TWM629686U - 等離子體處理裝置 - Google Patents

Abstract

本創作公開了一種等離子體處理裝置，包含：真空反應腔，真空反應腔內具有下電極元件；等離子體約束裝置，其環繞設置於下電極元件的外側；排氣口，其設置於真空反應腔的底部且位於等離子體約束裝置下側，用於將真空反應腔內部的氣體排出；等離子體約束裝置包括第一區域和第二區域，第一區域到排氣口的距離小於所述第二區域到排氣口的距離；氣流擋板，其設置於等離子體約束裝置的下方，氣流擋板上開設有氣流口，氣流口位於第二區域的下方。其優點是：該裝置通過將等離子體約束裝置、氣流擋板等結構相結合，通過氣流擋板增加氣體行走路徑，減緩了等離子體約束裝置和排氣口之間氣體的流速，有助於實現晶圓蝕刻速率的均勻性，保證晶圓蝕刻效果。

Description

等離子體處理裝置

本創作涉及半導體設備的領域，具體涉及一種等離子體處理裝置。

在半導體晶圓處理過程中，晶圓處理產生的反應副產物也可能會隨之停留在真空反應腔內。舉例來說，反應副產物可能充滿真空反應腔下方的處理區域內部或外面的區域。若反應副產物到達這些區域，則這些區域可能隨之發生腐蝕、澱積或者侵蝕，這會造成反應腔內部的顆粒玷污，進而降低等離子處理裝置的重複使用性能，並可能會縮短反應腔或反應室零部件的工作壽命。反應副產物過多會影響等離子處理裝置對半導體晶圓的進一步處理，容易摻有雜質。通常業內人士普遍採用在真空反應腔外接一個真空泵，真空泵通過一排氣口將反應副產物及時排出真空反應腔。

在等離子體處理裝置中，由於需要考慮包括處理裝置的整個系統結構合理，真空反應腔的排氣口通常不在真空反應腔的正下方，而是偏向腔體的一側，如對於雙腔系統共用一套排氣系統，通過真空泵把製程過程中產生的廢棄產物抽排至真空反應腔外。在這個過程中，由於排氣口偏向腔體的一側，靠近排氣口一側的抽氣效率會更高，反應氣體在晶圓邊緣的不同位置的停留時間不等，導致晶圓蝕刻速率偏邊，容易造成晶圓蝕刻不均勻。特別地，在產生聚合物較多的製程過程中，蝕刻速率偏邊的情況會愈實用新型顯，靠近排氣口一側的聚合物更快的被抽走，而遠離排氣口的一側聚合物堆積阻擋了反應氣體與晶圓的反應，所以導致靠近排氣口的蝕刻速率會高於遠離排氣口一側的蝕刻速率，無法保證晶圓蝕刻效果。

本創作的目的在於提供一種等離子體處理裝置，通過在等離子體約束裝置和排氣口之間設置氣流擋板以增加氣體行走路徑，減緩了排氣口一側氣體的流通速率，有助於實現晶圓蝕刻速率的均勻性，進一步實現晶圓蝕刻的均勻性，保證晶圓蝕刻效果。

為了達到上述目的，本創作通過以下技術方案實現： 一種等離子體處理裝置，包含： 真空反應腔，所述真空反應腔內具有下電極元件； 等離子體約束裝置，其環繞設置於所述下電極元件的外側； 排氣口，其設置於真空反應腔的底部且位於所述等離子體約束裝置下側，用於將真空反應腔內部的氣體排出； 所述等離子體約束裝置包括第一區域和第二區域，所述第一區域到排氣口的距離小於所述第二區域到排氣口的距離； 氣流擋板，其設置於所述等離子體約束裝置的下方，所述氣流擋板上開設有氣流口，所述氣流口位於第二區域的下方。

較佳的，所述第二區域的範圍小於或等於所述第一區域的範圍。

較佳的，所述氣流口的位置與所述排氣口的位置對應於所述等離子體約束裝置的軸線對稱。

較佳的，所述氣流擋板包括多個臺階板，所述氣流口位於所述臺階板上。

較佳的，所述氣流擋板包括第一臺階板和第二臺階板，所述第一臺階板與第二臺階板為環形，兩者之間成一夾角連接，且第二臺階板相對於第一臺階板更接近真空反應腔的側壁，所述第一臺階板和/或第二臺階板上開設有所述氣流口。

較佳的，所述氣流擋板還包括與第一臺階板的底端連接的多個第一氣流隔絕片，所述第一氣流隔絕片位於第一區域的下方。

較佳的，所述第一臺階板和/或所述第二臺階板和/或所述第一氣流隔絕片一體成型。

較佳的，所述氣流擋板還包括與第二臺階板的頂端連接的多個第二氣流隔絕片，所述第二氣流隔絕片位於第一區域的下方。

較佳的，所述第一臺階板和/或所述第二臺階板和/或所述第二氣流隔絕片一體成型。

較佳的，所述氣流擋板為漏斗形，其漏斗的側壁上開設有氣流口。

較佳的，所述氣流口的開口面積為所在第一臺階板和/或第二臺階板的面積的六分之一至三分之一。

較佳的，所述氣流口的開口面積為所在第一臺階板和/或第二臺階板的面積的四分之一。

較佳的，所述氣流口的開口面積小於等於所述排氣口的面積。

較佳的，所述氣流擋板的材料包括鋁合金或工程塑料或不銹鋼； 和/或，所述氣流擋板的表面設有耐腐蝕性材料鍍層。

較佳的，所述耐腐蝕性材料鍍層為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化層。

本創作與現有技術相比具有以下優點： 本創作提供的一種等離子體處理裝置，將等離子體約束裝置、排氣口和氣流擋板等結構相結合，氣流擋板上開設氣流口，所述氣流口位於所述等離子體約束裝置第二區域的下方，有效地減緩了排氣口處氣體流通的速率，使晶圓周圍各方向的抽氣速率均勻，有助於提高晶圓蝕刻速率的均勻性，保證晶圓的蝕刻效果，以得到最優的製程對稱性效果；另一方面，氣流擋板的設置也進一步防止了氣體抽取裝置或其他來源的微小顆粒污染物返流到反應區域，避免造成晶圓表面的污染。

為利於瞭解本創作的特徵、內容與優點及其所能達成的功效，將本創作配合附圖，並以實施方式的表達形式詳細說明如下，而其中所使用的附圖，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本創作實施後的真實比例與精准配置，故不應就所附的附圖式的比例與配置關係解讀、局限本創作於實際實施上的權利範圍。

需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本創作實施例的目的。

實施例一

如圖1所示，為本創作的一種等離子體處理裝置可以為電容耦合等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置包含：一真空反應腔100，其由反應腔腔體101和腔體端蓋102包圍而成，所述反應腔腔體101上設置一晶圓傳輸口（圖中未示出），該晶圓傳輸口用於實現晶圓在真空反應腔100內外之間傳輸。所述真空反應腔100內包含一下電極元件110，其設置於所述真空反應腔100內底部，所述下電極元件110設置有承載面，傳入所述真空反應腔100內的待處理晶圓W放置在所述承載面上。所述真空反應腔100內還包含與所述下電極元件110相對設置的上電極元件120，至少一射頻電源130通過匹配網路施加到所述下電極元件110，以將製程氣體解離為等離子體，使所述上電極元件120和所述下電極元件110之間為等離子體環境，該等離子體環境中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理晶圓W的表面發生多種物理和/或化學反應，使得待處理晶圓W的形貌發生改變，從而完成對待處理晶圓W的處理。

進一步的，所述真空反應腔100上開設有排氣口103，具體地，所述排氣口103設置於真空反應腔100的底部即反應腔腔體101的底部，一氣體抽取裝置通過所述排氣口103將真空反應腔100內部的氣體即反應廢棄產物排至腔外。較佳的，所述氣體抽取裝置可以為分子泵或乾式真空泵，當然，所述氣體抽取裝置的結構不僅限於此，其還可以為其他任意可實現相同氣體抽取功能的裝置。

如圖1所示，該等離子體處理裝置還包含等離子體約束裝置140，所述等離子體約束裝置140環繞設置於所述下電極元件110的外側。所述等離子體約束裝置140將等離子體約束在上電極元件120和下電極元件110之間的反應區域，以避免等離子體洩露到非反應區域，造成非反應區域的部件損傷。較佳的，所述等離子體約束裝置140上開設有多個圓周槽孔以使氣體流通。

如圖1~圖3結合所示，所述等離子體約束裝置140包括第一區域141和第二區域142，所述排氣口103位於所述等離子體約束裝置140下側，所述第一區域141到排氣口103的距離小於所述第二區域142到排氣口103的距離。如圖2和圖3結合所示，為等離子體約束裝置140的第一區域141和第二區域142相對於所述排氣口103的兩種位置關係，所述等離子體約束裝置140的第一區域141的範圍可大於、等於或小於所述第二區域142的範圍，具體可根據實際應用進行設置。

如圖1、圖4和圖5結合所示，所述真空反應腔100還包含氣流擋板150，所述氣流擋板150設置於所述等離子體約束裝置140的下方，所述氣流擋板150上開設有氣流口153，所述氣流口153位於所述等離子體約束裝置140的第二區域142的下方。上電極元件120和下電極元件110之間的反應區域內的氣體經所述等離子體約束裝置140的圓周槽孔流入真空反應腔100的底部，所述氣流擋板150遮擋在等離子體約束裝置140和排氣口103之間，起到一定的阻擋作用。另一方面，所述氣流擋板150設置於所述等離子體約束裝置140和排氣口103之間，增加了排氣口103和晶圓W之間的遮擋，避免了在製程過程中氣體抽取裝置或製程過程中排出的一些微小顆粒從排氣口103返流回晶圓W片上，造成晶圓W的污染。

進一步的，所述氣流擋板150包括多個臺階板，所述氣流口153位於所述臺階板上。多個臺階板增加了氣流擋板在腔室中佈置的靈活性，可以根據腔室底部其他部件的位置進行調整，此外臺階板也為連通排氣口103的排氣通道形狀提供了變化方案，可以根據具體製程需求，使用臺階板的不同組合控制流量的阻擋程度，較佳的，所述氣流擋板150包括第一臺階板151和第二臺階板152，所述第一臺階板151與第二臺階板152為環形，兩者之間成一夾角連接，具體角度可以根據其他部件及製程需求進行設計，且第二臺階板152相對於第一臺階板151更接近真空反應腔100的側壁，所述第一臺階板151和/或第二臺階板152上開設有所述氣流口153。所述氣流口153的開口面積為所在第一臺階板151和/或第二臺階板152的面積的六分之一至三分之一，以使氣流擋板150達到更大的均勻氣流效果。

如圖4和圖5結合所示，在本實施例中，所述第一臺階板151和所述第二臺階板152之間的夾角為直角，即所述第一臺階板151為垂直的環形結構，所述第二臺階板152為平面環形結構。所述第一臺階板151底部與所述真空反應腔100的底部接觸，所述第二臺階板152的一端與所述真空反應腔100的側壁接觸，所述第二臺階板152的高度高於所述排氣口103的頂部的高度，所述第一臺階板151上開設有氣流口153。所述氣流擋板150與真空反應腔100的側壁之間形成一個環狀通道，經所述等離子體約束裝置140的圓周槽孔流下的氣體先彙聚在所述等離子體約束裝置140和氣流擋板150之間，然後氣體通過所述第一臺階板151上的氣流口153流經環狀通道，進而經排氣口103排出所述真空反應腔100。

所述氣流擋板150使氣體的行走路徑發生改變，氣體不會直接從等離子體約束裝置140處流向排氣口103，而是經氣流口153流向排氣口103。因所述氣流口153位於所述等離子體約束裝置140的第二區域142的下方，且所述第二區域142處於遠離排氣口103的一側，所述氣流擋板150使氣體的行走路徑增長，有助於減少靠近排氣口103的一側的氣體流速。從等離子體約束裝置140的第一區域141流出氣體的流通速率趨近於從第二區域142流出氣體的流通速率，使等離子體約束裝置140的周向的氣體流通速率趨近於穩定，上電極元件120和下電極元件110之間的反應區域周向的氣體流通速率趨於相同，有助於晶圓W蝕刻的均勻性，不會產生晶圓W蝕刻偏邊的現象，保證晶圓W的蝕刻效果，以得到最佳的製程對稱性效果。

當然，所述氣流擋板150的形狀與結構不僅限於上述結構，其還可以為其他可阻隔氣體流動的結構，其具體結構可根據真空反應腔100內部其他部件的安置需求或其他因素做出改變。所述氣流擋板150可以開設有多個氣流口153，以實現氣體的多向流通，通過不同氣流口153的大小和位置組合實現氣流方向和大小的微調。另一方面，所述氣流擋板150可不完全與所述真空反應腔100的側壁和/或底部接觸，同樣可起到阻隔氣體流動的作用，以增強晶圓W蝕刻的均勻性。

在本實施例中，所述等離子體約束裝置140的第二區域142的範圍小於所述第一區域141的範圍。較佳地，所述氣流口153的位置與所述排氣口103的位置對應於所述等離子體約束裝置140的軸線對稱，即所述氣流口153處於所述排氣口103的對面，最大化氣體的排出路徑長度，降低流速達到蝕刻均勻，所述氣流擋板150在排氣口103處無開口，反應區域流來的氣體都需要經過所述氣流口153到達所述氣流擋板150和真空反應腔100的側壁之間的環狀通道，進而經排氣口103排出真空反應腔100。

在本實施例中，所述氣流口153的開口面積為所在第一臺階板151的面積的四分之一，以便於氣體的輸送。所述第一臺階板151和所述第二臺階板152一體成型，以便氣流擋板150的安裝與使用。

較佳的，所述氣流擋板150的材料包括鋁合金或工程塑料或不銹鋼，避免了製程過程中產生顆粒污染的問題。進一步的，所述氣流擋板150的表面設有耐腐蝕性材料鍍層，以防止輸送的氣體或等離子體對所述氣流擋板150的腐蝕，提高氣流擋板150的使用壽命，減少了物料資源的浪費。較佳的，所述耐腐蝕性材料鍍層為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化層。

實施例二

基於實施例一的等離子體處理裝置的結構特性，本實施例主要針對所述氣流擋板250的結構做出了一些改變。

如圖6和圖7結合所示，為本實施例的等離子體處理裝置的氣流擋板250的結構示意圖。與實施例一相比，本實施例中的氣流擋板250包含相互連接的第一臺階板251和第二臺階板252，所述第一臺階板251和所述第二臺階板252之間的夾角為鈍角，即所述第一臺階板251為垂直的環形結構，所述第二臺階板252為漏斗形結構。所述第一臺階板251的底部與所述真空反應腔的底部接觸，所述第二臺階板252的一側與所述真空反應腔的側壁接觸，所述第二臺階板252的高度高於所述排氣口的頂部的高度，所述第一臺階板251上開設有氣流口253。本實施例中的等離子體處理裝置中，氣流擋板250可較好地適應等離子體約束裝置的下方的空間的安裝需求，便於安置製程所需的其他部件，有助於利用提高真空反應腔的內部空間的空間利用率。

另外，本實施例的其他結構及各元件作用方式，如上電極元件、下電極元件等，都與實施例一中的元件相同，在此不再加以贅述。

實施例三

基於實施例一的等離子體處理裝置的結構特性，本實施例主要針對所述氣流擋板350的結構做出了一些改變。

如圖8所示，為本實施例的等離子體處理裝置的氣流擋板350的結構示意圖。與實施例一相比，本實施例中的氣流擋板350包含第一臺階板351、第二臺階板352和多個第一氣流隔絕片353。

所述第一臺階板351和所述第二臺階板352為環形結構，兩者之間成一夾角連接，且所述第二臺階板352相對於第一臺階板351更接近真空反應腔的側壁。具體地，第一臺階板351的底部與所述真空反應腔的底部接觸，所述第一氣流隔絕片353位於等離子體約束裝置的第一區域的下方並與所述第一臺階板351的底端連接，所述第二臺階板352的一側與所述真空反應腔的側壁接觸，所述第一臺階板351上開設有所述氣流口354。在本實施例中，所述第一臺階板351、所述第二臺階板352和所述第一氣流隔絕片353一體成型。

在本實施例中，所述氣流擋板350的第一氣流隔絕片353可進一步阻擋氣體從氣流擋板350的底部流出，從等離子體約束裝置流出的氣體只能從氣流口354流至氣流擋板350和真空反應腔側壁之間的環狀通道。較佳地，所述氣流擋板350靠近排氣口處設置有多個第一氣流隔絕片353，靠近排氣口處氣體抽取裝置對於氣體的吸力最大，第一氣流隔絕片353削減了氣體抽取裝置對此處氣體的吸力，有助於維護各方位氣體吸力的均衡，維護氣體流通速率的均衡性，有助於實現晶圓W蝕刻的均勻性。

另外，本實施例的其他結構及各元件作用方式，如上電極元件、下電極元件等，都與實施例一中的元件相同，在此不再加以贅述。

實施例四

基於實施例一或實施例三的等離子體處理裝置的結構特性，本實施例主要針對所述氣流擋板450的結構做出了一些改變。

如圖9所示，為本實施例的等離子體處理裝置的氣流擋板450的結構示意圖。與實施例一相比，本實施例中的氣流擋板450包含第一臺階板451、第二臺階板452和多個第二氣流隔絕片453。

所述第一臺階板451和所述第二臺階板452為環形結構，兩者之間成一夾角連接，所述第二臺階板452相對於第一臺階板451更接近真空反應腔的側壁，所述第一臺階板451上開設有氣流口454。所述第二氣流隔絕片453位於等離子體約束裝置的第一區域的下方並與所述第二臺階板452的頂端連接。在本實施例中，所述第一臺階板451、所述第二臺階板452和所述第二氣流隔絕片453一體成型。

在本實施例中，所述第二氣流隔絕片453可進一步阻擋氣體從第二臺階板452的頂部流出。較佳地，所述氣流擋板450靠近排氣口處設置有多個第二氣流隔絕片453，靠近排氣口處氣體抽取裝置對於氣體的吸力最大，第二氣流隔絕片453削減了氣體抽取裝置對此處氣體的吸力，有助於維護各方位氣體吸力的均衡，維護氣體流通速率的均衡性，有助於實現晶圓W蝕刻的均勻性。

當所述第一臺階板451和所述第二臺階板452可完全將所述等離子體約束裝置和所述排氣口分為兩個空間時，所述第二氣流隔絕片453可進一步阻擋氣體從第二臺階板452的頂部流出，從等離子體約束裝置流出的氣體只能從氣流口454流至氣流擋板450和真空反應腔側壁之間，增加氣體的流通行走路徑，有利於維護晶圓W蝕刻的均衡性。當所述第一臺階板451和所述第二臺階板452未完全將所述等離子體約束裝置和所述排氣口分為兩個空間時，所述第二氣流隔絕片453可減緩此處氣體的流通速率，增加氣體行走路徑，促使周向氣體流通速率趨於相同，有利於晶圓W蝕刻的均勻。

另外，本實施例的其他結構及各元件作用方式，如上電極元件、下電極元件等，都與實施例一中的元件相同，在此不再加以贅述。

在另一實施例中，所述氣流擋板還可同時包含多個第一氣流隔絕片和第二氣流隔絕片，所述氣流擋板將等離子體約束裝置下方的空間完全劃分為兩個子空間，兩個子空間之間僅能通過氣流擋板上開設的氣流口流通，該氣流擋板可進一步提升蝕刻速率的均勻性，解決蝕刻速率偏邊的問題。

實施例五

基於實施例一的等離子體處理裝置的結構特性，本實施例主要針對所述氣流擋板550的結構做出了一些改變。

如圖10所示，為本實施例的等離子體處理裝置的氣流擋板550的結構示意圖。與實施例一相比，本實施例中的氣流擋板550為漏斗形，其漏斗的側壁上開設有氣流口551。所述氣流口551的開口面積小於等於所述排氣口的開口面積。眾所周知，真空反應腔內空間有限，但晶圓W蝕刻製程的實現需要多種零部件的共同配合，如何在有限的空間中實現多部件的合理安置是一個非常重要的問題。漏斗形的氣流擋板550可進一步節省真空反應腔內的空間，有利於提高真空反應腔內部的空間利用效率。

另外，本實施例的其他結構及各元件作用方式，如上電極元件、下電極元件等，都與實施例一中的元件相同，在此不再加以贅述。

綜上所述，本創作提供了一種等離子體處理裝置，該裝置通過將等離子體約束裝置140、排氣口103和氣流擋板150等結構相結合，氣流擋板150上開設氣流口153，所述氣流口153位於所述等離子體約束裝置140的第二區域142的下方（遠離排氣口103的一側），有效地減緩了排氣口103處氣體流通的速率，使各方向的抽氣速率均勻，有助於提高晶圓W蝕刻速率的均勻性，保證晶圓W的蝕刻效果；另一方面，氣流擋板150的設置也進一步避免了氣體抽取裝置或其他來源的微小顆粒污染物返流，造成晶圓W蝕刻的污染。

本創作提供的等離子體處理裝置也可以是電感耦合等離子體處理裝置，區別在於利用電感線圈激發等離子體。

儘管本創作的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本創作的限制。在本創作所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本創作的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本創作的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。

100:真空反應腔 101:反應腔腔體 102:腔體端蓋 103:排氣口 110:下電極元件 120:上電極元件 130:射頻電源 140:等離子體約束裝置 141:第一區域 142:第二區域 150,250,350,450,550:氣流擋板 151,251,351,451:第一臺階板 152,252,352,452:第二臺階板 153,253,354,454,551:氣流口 353:第一氣流隔絕片 453:第二氣流隔絕片 W:晶圓

圖1為本創作的一種等離子體處理裝置； 圖2為本創作的一種等離子體約束裝置的區域分割和排氣口相對位置示意圖； 圖3為本創作的另一種等離子體約束裝置的區域分割和排氣口相對位置示意圖； 圖4為本創作實施例一的氣流擋板立體結構示意圖； 圖5為本創作實施例一的氣流擋板截面示意圖； 圖6為本創作實施例二的氣流擋板立體結構示意圖； 圖7為本創作實施例二的氣流擋板截面示意圖； 圖8為本創作實施例三的氣流擋板立體結構示意圖； 圖9為本創作實施例四的氣流擋板截面示意圖；以及 圖10為本創作實施例五的氣流擋板截面示意圖。

100:真空反應腔

101:反應腔腔體

102:腔體端蓋

103:排氣口

110:下電極元件

120:上電極元件

130:射頻電源

140:等離子體約束裝置

150:氣流擋板

W:晶圓

Claims (15)

1. 一種等離子體處理裝置，其中，包含： 一真空反應腔，該真空反應腔內具有一下電極元件； 一等離子體約束裝置，其環繞設置於該下電極元件的外側； 一排氣口，其設置於該真空反應腔的底部且位於該等離子體約束裝置的下側，用於將該真空反應腔內部的氣體排出； 該等離子體約束裝置包括一第一區域和一第二區域，該第一區域到該排氣口的距離小於該第二區域到該排氣口的距離； 一氣流擋板，其設置於該等離子體約束裝置的下方，該氣流擋板上開設有一氣流口，該氣流口位於該第二區域的下方。
2. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該第二區域的範圍小於或等於該第一區域的範圍。
3. 如請求項2所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流口的位置與該排氣口的位置對應於該等離子體約束裝置的軸線對稱。
4. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流擋板包括多個臺階板，該氣流口位於該臺階板上。
5. 如請求項4所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流擋板包括一第一臺階板和一第二臺階板，該第一臺階板與該第二臺階板為環形，兩者之間成一夾角連接，且該第二臺階板相對於該第一臺階板更接近該真空反應腔的側壁，該第一臺階板和/或該第二臺階板上開設有該氣流口。
6. 如請求項5所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流擋板還包括與該第一臺階板的底端連接的多個第一氣流隔絕片，該第一氣流隔絕片位於該第一區域的下方。
7. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中， 該第一臺階板和/或該第二臺階板和/或該第一氣流隔絕片一體成型。
8. 如請求項7所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流擋板還包括與該第二臺階板的頂端連接的多個第二氣流隔絕片，該第二氣流隔絕片位於該第一區域的下方。
9. 如請求項8所述的等離子體處理裝置，其中， 該第一臺階板和/或該第二臺階板和/或該第二氣流隔絕片一體成型。
10. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流擋板為漏斗形，其漏斗的側壁上開設有該氣流口。
11. 如請求項4所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流口的開口面積為所在一第一臺階板和/或一第二臺階板的面積的六分之一至三分之一。
12. 如請求項4或11所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流口的開口面積為所在第一臺階板和/或第二臺階板的面積的四分之一。
13. 如請求項10所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流口的開口面積小於等於該排氣口的面積。
14. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流擋板的材料包括鋁合金或工程塑料或不銹鋼； 和/或，該氣流擋板的表面設有一耐腐蝕性材料鍍層。
15. 如請求項14所述的等離子體處理裝置，其中， 該耐腐蝕性材料鍍層為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化層。

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