TWI731746B - 觸控顯示裝置 - Google Patents

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TWI731746B
TWI731746B TW109123952A TW109123952A TWI731746B TW I731746 B TWI731746 B TW I731746B TW 109123952 A TW109123952 A TW 109123952A TW 109123952 A TW109123952 A TW 109123952A TW I731746 B TWI731746 B TW I731746B
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Abstract

本發明提供一種觸控顯示裝置。因為設置在一非主動區域中且電耦合在一共用電極與一共用電壓供電線之間的一屏蔽電極位於一觸控佈線與一信號線之間，所以在該觸控佈線上由該信號線引起的雜訊的影響可能會減少。另外，位於該屏蔽電極上的一封裝部具有平坦化的結構。在該屏蔽電極與該觸控佈線之間保持一定距離的結果可以防止由該信號線引起的雜訊透過該屏蔽電極間接影響該觸控佈線。

Description

觸控顯示裝置
本發明的實施例是關於一種觸控顯示裝置。
隨著資訊社會的發展，對顯示影像的顯示裝置的需求持續增加。因此，各種類型的顯示設裝置，例如液晶顯示(liquid crystal display,LCD)裝置和有機發光二極管(organic light emitting diode,OLED)顯示裝置已被廣泛使用。
為了向使用者提供更多種類的功能，這些顯示裝置提供識別使用者在顯示面板上的觸控並基於識別的觸控來處理輸入的功能。
例如，能夠進行觸控識別的顯示裝置包括設置或內建在顯示面板中的複數個觸控電極，並且如果有的話，可以藉由驅動觸控電極檢測使用者的觸控的存在與否和顯示面板上的觸控座標。
由於顯示面板提供觸控感測功能，因此在顯示影像時，可以在顯示面板中佈置用於顯示驅動的線和用於觸控感測的線。在某些情況下，用於顯示驅動的線和用於觸控感測的線可以佈置成彼此重疊或靠近。因此，兩條線之間的寄生電容可能會使觸控感應的性能變差。
本發明的實施例提供一種減少觸控感測信號的雜訊的方法，該雜訊由用於顯示驅動的線與用於在顯示面板的非主動區域中的觸控感測的線之間的寄生電容所造成。
根據一態樣，本發明的實施例提供一種觸控顯示裝置，包括：一主動區域，複數個發光元件設置在該主動區域中；一非主動區域，界定在該主動區域之外，複數條信號線設置在該非主動區域中；一封裝部，設置在該主動區域和該非主動區域中，並位於該些發光元件和該些信號線上；複數個觸控電極，設置在該封裝部上的該主動區域中；複數條觸控佈線，設置在該封裝部上 的該非主動區域中，並電耦合至該些觸控電極；一屏蔽電極，位於該非主動區域中的該封裝部下方，該屏蔽電極的至少一部分位於該些信號線上，並電耦合至該些發光元件的一共用電極；以及一共用電壓供應線，位於該屏蔽電極下方並電耦合至該屏蔽電極。
該屏蔽電極和該共用電壓供電線中的至少一個可設置在包含該些觸控佈線與該非主動區域中的該些信號線重疊的區域的一區域中。
根據另一態樣，本發明的實施例提供一種觸控顯示裝置，包括：一主動區域，複數個發光元件設置在該主動區域中；一非主動區域，界定在該主動區域之外，複數條信號線設置在該非主動區域中；一封裝部，設置在該主動區域和該非主動區域中，並位於該些發光元件和該些信號線上；複數個觸控電極，設置在該封裝部上的該主動區域中；複數條觸控佈線，設置在該封裝部上的該非主動區域中，並電耦合至該些觸控電極；一第一屏蔽電極，位於該非主動區域中的該封裝部下方，該第一屏蔽電極的至少一部分位於該些信號線上，並電耦合至該些發光元件的一共用電極；以及一第二屏蔽電極，位於該非主動區域中的該第一屏蔽電極的外部並與該第一屏蔽電極分離。
根據本發明的實施例，設置在顯示面板的非主動區域中並向設置在顯示面板的主動區域中的發光元件的共用電極施加共用電壓的電極或線位於用於顯示驅動的信號線與觸控佈線之間，進而阻擋由用於顯示驅動的信號線造成的雜訊。
根據本發明的實施例，設置在顯示面板的非主動區域中沒有屏蔽電極的區域中的觸控佈線不與用於顯示驅動的信號線重疊。因此，可以減少觸控感測信號的雜訊，這是由在屏蔽電極與焊墊部之間的區域中用於顯示驅動的信號線所造成。
AA:主動區域
AB:主動緩衝層
ACT:主動層
BANK:堤
BL:外邊界線
BM:黑色矩陣
CF:濾色器
COM:共用電極
Cst:電容器
CVL:共用電壓供應線
DA:壩區域
DAM:壩
DAM1:主壩
DAM2:次壩
DCTR:顯示控制器
DDC:資料驅動電路
GDC:閘極驅動電路
DISP:顯示面板
DL:資料線
DM:假性金屬
DVL:驅動電壓線
E1:第一電極
E2:第二電極
ED:發光元件
EL:發光層
EM:電極金屬
ENCAP:封裝部
FPC:可撓性印刷電路
GI:閘極絕緣層
ILD:觸控絕緣膜
INS:絕緣層
INS1:第一絕緣層
INS2:第二絕緣層
LL:鏈接線
M1:第一金屬
M2:第二金屬
M3:第三金屬
MB:多緩衝層
N1:第一節點
N2:第二節點
N3:第三節點
NA:非主動區域
NA1:第一非主動區域
NA2:第二非主動區域
NE1:第一節點電極
NE2:第二節點電極
NE3:第三節點電極
OA:開口
OC:保護塗層
PAC:觸控保護膜
PAS1:第一無機封裝層
PCL:有機封裝層
PAS2:第二無機封裝層
PLN:平坦化層
PXL:像素電極
SCAN:掃描信號
SE:屏蔽電極
SE1:第一屏蔽電極
SE2:第二屏蔽電極
SEa:第一部分
SEb:第二部分
SEMI:半導體層
SL:信號線
SP:子像素
SUB:基板
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T-BUF:觸控緩衝膜
TCTR:觸控控制器
TDC:觸控驅動電路
TE:觸控電極
TL:觸控佈線
TSC:觸控感測電路
TSP:觸控面板
VDATA:資料電壓
VDD:驅動電壓
VSS:基極電壓
X-CL:X觸控電極連接線
X-TE:X觸控電極
X-TEL:X觸控電極線
X-TP:X觸控墊
Y-CL:Y觸控電極連接線
Y-TE:Y觸控電極
Y-TEL:Y觸控電極線
X-TL:X觸控佈線
Y-TL:Y觸控佈線
Y-TP:Y觸控墊
從以下結合附圖的詳細描述中，將更清楚地理解本發明的上述和其他目的、特徵和優點，其中：
圖1是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的系統配置的示意圖；
圖2是顯示在根據本發明實施例的觸控顯示裝置中的顯示面板的示意圖；
圖3是顯示在根據本發明實施例的顯示面板中的觸控面板的示範性內建結構的示意圖；
圖4和圖5是顯示佈置在根據本發明實施例的顯示面板中的觸控電極的示範性類型的示意圖；
圖6是顯示圖5中所示之示範性網狀類型觸控電極的示意圖；
圖7是顯示在根據本發明實施例的顯示面板中的觸控感測器的結構的簡化示意圖；
圖8是顯示圖7中所示之觸控感測器結構的示範性實施的示意圖；
圖9是顯示根據本發明實施例沿圖8中所示之X-X’線所截取的顯示面板的部分剖視圖；
圖10和圖11是顯示當根據本發明實施例的顯示面板包括濾色器時觸控面板的示範性截面結構的示意圖；
圖12是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的示範性平面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極；
圖13A、圖13B、圖14和15是顯示圖12中所示之觸控顯示裝置的示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極；
圖16是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的另一示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極；
圖17是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的另一示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極；
圖18是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的另一示範性平面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極；
圖19是顯示圖18中所示之觸控顯示裝置的示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極。
在以下對本發明的示例或實施例的描述中，將參考附圖，在附圖中通過圖示的方式示出了可以實現的特定示例或實施例，並且在附圖中，相同的標號和符號即使在互不相同的附圖中也可用來表示相同或相似的組件。此外，在以下對本發明的示例或實施例的描述中，當併入本文已被廣泛熟知的功 能和組件的詳細描述可能使本發明的一些實施例中的主旨不清楚時，將被省略。諸如「包括」、「具有」、「包含」、「構成」、「組成」之類的術語。除非在術語「僅」與術語「只」一起使用時，否則本文所用的“和...形成”通常旨在允許添加其他組件。如本文所用，單數形式為整數除非上下文另外明確指出，否則包括複數形式。
這裡可以使用諸如「第一」、「第二」、「A」、「B」、「(a)」或「(b)」之類的術語來描述本發明的要素。這些術語不用於定義要素的本質、先後、順序或數量等，而僅用於將相應的要素與其他要素區分開。
當提到第一元件與第二元件「連接或耦合」、「接觸或重疊」等時，應當解釋為，不僅第一元件可以「直接連接或耦合至」或「直接接觸或重疊」第二元件，但是也可以將第三元件「插入」在第一元件與第二元件之間，或者可以通過第四元件將第一元件和第二元件「連接或耦合」、「接觸或重疊」等。在此，第二元件可以被包括在彼此「連接或耦合」、「接觸或重疊」等的兩個或多個元件中的至少一個之中。
當與時間相關的術語(例如「之後」、「接著」、「下一個」、「之前」等)用於描述元件或配置的過程或操作、或操作中的流程或步驟時，在處理、製造方法中，除非一同使用術語「直接」或「立即」，這些術語可用於描述非連續或非順序的過程或操作。
此外，當提及任何尺寸、相對尺寸等時，應考慮元件或特徵的數值或相應的信息(例如級數、範圍等)包含的容錯或誤差範圍，即使未指定相關說明，也可能由各種因素(例如，過程因素、內部或外部影響、雜訊等)引起。此外，術語「可以」完全涵蓋術語「能夠」的所有含義。
圖1是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的系統配置的示意圖。
參照圖1，根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以提供影像顯示功能和觸控感測功能。
為了提供影像顯示功能，根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以包括：顯示面板DISP，其中，設置複數條資料線和複數條閘極線，且佈置由複數條資料線和複數閘極線界定的複數個子像素；資料驅動電路DDC，驅動複數 條資料線；閘極驅動電路GDC，驅動複數條閘極線；以及顯示控制器DCTR，控制資料驅動電路DDC和閘極驅動電路GDC的操作。
資料驅動電路DDC、閘極驅動電路GDC和顯示控制器DCTR中的每一個都可以被實現為一個或多個獨立的部件。在某些情況下，資料驅動電路DDC、閘極驅動電路GDC和顯示控制器DCTR中的兩個或多個可以一體結合為一個部件。例如，資料驅動電路DDC和顯示控制器DCTR可以被實現為一個積體電路(IC)晶片。
為了提供觸控感測功能，根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以包括：觸控面板TSP，包含複數個觸控電極；以及觸控感測電路TSC，供應觸控驅動信號給觸控面板TSP，並檢測來自觸控面板TSP的觸控感測信號，並基於檢測的觸控感測信號感測在觸控面板TSP或觸控位置(觸控座標)上是否有使用者觸控。
觸控感測電路TSC可以包括例如：觸控驅動電路TDC，供應觸控驅動信號給觸控面板TSP，並檢測來自觸控面板TSP的觸控感測信號；以及觸控控制器TCTR，基於由觸控驅動電路TDC檢測的觸控感測信號感測在觸控面板TSP或觸控位置(觸控座標)上是否有使用者觸控。
觸控驅動電路TDC可以包括：第一電路部分，供應觸控驅動信號給觸控面板TSP；以及第二電路部分，檢測來自觸控面板TSP的觸控感測信號。
觸控驅動電路TDC和觸控控制器TCTR可以視需要實施為獨立部件或一體結合成一個部件。
資料驅動電路DDC、閘極驅動電路GDC和觸控驅動電路TDC中的每一個都可以實現為一個或多個IC，並從電連接到顯示面板DISP的觀點配置為玻璃上晶片(chip on glass,COG)類型、膜上晶片(chip on film,COF)類型、或帶載封裝(tape carrier package,TCP)類型。閘極驅動電路GDC也可以配置為面板中閘極(gate in panel,GIP)類型。
用於顯示驅動的每個電路組件DDC、GDC和DCTR以及用於觸控感測的電路組件TDC和TCTR可以實現為一個或多個獨立的部件。在某些情況下，用於顯示驅動的一個或多個電路組件DDC、GDC和DCTR以及用於觸控感測的電路組件TDC和TCTR中的一個或多個可以在功能上一體結合並因此實現為一個或多個部件。
例如，資料驅動電路DDC和觸控驅動電路TDC可以一體結合至一個或多個IC晶片中。當資料驅動電路DDC和觸控驅動電路TDC一體結合至兩個或多個IC晶片中時，IC晶片可以分別具有資料驅動功能和觸控驅動功能。
根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以是諸如OLED裝置和LCD裝置之類的各種類型中的任何一種。為了便於描述，以下描述給出觸控顯示裝置為OLED裝置的內容，作為示例。也就是說，儘管顯示面板DISP可以是諸如OLED面板和LCD面板的各種類型中的任何一種，但是下面以OLED面板作為顯示面板DISP的示例以便描述。
此外，觸控面板TSP可以包括：複數個觸控電極，觸控驅動信號可施加至該複數個觸控電極或可從該複數個觸控電極檢測觸控感測信號；以及複數條觸控佈線，將觸控電極耦合至觸控驅動電路TDC。
觸控面板TSP可以位於顯示面板DISP的外部。也就是說，觸控面板TSP和顯示面板DISP可以分別製造然後組合在一起。這種觸控面板TSP稱為外部類型或附加類型。
相對地，觸控面板TSP可以內建在顯示面板DISP中。也就是說，當製造顯示面板DISP時，包含觸控面板TSP的複數個觸控電極和複數條觸控佈線的觸控傳感器結構可以與用於顯示驅動的電極和信號線一同形成。這種觸控面板TSP稱為內部類型。為了描述的方便，將觸控面板TSP描述為內部類型，作為示例。
圖2是顯示在根據本發明實施例的觸控顯示裝置中的顯示面板DISP的示意圖。
參照圖2，顯示面板DISP可以包括主動區域AA，其中顯示影像；以及非主動區域NA，界定在主動區域AA的外邊界線BL外部。
可以佈置複數個子像素，並且用於顯示驅動的電極和信號線可以設置在顯示面板DISP的主動區域AA中。
此外，用於觸控感測的複數個觸控電極和電耦合至該些觸控電極的複數條觸控佈線可以設置在顯示面板DISP的主動區域AA中。因此，主動區域AA也可稱為觸控感測區域，其中可以進行觸控感測。
從設置在主動區域AA中的信號線延伸或電耦合至設置在主動區域AA中的信號線的鏈接線和電耦合至該些鏈接線的焊墊可以設置在顯示面板 DISP的非主動區域NA中。設置在非主動區域NA中的焊墊可結合或電耦合至顯示驅動電路DDC、GDC等。
從設置在主動區域AA中的觸控佈線延伸或電耦合至設置在主動區域AA中的觸控佈線的鏈接線和電耦合至該些鏈接線的焊墊可以設置在顯示面板DISP的非主動區域NA中。設置在非主動區域NA中的焊墊可以結合或電耦合至觸控驅動電路TDC。
設置在主動區域AA內的複數個觸控電極之中的最外側觸控電極的一部分的延伸可以存在於非主動區域NA中，或者可以進一步設置由與設置在主動區域AA中的複數個觸控電極相同的材料形成的一個或多個電極(觸控電極)。
也就是說，設置在顯示面板DISP中的所有複數個觸控電極可以全部存在於主動區域AA內，設置在顯示面板DISP中複數個觸控電極的一部分(例如，最外側的觸控電極)可以存在於非主動區域NA中，或者設置在顯示面板DISP中複數個觸控電極的一部分(例如，最外側的觸控電極)可以跨主動區域AA和非主動區域NA存在。
參照圖2，根據本發明實施例之觸控顯示裝置的顯示面板DISP可以包括壩區域DA，在該壩區域DA中設置一個壩DAM(參照圖9)以防止在主動區域AA中任一層的塌陷(例如，OLED面板中的封裝部)。
壩區域DA可以位於主動區域AA與非主動區域NA之間的邊界點或者位於主動區域AA外部的非主動區域NA中的一點。
設置在壩區域DA中的壩DAM可以在所有方向上圍繞主動區域AA，或者可以設置在主動區域AA的僅一個或多個部分(例如，具有脆弱層的一個或多個部分)的外部。
設置在壩區域DA中的壩DAM可以是單個互連模式或者是兩個或多個不連接的模式。此外，僅有主壩、兩個壩(主壩和次壩)、或者三個或多個壩可以設置在壩區域DA中。
在壩區域DA中，可能只有主壩在一個方向上，而只有主壩和次壩可能在另一方向上。
圖3是顯示在根據本發明實施例的顯示面板DISP中的觸控面板TSP的示範性內建結構的示意圖。
參照圖3，複數個子像素SP可以佈置在顯示面板DISP的主動區域AA中的基板SUB上。
每個子像素SP可以包括：發光元件ED；第一電晶體T1，驅動發光元件ED：第二電晶體T2，將資料電壓VDATA傳輸到第一電晶體T1的第一節點N1；以及電容器Cst，在一訊框週期內保持恆定電壓。
第一電晶體T1可以包括：第一節點N1，可施加資料電壓VDATA至該第一節點N1；第二節點N2，電耦合至發光元件ED；以及第三節點N3，從驅動電壓線DVL施加驅動電壓VDD至該第三節點N3。第一節點N1可以是閘極節點，第二節點N2可以是源極節點或汲極節點，而第三節點N3可以是汲極節點或源極節點。第一電晶體T1也稱為驅動發光元件ED的驅動電晶體。
發光元件ED可以包括：第一電極(例如，陽極電極)；發光層；以及第二電極(例如，陰極電極)。第一電極可以電耦合至第一電晶體T1的第二節點N2，且基極電壓VSS可以施加到第二電極。
在發光元件ED中，發光層可以是含有有機材料的有機發光層。在這種情況下，發光元件ED可以是OLED。
第二電晶體T2的導通和關閉可以透過通過閘線GL施加的掃描信號SCAN來控制，並耦合在第一電晶體T1的第一節點N1與資料線DL之間。第二電晶體T2也稱為開關電晶體。
當第二電晶體T2被掃描信號SCAN導通時，從資料線DL施加的資料電壓VDATA傳送到第一電晶體T1的第一節點N1。
儲存電容器Cst可以電耦合在第一電晶體T1的第一節點N1和第二節點N2之間。
每一個子像素SP可以具有2T1C結構，該2T1C結構包括兩個電晶體T1和T2及一個電容器Cst，如圖3所示。在某些情況下，子像素SP可以進一步包括一個或多個電晶體或一個或多個電容器。
儲存電容器Cst可以不是寄生電容器(例如Cgs或Cgd)，其為第一電晶體T1的第一節點N1和第二節點N2之間的內部電容器，但外部電容器是故意設計在第一電晶體T1外部。
第一電晶體T1和第二電晶體T2中的每一個可以是n型電晶體或p型電晶體。
如上所述，諸如發光元件ED、兩個或多個電晶體T1和T2和一個或多個電容器Cst之類的電路元件設置在顯示面板DISP上。由於這些電路元件(特別是發光元件ED)容易受到外部濕氣或氧氣的影響，可以在顯示面板DISP上設置封裝部ENCAP(參考圖9)，以防止外部濕氣或氧氣滲透到電路元件(特別是發光元件ED)中。
封裝部ENCAP可以具有單層或多層。
在根據本發明實施例的觸控顯示裝置中，觸控面板TSP可以形成在封裝部ENCAP上。
也就是說，在觸控面板TSP中具有複數個觸控電極TE的觸控感測器結構可以設置在觸控顯示裝置中的封裝部ENCAP上。
在觸控感測期間，可以將觸控驅動信號施加到觸控電極TE，或者可以從觸控電極TE感測觸控感測信號。因此，可以在觸控電極TE與陰極電極之間產生電位差，該些陰極電極之間設置有封裝部ENCAP，進而在觸控感測期間產生不必要的寄生電容。由於寄生電容可能降低觸控靈敏度，因此考量面板厚度、面板製程和顯示效能，可以將觸控電極TE與陰極電極之間的距離設定為一預定值(例如，1μm)或以上以減小寄生電容。為此，可以將封裝部ENCAP的厚度設定為至少1μm。
圖4和圖5是顯示根據本發明實施例設置在顯示面板DISP上的觸控電極TE的示範性類型的示意圖。
如圖4所示，設置在顯示面板DISP上的每一個觸控電極TE可以是沒有開口的板狀電極金屬。在這種情況下，每一個觸控電極TE可以是透明電極。亦即，每一個觸控電極TE可以由透明電極材料形成，使得從複數個下層子像素SP發射的光可以向上透射。
相對地，如圖5所示，設置在顯示面板DISP上的每一個觸控電極TE可以是電極金屬EM，具有通過圖案化為網格類型的兩個或多個開口OA。
電極金屬EM對應於基體觸控電極TE，對其施加觸控驅動信號或從其感測觸控感測信號。
如圖5所示，當每個觸控電極TE是圖案化為網格型的電極金屬EM時，在觸控電極TE的區域中可以存在兩個或多個開口OA。
每個觸控電極TE中的兩個或多個開口OA中的每一個可以對應於一個或多個子像素SP的發光區域。也就是說，該複數個開口OA是從複數個下層子像素SP向上發出光而通過的路徑。為了便於描述，作為示例，下面的描述應理解為每個觸控電極TE是網狀電極金屬EM。
對應於每個觸控電極TE的電極金屬EM可以位於設置在除了兩個或多個子像素SP的發光區域之外的區域中的堤上。
可以藉由形成網狀的寬電極金屬EM然後將電極金屬EM切割成彼此電分離的預定圖案來形成複數個觸控電極TE。
觸控電極TE的輪廓可以成形為諸如鑽石或菱形的正方形，或諸如三角形、五邊形或六邊形的任何其他形狀。
圖6是顯示圖5的網狀觸控電極TE的示意圖。
參照圖6，在每個觸控電極TE的區域中，可以存在與網狀電極金屬EM分離的一種或多種假性金屬DM。
電極金屬EM是對應於基體觸控電極TE的部分，對其施加觸控驅動信號或從其檢測觸控感測信號，而假性金屬DM存在於觸控電極TE的區域中，不會對其施加觸控驅動信號也不會從其檢測觸控感測信號。也就是說，假性金屬DM可以是電浮動金屬。
因此，電極金屬EM可以電耦合至觸控驅動電路TDC，而假性金屬DM可以不電耦合至觸控驅動電路TDC。
在每個觸控電極TE的區域中，可以存在與電極金屬EM分開的一種或多種假性金屬DM。
可選地，可以存在僅在一些觸控電極TE其中每一個的區域中與電極金屬EM分開的一種或多種假性金屬DM。也就是說，在一些觸控電極TE的區域中可以不存在假性金屬DM。
關於假性金屬DM的作用，如圖5所示，當在觸控電極TE的區域中僅電極金屬EM以網狀存在而沒有假性金屬DM的情況下，可能存在螢幕上會出現電極金屬EM框線的可視性問題。
相對地，如圖6所示，當在觸控電極TE的區域中存在一種或多種假性金屬DM時，可以防止電極金屬EM的框線出現在螢幕上的可視性問題。
此外，可以針對每個觸控電極TE調整是否存在假性金屬DM或假性金屬DM的數量(假性金屬比)。對各個觸控電極TE的電容的大小進行調整可能會改善觸控靈敏度。
可以切割形成在一個觸控電極TE的區域中的電極金屬EM的某些點以產生假性金屬DM。也就是說，電極金屬EM和假性金屬DM可以由相同的材料在同一層上形成。
根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以基於產生在觸控電極TE中的電容來感測觸控。
對於觸控感測，根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以採用基於互電容的觸控感測方式或基於自電容的觸控感測方式作為基於電容的感測方式。
在基於互電容的觸控感測方式中，複數個觸控電極TE可以分為施加觸控驅動信號的驅動觸控電極(發送觸控電極)和從中檢測觸控感應信號的感測觸控電極(接收觸控電極)，該感測觸控電極與驅動觸控電極一起產生電容。
在這種基於互電容的觸控感測方式中，觸控感測電路TSC可基於驅動觸控電極與感測觸控電極之間的電容(互電容)的變化來感測根據諸如手指或筆的指示器的觸控及/或觸控座標是否存在。
在基於自電容的觸控感測方式中，每個觸控電極TE既可以作用為驅動觸控電極和感測觸控電極兩者。也就是說，觸控感測電路TSC可以將觸控驅動信號施加到至少一個觸控電極TE、透過施加觸控驅動信號的觸控電極TE檢測觸控感測信號、並基於檢測的觸控感測信號藉由確定在諸如手指或筆的指示器與感測電極之間的電容變化來感測是否存在觸控及/或觸控座標。在基於自電容的觸控感測方式中，在驅動觸控電極與感測觸控電極之間沒有區別。
如此一來，根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以在基於互電容的觸控感測方式或基於自電容的觸控感測方式中感測觸控。然而，為了便於描述，下面的描述應理解為觸控顯示裝置執行基於互電容的觸控感測並具有用於基於互電容的觸控感測的觸控感測器結構，作為示例。
圖7是顯示根據本發明實施例之顯示面板DISP的觸控感測器結構的簡化圖；以及圖8是圖7的觸控感測器結構的實施示例的示意圖。
參照圖7，用於基於互電容的觸控感測的觸控感測器結構可以包括複數條X觸控電極線X-TEL和複數條Y觸控電極線Y-TEL。複數條X觸控電極線X-TEL和複數條Y觸控電極線Y-TEL位於封裝部ENCAP上。
複數條X觸控電極線X-TEL可以沿第一方向佈置，而複數條Y觸控電極線Y-TEL可以沿與第一方向不同的第二方向佈置。
在本發明中，第一方向和第二方向可以相對於彼此不同。例如，第一方向可以是x軸方向，而第二方向可以是y軸方向。相反地，第一方向可以是y軸方向，而第二方向可以是x軸方向。此外，第一方向和第二方向可以彼此正交或不正交。此外，行和列是彼此相對的，因此可以根據視點進行交換。
複數條X觸控電極線X-TEL中的每一條可以包括彼此電耦合的複數個X觸控電極X-TE。複數條Y觸控電極線Y-TEL中的每一條可以包括彼此電耦合的複數個Y觸控電極Y-TE。
複數個X觸控電極X-TE和複數個Y觸控電極Y-TE包含在複數個觸控電極TE中，並且作用(功能)不同。
例如，在複數條X觸控電極線X-TEL的每一條中的複數個X觸控電極X-TE可以是驅動觸控電極，而在複數條Y觸控電極線Y-TEL的每一條中的複數條個Y觸控電極Y-TE可以是感測觸控電極。在這種情況下，複數條X觸控電極線X-TEL中的每一條對應於驅動觸控電極線，而複數條Y觸控電極線Y-TEL對應於感測觸控電極線。
相反地，在複數條X觸控電極線X-TEL的每一條中的複數個X觸控電極X-TE可以是感測觸控電極，而在複數條Y觸控電極線Y-TEL的每一條中的複數個Y觸控電極Y-TE可以是驅動觸控電極。在這種情況下，複數條X觸控電極線X-TEL中的每一條對應於感測觸控電極線，而複數條Y觸控電極線Y-TEL中的每一條對應於驅動觸控電極線。
用於觸控感測的觸控感測器金屬除了包括複數條X觸控電極線X-TEL和複數條Y觸控電極線Y-TEL之外，還可以包括複數條觸控佈線TL。
複數條觸控佈線TL可以包括耦合至複數條X觸控電極線X-TEL中的每一條的一條或多條X觸控佈線X-TL；以及耦合至複數條Y觸控電極線Y-TEL中的每一條的一條或多條Y觸控佈線Y-TL。
參照圖8，複數條X觸控電極線X-TEL中的每一條可以包括設置在同一行(或列)中的複數個X觸控電極X-TE和與複數個X觸控電極X-TE彼此電耦合的一條或多條X觸控電極連接線X-CL。將兩個相鄰的X觸控電極X-TE彼此耦合的一條X觸控電極連接線X-CL可以是與兩個相鄰的X觸控電極X-TE(參照圖8)一體結合的金屬或是透過接觸孔耦合至兩個相鄰的X觸控電極X-TE的金屬。
複數條Y觸控電極線Y-TEL中的每一條可以包括設置在同一列(或行)中的複數個Y觸控電極Y-TE和將複數個Y觸控電極Y-TE彼此電耦合的一條或多條Y觸控電極連接線Y-CL。將兩個相鄰的Y觸控電極Y-TE彼此耦合的Y觸控電極連接線Y-CL可以是與兩個相鄰的Y觸控電極一體結合的金屬，或是透過接觸孔耦合至兩個相鄰的Y觸控電極Y-TE的金屬(參照圖8)。
在這種情況下，X觸控電極連接線X-CL和Y觸控電極連接線Y-CL可以在X觸控電極線X-TEL和Y觸控電極線Y-TEL相交的區域(觸控電極線交叉點)中相交。
當X觸控電極連接線X-CL和Y觸控電極連接線Y-CL以這種方式在觸控電極線交叉點相交時，X觸控電極連接線X-CL和Y觸控電極連接線Y-CL應該位於不同層上。
因此，複數個X觸控電極X-TE、複數條X觸控電極連接線X-CL、複數個Y觸控電極Y-TE和複數條Y觸控電極連接線Y-CL可以位於兩層或多層上，使得複數條X觸控電極線X-TEL可以與複數條Y觸控電極線Y-TEL相交。
參照圖8，複數條X觸控電極線X-TEL中的每一條透過一條或多條X觸控佈線X-TL電耦合至對應的X觸控墊X-TP。也就是說，包含在一條X觸控電極線X-TEL中的複數個X觸控電極X-TE的最外一個電耦合至對應的X觸控墊X-TP。
複數條Y觸控電極線Y-TEL中的每一條透過一條或多條Y觸控佈線Y-TL電耦合至對應的Y觸控墊Y-TP。也就是說，包含在一條Y觸控電極線Y-TEL中的複數個Y觸控電極Y-TE的最外一個電耦合至對應的Y觸控墊Y-TP。
如圖8所示，複數條X觸控電極線X-TEL和複數條Y觸控電極線Y-TEL可以設置在封裝部ENCAP上。也就是說，包含在複數條X觸控電極線X-TEL中的複數個X觸控電極X-TE和複數條X觸控電極連接線X-CL可以設置在 封裝部ENCAP上。包含在複數條Y觸控電極線Y-TEL中的複數個Y觸控電極Y-TE和複數條Y觸控電極連接線Y-CL可以設置在封裝部ENCAP上。
如圖8所示，可以將電耦合至複數條X觸控電極線X-TEL的複數條X觸控佈線X-TL中的每一條設置在封裝部ENCAP上，並且甚至延伸到沒有封裝部ENCAP的地方，以電耦合至複數個X觸控墊X-TP。電耦合到複數條Y觸控電極線Y-TEL的複數條Y觸控佈線Y-TL中的每一條可以設置在封裝部ENCAP上並且甚至延伸到沒有封裝部ENCAP的地方，以電耦合至複數個Y觸控墊Y-TP。封裝部ENCAP可以位於主動區域AA內，並且在某些情況下，可以延伸到非主動區域NA。
如上所述，為了防止主動區域AA中任一層塌陷，壩區域DA可以存在於主動區域AA與非主動區域之間的邊界區域中，或者存在於主動區域AA外部的非主動區域NA中(例如，在OLED面板中的封裝部)。
如圖8所示，例如，可以在壩區域DA中設置主壩DAM1和次壩DAM2。次壩DAM2可以比主壩DAM1靠外側設置。
與圖8的示例不同，只有主壩DAM1可以位於壩區域DA中。在某些情況下，一個或多個其他壩以及主壩DAM1和次壩DAM2可以設置在壩區域DA中。
參照圖8，封裝部ENCAP可以位於主壩DAM1的側表面上，或者同時位於主壩DAM1的側表面和頂表面上。
圖9是顯示沿圖8中所示之X-X’線所截取之根據本發明實施例的顯示面板DISP的部分截面圖。而在圖9中所示的觸控電極TE為板狀，這只是用於舉例，觸控電極TE可以是網眼型。另外，在觸控電極TE是網眼型的情況下，觸控電極TE的開口OA可以位於子像素SP的發光區域上。
驅動晶體管，即，主動區域AA中的每個子像素SP的第一晶體管T1設置在基板SUB上。
第一晶體管T1包括：與閘電極相對應的第一節點電極NE1；與源電極或汲電極相對應的第二節點電極NE2；與汲電極或源電極相對應的第三節點電極NE3；以及半導體層SEMI。
第一節點電極NE1與半導體層SEMI可以彼此重疊，並在其間插入閘極絕緣層GI。第二節點電極NE2可以形成在絕緣層INS上以接觸半導體層 SEMI的一側，且第三節點電極NE3可以形成在絕緣層INS上以接觸半導體層SEMI的另一側。
發光元件ED可以包括：對應於陽極電極(或陰極電極)的第一電極E1；形成在第一電極E1上的發光層EL；以及形成在發光層EL上並對應於陰極電極(或陽極)的第二電極E2。
第一電極E1電耦合至第一晶體管T1的第二節點電極NE2，該第二節點電極NE2透過穿透平坦化層PLN的像素接觸孔露出。
發光層EL形成在由堤BANK界定的發光區域中的第一電極E1上。發光層EL藉由以正反順序將孔相關層(hole-related layer)、發光層和電子相關層(electron-related layer)依序層疊而形成在第一電極E1上。第二電極E2形成以相對於第一電極E1，發光層EL介於第一電極E1與第二電極E2之間。
封裝部ENCAP阻擋外部濕氣或氧氣滲透到易受外部濕氣或氧氣影響的發光元件ED中。
如圖9中所示，封裝部ENCAP可由單層或複數層PAS1、PCL和PAS2組成。
例如，當封裝部ENCAP由複數層PAS1、PCL和PAS2組成時，封裝部ENCAP可以包括一個或多個無機封裝層PAS1和PAS2以及一個或多個有機封裝層PCL。在特定示例中，封裝部ENCAP可以是第一無機封裝層PAS1、有機封裝層PCL和第二無機封裝層PAS2依序的連續堆疊。
有機封裝層PCL可以進一步包括至少一個有機封裝層或至少一個無機封裝層。
第一無機封裝層PAS1被形成最靠近於基板SUB上的發光元件ED，在該基板SUB上形成有對應於陰極電極的第二電極E2。例如，第一無機封裝層PAS1由允許低溫沉積的無機絕緣材料，像是氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)形成。由於在低溫氣氛中沉積了第一無機封裝層PAS1，因此在沉積製程中，第一無機封裝層PAS1可以防止對含有易受高氣溫影響的有機材料的發光層EL的損壞。
有機封裝層PCL可以形成在比第一無機封裝層PAS1小的區域上。在這種情況下，有機封裝層PCL可以形成以暴露第一無機封裝層PAS1的兩端。有機封裝層PCL可以用作緩衝層，用於減輕由觸控顯示裝置(OLED裝置) 的彎曲所引起的層間應力，並且可以用以增強平坦化性能。有機封裝層PCL可以由有機絕緣材料像是丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚酰亞胺、聚乙烯或碳氧化矽(SiOC)的有機絕緣材料形成。
當以噴墨方式形成有機封裝層PCL時，可以在與非主動區域NA和主動區域AA之間的邊界區域或非主動區域NA的部分區域相對應的壩區域DA中形成一個或多個壩DAM。
例如，如圖9所示，壩區域DA可以位於主動區域AA與焊盤區域之間，其中複數個X觸控墊X-TP和複數個Y觸控墊Y-TP形成在非主動區域NA中。與主動區域AA相鄰的主壩DAM1和與焊盤區域相鄰的次壩DAM2可以存在於壩區域DA中。
當液體形式的有機封裝層PCL滴落在主動區域AA中時，設置在壩區域DA中的一個或多個壩DAM可以防止液體中的有機封裝層PCL沿非主動區域NA的方向塌陷，進而侵入焊盤區域。
如圖9所示，主壩DAM1和次壩DAM2的存在可以增強該效果。
主壩DAM1及/或次壩DAM2可以由單層或多層結構形成。例如，主壩DAM1及/或次壩DAM2可以由相同的材料同時形成，作為堤BANK或間隔(圖未顯示)的其中至少一個。在這種情況下，可以不需要額外的遮罩製程和成本增加來形成壩結構。
此外，如圖9所示，主壩DAM1及/或次壩DAM2可以形成為其中第一無機封裝層PAS1及/或第二無機封裝層PAS2堆疊在堤BANK上的結構。
此外，如圖9所示，含有有機材料的有機封裝層PCL可以僅位於主壩DAM1的內側表面上。
可選地，含有有機材料的有機封裝層PCL可以位於主壩DAM1和次壩DAM2中的每一個的至少一部分上。例如，有機封裝層PCL可以位於主壩DAM1的頂部。
第二無機封裝層PAS2可以形成在基板SUB上，有機封裝層PCL形成在基板SUB上，以覆蓋有機封裝層PCL和第一無機封裝層PAS1中的每一個的頂表面和側表面。第二無機封裝層PAS2最小化或阻擋外部濕氣或氧氣滲透到第一無機封裝層PAS1和有機封裝層PCL中。舉例來說，第二無機封裝層PAS2由 諸如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)等無機絕緣材料形成。
觸控緩衝膜T-BUF可以設置在封裝部ENCAP上。觸控緩衝膜T-BUF可以插入在包含X觸控電極X-TE和Y觸控電極Y-TE及X觸控電極連接線X-CL和Y觸控電極連接線Y-CL的觸控感測器金屬與發光元件ED的第二電極E2之間。
觸控緩衝膜T-BUF可以設計為使得觸控感測器金屬與發光元件ED的第二電極E2之間的距離保持為一預定的最小值(例如1μm)或更大的值。因此，可以減少或防止在觸控感測器金屬與發光元件ED的第二電極E2之間形成的寄生電容，進而防止可能由該寄生電容引起的觸控靈敏度下降。
沒有觸控緩衝膜T-BUF的情況下，包含X觸控電極X-TE和Y觸控電極Y-TE及X觸控電極連接線X-CL和Y觸控電極連接線Y-CL的觸控感測器金屬可以設置在封裝部ENCAP上。
此外，觸控緩衝膜T-BUF可以阻擋在設置在觸控緩衝膜T-BUF上的觸控感測器金屬的製造過程中所使用的化學溶液(例如，顯影劑或蝕刻劑)或外部濕氣滲透到含有有機材料的發光層EL中。因此，觸控緩衝膜T-BUF可以防止發光層EL受到化學溶液或濕氣的損害。
觸控緩衝膜T-BUF可以在等於或低於特定溫度(例如100℃)的低溫下形成，以防止對含有易受高溫影響之有機材料的發光層EL的損壞，並且由低介電常數為1-3的有機絕緣材料形成。例如，觸控緩衝膜T-BUF可以由丙烯酸類、環氧類或矽氧烷類材料形成。有平坦化效能之有機絕緣材料的觸控緩衝膜T-BUF可以防止對封裝部ENCAP中的每一個封裝層PAS1、PCL和PAS2的損壞以及防止在觸控緩衝膜T-BUF上形成的觸控感測器金屬的裂紋，其也可能由OLED裝置的彎曲造成。
根據基於互電容的觸控感測器結構，X觸控電極線X-TEL和Y觸控電極線Y-TEL可以彼此交叉地設置在觸控緩衝膜T-BUF上。
Y觸控電極線Y-TEL可以包括複數個Y觸控電極Y-TE和電耦合在複數個Y觸控電極Y-TE之間的複數條Y觸控電極連接線Y-CL。
如圖9所示，複數條Y觸控電極Y-TE和複數條Y觸控電極連接線Y-CL設置在不同的層上，在層間具有觸控絕緣膜ILD。
複數個Y觸控電極Y-TE可以沿y軸方向以正規間隔彼此間隔開。複數個Y觸控電極Y-TE中的每一個可以透過Y觸控電極連接線Y-CL電耦合至在y軸方向上相鄰的另一個Y觸控電極Y-TE。
每條Y觸控電極連接線Y-CL可以形成在觸控緩衝膜T-BUF上，並通過穿透觸控絕緣膜ILD的觸控接觸孔露出，並可以在y軸方向電耦合至兩個相鄰的Y觸控電極Y-TE。
Y觸控電極連接線Y-CL可以設置以與堤BANK交疊。因此，可以防止Y觸控電極連接線Y-CL減小開口率。
X觸控電極線X-TEL可以包括複數個X觸控電極X-TE和電耦合在複數個X觸控電極X-TE之間的複數條X觸控電極連接線X-CL。複數個X觸控電極X-TE和複數條X觸控電極連接線X-CL設置在具有觸控絕緣膜ILD介於其中的在不同層上。
複數個X觸控電極X-TE可以在觸控絕緣膜ILD上沿著x軸方向以正規間隔彼此間隔開。複數個X觸控電極X-TE中的每一個可以透過X觸控電極連接線X-CL電耦合至在x軸方向上相鄰的另一個X觸控電極X-TE。
每條X觸控電極連接線X-CL可以設置在與X觸控電極X-TE相同的平面上，並在x軸方向上不通過接觸孔電耦合至兩個相鄰的X觸控電極X-TE或與兩個相鄰的X觸控電極X-TE一體結合。
X觸控電極連接線X-CL可以設置以與堤BANK重疊。因此，可以防止X觸控電極連接線X-CL減小開口率。
Y觸控電極線Y-TEL可以透過Y觸控佈線Y-TL和Y觸控墊Y-TP電耦合至觸控驅動電路TDC。相似地，X觸控電極線X-TEL可以透過X-觸控佈線X-TL和X觸控墊X-TP電耦合至觸控驅動電路TDC。
可以進一步設置墊覆蓋電極以覆蓋X觸控墊X-TP和Y觸控墊Y-TP。
X觸控墊X-TP可以與X觸控佈線X-TL分開形成，或者可以從X觸控佈線X-TL延伸。Y觸控墊Y-TP可以與Y觸控佈線Y-TL分開形成，或者可以從Y觸控佈線Y-TL延伸。
當X觸控墊X-TP從X觸控佈線X-TL延伸而Y觸控墊Y-TP從Y觸控佈線Y-TL延伸時，X觸控墊X-TP、X觸控佈線X-TL、Y觸控墊Y-TP和Y觸控佈 線Y-TL可以由相同的第一導電材料形成。第一導電材料是具有良好的耐腐蝕性、耐酸性和導電性的金屬，例如Al、Ti、Cu和Mo，其可以形成單層或多層。
例如，X觸控墊X-TP、X觸控佈線X-TL、Y觸控墊Y-TP和Y觸控佈線Y-TL可以由第一導電材料形成例如Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo的三層堆疊。
可以覆蓋X觸控墊X-TP和Y觸控墊Y-TP的墊覆蓋電極可以由與X觸控電極X-TE和Y觸控電極Y-TE相同的第二導電材料形成。第二導電材料可以是諸如ITO或IZO之類具有強耐腐蝕性和耐酸性的透明導電材料。墊覆蓋電極可以形成為由觸控緩衝膜T-BUF暴露以與觸控驅動電路TDC或其上安裝有觸控驅動電路TDC的電路膜接合。
可以形成觸控緩衝膜T-BUF以覆蓋觸控感測器金屬，進而防止觸控感測器金屬被外部濕氣等腐蝕。例如，觸控緩衝膜T-BUF可以由有機絕緣材料，或者可以是圓偏光板或環氧或丙烯酸薄膜。觸控緩衝膜T-BUF可以不存在於封裝部ENCAP上。也就是說，觸控緩衝膜T-BUF可以是不必要的零件。
Y觸控佈線Y-TL可以透過觸控佈線接觸孔電耦合至Y觸控電極Y-TE，或者可以與Y觸控電極Y-TE一體結合。
Y觸控佈線Y-TL可以延伸到非主動區域NA、穿過封裝部ENCAP的頂表面和側表面以及壩DAM的頂表面和側表面、並電耦合至Y觸控墊Y-TP。 因此，Y觸控佈線Y-TL可以透過Y觸控墊Y-TP電耦合至觸控驅動電路TDC。
Y觸控佈線Y-TL可以將從Y觸控電極Y-TE接收的觸控感測信號傳輸到觸控驅動電路TDC，或者將從觸控驅動電路TDC接收的觸控驅動信號傳輸到Y觸控電極Y-TE。
X觸控佈線X-TL可以透過觸控佈線接觸孔電耦合至X觸控電極X-TE，或者可以與X觸控電極X-TE一體結合。
X觸控佈線X-TL可以延伸到非主動區域NA、穿過封裝部ENCAP的頂表面和側表面以及壩DAM的頂表面和側表面、並電耦合至X觸控墊X-TP。因此，X觸控佈線X-TL可以透過X觸控墊X-TP電耦合至觸控驅動電路TDC。
X觸控佈線X-TL可以將從觸控驅動電路TDC接收的觸控驅動信號傳輸到X觸控電極X-TE，或者將從X觸控電極X-TE接收的觸控感測信號傳輸到觸控驅動電路TDC。
可以根據面板設計以各種方式改變X觸控佈線X-TL和Y觸控佈線Y-TL的佈置。
觸控保護膜PAC可以設置在X觸控電極X-TE和Y觸控電極Y-TE上。觸控保護膜PAC可以延伸到壩DAM之前或之後，進而設置在X觸控佈線X-TL和Y觸控佈線Y-TL上。
圖9的截面圖概念性地示出了結構。每個圖案(每個層或電極)的位置、厚度或寬度可以根據觀看方向或位置而變化，各種圖案的連接結構也可被改變，且可在所示的多個層中增加、省略或一體結合一層。例如，堤BANK的寬度可以比圖中所示的窄，且壩DAM的高度可比圖中所示的更低或高。此外，圖9的截面圖示出了其中觸控電極TE和觸控佈線TL設置在整個子像素SP上的結構，以示出沿著觸控佈線TL和封裝部ENCAP的傾斜表面連接至觸控墊TP的示範性結構。然而，當觸控電極TE是上述網格類型時，觸控電極TE的開口OA可以位於子像素SP的發光區域上。此外，濾色器CF可以進一步設置在封裝部ENCAP上。濾色器CF可以位於觸控電極TE上，或者位於封裝部ENCAP與觸控電極TE之間。
圖10和圖11是顯示當根據本發明實施例的顯示面板DISP包括濾色器CF時觸控面板DISP的示範性截面結構的示意圖。
參照圖10和圖11，當觸控面板TSP內建在顯示面板DISP中，並且顯示面板DISP實現為OLED面板時，觸控面板TSP可以位於顯示面板DISP中的封裝部ENCAP上。換句話說，包含複數個觸控電極TE和複數條個觸控佈線TL的觸控感測器金屬可以位於顯示面板DISP中的封裝部ENCAP上。
如上所述，由於觸控電極TE形成在封裝部ENCAP上，所以可以在不顯著地影響顯示效能和與顯示相關的層形成的情況下來形成觸控電極TE。
參照圖10和圖11，可以是OLED的陰極的第二電極E2可以位於封裝部ENCAP下方。
封裝部ENCAP的厚度T可以例如1微米或以上。
如上所述，藉由將封裝部ENCAP的厚度設定為1μm或以上，可以減小在OLED的第二電極E2與觸控電極TE之間產生的寄生電容。因此，可以防止減小由寄生電容引起的觸控靈敏度下降。
如上所述，在複數個觸控電極TE的每一個中，電極金屬EM被圖案化為具有兩或多個開口OA的網格，且當從垂直方向觀看時，兩個或多個開口OA中的每一個可以對應於一個或多個子像素或光是從一個或多個子像素發出。
如上所述，可以圖案化觸控電極TE的電極金屬EM，使得當從平面上觀看時，一個或多個子像素的發光區域會對應於呈現在觸控電極TE的區域中的兩個或多個開口OA中的每一個的位置。因此，可以提高顯示面板DISP的發光效率。
如圖10和圖11所示，黑色矩陣BM可以設置在顯示面板DISP上，並且濾色器CF可以進一步設置在顯示面板DISP上。
黑色矩陣BM的位置可以對應於觸控電極TE的電極金屬EM的位置。
複數個濾色器CF的位置對應於複數個觸控電極TE或複數個觸控電極TE的開口OA的位置。
如上所述，由於複數個濾色器CF位於與複數個開口OA的位置相對應的位置處，所以可以提高顯示面板DISP的發光性能。
下面描述複數個濾色器CF與複數個觸控電極TE之間的垂直位置關係。
如圖10中所示，複數個濾色器CF和黑色矩陣BM可以位於複數個觸控電極TE上。
在這種情況下，複數個濾色器CF和黑色矩陣BM可以位於設置在複數個觸控電極TE上的保護塗層OC上。保護塗層OC可以與圖9中所示之觸控保護膜PAC相同或不同。
可替代地，如圖11中所示，複數個濾色器CF和黑色矩陣BM可以位於複數個觸控電極TE下方。
在這種情況下，複數個觸控電極TE可以位於設置在濾色器CF和黑色矩陣BM上的保護塗層OC上。保護塗層OC可以與圖中9所示之觸控緩衝膜T-BUF或觸控絕緣膜ILD相同或不同。可選地，觸控緩衝膜T-BUF或觸控絕緣膜ILD也可以與保護塗層OC分開設置。
由於以這種方式調節了觸控電極TE與用於顯示驅動的組件之間的垂直位置關係，所以可以在不降低顯示效能的情況下設置用於觸控感測的組件。
由於觸控電極TE和用於觸控感測的線設置在用於顯示驅動的電極和線上，所以用於顯示驅動的組件可能影響觸控感測效能。
本發明的實施例提供一種在不降低顯示效能的情況下佈置用於觸控感測的組件的方法；以及一種防止用於顯示驅動的組件降低觸控感測效能的方法。
圖12是顯示根據本發明實施例之觸控顯示裝置的示範性平面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極SE。
參照圖12，複數個觸控電極TE可以設置在主動區域AA中，並且耦合至觸控電極TE的複數條觸控佈線TL可以設置在界定在顯示面板DISP上的主動區域AA外部的非主動區域NA中。
如上所述，觸控電極TE和觸控佈線TL可以設置在封裝部ENCAP上。
此外，可以將用於顯示驅動的電極或線設置在封裝部ENCAP下方，並且可以將在其上施加有用於顯示驅動的信號的複數條信號線SL設置在非主動區域NA中。
信號線SL可以是供應從用於驅動子像素SP的資料驅動電路DDC輸出的資料電壓VDATA的線，或者是供應驅動電壓VDD的線。可選地，信號線SL可以是將輸入信號供給應諸如閘極驅動電路GDC之類的電路的線(例如，時脈線)。
信號線SL可以耦合至例如資料驅動電路DDC，且資料驅動電路DDC可以透過鏈接線LL耦合至可撓性印刷電路FPC。此外，觸控感測電路TSC可以設置在可撓性印刷電路FPC上。因此，觸控佈線TL可以連接到可撓性印刷電路FPC和觸控感測電路TSC。
信號線SL可以設置在非主動區域NA中而不與觸控佈線TL重疊，以防止在透過觸控佈線TL檢測觸控感測信號期間的雜訊。
信號線SL可以耦合至資料驅動電路DDC，且觸控佈線TL可以耦合至墊部分，以耦合到觸控感測電路TSC。當線集中於墊部分時，有一部分位於信號線SL與觸控佈線TL彼此重疊的部分上。
例如，如圖12所示，信號線SL和觸控佈線TL在主動區域AA與驅動電路之間的區域中相鄰於主動區域AA的第一非主動區域NA1中可以不彼此重疊。
另一方面，當信號線SL和觸控佈線TL聚集在一起以耦合至墊部分時，有一部分位於第二非主動區域NA2中信號線SL與觸控佈線TL可彼此重疊的部分上，墊部分位於其中，與驅動電路相鄰。
根據本發明實施例的觸控顯示裝置可以包括屏蔽電極SE，設置在非主動區域中其上設置有信號線SL的層與其上設置有觸控佈線TL的層之間，以減少觸控感測信號的雜訊，該雜訊可能由非主動區域NA中的信號線SL與觸控佈線TL之間的寄生電容引起。
屏蔽電極SE可以至少部分地與信號線SL重疊，並可以設置在包含信號線SL與觸控佈線TL彼此重疊的區域的區域中。
屏蔽電極SE可以設置以圍繞主動區域AA的外圍，且屏蔽電極SE的至少一部分可以位於主動區域AA的邊界內部。可選地，除主動區域AA的邊界之外，屏蔽電極SE可設置在主動區域AA的外部。
也就是說，由於屏蔽電極SE設置以圍繞主動區域AA，與觸控佈線TL和信號線SL重疊的區域重疊，因此可以防止由信號線SL引起的雜訊對觸控佈線TL的影響。
此外，在屏蔽電極SE可以是在顯示面板DISP的非主動區域NA中單獨設置用於屏蔽雜訊的電極的同時，屏蔽電極SE可以是設置在顯示面板DISP的非主動區域NA中施加有恆定電壓的電極。
例如，屏蔽電極SE可以設置在非主動區域NA中，並電耦合至設置在主動區域AA中的發光元件ED的第二電極E2。另外，屏蔽電極SE可電耦合至共用電壓供應線CVL，該共用電壓供應線CVL向第二電極E2供應作為基極電壓VSS的共用電壓。
也就是說，屏蔽電極SE可以連接在作為發光元件ED的共用電極的第二電極E2與共用電壓供給線CVL之間，並且可以設置在其上設置有信號線SL的層與其上設置有觸控佈線TL的層之間。
這樣一來，電耦合至共用電壓供應線CVL的屏蔽電極SE設置在信號線SL上，以將共用電壓供應給設置在主動區域AA中的共用電極。因此，可以減少在位於屏蔽電極SE上的觸控佈線TL上的信號線SL所造成的雜訊的影響。
因此，屏蔽電極SE可提供的好處是避免設置額外的電極以屏蔽由信號線SL引起的雜訊。
此外，連接到屏蔽電極SE的共用電壓供應線CVL可以位於與設置在屏蔽電極SE下方的任何一條信號線SL相同的層上。
此外，為了使屏蔽電極SE與信號線SL的佈置區域重疊，共用電壓供應線CVL可以位於非主動區域NA中其他信號線SL的外部。
圖13A、圖13B、圖14和圖15是顯示圖12中所示之觸控顯示裝置的示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極SE。
參照圖13A和圖13B，多緩衝層MB和主動緩衝層AB可以設置在基板SUB上，並且主動層ACT可以設置在主動緩衝層AB上設置。閘極絕緣層GI可以設置在主動層ACT上，並且第一金屬M1可以設置在閘極絕緣層GI上。第一金屬M1可以是閘極金屬。
第一絕緣層INS1可以設置在第一金屬M1上，而第二金屬M2和第二絕緣層INS2可以依序設置在第一絕緣層INS1上。第二金屬M2可以是用於形成電容器的電極。
第三金屬M3和平坦化層PLN可以依序設置在第二絕緣層INS2上。第三金屬M3可以是源極/汲極金屬。
構成每個子像素SP的像素電極PXL的第一電極E1可以設置在平坦化層PLN上，發光層EL和堤BANK可以設置在第一電極E1上，且可以設置作為共用電極COM的第二電極E2。
封裝部ENCAP可以設置在第二電極E2上，並且觸控電極TE和觸控佈線TL可以設置在封裝部ENCAP上。
在這種情況下，屏蔽電極SE可以設置在其上設置有觸控佈線TL的層與其上設置有非主動區域NA中的信號線SL的層之間。舉例來說，屏蔽電極 SE可以設置在平坦化層PLN與封裝部ENCAP之間。也就是說，屏蔽電極SE可以設置在與構成發光元件ED的第一電極E1的像素電極PXL相同的層上。另外，屏蔽電極SE可以由與像素電極PXL相同的材料形成。
屏蔽電極SE可以電耦合在作為共用電極COM的第二電極E2與共用電壓供應線CVL之間。
共用電壓供應線CVL可以與第三金屬M3設置在同一層上，該第三金屬M3設置在位於屏蔽電極SE下方的信號線SL的最上層上。
共用電壓供應線CVL可以設置在位於非主動區域NA中的複數條信號線SL的外部。
也就是說，共用電壓供應線CVL可以設置在佈置在非主動區域NA中的信號線的最外側，並且位於封裝部ENCAP下方的複數條信號線SL可以設置在主動區域AA與共用電壓供應線CVL之間。
因此，由於屏蔽電極SE設置以圍繞複數條信號線SL上的觸控佈線TL，因此屏蔽電極SE可以防止在信號線SL與觸控佈線TL之間形成寄生電容。 另外，可以防止由信號線SL引起的雜訊對觸控佈線TL的影響。
此外，由於諸如共用電壓的恆定電壓施加到屏蔽電極SE，所以屏蔽電極SE可以阻擋由信號線SL引起的雜訊並可以不影響設置在封裝部ENCAP上的觸控佈線TL。
如圖13A所示，屏蔽電極SE上的封裝部ENCAP可以包括平坦區域和傾斜區域。封裝部ENCAP可以包括在非主動區域NA的外部區域中的傾斜區域，並且屏蔽電極SE也可以設置在封裝部ENCAP的傾斜區域下方，進而阻擋由信號線SL引起的雜訊。可選地，如圖13B所示，封裝部ENCAP可以以平坦結構設置在屏蔽電極SE上，使得觸控佈線TL在設置屏蔽電極SE的區域上與屏蔽電極SE保持一預定距離。因此，也可以防止由信號線SL透過屏蔽電極SE在觸控佈線TL上引起的雜訊的間接影響。
耦合至屏蔽電極SE的共用電壓供應線CVL可以與信號線SL位於同一層上，不同於設置在非主動區域NA中的第三金屬M3。
例如，參照圖14，設置在非主動區域NA中並電耦合至屏蔽電極SE的共用電壓供應線CVL可以與屏蔽電極SE下方的第二金屬M2位於同一層上。此外，共用電壓供應線CVL可以由與第二金屬M2相同的材料形成。
共用電壓供應線CVL可以設置在非主動區域NA中其他信號線SL的外部。因此，電耦合在共用電壓供應線CVL與共用電極COM之間的屏蔽電極SE可以覆蓋其中設置有複數條信號線SL的區域。
由於共用電壓供應線CVL在第三金屬M3下方由第二金屬M2形成，因此由第三金屬M3形1成的信號線SL可以位於共用電壓供應線CVL上。因此，延伸以耦合到共用電壓供應線CVL的屏蔽電極SE可以位於由第三金屬M3形成的信號線SL的一側。
也就是說，屏蔽電極SE可以包括位於信號線SL上的第一部分SEa和位於信號線SL的一側上的第二部分SEb。
由於屏蔽電極SE設置在信號線SL的一側，所以屏蔽電極SE也可以防止信號線SL相對於觸控佈線TL在傾斜方向上形成寄生電容。
因此，屏蔽電極SE可以進一步減小由信號線SL與觸控佈線TL之間的寄生電容引起的雜訊。
在另一示例中，參照圖15，可以將電耦合至屏蔽電極SE的共用電壓供應線CVL設置在與第一金屬M1相同的層上。此外，共用電壓供應線CVL可以由與第一金屬M1相同的材料構成。
由於共用電壓供應線CVL位於與屏蔽電極SE下方的複數條信號線SL的最低層上的第一金屬M1相同的層上，因此電耦合至共用電壓供應線CVL的屏蔽電極SE可以整體上圍繞複數條信號線SL。
因此，可以進一步提高屏蔽電極SE對信號線SL的雜訊屏蔽效能。
也就是說，本發明的實施例提供了一種結構，其中屏蔽電極SE可以藉由設置電耦合在共用電極COM與共用電壓供應線CVL之間的屏蔽電極SE來屏蔽由信號線SL引起的雜訊，並將複數條信號線SL定位在共用電壓供應線CVL的內側。
因此，屏蔽電極SE上的觸控佈線TL不受信號線SL的影響，進而提高了觸控感測效能。
此外，在某些情況下，耦合至屏蔽電極SE的共用電壓供應線CVL可以提供雜訊屏蔽功能。
圖16是顯示根據本發明實施例的觸控顯示裝置的另一示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極SE。
參照圖16，可以將電耦合至共用電壓供應線CVL的屏蔽電極SE設置在非主動區域NA中的封裝部ENCAP下方。該屏蔽電極SE可以防止由屏蔽電極SE下方的信號線SL引起的雜訊影響封裝部ENCAP上的觸控佈線TL。
屏蔽電極SE可以電耦合至施加共用電壓的共用電壓供應線CVL。
共用電壓供應線CVL可以與例如第三金屬M3一樣設置在同一層上。此外，共用電壓供應線CVL可以由與第三金屬M3相同的材料形成。
共用電壓供應線CVL的寬度(或面積)可以大於其他信號線SL的寬度(或面積)。
也就是說，在設置在非主動區域NA中的複數條信號線SL之中，耦合到屏蔽電極SE並供應共用電壓的共用電壓供應線CVL的寬度可以大於任何其他信號線SL的寬度。
共用電壓供應線CVL可以在共用電壓供應線CVL下方與其他信號線SL重疊。
因此，共用電壓供應線CVL可以阻擋由下層信號線SL所引起的雜訊影響封裝部ENCAP上的觸控佈線TL。
此外，隨著共用電壓供應線CVL的寬度增加，線的電阻可以減小。
儘管通過示例顯示了提供雜訊屏蔽功能的共用電壓供應線CVL設置在與第三金屬M3相同的層上，但是可以將共用電壓供應線CVL設置在與第一金屬M1或第二金屬M2相同的層上，同時提供雜訊屏蔽功能。
也就是說，本發明的實施例可以藉由設置位於非主動區域NA中並電耦合至共用電極COM的屏蔽電極SE，或耦合至信號線SL與觸控佈線TL之間的共用電壓供應線CVL，並屏蔽由信號線SL引起的雜訊，來提高觸控感測效能。
此外，除了屏蔽電極SE之外，在某些情況下可以設置用於雜訊屏蔽的附加電極。
圖17是顯示根據本發明實施例的觸控顯示裝置的另一示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極SE。
參照圖17，第一屏蔽電極SE1可以設置為在非主動區域NA中電耦合在共用電極COM與共用電壓供應線CVL之間。第一屏蔽電極SE1可以位於其中設置有觸控佈線TL的層與其中設置有複數條信號線SL的層之間。
第二屏蔽電極SE2可以與第一屏蔽電極SE1分開地設置在非主動區域NA中的第一屏蔽電極SE1的外部。第一屏蔽電極SE1和第二屏蔽電極SE2可以彼此電絕緣。
第二屏蔽電極SE2可以與例如設置在最上層的第三金屬M3一樣設置在同一層上。第二屏蔽電極SE2可以由與第三金屬M3相同的材料形成。
第二屏蔽電極SE2可以設置在第一屏蔽電極SE1的外部，即，在共用電壓供應線CVL的外部，與位於共用電壓供應線CVL外部的信號線SL重疊。
因此，與第一屏蔽電極SE1分開設置的第二屏蔽電極SE2可以屏蔽由信號線SL引起的雜訊，同時覆蓋第一屏蔽電極SE1未覆蓋的區域。如此一來，共用電壓供應線CVL可以延伸到非主動區域NA的一部分，或者第二屏蔽電極SE2可以由位於比第一屏蔽電極SE1更低的層上的金屬形成，進而屏蔽由信號線SL引起的雜訊。由於延伸的共用電壓供應線CVL或第二屏蔽電極SE2位於比耦合至共用電極COM或第一屏蔽電極SE1的屏蔽電極SE低的層上，延伸的共用電壓供應線CVL或第二屏蔽電極SE2可以對應於封裝部ENCAP的傾斜區域而設置。也就是說，屏蔽電極SE與觸控佈線TL之間的距離可以藉由將在封裝部ENCAP的傾斜區域中用於屏蔽雜訊的電極設置比在封裝部ENCAP的平坦區域中用於屏蔽雜訊的電極更下方的層上，來保持一定距離或更大。因此，由信號線SL所引起的雜訊可能不會透過屏蔽電極SE間接地影響觸控佈線TL。
此外，當第二屏蔽電極SE2與第一屏蔽電極SE1分開設置時，觸控佈線TL在與第一屏蔽電極SE1和第二屏蔽電極SE1之間的區域重疊的區域中不與信號線SL重疊。因此，可以在未被第一屏蔽電極SE1和第二屏蔽電極SE2覆蓋的區域中防止雜訊從信號線SL產生。
可以對第二屏蔽電極SE2施加恆定電壓。可選地，也可以對第二屏蔽電極SE2施加與對第一屏蔽電極SE1施加的共用電壓相同的電壓。在此情況下，供應共用電壓至第二屏蔽電極SE2的電源可以與將共用電壓供應至第一屏蔽電極SE1的電源相同或與之分離。
可選地，在某些情況下，可以將與施加到觸控佈線TL相同的信號施加到第二屏蔽電極SE2。由於與施加到觸控佈線TL相同的信號施加到第二屏蔽電極SE2，可以阻擋由信號線SL引起的雜訊，並還可以防止由第二屏蔽電極SE2與觸控佈線TL之間的寄生電容所引起的雜訊。
如圖17示例中所示，第二屏蔽電極SE2可以設置在與耦合到第一屏蔽電極SE1的共用電壓供應線CVL相同的層上，但是第二屏蔽電極SE2可以設置在與共用電壓供應線CVL不同的層上。
例如，第二屏蔽電極SE2可以設置在比共用電壓供應線CVL更高的層上。
在這種情況下，可以進一步減小信號線SL和觸控佈線TL在傾斜方向上重疊的區域，進而提高了雜訊屏蔽的效果。
在另一示例中，第二屏蔽電極SE2可以設置在比共用電壓供應線CVL更低的層上。在一些情況下，第二屏蔽電極SE2的一部分可以延伸到共用電壓供應線CVL的內部，因此增加了雜訊屏蔽面積。
如上所述，除了耦接在共用電極COM與共用電壓供應線CVL之間的屏蔽電極SE以外，本發明的實施例可以藉由另外設置用於雜訊屏蔽的電極來防止由信號線SL引起的雜訊在未被屏蔽電極SE覆蓋的區域中影響觸控佈線TL。
可選地，觸控佈線TL可以在不被屏蔽電極SE覆蓋的區域中設置成不與信號線SL重疊，進而信號線SL在其中未設置屏蔽電極SE的區域中不產生雜訊。
圖18是顯示根據本發明實施例的觸控顯示裝置的另一示範性平面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極SE。圖19是顯示觸控顯示器的示範性截面結構的示意圖，其中設置有屏蔽電極SE，如圖18所示。
參照圖18和圖19，觸控顯示裝置可以在某些情況下於非主動區域NA中包括第一非主動區域NA1，其中設置有屏蔽電極SE；以及第二非主動區域NA2，未設有屏蔽電極SE。
在這種情況下，與屏蔽電極SE一起位於第一非主動區域NA1中的觸控佈線TL可以與位於屏蔽電極SE下方的信號線SL部分地重疊。
即使觸控佈線TL與信號線SL重疊，在觸控佈線TL與信號線SL之間屏蔽電極SE的存在也可能會阻擋由信號線SL引起的雜訊。
設置在第二非主動區域NA2中而沒有任何屏蔽電極SE的觸控佈線TL可以在不與信號線SL重疊的情況下設置。
也就是說，在沒有屏蔽電極SE的區域中，觸控佈線TL可以設置在與設置信號線SL的區域重疊的區域以外的區域中。
如上所述，在其中設置有屏蔽電極SE的區域中，允許觸控佈線TL與信號線SL之間的重疊結構，並且在非主動區域NA中沒有任何屏蔽電極SE的區域中觸控佈線TL不與信號線SL重疊。因此，可以防止由信號線引起的雜訊並可以增加線設計的自由度。
根據本發明的上述實施例，設置在非主動區域NA中並電耦合在共用電極COM與共用電壓供應線CVL之間的屏蔽電極SE位於觸控佈線TL與信號線SL之間。因此，設置用於供應共用電壓的電極可以提供屏蔽由信號線SL引起的雜訊的功能。
此外，在某些情況下，可以增加共用電壓供應線CVL的寬度(或面積)，或者可以額外設置不與共用電壓供應線CVL耦合的電極，進而屏蔽從信號線SL產生的雜訊。
以這種方式，設置在非主動區域NA中並被施加恆定電壓的電極位於觸控佈線TL與信號線SL之間。因此，可以減小在觸控佈線TL上由信號線SL引起的雜訊的影響。
此外，位於屏蔽電極SE上的封裝部ENCAP具有平坦化的結構。保持屏蔽電極SE與觸控佈線TL之間一定距離的結果可以防止雜訊透過屏蔽電極SE間接影響觸控佈線TL。
上面的描述可以使本領域的任何技術人員能夠製造和使用本發明的技術思想，並且已經對特定應用及其要求提供了上述描述。所描述的實施例各種修改、增加和替代的描述對於本領域技術人員將是顯而易見的，並且在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，本文中定義的一般原理可以應用於其他實施例和應用。本發明的技術思想的示例僅用於說明性目的。也就是說，所揭露的實施例旨在說明本發明的技術思想的範圍。因此，本發明的範圍不限於所示的實施例，但應根據請求項被賦予最寬範圍。本發明的保護範圍應為基於所附請求項來解釋本發明，並且在其等效範圍內的所有技術思想應被解釋為包含在本發明的範圍內。
DCTR:顯示控制器
DDC:資料驅動電路
GDC:閘極驅動電路
DISP:顯示面板
TCTR:觸控控制器
TDC:觸控驅動電路
TSC:觸控感測電路
TSP:觸控面板

Claims (20)

  1. 一種觸控顯示裝置，包括：
    一主動區域，複數個發光元件設置在該主動區域中；
    一非主動區域，界定在該主動區域之外，複數條信號線設置在該非主動區域中；
    一封裝部，設置在該主動區域和該非主動區域中，並位於該些發光元件和該些信號線上；
    複數個觸控電極，設置在該封裝部上的該主動區域中；
    複數條觸控佈線，設置在該封裝部上的該非主動區域中，並電耦合至該些觸控電極；
    一屏蔽電極，位於該非主動區域中的該封裝部下方，該屏蔽電極的至少一部分位於該信號線上，並電耦合至該些發光元件的一共用電極；以及
    一共用電壓供應線，位於該屏蔽電極下方並電耦合至該屏蔽電極；
    其中，該屏蔽電極和該共用電壓供電線中的至少一個設置在包含該些觸控佈線與該非主動區域中的該些信號線重疊的區域的一區域中。
  2. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，該複數條信號線位於該主動區域與該共用電壓供電線之間。
  3. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，該複數條信號線中的至少一條設置在與該共用電壓供電線重疊的一區域中。
  4. 根據請求項3所述的觸控顯示裝置，其中，該共用電壓供電線的寬度大於與該共用電壓供電線重疊的該信號線的寬度。
  5. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，該屏蔽電極包括：
    一第一部分，位於該複數條信號線上；以及一第二部分，連接到該第一部分，並位於該複數條信號線中的至少一條的一側。
  6. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，該屏蔽電極由與該些發光元件的像素電極相同的材料形成。
  7. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，該共用電壓供電線與該複數條信號線中的一條設在同一層上。
  8. 根據請求項7所述的觸控顯示裝置，其中，該共用電壓供電線與在該複數條信號線之中於一最低位置的一條信號線設在同一層上。
  9. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，設置在與該屏蔽電極和該共用電壓供電線重疊的區域以外的一區域中的該些信號線的一部分設置在與該些觸控佈線重疊的區域以外的一區域中。
  10. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，設置在該非主動區域中的該封裝部的至少一部分包括一傾斜面，並且該些觸控佈線的一部分設置在該傾斜面上。
  11. 根據請求項1所述的觸控顯示裝置，其中，該封裝部與該非主動區域中的該屏蔽電極重疊的一上表面是平坦的。
  12. 一種觸控顯示裝置，包括：一主動區域，複數個發光元件設置在該主動區域中；一非主動區域，界定在該主動區域之外，複數條信號線設置在該非主動區域中；一封裝部，設置在該主動區域和該非主動區域中，並位於該些發光元件和該些信號線上；複數個觸控電極，設置在該封裝部上的該主動區域中；複數條觸控佈線，設置在該封裝部上的該非主動區域中，並電耦合至該些觸控電極；一第一屏蔽電極，位於該非主動區域中的該封裝部下方，該第一屏蔽電極的至少一部分位於該些信號線上，並電耦合至該些發光元件的一共用電極；以及
    一第二屏蔽電極，位於該非主動區域中的該第一屏蔽電極的外部並與該第一屏蔽電極分離。
  13. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，其中，該第一屏蔽電極和該第二屏蔽電極中的至少一個設置在包含該些觸控佈線與該非主動區域中的該些信號線重疊的區域的一區域中。
  14. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，其中，該第一屏蔽電極與該第二屏蔽電極彼此電性絕緣。
  15. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，其中，一恆定電壓施加至該第二屏蔽電極。
  16. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，其中，施加至該第二屏蔽電極上的一電壓與施加至該第一屏蔽電極上的一電壓具相同電位。
  17. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，其中，與施加至該些觸控佈線的信號的相同信號施加至該第二屏蔽電極。
  18. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，進一步包括一共用電壓供應線，位於該第一屏蔽電極下方並電耦合至該第一屏蔽電極；
    其中，該共用電壓供應線位於與該第二屏蔽電極同一層或是在該第二屏蔽電極下方。
  19. 根據請求項18所述的觸控顯示裝置，其中，該些觸控佈線與該些信號線重疊的一區域與該非主動區域中除了該共用電壓供電線與該第二屏蔽電極之間的區域以外的一區域重疊。
  20. 根據請求項12所述的觸控顯示裝置，其中，位於該第一屏蔽電極上的該封裝部的一部分包括一平坦區域，且位於該第二屏蔽電極上的該封裝部的一部分包括一傾斜區域。
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