TWI727022B - 蝕刻液組成物及蝕刻方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係即便未含有氯化氫，仍可形成因蝕刻所造成的窄寬度少、直線性佳、且具有所需寬度的細線之對氧化銦系層蝕刻有用的蝕刻液組成物，其含有：(A)過氧化氫0.01~15質量%；(B)硫酸1~40質量%；(C)(C-1)下述一般式(1)(R1、R2、及R3：氫、碳原子數1~8之烷基等)所示醯胺化合物0.01~10質量%、或(C-2)胺基酸化合物0.01~20質量%；及水。

Description

蝕刻液組成物及蝕刻方法
本發明係關於蝕刻液組成物、及使用其之蝕刻方法。更詳言之，係關於用於對氧化銦系層施行蝕刻的蝕刻液組成物、及使用其之蝕刻方法。
已知有關透明導電膜等所使用氧化銦系層濕式蝕刻的各種技術。其中，從廉價且蝕刻速率佳的觀點，大多係將含有鹽酸的水溶液使用為蝕刻液組成物。
例如專利文獻1揭示有：含有三氯化鐵與鹽酸的銦-錫氧化物(以下亦稱「ITO」)用蝕刻液組成物。
再者，就未使用鹽酸的蝕刻液，例如專利文獻2揭示有：銅或銅合金的蝕刻劑，含有第二銅離子、有機酸、鹵離子、唑、及聚伸烷基二醇的水溶液。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-231427號公報
[專利文獻2]日本專利特開2006-111953號公報
然而，使用如專利文獻1所揭示蝕刻液組成物之含有氯化氫的蝕刻液，若統括對ITO層、或由ITO層與銅層所構成積層體施行蝕刻，會有容易發生：基材或周邊構件出現變色、基材或周邊構件表面出現粗化、從基材或周邊構件表面溶出金屬成分、及所形成細線的直線性不良等問題。
再者，使用如專利文獻2所揭示蝕刻劑之未含有氯化氫的蝕刻液，若統括對ITO層、或由ITO層與銅層所構成積層體施行蝕刻，則所形成細線的粗細度較大，較難形成所需寬度的細線，且會有細線的直線性降低、細線上部出現缺損等問題。又，若細線間的蝕刻結束後仍持續施行蝕刻處理，亦會有發生細線更加大幅變細的問題。
所以，本發明係為解決上述問題而完成，其課題在於提供：即便未含有氯化氫，仍可形成因蝕刻所造成的窄寬度少、直線性佳、且具有所需寬度的細線之對氧化銦系層蝕刻有用的蝕刻液組成物。
再者，本發明課題在於提供：即便未含氯化氫，仍可形成因蝕刻所造成的窄寬度少、抑制細線上部發生缺損、具有所需寬度的細 線，即便細線間的蝕刻結束後仍持續施行蝕刻處理，仍可抑制細線變細的蝕刻液組成物。又，本發明課題在於提供：使用上述蝕刻液組成物的蝕刻方法。
本發明者等為解決上述問題經深入鑽研，結果發現含有特定成分的蝕刻液組成物能解決上述問題，遂完成本發明。
即，根據本發明所提供的蝕刻液組成物，係用於對氧化銦系層施行蝕刻的蝕刻液組成物，其含有：(A)過氧化氫0.01~15質量%；(B)硫酸1~40質量%；(C)(C-1)下述一般式(1)所示醯胺化合物0.01~10質量%、或(C-2)胺基酸化合物0.01~20質量%；及水。
Figure 106109726-A0101-12-0003-3
(上述一般式(1)中，R1、R2、及R3係表示各自獨立的氫、碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、或亦可被碳原子數1或2之烷基取代的碳原子數6~8之芳基)。
胺基酸化合物較佳係從麩胺酸、下述一般式(2)所示化合物、及該等的鹽所構成群組之中選擇至少1種。又，胺基酸化合物較佳係從麩胺酸、酪胺酸、及苯基丙胺酸所構成群組中選擇至少1種。
Figure 106109726-A0101-12-0004-5
(上述一般式(2)中，R1係表示氫原子或碳原子數1~4之烴基；R2係表示氫原子、羥基、鹵原子、或硝基；A係表示碳原子數1~4之烷二基(alkanediyl groups)；n係表示1~5之數值)
本發明中，較佳係更進一步含有(D)鹵化物離子供應源。
再者，根據本發明所提供的蝕刻方法，係具有：使用上述蝕刻液組成物，對氧化銦系層施行蝕刻的步驟。
根據本發明可提供即便未含有氯化氫，仍可形成因蝕刻所造成的窄寬度少、直線性佳、且具有所需寬度之細線之對氧化銦系層蝕刻的蝕刻液組成物。
再者，本發明可提供：可形成因蝕刻所造成的窄寬度少、抑制細線上部發生缺損、具有所需寬度的細線，即便細線間的蝕刻結束後持續施行蝕刻處理，仍可抑制細線變細的蝕刻液組成物。本發明的蝕刻液組成物係即便統括對氧化銦系層與金屬系層施行蝕刻時，仍可達上述效果。所以，本發明的蝕刻液組成物較適用為用於統括對由氧化銦系層與金屬系層所構成積層體施行蝕刻的蝕刻液。又，根據本發明可提供使用上述蝕刻液組成物的蝕刻方法。
以下，針對本發明實施形態進行具體說明。本說明書中所謂「蝕刻」係指利用化學藥品等腐蝕作用的塑形或表面加工技法。本發明蝕刻液組成物的具體用途係可舉例如：除去劑、表面平滑化劑、表面粗化劑、圖案形成用藥劑、基體上微量附著成分的洗淨液等。本發明的蝕刻液組成物因為含有氧化銦之層的除去速度快速，因而較適用為除去劑。又，若使用於具有三次元構造的微細形狀圖案形成，便可獲得矩形等所需形狀的圖案，因而亦較適用為圖案形成用藥劑。
本說明書的「氧化銦系層」係在含有氧化銦的層之前提下，其餘並無特別的限定。「氧化銦系層」係例如從氧化銦、銦-錫氧化物、及銦-鋅氧化物之中選擇1種以上所構成的層之統稱。
本說明書的「金屬系層」係在由金屬所構成的層之前提下，其餘並無特別的限定。「金屬系層」係例如銅、鎳、鈦、鉻、銀、鉬、白金、鈀等的金屬層、或從CuNi、CuNiTi、NiCr、Ag-Pd-Cu等所代表的金屬合金之中選擇1種以上所構成的層之統稱。
使用本發明蝕刻液組成物，統括對氧化銦系層與金屬系層之積層體施行蝕刻處理時，金屬系層較佳係含有銅達10質量%以上的導 電層。含銅達10質量%以上的導電層係可舉例如：利用金屬銅所形成的導電層、或利用CuNi、CuNiTi、NiCr、Ag-Pd-Cu等銅合金所形成的導電層等。又，當氧化銦系層係含有銦-錫氧化物的層，且金屬系層含有銅達10質量%以上的層時，便可將所需細線依更高精度形成所需細線，且蝕刻速度亦快速，故較佳。
本發明的蝕刻液組成物係含有(A)過氧化氫(以下亦記為「(A)成分」)。蝕刻液組成物中的(A)成分濃度係0.01~15質量%範圍。若(A)成分濃度未滿0.01質量%，會導致蝕刻速度過慢，造成生產性明顯降低。另一方面，若(A)成分濃度超過15質量%，則導致蝕刻速度過快，造成蝕刻速度較難控制。(A)成分濃度較佳係0.1~12質量%範圍、更佳係1~10質量%範圍。
本發明的蝕刻液組成物係含有(B)硫酸(以下亦記為「(B)成分」)。蝕刻液組成物中的(B)成分濃度係1~40質量%範圍。若(B)成分濃度未滿1質量%，會導致蝕刻速度過慢，造成生產性降低。另一方面，若(B)成分濃度超過40質量%，則導致蝕刻速度過快，造成蝕刻速度較難控制、或者致使被蝕刻體周邊的構件或光阻劑等劣化之情況。(B)成分濃度較佳係5~30質量%範圍、更佳係10~25質量%範圍。
本發明的蝕刻液組成物係含有：(C)(C-1)下述一般式(1)所示醯胺化合物(以下亦記為「(C-1)成分」)、或(C-2)胺基酸化合物(以下亦記為「(C-2)成分」)。另外，(C-1)成分與(C-2)成分亦統籌記為「(C) 成分」。
Figure 106109726-A0101-12-0007-6
一般式(1)中，R1、R2、及R3係表示各自獨立的氫、碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、或者亦可被碳原子數1或2之烷基取代的碳原子數6~8之芳基。碳原子數1~8之烷基係可舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、己基、2-己基、3-己基、環己基、1-甲基環己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛基、2-乙基己基等。
碳原子數2~8之烯基係可舉例如：乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等。
被碳原子數1或2之烷基取代的碳原子數6~8之芳基，係可舉例如：苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基等。
一般式(1)所示醯胺化合物的較佳具體例，係可舉例如：甲醯 胺、乙醯胺、丙酸醯胺、丁酸醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、甲基丙烯醯胺、丙烯醯胺、N-苯基甲醯胺、苯甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等。該等之中，當使用甲醯胺時，光阻圖案的寬度、與由蝕刻所形成細線的寬度差(偏差)變小，且所形成細線的直線性更佳，故屬較佳。
蝕刻液組成物中的(C-1)成分濃度係0.01~10質量%範圍。若(C-1)成分濃度未滿0.01質量%，則蝕刻所形成細線的直線性降低。另一方面，若(C)-1成分濃度超過10質量%，則蝕刻速度過慢，導致生產性明顯降低。(C-1)成分濃度較佳係0.05~5質量%範圍、更佳係0.1~1質量%範圍。
胺基酸化合物係只要胺基與羧基分別各具有1以上的化合物便可，可使用周知的一般胺基酸化合物。胺基酸化合物的具體例係可舉例如：甘胺酸、丙胺酸、纈胺酸、白胺酸、絲胺酸(serine)、苯基丙胺酸、色胺酸、麩胺酸、天冬胺酸、溶胞素(lysin)、精胺酸、組胺酸、酪胺酸、蛋胺酸、4-氯苯基丙胺酸、4-溴苯基丙胺酸、4-硝基苯基丙胺酸、3-(3,4-二氫苯基)丙胺酸、α-甲基苯基丙胺酸、及該等的鹽等等。上述鹽係可舉例如鹼金屬鹽或銨鹽等。該等胺基酸化合物係可單獨使用1種、或組合2種以上使用。
胺基酸化合物較佳係使用從麩胺酸、下述一般式(2)所示化合物、及該等的鹽所構成群組中選擇之至少1種。藉由使該等胺基酸化合物含於蝕刻液組成物中，可更加縮小對氧化銦系層施行蝕刻處 理所形成細線的窄寬度，能效率佳地形成所需寬度的細線。又，能更有效地抑制細線上部發生缺損，且即便細線間的蝕刻結束後還持續施行蝕刻處理的情況，仍可更有效地抑制細線劣化，故屬較佳。特佳係胺基酸化合物使用從麩胺酸、酪胺酸、及苯基丙胺酸所構成群組中選擇之至少1種。
Figure 106109726-A0101-12-0009-7
一般式(2)中，R1係表示氫原子或碳原子數1~4之烴基。碳原子數1~4之烴基係可舉例如：甲基、乙基、丙基、丁基、第二丁基、第三丁基等。
一般式(2)中，R2係表示氫原子、羥基、鹵原子、或硝基。鹵原子係可舉例如：氟原子、氯原子、溴原子等。
一般式(2)中，A係表示碳原子數1~4之烷二基。碳原子數1~4之烷二基係可舉例如：亞甲基、伸乙基、伸丁基等。
一般式(2)中，若(i)R1係氫原子或甲基；(ii)R2係氫原子或羥基；或者(iii)A係亞甲基，便可更加縮小對氧化銦系層施行蝕刻處理所形成細線的窄寬度，能效率佳地形成所需寬度的細線。又，能更有效地抑制細線上部發生缺損，且即便細線間的蝕刻結束後還持續施 行蝕刻處理的情況，仍可更有效地抑制細線劣化，故屬較佳。又，一般式(2)中、n較佳係1或2。
蝕刻液組成物中的(C-2)成分濃度係0.01~20質量%範圍。若(C-2)成分濃度未滿0.01質量%，則對蝕刻氧化銦系層施行蝕刻所形成細線的窄寬度會變大。另一方面，即便(C-2)成分濃度超過20質量%，藉由調配(C-2)成分所獲得的效果仍無法獲提升。(C-2)成分濃度較佳係0.05~15質量%範圍、更佳係0.1~10質量%範圍。
本發明的蝕刻液組成物係含有水作為(A)成分、(B)成分、及(C)成分以外的必要成分。又，本發明的蝕刻液組成物中，作為(A)成分、(B)成分、(C)成分及水以外的成分，在不致損及本發明效果之範圍內，可調配周知的添加劑。添加劑係可舉例如：蝕刻液組成物的安定化劑、各成分的可溶化劑、消泡劑、pH調整劑、比重調整劑、黏度調整劑、濕潤性改善劑、螯合劑、氧化劑、還原劑、界面活性劑等。該等添加劑的濃度一般係0.001~50質量%範圍。
螯合劑係可舉例如：伸乙二胺四醋酸、二伸乙三胺五醋酸、三伸乙四胺六醋酸、四伸乙五胺七醋酸、五伸乙六胺八醋酸、氮基三醋酸、及該等的鹼金屬(較佳係鈉)鹽等胺基羧酸系螯合劑；羥基亞乙基二膦酸、氮基三亞甲基膦酸、膦醯基丁烷三羧酸、及該等的鹼金屬(較佳係鈉)鹽等膦酸系螯合劑；草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、該等的酐、及該等的鹼金屬(較佳係鈉)鹽等二元以上羧酸 化合物、或者由二元以上羧酸化合物脫水的單酐或二酐。該等螯合劑的濃度一般係0.01~40質量%範圍。
蝕刻速度較快的情況，較佳係將還原劑使用為添加劑。還原劑的具體例係可舉例如：氯化銅、氯化亞鐵、銅粉、銀粉等。該等還原劑的濃度一般係0.01~10質量%範圍。
本發明的蝕刻液組成物中，較佳係更進一步含有(D)鹵化物離子供應源(以下亦記為「(D)成分」)。例如當利用蝕刻形成細線時，藉由更進一步含有(D)成分，便可更加縮小光阻圖案寬度、與經蝕刻所形成細線寬度之差(偏差)。
鹵化物離子供應源所供應的鹵化物離子係可舉例如：氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子等。鹵化物離子供應源係可使用例如含鹵化物離子的水溶性鹽。含鹵化物離子的水溶性鹽具體例係可舉例如：氯化鈉、氯化鉀等鹵化物鹽；氯化銨等。該等之中，若使用鹵化物鹽，便可依更佳速度施行蝕刻，故屬較佳，更佳係鹼金屬的氯化物鹽，特佳係氯化鈉。
蝕刻液組成物中的(D)成分濃度較佳係0.00001~0.1質量%範圍。若(D)成分濃度未滿0.00001質量%，則會有無法獲得(D)成分調配效果的情況。另一方面，即便(D)成分濃度超過0.1質量%，(D)成分的調配效果仍無法獲更進一步提升。(D)成分濃度更佳係0.0001~0.01質量%範圍。
本發明的蝕刻方法係具有使用上述本發明蝕刻液組成物，對氧化銦系層施行蝕刻的步驟。若使用本發明的蝕刻液組成物，便可統括地對由氧化銦系層與金屬系層所構成的積層體施行蝕刻。構成積層體的氧化銦系層係可為1層、亦可為2層以上。又，構成積層體的金屬系層亦是可為1層、亦可為2層以上。積層體係可將金屬系層配置於氧化銦系層的上層、亦可配置於下層、亦可上層與下層均有配置。又，亦可由氧化銦系層與金屬系層交錯積層。
統括地針對氧化銦系層、或氧化銦系層與金屬系層的積層體施行蝕刻之方法並無特別的限定，可採用一般的蝕刻方法。例如依照浸漬式、噴霧式、旋轉式等施行的蝕刻方法。例如當利用浸漬式蝕刻方法，對在PET基板上成膜Cu/ITO層的基材施行蝕刻時，藉由將該基材依適當蝕刻條件浸漬於蝕刻液組成物中之後再拉起，便可統括地對PET基板上的Cu/ITO層施行蝕刻。
浸漬式蝕刻方法的蝕刻條件並無特別的限定，只要配合基材(被蝕刻體)的形狀或膜厚等再行任意設定便可。例如蝕刻溫度較佳係設為10~60℃、更佳係設為20~40℃。蝕刻液組成物的溫度會因反應熱而上升。所以，視需要亦可依蝕刻液組成物的溫度維持於上述範圍內的方式，利用公知手段進行溫度控制。又，蝕刻時間係只要能完成蝕刻的充分時間便可，並無特別的限定。例如電子電路基板的佈線製造時，若膜厚5~500nm左右，則只要依上述溫度範圍施行10~600秒左右的蝕刻便可。
當利用噴霧式蝕刻方法，對在PET基板上成膜Cu/ITO層的基材施行蝕刻時，藉由依適當條件將蝕刻液組成物朝基材施行噴霧，便可對PET基板上的Cu/ITO層施行蝕刻。
噴霧式蝕刻方法的蝕刻條件並無特別的限定，只要配合被蝕刻體的形狀或膜厚等再行任意設定便可。例如噴霧條件係可從0.01~1.0MPa範圍中選擇，較佳係0.02~0.5MPa範圍、更佳係0.05~0.2MPa範圍。又，蝕刻溫度較佳係10~60℃、更佳係20~40℃。蝕刻液組成物的溫度會因反應熱而上升。所以，視需要亦可依蝕刻液組成物的溫度維持於上述範圍內的方式，利用公知手段進行溫度控制。又，蝕刻時間係只要能完成蝕刻的充分時間便可，並無特別的限定。例如電子電路基板的佈線製造時，若膜厚5~500nm左右，則只要依上述溫度範圍施行5~600秒左右的蝕刻便可。
本發明的蝕刻方法，為能恢復因重複蝕刻而劣化的蝕刻液組成物性能，較佳係更進一步具有：在蝕刻液組成物中添加補充液的步驟。例如上述自動控制式蝕刻方法的情況，若預先在蝕刻装置中安裝補充液，便可對蝕刻液組成物添加補充液。補充液係可使用例如：含有(A)成分、(B)成分、(C)成分及水的水溶液；或含有(C)成分及水的水溶液等。該等水溶液(補充液)中的各成分濃度係例如只要設定為蝕刻液組成物中的各成分濃度3~20倍程度便可。又，在補充液中，視需要亦可添加本發明蝕刻液組成物所含有必要成分或任意成分的前述各成分。
本發明的蝕刻液組成物、及使用該蝕刻液組成物的蝕刻方法，可適用於主要針對：液晶顯示器、電漿顯示器、觸控板、有機EL、太陽電池、照明器具等的電極或佈線施行加工時。
[實施例]
以下，利用實施例與比較例針對本發明進行詳細說明，惟本發明並不因該等而受限定。
<蝕刻液組成物(1)> (實施例I-1~12)
使用表1所示醯胺化合物，依各成分成為表2所示配方的方式混合各成分，而獲得蝕刻液組成物(實施例I-1~12)。另外，依成分合計成為100質量%的方式調配水。
Figure 106109726-A0101-12-0014-8
Figure 106109726-A0101-12-0015-9
(比較例I-1~5)
依各成分成為表3所示配方的方式混合各成分，而獲得蝕刻液組成物(比較例I-1~5)。另外，依成分合計成為100質量%的方式調配水。
Figure 106109726-A0101-12-0016-10
<蝕刻方法(1)> (實施例I-13~24)
在玻璃基體上依序積層著ITO層(15nm)與Cu層(400nm)的基體上，使用正型液狀光阻劑形成寬30μm、開口部30μm的光阻圖案。將已形成光阻圖案的基體切斷為長20mm×寬20mm而獲得測試片。針對所獲得測試片，使用實施例I-1~12的蝕刻液組成物，於35℃、1分鐘、攪拌下，利用浸漬式施行蝕刻處理，而形成細線。
(比較例I-6~10)
在玻璃基體上依序積層著ITO層(15nm)與Cu層(400nm)的基體上，使用正型液狀光阻劑形成寬30μm、開口部30μm的光阻圖案。將已形成光阻圖案的基體切斷為長20mm×寬20mm而獲得測試片。針對所獲得測試片，使用比較例I-1~5的蝕刻液組成物，於35℃、1分鐘、攪拌下，利用浸漬式施行蝕刻處理，而形成細線。
<評價(1)>
使用雷射顯微鏡，針對細線的直線性、及光阻圖案的寬度與細線寬度之偏差進行評價。關於細線的直線性，將可確認到細線蛇行者評為「-」，將無法確認到細線蛇行者評為「+」。又，關於光阻圖案的寬度與細線寬度之偏差，由下述式(A)，計算出蝕刻處理前的光阻圖案寬度、與所形成細線的上部寬度差之絕對值「L1」，並施行評價。「L1」值為「0」時，係指蝕刻處理前的光阻圖案寬度、與所形成細線寬度相同，形成所需寬度的細線。另一方面，「L1」值越大，則蝕刻處理前的光阻圖案寬度、與所形成細線寬度的差越大，意味著越無法形成所需寬度的細線。將評價結果示於表4。
L1=|(蝕刻處理前的光阻圖案寬度)-(所形成細線上部的寬度)|…(A)
Figure 106109726-A0101-12-0017-11
由表4所示結果得知，實施例I-13~24均形成直線性良好的細線。又，實施例I-13~24的「L1」值較小於比較例I-1~5，可行成所需寬度的細線。實施例I-13~19之中，實施例I-13、I-14及I-16的「L1」值特別小。又，實施例I-20~24係使用含有(D)成分的實施例I-8~12之蝕刻液組成物，相較於實施例I-13~19使用未含(D)成分的實施例I-1~7之蝕刻液組成物，得知「L1」值獲減少50%左右。
<蝕刻液組成物(2)> (實施例II-1~9)
使用表5所示胺基酸化合物，依成為表6所示配方的方式混合各成分，而獲得蝕刻液組成物(實施例II-1~9)。另外，依成分合計成為100質量%的方式調配水。
Figure 106109726-A0101-12-0018-12
Figure 106109726-A0101-12-0019-13
(比較例II-1~5)
依成為表7所示配方的方式混合各成分，而獲得蝕刻液組成物(比較例II-1~5)。另外，依成分合計成為100質量%的方式調配水。
Figure 106109726-A0101-12-0020-14
<蝕刻方法(2)> (實施例II-10~18)
在玻璃基體上依序積層著ITO層(15nm)與Cu層(400nm)的基體上，使用正型液狀光阻劑形成寬10μm、開口部10μm的光阻圖案。將已形成光阻圖案的基體切斷為長20mm×寬20mm而獲得測試片。針對所獲得測試片，使用實施例II-1~9的蝕刻液組成物，依35℃、噴霧壓0.05MPa的條件，利用噴霧法施行圖案蝕刻(蝕刻處理)。蝕刻處理係施行直到目視可確認到佈線間沒有殘渣為止。另外，本說明書中所謂「最佳蝕刻時間」係指「直到佈線間沒有殘渣為止的蝕刻處理時間」。
(比較例II-6~10)
除使用比較例II-1~5的蝕刻液組成物之外，其餘均與上述實施例II-10~18同樣地利用噴霧法施行圖案蝕刻。
<評價(2)>
使用雷射顯微鏡，針對細線的狀態、及光阻圖案的寬度與細線寬度之偏差進行評價。關於細線的狀態，依確認細線角部有無達3μm以上長度缺損施行評價。具體而言，將無法確認到達3μm以上長度缺損者評為「+」，將可確認到達3μm以上長度缺損者評為「-」。又，關於光阻圖案的寬度與細線寬度之偏差，計算出蝕刻處理前的光阻圖案寬度、與所形成細線的上部寬度差之絕對值「L1」，並施行評價。「L1」值為「0」時，係指蝕刻處理前的光阻圖案寬度、與所形成細線寬度相同，形成所需寬度的細線。另一方面，「L1」值越大，則蝕刻處理前的光阻圖案寬度、與所形成細線寬度的差越大，意味著越無法形成所需寬度的細線。然後，將「L1」值未滿3μm之情況評為「+」，將「L1」值達3μm以上之情況評為「-」。將評價結果示於表8。
Figure 106109726-A0101-12-0021-15
由表8所示結果得知，實施例II-10~18均沒有確認到達3μm以上長度的缺損，經蝕刻處理後的細線狀態良好。又，得知實施例II-10~18的「L1」值均未滿3μm。由上述得知，若使用本發明的蝕刻液組成物，即便統括對氧化銦系層與金屬系層施行蝕刻處理的情況，仍可抑制細線上部發生缺損，且可形成所需寬度的細線。
<蝕刻方法(3)> (實施例II-19~27)
除將蝕刻處理時間設為最佳蝕刻時間的2倍之外，其餘均與前述實施例II-10~18同樣地，利用噴霧法施行圖案蝕刻。
(比較例II-11~15)
除使用比較例II-1~5的蝕刻液組成物之外，其餘均與前述實施例II-19~27同樣地，利用噴霧法施行圖案蝕刻。
<評價(3)>
使用雷射顯微鏡計算出「L1」，針對光阻圖案的寬度與細線寬度之偏差施行評價。將「L1」值未滿5μm之情況評為「++」，將「L1」值為5~10μm之情況評為「+」，將「L1」值超過10μm之情況評為「-」。將評價結果示於表9。
Figure 106109726-A0101-12-0023-16
由表9所示結果得知，實施例II-19~27儘管大幅超過最佳蝕刻時間施行蝕刻處理，仍可形成所需寬度的細線，因而製程範圍較廣。其中，實施例II-19~24，因為可大幅抑制細線的細度，因而得知實施例II-1~6的蝕刻液組成物係屬於特別優異的蝕刻液。
Figure 106109726-A0101-11-0002-2

Claims (5)

  1. 一種蝕刻液組成物，係用於對氧化銦系層施行蝕刻的蝕刻液組成物，其含有：(A)過氧化氫0.01~15質量%；(B)硫酸1~40質量%；(C)(C-1)下述一般式(1)所示醯胺化合物0.01~10質量%、或(C-2)胺基酸化合物0.01~20質量%；及水；
    Figure 106109726-A0305-02-0026-1
     (上述一般式(1)中，R1、R2、及R3係表示各自獨立的氫、碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、或者亦可被碳原子數1或2之烷基取代的碳原子數6~8之芳基)。
  2. 如請求項1之蝕刻液組成物，其中，上述胺基酸化合物係從麩胺酸、下述一般式(2)所示化合物、及該等的鹽所構成群組中選擇之至少1種；
    Figure 106109726-A0305-02-0026-3
     (上述一般式(2)中，R1係表示氫原子或碳原子數1~4之烴基；R2係表示氫原子、羥基、鹵原子、或硝基；A係表示碳原子數1~4之烷二基；n係表示1~5之數值)。
  3. 如請求項1或2之蝕刻液組成物，其中，上述胺基酸化合物係從麩胺酸、酪胺酸、及苯基丙胺酸所構成群組中選擇之至少1種。
  4. 如請求項1之蝕刻液組成物，其中，更進一步含有(D)鹵化物 離子供應源0.0001~0.01質量%；上述(D)鹵化物離子供應源係鹼金屬的鹵化物鹽。
  5. 一種蝕刻方法，係具有：使用請求項1至4中任一項之蝕刻液組成物，對氧化銦系層施行蝕刻的步驟。
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