TWI726366B - 處方轉換方法、記憶媒體、處方轉換裝置以及基板處理系統 - Google Patents
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Abstract
處方轉換方法係用以將第一基板處理處方轉換成第二基板處理處方，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述處方轉換方法係包含有：辨識第一基板處理處方中之與第一基板處理裝置的各個動作對應之預定的第一值與第二基板處理處方中之與第二基板處理裝置的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係之工序；應用第一轉換規則抽出可轉換成第二值的第一值之工序；以及應用與第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成第二值的第一值之工序。藉此，在以不同種類的基板處理裝置進行相同的基板處理之情形中，能將處方簡單地轉換成不同種類的基板處理裝置用的處方。
Description
本發明係有關於一種將用以顯示某個基板處理裝置中的基板處理順序之處方(recipe)轉換成用以顯示另一個基板處理裝置中的基板處理順序之處方的技術。
以往，在半導體晶圓的製造工序中，使用用以對基板供給處理液之基板處理裝置。以往的基板處理裝置係記載於例如專利文獻1。基板處理裝置係一邊在腔室(chamber)的內部中保持基板一邊對該基板供給光阻(photoresist)液、蝕刻液、洗淨液、純水等處理液。
在專利文獻1所記載的基板處理裝置中，亦以預定的順序供給複數種類的處理液。在此種基板處理裝置中，為了對基板進行期望的處理，決定了用以供給各處理液之順序、供給時間、供給位置、供給時的基板的旋轉速度等。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-197592號公報。
為了使基板處理裝置以預定的順序進行動作，輸入用以顯示基板處理順序之處方，藉此對基板處理裝置指示動作順序。一般而言，針對每種基板處理裝置的種類，用以指示動作之處方的形式以及指示用的值等不同。因此，即使在處理相同的處理之情形中，當基板處理裝置的種類
不同時，仍需要準備不同的處方。
在因為基板處理裝置的購買置換以及基板處理裝置的增加設置而使用與以往不同機種的基板處理裝置之情形中，在進行相同的基板處理時需要作成不同的處方。此時，會有變更對於處方格式(recipe format)的記入欄位的順序、指示用的數字以及文字等的值之情形以及無法進行完全相同的動作而需要指定類似的動作之情形。以往，將某種處方轉換成不同的機種的基板處理裝置用的處方時，作業者係手動地輸入上述各種資訊。因此，處方的轉換耗費龐大的勞力。
本發明有鑑於此種事情而研創，目的在於提供一種技術，係在以不同種類的基板處理裝置進行相同的基板處理之情形中將處方簡單地轉換成不同種類的基板處理裝置用的處方。
為了解決上述課題，本發明的第一發明為一種處方轉換方法，係用以將第一基板處理處方轉換成第二基板處理處方，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述處方轉換方法係包含有：工序(a)，係辨識前述第一基板處理處方中之與前述第一基板處理裝置的各個功能部的各個動作對應之預定的第一值與前述第二基板處理處方中之與前述第二基板處理裝置的各個功能部的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係；工序(b)，係應用第一轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值；以及工序(c)，係應用與前述第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值。
本發明的第二發明係如第一發明所記載之處方轉換方法，其中進一步包含有：工序(d)，係應用前述第一轉換規則將在前述工序(b)中所抽出的前述第一基板處理處方的前述第一值轉換成前述第二值。
本發明的第三發明係如第二發明所記載之處方轉換方法，其中進一步包含有：工序(e)，係對使用者要求確認是否要應用前述第二轉換
規則將在前述工序(c)中所抽出的前述第一基板處理處方的前述第一值轉換成前述第二值。
本發明的第四發明係如第一發明至第三發明中任一發明所記載之處方轉換方法，其中進一步包含有：工序(f)，係在前述工序(a)之前，比較參照用以構成前述第一基板處理裝置之各個功能部與用以構成前述第二基板處理裝置之各個功能部，將在前述第一基板處理裝置以及前述第二基板處理裝置各者中所發現的功能變成同等或者類似之前述第一值與前述第二值的組合作成表格；在前述工序(a)中，讀入前述表格，藉此辨識前述對應關係。
本發明的第五發明係如第一發明至第四發明中任一發明所記載之處方轉換方法，其中前述第一轉換規則係將一個前述第一值轉換成一個前述第二值。
本發明的第六發明係如第五發明所記載之處方轉換方法，其中前述第二轉換規則係包含有將一個前述第一值轉換成複數個前述第二值之轉換規則。
本發明的第七發明係如第五發明或者第六發明所記載之處方轉換方法，其中前述第二轉換規則係包含有將複數個前述第一值轉換成一個或者複數個前述第二值之轉換規則。
本發明的第八發明係如第一發明至第三發明中任一發明所記載之處方轉換方法，其中前述第一轉換規則係將前述第一值轉換成與前述第一值對應之動作同等的動作所對應之前述第二值。
本發明的第九發明係如第八發明所記載之處方轉換方法，其中前述第一轉換規則係將前述第一值轉換成與前述第一值對應之動作同等的動作所對應之前述第二值；前述第二轉換規則係將前述第一值轉換成與前述第一值對應之動作不是同等而是類似的動作所對應之前述第二值。
本發明的第十發明為一種記憶媒體，係記憶有電腦程式且為電腦可讀取的記憶媒體，前述電腦程式係用以將第一基板處理處方轉換成
第二基板處理處方之處方轉換程式，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述電腦程式係使前述電腦執行：工序(a)，係辨識前述第一基板處理處方中之與前述第一基板處理裝置的各個動作對應之預定的第一值與前述第二基板處理處方中之與前述第二基板處理裝置的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係；工序(b)，係應用第一轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值；以及工序(c)，係應用與前述第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值。
本發明的第十一發明係一種處方轉換裝置，用以將第一基板處理處方轉換成第二基板處理處方，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述處方轉換裝置係具備有：取得部，係辨識前述第一基板處理處方中之與前述第一基板處理裝置的各個動作對應之預定的第一值與前述第二基板處理處方中之與前述第二基板處理裝置的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係；以及抽出部，係應用轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值；前述抽出部係應用第一轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值，並應用與前述第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值。
本發明的第十二發明為一種基板處理系統，係具備有第十一發明的處方轉換裝置以及前述第二基板處理裝置。
依據本發明的第一發明至第十二發明，能將用以在基板處理裝置中進行動作指示之基板處理處方簡單地轉換成形式以及指示用的值等不同的其他基板處理裝置用的基板處理處方。
1:基板處理裝置
1A:第一基板處理裝置
1B:第二基板處理裝置
10:腔室
11:處理空間
12:側壁
13:頂板部
14:底板部
15:風扇過濾器單元
16:排氣導管
20、20A、20B:基板保持部
21:自轉基座
22:夾具銷
30:旋轉機構
31:馬達蓋
40:處理液供給部
41:上表面噴嘴
42:下表面噴嘴
45B:第一切換部
50、50A、50B:處理液捕集部
51、51A、51B:外罩
52、52A:中罩
53、53A、53B:內罩
54B:第二切換部
60:阻隔板
61:升降機構
62:吹出口
71A、71B:第一上表面噴嘴
72A、72B:第二上表面噴嘴
80:處方轉換裝置
81:電腦
82:顯示部
83:輸入部
90、90A、90B:控制部
91:運算處理部
92:記憶體
93:記憶部
100、100A、100B:處理單元
101:索引器
102:主搬運機器人
300:旋轉軸
400A、400B:供液部
411A、411B:第一供給配管
412A:SC-1供給配管
413A:第一DIW供給配管
421A、421B:內側第二供給配管
422A:中央第二供給配管
423A、422B:外側第二供給配管
424A:第二DIW供給配管
425A:臭氧供給配管
431A、431B:SC-1供給源
432A:第一DIW供給源
432B:DIW供給源
433A、433B:DHF供給源
434A、434B:SC-2供給源
435A:第二DIW供給源
435B、436A:臭氧供給源
441A:第一閥
442A:第二閥
443A:第三閥
444A:第四閥
445A:第五閥
446A:第六閥
500A、500B:排液部
501:導引板
502:排液槽
511A、511B:外側排出配管
512A:中央排出配管
513A、513B:內側排出配管
514A:SC-1排出配管
515A:SC-2排出配管
516A:DHF排出配管
521A:第七閥
521B:排出閥
522A:第八閥
523A:第九閥
711A、711B:第一噴嘴頭
712A:第一噴嘴臂
713A:第一噴嘴馬達
721A、721B:第二噴嘴頭(內側第二噴嘴頭)
722B、723A:第二噴嘴頭(外側第二噴嘴頭)
722A:第二噴嘴頭(中央第二噴嘴頭)
724A、725A、726A:第二噴嘴臂(內側第二噴嘴臂)
725A:第二噴嘴臂(中央第二噴嘴臂)
726A:第二噴嘴臂(外側第二噴嘴臂)
727A:第二噴嘴馬達
800:光碟
811:取得部
812:抽出部
813:轉換部
P11、P12、P13、P14、P15、P31:輸入埠
P21、P22、P23、P41、P42、P43、P44:輸出埠
R1:第一處方
R2:第二處方
T:基板處理系統
Tb:對應表
W:基板
圖1係基板處理系統的概略圖。
圖2係基板處理裝置的俯視圖。
圖3係處理單元的縱剖視圖。
圖4係第一基板處理裝置的處理單元的俯視圖。
圖5係顯示第一基板處理裝置的供液部的一部分以及排液部的構成之概略圖。
圖6係第二基板處理裝置的處理單元的俯視圖。
圖7係顯示第二基板處理裝置的供液部的一部分以及排液部的構成之概略圖。
圖8係顯示基板洗淨處理的流程的一例之流程圖。
圖9係處方轉換裝置的功能方塊圖。
圖10係顯示使用了處方轉換裝置的處方轉換處理的流程之流程圖。
圖11係顯示處方轉換處理中的第二轉換工序的流程之流程圖。
以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施形態。
(1)第一實施形態
(1-1)基板處理系統的整體構成
參照圖1說明本發明的第一實施形態的基板處理系統T。圖1係基板處理系統T的概略圖。基板處理系統T係包含有處方轉換裝置80以及第二基板處理裝置1B，處方轉換裝置80係將第一基板處理裝置1A的處方轉換成第二基板處理裝置1B的處方。在此，所謂「處方」係指用以在基板處理裝置中進行動作指示之基板處理處方。
處方轉換裝置80係下述裝置：將第一基板處理裝置1A所使用的處方(以下稱為「第一處方R1」)轉換成第二基板處理裝置1B所使用的處方(以下稱為「第二處方R2」)。
本實施形態的處方轉換裝置80係具備有電腦81、顯示部82以及輸入部83。電腦81係由CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算處理部、RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)等記憶體以及硬碟機
(hard disk drive)等記憶部所構成。電腦81係使用例如個人電腦(Personal Computer)。顯示部82係例如藉由顯示器裝置所實現。輸入部83係例如藉由鍵盤以及滑鼠所實現。
電腦81係具有用以從光碟800讀取程式以及資料之光碟機。用以在處方轉換裝置80中進行處方轉換處理之動作控制程式(處方轉換程式)係例如記憶於屬於有形的記憶媒體之光碟800。電腦81係從光碟800讀入處方轉換程式並記憶至電腦81內的記憶部。此外，電腦81亦可具備有用以連接半導體記憶體從而輸入資料之構成等其他的資料輸入部，以取代用以讀入此種光碟800的光碟機。
對處方轉換裝置80輸入記憶於第一基板處理裝置1A的控制部90A之第一處方R1。接著，在處方轉換裝置80中將第一處方R1轉換成第二處方R2。將第二處方R2輸入至第二基板處理裝置1B的控制部90B並執行該第二處方R2，藉此能在第二基板處理裝置1B中依據第二處方R2進行與在第一基板處理裝置1A中依據第一處方R1所進行的基板處理同等的基板處理。
此外，對處方轉換裝置80輸入第一處方R1亦可經由光碟800等記憶媒體來進行。此外，第一基板處理裝置1A的控制部90A與處方轉換裝置80亦可藉由有線通訊或者無線通訊進行通訊，且可發送第一處方R1等資料。同樣地，從處方轉換裝置80朝第二基板處理裝置1B的控制部90B輸入第二處方R2亦可經由光碟800等記憶媒體來進行。此外，處方轉換裝置80與第二基板處理裝置1B的控制部90B亦可藉由有線通訊或者無線通訊進行通訊，且可發送第二處方R2等資料。
在本實施形態中，處方轉換裝置80係與第二基板處理裝置1B為獨立的裝置。然而，處方轉換裝置80亦可藉由第二基板處理裝置1B的控制部90B所具有的運算處理部(相當於後述的運算處理部91)來實現。處方轉換裝置80的具體性的構成係容後述。
(1-2)基板處理裝置的整體構成
接著，說明基板處理裝置1的整體構成作為本發明的第一實施形態的第
一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B的共通的構成。圖2係基板處理裝置1的俯視圖。基板處理裝置1係下述裝置：在半導體晶圓的製造工序中，對圓板狀的基板W(矽晶圓)的表面供給處理液並處理基板W的表面。如圖2所示，基板處理裝置1係具備有索引器(indexer)101、複數個處理單元100以及主搬運機器人102。
索引器101係下述部位：用以從外部搬入處理前的基板W，並將處理後的基板W搬出至外部。於索引器101配置有複數個用以收容複數個基板W之承載器(carrier)。此外，索引器101係具備有未圖示的移送機器人。移送機器人係在索引器101內的承載器與處理單元100或者主搬運機器人102之間移送基板W。此外，承載器係能使用例如用以將基板W收容於密閉空間之公知的FOUP(front opening unified pod；前開式晶圓傳送盒)或者SMIF(standard mechanical inter face；標準製造介面)盒或者所收容的基板W會與外氣接觸之OC(open cassette；開放式晶圓匣)。
處理單元100係用以逐片地處理基板W之所謂的枚葉式的處理部。複數個處理單元100係配置於主搬運機器人102的周圍。在本實施形態中，配置於主搬運機器人102的周圍之四個處理單元100係三段地層疊於高度方向。亦即，本實施形態的基板處理裝置1係具有全部共十二台的處理單元100。複數個基板W係在各個處理單元100中並列地進行處理。然而，基板處理裝置1所具備的處理單元100的數量並未限定於十二台，例如亦可為二十四台、八台、四台、一台等。
主搬運機器人102係下述機構：用以在索引器101與複數個處理單元100之間搬運基板W。主搬運機器人102係例如具有：手部，係保持基板W；以及臂部，係使手部移動。主搬運機器人102係從索引器101取出處理前的基板W並搬運至處理單元100。此外，當結束處理單元100中的基板W的處理時，主搬運機器人102係從處理單元100取出處理後的基板W並搬運至索引器101。
(1-3)處理單元的構成
接著，說明處理單元100的構成作為第一基板處理裝置1A的處理單元100A與第二基板處理裝置1B的處理單元100B的共通的構成。在以下中，雖然針對基板處理裝置1所具有的複數個處理單元100中的一個處理單元100進行說明，但其他的處理單元100亦具有同等的構成。
圖3係處理單元100的縱剖視圖。如圖3所示，處理單元100係具備有腔室10、基板保持部20、旋轉機構30、處理液供給部40、處理液捕集部50、阻隔板60以及控制部90。
腔室10係內部包圍處理空間11之框體，處理空間11係用以處理基板W。腔室10係具有：側壁12，係圍繞處理空間11的側部；頂板部13，係覆蓋處理空間11的上部；以及底板部14，係覆蓋處理空間11的下部。基板保持部20、旋轉機構30、處理液供給部40、處理液捕集部50以及阻隔板60係被收容於腔室10的內部。於側壁12的一部分設置有：搬入搬出口，係用以進行將基板W搬入至腔室10以及從腔室10搬出基板W；以及擋門(shutter)，係用以將搬入搬出口予以開閉。此外，搬入搬出口以及擋門皆未圖示。
如圖3所示，於腔室10的頂板部13設置有風扇過濾器單元(FFU；fan filter unit)15。風扇過濾器單元15係具有HEPA(high efficiency particulate air；高效率粒子空氣)過濾器等集塵單元以及用以產生氣流之風扇。當使風扇過濾器單元15動作時，設置有基板處理裝置1之無塵室內的空氣係被取入至風扇過濾單元15，藉由集塵過濾器清淨化並被供給至腔室10內的處理空間11。藉此，於腔室10內的處理空間11形成有清淨的空氣的降流(down flow)。
此外，於側壁12的下部的一部分連接有排氣導管16。從風扇過濾器單元15所供給的空氣係在腔室10的內部中形成降流後，通過排氣導管16排出至腔室10的外部。
基板保持部20係用以在腔室10的內部中水平地保持基板W(法線朝向鉛直方向之姿勢)之機構。基板保持部20係具備有圓板狀的自轉基座(spin base)21以及複數個夾具銷(chuck pin)22。複數個夾具銷22係沿著自轉基
座21的上表面的外周部等角度間隔地設置。複數個夾具銷22係可在用以保持基板W之保持位置與用以解除基板W的保持之解除位置之間切換。基板W係在形成有圖案的被處理面朝向上側的狀態下被複數個夾具銷22保持。各個夾具銷22係接觸至基板W的周緣部的下表面以及外周端面，並從自轉基座21的上表面隔著些微的空隙於上方的位置支撐基板W。
旋轉機構30係用以使基板保持部20旋轉之機構。旋轉機構30係收容於設置在自轉基座21的下方之馬達蓋(motor cover)31的內部。使旋轉機構30驅動，藉此基板保持部20以及被基板保持部20保持的基板W係以旋轉軸300作為中心旋轉。
處理液供給部40係用以對被基板保持部20保持的基板W的上表面供給處理液之機構。如圖3所示，處理液供給部40係具有一個或者複數個上表面噴嘴41以及下表面噴嘴42。
上表面噴嘴41係能使用例如轉動噴嘴或者固定噴嘴。轉動噴嘴係具備有可轉動的手臂以及設置於手臂的前端之噴嘴頭，並可在基板W上的處理位置與比處理液捕集部50還外側的退避位置之間移動。固定噴嘴係固定有噴嘴頭的位置。上表面噴嘴41的位置、種類、個數係根據基板處理裝置1的種類而不同。
於上表面噴嘴41的噴嘴頭連接有用以供給處理液之供液部。當從供液部對各個上表面噴嘴41的噴嘴頭供給處理液時，該處理液係從上表面噴嘴41的噴嘴頭朝基板W的上表面噴出。
下表面噴嘴42係配置於設置在自轉基座21的中央的貫通孔的內側。下表面噴嘴42的噴出口係與被基板保持部20保持的基板W的下表面對向。下表面噴嘴42亦連接至用以供給處理液之供液部。當從供液部對下表面噴嘴42供給處理液時，該處理液係從下表面噴嘴42朝基板W的下表面噴出。
此外，上表面噴嘴41以及下表面噴嘴42的噴嘴頭中的一部分的噴嘴頭亦可為所謂的二流體噴嘴。二流體噴嘴係將處理液與經過加壓的氣體混合並生成液滴，並將該液滴與氣體的混合流體噴射至基板W。此外，設置
於處理單元100的上表面噴嘴的數量雖然在後述的第一處理單元100A以及第二處理單元100B中為兩隻，但並未限定於此。設置於處理單元100的上表面噴嘴的數量亦可為一隻、三隻或者四隻以上。設置於處理單元100的下表面噴嘴的數量亦未限定於一隻。
處理液捕集部50係用以捕集使用後的處理液之部位。處理液捕集部50係具備有外罩51、中罩52以及內罩53。這三個外罩51、中罩52以及內罩53係可藉由未圖示的升降機構彼此獨立地升降移動。在圖3的例子中，雖然處理液捕集部50的罩為三個，但罩的數量亦可為一個至兩個或者為四個以上。
各個外罩51、中罩52以及內罩53係具有用以包圍基板保持部20的周圍之導引板501。此外，於各個外罩51、中罩52以及內罩53的底部的上表面設置有排液槽502。在進行基板W的處理時，三個外罩51、中罩52以及內罩53中之用以進行處理液的捕集之罩的導引板501係配置於被基板保持部20保持的基板W的徑方向外側的處理液捕集位置。從處理液供給部40的各個上表面噴嘴41以及下表面噴嘴42噴出的處理液係被供給至基板W後，因為基板W的旋轉所致使的離心力而朝外側飛散。並且，從基板W飛散的處理液係被外罩51、中罩52以及內罩53中之配置於處理液捕集位置的罩的導引板501捕集。並且，被導引部501捕集的處理液係通過排液槽502朝處理單元100的外部排出。
由於與各個外罩51、中罩52以及內罩53對應的三個排液槽502係分別與個別的排出路徑連繫，因此處理單元100係具有複數個處理液的排出路徑。因此，能針對每個種類分別回收被供給至基板W的處理液。因此，能因應各個處理液的性質分別地進行回收的處理液的廢棄或者再生處理。
阻隔板60係下述構件：用以在進行乾燥處理等的一部分的處理時保護基板W的表面附近中的處理空間。阻隔板60係具有圓板狀的外形，並水平地配置於基板保持部20的上方。如圖3所示，阻隔板60係連接至升降機構61。當使升降機構61動作時，阻隔板60係在上位置與下位置之間升降移動，上位置係已從被基板保持部20保持的基板W的上表面朝上方離開之位置，下
位置係比上位置還接近基板W的上表面之位置。升降機構61係例如能使用藉由滾珠螺桿將馬達的旋轉運動轉換成直線前進運動之機構。
此外，於阻隔板60的下表面的中央設置有用以吹出乾燥用的氣體(以下稱為「乾燥氣體」)之吹出口62。吹出口62係與用以供給乾燥氣體之供氣部(未圖示)連接。乾燥氣體係例如能使用經過加熱的氮氣。
在從上表面噴嘴41對基板W供給處理液時，阻隔板60係退避至上位置。在供給處理液後，在進行基板W的乾燥處理時，阻隔板60係藉由升降機構61下降至下位置。接著，從吹出口62朝基板W的上表面噴吹乾燥氣體。此時，藉由阻隔板60並藉由乾燥氣體保護基板W的表面附近的處理空間。結果，能提升基板W的上表面的乾燥性能，並能抑制發生基板W的乾燥不良。此外，基板處理裝置1亦可不具有阻隔板60。
控制部90係用以對處理單元100內的各部分進行動作控制之手段。如圖3概念性地所示，控制部90係由電腦所構成，電腦係具備有CPU等運算處理部91、RAM等記憶體92以及硬碟機等記憶部93。於記憶部93內安裝有用以執行處理單元100中的基板W的處理之電腦程式。
此外，控制部90係可分別藉由網路與上述處理單元100內的各部分通訊連接。此外，控制部90亦可分別藉由有線或者無線而與處理單元100內的各部分通訊連接。控制部90係將記憶於記憶部93的電腦程式以及資料暫時性地讀出至記憶體92，且運算處理部91係依據該電腦程式進行運算處理，藉此控制上述各部分的動作。藉此，進行後述的基板處理。
(1-4.2)兩種類的處理單元的構成以及差異點
接著，參照圖4至圖7說明第一基板處理裝置1A的處理單元100A與第二基板處理裝置1B的處理單元100B的具體構成以及差異點。此外，在圖4至圖7中以及以下的說明中，省略下表面噴嘴42、連接至下表面噴嘴42之供液部以及連接至阻隔板60的吹出口62之供氣部的說明。
首先，參照圖4以及圖5說明第一基板處理裝置1A的處理單元100A。圖4係處理單元100A的俯視圖。圖5係顯示供液部400A的一部分與排
液部500A的構成之概略圖。
如圖4所示，第一基板處理裝置1A的處理單元100A係具備有：第一上表面噴嘴71A，係具有一個第一噴嘴頭711A；以及第二上表面噴嘴72A，係具有三個第二噴嘴頭721A、722A、723A。此外，如圖5所示，處理液捕集部50A係具備有外罩51A、中罩52A以及內罩53A。
第一上表面噴嘴71A係具有：第一噴嘴臂712A，係於前端具有第一嘴頭711A。第一上表面噴嘴71A係藉由連接至第一噴嘴臂712A的基端部之第一噴嘴馬達713A的驅動而如圖4中的箭頭所示般於水平方向轉動。藉此，第一上表面噴嘴71A係可在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係第一噴嘴頭711A已配置於被基板保持部20A保持的基板W的上方之位置，該退避位置係比處理液捕集部50A還外側之位置。
第二上表面噴嘴72A係具有：三個第二噴嘴臂724A、725A、726A，係分別於前端具有三個第二噴嘴頭721A、722A、723A。第二上表面噴嘴72A係藉由第二噴嘴馬達727A的驅動而如圖4中的箭頭所示般於水平方向轉動。此時，本實施形態的三個第二噴嘴臂724A、725A、726A係同時地轉動。藉此，第二上表面噴嘴72A係可在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係第二噴嘴頭721A至723A已配置於被基板保持部20A保持的基板W的上方之位置，該退避位置係比處理液捕集部50A還外側之位置。
在此，為了區別三個第二噴嘴頭721A、722A、723A以及三個第二噴嘴臂724A、725A、726A，在以下中從在退避位置中配置於最靠近基板W之側起依序稱為內側第二噴嘴頭721A與內側第二噴嘴臂724A、中央第二噴嘴頭722A與中央第二噴嘴臂725A、外側第二噴嘴頭723A與外側第二噴嘴臂726A。
於各個第一噴嘴頭711A以及第二噴嘴頭721A、722A、723A連接有用以供給處理液之供液部400A。圖5顯示連接於第一噴嘴頭711A以及第二噴嘴頭721A、722A、723A之供液部400A。
供液部400A係能對第一噴嘴頭711A以及第二噴嘴頭721A、
722A、723A供給SC-1(standard clean-1；第一標準清洗液)洗淨液(氨水、過氧化氫水、純水的混合液)、純水(亦即DIW(deionized water：去離子水))、DHF(dilute hydrofluoric acid；稀釋氫氟酸)洗淨液(亦即稀釋氫氟酸溶液)、SC-2(standard clean-2；第二標準清洗液)洗淨液(亦即鹽酸、過氧化氫水、純水的混合液)、臭氧水等處理液。此外，亦可使用其他的SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)洗淨液(硫酸、過氧化氫水的混合液)、磷酸水溶液、TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)洗淨液(亦即氫氧化四甲銨水溶液)等作為處理液。
供給液400A係具有第一供給配管411A、SC-1供給配管412A、第一DIW供給配管413A、SC-1供給源431A、第一DIW供給源432A、第一閥441A以及第二閥442A。
第一供給配管411A的一端係與第一噴嘴頭711A連接。SC-1供給配管412A係連接第一供給配管411A的另一端與SC-1供給源431A。第一DIW供給配管413A係連接第一供給配管411A的另一端與第一DIW供給源432A。第一閥441A係夾設至SC-1供給配管412A。第二閥442A係夾設至第一DIW供給配管413A。
此外，供液部400A係具備有內側第二供給配管421A、中央第二供給配管422A、外側第二供給配管423A、第二DIW供給配管424A、臭氧供給配管425A、DHF供給源433A、SC-2供給源434A、第二DIW供給源435A、臭氧供給源436A、第三閥443A、第四閥444A、第五閥445A以及第六閥446A。
內側第二供給配管421A係連接內側第二噴嘴頭721A與DHF供給源433A。中央第二供給配管422A係連接中央第二噴嘴頭722A與SC-2供給源434A。外側第二供給配管423A的一端係與外側第二噴嘴頭723A連接。第二DIW供給配管424A係連接外側第二供給配管423A的另一端與第二DIW供給源435A。臭氧供給配管425A係連接外側第二供給配管423A的另一端與臭氧供給源436A。第三閥443A係夾設至內側第二供給配管421A。第四閥444A係夾設至中央第二供給配管422A。第五閥445A係夾設至第二DIW供給配管
424A。第六閥446A係夾設至臭氧供給配管425A。
例如，在已將第一噴嘴頭711A配置於處理位置的狀態下，當僅開放第一閥441A時，從SC-1供給源431A經由SC-1供給配管412A以及第一供給配管411A對第一噴嘴頭711A供給SC-1洗淨液。接著，從第一噴嘴頭711A朝被基板保持部20A保持的基板W的上表面噴出SC-1洗淨液。此外，當在將第一噴嘴頭711A配置於處理位置的狀態下開放第一閥441A以及第二閥442A時，從SC-1供給源431A經由SC-1供給配管412A所供給的SC-1洗淨液與從DIW供給源432A經由DIW供給配管413A所供給的純水等係在第一供給配管411A內合流而成為SC-1洗淨液與純水的混合液。接著，從第一噴嘴頭711A朝被基板保持部20A保持的基板W的上表面噴出該混合液。
排液部500A係將在處理液捕集部50A中所捕集之使用完畢的處理液根據每個處理液的種類朝回收目的地排出。排液部500A係具備有外側排出配管511A、中央排出配管512A、內側排出配管513A、SC-1排出配管514A、SC-2排出配管515A、DHF排出配管516A、第七閥521A、第八閥522A以及第九閥523A。
外側排出配管511A係連接和外罩51A對應之排液槽502與DHF回流路徑。中央排出配管512A係連接和中罩52A對應之排液槽502與臭氧水排出路徑。內側排出配管513A的一端係與和內罩53A對應之排液槽502連接。SC-1排出配管514A係連接內側排出配管513A的另一端與SC-1排出路徑。SC-2排出配管515A係連接內側排出配管513A的另一端與SC-2排出路徑。DHF排出配管516A係連接內側排出配管513A與DHF排出路徑。第七閥521A係夾設於外側排出配管511A。第八閥522A係夾設於中央排出配管512A。第九閥523A係可切換內側排出配管513A、SC-1排出配管514A、SC-2排出配管515A以及DHF排出配管516A的任一者的連通。
例如，在對基板W的表面供給DHF洗淨液之情形中，在已將內罩53A配置於處理液捕集位置的狀態下，以與DHF排出配管516A連通之方式切換第九閥523A。如此，被內罩53A捕集之使用完畢的DHF洗淨液係通過內
側排出配管513A以及DHF排出配管516A朝DHF排出路徑排出。
接著，參照圖6以及圖7說明第二基板處理裝置1B的處理單元100B。圖6係處理單元100B的俯視圖。圖7係顯示供液部400B的一部分與排液部500B的構成之概略圖。
如圖6所示，第二基板處理裝置1B的處理單元100B係具備有：第一上表面噴嘴71B，係具有一個第一噴嘴頭711B；以及第二上表面噴嘴72B，係具有兩個第二噴嘴頭721B、722B。此外，處理液捕集部50B係具有外罩51B以及內罩53B。
與第一基板處理裝置1A的第一上表面噴嘴71A以及第二上表面噴嘴72A同樣地，第一上表面噴嘴71B以及第二上表面噴嘴72B係轉動噴嘴。第一上表面噴嘴71B係可在處理位置與退避位置之間移動，該處理位置係第一噴嘴頭711B已配置於被基板保持部20B保持的基板W的上方之位置，該退避位置係比處理液捕集部50B還外側之位置。第二上表面噴嘴72B亦同樣。
在此，為了區別兩個第二噴嘴頭721B、722B，以下在退避位置中從配置於基板W之側起依序稱為內側第二噴嘴頭721B以及外側第二噴嘴頭722B。
於各個第一噴嘴頭711B、內側第二噴嘴頭721B以及外側第二噴嘴頭722B連接有用以供給處理液之供液部400B。如圖7所示，供液部400B係具備有第一供給配管411B、內側第二供給配管421B、外側第二供給配管422B、SC-1供給源431B、DIW供給源432B、DHF供給源433B、SC-2供給源434B、臭氧供給源435B以及第一切換部45B。
第一供給配管411B的一端係與第一噴嘴頭711B連接。內側第二供給配管421B的一端係與內側第二噴嘴頭721B連接。外側第二供給配管422B的一端係與外側第二噴嘴頭722B連接。
第一切換部45B係可任意地切換五個輸入埠P11、P12、P13、P14、P15與三個輸出埠P21、P22、P23的連通之裝置。第一切換部45B係從輸
出埠P21至P23中所選擇的一個輸出埠輸出從輸入埠P11至P15中所選擇的一個或者兩個輸入埠所供給的流體。
五個輸入埠P11、P12、P13、P14、P15係分別與SC-1供給源431B、DIW供給源432B、DHF供給源433B、SC-2供給源434B以及臭氧供給源435B連接。三個輸出埠P21、P22、P23係分別與第一供給配管411A的另一端、內側第二供給配管421B的另一端以及外側第二供給配管422B的另一端連接。
例如，當在已將內側第二噴嘴頭721B配置於處理位置的狀態下選擇第一切換部45B的輸入埠P12、P15與輸出埠P22時，從DIW供給源432B所供給的純水與從臭氧供給源435B所供給的臭氧係在第一切換部45B內合流並成為臭氧水。接著，從內側第二噴嘴頭721B朝被基板保持部20B保持的基板W的上表面噴出該臭氧水。
排液部500B係將在處理液捕集部50B中所捕集之使用完畢的處理液依據每個處理液的種類別朝回收目的地排出。排液部500B係具備有外側排出配管511B、內側排出配管513B、排出閥521B以及第二切換部54B。外側排出配管511B係連接和外罩51B對應之排液槽502與DHF回流路徑。內側排出管513B係連接和內罩53B對應之排液槽502與第二切換部54B。排出閥521B係夾設至外側排出配管511B。
第二切換部54B係可將一個輸入埠P31與四個輸出埠P41、P42、P43、P44的連通任意地切換之切換裝置。第二切換部54B的輸入埠P31係與內側排出配管513B連接。輸出埠P41至P44係分別與臭氧水排出路徑、SC-1排出路徑、SC-2排出路徑以及DHF排出路徑連接。第二切換部54B係從輸出埠P41至P44中所選擇的一個輸出埠排出流入至一個輸入埠P31之使用完畢的處理液。
(1-5)針對處方的轉換處理
在上述第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B中，在進行基板處理之情形中，依循被各個基板處理裝置的各個功能部的控制所指派之動作
指示進行基板處理動作，該動作指示係由功能號碼所構成之處方。以下中，參照圖8至圖9以及表1至表2說明處方的轉換處理。圖8係顯示基板洗淨處理的流程的一例之流程圖。表1係顯示第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B中的彼此對應的處方的一例之表。表2係顯示第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B的功能號碼的對應表的一例之表。表1以及表2的對應表係參照用以構成第一基板處理裝置1A之各個功能部與用以構成第二基板處理裝置1B之各個功能部，以在第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B上所發現的動作、功能變成同等或者類似之方式，將用以執行第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B各者中的各個動作、功能之功能號碼的組合作成表格。
首先，參照圖8的流程圖說明基板洗淨處理的流程。此外，在此，針對「(1.2)基板處理裝置的整體構成」以及「(1-3)處理單元的構成」，使用在圖2以及圖3中所說明的基板處理裝置1的各部分的名稱以及元件符號進行說明。
圖8所示的基板洗淨處理係用以去除附著於基板W的粒子狀污染物(微粒)、無機物污染以及有機物污染等污染物質之洗淨處理的一例。藉由後述的處方，於控制部90內的記憶部93預先設定有基板處理中的處理液的供給的順序以及各個處理液的供給時間。控制部90係依循該處方針對每個步驟執行基板W的旋轉、從上表面噴嘴41以及下表面噴嘴42噴出處理液的動作等各種動作。以下，省略從下表面噴嘴42噴出處理液的動作的說明。此外，針對用以在各個步驟中供給處理液之上表面噴嘴41，係可在連續的步驟中使用相同的上表面噴嘴41，亦可在步驟間替換所使用的上表面噴嘴41。
在進行圖8所示的基板洗淨處理之前，首先，主搬運機器人102係將基板W搬入至腔室10內。被搬入至腔室10內的基板W係被基板保持部20水平地保持。之後，執行圖8所示的各個步驟S1至步驟S9。
首先，驅動旋轉機構30使基板W開始旋轉，並從上表面噴嘴41
朝基板W的上表面供給臭氧水(步驟S1)。藉此，去除有機物污染。此外，在用以噴出處理液之上表面噴嘴41為轉動噴嘴之情形中，在各個步驟中，於開始噴出處理液之前使上表面噴嘴41從退避位置移動至處理位置，在結束噴出處理液之後使上表面噴嘴41從處理位置移動至退避位置。
接著，為了沖流基板W上的臭氣水，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給純水(步驟S2)。藉此，抑制在先前的步驟S1中被供給至基板W的表面的臭氧水與下一個步驟S3中被供給至基板W的表面的DHF混合。
接著，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給DHF洗淨液(步驟S3)。藉此，去除阻劑殘渣以及自然氧化膜。之後，為了沖流基板W上的DHF洗淨液，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給純水(步驟S4)。
接著，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給SC-1洗淨液(步驟S5)。藉此，去除有機物污染以及微粒。之後，為了沖流基板W上的SC-1洗淨液，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給純水(步驟S6)。
接著，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給SC-2洗淨液(步驟S7)。藉此，去除金屬污染。之後，為了沖流基板W上的SC-2洗淨液，從上表面噴嘴41朝基板W的上表面供給純水(步驟S8)。
在步驟S1至步驟S8中供給處理液之各個工序之間，阻隔板60係配置於比各個上表面噴嘴41還上方。當結束步驟S8且可轉動的全部的上表面噴嘴41被配置於退避位置時，控制部90係使升降機構61動作並使阻隔板60朝下方移動，縮小阻隔板60與基板W之間的間隔。接著，藉由旋轉機構30使基板W的旋轉高速化，並從設置於阻隔板60的下表面的吹出口62朝基板W噴吹乾燥氣體。藉此，使基板W的表面乾燥(步驟S9)。
當結束步驟S1至步驟S9的基板洗淨處理時，旋轉機構30停止旋轉基板W。之後，基板保持部20解除對於基板W的保持。接著，主搬運機器人102係從基板保持部20取出基板W並朝腔室10的外部搬出。
此外，在上述步驟S1至步驟S8中，亦可一邊從各個上表面噴嘴41噴出處理液一邊使上表面噴嘴41在處理位置中水平地擺動。此外，亦可應
需要進行從下表面噴嘴42噴出處理液。
為了實現此種基板洗淨處理，預先對控制部90輸入有表1所示的處方。表1係顯示用以在第一基板處理裝置1A中進行圖8所示的基板洗淨處理之第一處方以及用以在第二基板處理裝置1B中進行與該第一處方同等的基板洗淨處理之第二處方。此外，表2係用以在第一基板處理裝置1A與第二基板處理裝置1B之間中指示動作之功能號碼的對應表。
在表1中所顯示的第一處方以及第二處方中，記載於最左行(column)的號碼係顯示進行各列(row)中的工序之順序號碼。此外，於各列中，針對每一行記載有數字以及號碼。於表1中的「功能號碼」的行中所記載的號碼係用以指示第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B的各部分的動作之值。在以下中，將記載於第一處方中的功能號碼稱為「第一值」，將記載於第二處方中的功能號碼稱為「第二值」。
在表1的例子中，針對圖8中的每個步驟進行一個工序(處方一列份)。因此，在表1中，記載於最左行的各個號碼係分別與圖8中的步驟的號碼對應。此外，在實際地進行基板處理之情形中，會有於一個步驟進行複數個工序之情形。
例如，在表1中的第一基板處理裝置的第一號的工序中，處方的第一上表面噴嘴位置為0，第二上表面噴嘴位置為20，罩位置為32。因此，參照表2可知，在相應工序中，第一上表面噴嘴71A係配置於退避位置，第二上表面噴嘴72A係配置於處理位置，處理液捕集部50A的中罩52A係配置於處理液捕集位置。此外，在相應動作中，處方的功能號碼係45、46、52。因此，參照表2可知，第五閥445A、第六閥446A以及第八閥552A被開放，從第二上表面噴嘴72A噴出臭氧水。
圖10係處方轉換裝置80的功能方塊圖。如圖10所示，作為藉由依據電腦程式(處方轉換程式)而動作所實現的功能，處方轉換裝置80的電腦81係具有取得部811、抽出部812以及轉換部813。
取得部811係從外部取得並讀入對應表Tb，對應表Tb係用以進
行從第一處方轉換成第二處方。藉此，取得部811係辨識第一處方R1中之與第一基板處理裝置1A的各個功能部的各個動作對應之預定的第一值與第二處方R2中之與第二基板處理裝置1B的各個功能部的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係。對應表Tb係例如作成如表2般的表格型式的資料。取得部811係可一起預先地輸入有電腦程式等與對應表Tb，亦可在每次進行處方轉換處理時輸入對應表Tb。
抽出部812係依據用以轉換第一值與第二值之轉換規則，從第一處方抽出可轉換的動作以及該動作的第一值。轉換規則係包含有第一轉換規則以及第二轉換規則。轉換規則係可與對應表Tb分開地預先記憶於電腦81，亦可與對應表Tb一起輸入至電腦81。或者，電腦81亦可依據所對應的對應表Tb來決定轉換規則。
在本實施形態中，針對一個動作，將用以將一個第一值轉換成一個第二值之規則作成第一轉換規則。此外，將用以將一個第一值轉換成複數個第二值之規則或者用以將複數個第一值轉換成一個或者複數個第二值之規則作成第二轉換規則。
例如，表2中，在第一基板處理裝置1A的第一處方R1中用以將第一上表面噴嘴71A配置於處理位置之第一值為「10」。相對於此，在第二基板處理裝置1B的第二處方R2中用以將第一上表面噴嘴71B配置於處理位置之第二值為「70」。如此，第一轉換規則係用以將一個第一值的「10」轉換成一個第二值的「70」之規則。
另一方面，表2中，在第一處方R1中為了對第一上表面噴嘴71A供給SC-1洗淨液而開放第一閥441A之動作的第一值為「41」。相對於此，在第二處方R2中為了對第一上表面噴嘴71B供給SC-1洗淨液而使第一切換部45B的埠P11、P21驅動之動作的第二值為「11」以及「21」。如此，第二轉換規則係包含有用以將一個第一值的「41」轉換成複數個第二值的「11」以及「21」之規則。
如此，用以使用第二轉換規則來進行處方的轉換之動作係第一
值與第二值未一對一地對應。這是由於第一基板處理裝置1A的裝置構成與第二基板處理裝置1B的裝置構成不同所致。因此，使用了第二轉換規則之轉換係將第一值轉換成不是與第一值對應之動作同等而是與類似的動作對應之第二值。
相對於此，使用本實施形態的第一轉換規則進行處方的轉換之動作係包含有將第一值轉換成與第一值對應之動作同等的動作所對應之第二值。此外，亦有使用第一轉換規則進行處方的轉換之動作包含有將第一值轉換成不是與第一值對應之動作同等而是與類似的動作對應之第二值之情形。
轉換部813係依據各個轉換規則將所輸入的第一處方R1轉換成第二處方R2並輸出該第二處方R2。
接著，參照圖10以及圖13說明使用處方轉換裝置80將處方從第一處方R1轉換成第二處方R2之方法。圖10係顯示使用了處方轉換裝置80之處方轉換處理的流程之流程圖。圖11係顯示處方轉換處理中的第二轉換工序的流程之流程圖。
如圖10所示，首先，作成用以輸入至處方轉換裝置80之對應表Tb(步驟S00)。該步驟S00係例如由使用者所進行。在作成對應表Tb之情形中，比較參照用以構成第一基板處理裝置1A之各個功能部與用以構成第二基板處理裝置1B之各個功能部。並且，將在第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B上所發現的動作以及功能變成同等或者類似之第一值與第二值的組合作成表格。
接著，對處方轉換裝置80的電腦81輸入對應表Tb，取得部811讀入並取得對應表Tb(步驟S10)。藉此，取得部811係辨識第一處方R1中的第一值與第二處方R2中的第二值之間的對應關係。接著，對電腦81輸入第一處方R1(步驟S20)。此外，第一處方R1的輸入亦可在後述的第一抽出工序(步驟S30)以及第二抽出工序(步驟S40)之後進行。
接著，進行抽出部812所為之第一抽出工序(步驟S30)。具體而言，抽出部812係從對應表Tb中抽出用以使用第一轉換規則進行處方的轉換
之動作的第一值。亦即，抽出部812係從對應表Tb中抽出可將一個第一值轉換成第二值之第一值。在表2的例子中，抽出用以指示第一上表面噴嘴71A、第二上表面噴嘴72A的位置之第一值、用以指示各個外罩51A、中罩52A以及內罩53A的處理位置之第一值以及用以指示第七閥451A的開放之第一值。
接著，進行抽出部812所為之第二抽出工序(步驟S40)。具體而言，抽出部812係從對應表Tb中抽出用以使用第二轉換規則進行處方的轉換之動作的第一值。亦即，抽出部812係從對應表Tb中抽出可將一個第一值轉換成複數個第二值之第一值以及可將複數個第一值轉換成一個或者複數個第二值之第一值。在表2的例子中，抽出部812係全部抽出在第一抽出工序中未被選擇的第一值。然而，根據對應表Tb，亦可存在有未包含於第一轉換規則且未包含於第二轉換規則的第一值。
之後，進行轉換部813所為之第一轉換工序(步驟S50)。具體而言，轉換部813係使用第一轉換規則自動地將在第一抽出工序中所抽出的第一值轉換成第二值。
接著，進行轉換部813所為之第二轉換工序(步驟S60)。具體而言，轉換部813係在對使用者要求確認是否應用第二轉換規則進行轉換後，進行將在第二抽出工序中所抽出的第一值轉換成第二值。
如圖11所示，在第二轉換工序(步驟S60)中，首先，轉換部813係針對在第二抽出工序中所抽出的一個第一值，將依據對應表Tb的轉換內容顯示於顯示部82。此外，同時地，轉換部813係將用以對使用者要求確認是否亦可進行所顯示的內容的轉換之內容顯示於顯示部82(步驟S601)。
接著，在使用者輸入至輸入部83的判斷內容為承諾依據第二轉換規則的轉換內容之情形中(步驟S602中為「是」)，轉換部813係使用第二轉換規則將第一值自動地轉換成第二值(步驟S603)。
另一方面，在使用者輸入至輸入部83的判斷內容為未承諾依據第二轉換規則的轉換內容之之情形中(步驟S602中為「否」)，轉換部813係持續將用以對使用者要求輸入轉換內容之內容顯示於顯示部82。接著，使用使
用者輸入至輸入部83的轉換規則將第一值轉換成第二值(步驟S604)。
在步驟S603或者步驟S604中將第一值轉換成第二值後，轉換部813係判斷是否已將在第二抽出工序中所抽出的第一值全部進行轉換(步驟S605)。在判斷成在第二抽出工序中所抽出的第一值未被轉換時(步驟S605中為「否」)，轉換部813係返回至步驟S601，對未轉換的第一值進行步驟S601至步驟S604的轉換工序。另一方面，當判斷成已將在第二抽出工序中所抽出的第一值全部進行轉換時(步驟S605中為「是」)，結束第二轉換工序(步驟S60)。
當全部的第一值轉換成第二值時，轉換部813係輸出包含有轉換後的第二值之第二處方R2(步驟S70)。藉此，完成處方轉換處理。
如此，在藉由考量第一基板處理裝置1A的裝置構成與第二基板處理裝置1B的裝置構成的差異轉換處方所含有的值而在不同種類的基板處理裝置中進行相同的基板處理之情形中，能簡單地將處方轉換成形式以及指示用的值不同的處方。
(2)變化例
以上，已說明本發明的實施形態之一，但本發明並未限定於上述實施形態。
在上述實施形態中，雖然藉由第一轉換規則自動地轉換成一個第一值與一個第二值一對一地對應，但本發明並未限定於此。在上述實施形態的表2的例子中，使用了第一轉換規則之處方的轉換係包含有將用以將第一上表面噴嘴71A配置於處理位置之第一值的「10」轉換成用以將第一上表面噴嘴71B配置於處理位置之第二值的「70」之轉換。在此情形中，藉由轉換前的第一值而在第一基板處理裝置1A上所發現的動作以及功能與藉由轉換後的第二值而在第二基板處理裝置1B上所發現的動作以及功能同等。亦即，將一個第一值轉換成與第一值對應的第一基板處理裝置1A的動作同等的第二基板處理裝置1B的動作對應之一個第二值。
此外，在表2的例子中，使用了第一轉換規則之處方的轉換係包含有將用以將中罩52A配置於處理位置之第一值的「32」轉換成用以將內
罩53B配置於處理位置之第二值的「91」之轉換。由於第二基板處理裝置1B未具有中罩，因此無法以第二基板處理裝置1B進行與該第一值對應的動作的「將中罩52A配置於處理位置」同等的動作。因此，將該動作轉換成與屬於「不是同等而是類似的動作」的「將內罩53B配置於處理位置」對應之第二值的「91」。在此情形中，藉由轉換前的第一值而在第一基板處理裝置1A上所發現的動作以及功能與藉由轉換後的第二值而在第二基板處理裝置1B上所發現的動作以及功能係「不是同等而是類似」。如此，在上述實施形態中，會有包含有將一個第一值轉換成與該第一值對應的第一基板處理裝置1A的動作不是同等而是類似的第二基板處理裝置1B的動作對應之一個第二值之轉換之情形。
另一方面，在表2的例子中，包含有將第一值的「53」轉換成「31、42」之轉換，第一值的「53」係用以為了使與內罩53A連接的內側排出配管513A以及SC-1排出配管514A連通而切換第九閥523A，「31、42」係用以為了使與內罩53B連接的內側排出配管513B以及SC-1排出路徑連通而切換第二切換部54B的埠。這是將一個第一值轉換成與該第一值對應的動作同等的動作對應之兩個(複數個)第二值。如此，會有第二轉換規則包含有下述轉換之情形：即使一個第一值與複數個第二值對應或者複數個第一值與一個或者複數個第二值對應，亦將該第一值轉換成與該第一值對應的第一基板處理裝置1A的動作同等的第二基板處理裝置1B的動作所對應之第二值。
因此，亦可不是如上述實施形態般對應的第一值以及第二值的個數，而是亦可根據藉由第一值所實現的第一基板處理裝置1A的動作與藉由第二值所實現的第二基板處理裝置1B的動作是否同等來設定第一轉換規則與第二轉換規則。在此情形中，將下述規則作為第一轉換規則：將一個或者複數個第一值轉換成與該第一值對應的動作同等的動作所對應之一個或者複數個第二值。此外，將下述規則作為第二轉換規則：將一個或者複數個第一值轉換成與該第一值對應的動作不是同等而是類似的動作所對應之一個或者複數個第二值。如此，亦可設定第一轉換規則與第二轉換規則。
此外，在上述實施形態中，雖然處方轉換裝置80為與第一基板處理裝置1A以及第二基板處理裝置1B各自獨立的裝置，但本發明並未限定於此。處方轉換裝置亦可藉由用以控制基板處理裝置之控制部執行處方轉換處理而構成。
此外，在上述實施形態中，雖然在執行應用第二轉換規則之轉換工序之前使用者進行了確認，但本發明並未限定於此。使用者的確認亦可在執行了全部的轉換工序後再進行。
此外，在上述實施形態中，省略無法應用第一轉換規則以及第二轉換規則雙方之第一值的說明。處方轉換裝置亦可針對此種第一值執行用以促使使用者進行手動的轉換之工序。
此外，處方轉換處理亦可進一步包含有在轉換工序後確認轉換後的處方的妥當性之工序。用以確認處方的妥當性之工序例如：可由使用者進行確認；或者，處方轉換裝置自動地進行模擬，並對照配合預先儲存於記憶部的動作限制規則來判斷是否可在基板處理裝置上動作，從而確認處方的妥當性。
此外，處方轉換處理亦可進一步包含有用以在轉換後的處方明示經過轉換的處方之工序。用以明示經過轉換的處方之工序例如亦可在顯示於顯示部的處方列表中標示經過轉換的處方。此外，明示經過轉換的處方之顯示部係可為處方轉換裝置的顯示部，亦可為各個基板處理裝置所具有的顯示機構。此外，作為經過轉換的處方的標示的方法，例如亦可進行下述動作等：彩色顯示經過轉換的處方的顯示文字；明亮顯示經過轉換的處方的欄位；於處方列表中之用以顯示有無轉換之欄位顯示○等標記。
此外，在上述實施形態中，成為處理對象之基板W係半導體用的矽晶圓。然而，本發明中成為處理對象之基板並未限定於矽晶圓，亦可為液晶顯示裝置等平板顯示器(flat panel display)用的玻璃基板、光罩用的玻璃基板、太陽電池用的玻璃基板等其他的精密電子裝置用的基板。
此外，針對基板處理裝置的細部的形狀亦可為與本發明的各個
圖式中所顯示的形狀不同的形狀。此外，亦可在未產生矛盾的範圍內適當地組合上述實施形態以及變化例中所示的各個要素。
Claims (12)
- 一種處方轉換方法，係用以將第一基板處理處方轉換成第二基板處理處方，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述處方轉換方法係包含有：工序(a)，係辨識前述第一基板處理處方中之與前述第一基板處理裝置的各個功能部的各個動作對應之預定的第一值與前述第二基板處理處方中之與前述第二基板處理裝置的各個功能部的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係；工序(b)，係應用第一轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值；以及工序(c)，係應用與前述第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值。
- 如請求項1所記載之處方轉換方法，其中進一步包含有：工序(d)，係應用前述第一轉換規則將在前述工序(b)中所抽出的前述第一基板處理處方的前述第一值轉換成前述第二值。
- 如請求項2所記載之處方轉換方法，其中進一步包含有：工序(e)，係對使用者要求確認是否要應用前述第二轉換規則將在前述工序(c)中所抽出的前述第一基板處理處方的前述第一值轉換成前述第二值。
- 如請求項1所記載之處方轉換方法，其中進一步包含有：工序(f)，係在前述工序(a)之前，比較參照用以構成前述第一基板處理裝置之各個功能部與用以構成前述第二基板處理裝置之各個功能部，將在前述第一基板處理裝置以及前述第二基板處理裝置各者中所發現的功能變成同等或者類似之前述第一值與前述第二值的組合作成表格； 在前述工序(a)中，讀入前述表格，藉此辨識前述對應關係。
- 如請求項1至4中任一項所記載之處方轉換方法，其中前述第一轉換規則係將一個前述第一值轉換成一個前述第二值。
- 如請求項5所記載之處方轉換方法，其中前述第二轉換規則係包含有將一個前述第一值轉換成複數個前述第二值之轉換規則。
- 如請求項5所記載之處方轉換方法，其中前述第二轉換規則係包含有將複數個前述第一值轉換成一個或者複數個前述第二值之轉換規則。
- 如請求項1至4中任一項所記載之處方轉換方法，其中前述第一轉換規則係將前述第一值轉換成與前述第一值對應之動作同等的動作所對應之前述第二值。
- 如請求項8所記載之處方轉換方法，其中前述第一轉換規則係將前述第一值轉換成與前述第一值對應之動作同等的動作所對應之前述第二值；前述第二轉換規則係將前述第一值轉換成與前述第一值對應之動作不是同等而是類似的動作所對應之前述第二值。
- 一種記憶媒體，係記憶有電腦程式且為電腦可讀取的記憶媒體；前述電腦程式係用以將第一基板處理處方轉換成第二基板處理處方之處方轉換程式，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述電腦程式係使前述電腦執行：工序(a)，係辨識前述第一基板處理處方中之與前述第一基板處理裝置的各個動作對應之預定的第一值與前述第二基板處理處方中之與前述第二基板處理裝置的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係；工序(b)，係應用第一轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述 第一值；以及工序(c)，係應用與前述第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值。
- 一種處方轉換裝置，係用以將第一基板處理處方轉換成第二基板處理處方，前述第一基板處理處方係用以顯示第一基板處理裝置中的基板處理順序，前述第二基板處理處方係用以顯示第二基板處理裝置中的基板處理順序；前述處方轉換裝置係具備有：取得部，係辨識前述第一基板處理處方中之與前述第一基板處理裝置的各個動作對應之預定的第一值與前述第二基板處理處方中之與前述第二基板處理裝置的各個動作對應之預定的第二值之間的對應關係；以及抽出部，係應用轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值；前述抽出部係應用第一轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值，並應用與前述第一轉換規則不同的第二轉換規則抽出可轉換成前述第二值的前述第一值。
- 一種基板處理系統，係具備有：請求項11所記載之處方轉換裝置；以及前述第二基板處理裝置。
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Families Citing this family (1)
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000084802A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Yokogawa Electric Corp | レシピ作成装置 |
| JP2003037051A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| WO2007055190A1 (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
| JP2014197592A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| WO2015113724A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
| TW201718205A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-06-01 | Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、記錄媒體以及處理基板之方法 |
| TW201718931A (zh) * | 2015-09-08 | 2017-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| TW201721788A (zh) * | 2015-09-29 | 2017-06-16 | 思可林集團股份有限公司 | 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置、暨基板處理方法 |
| TW201811454A (zh) * | 2012-02-21 | 2018-04-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板處理裝置 |
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| TW201834103A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-16 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置以及基板處理方法 |
-
2018
- 2018-09-19 JP JP2018174441A patent/JP7145019B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-17 WO PCT/JP2019/028093 patent/WO2020059274A1/ja active Application Filing
- 2019-07-26 TW TW108126502A patent/TWI726366B/zh active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000084802A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Yokogawa Electric Corp | レシピ作成装置 |
| JP2003037051A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| WO2007055190A1 (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-18 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
| TW201811454A (zh) * | 2012-02-21 | 2018-04-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板處理裝置 |
| JP2014197592A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| WO2015113724A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
| TW201718205A (zh) * | 2015-08-31 | 2017-06-01 | Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、記錄媒體以及處理基板之方法 |
| TW201718931A (zh) * | 2015-09-08 | 2017-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| TW201721788A (zh) * | 2015-09-29 | 2017-06-16 | 思可林集團股份有限公司 | 基板保持旋轉裝置及具備其之基板處理裝置、暨基板處理方法 |
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| TW201834124A (zh) * | 2017-03-02 | 2018-09-16 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理系統、基板處理裝置以及基板處理方法 |
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