TWI734096B - 用於半導體處理腔室的微波洩漏減少的方法和裝置 - Google Patents

Abstract

用於在處理腔室的狹縫閥處減少微波洩漏之方法及裝置。在狹縫閥四周的多重頻率共振扼流器防止來自頻帶的微波能量從狹縫閥逸出。多重頻率共振扼流器可具有傾斜底部表面或鋸齒底部表面，以使得多重頻率能夠在扼流器中共振，抵銷藉由狹縫閥門所形成的間隙處的微波頻率的範圍。

Description

用於半導體處理腔室的微波洩漏減少的方法和裝置

本原理之實施例大致關於半導體處理腔室。

在半導體處理中使用微波以例如退火、清潔、固化及除氣。微波在處理腔室的外側產生且使用波導以傳送微波至腔室中。腔室具有基板支撐件以保持同時經處理的晶圓。微波可用以處理單一晶圓及/或在批量中的多重晶圓。當金屬表面之間存在間隙時，在處理期間進入腔室的微波將傳播離開腔室。某些腔室具有狹縫閥，此狹縫閥具有門或閥門以允許晶圓從腔室插入及移除。通常，閥門允許微波洩漏出腔室。在閥門上提供密封用於建立腔室中的真空的非金屬墊圈對微波為穿透性的。已使用金屬墊圈以避免微波洩漏，但金屬墊圈容易發生故障且需要高等級的維護。

因此，發明人已發展出在閥門處減少從半導體處理腔室洩漏微波的方式。

此處的方法及裝置提供在半導體處理腔室中避免微波洩漏。

在某些實施例中，一種用於減少從處理腔室洩漏微波之裝置，包含：狹縫閥，具有狹縫閥門；及狹槽，垂直於介於狹縫閥及狹縫閥門之間的間隙，狹槽具有底部，此底部具有變化表面，使得微波頻率的範圍在狹槽中共振。

在某些實施例中，裝置可進一步包括其中變化表面具有線性斜度，線性斜度具有最高點造成狹槽的最高共振頻率的共振，及最低點造成狹槽的最低共振頻率的共振；其中變化表面具有鋸齒，而具有鋸齒的最高峰造成狹槽的最高共振頻率的共振，及鋸齒的低谷造成狹槽的最低共振頻率的共振；其中鋸齒與狹槽分開地形成且插入狹槽中；其中狹槽之寬度小於狹槽的最高共振頻率的波長；其中狹槽形成於狹縫閥中；其中狹槽具有L的形狀，其中狹槽通過L的形狀的中點的總長度為在狹槽中共振的頻率的波長的四分之一；其中狹槽為直的且形成於狹縫閥的材料中；其中狹槽為直的且藉由間隙形成，間隙介於狹縫閥的材料及插入狹縫閥的開口中的第二元件之間；其中第二元件由片狀金屬形成；其中狹槽形成於該狹縫閥門中；及/或其中狹槽由用於狹縫閥門的真空封口向內形成，或在用於狹縫閥門的真空封口後方形成。

在某些實施例中，一種用於減少從處理腔室洩漏微波之裝置，包含：處理腔室，在內部空間中具有基板支撐件；狹縫閥，佈置於處理腔室的壁中，狹縫閥具有狹縫閥開口，用於從基板支撐件插入及移除基板，及狹縫閥門，用於密封處理腔室；及凹陷空腔在圍繞狹縫閥開口的狹縫閥中，凹陷空腔在凹陷空腔的底部上具有變化表面。

在某些實施例中，裝置可進一步包括其中凹陷空腔由用於狹縫閥門的真空墊圈向內定位，朝向狹縫閥門的開口；其中變化表面具有鋸齒，而具有鋸齒的最高峰造成凹陷空腔的最高共振頻率的共振，及鋸齒的低谷造成凹陷空腔的最低共振頻率的共振；其中鋸齒的高峰從凹陷空腔的開口表面大約為11.2 mm深，且鋸齒的低谷從凹陷空腔的開口表面大約為12.8 mm深；其中鋸齒與凹陷空腔分開地形成且插入凹陷空腔中；及/或其中凹陷空腔具有大於零且小於凹陷空腔的最高共振頻率的波長的寬度。

在某些實施例中，一種用於減少從處理腔室洩漏微波之裝置，包含：處理腔室，在內部空間中具有基板支撐件；狹縫閥，佈置於處理腔室的壁中，狹縫閥具有狹縫閥開口，用於從基板支撐件插入及移除基板，及狹縫閥門，用於密封處理腔室；第一可分開元件，具有環狀形狀插入狹縫閥開口中且與狹縫閥配合，第一可分開元件形成扼流空腔的一個壁，狹縫閥形成扼流空腔的另一壁及扼流空腔的底部；及第二可分開元件，具有環狀形狀插入扼流空腔中，而具有底部表面在扼流空腔的底部表面處與狹縫閥配合，第二可分開元件在頂部表面上具有鋸齒，提供扼流空腔的變化底部表面。

在某些實施例中，裝置可進一步包括其中鋸齒的高峰從扼流空腔的開口表面大約為11.2 mm深，且鋸齒的低谷從扼流空腔的開口表面大約為12.8 mm深。

以下揭露其他及進一步實施例。

從半導體腔室洩漏微波可能造成安全及生產問題。用以避免微波從狹縫閥洩漏的金屬墊圈通常造成配合表面及金屬墊圈之間的電弧，特別在異物材料卡入金屬墊圈中的情況。此外，金屬墊圈及表面之間的經常接觸造成磨耗及粒子產生，影響墊圈的效能及基板處理中的缺陷。發明人已發現非接觸裝置及方法，而在安全性及生產方面優於金屬墊圈。根據本原理之裝置及方法藉由可靠減少微波洩漏及功能而無須接觸表面、減少維護及磨耗、減少顆粒產生且減少類似金屬墊圈的電弧，有利地增加操作者的安全。裝置級方法亦有利地可與其他處理腔室封口連結作用，例如對微波穿透的真空封口及類似者。在某些實施例下，傳統裝備可改變成本效益，允許安全更新而無須購買替代裝備。許多處理腔室加熱循環大約每100微秒切換頻率，以保持加熱均勻性。裝置及方法亦能夠避免在操作頻率的頻帶上的微波洩漏，而非單一微波頻率，而有利地准許更大的彈性及成本效益。

當存在間隙時，微波將通過間隙洩漏，除非微波轉移至造成微波在路徑的終端處反射回來的路徑中。若路徑的距離為波長（拉姆達(λ)）除以四（λ/4），則反射的微波將抵銷入射微波。若距離為λ/4，則微波藉由行進往（λ/4）及返（λ/4）而行進λ/2的總距離。當反射的微波在½波長分隔處遇到入射波時，微波彼此抵銷掉。等於λ/4的路徑稱為四分之一波共振扼流器。發明人已發現基於本原理之技術，以將頻帶上操作的共振扼流器併入半導體處理腔室中，以替代金屬墊圈。

發明人已發現根據本原理之共振扼流器更安全且在多重頻率上更有效地工作。為了消除帶中任何頻率的損失，必須減少帶中頻率的洩漏，特別是具有較長波長的頻率。較長波長更輕易逸出且傳播更遠，且亦更深地穿透至物件中，造成更多傷害。扼流器的深度控制單一頻率的反射及抵銷。發明人已發現在單一扼流器中提供變化深度的方式，以允許扼流器作用在整個頻帶上。在某些實施例中（例如，第4、9及10圖所討論），鋸齒用以在數個頻率上改變扼流器的深度。發明人已發現更多數量的鋸齒會有更高效能的扼流器，導致更少的微波洩漏。在某些實施例中，鋸齒分佈垂直於狹槽的長度或扼流器的凹陷。在某些實施例中（例如，第3圖所討論），斜度用以在數個頻率上改變扼流器的深度。發明人已發現扼流器的寬度可小於被抵銷的頻率的波長，至幾個數量級小於被抵銷的頻率的波長，而不會實質影響扼流器的效能。此外，發明人已發現鋸齒比斜度提供更佳的洩漏控制，因為鋸齒在給定空間的量中於廣的頻帶上提供更多的頻率衰減（鋸齒對帶中的頻率作用，且在給定的空間量中可放置比斜度更多的鋸齒）。

第1圖根據某些實施例，描繪具有狹縫閥組件130的處理腔室100，其中可利用減少微波洩漏之裝置或可實行減少微波洩漏之方法。在第1圖中，狹縫閥組件130可包括在狹縫閥主體132中的狹縫閥開口122，及密封狹縫閥開口122的狹縫閥門120。墊圈124可在狹縫閥門120及狹縫閥主體132之間提供真空密封。儘管墊圈124提供真空密封，墊圈124對微波為穿透性的，且無法避免微波洩漏。狹縫閥組件130提供基板108從基板支撐件104插入及移除處理腔室100的內部空間110中的方式。狹縫閥開口122通過處理腔室100的壁102提供對處理腔室100的內部空間110的進出。基板支撐件104包括支撐組件106，而支撐基板支撐件104且亦提供電氣連接及/或冷卻液體等等。在某些實施例中，狹縫閥組件130可選地在狹縫閥主體132中包括L形狀的共振扼流器128，對第2圖更詳細地討論。在某些實施例中，狹縫閥組件130可選地在狹縫閥門120中包括線性共振扼流器126，對第2圖更詳細地討論。

處理腔室100可包括處理控制器112，而包括中央處理單元（CPU 114）、記憶體116及/或支援電路118。處理控制器112可提供狹縫閥組件130的控制。處理腔室100可單獨利用或作為集成半導體基板處理系統的處理模組或叢集工具而利用，例如由美國加州聖克拉拉市的應用材料公司可取得的ENDURA^® 集成半導體基板處理系統。處理腔室100可為乾式腔室或PVD腔室，例如亦由應用材料公司可取得的CHARGER™ 凸塊底層金屬化（UBM）PVD腔室。亦可適當地使用其他處理腔室及/或叢集工具。

因為墊圈124對微波為穿透的，所以引入共振扼流器至狹縫閥組件130中以避免微波洩漏。第2圖根據某些實施例，描繪第1圖的狹縫閥組件130的放大的視圖200。在某些實施例中，L形狀的共振扼流器128形成於狹縫閥主體中，由墊圈124向內且由狹縫閥開口122向外。為了減少複雜的加工，L形狀的共振扼流器128可選地形成為在狹縫閥主體132中狹縫閥開口122四周環狀的矩形狹槽，具有較小環狀矩形插件242形成L的形狀。從開口246的表面244通過L形狀的共振扼流器128的中點至底部216的總距離藉由線202表示。線202於開口246處開始且於底部216處分別的點A’及A結束。線202具有藉由L形狀的共振扼流器128抵銷的頻率之波長的四分之一的總長度。L形狀的共振扼流器128的寬度210可為幾個數量級小於L形狀的共振扼流器128的共振波長。

在某些實施例中，線性共振扼流器126形成於狹縫閥門120中。在某些實施例中，如第2圖中圖示，線性共振扼流器126可形成於墊圈124的後方。從狹縫閥門120的表面248至線性共振扼流器126的底部214的線性共振扼流器126的深度208為藉由線性共振扼流器126抵銷的頻率的長度的四分之一。線性共振扼流器126的寬度206可為幾個數量級小於線性共振扼流器126的共振波長。墊圈124不會干擾線性共振扼流器126，因為墊圈124對微波為穿透的。

第3圖根據某些實施例，描繪具有斜度314的扼流器302的底部316的剖面視圖300。扼流器302例如可為第2圖的線性共振扼流器126及/或第2圖的L形狀的共振扼流器128或另一扼流器。扼流器302的比例經扭曲以允許顯示關於扼流器302的底部316的更多細節。在某些實施例中，扼流器302可具有側壁表面306且底部316將具有線性的斜度314。斜度314在扼流器302的底部316建立變化深度，從最小深度312至最大深度310。底部316的斜度314使得扼流器302在不同頻率下歸因於變化底部而共振。最小深度312主宰將在扼流器302中共振的最高頻率（最高頻率=1/(4x最小深度)），且最大深度310主宰將在扼流器302中共振的最低頻率（最低頻率=1/(4x最大深度)）。介於最高及最低頻率之間的頻率亦將在扼流器302中共振。斜度314有利地允許扼流器302在頻帶上操作而非單一頻率，允許單一扼流器覆蓋多重應用，實質上減少成本且增加彈性。

在某些實施例中，扼流器302對從5.85 GHz至6.69 GHz的頻率共振，而具有11.2 mm的最小深度312及12.8 mm的最大深度310。在某些實施例中，可在斜度314的角度318上作成調整，以調整深度及覆蓋的頻帶。扼流器302的寬度308可為幾個數量上小於藉由扼流器302上操作的頻帶的波長。在某些實施例中，寬度308大約為1.0 mm。在某些實施例中，寬度308可為從大於零至小於扼流器的最高共振頻率的波長的範圍。在某些實施例中，寬度308為幾個數量級小於扼流器的最高共振頻率的波長。在某些實施例中，扼流器302可佈置在狹縫閥門120或狹縫閥主體132的材料304中（見例如第2圖）。在某些實施例中，底部316可為材料304的部分（由材料304加工或形成於材料304中等等）。在某些實施例中，底部316可為首先形成的可分開元件，且接著放置或插入形成扼流器302的空腔或凹陷中。藉由形成底部316作為可分開元件，可實質上減少加工及生產成本，節省時間及花費兩者。

第4圖根據某些實施例，描繪具有鋸齒的扼流器的底部418的剖面視圖400。扼流器402例如可為第2圖的線性共振扼流器126或第2圖的L形狀的共振扼流器128。扼流器402的比例經扭曲以允許顯示關於扼流器402的底部418的更多細節。在某些實施例中，扼流器402可具有側壁表面406且底部418將具有鋸齒416。鋸齒416在扼流器402的底部418建立變化深度，從最小深度412至最大深度410。底部418的鋸齒416使得扼流器402在不同頻率下歸因於變化底部而共振。最小深度412主宰將在扼流器402中共振的最高頻率（最高頻率=1/(4x最小深度)），且最大深度410主宰將在扼流器402中共振的最低頻率（最低頻率=1/(4x最大深度)）。介於最高及最低頻率之間的頻率亦將在扼流器402中共振。

在某些實施例中，扼流器402對從5.85 GHz至6.69 GHz的頻率共振，而具有11.2 mm的最小深度412及12.8 mm的最大深度410（1.6 mm的鋸齒高度）。鋸齒416有利地允許扼流器402在頻帶上操作而非單一頻率，允許單一扼流器覆蓋多重應用，實質上減少成本且增加彈性。可在鋸齒416的高度420上作成調整，以調整覆蓋的頻帶。扼流器402的寬度408可為幾個數量上小於藉由扼流器402上操作的頻帶的波長。在某些實施例中，寬度408大約為1.0 mm。在某些實施例中，寬度408可為從大於零至小於扼流器的最高共振頻率的波長的範圍。在某些實施例中，寬度408為幾個數量級小於扼流器的最高共振頻率的波長。在某些實施例中，扼流器402可佈置在狹縫閥門120或狹縫閥主體132的材料404中（見例如第2圖）。在某些實施例中，鋸齒416可為材料404的部分（由材料404加工或形成於材料404中等等）。在某些實施例中，鋸齒416可為首先形成的可分開元件，且接著放置或插入形成扼流器402的空腔或凹陷中。藉由形成鋸齒416作為可分開元件，可實質上減少加工及生產成本，節省時間及花費兩者。

第5圖根據某些實施例，描繪在狹縫閥開口522四周的扼流器506的前視圖500。狹縫閥組件530可包括具有狹縫閥開口522及狹縫閥門致動器504的狹縫閥主體502。在某些實施例中，扼流器506由狹縫閥開口522向外定位且圍繞狹縫閥開口522。在第5圖中的扼流器506可為狹縫閥主體502中的狹槽、凹陷或空腔，而具有尺寸能夠在適當的頻帶下共振。在某些實施例中，扼流器506可為在狹縫閥主體502中的線性共振扼流器及/或L形狀的共振扼流器。

第6圖根據某些實施例，描繪狹縫閥組件630的剖面視圖600。狹縫閥組件630包括具有狹縫閥開口622及狹縫閥門620的狹縫閥主體602。扼流器606由狹縫閥開口622向外且由墊圈624向內定位。墊圈624抵靠狹縫閥主體602而密封狹縫閥門620，以允許氣密密封（例如，允許腔室保持真空等等）。墊圈624對微波為穿透的且無法避免微波洩漏。狹縫閥門620可藉由狹縫閥門致動器（見第5圖）而抬升及降低（箭頭610）。扼流器606可形成及/或加工至狹縫閥主體602中成為單件及/或多重件，例如具有分開的件以建立如第3及4圖中所述的可變底部。

第7圖根據某些實施例，描繪用於建立第6圖的扼流器之裝置的剖面視圖700。形成及/或加工狹縫閥主體602以在狹縫閥開口622四周建立空間702。空間702的外部表面720將形成扼流器606的外壁。環狀元件704藉由沖壓及/或加工及類似者而形成。環狀元件704具有大約類似於狹縫閥主體602的狹縫閥開口622之內部尺寸710的內部尺寸708。環狀元件704的外部表面722將形成扼流器606的內壁。環狀元件704的厚度706改變以調整扼流器606的寬度。第8圖根據某些實施例，描繪安裝在狹縫閥組件630中第7圖的環狀元件704的剖面視圖800。在環狀元件704插入狹縫閥主體602下，形成扼流器606而具有藉由環狀主體704提供的內壁及藉由狹縫閥主體602提供的外壁及底部。在某些實施例中，環狀元件704亦可對扼流器606提供變化底部（見第3及4圖，對扼流器變化底部的不同實施例）。在某些實施例中，變化底部可為另一環狀元件（見第9圖）。

第9圖根據某些實施例，描繪具有環狀元件903的狹縫閥902之部分的等距剖視圖，環狀元件903用於建立扼流空腔906中的鋸齒。環狀元件903形成變化底部，用於插入凹陷、空腔或狹槽中以建立頻帶上的共振扼流器。在某些實施例中，環狀元件903包含鋸齒。環狀元件903的部分904描繪於第10圖的等距視圖1000中。部分904圖示具有高峰1002及低谷1004的鋸齒。高峰1002的高度1008及/或高峰的間距可改變以增加或減少扼流器的共振頻帶的最高頻率。環狀元件903可具有厚度1006以使得環狀元件903能夠處置且促進將環狀元件903插入扼流器的狹槽、空腔或凹陷的底部中。環狀元件903的寬度1010大約為扼流空腔906的寬度。

儘管以上導向本原理之實施例，可衍生本原理的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇。

100‧‧‧處理腔室 102‧‧‧壁 104‧‧‧基板支撐件 106‧‧‧支撐組件 108‧‧‧基板 110‧‧‧內部空間 112‧‧‧處理控制器 114‧‧‧CPU 116‧‧‧記憶體 118‧‧‧支援電路 120‧‧‧狹縫閥門 122‧‧‧狹縫閥開口 124‧‧‧墊圈 126‧‧‧線性共振扼流器 128‧‧‧L形狀的共振扼流器 130‧‧‧狹縫閥組件 132‧‧‧狹縫閥主體 200‧‧‧放大的視圖 202‧‧‧線 206‧‧‧寬度 208‧‧‧深度 210‧‧‧寬度 214‧‧‧底部 216‧‧‧底部 242‧‧‧較小環狀矩形插件 244‧‧‧表面 246‧‧‧開口 248‧‧‧表面 300‧‧‧剖面視圖 302‧‧‧扼流器 304‧‧‧材料 306‧‧‧側壁表面 308‧‧‧寬度 310‧‧‧最大深度 312‧‧‧最小深度 314‧‧‧斜度 316‧‧‧底部 318‧‧‧角度 400‧‧‧剖面視圖 402‧‧‧扼流器 404‧‧‧材料 406‧‧‧側壁表面 408‧‧‧寬度 410‧‧‧最大深度 412‧‧‧最小深度 416‧‧‧鋸齒 418‧‧‧底部 420‧‧‧高度 500‧‧‧前視圖 502‧‧‧狹縫閥主體 504‧‧‧狹縫閥門致動器 506‧‧‧扼流器 522‧‧‧狹縫閥開口 530‧‧‧狹縫閥組件 600‧‧‧剖面視圖 602‧‧‧狹縫閥主體 606‧‧‧扼流器 610‧‧‧箭頭 620‧‧‧狹縫閥門 622‧‧‧狹縫閥開口 624‧‧‧墊圈 630‧‧‧狹縫閥組件 700‧‧‧剖面視圖 702‧‧‧空間 704‧‧‧環狀元件 706‧‧‧厚度 708‧‧‧內部尺寸 710‧‧‧內部尺寸 720‧‧‧外部表面 722‧‧‧外部表面 800‧‧‧剖面視圖 900‧‧‧等距視圖 902‧‧‧狹縫閥 903‧‧‧環狀元件 904‧‧‧部分 906‧‧‧扼流空腔 1000‧‧‧等距視圖 1002‧‧‧高峰 1004‧‧‧低谷 1006‧‧‧厚度 1008‧‧‧高度 1010‧‧‧寬度

以上簡要概述且以下更詳細討論的本原理之實施例可藉由參考隨附圖式中描繪的原理之圖示性實施例來理解。然而，隨附圖式僅圖示本原理之通常實施例，且因此不應考量為範疇之限制，因為此等原理認可其他均等效果的實施例。

第1圖根據本原理之某些實施例，描繪具有狹縫閥組件的處理腔室之視圖，其中可利用減少微波洩漏之裝置或可實行減少微波洩漏之方法。

第2圖根據本原理之某些實施例，描繪第1圖的狹縫閥組件的放大視圖的剖面視圖。

第3圖根據本原理之某些實施例，描繪具有斜度的扼流器之底部的剖面視圖。

第4圖根據本原理之某些實施例，描繪具有鋸齒的扼流器之底部的剖面視圖。

第5圖根據本原理之某些實施例，描繪在狹縫閥開口四周的扼流器的前視圖。

第6圖根據本原理之某些實施例，描繪狹縫閥組件的剖面視圖。

第7圖根據本原理之某些實施例，描繪用於建立第6圖的扼流器之環狀元件的剖面視圖。

第8圖根據本原理之某些實施例，描繪安裝在狹縫閥組件中第7圖之環狀元件的剖面視圖。

第9圖根據本原理之某些實施例，描繪具有環狀元件的狹縫閥之部分的等距剖視圖，環狀元件用於建立扼流空腔中的鋸齒。

第10圖根據本原理之某些實施例，描繪第9圖的環狀元件之部分的等距視圖。

為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製，且為了清楚可能簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100‧‧‧處理腔室

102‧‧‧壁

104‧‧‧基板支撐件

106‧‧‧支撐組件

108‧‧‧基板

110‧‧‧內部空間

112‧‧‧處理控制器

114‧‧‧CPU

116‧‧‧記憶體

118‧‧‧支援電路

120‧‧‧狹縫閥門

122‧‧‧狹縫閥開口

124‧‧‧墊圈

126‧‧‧線性共振扼流器

128‧‧‧L形狀的共振扼流器

130‧‧‧狹縫閥組件

132‧‧‧狹縫閥主體

Claims (20)

1. 一種用於減少從一處理腔室洩漏微波之裝置，包含： 一狹縫閥，該狹縫閥具有一狹縫閥門；及一狹槽，該狹槽垂直於介於該狹縫閥及該狹縫閥門之間的一間隙，該狹槽具有一底部，該底部具有一變化表面，使得微波頻率的一範圍在該狹槽中共振。
2. 如請求項1所述之裝置，其中該變化表面具有一線性斜度，該線性斜度具有一最高點造成該狹槽的一最高共振頻率的共振，及一最低點造成該狹槽的一最低共振頻率的共振。
3. 如請求項1所述之裝置，其中該變化表面具有鋸齒，而具有該等鋸齒的最高峰造成該狹槽的一最高共振頻率的共振，及該等鋸齒的低谷造成該狹槽的一最低共振頻率的共振。
4. 如請求項3所述之裝置，其中該等鋸齒與該狹槽分開地形成且插入該狹槽中。
5. 如請求項1所述之裝置，其中該狹槽之一寬度大於零且小於該狹槽的一最高共振頻率的一波長。
6. 如請求項1所述之裝置，其中該狹槽形成於該狹縫閥中。
7. 如請求項6所述之裝置，其中該狹槽具有一L的形狀，其中該狹槽通過該L的形狀的一中點的一總長度為在該狹槽中共振的一頻率的一波長的四分之一。
8. 如請求項6所述之裝置，其中該狹槽為直的且形成於該狹縫閥的材料中。
9. 如請求項6所述之裝置，其中該狹槽為直的且藉由一間隙形成，該間隙介於該狹縫閥的材料及插入該狹縫閥的一開口中的一第二元件之間。
10. 如請求項9所述之裝置，其中該第二元件由片狀金屬形成。
11. 如請求項1所述之裝置，其中該狹槽形成於該狹縫閥門中。
12. 如請求項11所述之裝置，其中該狹槽由用於該狹縫閥門的一真空封口向內形成，或在用於該狹縫閥門的一真空封口後方形成。
13. 一種用於減少從一處理腔室洩漏微波之裝置，包含： 該處理腔室，在一內部空間中具有一基板支撐件；一狹縫閥，佈置於該處理腔室的一壁中，該狹縫閥具有一狹縫閥開口，用於從該基板支撐件插入及移除基板，及一狹縫閥門，用於密封該處理腔室；及一凹陷空腔，在圍繞該狹縫閥開口的該狹縫閥中，該凹陷空腔在該凹陷空腔的一底部上具有一變化表面。
14. 如請求項13所述之裝置，其中該凹陷空腔由用於該狹縫閥門的真空墊圈向內定位，朝向該狹縫閥門的該開口。
15. 如請求項13所述之裝置，其中該變化表面具有鋸齒，而具有該等鋸齒的最高峰造成該凹陷空腔的一最高共振頻率的共振，及該等鋸齒的低谷造成該凹陷空腔的一最低共振頻率的共振。
16. 如請求項15所述之裝置，其中該等鋸齒的高峰從該凹陷空腔的一開口表面大約為11.2 mm深，且該等鋸齒的低谷從該凹陷空腔的該開口表面大約為12.8 mm深。
17. 如請求項15所述之裝置，其中該等鋸齒與該凹陷空腔分開地形成且插入該凹陷空腔中。
18. 如請求項13所述之裝置，其中該凹陷空腔具有大於零且小於該凹陷空腔的一最高共振頻率的一波長的一寬度。
19. 一種用於減少從一處理腔室洩漏微波之裝置，包含： 該處理腔室，在一內部空間中具有一基板支撐件；一狹縫閥，佈置於該處理腔室的一壁中，該狹縫閥具有一狹縫閥開口，用於從該基板支撐件插入及移除基板，及一狹縫閥門，用於密封該處理腔室；一第一可分開元件，具有一環狀形狀插入該狹縫閥開口中且與該狹縫閥配合，該第一可分開元件形成一扼流空腔的一個壁，該狹縫閥形成該扼流空腔的另一壁及該扼流空腔的一底部；及一第二可分開元件，具有一環狀形狀插入該扼流空腔中，而具有一底部表面在該扼流空腔的該底部表面處與該狹縫閥配合，該第二可分開元件在一頂部表面上具有鋸齒，提供該扼流空腔的一變化底部表面。
20. 如請求項19所述之裝置，其中該等鋸齒的高峰從該扼流空腔的一開口表面大約為11.2 mm深，且該等鋸齒的低谷從該扼流空腔的該開口表面大約為12.8 mm深。

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