JP6178145B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 127
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 127
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 216
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 48
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 16
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
一方、ガス管は、接地された金属筐体としての金属容器に覆われている。具体的には、静電チャックに樹脂管の一端が接続されている場合には、樹脂管が接地された金属容器に覆われている。また、静電チャックに金属管の一端が接続され、金属管の他端に樹脂管が接続されている場合には、金属管と樹脂管とが接地された金属容器に覆われている。つまり、静電チャックに設けられた貫通孔と、ガス管とが、接地された金属筐体としてのチャンバ及び金属容器に覆われている。
すなわち、第1のガス流路と第2のガス流路との双方が接地された金属筐体に覆われているといえる。
しかしながら、静電チャックベース部に高周波電源を印加することで、リフトピンが挿通される貫通孔において放電が発生するおそれがある。
(1)静電チャック内では、金属から形成された静電チャックベース部を貫通して設けられた第1のガス流路と誘電層を貫通して設けられた第2のガス流路との境界近傍において、ガス流路を流れる励起されたHeイオンが、接地された金属筐体(チャンバ)に向かって加速する放電が発生する。
(2)静電チャック外では、金属から形成された第1のガス流路(静電チャックベース部を貫通して設けられた貫通孔又は金属管)と誘電体から形成された第2のガス流路(樹脂管)との境界近傍において、ガス流路を流れるHeイオンが、接地された金属筐体(チャンバ又は金属容器)に向かって加速する放電が発生する。
閉塞部材は、樹脂から形成されているため、Heイオンは閉塞部材の内部を通過することができない。閉塞部材は、第1のガス流路と第2のガス流路との境界近傍において第1のガス流路及び第2のガス流路のうち少なくとも何れか一方の内部の一部を閉塞する。このため、第1のガス流路又は第2のガス流路を流れるHeイオンが閉塞部材に衝突することによって、Heイオンの加速を抑えることができる。第1のガス流路又は第2のガス流路の流路軸方向に垂直な閉塞部材の断面であって閉塞部材の少なくとも1つの該断面において、第1のガス流路又は第2のガス流路の流路軸を中心とする円であって、第1のガス流路又は第2のガス流路の内断面積の10%以上の面積を有する該円の内側を閉塞しない場合には、放電が発生するおそれがある。本発明によれば、閉塞部材は、閉塞部材の前記断面において、第1のガス流路又は第2のガス流路の流路軸を中心とする円であって、第1のガス流路又は第2のガス流路の内断面積の10%以上の面積を有する該円の内側を閉塞するため、Heイオンが閉塞部材に衝突し易くなることによりHeイオンの加速を効果的に抑えることができる。その結果、放電の発生を効果的に抑制することができる。
前述のように、閉塞部材が第1のガス流路及び第2のガス流路のうち少なくとも何れか一方の内部の一部を閉塞する。つまり、ガス流路の内部の全体が閉塞部材により閉塞されない。具体的には、ガス流路のいずれの断面においても、その断面の全体ではなく一部しか閉塞部材により閉塞されない。このため、第1のガス流路及び第2のガス流路を介して被処理基板に供給するHeガスの流通が阻害されないように、ガス流路の内部を閉塞することができる。閉塞部材によって閉塞されない部分の寸法を適宜調整することにより、被処理基板に供給するHeガスのコンダクタンスを一定以上にすることができ、被処理基板を所望する温度に冷却することが可能である。
リフトピンはセラミックから形成されているため、Heイオンはリフトピンの内部を通過することができない。リフトピンは静電チャックに設けられた貫通孔に挿通されているため、貫通孔を流れるHeイオンがリフトピンに衝突することによって、Heイオンの加速を抑えることができる。貫通孔の孔軸方向に垂直なリフトピンの断面であってリフトピンの少なくとも1つの該断面において、貫通孔の孔軸を中心とする円であって、貫通孔の断面積の40%以上の面積を有する円の内側を閉塞しない場合には、放電が発生するおそれがある。本発明によれば、リフトピンの前記断面において、貫通孔の孔軸を中心とする円であって、貫通孔の断面積の40%以上の面積を有する円の内側を閉塞するため、Heイオンがリフトピンに衝突し易くなることによりHeイオンの加速を効果的に抑えることができる。その結果、放電の発生を効果的に抑制することができる。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置100を示す概略断面図である。なお、図1は、第1のガス流路3や第2のガス流路4が接続される状態や閉塞部材6が設けられる状態の理解を容易にするため、実際の構成要素の寸法から縮尺を適宜変更して示している。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の第2の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。なお、本発明の第1の実施形態と同様の部分についての説明は省略し、主として第1の実施形態と異なる部分について説明する。図4は、本発明の第2の実施形態に係るプラズマ処理装置100Aを示す概略断面図である。図4に示すように、本実施形態に係るプラズマ処理装置100Aでは、閉塞部材6が金属製の継手34と樹脂管42との境界近傍に設けられている。その他の構成については、第1の実施形態に係るプラズマ処理装置100と同様である。なお、図4は、図1と同様に、第1のガス流路3や第2のガス流路4が接続される状態や閉塞部材6が設けられる状態の理解を容易にするため、実際の構成要素の寸法から縮尺を適宜変更して示している。
また、一般的な継手により樹脂管を接続する場合であっても、第1部分61が薄板状に形成されているため、樹脂管に閉塞部材6を適用させることができる。また、既に継手に接続されている樹脂管に、必要に応じて、閉塞部材6を適用させることができる。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の第3の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。なお、これまでに述べた第1の実施形態及び第2の実施形態と同様の部分についての説明は省略し、主として異なる部分について説明する。図7は、本発明の第3の実施形態に係るプラズマ処理装置100Bを示す概略断面図である。なお、図7は、第1のガス流路3や第2のガス流路4が接続される状態や閉塞部材6が設けられる状態の理解を容易にするため、実際の構成要素の寸法から縮尺を適宜変更して示している。
C=πd4P/8ηL ・・・(1)
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の第4の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。なお、これまでに述べた第1の実施形態から第3の実施形態と同様の部分についての説明は省略し、主として異なる部分について説明する。図9は、本発明の第4の実施形態に係るプラズマ処理装置100Cを示す概略断面図である。なお、図9は、貫通孔23やリフトピン6’が設けられる状態の理解を容易にするため、実際の構成要素の寸法から縮尺を適宜変更して示している。
2・・・静電チャック
3・・・第1のガス流路
4・・・第2のガス流路
5・・・高周波電源
6・・・閉塞部材
6’・・・リフトピン
7・・・Heガス管
8・・・He供給手段
21・・・誘電層
22・・・静電チャックベース部
31・・・貫通孔
32・・・金属管
41・・・貫通孔
42・・・樹脂管
Claims (5)
- 金属から形成された静電チャックベース部と、
前記静電チャックベース部の上方に位置する被処理基板にHeガスを供給するように前記静電チャックベース部を貫通して設けられ、金属から形成された第1のガス流路と、
前記第1のガス流路の上端及び下端のうち少なくとも何れか一方に接続され、誘電体から形成された第2のガス流路と、
前記第1のガス流路及び前記第2のガス流路を覆う金属筐体と、
前記静電チャックベース部に高周波電力を印加する高周波電源と、
樹脂から形成され、前記第1のガス流路と前記第2のガス流路との境界近傍において前記第1のガス流路及び前記第2のガス流路のうち何れか一方のガス流路の外側から当該一方のガス流路の端に当接して固定され、少なくとも当該一方のガス流路の内部の一部を閉塞する閉塞部材とを備え、
前記金属筐体は、接地され、
前記閉塞部材は、前記第1のガス流路又は前記第2のガス流路の流路軸方向に垂直な前記閉塞部材の断面であって前記閉塞部材の少なくとも1つの該断面において、前記第1のガス流路又は前記第2のガス流路の流路軸を中心とする円であって、前記第1のガス流路又は前記第2のガス流路の内断面積の10%以上の面積を有する該円の内側を閉塞することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第2のガス流路は、前記第1のガス流路の下端に接続された樹脂管を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1のガス流路は、前記静電チャックベース部に電気的に接続した状態で設けられた金属管を有し、
前記樹脂管は、前記金属管に接続されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記静電チャックベース部の上方に位置し、被処理基板が載置される誘電層を更に備え、
前記第2のガス流路は、前記誘電層に設けられた貫通孔を有し、
前記貫通孔は、前記第1のガス流路の上端に接続されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 被処理基板が載置される誘電層、及び該誘電層の下方に位置し金属から形成された静電チャックベース部を具備し、前記被処理基板にHeガスを供給するように前記誘電層及び前記静電チャックベース部を貫通する貫通孔が設けられた静電チャックと、
前記静電チャックを覆うチャンバと、
前記静電チャックベース部に高周波電力を印加する高周波電源と、
セラミックから形成され、前記貫通孔に挿通されるリフトピンとを備え、
前記チャンバは、接地され、
前記リフトピンは、前記貫通孔の孔軸方向に垂直な前記リフトピンの断面であって前記リフトピンの少なくとも1つの該断面において、前記貫通孔の孔軸を中心とする円であって、前記貫通孔の断面積の40%以上の面積を有する該円の内側を閉塞することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013150397A JP6178145B2 (ja) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013150397A JP6178145B2 (ja) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017136520A Division JP6490754B2 (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015023160A JP2015023160A (ja) | 2015-02-02 |
JP6178145B2 true JP6178145B2 (ja) | 2017-08-09 |
Family
ID=52487359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013150397A Active JP6178145B2 (ja) | 2013-07-19 | 2013-07-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6178145B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7130359B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2022-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11404249B2 (en) | 2017-03-22 | 2022-08-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP7055039B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6994981B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び載置台の製造方法 |
JP7149739B2 (ja) * | 2018-06-19 | 2022-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
CN111081525B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-08 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种阻挡工艺腔室等离子体反流保护进气结构的装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3050716B2 (ja) * | 1993-02-20 | 2000-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3417259B2 (ja) * | 1997-07-10 | 2003-06-16 | 松下電器産業株式会社 | 基板のドライエッチング装置 |
TW561515B (en) * | 2001-11-30 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing device, and gas discharge suppressing member |
JP2007329304A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2009224526A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置用試料載置電極 |
-
2013
- 2013-07-19 JP JP2013150397A patent/JP6178145B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015023160A (ja) | 2015-02-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160427 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6178145 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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