TWI729760B - 阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置 - Google Patents

阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置 Download PDF

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Abstract

一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與進氣法蘭緊密連接的進氣噴嘴，進氣噴嘴內腔套設有進氣導向體，其中進氣導向體具有上部結構、中部結構和下部結構，上部結構、中部結構和下部結構為一體式結構，上部結構、中部結構和下部結構均呈圓柱狀，上部結構橫截面直徑小於中部結構橫截面直徑，中部結構與下部結構之間設置有匯氣區，且通過匯氣區連接。本發明可以避免出現等離子體流通過進氣孔回流進氣通道內，因進氣通道距離射頻功率點距離過近，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體的情況。

Description

阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置
本發明關於一種等離子體刻蝕技術領域，尤指一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置。
目前在對半導體器件等的製作過程中，為了徹底清潔耦合窗，可以採用靜電屏蔽件，法拉第屏蔽用於等離子體處理腔室中可以減少等離子體對腔體材料的侵蝕，目前已有的技術是將中部陶瓷進氣嘴與法拉第相連，同時通上射頻，這樣通過清洗工藝，耦合窗和中部陶瓷進氣嘴均可以徹底清洗乾淨。但當射頻功率載入到最大時，清洗氣體通過進氣通道進入腔體，在射頻電源的作用下在腔體內部電離，形成等離子體流，等離子體流同時會通過進氣孔回流到進氣通道內，因進氣通道距離射頻功率點距離過近，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體，不可使用。
為解決上述等離子體流會通過進氣孔回流到進氣通道內，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體的問題，本發明提供如下技術方案：一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與進氣法蘭緊密連接的進氣噴嘴，進氣噴嘴內腔套設有進氣導向體，其中：該進氣導向體具有上部結構、中部結構和下部結構，該上部結構、該中部結構和該下部結構呈一體式結構，該上部結構、該中部結構和該下部結構均呈圓柱狀，該上部結構橫截面直徑小於該中部結構橫截面直徑；以及該中部結構與該下部結構之間設置有匯氣區，且通過該匯氣區連接。
較佳地，該進氣導向體上表面設置有至少一個盲孔，其中該盲孔從該上部結構上表面貫穿到該中部結構內部，該盲孔下端與徑向孔一端導通；其中該徑向孔設置於該中部結構上部外表面，該徑向孔另一端均與一個邊緣槽導通；其中該邊緣槽設置於該中、下部結構外側面上。
較佳地，該上部結構外側面設置有至少一個上部氣槽，其中該上部氣槽設置於該上部結構外側面，該上部氣槽端底與徑向槽一端連接。
較佳地，該徑向槽另一端與斜面槽連接，其中該斜面槽呈螺旋狀且設置於該中部結構外側面。
較佳地，該斜面槽螺旋形狀圈數至少0.5圈。
較佳地，該徑向槽另一端與側壁導氣槽連接，其中該側壁導氣槽具有多段氣槽。
較佳地，該側壁導氣槽具有至少一個斜向右下氣槽和至少一個斜向左下氣槽，該斜向右下氣槽與該斜向左下氣槽按氣體流動方向依次連接。
較佳地，該側壁導氣槽具有一軸向直線氣槽、至少一個斜向右下氣槽和至少一個斜向左下氣槽。
較佳地，該軸向直線氣槽與該徑向槽另一端連接，該斜向左下氣槽與該斜向右下氣槽按氣體流動方向依次連接。
較佳地，還包括絕緣保護層，該進氣法蘭和該進氣導向體之間設置有一該絕緣保護層。
本發明的有益效果是：本發明通過將電子能量消除，即距離帶射頻功率的進氣法蘭最近的區域為絕緣不帶電的，與高功率元件導通的路徑無法形成，避免出現等離子體流通過進氣孔回流進氣通道內，因進氣通道距離射頻功率點距離過近，導致進 氣通道內點火，損壞進氣導向體的情況。
6:線圈
8:射頻匹配器
10:進氣法蘭
20:進氣噴嘴
30:進氣導向體
301:盲孔
302:徑向孔
303:邊緣槽
311:上部氣槽
312:徑向槽
313:斜面槽
321:斜向左下氣槽
322:斜向右下氣槽
331:軸向直線氣槽
343:導氣通道
40:匯氣區
50:絕緣保護層
710:截面
第1圖為刻蝕系統結構示意圖。
第2圖為現有技術進氣導向體結構示意圖。
第3圖為本發明實施方式一進氣導向體剖面圖。
第4圖為本發明實施方式一進氣導向體結構示意圖。
第5圖為本發明實施方式二進氣導向體結構示意圖。
第6圖為本發明實施方式三進氣導向體結構示意圖。
第7圖為本發明實施方式四進氣導向體結構示意圖。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
如第1圖和第2圖所示的刻蝕系統，當需要進行清洗工藝時，上射頻匹配器8關閉連接線圈6，打開連接至進氣法蘭10的通路，同時清洗氣體通過進氣法蘭10進入到反應腔室內部，在腔體內部電離成清洗等離子體氣流，清洗腔室內部及上部區域。但是由於進氣法蘭10連接到高功率的清洗射頻，且進氣導向體30上的導氣通道343為豎直方向，在腔體內部形成的等離子體會通過進氣噴嘴20底部的出氣口回流到導氣通道343內部，而進氣法蘭10與進氣導向體30上部緊密連接，使得導氣通道343與進氣法蘭10導通，氣體在此區域內放電，使得導氣通道343內部形成高電荷，燒壞進氣導向體。為解決上述問題提出以下幾種技術方案：
實施例1
請參閱第3圖和第4圖，本實施方式一提供的技術方案是，一種阻擋 工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與金屬材質的進氣法蘭10緊密連接的進氣噴嘴20，進氣噴嘴20內腔套設有進氣導向體30；其中該進氣導向體30具有上部結構、中部結構和下部結構，上部結構、中部結構和下部結構呈一體式結構，上部結構、中部結構和下部結構均呈圓柱狀，該上部結構橫截面直徑小於該中部結構橫截面直徑；以及該中部結構與該下部結構之間設置有匯氣區40，且通過該匯氣區40連接。
為了解決等離子體流會通過進氣孔回流到進氣通道內，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體的問題。本發明將該進氣導向體30上表面設置有至少一個盲孔301，其中該盲孔301沿該上部結構上表面圓周設置有一圈，且該盲孔301從該上部結構上表面貫穿到該中部結構內部。
本發明還包括多個徑向孔302和多個邊緣槽303，每個徑向孔302徑向設置於該中部結構上部外表面，每個徑向孔302均與一個盲孔301底端導通；每個徑向孔302另一端均與一個邊緣槽303導通。
其中該邊緣槽303既可以設置於該中部結構外側面，以該匯氣區40為尾端；如第4圖所示，該邊緣槽303又可設置於中部結構和下部結構外側面上，從該中部結構延伸至下部結構上。
本發明在該進氣法蘭10和該進氣導向體30之間設置一絕緣保護層50，其中該絕緣保護層50包裹住該進氣法蘭10，所用材質為塑膠，一般採用為聚四氟乙烯，聚醯亞胺或聚醚醚酮等，該種材質可以實現高電壓的絕緣消耗，極大程度的減小了高射頻功率對底部進氣導向體的傷害。
在系統進行清洗流程時，清洗氣體由進氣法蘭10通入，流經進氣導向體30上的盲孔301、徑向孔302及邊緣槽303，最終由進氣噴嘴20底部的出氣口排出。當腔體內部的等離子體氣流通過出氣口回流時，需通過進氣通道進入邊 緣槽303，由於在邊緣槽303的上部為實體阻塞的，等離子體氣流在該位置會撞擊至邊緣槽303上部的實體壁上，電子會隨著碰撞能量逐漸消失，即距離帶射頻功率的進氣法蘭10最近的區域為絕緣不帶電的，與高功率元件導通的路徑無法形成，從而保護了進氣導向體30免受高熱量高射頻的損傷。
實施例2
請參閱第5圖，本實施方式二提供的技術方案是，一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與金屬材質的進氣法蘭10緊密連接的進氣噴嘴20，進氣噴嘴20內腔套設有進氣導向體30；其中該進氣導向體30具有上部結構、中部結構和下部結構，上部結構、中部結構和下部結構呈一體式結構，上部結構、中部結構和下部結構均呈圓柱狀，該上部結構橫截面直徑小於該中部結構橫截面直徑；以及該中部結構與該下部結構之間設置有匯氣區40，且通過該匯氣區40連接。
為了解決等離子體流會通過進氣孔回流到進氣通道內，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體的問題。本發明在該上部結構外側面設置有多個上部氣槽311，多個上部氣槽311軸向設置於該上部結構外側面，每個上部氣槽311端底均與一個徑向槽312一端連接。
本發明還包括多個徑向槽312和多個斜面槽313，多個徑向槽312另一端均與一個斜面槽313導通，其中該斜面槽313呈螺旋狀且設置於該中部結構外側面，延伸至該匯氣區40。
該斜面槽313上螺旋形狀圈數可設置為0.5圈，也可以根據加工難易度以及腔體內氣流的壓力進行調節，可以設置螺旋線形狀圈數為1圈或更多圈。
本發明在該進氣法蘭10和該進氣導向體30之間設置一絕緣保護層50，其中該絕緣保護層50包裹住該進氣法蘭10，所用材質為塑膠，一般採用為聚 四氟乙烯，聚醯亞胺或聚醚醚酮等，該種材質可以實現高電壓的絕緣消耗，極大程度的減小了高射頻功率對底部進氣導向體的傷害。
在系統進行清洗流程時，從進氣法蘭10進入的清洗氣體流經上部氣槽311，徑向槽312以及斜面槽313彙集到匯氣區40處，最終通過進氣噴嘴20的出氣口噴出。腔體內部的等離子體通過出氣口反流時，通過匯氣區40到達斜面槽313底部，由於斜面槽313為斜向的，等離子體帶電子碰撞至斜面槽313的斜壁上，電子會隨著碰撞能量逐漸消失，與高功率元件導通的路徑無法形成，從而保護了進氣導向體30免受高熱量高射頻的損傷。
實施例3
參閱第6圖，本實施方式三提供的技術方案是，一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與金屬材質的進氣法蘭10緊密連接的進氣噴嘴20，進氣噴嘴20內腔套設有進氣導向體30；其中該進氣導向體30具有上部結構、中部結構和下部結構，上部結構、中部結構和下部結構呈一體式結構，上部結構、中部結構和下部結構均呈圓柱狀，該上部結構橫截面直徑小於該中部結構橫截面直徑；以及該中部結構與該下部結構之間設置有匯氣區40，且通過該匯氣區40連接。
為了解決等離子體流會通過進氣孔回流到進氣通道內，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體的問題。本發明在該上部結構外側面設置有多個上部氣槽311，多個上部氣槽311軸向設置於該上部結構外側面，每個上部氣槽311端底均與一個徑向槽312一端連接，該徑向槽312的數量與該上部氣槽311相同。
該徑向槽312另一端與側壁導氣槽連接，其中該側壁導氣槽具有多段氣槽。該側壁導氣槽具有至少一個斜向右下氣槽322和至少一個斜向左下氣槽321，該斜向右下氣槽322與該斜向左下氣槽321按氣體流動方向依次連接。該斜 向左下氣槽321與該斜向右下氣槽322的數量根據加工難易度以及腔體內氣流的壓力進行調節。
本發明在該進氣法蘭10和該進氣導向體30之間設置一絕緣保護層50，其中，該絕緣保護層50包裹住該進氣法蘭10，所用材質為塑膠，一般採用為聚四氟乙烯，聚醯亞胺或聚醚醚酮等，該種材質可以實現高電壓的絕緣消耗，極大程度的減小了高射頻功率對底部進氣導向體的傷害。
如第6圖所示，進氣導向體30中部結構可以做成兩個單獨的部分，兩部分的導氣槽方向相反，以截面710為分界線。在系統進行清洗流程時，腔體內部的等離子體通過出氣口反流時，通過匯氣區40到達斜向右下氣槽322底部，由於斜向左下氣槽321和斜向右下氣槽322為斜向的，等離子體帶電子碰撞至斜向左下氣槽321和斜向右下氣槽322的斜壁上，電子能量逐漸消失，與高功率元件導通的路徑無法形成，從而保護了進氣導向體30免受高熱量高射頻的損傷。
實施例4
請參閱第7圖，本實施方式三提供的技術方案是，一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與金屬材質的進氣法蘭10緊密連接的進氣噴嘴20，進氣噴嘴20內腔套設有進氣導向體30；其中該進氣導向體30具有上部結構、中部結構和下部結構，上部結構、中部結構和下部結構呈一體式結構，上部結構、中部結構和下部結構均呈圓柱狀，該上部結構橫截面直徑小於該中部結構橫截面直徑；以及該中部結構與該下部結構之間設置有匯氣區40，且通過該匯氣區40連接。
為了解決等離子體流會通過進氣孔回流到進氣通道內，導致進氣通道內點火，損壞進氣導向體的問題。本發明在該上部結構外側面設置有多個上部氣槽311，多個上部氣槽311軸向設置於該上部結構外側面，每個上部氣槽311 端底均與一個徑向槽312一端連接，該徑向槽312的數量與該上部氣槽311相同。
該徑向槽312另一端與側壁導氣槽連接，其中該側壁導氣槽具有多段氣槽。該側壁導氣槽具有一軸向直線氣槽331、至少一個斜向右下氣槽322和至少一個斜向左下氣槽321。該軸向直線氣槽331與該徑向槽312另一端連接，該斜向左下氣槽321與該斜向右下氣槽322按氣體流動方向依次連接。
本發明在該進氣法蘭10和該進氣導向體30之間設置一絕緣保護層50，其中該絕緣保護層50包裹住該進氣法蘭10，所用材質為塑膠，一般採用為聚四氟乙烯，聚醯亞胺或聚醚醚酮等，該種材質可以實現高電壓的絕緣消耗，極大程度的減小了高射頻功率對底部進氣導向體的傷害。
如第7圖所示，側壁導氣槽分為好幾段，包括軸向直線氣槽331，互為反向的斜向左下氣槽321和斜向右下氣槽322，該三段導氣槽可以是在一個完整的圓柱側壁上，也可以分成三個單獨的部分依次組裝在一起。除此以外，本實施方式中，斜向左下氣槽321和斜向右下氣槽322數量根據加工難易度以及腔體內氣流的壓力進行調節。
在系統進行清洗流程時，腔體內部的等離子體通過出氣口反流時，通過匯氣區40到達斜向右下氣槽322底部，由於斜向左下氣槽321和斜向右下氣槽322為斜向的，等離子體帶電子碰撞至斜向左下氣槽321和斜向右下氣槽322的斜壁上，電子能量逐漸消失，與高功率元件導通的路徑無法形成，從而保護了進氣導向體30免受高熱量高射頻的損傷。
儘管已經示出和描述了本發明的實施例，對於本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的範圍由所附申請專利範圍及其等同物限定。
10:進氣法蘭
20:進氣噴嘴
301:盲孔
302:徑向孔
303:邊緣槽
50:絕緣保護層

Claims (9)

  1. 一種阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，包括與進氣法蘭緊密連接的進氣噴嘴，該進氣噴嘴內腔套設有進氣導向體，其中：該進氣導向體具有上部結構、中部結構和下部結構，該上部結構、該中部結構和該下部結構為一體式結構，該上部結構、該中部結構和該下部結構均呈圓柱狀，該上部結構橫截面直徑小於該中部結構橫截面直徑，該進氣導向體上表面設置有至少一個盲孔，其中該盲孔從該上部結構上表面貫穿到該中部結構內部，該盲孔下端與徑向孔一端導通，該徑向孔設置於該中部結構上部外表面，該徑向孔另一端均與一個邊緣槽導通，該邊緣槽設置於該中部結構和該下部結構外側面上；以及該中部結構與該下部結構之間設置有匯氣區，且通過該匯氣區連接。
  2. 如請求項1所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該上部結構外側面設置有至少一個上部氣槽，其中該上部氣槽設置於該上部結構外側面，該上部氣槽端底與徑向槽一端連接。
  3. 如請求項2所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該徑向槽另一端與斜面槽連接，其中該斜面槽呈螺旋狀且設置於該中部結構外側面。
  4. 如請求項3所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該斜面槽螺旋形狀圈數至少0.5圈。
  5. 如請求項2所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該徑向槽另一端與側壁導氣槽連接，該側壁導氣槽具有多段氣槽。
  6. 如請求項5所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該側壁導氣槽具有至少一個斜向右下氣槽和至少一個斜向左下氣槽，該斜向右下氣槽與該斜向左下氣槽按氣體流動方向依次連接。
  7. 如請求項5所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該側壁導氣槽具有一軸向直線氣槽、至少一個斜向右下氣槽和至少一個斜向左下氣槽。
  8. 如請求項7所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，其中該軸向直線氣槽與該徑向槽另一端連接，該斜向左下氣槽與該斜向右下氣槽按氣體流動方向依次連接。
  9. 如請求項1所述之阻擋工藝腔室等離子體反流保護進氣結構的裝置，更包括絕緣保護層，該進氣法蘭和該進氣導向體之間設置有該絕緣保護層。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707524B (zh) * 2020-05-20 2022-06-10 江苏鲁汶仪器有限公司 一种阻挡等离子体反流的进气结构
CN113707527B (zh) 2020-05-21 2022-07-29 江苏鲁汶仪器有限公司 一种阻挡等离子体反流的分离式进气结构
CN116884890B (zh) * 2023-09-07 2023-12-01 无锡尚积半导体科技有限公司 协同控压式刻蚀装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200737306A (en) * 2005-11-04 2007-10-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US20100327085A1 (en) * 1998-12-30 2010-12-30 Lam Research Corporation, Gas injection system for plasma processing
TW201824389A (zh) * 2016-12-29 2018-07-01 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司 防止等離子體進入內部的氣體噴嘴、帶干涉儀的氣體噴嘴元件及其工作方法
CN108573891A (zh) * 2017-03-07 2018-09-25 北京北方华创微电子装备有限公司 进气机构及反应腔室
US20190295822A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing radical species to a processing volume of a processing chamber

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4270999A (en) * 1979-09-28 1981-06-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process
JP4280555B2 (ja) 2003-05-30 2009-06-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20070187363A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5604622B2 (ja) 2006-06-13 2014-10-08 北陸成型工業株式会社 シャワープレートの製造方法
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
JP5463536B2 (ja) 2006-07-20 2014-04-09 北陸成型工業株式会社 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
US9050556B1 (en) * 2011-08-03 2015-06-09 Johannes Schieven Plasma injection air filtration system
US9536710B2 (en) * 2013-02-25 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection
JP6178145B2 (ja) 2013-07-19 2017-08-09 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
CN106711007B (zh) * 2015-11-17 2018-08-14 中微半导体设备(上海)有限公司 一种感应耦合型等离子体处理装置
CN107920411B (zh) * 2017-11-13 2023-09-19 四川大学 一种用于硅基材料加工的混合式等离子体发生器
CN110223904A (zh) 2019-07-19 2019-09-10 江苏鲁汶仪器有限公司 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统
CN113707527B (zh) * 2020-05-21 2022-07-29 江苏鲁汶仪器有限公司 一种阻挡等离子体反流的分离式进气结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100327085A1 (en) * 1998-12-30 2010-12-30 Lam Research Corporation, Gas injection system for plasma processing
TW200737306A (en) * 2005-11-04 2007-10-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
TW201824389A (zh) * 2016-12-29 2018-07-01 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司 防止等離子體進入內部的氣體噴嘴、帶干涉儀的氣體噴嘴元件及其工作方法
CN108573891A (zh) * 2017-03-07 2018-09-25 北京北方华创微电子装备有限公司 进气机构及反应腔室
US20190295822A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing radical species to a processing volume of a processing chamber

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