CN117936345A - 一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置，该等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。其优点是：该等离子体约束装置通过在其间隔件上设置反射面，有效地降低了等离子体湮灭所需的间隔件的高度，同时其还有效地提升了真空抽取装置对腔内气压的控制精度，实现了各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的加工处理效果。

Description

一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，常采用等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺方式对半导体工艺件或晶圆衬底进行微加工。微加工制造的步骤中可以包含等离子体辅助工艺，这种工艺一般在真空反应腔内进行，其中，等离子体辅助工艺中的等离子体刻蚀工艺是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。
真空反应腔内的等离子体刻蚀工艺的原理为向真空反应腔内通入工艺气体，通过输入射频能量以激活晶圆上方的工艺气体，来点燃和维持等离子体进而产生等离子体环境，从而对晶圆进行刻蚀。在等离子体处理进程中，为增大等离子体的自由程，通常采用真空抽取装置使真空反应腔处于真空状态(例如腔室内的气压小于100mTorr)，以使等离子体充满至整个腔室。但是等离子体具有较强的轰击能力，若其扩散至非反应区域(如下电极组件的部分零部件所在的区域)，可能会造成这些区域的零部件发生腐蚀或侵蚀，造成腔体内部的颗粒玷污或其他金属污染，缩短零部件的工作寿命，降低腔室的重复使用性能。如果不将等离子体约束在一定的工作区域内，带电粒子将撞击未被保护的区域，进而导致半导体晶圆表面杂质和污染。
基于上述问题，业界通常在竖直方向上设置等离子体约束组件，将等离子体尽可能地限制在上电极组件和下电极组件之间的反应区域，以保护非反应区域内的各零部件。但是随着工艺制程的进一步发展，对刻蚀设备的真空度提出了更高的要求，同时也对等离子体约束组件的等离子体约束及气流调节等能力提出了更高的要求。
可以理解的是，上述陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置，该等离子体约束装置包含多个依次排列的间隔件，至少一个间隔件包含朝向下电极组件的内侧面和顶部的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述中心轴的距离。该等离子体约束装置通过其间隔件上的反射面有效地降低了等离子体湮灭所需要的气体通道的缝隙深度，极大地降低了在缝隙中的等离子的自由程，使得该等离子体约束装置在满足真空抽气需求的同时，增强了其对等离子体的限制能力，可实现各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的处理效果。
为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件，
所述等离子体约束装置设置于所述真空反应腔的腔体侧壁和所述下电极组件之间，所述等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。
可选的，所述间隔件的反射面包含斜切面。
可选的，所述斜切面与竖直方向的夹角范围为10°～50°。
可选的，所述间隔件的反射面包含凹型弧段结构。
可选的，所述间隔件的反射面包含多级台阶结构。
可选的，所述多级台阶结构的台阶为斜切面结构或平面结构或凹型弧段结构或凸形弧段结构中的至少一种。
可选的，所述间隔件的反射面包含波浪结构。
可选的，各相邻间隔件之间的间距相等或不相等。
可选的，靠近腔体侧壁处的相邻间隔件之间的间距大于靠近下电极组件处的相邻间隔件之间的间距。
可选的，靠近腔体侧壁处的相邻间隔件之间的间距为靠近下电极组件处的相邻间隔件之间的间距的两倍。
可选的，靠近下电极组件处的间隔件的斜切面与竖直方向的夹角大于远离下电极组件处的间隔件的斜切面与竖直方向的夹角。
可选的，相邻间隔件之间的间距范围为1.5毫米～4.5毫米。
可选的，所述间隔件的高度范围为15毫米～27毫米。
可选的，所述反射面在竖直方向的长度为所述间隔件高度的40％～70％。
可选的，所述间隔件的表面设置有耐等离子体腐蚀膜层。
可选的，所述耐等离子体腐蚀膜层包含特氟龙膜层或氧化钇膜层或阳极氧化层中的至少一种。
可选的，各个间隔件之间通过连接件连接。
可选的，各个间隔件与所述连接件一体成型。
可选的，一种等离子体处理装置，包含：
真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件；
前述的等离子体约束装置，其位于所述真空反应腔内。
本发明与现有技术相比具有以下优点：本发明的一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置中，该等离子体约束装置包含多个依次排列的间隔件，至少一个间隔件包含朝向下电极组件的内侧面和顶部的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述中心轴的距离。该等离子体约束装置通过其间隔件上的反射面有效地降低了等离子体湮灭所需要的气体通道的缝隙深度，极大地降低了缝隙中的等离子体的自由程，使得该等离子体约束装置在满足真空抽气需求的同时，增强了其对等离子体的限制能力，可实现各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的处理效果。
附图说明
图1为本发明实施例一中的一种等离子体处理装置示意图；
图2为本发明实施例一中的一种等离子体约束装置排列示意图；
图3为本发明实施例一中的一种等离子体约束装置的部分间隔件截面示意图；
图4为现有的一种等离子体约束装置的部分间隔件截面示意图；
图5为本发明实施例一中的另一种等离子体约束装置的部分间隔件截面示意图；
图6为本发明实施例二中的一种等离子体约束装置的间隔件截面示意图；
图7为本发明实施例三中的一种等离子体约束装置的间隔件截面示意图；
图8为本发明实施例三中的又一种等离子体约束装置的间隔件截面示意图；。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。
需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
如图1所示，为本发明的一种电容耦合型等离子体处理装置(CCP)，该等离子体处理装置包含：一真空反应腔100，其由反应腔腔体和腔体端盖101包围而成，所述反应腔腔体通常由金属材料制成，其包含腔体侧壁102和腔体底壁103。所述腔体侧壁102上开设有晶圆传输口104，该晶圆传输口104用于实现晶圆W在真空反应腔100内外之间传输。所述真空反应腔100内包含一下电极组件110，其设置于所述真空反应腔100内底部，所述下电极组件110设置有承载面，传入所述真空反应腔100内的待处理晶圆W放置于所述承载面上。所述真空反应腔100内还包含与所述下电极组件110相对设置的上电极组件120，所述上电极组件120和所述下电极组件110之间的空间为对晶圆W表面进行处理的处理区域。一气体输送装置130中的工艺气体经由真空反应腔100顶部的气体分配系统140引入真空反应腔100内部。
至少一射频电源150通过匹配网络151将射频能量施加到所述下电极组件110，通过电容耦合的方式将工艺气体解离为等离子体P，以使所述上电极组件120和所述下电极组件110之间为等离子体P环境以便刻蚀，该等离子体P环境中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理晶圆W的表面发生多种物理和/或化学反应，使得待处理晶圆W的形貌发生改变，从而完成对待处理晶圆W的处理。
进一步的，所述真空反应腔100上开设有排气口105，具体地，所述排气口105开设于所述腔体底壁103上，一真空抽取装置160通过所述排气口105将真空反应腔100内部的气体即反应废弃产物排至腔外。可选的，所述真空抽取装置160可以为分子泵或干泵或真空泵组，当然，所述真空抽取装置160的结构不仅限于此，其还可以为其他任意可实现相同功能的装置。
在实际应用中，所述真空抽取装置160通常设置于真空反应腔100底部，等离子体P更易沿竖直向下的方向扩散逃逸。基于上述，所述等离子体处理装置还设置有等离子体约束装置170(Confinement Ring)(请参见图1至图3)，所述等离子体约束装置170设置于所述腔体侧壁102和所述下电极组件110之间，以将等离子体P约束在上电极组件120和下电极组件110之间的反应区域，避免等离子体P泄露到非反应区域，造成非反应区域的零部件发生损伤。等离子体约束装置170下方设置一中接地环181，中接地环181用于为等离子体约束装置170提供电场屏蔽；中接地环181下方设置一下接地环182，所述中接地环181和下接地环182保持电连接，以在真空反应腔100内形成一射频接地回路。下接地环182和下电极组件110之间设置有屏蔽环190，所述屏蔽环190用于将施加到下电极组件110上的射频信号屏蔽在下电极组件110内，实现下电极组件110与下接地环182的电隔离。
进一步的，所述等离子体约束装置170包含多个环绕所述下电极组件110依次排列的间隔件171，所述间隔件171呈环状，各个间隔件171之间形成气体通道172以便气体流通，所述真空抽取装置160位于所述等离子体约束装置170的下方，真空抽取装置160驱动等离子体P的扩散且驱动反应区域的废弃产物经由所述气体通道172和排气口105排至腔外。如图3所示，所述间隔件171包含一朝向所述下电极组件110设置的内侧面173、朝向所述腔体侧壁102设置的外侧面177和一顶面174，至少一个间隔件171的顶面174包含一朝向所述下电极组件110设置的反射面175和一平面176，所述反射面175上所有位置到所述下电极组件110的中心轴的距离均大于其内侧面173上所有位置到所述下电极组件110的中心轴的距离，即至少两个相邻间隔件171之间的气体通道172的顶部宽度大于其底部宽度。
在工艺进程中，等离子体P会与等离子体约束装置170的各个间隔件171成一定角度地射入各个间隔件171之间的气体通道172中，等离子体P中的带电粒子与各个间隔件171的表面接触后湮灭，由于间隔件171上鞘层(sheath)的存在，带电粒子与鞘层的碰撞会对等离子体P中的带电粒子进行反射，每次反射都会降低带电粒子的能量，一定宽度和深度的气体通道172可以使得等离子体P内的带电粒子在各个间隔件171之间的气体通道172中湮灭。假设需要三次反射可以将等离子体P的能量充分释放，使其无法以等离子体P的形式进入等离子体约束装置170的下方。由图3和图4对比可知，在等离子体P入射角度等因素不变的情况下，本发明中间隔件171顶部的反射面175增大了等离子体P与间隔件171的接触面积，可有效地降低等离子体P三次反射所需要的气体通道172的缝隙深度，极大地降低了缝隙中的等离子体P的自由程，降低了对间隔件171高度的要求，即使在高射频功率的环境下也不会发生等离子体P的泄漏；同时该反射面175还在一定程度上拓宽了相邻间隔件171之间的气体通道172的气流通路，有效地提升了对真空抽取装置160的抽真空能力的利用率，提升其对腔体气压的控制精度。该等离子体约束装置170在满足真空抽气需求的同时，增大了其对等离子体P的限制能力，可实现各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆W处理效果。
在本实施例中，各个间隔件171之间通过连接件连接，以便各个间隔件171的安装与固定。进一步的，各个间隔件171与所述连接件一体成型，以便该等离子体约束装置170的加工制备。当然，各个间隔件171之间不仅限于上述连接方式，在其他实施例中，其还可以为其他连接方式，本发明对此不加以限制。
如图3所示，在本实施例中，所述间隔件171的反射面175包含斜切面，该斜切面有效地降低了在缝隙中的等离子体的自由程，降低了对间隔件171的高度要求，其结构简单，加工方便，同时还可以减薄现有间隔件171的厚度，节省所使用的材料，即所述斜切面除了具备上述反射面175的所有功能作用之外，还有效地降低了间隔件171的生产成本。在设置该斜切面的前提下，即使进一步减薄所述间隔件171的厚度，仍能保持该等离子体约束装置170对等离子体P的约束限制能力，同时满足腔室真空抽取的需求。
进一步的，所述斜切面与竖直方向的夹角范围为10°～50°。在其他因素(如等离子体P的入射方向等)保持不变的情况下，所述斜切面与竖直方向的夹角越大，该间隔件171对等离子体P的反射幅度越大，该等离子体P湮灭所需的间隔件171的高度越小，在实际应用中，可根据具体的应用需求设置不同的夹角。当然，两者的夹角范围不仅限于上述数据范围，在其他实施例中，其还可以为其他数据范围，本发明对此不加以限制。
可选的，所述间隔件171的高度范围为15毫米～27毫米。进一步的，所述反射面175(斜切面)在竖直方向的长度为间隔件171高度的40％～70％。由前述可知，所述间隔件171顶部的反射面175有效地降低了等离子体P湮灭所需的间隔件171的高度，因此，本发明中间隔件171的高度可远低于现有的间隔件171的高度，节约材料有助于降低生产成本，同时当其高度很低时所占用的空间也很小，有助于增加腔室内空间的利用率。可以理解的是，所述间隔件171的高度范围和反射面175的长度范围不仅限于上述，在其他实施例中，还可以为其他数值范围，本发明对此不加以限制。
如图3所示，在本实施例中，各相邻间隔件171之间的间距(d1)相等，以便所述等离子体约束装置170的加工与安装，另一方面，相邻间隔件171之间形成的各个气体通道172的宽度也相等，有助于气体抽取装置对腔内气压的均衡调控，有助于提升其调控精度。可选的，相邻间隔件171之间的间距范围为1.5毫米～4.5毫米，在实际应用中，可根据实际需求设置相邻间隔件171之间的间距，且所述间距的数值范围不仅限于上述数值。所述间隔件171的斜切面有效地降低了等离子体P湮灭所需的高度，即使增加相邻间隔件171之间的距离，也能保证其对等离子体P的约束能力。如图5所示，在另一实施例中，相邻间隔件171之间的距离为d2，其中，对d2＞d1，即使拓宽了相邻间隔件171之间的距离，仍可避免等离子体P进入非反应区域。
可以理解的是，各个相邻间隔件171之间的距离关系不仅限于上述，在其他实施例中，还可以根据实际应用需求和工艺环境进行设置，例如在其他实施例中，各个相邻间隔件171之间的间距不相等。
在实际工艺环境中，经由气体分配系统140进入真空反应腔100的工艺气体大部分扩散分布在晶圆W上方的区域中，对应的，将工艺气体激活为等离子体P后，所述等离子体P大部分位于上电极组件120和下电极组件110之间的反应区域中，部分等离子体P从反应区域向腔体侧壁102方向扩散，越靠近腔体侧壁102，等离子体P的浓度逐渐减小，对等离子体P的约束需求越小。可选的，靠近腔体侧壁102处的相邻间隔件171之间的间距大于靠近下电极组件110处的相邻间隔件171之间的间距，即靠近腔体侧壁102处的气体通道172的宽度大于靠近下电极组件110处的气体通道172的宽度，在实现对等离子体P进行约束的同时，增大了气流通路，保证了真空抽取装置160对腔内真空度的控制能力。示例的，在某一实施例中，靠近腔体侧壁102处的相邻间隔件171之间的间距为靠近下电极组件110处的相邻间隔件171之间的间距的两倍，仍能很好地限制等离子体P扩散，湮灭等离子体中的带电粒子，在此条件下，可以极大地增大了真空抽取装置160对真空反应腔100内真空度的控制能力。
当然，也可采用其他方式来满足不同区域对等离子体P约束能力的不同需求，例如设置不同的斜切面长度等，本发明对此不加以限制。示例的，在一实施例中，靠近下电极组件110处的间隔件171的斜切面与竖直方向的夹角大于远离下电极组件110处的间隔件171的斜切面与竖直方向的夹角，即靠近下电极组件110处的间隔件171对等离子体P的反射约束能力强于靠近腔体侧壁102的间隔件171对等离子体P的反射约束能力。
在本实施例中，所述间隔件171的制备材料包含铝，其加工难度较低且价格低廉。进一步的，为避免等离子体P对所述间隔件171的侵蚀，所述间隔件171的表面设置有耐等离子体P腐蚀膜层，以进一步保证所述间隔件171的使用寿命。可选的，所述耐等离子体P腐蚀膜层包含特氟龙膜层或氧化钇膜层或阳极氧化层中的至少一种。在本实施例中，所述间隔件171的顶面174、外侧面177和内侧面173均包含铝基氧化钇镀层，以防止等离子体P的侵蚀。进一步的，所述间隔件171的底面做阳极氧化处理并与中接地环181接触，阳极氧化铝接地确保了等离子体约束装置170通过大电容进行接地，保证等离子体约束装置170底部不因与接地面电势差过大而产生新的等离子体。可以理解的是，所述耐等离子体P腐蚀膜层的材料类型不仅限于上述，在其他实施例中，其还可以包含其他材料类型的膜层，本发明对此不加以限制。
实施例二
基于实施例一的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对其等离子体约束装置的间隔件271做出了一些改变。
如图6所示，为本实施例的一种间隔件271示意图。在本实施例中，所述间隔件271同样包含内侧面273、外侧面277和顶面，其顶面包含反射面275，至少一个间隔件271的反射面275上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面273上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离。与实施例一不同的是，在本实施例中，所述反射面275包含凹型弧段结构，该凹型弧段结构同样可实现前述的反射面275对等离子体的约束限制作用，其所属的等离子体约束装置对等离子体的约束能力远高于现有的等离子体约束装置，该等离子体约束装置在实现对等离子体约束的同时还可以保证真空抽取装置对腔内气压的调控能力和精度，有助于保证晶圆的处理效果。可以理解的是，所述反射面275不仅限于包含上述凹形弧段结构，理论上其还可以包含凸形弧段结构，同样可实现相同的功能效果。
进一步的，本实施例的其他结构及各组件的连接、作用方式，如上电极组件或下电极组件的设置等均可与实施例一的相似或相同，在此不再加以赘述。
实施例三
基于实施例一的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对其等离子体约束装置的间隔件371做出了一些改变。
与实施例一不同的是，本实施例的间隔件371包含内侧面373和反射面375，所述反射面375包含多级台阶结构。所述多级台阶结构可调节所述间隔件371对等离子体的反射方向，有助于降低等离子体的自由程，降低其湮灭对间隔件371的高度需求。可选的，所述多级台阶结构的台阶为斜切面结构或平面结构或凹型弧段结构或凸形弧段结构中的至少一种。本发明对所述多级台阶结构的每级台阶的形状结构不做限制，多级台阶可为任意形状或形状的组合。示例的，如图7所示，在一实施例中，所述多级台阶结构包含斜切面结构和平面结构；又如图8所示，所述多级台阶结构包含凸形弧段结构，上述间隔件371所述的等离子体约束装置均可实现对等离子体的良好约束，同时保证真空抽取装置对腔内压力的调节能力和精度。
进一步的，本实施例的其他结构及各组件的连接、作用方式，如上电极组件或下电极组件的设置等均可与实施例一的相似或相同，在此不再加以赘述。
需要说明的是，本发明中所述等离子体约束装置170的间隔件171的反射面175不仅限于包含上述斜切面结构或弧段结构，其还可以为其他可降低等离子体P自由程的结构，本发明对此不加以限制，例如在另一实施例中，所述间隔件171的反射面175包含波浪结构。
进一步的，本发明中的等离子体约束装置170不仅限用于上述电容耦合型等离子体处理装置，其也适用于其他类型的等离子体处理装置，如电感耦合型等离子体处理装置(ICP)等，本发明对此不加以限制。
综上所述，本发明的一种等离子体约束装置170及其等离子体处理装置中，该等离子体约束装置170包含的至少一个间隔件171的顶面174包含一朝向所述下电极组件110设置的反射面175，所述反射面175上所有位置到所述下电极组件110的中心轴的距离均大于其内侧面173上所有位置到所述下电极组件110中心轴的距离。该等离子体约束装置170通过在其间隔件171上设置反射面175，有效地降低了等离子体P湮灭所需要的气体通道172的缝隙深度，极大地降低了缝隙中的等离子体P的自由程，也降低了对间隔件171高度的要求；同时该反射面175还在一定程度上拓宽了相邻间隔件171之间的气体通道172的气流通路，有效地提升了对真空抽取装置160的抽真空能力的利用率，提升其对腔体气压的控制精度。该等离子体约束装置170在满足真空抽气需求的同时，增大了其对等离子体P的限制能力，可实现各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆W处理效果。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (19)

1.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件，其特征在于，
所述等离子体约束装置设置于所述真空反应腔的腔体侧壁和所述下电极组件之间，所述等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。
2.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述间隔件的反射面包含斜切面。
3.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述斜切面与竖直方向的夹角范围为10°～50°。
4.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述间隔件的反射面包含凹型弧段结构。
5.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述间隔件的反射面包含多级台阶结构。
6.如权利要求5所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述多级台阶结构的台阶为斜切面结构或平面结构或凹型弧段结构或凸形弧段结构中的至少一种。
7.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述间隔件的反射面包含波浪结构。
8.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
各相邻间隔件之间的间距相等或不相等。
9.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
靠近腔体侧壁处的相邻间隔件之间的间距大于靠近下电极组件处的相邻间隔件之间的间距。
10.如权利要求1或9所述的等离子体约束装置，其特征在于，
靠近腔体侧壁处的相邻间隔件之间的间距为靠近下电极组件处的相邻间隔件之间的间距的两倍。
11.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于，
靠近下电极组件处的间隔件的斜切面与竖直方向的夹角大于远离下电极组件处的间隔件的斜切面与竖直方向的夹角。
12.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
相邻间隔件之间的间距范围为1.5毫米～4.5毫米。
13.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述间隔件的高度范围为15毫米～27毫米。
14.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述反射面在竖直方向的长度为所述间隔件高度的40％～70％。
15.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述间隔件的表面设置有耐等离子体腐蚀膜层。
16.如权利要求15所述的等离子体约束装置，其特征在于，
所述耐等离子体腐蚀膜层包含特氟龙膜层或氧化钇膜层或阳极氧化层中的至少一种。
17.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
各个间隔件之间通过连接件连接。
18.如权利要求17所述的等离子体约束装置，其特征在于，
各个间隔件与所述连接件一体成型。
19.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：
真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件；
如权利要求1～18任一项所述的等离子体约束装置，其位于所述真空反应腔内。
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