KR101068746B1 - 유도 결합 코일 및 그 유도 결합 플라즈마 장치 - Google Patents

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지안회이 난
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베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디.
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Abstract

유도 결합 코일은 동일한 구조를 가진 다수의 분리부를 구비한다. 다수의 분리부는 동축이고 축에 대해 대칭으로 분포된다. 유도 결합 코일에 적용하는 유도 결합 플라즈마 장치는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 상에 세팅된 유전 윈도우를 구비하고, 상기 유도 결합 코일은 상기 유전 윈도우 상에 세팅되고 RF 어댑터를 통해 RF 소스와 연결된다.

Description

유도 결합 코일 및 그 유도 결합 플라즈마 장치{INDUCTIVE COUPLING COIL AND INDUCTIVE COUPLING PLASMA APPARATUS THEREOF}
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공 장치용 부재에 관한 것으로서, 특히 유도 결합 코일 및 이 유도 결합 코일을 채용한 플라즈마 장치에 관한 것이다.
현재 전자 기술의 고속 발전에 따라 사람들은 집적회로의 집적도에 대한 요구가 날로 높아지고 있으며, 이는 집적회로를 생산하는 기업이 계속적으로 반도체 웨이퍼의 가공능력을 향상시키도록 요구하고 있다. 플라즈마 장치는 IC(집적회로) 또는 MEMS(미세전자기계시스템) 소자의 제조 공정 중에 광범위하게 응용되고 있다. 여기서, ICP(유도 결합 플라즈마 장치)는 식각 공정 중 광범위하게 응용되고 있다. 저압에서 반응기체는 무선 주파수 파워의 여기하에 전리로 플라즈마를 형성하고 플라즈마에는 다량의 전자, 이온, 여기상태의 원자, 분자 및 자유래디컬 등 활성 입자를 포함하는데, 이러한 활성 입자 및 식각되는 물질의 표면은 각종 물리 및 화학반응을 발생시키고 휘발성 생성물을 형성함으로써 재료 표면 성질이 변화된다.
도 1이 나타내는 유도 결합 플라즈마 장치는 현재 대다수 반도체 식각 장치가 채용하는 구조이다. 반도체 가공 공정에서 유전체 윈도우(1) 중앙의 진입구(2)로부터 반응 챔버(3)로 진입한 공정 기체는 상방의 유도 결합 코일(4)에 의해 전리되어 플라즈마를 형성하고, 생성된 플라즈마는 웨이퍼(5) 표면의 재질을 식각한다. 시스템의 분자 펌프는 배기구(6)로부터 반응 챔버(3)의 기체를 추출하여 배출한다. 이 과정에서 기체를 전리시켜 플라즈마를 생성하는 무선 주파수 파워는 유도 결합 코일(4)로부터 온다. 현재 유도 결합 코일(4)에 있어 가해지는 여기방식은 13.56MHz 무선 주파수를 가하여, 유도 결합 코일(4) 내 무선 주파수 전류가 있어 변화하는 자기장을 생성하는 것이다. 패러데이 전자기 유도 법칙에 따라 이 변화하는 자기장은 전기장을 유도함으로써 반응 챔버(3) 내 반응기체를 전리시켜 플라즈마로 생성한다. 여기된 플라즈마는 챔버(3) 내에서 부재와 상호 작용하여, 부재에 대해 식각 또는 부재 상에 물질을 증착한다. 부재는 일반적으로 원형 평면의 반도체 웨이퍼이다. 배기 방식 또는 반응 챔버(3)의 비대칭으로 인해 일반적으로 반응 챔버(3) 내 입자 밀도, 온도 및 플럭스의 비대칭이 일어난다. 기체 흐름의 비대칭은 플라즈마 전도율의 비대칭을 유발시키고, 플라즈마 전도율의 비대칭은 파워 증착의 뷸균일을 유도하여 전자 충돌 전리의 불균일을 일으킨다. 웨이퍼(5)의 크기가 증가함에 따라 반응 챔버(3)의 부피도 따라서 증가하며, 가장자리와 중심의 플라즈마 밀도의 분포의 불균일성도 더욱 명확해진다. 따라서, 현재 대다수의 식각 장치는 모두 식각율이 불균일한 문제가 존재하며, 이는 반도체 제조 공정에 큰 불리한 영향을 조성한다.
식각 물질의 표면에 비교적 균일한 식각율을 얻기 위해, 반응 챔버(3) 내 웨이퍼(5) 상방에 비교적 균일한 플라즈마 밀도 분포를 획득해야할 필요가 있으며, 즉 웨이퍼(5) 상에 비교적 균일한 플라즈마 분포를 획득함으로써 식각 품질을 향상시킬 수 있다.
도 2에서 도시한 바와 같이, 현재 통용되는 유도 결합 코일(4)의 구조는 평면 나선 구조이고, 여기되는 플라즈마는 매우 불균일하다. 상기 유도 결합 코일이 반응 챔버의 중앙 부분에서 여기시키는 전자기장이 비교적 강하므로, 중앙부분에서 생성되는 플라즈마의 밀도는 비교적 높아, 오직 분산에 의해서만 주변의 밀도가 낮은 영역을 보완할 수 있으므로 이는 기체 압력에 대한 의존성을 크게 증가시켜 1-10mTorr의 범위 내에서만 최고의 응용 성능을 나타낼 수 있게 된다. 이로 인해 공정의 조절 가능한 윈도우는 아주 작아지게 되고, 반도체 제조 공정에 큰 제약을 만들게 된다. 플라즈마 밀도 분포가 불균일할 때, 웨이퍼 상의 식각 깊이 또는 재료가 웨이퍼 상에서 증착되는 두께도 불균일하게 되어 이로부터 소자의 품질을 떨어뜨리게 된다. 특히 웨이퍼의 크기가 100mm에서 300mm로 증가할 때, 반응 챔버의 부피도 따라 커져서, 만약 분산에만 의존하여 플라즈마 밀도를 균일하게 하고자 하는 것은 매우 비현실적인 것이다.
또한, 웨이퍼의 직경이 300mm에 도달하는 경우 이에 따라 유도 결합 코일의 크기도 증가시켜야 하며, 웨이퍼를 가공하는 데 사용되는 플라즈마 챔버의 부피도 증가시켜야 할 필요가 있어, 이로부터 유전 윈도우(1)의 두께는 반드시 이에 따라 증가해야 한다. 그렇지 않으면, 유전 윈도우(1)는 챔버 외의 대기압과 챔버 내의 진공 사이의 압력차를 견디기 어렵게 된다. 그러나 전자 주파수 필드가 유전 윈도우(1)를 투과한 후 불충분한 플럭스 밀도로 플라즈마를 여기하여, 두꺼워진 유전 윈도우(1)는 에너지의 결합 효율이 떨어진다. 또한, 웨이퍼의 직경이 증가함에 따라 이러한 종류의 전통적인 유도 결합 코일의 길이도 현저히 증가하고, 전자 주파수 여기 소스의 8분의 1 파장에 근접하거나 초과하게 된다. 이렇게 유도 결합 코일의 전송선의 효과가 명확히 나타나, 전류 및 전압의 현저한 변화를 생성함으로써, 자기장 플럭스 밀도가 플라즈마 중 뚜렷이 변화하게 되어 불균일한 플라즈마 밀도를 형성함으로써, 부재 가공의 불균일을 조성한다.
다른 방면에서, 유도 결합 코일의 크기가 증가할 때, 그 유도도 따라 변화하게 되고, 이에 따라 유도 결합 코일의 양단의 전압도 따라서 증가한다. 큰 전압은 유도 결합 코일 및 플라즈마 사이에 정전용량 결합을 일으키고 이러한 정전용량 결합은 이온의 에너지를 증가시켜, 정확히 제어 처리를 하기 어렵게 되어, 웨이퍼의 미세 부하 효과를 증가시켜 소자의 품질을 떨어뜨리게 된다. 또한, 비교적 높은 운동 에너지를 가지는 이온이 플라즈마 챔버 내벽에 충돌하여 입자 오염을 형성한다. 큰 유도는 또한 불안정한 임피던스 매칭 및 낮은 결합율을 조성하여, 반경 방향 플라즈마 밀도의 뷸균일성을 증가시키게 된다.
본 발명은 선행기술의 기술문제를 해결하는 유도 결합 코일 및 그 유도 결합 코일을 채용하는 플라즈마 장치를 제공하고자 한다. 본 발명의 핵심 유도 결합 코일로서 다수의 분기(분리부, 서브코일)로 코일을 구성하고 각 분기는 평면부와 입체부로 유기적으로 결합되어, 플라즈마는 반응 챔버 내의 웨이퍼 상방에 균일하게 분포하게 되므로 웨이퍼 표면에 화학반응의 속도 차이가 비교적 적게 되고 식각율이 균일하게 되므로, 웨이퍼의 식각 품질을 향상시킨다. 본 유도 결합 코일을 채용한 플라즈마 장치도 동일하게 플라즈마 분포가 균일하고, 식각율도 균일하며, 식각 품질이 높은 특징을 가지게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명은 다수개의 서로 함유하고 구조가 동일한 독립분기를 포함하고, 상기 다수개의 독립 분기는 동일 축선을 가지며, 축선에 대해 대칭 위치인 유도 결합 코일을 제공한다.
여기서, 상기 각 독립 분기는 입체부와 평면부를 포함하고, 상기 입체부는 축선 방향으로 연장되고; 상기 평면부는 축선에 수직한 평면방향으로 사방으로 연장되며; 상기 입체부의 저부 단자와 평면부의 내부 단자는 부드럽게 연결된다.
여기서, 상기 각 독립 분기의 평면부는 나선으로 사방으로 연장되고, 특히 상기 각 독립 분기의 평면부는 아르키메데스 나선 또는 인벌루트(involute) 나선 또는 볼텍스(vortex) 나선으로 사방으로 연장된다.
여기서, 상기 각 독립 분기의 입체부는 축선을 따라 나선형으로 상승한다. 상기 각 독립 분기의 입체부는 상방으로 그 나선의 직경이 동일하거나 직경이 점차 감소하거나 직경이 점차 증가한다.
상기 독립 분기는 n(n은 2와 같거나 큰 정수)개가 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 본 발명은 또한 상기 유도 결합 코일을 응용한 유도 결합 플라즈마 장치로서, 반응 챔버를 포함하며, 상기 반응 챔버 상부에 유전 윈도우를 설치하고, 상기 유전 윈도우의 상부에 유도 결합 코일을 설치하며, 상기 유도 결합 코일은 무선 주파수 정합기를 통해 무선 주파수 전원과 연결된다.
상기 유도 결합 코일의 다수개의 독립 분기는 상호 병렬로 연결된 다음 상기 무선 주파수 정합기와 연결된다.
상기 유도 결합 코일의 각 독립 분기는 상기 무선 주파수 정합기와 각각 연결된다.
상기 유도 결합 코일의 각 독립 분기는 병렬로 연결되고, 병렬 연결 후의 입력단은 가변정전용량과 직렬 연결되며, 출력단은 접지를 통해 정전용량이 접지된다.
상기 유도 결합 코일의 각 독립 분기의 입력단은 각각 가변정전용량과 직렬연결되고, 그 다음 병렬 연결되며, 출력단은 접지를 통해 정전용량이 접지된다.
본 발명이 제공하는 상기 기술 방안으로부터, 본 발명이 제공하는 유도 결합 코일의 각 독립 분기는 모두 평면부와 입체부의 결합이고, 입체부는 중간에 위치하기 때문에, 이러한 구조는 유도 결합 코일이 반응 챔버 중간에 생성하는 전기장을 상기 유도 결합 코일의 평면부가 챔버 내에 상응하는 위치에서 생성하는 전기장보다 작게 하여, 선행 기술 중 유도 결합 코일의 결함을 해결함으로써, 플라즈마의 챔버 중심 및 가장자리의 분포를 더 균일하게 한다.
또한, 본 발명에서 구조가 기본적으로 동일한 독립 분기를 대칭 및 병렬연결시킴으로써, 유도 결합 코일의 유도를 감소시켜 대면적의 플라즈마를 용이하게 획득할 수 있어, 대면적 공정의 플라즈마의 균일성을 개선할 수 있다. 동시에 이런 종류의 유도 결합 코일의 구조는 반응 챔버의 전자기장 분포를 대칭으로 하여, 플라즈마의 중심 및 가장자리에서의 분포를 더욱 균일하게 한다. 플라즈마는 반응챔버 내에서 균일하게 분포하여 식각 물질의 표면에 화학반응이 발생하는 속도 차이가 비교적 작고 식각율이 균일함으로써 웨이퍼의 식각 품질을 향상시킨다.
또한, 본 발명이 제공하는 유도 결합 코일을 채용하는 플라즈마 장치는 동일하게 반응 챔버 내 플라즈마 분포가 균일하고, 식각 물질 표면에 발생하는 화학반응의 속도 차이가 작으며, 식각율이 균일하다는 등의 장점을 가짐으로써, 이러한 플라즈마 장치를 채용하여 식각 공정을 진행하는 것은 웨이퍼의 식각 품질을 충분히 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술의 유도 결합 플라즈마 장치의 구조를 보이는 개략도;
도 2는 종래 기술의 유도 결합 코일의 구조를 보이는 개략도;
도 3은 본 발명의 유도 결합 코일의 제1실시예의 입체 구조를 보이는 개략도;
도 4는 본 발명의 유도 결합 코일의 제1실시예의 평면 구조를 보이는 개략도;
도 5는 본 발명의 유도 결합 코일의 제1실시예의 정면 구조를 보이는 개략도;
도 6은 본 발명의 유도 결합 코일의 제2실시예의 입체 구조를 보이는 개략도;
도 7은 본 발명의 유도 결합 코일의 제2실시예의 정면 구조를 보이는 개략도;
도 8은 본 발명의 유도 결합 코일의 제2실시예의 평면 구조를 보이는 개략도;
도 9는 본 발명의 유도 결합 플라즈마 장치의 제1실시예의 구조를 보이는 개략도;
도 10은 본 발명의 유도 결합 플라즈마 장치의 제2실시예의 구조를 보이는 개략도;
도 11은 본 발명의 유도 결합 플라즈마 장치의 제3실시예의 구조를 보이는 개략도.
본 발명이 제공하는 유도 결합 코일은 다수의 서로 함유하고(nested), 구조가 동일한 독립 분기로 이루어지고, 상기 다수개의 독립 분기는 축선이 동일하며, 축선에 대해 대칭 위치이다. 아래 도 3 내지 도 8을 결합하여 상세히 설명한다.
도 3, 도 4 및 도 5에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예의 유도 결합 코일은 두 개의 구조가 동일하고 서로 함유한 독립 분기로 이루어지고, 두 개의 독립 분기는 축선이 동일하며, 축선에 대해 대칭 배치를 가진다. 각 독립 분기는 입체부(10)와 평면부(11)를 포함한다.
여기서, 입체부(10)는 축선을 따라 연장되는데, 구체적으로는, 입체부(10)는 축선을 따라 나선형으로 상승할 수 있다. 나선의 직경은 동일할 수도 상이할 수도 있다. 예를 들어 상방으로 올라갈수록 직경이 점차 감소하거나 상방으로 올라갈수록 직경이 점차 증가할 수 있다. 또한 상승하는 나선의 간격도 제한되지 않으며, 동일한 간격이 될 수도 있다; 또는 상이한 간격일 수도 있으며, 예를 들어 간격이 증가하거나 감소할 수 있다.
평면부(11)는 축선에 수직한 평면을 따라 사방으로 연장되는데, 구체적으로는, 평면부(11)는 나선일 수 있고, 예를 들어 아르키메데스 나선 또는 인벌루트 나선 또는 볼텍스 나선이 될 수 있고, 또는 사방으로 충분히 연장되는 다른 형태일 수 있다. 또한 평면부(11)의 내부 단자와 입체부(10)의 저부 단자는 매끄럽게 연결된다.
도 6, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예의 유도 결합 코일의 구조의 원리와 제1실시예는 동일하며, 둘의 다른 점은: 제1실시예의 유도 결합 코일이 두 개의 구조가 동일한 독립 분기를 함유하여 이루어진 반면, 제2실시예의 유도 결합 코일은 세 개의 구조가 동일한 독립 분기가 함유되어 이루어져 있다는 것이다.
이해할 수 있는 것은 본 발명이 제공하는 유도 결합 코일이 포함하는 독립 분기의 수량은 상기 실시예의 상술한 두 개 또는 세 개에 한정되지 않으며, 이론상 n 개, 여기서 n 은 2와 같거나 2보다 큰 임의의 정수가 될 수 있다는 것이다. 실제로 n 은 상술한 관계를 만족하고 상술한 유도 결합 코일의 n 개 독립 분기 동축선을 형성하며 축선에 대해 대칭 위치를 가지면 족하다.
본 발명은 또한 상기 유도 결합 코일을 응용한 유도 결합 플라즈마 장치를 제공하는데, 아래 도 9, 도 10 및 도 11을 결합하여 상세히 설명한다.
동시에 도 9, 도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명이 제공하는 유도 결합 플라즈마 장치는 반응 챔버(3)를 포함하고, 반응 챔버(3)에는 웨이퍼(5)를 배치하는 척(9)을 설치하고, 반응 챔버(3)의 상부에는 유전 윈도우(1)을 설치하며, 유전 윈도우(1)의 중앙부분에는 유입구(2)를 설치하고, 기체유입장치(8)는 유입구(2)를 통해 공정 기체를 반응 챔버(3)내로 유입시킨다. 유전 윈도우(1)의 상부에 유도 결합 코일(4)을 설치하고, 유도 결합 코일(4)의 입력단은 정합기(12)(즉, 무선 주파수 정합기)를 통해 무선 주파수(RF:Radio Frequency)원(7)과 연결되며, 유도 결합 코일(4)의 출력단은 접지를 통해 정전용량(C0)를 접지한다. 반응 챔버(3)에서 유도 전기장을 생성하고, 반응 챔버(3)내로 진입한 기체를 여기시켜 플라즈마로 형성함으로써 웨이퍼(5)에 대해 식각 등의 가공을 진행한다.
상기 장치에서 유도 결합 코일(4)의 다수개의 독립 분기 간은 서로 병렬이고, 다수개의 독립 분기의 입력단은 가변정전용량(C1)과 직렬연결되고, 가변정전용량(C1)의 크기를 변화시킴에 따라 각 독립 분기의 임피던스를 변화시킬 수 있으며, 정전용량(C0)의 접지는 코일의 전류 및 전압의 최대치 및 최소치의 위치를 결정하므로, 각 독립 분기의 전류 및 전압 모두 조절할 수 있는 것이다. 이렇게 각 독립 분기의 전류의 비교값을 조절함으로써 플라즈마 밀도 분포를 조절할 수 있어 플라즈마 균일성을 더 잘 제어할 수 있다.
도 9에서 도시하는 바와 같이, 본 발명이 제공하는 유도 결합 플라즈마 장치의 제1실시예에서 유도 결합 코일(4)의 다수개의 독립 분기는 상호 병렬 연결되고, 그 다음 정합기(12)를 통해 RF(무선 주파수)원(7)과 연결된다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명이 제공하는 유도 결합 플라즈마 장치의 제2실시예에서, 유도 결합 코일(4)의 다수개의 독립 분기는 상호 병렬 연결되고, 입력단은 가변정전용량(C1)과 직렬연결되며, 그 다음 정합기(12)를 통해 RF(무선 주파수)원(7)과 연결된다.
도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명이 제공하는 유도 결합 플라즈마 장치의 제3실시예에서, 유도 결합 코일(4)의 다수개의 독립 분기는 입력단이 가변정전용량(C1)과 직렬연결된 다음, 상호 병렬 연결되고, 정합기(12)를 통해 RF(무선 주파수)원(7)과 연결된다.
상술한 설명으로부터 알 수 있듯이 본 발명이 제공하는 유도 결합 코일의 각 독립 분기는 모두 평면부와 입체부의 결합이고, 입체부는 중간에 위치하여, 이러한 구조는 유도 결합 코일이 반응 챔버의 중간에서 생성하는 전기장을 상기 유도 결합 코일의 평면부분이 챔버 내의 상응하는 위치에서 생성하는 전기장보다 작게 하여, 선행 기술의 유도 결합 코일의 결함을 쉽게 해결할 수 있음으로써, 플라즈마의 챔버 중심 및 가장자리의 분포가 더욱 균일하게 된다.
또한, 본 발명은 구조가 기본적으로 동일한 독립 분기가 대칭 병렬 연결되도록하여 유도 결합 코일의 유도를 감소시킴으로써, 쉽게 대면적의 플라즈마를 얻을 수 있어, 대면적 공정 중 플라즈마의 균일성을 개선할 수 있다. 동시에 이러한 유도 결합 코일 구조는 반응 챔버의 전자장 분포를 대칭으로 형성하여 플라즈마의 분포를 중심과 가장자리에서 더욱 균일하게 한다. 플라즈마의 반응 챔버 내 균일한 분포는 식각 물질 표면에 발생하는 화학반응의 속도 차이를 비교적 적게 하고, 식각율을 균일하게 함으로써, 웨이퍼의 식각 품질을 향상시켰다.
본 발명이 제공하는 유도 결합 코일을 채용하는 플라즈마 장치도 동일하게 반응 챔버 내 플라즈마의 분포를 균일하게 하고, 식각 물질 표면에 발생하는 화학반응의 속도 차이를 비교적 적게 하며, 식각율을 균일하게 하는 등의 장점을 가짐으로써, 이러한 플라즈마 장치를 채용하여 식각 등 가공 공정을 진행하는 것은 웨이퍼의 식각 품질을 충분히 향상시킬 수 있다는 것을 이해할 수 있다.
지적이 필요한 것은 본 발명이 채용하는 RF(무선 주파수)원은 한 대 또는 다수 대가 될 수 있다는 것이며, 다수개의 독립 분기도 각각 단독으로 정합기(12)를 통해 RF(무선 주파수)원(7)과 연결될 수 있다는 것이다.
또 지적해야 할 것은, 본 발명이 제공하는 유도 결합 코일 및 그 유도 결합 코일을 채용하는 플라즈마 장치는 주로 반도체 웨이퍼 가공 설비에 사용되나 이에 한정되지 않으며, 기타 설비에도 적용될 수 있다는 것이다.
상술한 내용은 본 발명의 바람직한 구체적 실시예가 될 뿐이며 본 발명의 보호 범위는 결코 이에 국한되지 않으며, 어떠한 당업자도 본 발명이 개시하는 기술 범위 내 쉽게 생각할 수 있는 변화와 교체도 모두 본 발명의 보호 범위 내 포함되는 것이다.
본 발명의 일실시예는 핵심 유도 결합 코일로써 다수의 분기로 코일을 구성하고 각 분기는 평면부와 입체부로 유기적으로 결합되므로, 플라즈마는 반응 챔버 내의 웨이퍼 상방에 균일하게 분포하게 되어 웨이퍼 표면에 화학반응의 속도 차이가 비교적 적게 되고 식각율이 균일하게 되므로, 웨이퍼의 식각 품질을 향상시킨 다. 본 유도 결합 코일을 채용한 플라즈마 장치도 동일하게 플라즈마 분포가 균일하고, 식각율도 균일하며, 식각 품질이 높은 특징을 가지게 된다.

Claims (14)

  1. 다수개의 구조가 동일한 독립분기를 포함하고, 상기 다수개의 독립분기는 동일 축선을 가지고, 상기 축선에 대해 대칭위치를 가지며;
    상기 각 독립분기는,
    축선을 따라 연장되는 입체부 및, 축선에 수직한 평면을 따라 사방으로 연장되는 평면부를 포함하고, 상기 입체부의 저부 단자와 상기 평면부의 내부 단자는 연결되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 코일.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각 독립분기의 평면부의 형상은 나선으로, 아르키메데스 나선, 인벌루트 나선 또는 볼텍스 나선을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 코일.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 각 독립분기의 입체부의 형상은 축선을 따라 나선으로 상승하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 코일.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 나선이 상승하는 나선의 직경이 동일하거나 직경이 감소하거나 직경이 증가하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 코일.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 독립분기는 n 개가 있고, n은 2이상의 정수인 것을 특징으로 하는 유도 결합 코일.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 유도 결합 코일을 포함하고, 반응 챔버, 무선 주파수 정합기 및 무선 주파수원을 포함하며, 상기 반응 챔버 상부에 유전 윈도우를 설치한 유도 결합 플라즈마 장치로서,
    상기 유전 윈도우의 상부에 위치한 상기 유전 결합 코일을 포함하며, 상기 유전 결합 코일은 상기 무선 주파수 정합기를 통해 상기 무선 주파수원과 연결하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 다수개의 독립 분기는 서로 병렬 연결된 다음 상기 무선 주파수 정합기와 연결되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립 분기는 상기 무선 주파수 정합기와 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립분기는 병렬 연결되고, 병렬연결 후의 입력단은 가변정전용량과 직렬연결되고, 출력단은 접지를 통해 정전용량을 접지하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립분기는 병렬 연결되고, 병렬연결 후의 입력단은 가변정전용량과 직렬연결되고, 출력단은 접지를 통해 정전용량을 접지하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립분기는 병렬 연결되고, 병렬연결 후의 입력단은 가변정전용량과 직렬연결되고, 출력단은 접지를 통해 정전용량을 접지하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립분기의 입력단은 각각 가변정전용량과 직렬연결되고, 그 다음 병렬로 연결되고, 병렬연결 후의 출력단은 접지를 통해 정전용량을 접지하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립분기의 입력단은 각각 가변정전용량과 직렬연결되고, 그 다음 병렬로 연결되고, 병렬연결 후의 출력단은 접지를 통해 정전용량을 접지하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 유도 결합 코일의 각 독립분기의 입력단은 각각 가변정전용량과 직렬연결되고, 그 다음 병렬로 연결되고, 병렬연결 후의 출력단은 접지를 통해 정전용량을 접지하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 장치.
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