JP6690355B2 - 樹脂組成物 - Google Patents
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Description
[1] (a)エラストマー、(b)芳香族構造を有するエポキシ樹脂、(c)無機充填材、及び(d)ジヒドロキシナフタレン化合物を含有する樹脂組成物であって、
(a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%〜85質量%であり、
(c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%〜95質量%であり、
樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた熱硬化物の23℃における弾性率が18GPa以下である、樹脂組成物。
[2] (d)成分が、下記式(1)で表される、[1]に記載の樹脂組成物。
[3] (d)成分が、下記式(2)で表される、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物。
[4] (a)成分が、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、(メタ)アクリレート構造単位、アルキレン構造単位、アルキレンオキシ構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、およびポリカーボネート構造単位から選択される1種以上の構造単位を有する、[1]〜[3]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5] (a)成分が、ガラス転移温度が25℃以下の樹脂、および25℃で液状である樹脂から選択される1種以上である、[1]〜[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[6] (a)成分が、(b)成分と反応し得る官能基を有する、[1]〜[5]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[7] (a)成分が、イミド構造を有する、[1]〜[6]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[8] (a)成分が、フェノール性水酸基を有する、[1]〜[7]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[9] 支持体と、該支持体上に設けられた、[1]〜[8]のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
[10] 半導体チップが搭載される面が、[1]〜[8]のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
[11] [10]に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
本発明の樹脂組成物は、(a)エラストマー、(b)芳香族構造を有するエポキシ樹脂、(c)無機充填材、及び(d)ジヒドロキシナフタレン化合物を含有する樹脂組成物であって、(a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%〜85質量%であり、(c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%〜95質量%であり、樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた熱硬化物の23℃における弾性率が18GPa以下である。
樹脂組成物は(a)エラストマーを含む。本発明においてエラストマーとは、柔軟性を有する樹脂を意味し、特に限定されないが、例えば分子内に、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、(メタ)アクリレート構造単位、アルキレン構造単位、アルキレンオキシ構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、およびポリカーボネート構造単位から選択される1種または2種以上の構造を有することで柔軟性を示す樹脂が挙げられる。(a)成分のような柔軟な樹脂を含むことで、銅等に対するめっきピール強度が向上し、さらに反り等の発生を抑制することができる。
樹脂組成物は(b)芳香族構造を有するエポキシ樹脂を含む。芳香族構造を有するエポキシ樹脂(以下、単に「エポキシ樹脂」ともいう)は、芳香族構造を有していれば特に限定されない。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。
樹脂組成物は(c)無機充填材を含む。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、(d)ジヒドロキシナフタレン化合物を含む。(d)成分を含むことで、反りの発生が抑制され、ピール強度及び耐熱性に優れる樹脂組成物を提供可能となる。(d)成分が有する2つのヒドロキシ基は、熱硬化時に(b)成分と反応し、(b)成分と(d)成分との結合が強固なものとなることでピール強度及び耐熱性が向上する。また、熱硬化時に(d)成分は(b)成分と反応し揮発することがないので、揮発に伴って発生する反りが抑制される。
樹脂組成物は(e)硬化剤を含んでいてもよい。硬化剤としては、(b)成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。(e)成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される1種以上であることが好ましい。
樹脂組成物は、(f)硬化促進剤を含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、(g)難燃剤を含んでいてもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含んでなり、樹脂組成物層が本発明の樹脂組成物から形成される。
本発明の半導体チップパッケージは、回路基板上に、半導体チップが搭載されており、回路基板の半導体チップが搭載される面が、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
(I)樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を含む回路基板を準備する工程
(II)半導体チップを回路基板上に接合する工程
工程(I)において、樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を含む回路基板を準備する。回路基板は、回路配線を有し、且つ絶縁層が本発明の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層を備える限りにおいて特に限定されない。回路基板に絶縁層が複数含まれる場合は、少なくとも1つの絶縁層が本発明の樹脂組成物の硬化物からなる絶縁層であればよい。
(1)基板上に配線層を形成する工程
(2)配線層上に、樹脂シートを、該樹脂シートの樹脂組成物層が配線層と接合するように積層する工程
(3)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
工程(I)終了後、工程(II)において、半導体チップを回路基板に接合する。
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレットPC、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
反応容器にG−3000(2官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン、数平均分子量=5047(GPC法)、ヒドロキシ基当量=1798g/eq.、固形分100質量%:日本曹達(株)製)50gと、イプゾール150(芳香族炭化水素系混合溶媒:出光石油化学(株)製)23.5g、ジブチル錫ラウレート0.005gを混合し均一に溶解させた。均一になったところで50℃に昇温し、更に撹拌しながら、トルエン−2,4−ジイソシアネート(イソシアネート基当量=87.08g/eq.)4.8gを添加し約3時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(酸無水物当量=161.1g/eq.)8.96gと、トリエチレンジアミン0.07gと、エチルジグリコールアセテート((株)ダイセル製)40.4gを添加し、攪拌しながら130℃まで昇温し、約4時間反応を行った。FT−IRより2250cm−1のNCOピークの消失の確認を行った。NCOピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから100μmメッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造および酸無水物基を有するエラストマーAを得た。
粘度:7.5Pa・s(25℃、E型粘度計)
酸価:16.9mgKOH/g
固形分:50質量%
数平均分子量:13723
ガラス転移温度:−10℃
ポリブタジエン構造部分の含有率:50/(50+4.8+8.96)×100=78.4質量%。
官能基当量:45943g/eq
反応容器にポリカーボネートジオール(数平均分子量:約1000、水酸基当量:500、不揮発分:100%、(クラレ(株)製「C−1015N」)80g及びジブチル錫ジラウレート0.01gを、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート((株)ダイセル製「エチルジグリコールアセテート」)37.6g中に均一に溶解させ混合物とした。次いで、該混合物を50℃に昇温し、さらに撹拌しながら、トルエン−2,4−ジイソシアネート(イソシアネート基当量:87.08)27.8gを添加し、約3時間反応を行った。この反応物を室温まで冷却してから、これにベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(酸無水物当量:161.1)14.3g、トリエチレンジアミン0.12g、及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート((株)ダイセル製「エチルジグリコールアセテート」)84.0gを添加し、撹拌しながら130℃まで昇温し、約4時間反応を行った。FT−IRより2250cm−1のNCOピークの消失の確認を行った。NCOピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから目開きが100μmである濾布で濾過して、カーボネート構造及び酸無水物基を有するエラストマーBを得た。
粘度:3Pa・s(25℃、E型粘度計)
固形分:50質量%
数平均分子量:8500
ガラス転移温度:3℃
官能基当量:15241g/eq
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、1,4−ジヒドロキシナフタレン(東京化成工業(株)製)0.15部、エラストマーA 30部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)90部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を作製した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、1,6-ジヒドロキシナフタレン(東京化成工業(株)製)0.15部、エラストマーA 30部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)95部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製、「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス2を作製した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、1,4−ジヒドロキシナフタレン(東京化成工業(株)製)0.15部、エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合樹脂(ナガセケムテックス(株)製、「テイサンレジンSG−80H」、固形分20%、MEK/トルエン溶液、Tg11℃、官能基等量14285g/eq、重量平均分子量Mw35万)75部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)100部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を作製した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、1,5−ジヒドロキシナフタレン(東京化成工業(株)製)0.15部、アクリル酸エステル共重合樹脂(ナガセケムテックス(株)製、「テイサンレジンSG−80H」、固形分20%、MEK/トルエン溶液、Tg11℃、官能基等量14285g/eq、重量平均分子量Mw35万)75部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)100部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス4を作製した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、1,4−ジヒドロキシナフタレン(東京化成工業(株)製)0.15部、エラストマーB30部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)100部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス5を作製した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、エラストマーA30部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)90部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス6を作製した。
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量160〜170、三菱化学(株)製「JER806」3部、ナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量151、DIC(株)製、「HP4032」)3部、イミダゾール誘導体(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成(株)製、「2P4MZ」)0.05部、アクリル酸エステル共重合樹脂(ナガセケムテックス(株)製、「テイサンレジンSG−80H」、固形分20% MEK/トルエン溶液)75部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ((株)アドマテックス製、「SO−C6」、平均粒径2μm)100部、クレゾールノボラック樹脂(DIC(株)製「KA−1163」、フェノール性水酸基当量:118g/eq)4部、メチルエチルケトン15部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス7を作製した。
離型PETフィルム(リンテック(株)製「501010」、厚さ38μm、240mm角)の未処理面がガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(松下電工(株)製「R5715ES」、厚さ0.7mm、250mm角)に接するように、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板上に設置し、該離型フィルムの四辺をポリイミド接着テープ(幅10mm)で固定した。
ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ75μm、以下「PETフィルム」と略称する。)上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが60μmとなるようにダイコーターにて樹脂ワニス1を塗布し、80〜120℃(平均100℃)で10分間乾燥し樹脂シート1を得た。
実施例1において、樹脂ワニス1を樹脂ワニス2に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂シート2を得た。
実施例1において、樹脂ワニス1を樹脂ワニス3に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂シート3を得た。
実施例1において、樹脂ワニス1を樹脂ワニス4に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂シート4を得た。
実施例1において、樹脂ワニス1を樹脂ワニス5に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂シート5を得た。
実施例1において、樹脂ワニス1を樹脂ワニス6に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂シート6を得た。
実施例1において、樹脂ワニス1を樹脂ワニス7に変えた。以上の事項以外は実施例1と同様にして樹脂シート7を得た。
<反りの評価>
実施例、比較例で作製した樹脂シートを銅箔(JX日鉱日石金属(株)製 「JTC箔」、銅箔厚み18μm、大きさ15cm×18cm)の片面全面に配置し、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ(株)製2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)でラミネートした後PETフィルムを剥がし、オーブン中180℃90分の条件で樹脂シートを熱硬化させ評価サンプルを得た。得られた樹脂シート付き銅箔の四辺のうち、三辺をポリイミドテープによりSUS板に固定し、SUS板から最も高い点の高さを求めることにより反りの値を求め、反りの大きさが0cm以上1.5cm未満の場合を「〇」、1.5cm以上3cm未満を「△」、3cm以上の場合を「×」と評価した。
実施例、比較例で作製した樹脂シートを銅箔(JX日鉱日石金属(株)製「JTC箔」、銅箔厚み18μm)へラミネートした後、PETフィルムを除去した。得られた樹脂付き銅箔をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.3mm、松下電工(株)製R5715ES)の両面をメック(株)製粗化処理剤(CZ8100)により1μm、エッチングして銅表面の粗化処理を行ったもの)へバッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ(株)製2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)でラミネートした。その後、180℃90分熱硬化し、サンプルを作製した。作製したサンプルに幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、銅箔の一端を剥がしてつかみ具((株)ティー・エス・イー製、オートコム型試験機、AC−50C−SL)で掴み、室温(25℃)にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定した。
(180℃90分硬化後の弾性率)
実施例、比較例で作製した樹脂シートを銅箔(JX日鉱日石金属(株)製、「JTC箔」、銅箔厚み18μm)へラミネートした後、PETフィルムを除去した。得られた樹脂付き銅箔を180℃90分間ホットエアーオーブンで熱処理し樹脂シートを熱硬化させ硬化フィルムを得た。硬化フィルムが形成された銅箔を、塩化第2鉄溶液に浸漬させてエッチング除去し、その後、100℃、10分間乾燥することで銅箔が除去された硬化フィルム単体を作製した。銅箔が除去された硬化フィルムを、日本工業規格(JIS K7127)に準拠し、テンシロン万能試験機((株)エー・アンド・デイ製)を用いて引っ張り試験し弾性率を測定した。
実施例、比較例で作製した樹脂シートを銅箔(JX日鉱日石金属(株)製 「JTC箔」、銅箔厚み18μm)へラミネートした後、PETフィルムを除去した。得られた樹脂付き銅箔を210℃90分間ホットエアーオーブンで熱処理し樹脂シートを熱硬化させ硬化フィルムを得た。硬化フィルムが形成された銅箔を、塩化第2鉄溶液に浸漬させてエッチング除去し、その後、100℃、10分間乾燥することで銅箔が除去された硬化フィルム単体を作製した。銅箔が除去された硬化フィルムを、日本工業規格(JIS K7127)に準拠し、テンシロン万能試験機((株)エー・アンド・デイ製)を用いて引っ張り試験し弾性率を測定した。
11 基板
12 配線層
13 絶縁層
14 回路基板
15 半導体チップ
Claims (13)
- (a)エラストマー、(b)芳香族構造を有するエポキシ樹脂、(c)無機充填材、及び(d)ジヒドロキシナフタレン化合物を含有する樹脂組成物であって、
(a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%〜85質量%であり、
(c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%〜95質量%であり、
(b)成分は、温度20℃で液状の芳香族構造を有するエポキシ樹脂を含み、
樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた熱硬化物の23℃における弾性率が18GPa以下である、樹脂組成物。 - (a)エラストマー、(b)芳香族構造を有するエポキシ樹脂、(c)無機充填材、及び(d)ジヒドロキシナフタレン化合物を含有する樹脂組成物であって、
(a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、45質量%〜85質量%であり、
(c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%〜95質量%であり、
樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた熱硬化物の23℃における弾性率が18GPa以下である、樹脂組成物。 - (a)エラストマー、(b)芳香族構造を有するエポキシ樹脂、(c)無機充填材、及び(d)ジヒドロキシナフタレン化合物を含有する樹脂組成物であって、
(a)成分の含有量が、(c)成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、30質量%〜85質量%であり、
(c)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%〜95質量%であり、
(d)成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を100質量%とした場合、0.01質量%〜3質量%であり、
樹脂組成物を180℃で1時間熱硬化させた熱硬化物の23℃における弾性率が18GPa以下である、樹脂組成物。 - (a)成分が、ブタジエン構造単位、ポリシロキサン構造単位、(メタ)アクリレート構造単位、アルキレン構造単位、アルキレンオキシ構造単位、イソプレン構造単位、イソブチレン構造単位、およびポリカーボネート構造単位から選択される1種以上の構造単位を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (a)成分が、ガラス転移温度が25℃以下の樹脂、および25℃で液状である樹脂から選択される1種以上である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (a)成分が、(b)成分と反応し得る官能基を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (a)成分が、イミド構造を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- (a)成分が、フェノール性水酸基を有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項1〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
- 半導体チップが搭載される面が、請求項1〜10のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
- 請求項12に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
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