明之樹脂組成物可抑制翹曲等理由，而適合使用於WLP(Wafer Level Package)、MUF(Molding Under Filling)等的配線方法。因此，一實施形態中，為將本發明之樹脂薄片作為線路基板之絕緣層使用者。

〔半導體晶片封裝〕

本發明之半導體晶片封裝，為於線路基板上，搭載半導體晶片，且於線路基板之搭載半導體晶片之面上，含有 由本發明之樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層。

本發明之半導體封裝，適合使用於WLP之配線方法，WLP之配線方法，如圖1之一例所示般，半導體封裝1，為具備線路基板14與半導體晶片15，且線路基板14，為具備基板11，與基板11上所設置之配線層12，及設置於與配線層12之基板11側之面為相反側之面的絕緣層13。

例如，本發明之半導體晶片封裝，可使用上述之樹脂薄片，依包含下述(I)~(II)之步驟的方法而可製得。

(I)準備含有由樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層的線路基板之步驟

(II)將半導體晶片接合於線路基板上之步驟

<步驟(I)>

步驟(I)中，為準備含有由樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層的線路基板。線路基板，只要具備線路配線，且絕緣層為由本發明之樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層時，並未有特別之限定。線路基板上，絕緣層含有複數個時，只要至少1個絕緣層為由本發明之樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層即可。

可使用具有線路基板之線路寬(線路；L)與線路間之寬(空間；S)之比(L/S)為20μm/20μm以下(即，配線間距40μm以下)之線路配線的線路基板。 又，亦可使用具有L/S=15μm/15μm以下(配線間距30μm以下)、L/S=10μm/10μm以下(配線間距20μm以下)之線路配線的線路基板。又，線路配線之配線間距，並非必須於線路基板之全體皆為相同。配線間距，係指線路與空間總計而得之距離。

線路基板之製造方法，並未有特別之限定，例如，可使用包含下述(1)~(3)之步驟的方法予以製得。

(1)於基板上形成配線層之步驟

(2)於配線層上，使樹脂薄片，與該樹脂薄片之樹脂組成物層經由配線層接合之層合步驟

(3)將樹脂組成物層經由熱硬化而形成絕緣層之步驟

基板，例如，玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯醚基板等的基板，基板於其表面亦可形成銅箔等的金屬層。

配線層之形成，可將形成所期待的圖型之乾薄膜作為蝕刻遮罩，依蝕刻法予以實施。

乾薄膜，只要為由光阻劑組成物所形成的感光性之乾薄膜時，並未有特別之限定，例如，可使用酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等的乾薄膜。乾薄膜亦可使用市售品，例如，附有PET薄膜之乾薄膜的日光‧材料(股)製「ALPHO 20A263」。乾薄膜，可層合於支撐基板之一 側之面，或層合於支撐基板之兩面皆可。

基板與乾薄膜之層合條件，依與後述步驟(2)中之層合條件為相同，其較佳之範圍亦為相同。

乾薄膜層合於基板上之後，就於乾薄膜上形成所期待的圖型之方法，使用光遮罩依特定之條件進行曝光、顯影。

配線層所使用之導體材料並未有特別之限定。適當的實施形態中，導體層為含有由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群所選出之1種以上的金屬。導體層，可為單金屬層或合金層皆可，合金層，例如，由上述之群所選出之2種以上的金屬之合金(例如，鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金及銅‧鈦合金)所形成之層等。其中，就形成導體層之廣泛性、費用、圖型形成(Patterning)之容易性等的觀點，以使用鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金、銅‧鈦合金的合金層為佳，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳‧鉻合金的合金層為較佳，以銅之單金屬層為更佳。

配線層之厚度，依所期待之半導體晶片封裝的設計而有所差異，較佳為3μm~35μm、更佳為5μm~30μm、特佳為7~20μm，或15μm。

配線層形成後，將乾薄膜剝離。乾薄膜之剝離，例如，可使用氫氧化鈉溶液等的鹼性剝離液予以實施。必要時，可將不需要的配線層使用蝕刻等方法予以去 除，而可形成具有所期待的配線圖型之配線層。

配線層形成後，可配合必要性進行配線的表面粗化處理。表面粗化處理劑，例如可使用莫克(股)製之「CZ-8000系列」等。配線層上，樹脂薄片為以該樹脂薄片之樹脂組成物層與配線層接合之方式層合。樹脂薄片，與使配線層埋入樹脂組成物層之方式，層合於基板上者為佳。

樹脂薄片之層合，例如，可由支撐體側將樹脂薄片加熱壓著於配線層之方式進行。將樹脂薄片加熱壓著於配線層之構件(以下，亦稱為「加熱壓著構件」)，例如，經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬滾筒(SUS滾筒)等。又，加熱壓著構件以不直接加壓於樹脂薄片，而以將樹脂薄片依循配線層的表面凹凸之方式，介由耐熱橡膠等的彈性材進行加壓者為佳。

樹脂薄片之層合，可使用真空層合法予以實施。真空層合法中，加熱壓著溫度較佳為60℃~160℃、更佳為80℃~140℃之範圍，加熱壓著壓力，較佳為0.098MPa~1.77MPa、更佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓著時間，較佳為20秒鐘~400秒鐘、更佳為30秒鐘~300秒鐘之範圍。層合，較佳以於壓力13hPa以下之減壓條件實施。

層合，可使用市售的真空層合器進行。市售的真空層合器，例如，日光‧材料(股)製之真空加壓式層合器、名機製作所製之真空加壓式層合器、日光‧材料 (股)製之真空加壓機等。

層合後，可於常壓下(大氣壓下)，例如，可將加熱壓著構件由支撐體側加壓之方式，使層合後之樹脂薄片進行平滑化處理。平滑化處理之加壓條件，可依與上述層合的加熱壓著條件為相同之條件進行。平滑化處理，可使用市售的層合器進行。又，層合與平滑化處理，可使用上述市售的真空層合器連續的進行。

支撐體，可於樹脂薄片層合前去除亦可、層合後去除亦可。

樹脂組成物層於層合後，可將樹脂組成物層進行熱硬化而形成絕緣層。樹脂組成物層之熱硬化條件並未有特別之限定，其可使用於形成線路基板之絕緣層時，所通常採用之條件。

例如，樹脂組成物層之熱硬化條件，依樹脂組成物之種類等而有所差異，一般硬化溫度為120℃~240℃之範圍(較佳為150℃~220℃之範圍、更佳為170℃~200℃之範圍)、硬化時間為5分鐘~120分鐘間之範圍(較佳為10分鐘~100分鐘間、更佳為15分鐘~90分鐘間)。

樹脂組成物層於熱硬化前，可先將樹脂組成物層預先加熱至較硬化溫度為更低之溫度。例如，於使樹脂組成物層熱硬化之前，將樹脂組成物層於50℃以上、120℃未達(較佳為60℃以上、110℃以下，更佳為70℃以上、100℃以下)之溫度，進行5分鐘以上(較佳為5分鐘 ~150分鐘間、更佳為15分鐘~120分鐘間)之預先加熱。

其他的實施形態中，本發明亦可使用預浸體替代上述之樹脂薄片之方式予以製造。製造方法基本上與使用樹脂薄片之情形相同。

絕緣層形成後，將絕緣層研磨或研削，使配線層露出。又，亦可對絕緣層進行鑽孔而於絕緣層上形成通孔(via hole)，使配線層露出。

<步驟(II)>

步驟(I)結束後，於步驟(II)中，為將半導體晶片接合於線路基板。

半導體晶片之端子電極於使線路基板之線路配線與導體連接之方法中，其接合條件並未有特別之限定，其可使用於實際裝設半導體晶片的覆晶(Flip-Chip)時所使用之公知的條件。又，半導體晶片與線路基板間亦可介由絕緣性之接著劑進行接合。

適當的一實施形態，為將半導體晶片壓著於線路基板。壓著條件，例如，可於壓著溫度為120℃~240℃之範圍(較佳為130℃~200℃之範圍、更佳為140℃~180℃之範圍)、壓著時間為1秒鐘~60秒鐘之範圍(較佳為5秒鐘~30秒鐘)內實施。

又，其他的適當的一實施形態，為將半導體晶片回焊(reflow)接合於線路基板。回焊條件，例如，可於120℃~300℃之範圍內進行。

將半導體晶片接合於線路基板後，例如，可依MUF(Molding Under Filling)法，使用模具底部填充材(Mold Underfill)填充半導體晶片，而製得半導體晶片封裝。使用模具底部填充材進行填充之方法，可依公知的方法予以實施。

〔半導體裝置〕

可實際裝設本發明之半導體晶片封裝的半導體裝置，可列舉如，可供應於電氣製品(例如，電腦、手提電話、智慧型手機、平板電腦PC、數位相機及電視等)及搭乘物(例如，自動二輪車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。

[實施例]

以下，本發明將使用實施例作具體的說明，但本發明並不受該些實施例所限定。又，以下之記載中，「份」及「%」，於無其他說明時，為分別表示「質量份」及「質量%」之意。

<彈性體A之製造>

於反應容器中，使G-3000(2官能性羥基末端聚丁二烯、數平均分子量=5047(GPC法)、羥基當量=1798g/eq.、固形成份100質量%：日本曹達(股)製)50g，與EPOSIOL 150(芳香族烴系混合溶劑：出光石油化學 (股)製)23.5g、二丁基錫月桂酸酯0.005g混合，並均勻溶解。形成均勻狀態時，將其升溫至50℃，再於攪拌中，添加甲苯-2,4-二異氰酸酯(異氰酸酯基當量=87.08g/eq.)4.8g，進行約3小時之反應。其次，將該反應物冷卻至室溫，於其中，添加二苯甲酮四羧酸二酐(酸酐當量=161.1g/eq.)8.96g，與三乙烯二胺0.07g，與乙基二甘醇乙酸酯((股)Daicel製)40.4g，於攪拌中升溫至130℃，進行約4小時之反應。使用FT-IR確認2250cm^-1之NCO波峰是否消失。確認NCO波峰消失時，設定為反應之終點，將反應物降溫至室溫後，使用100μm網孔的濾布予以過濾，而製得具有丁二烯構造及酸酐基之彈性體A。

黏度：7.5Pa‧s(25℃、E型黏度計)

酸價：16.9mgKOH/g

固形成份：50質量%

數平均分子量：13723

玻璃轉移溫度：-10℃

聚丁二烯構造部份之含有率：50/(50+4.8+8.96)×100=78.4質量%。

官能基當量：45943g/eq.

<彈性體B之製造>

於反應容器中，使聚碳酸酯二醇(數平均分子量：約1000、羥基當量：500、不揮發成份：100%、(KURARAY(股)製「C-1015N」)80g及二丁基錫二月 桂酸酯0.01g，於二乙二醇單乙醚乙酸酯((股)Daicel製「乙基二甘醇乙酸酯」)37.6g中均勻地溶解而形成混合物。其次，將該混合物升溫至50℃，再於攪拌中，添加甲苯-2,4-二異氰酸酯(異氰酸酯基當量：87.08)27.8g，進行約3小時之反應。將該反應物冷卻至室溫，於其中添加二苯甲酮四羧酸二酐(酸酐當量：161.1)14.3g、三乙烯二胺0.12g，及二乙二醇單乙醚乙酸酯((股)Daicel製「乙基二甘醇乙酸酯」)84.0g，於攪拌中升溫至130℃為止，進行約4小時之反應。使用FT-IR確認2250cm^-1之NCO波峰是否消失。確認NCO波峰消失時，設定為反應之終點，將反應物降溫至室溫後，使用網孔為100μm之濾布予以過濾，而製得具有碳酸酯構造及酸酐基之彈性體B。

黏度：3Pa‧s(25℃、E型黏度計)

固形成份：50質量%

數平均分子量：8500

玻璃轉移溫度：3℃

官能基當量：15241g/eq.

〔製造例1：樹脂塗料1之製造〕

將雙酚F型環氧樹脂(環氧當量160~170、三菱化學(股)製「JER806」3份、萘型環氧樹脂(環氧當量151、DIC(股)製、「HP4032」)3份、咪唑衍生物(2-苯基-4-甲基咪唑、四國化成(股)製、「2P4MZ」)0.05份、1,4-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份、彈性體A 30份、經苯胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業(股)製、「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)ADMATECHS製、「SO-C6」、平均粒徑2μm)90份、甲酚-酚醛清漆樹脂(DIC(股)製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)4份、甲基乙酮15份混合，使用高速迴轉混練機均勻分散，而製得樹脂塗料1。

〔製造例2：樹脂塗料2之製造〕

除(1)使用1,6-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份替代1,4-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份、(2)將經苯胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業(股)製、「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)ADMATECHS製、「SO-C6」、平均粒徑2μm)之添加量由90份變更為95份以外，其他皆依與製造例1為相同之方法，製得樹脂塗料2。

〔製造例3：樹脂塗料3之製造〕

將雙酚F型環氧樹脂(環氧當量160~170、三菱化學(股)製「JER806」3份、萘型環氧樹脂(環氧當量151、DIC(股)製、「HP4032」)3份、咪唑衍生物(2-苯基-4-甲基咪唑、四國化成(股)製、「2P4MZ」)0.05份、1,4-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份、含有環氧基之丙烯酸酯共聚樹脂(長瀨化學科技(股)製、 「TeisanresinSG-80H」、固形成份20%、MEK/甲苯溶液、Tg11℃、官能基等量14285g/eq、重量平均分子量Mw35萬)75份、經苯胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業(股)製、「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)ADMATECHS製、「SO-C6」、平均粒徑2μm)100份、甲酚-酚醛清漆樹脂(DIC(股)製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)4份、甲基乙酮15份混合，使用高速迴轉混練機均勻分散，而製得樹脂塗料3。

〔製造例4：樹脂塗料4之製造〕

除使用1,5-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份替代1,4-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份以外，其他皆依與製造例3為相同之方法，製得樹脂塗料4。

〔製造例5：樹脂塗料5之製造〕

除使用彈性體B30份替代含有環氧基之丙烯酸酯共聚樹脂(長瀨化學科技(股)製、「TeisanresinSG-80H」、固形成份20%、MEK/甲苯溶液、Tg11℃、官能基等量14285g/eq、重量平均分子量Mw35萬)75份以外，其他皆依與製造例3為相同之方法，製得樹脂塗料5。

〔製造例6：樹脂塗料6之製造〕

除不使用1,4-二羥基萘(東京化成工業(股)製) 0.15份以外，其他皆依與製造例1為相同之方法，製得樹脂塗料6。

〔製造例7：樹脂塗料7之製造〕

除不使用1,4-二羥基萘(東京化成工業(股)製)0.15份以外，其他皆依與製造例3為相同之方法，製得樹脂塗料7。

<樹脂組成物之彈性率>

以使離型PET薄膜(琳德(股)製「501010」、厚度38μm、240mm四方)之未處理面接合於玻璃布基材環氧樹脂兩面鋪銅之層合板(松下電工(股)製「R5715ES」、厚度0.7mm、250mm四方)之方式，設置於玻璃布基材環氧樹脂兩面鋪銅層合板上，並使用聚醯亞胺接著膠布(寬度10mm)固定於該離型薄膜之四邊。

將實施例及比較例所製得之各樹脂薄片(230mm四方)使用批次式真空加壓層合器(日光‧材料(股)製2平台堆疊層合器CVP700)，以樹脂組成物層接合於離型PET薄膜之離型面之方式，對中央進行層合處理。層合處理，為經30秒鐘減壓，使氣壓為13hPa以下之後，再於100℃、壓力0.74MPa下，實施30秒鐘之壓著處理。

其次，將支撐體剝離，於180℃、60分鐘間之硬化條件下，使樹脂組成物層熱硬化。

熱硬化後，將聚醯亞胺接著膠布剝離，將樹脂組成物層由玻璃布基材環氧樹脂兩面鋪銅層合板取出。再將離型PET薄膜由樹脂組成物層剝離，而製得薄片狀之硬化物。將該薄片狀之硬化物作為評估用硬化物。將所得之評估用硬化物切取出啞鈴狀1號之形狀，而製得試驗片。將該試驗片使用環球科技公司製拉伸試驗機「RTC-1250A」進行拉伸強度測定，求取23℃中之彈性率。測定為依JIS K7127為基準實施。重複5次該操作，上位3點之平均值係如表中所示。

〔實施例1：樹脂薄片1之製作〕

將樹脂塗料1以乾燥後之樹脂組成物層之厚度為60μm之方式，使用刮刀塗佈機塗佈於聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜(厚度75μm，以下，亦稱為「PET薄膜」)上，並於80~120℃(平均100℃)下乾燥10分鐘，而製得樹脂薄片1。

〔實施例2：樹脂薄片2之製作〕

除使用樹脂塗料2替代樹脂塗料1以外，其他皆依與實施例1相同方法，製得樹脂薄片2。

〔實施例3：樹脂薄片3之製作〕

除使用樹脂塗料3替代樹脂塗料1以外，其他皆依與實施例1相同方法，製得樹脂薄片3。

〔實施例4：樹脂薄片4之製作〕

除使用樹脂塗料4替代樹脂塗料1以外，其他皆依與實施例1相同方法，製得樹脂薄片4。

〔實施例5：樹脂薄片5之製作〕

除使用樹脂塗料5替代樹脂塗料1以外，其他皆依與實施例1相同方法，製得樹脂薄片5。

〔比較例1：樹脂薄片6之製作〕

除使用樹脂塗料6替代樹脂塗料1以外，其他皆依與實施例1相同方法，製得樹脂薄片6。

〔比較例2：樹脂薄片7之製作〕

除使用樹脂塗料7替代樹脂塗料1以外，其他皆依與實施例1相同方法，製得樹脂薄片7。

〔評估〕 <翹曲評估>

將實施例、比較例所製得之樹脂薄片，配置於銅箔(JX日鑛日石金屬(股)製「JTC箔」、銅箔厚度18μm、大小15cm×18cm)之單側面之全面，使用批次式真空加壓層合器(日光‧材料(股)製2平台堆疊層合器「CVP700」)層合後，將PET薄膜剝離，於烘箱中以180℃、90分鐘之條件，將樹脂薄片熱硬化而製得評估樣品。 將所製得之附有樹脂薄片的銅箔之四邊中，其中三邊使用聚醯亞胺膠布固定於SUS板，求取由SUS板起最高之點的高度，作為翹曲之值，翹曲大小為0cm以上、未達1.5cm時，標記為「○」、為1.5cm以上、未達3cm時標記為「△」、為3cm以上時標記為「×」。

<剝離強度評估>

將實施例、比較例所製得之樹脂薄片層合於銅箔(JX日鑛日石金屬(股)製「JTC箔」、銅箔厚度18μm)後，將PET薄膜去除。將所得之附有樹脂的銅箔，使用批次式真空加壓層合器(日光‧材料(股)製2平台堆疊層合器「CVP700」)層合於玻璃布基材環氧樹脂兩面鋪銅層合板(銅箔之厚度18μm、基板厚度0.3mm、松下電工(股)製R5715ES)之兩面，使用莫克(股)製粗化處理劑(CZ8100)對銅表面實施1μm之蝕刻進行粗化處理者)。隨後，進行180℃、90分鐘之熱硬化，製得樣品。將所製得之樣品切入寬度10mm、長度100mm之部份，將銅箔之一端剝離，使用夾具((股)D‧S‧E製、Auto Com型試驗機、AC-50C-SL)夾住，測定於室溫(25℃)下，以50mm/分鐘之速度，將其由垂直方向拉取剝離至35mm時之荷重(kgf/cm)。

<耐熱性評估>

(180℃、90分鐘硬化後之彈性率)

將實施例、比較例所製得之樹脂薄片，層合於銅箔(JX日鑛日石金屬(股)製、「JTC箔」、銅箔厚度18μm)後，將PET薄膜去除。將所得之附有樹脂之銅箔於熱氣體烘箱中以180℃、90分鐘進行熱處理，使樹脂薄片熱硬化後，製得硬化薄膜。將形成硬化薄膜之銅箔，浸漬於氯化鐵溶液中，將其蝕刻去除，隨後，進行100℃、10分鐘之乾燥，製得去除銅箔之硬化薄膜單體。依日本工業規格(JIS K7127)為基準，使用騰喜龍萬能試驗機((股)A & D製)對去除銅箔後的硬化薄膜進行拉伸試驗，以測定其彈性率。

(經210℃、90分鐘硬化後之彈性率)

將實施例、比較例所製得之樹脂薄片層合於銅箔(JX日鑛日石金屬(股)製「JTC箔」、銅箔厚度18μm)後，將PET薄膜去除。所得附有樹脂之銅箔使用熱氣體烘箱以210℃、90分鐘時間進行熱處理，將樹脂薄片熱硬化後製得硬化薄膜。將硬化薄膜所形成之銅箔，浸漬於氯化鐵溶液中，將其蝕刻去除，隨後，進行100℃、10分鐘之乾燥，製得去除銅箔之硬化薄膜單體。將去除銅箔之硬化薄膜，依日本工業規格(JIS K7127)為基準，使用騰喜龍萬能試驗機((股)A & D製)進行拉伸試驗，以測定其彈性率。

經180℃、90分鐘硬化後之彈性率，及210℃、90分鐘硬化後之彈性率之差未達0~2GPa者標記為 「○」、為2GPa以上者標記為「×」。

Claims (13)

1. 一種樹脂組成物，其為含有(a)彈性體、(b)具有芳香族構造之環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d)二羥基萘化合物之樹脂組成物，其特徵為，(a)成份之含量，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為30質量%~85質量%，(c)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為50質量%~95質量%，(b)成分包含在溫度20℃下為液狀之具有芳香族構造之環氧樹脂，該樹脂組成物於180℃、1小時熱硬化後之熱硬化物，於23℃中之彈性率為18GPa以下。
2. 一種樹脂組成物，其為含有(a)彈性體、(b)具有芳香族構造之環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d)二羥基萘化合物之樹脂組成物，其特徵為，(a)成份之含量，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為45質量%~85質量%，(c)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為50質量%~95質量%，該樹脂組成物於180℃、1小時熱硬化後之熱硬化物，於23℃中之彈性率為18GPa以下。
3. 一種樹脂組成物，其為含有(a)彈性體、(b)具有芳香族構造之環氧樹脂、(c)無機填充材，及(d) 二羥基萘化合物之樹脂組成物，其特徵為，(a)成份之含量，以去除(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為30質量%~85質量%,(c)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為50質量%~95質量%，(d)成份之含量，以樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，為0.01質量%~3質量%，該樹脂組成物於180℃、1小時熱硬化後之熱硬化物，於23℃中之彈性率為18GPa以下。
4. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(d)成份係以下述式(1)所表示者；

   

   式(1)中，R¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基，n表示0~4之整數；R¹存在複數個時，各別之R¹可為相同亦可、互為相異亦可；R²表示單鍵或可具有取代基之2價的連結基，m表示1~6之整數；R²存在複數個時，各別之R²可為相同亦可、互為相異亦可。
5. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(d)成份為以下述式(2)所表示者；

   

   式(2)中，R¹¹表示可具有取代基之碳原子數1~6之烷基、可具有取代基之碳原子數1~6之烷氧基，或可具有取代基之碳原子數6~10之芳基，n1表示0~6之整數；R¹¹存在複數個時，各別之R¹¹可為相同亦可、互為相異者亦可。
6. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有由丁二烯結構單位、聚矽氧烷結構單位、(甲基)丙烯酸酯結構單位、烷烴結構單位、烷氧烴結構單位、異戊二烯結構單位、異丁烯結構單位，及聚碳酸酯結構單位所選出之1種以上的結構單位。
7. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份為，由玻璃轉移溫度為25℃以下之樹脂，及25℃下為液狀之樹脂中所選出之1種以上者。
8. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有可與(b)成份進行反應之官能基。
9. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有醯亞胺構造。
10. 如請求項1~3中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有酚性羥基。
11. 一種樹脂薄片，其特徵為，具有支撐體，與設置於該支撐體上之含有如請求項1~3中任一項之樹脂組成物 之樹脂組成物層。
12. 一種線路基板，其特徵為，於搭載半導體晶片之面，含有藉由如請求項1~10中任一項之樹脂組成物之硬化物所形成之絕緣層。
13. 一種半導體晶片封裝，其特徵為，於請求項12所記載之線路基板上，搭載有半導體晶片。

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