TWI723298B - 不含鹼之磷硼矽酸鹽玻璃 - Google Patents

Abstract

茲提供無鹼磷硼鋁矽酸鹽玻璃。所述玻璃包括網絡形成劑SiO₂ 、B₂ O₃ ，及Al₂ O₃ 與P₂ O₅ 中之至少一種。在某些實施例中，該玻璃可具有小於約78 GPa之楊氏模數，及/或在自約20°C至約300°C的溫度範圍內平均小於約38 × 10^-7 /°C之熱膨脹係數。該玻璃可用來作為電子裝置的覆蓋玻璃，或作為玻璃積層的外包覆層。

Description

不含鹼之磷硼矽酸鹽玻璃

本申請案根據專利法主張於2013年5月9日提出申請之美國專利臨時申請案第61/821,426號的權益，本案依賴於該臨時申請案之內容且該臨時申請案全文以引用之方式併入本文中。

本揭露內容係有關於不含鹼金屬或鹼金屬氧化物的玻璃。詳言之，本揭露內容係有關於可由諸如狹縫抽拉(slot-draw)及熔融抽拉(fusion-draw)技術等向下抽拉(down-draw)製程所形成的無鹼玻璃。更詳言之，本揭露內容係有關於可被製成用於玻璃積層(glass laminate)之包覆層(clad layer)的無鹼玻璃。

習知技術仍存在許多缺點，本發明目的在於解決這些缺點及/或改良習知技術。

茲提供無鹼磷硼鋁矽酸鹽玻璃。所述玻璃包括網絡形成劑(network former) SiO₂ 、B₂ O₃ ，及Al₂ O₃ 與P₂ O₅ 中之至少一種。在某些實施例中，所述玻璃可具有小於約78 GPa之楊氏模數(Young’s module)，及/或在自約20°C至約300°C的溫度範圍內平均小於約38 × 10^-7 /°C之熱膨脹係數。該玻璃可用來作為電子裝置的覆蓋玻璃，或作為玻璃積層的外包覆層。

因此，本揭露內容的一個態樣在於提供一種玻璃，該玻璃包含：自約50莫耳%至約75莫耳%之SiO₂ ；自大於0莫耳%至約20莫耳%之Al₂ O₃ ；自大於0莫耳%至約35莫耳%之B₂ O₃ ；自大於0莫耳%至約20莫耳%之P₂ O₅ ；可達約5莫耳%之MgO；可達約10莫耳%之CaO；可達約5莫耳%之SrO；可達約0.5莫耳%之Fe₂ O₃ ；及可達約0.1莫耳%之ZrO₂ ，其中該玻璃實質上不含鹼金屬改質劑。

本揭露內容的第二態樣在於提供一種玻璃，其包含SiO₂ 、B₂ O₃ 、Al₂ O₃ 及P₂ O₅ 。所述玻璃實質上不含鹼金屬改質劑，並具有下列至少一者：小於約78 GPa之楊氏模數，及在自約20°C至約300°C之溫度範圍內平均小於約38 × 10^-7 /°C之熱膨脹係數。

本揭露內容的第三態樣在於提供一種玻璃積層，其包含核心玻璃及包覆玻璃，包覆玻璃層疊至核心玻璃的外表面上。包覆玻璃層包含SiO₂ 、B₂ O₃ 、Al₂ O₃ 及P₂ O₅ ，且實質上不含鹼金屬改質劑。包覆玻璃具有在自約20°C至約300°C之溫度範圍內平均小於約38 × 10^-7 /°C之第一熱膨脹係數，且核心玻璃具有在自約20°C至約300°C之溫度範圍內平均大於該第一熱膨脹係數之第二熱膨脹係數。

本揭露內容的第四態樣在於提供一種製造玻璃的方法。該方法包含下列步驟：提供玻璃熔體(glass melt)，玻璃熔體包含SiO₂ 、B₂ O₃ ，及Al₂ O₃ 與P₂ O₅ 中之至少一種，其中該玻璃熔體實質上不含鹼金屬改質劑；以及向下抽拉玻璃熔體，以形成玻璃。

藉由以下實施方式、附圖和後附申請專利範圍將可明白這些及其它態樣、優點和顯著特徵。

於以下描述中，在圖式所繪示的多個視圖中，類似的參考字元標示類似或對應部份。同樣需理解的是，除非另外指明，術語，如「頂(top)」、「底(bottom)」、「向外(outward)」、「向內(inward)」等是為方便性而使用之字彙，且不應被視為限制性術語。此外，當一群組以包括複數個要素之至少一者及其組合所組成之群組的方式描述時，需瞭解的是，該群組可能包括基本上由任何數量之被引用要素所組成，或由任何數量之被引用要素所組成，而該等被引用要素可單獨存在或相互組合。同樣地，當一群組以由複數個要素之至少一者或其組合所組成之群組的方式描述時，需瞭解的是，該群組可能由任何數量之被引用要素所組成，而該等被引用要素可單獨存在或相互組合。除非另外指明，數值的範圍，當被引用時，包含該範圍之上限值及下限值，也包含其中間的任何範圍。當用於本文時，除非另外指明，否則不定冠詞「一」、「一個」和相應之定冠詞「該」意指「至少一個」或「一或多個」之意。也應理解在說明書或圖式中所揭露的各種特徵可被用於任何組合及所有組合中。

當用於本文時，術語「玻璃物件」與「多個玻璃物件」係以其最廣泛義涵使用，以包括完全或部分由玻璃製成的任何物體。除非另外指明，所有成分均以莫耳百分比(mol%)表示，且熱膨脹係數(CTE)以10^-7 /°C表示。

應注意，本文中可以使用用語「實質上(substantially)」和「約」來表示固有程度的不確定性，該固有程度的不確定性可能歸因於任何定量的比較、值、量測或其他表示。本文中也使用這些用語來表示表達的量與所述參考物之間可能的差異程度不會造成所討論標的物之基本功能產生變化。

整體參見該等圖式並特別參見第1圖，將可理解該等示例圖式係用於解說特定實施例之用，並非意欲限制本發明或本發明之後附申請專利範圍。該等圖式未必按比例繪製，且該等圖式之某些特徵和某些視圖可能在比例上有所誇大或示意性地概要繪製以求清晰簡潔。

本文所述的是玻璃及由該玻璃所製成的玻璃物件，所述玻璃包含網絡形成劑SiO₂ 、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ 及P₂ O₅ ，且不含鹼金屬及鹼金屬氧化物，且具有低的(即，當在自約20°C至約300°C的溫度範圍內測量時小於約40 × 10^-7 /°C)熱膨脹係數(CTE)。此外，為了進一步降低玻璃的CTE，也最小化鹼土金屬氧化物的量。在某些實施例中，這些玻璃也具有低的楊氏模數值及剪力模數(shear modulus)值，以改良玻璃的本質或原生損害抗性。

在某些實施例中，本文所述之玻璃可由諸如狹縫抽拉及熔融抽拉製程等本案所屬技術領域中所熟知的向下抽拉製程所形成。熔融抽拉製程是一種工業技術，其已被用來大規模製造薄玻璃片。相較於其它平面玻璃製造技術(如浮式製程或狹縫抽拉製程)而言，熔融抽拉製程可生產具有優良平整性及表面品質的薄玻璃片。因此，對用於液晶顯示器的薄玻璃基板及用於個人電子裝置(如筆記型電腦、娛樂裝置、桌上型及膝上型電腦等)的覆蓋玻璃的製造來說，熔融抽拉製程已成為主導性製造技術。

熔融抽拉製程涉及使熔化的玻璃流過稱為「等靜壓管(isopipe)」的槽體，其通常以鋯石(zircon)或另一種耐火材料製成。熔化的玻璃自等靜壓管的兩側溢流出等靜壓管的頂部，在等靜壓管的底部會合而形成單一片體，只有最終片體的內側會直接接觸等靜壓管。由於在抽拉製程期間，最終片體的暴露表面均不接觸等靜壓管材料，玻璃的兩外表面皆具有原始品質(pristine quality)且不需要後續加工。

為了成為可熔融抽拉的，玻璃必須具有夠高的液相線黏滯性(即，液相線溫度下的熔化玻璃的黏滯性)。在某些實施例中，本文所述之玻璃具有至少約150千泊(kpoise)的液相線黏滯性。在某些實施例中，這些玻璃具有至少約300 kpoise的液相線黏滯性。

可使用單一等靜壓管完成傳統的熔融抽拉，產生均質玻璃產品。更複雜的積層熔融製程使用兩個等靜壓管，以形成包含核心玻璃成分之層疊的片體，所述核心玻璃成分的任一側(或兩側)上被外包覆層包圍。積層熔融的主要優點之一在於當包覆玻璃的熱膨脹係數小於核心玻璃的熱膨脹係數時，CTE差異會在外包覆層中引起壓縮應力。此壓縮應力可增加最終玻璃產品的強度而無需離子交換處理。與離子交換不同的是，可在不使用玻璃中的鹼離子的情況下達成這樣的強化。

因此，在某些實施例中，本文所述之無鹼玻璃可被用來形成概要地顯示於第1圖中的玻璃積層。玻璃積層100包含核心玻璃110，核心玻璃110被本文所述之無鹼玻璃所形成的包覆玻璃120或「包覆層」包圍。核心玻璃110所具有的CTE大於包覆層120中之無鹼玻璃的CTE。在某些實施例中，核心玻璃可為鹼鋁矽酸鹽玻璃。在一個非限制性實例中，核心玻璃為具有以下成分的鹼鋁矽酸鹽玻璃：66.9莫耳%之SiO₂ 、10.1莫耳%之Al₂ O₃ 、0.58莫耳%之B₂ O₃ 、7.45莫耳%之Na₂ O、8.39莫耳%之K₂ O、5.78莫耳%之MgO、0.58莫耳%之CaO、0.2莫耳%之SnO₂ 、0.01莫耳%之ZrO₂ 及0.01莫耳%之Fe₂ O₃ ，並具有572°C之應變點(strain point)、629°C之退火點、888°C之軟化點，且CTE = 95.5 × 10^-7 /°C。

當被利用作為層疊之產品中的包覆玻璃時，本文所述的無鹼玻璃成分可對包覆層提供高壓縮應力。無鹼可熔融形成之玻璃的CTE通常在30 × 10^-7 /°C或更低的範圍內。當這樣的玻璃與，例如，具有90 × 10^-7 /°C之CTE的鹼鋁矽酸鹽玻璃(如，康寧公司所製造的Gorillaâ玻璃)配對時，可使用以下給定的彈性應力公式(elastic stress equation)計算包覆玻璃中之預期的壓縮應力，其中下標1及2分別表示核心玻璃及包覆玻璃：

及

其中E為楊氏模數，ν為浦松比(Poisson's Ratio)，t為玻璃厚度，σ為應力，且e₂ -e₁ 為包覆玻璃與核心玻璃之間的熱膨脹差值。對包覆玻璃及核心玻璃使用相同的彈性模數及浦松比可進一步簡化以上公式。

為了計算包覆玻璃與核心玻璃之間的熱膨脹差值，可假設應力設定在包覆玻璃與核心玻璃之較軟玻璃的應變點之下。可使用這些假設及以上公式來估算包覆玻璃中的應力。就以具有30 × 10^-7 /°C的CTE之典型顯示器式玻璃作為包覆玻璃及具有90 × 10^-7 /°C的CTE之鹼鋁矽酸鹽核心玻璃，整體厚度在0.5 mm至1.0 mm的範圍內且包覆玻璃厚度為10μm至100μm而言，估算包覆玻璃的壓縮應力在自約200 MPa至約315 MPa的範圍內。如可見於下表2，數個無鹼玻璃樣本具有範圍自約15至約13 × 10^-7 /°C之熱膨脹係數。就這些玻璃而言，包覆玻璃層的壓縮應力可在自240 MPa至約400 MPa的範圍內。

本文所述之無鹼玻璃具有特別低的熱膨脹係數。在某些實施例中，CTE在自約20°C至約300°C的溫度範圍內平均小於38×10^-7 /°C。在其它實施例中，玻璃的CTE在自約20°C至約300°C的溫度範圍內平均小於約20 × 10^-7 /°C。當與具有較高CTE的核心玻璃配對時，本文所述的玻璃可在最終層疊玻璃產品的包覆層中提供高水平的壓縮應力。如此可增加玻璃積層產品的強度。藉由在積層的包覆層中使用本文所揭露的玻璃，可達到至少約100 MPa的室溫壓縮應力，且在某些實施例中，可達到至少約400 MPa的室溫壓縮應力。

相較於其它可在市場上購得的熔融抽拉式玻璃而言，無鹼玻璃具有顯著較低的楊氏模數值及剪力模數值。在某些實施例中，楊氏模數小於約78十億帕斯卡(GPa)，在其它實施例中，小於約70 GPa，且在另外的實施例中，小於約60 GPa。低彈性模數可提供這些玻璃高度的本質損害抗性。

在某些實施例中，這些無鹼玻璃具有小於800°C的應變點。

在某些實施例中，本文所述的玻璃基本上由以下元素組成或包含以下元素：自約50莫耳%至約75莫耳%之SiO₂ (即，50莫耳% £ SiO₂ £ 75莫耳%)；自大於0莫耳%至約20莫耳%之Al₂ O₃ (即，0莫耳% ＜ Al₂ O₃ £ 20莫耳%)；自大於0莫耳%至約35莫耳%之B₂ O₃ (即，0莫耳% ＜ B₂ O₃ £ 35莫耳%)；自大於0莫耳%至約20莫耳%之P₂ O₅ (即，0莫耳% ＜ P₂ O₅ £ 20莫耳%)；可達約5莫耳%之MgO (即，0莫耳% £ MgO£ 5莫耳%)；可達約10莫耳%之CaO (即，0莫耳% £ CaO£ 10莫耳%)；可達約5莫耳%之SrO (即，0莫耳% £ SrO£ 5莫耳%)；可達約0.5莫耳%之Fe₂ O₃ (即，0莫耳% £ Fe₂ O₃ £ 0.5莫耳%)；可達約0.1莫耳%之ZrO₂ (即，0莫耳% £ ZrO₂ £ 0.1莫耳%)；及(視情況)至少一種澄清劑，如SnO₂ 、CeO₂ 、As₂ O₃ 、Sb₂ O₅ 、Cl^- 、F^- 或類似物。在某些實施例中，至少一種澄清劑可包括：可達約0.7莫耳%之SnO₂ (即，0莫耳% £ SnO₂ £ 0.5莫耳%)；可達約0.5莫耳%之As₂ O₃ (即，0莫耳% £ As₂ O₃ £ 0.5莫耳%)；及可達約0.5莫耳%之Sb₂ O₃ (即，0莫耳% £ Sb₂ O₃ £ 0.5莫耳%)。

在特定的實施例中，所述玻璃基本上由以下元素組成或包含以下元素：自約55莫耳%至約72莫耳%之SiO₂ (即，55莫耳% £ SiO₂ £ 75莫耳%)；自大於0莫耳%至約16莫耳%之Al₂ O₃ (即，0莫耳% ＜ Al₂ O₃ £ 16莫耳%)；自約8莫耳%至約35莫耳%之B₂ O₃ (即，8莫耳% £ B₂ O₃ £ 35莫耳%)；自約3莫耳%至約20莫耳%之P₂ O₅ (即，3莫耳% £ P₂ O₅ £ 20莫耳%)；可達約5莫耳%之MgO (即，0莫耳% £ MgO£ 5莫耳%)；可達約0.2莫耳%之CaO (即，0莫耳% £ CaO£ 0.2莫耳%)；可達約0.2莫耳%之SrO (即，0莫耳% £ SrO£ 0.2莫耳%)；可達約0.1莫耳%之ZrO₂ (即，0莫耳% £ ZrO₂ £ 0.1莫耳%)。所述玻璃可進一步包括至少一種澄清劑，如SnO₂ 、CeO₂ 、As₂ O₃ 、Sb₂ O₅ 、Cl^- 、F^- 或類似物。在某些實施例中，所述至少一種澄清劑可包括：可達約0.2莫耳%之SnO₂ (即，0莫耳% £ SnO₂ £ 0.2莫耳%)。

在某些實施例中，本文所述之玻璃中的MgO、CaO及SrO的總量小於或等於約5莫耳%，在其它實施例中，小於或等於約0.2莫耳%，且在特定實施例，所述玻璃實質上不含鹼土金屬改質劑。

這些玻璃的成分之非限制性實例列示於表1a至1d。表1a至1d中之樣本1至20的特性列示於表2。這些玻璃的各個氧化物組分都有功能。氧化矽(SiO₂ )是主要的玻璃成形氧化物，並形成供熔化的玻璃所用之網絡骨幹。純SiO₂ 具有低CTE，且不含鹼金屬。然而，因純SiO₂ 的高熔化溫度之故，其不相容於熔融抽拉製程。黏滯性曲線也過高而無法與積層結構中的任何核心玻璃匹配。在某些實施例中，本文所述之玻璃中的SiO₂ 含量範圍自約50莫耳%至約75莫耳%。在其它實施例中，SiO₂ 濃度範圍自約55莫耳%至約72莫耳%。

除了氧化矽之外，本文所述之玻璃可包括三種網絡形成劑－Al₂ O₃ 、B₂ O₃ 及P₂ O₅ －以達成穩定的玻璃形成、低CTE、低楊氏模數、低剪力模數，並促進熔化及成形。藉由混合適當濃度的所有這四種網絡形成劑，有可能在最小化對諸如鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物等網絡改質劑(其可能升高CTE及模數)之需求的同時，達成穩定的大批玻璃形成(bulk glass formation)。Al₂ O₃ 可像SiO₂ 一樣有助於玻璃網絡的剛性。氧化鋁可以四倍配位(fourfold coordination)或五倍配位的方式出現在玻璃中。在某些實施例中，本文所述之玻璃包含自約2莫耳%至約20莫耳%之Al₂ O₃ ，且在特定的實施例中，包含自約2莫耳%至約16莫耳%之Al₂ O₃ 。

氧化硼(B₂ O₃ )也是玻璃成形氧化物，其可用來降低黏滯性並因而增進熔化及形成玻璃的能力。B₂ O₃ 可以三倍配位或四倍配位的方式出現在玻璃網絡中。對降低楊氏模數及剪力模數因而增進玻璃的本質損害抗性而言，三倍配位的B₂ O₃ 是最有效的氧化物。因此，本文所述之玻璃包含B₂ O₃ 。在某些實施例中，所述玻璃可包括可達約35莫耳%之B₂ O₃ ，且在其它實施例中，可包括自約8莫耳%至約35莫耳%之B₂ O₃ 。

五氧化二磷(P₂ O₅ )是併入這些玻璃中的第四種網絡形成劑。P₂ O₅ 是以準-四面體結構(quasi-tetrahedral structure)存在於玻璃網絡中；即，其與四個氧原子配位，但該四個氧原子中僅有三個氧原子連接至網絡的其餘部分。第四個氧原子為終端氧，其以雙鍵鍵結至磷陽離子。硼與磷在玻璃網絡中的聯結可導致這些網絡形成劑在四面體配置中的相互穩定性，如與SiO₂ 的相互穩定性。像B₂ O₃ 一樣，將P₂ O₅ 併入玻璃網絡中可高度有效地降低楊氏模數及剪力模數。在某些實施例中，本文所述之玻璃包含自大於0莫耳%至約20莫耳%之P₂ O₅ ，且在其它實施例中，包含自約3莫耳%至約20莫耳%之P₂ O₅ 。

鹼土金屬氧化物(MgO、CaO及SrO)也可像B₂ O₃ 一樣增進玻璃的熔化行為(melting behavior)。然而，鹼土金屬氧化物也可作用而提高CTE及楊氏模數及剪力模數。在某些實施例中，本文所述之玻璃包含可達約5莫耳%之MgO、可達約10莫耳%之CaO及可達約5莫耳%之SrO，且在其它實施例中，可達約5莫耳%之MgO、可達約0.2莫耳%之CaO及可達約0.2莫耳%之SrO。在某些實施例中，MgO、CaO及SrO的總量小於或等於約0.2莫耳%。在其它實施例中，僅存在有痕量汙染物水平(即，£ 100 ppm)的鹼土金屬氧化物。在另外的實施例中，玻璃實質上不含鹼土金屬氧化物。

玻璃也可包括低濃度的至少一種澄清劑，如SnO₂ 、CeO₂ 、As₂ O₃ 、Sb₂ O₅ 、Cl^- 、F^- 或類似物，以在熔化期間協助消除氣態內含物(gaseous inclusion)。在某些實施例中，玻璃可包含可達約0.7莫耳%之SnO₂ 、可達約0.5莫耳%之As₂ O₃ 及/或可達約0.5莫耳%之Sb₂ O₃ 。在其它實施例中，至少一種澄清劑可包含可達約0.2莫耳%之SnO₂ 。

也可藉由在熔爐(melter)中使熱玻璃接觸二氧化鋯系耐火材料來導入少量ZrO₂ ，且因此監控玻璃中之二氧化鋯的含量可能是重要的，以判斷隨著時間之容器耗損速率。在某些實施例中，玻璃可包括可達約0.1莫耳%之ZrO2。由於Fe₂ O₃ 是批次材料中的常見雜質，玻璃可進一步包含低濃度的Fe₂ O₃ 。在某些實施例中，玻璃可包括可達約0.5莫耳%之Fe₂ O₃ 。 表1a 玻璃的範例成分。

表1a 續

表1b 玻璃的範例成分。

表1b 續

表1c 玻璃的範例成分。

表1c 續

表1d 玻璃的範例成分。

表1d 續

表1d 續

表1d 續

表2 表1a至1d中所列之玻璃的特性。

表2 續

表2 續

表2 續

表2 續

表2 續

表2 續

表2 續

亦提供製造本文所述之玻璃的方法。所述方法包括：提供玻璃熔體，其包含SiO₂ 、B₂ O₃ ，及Al₂ O₃ 與P₂ O₅ 中之至少一種，其中玻璃熔體實質上不含鹼金屬改質劑；以及向下抽拉玻璃熔體，以形成玻璃。在某些實施例中，向下抽拉玻璃的步驟包含狹縫抽拉玻璃熔體，且在其它實施例中，包含熔融抽拉玻璃熔體。

在某些實施例中，該方法進一步包括：提供核心玻璃熔體，並熔融抽拉核心玻璃熔體，以形成核心玻璃，核心玻璃的熱膨脹係數小於包覆玻璃的熱膨脹係數。接著，熔融抽拉包覆玻璃熔體，以形成包覆玻璃層，從而包圍核心玻璃。包覆玻璃層處在至少約400 MPa的壓縮應力下。

由於實質上不含鹼金屬，本文所述的玻璃適用於薄膜電晶體(TFT)顯示器應用。由於鹼離子的存在對薄膜電晶體有害，這些應用要求無鹼介面。因此，離子交換的含鹼玻璃不適合此類應用。利用本文所述之無鹼玻璃作為包覆層的玻璃積層可提供與無鹼介面結合之強化玻璃產品。在某些實施例中，無鹼玻璃也具有高退火點及應變點，以減少熱壓縮(thermal compaction)，減少熱壓縮對於TFT顯示器基板而言是理想的。本文所述之玻璃也可用於多種電子裝置中的色彩濾波器電晶體基板、覆蓋玻璃或觸碰介面。

儘管已舉出多個典型實施例以作為說明之用，但上述說明不應視為本發明或後附申請專利範圍之限制。因此，所屬技術領域中熟悉該項技藝者當可在不偏離本發明或後附申請求項之精神與範圍下，作出各種修飾、調整和替代態樣。

100‧‧‧玻璃積層 110‧‧‧核心玻璃 120‧‧‧包覆玻璃

第1圖為玻璃積層的概要剖面視圖。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100‧‧‧玻璃積層

110‧‧‧核心玻璃

120‧‧‧包覆玻璃

Claims (9)

1. 一種玻璃，該玻璃包含：自50莫耳%至75莫耳%之SiO₂；自大於0莫耳%至20莫耳%之Al₂O₃；自大於0莫耳%至35莫耳%之B₂O₃；自10.03莫耳%至20莫耳%之P₂O₅；可達0.5莫耳%之Fe₂O₃；以及可達0.1莫耳%之ZrO₂，其中該玻璃不含鹼金屬改質劑與鹼土金屬改質劑，及其中該玻璃具有小於800℃的一應變點。
2. 如請求項1所述之玻璃，其中該玻璃包含：自55莫耳%至72莫耳%之SiO₂；自大於0莫耳%至16莫耳%之Al₂O₃；自8莫耳%至35莫耳%之B₂O₃；自10.03莫耳%至20莫耳%之P₂O₅；可達0.2莫耳%之SnO₂；可達0.1莫耳%之ZrO₂；並視情況包含至少一種澄清劑。
3. 如請求項1或2所述之玻璃，其中該玻璃進一步包含至少一種澄清劑，該至少一種澄清劑包含SnO₂、CeO₂、As₂O₃、Sb₂O₅、Cl^-及F^-中之至少一者。
4. 如請求項1或2所述之玻璃，其中該玻璃具有下列至少一者：小於78GPa之一楊氏模數，及在自20℃至300℃之一溫度範圍內平均小於38×10^-7/℃之一熱膨脹係數。
5. 如請求項1或2所述之玻璃，其中該玻璃形成一玻璃積層中之一包覆層，該玻璃積層包含一核心玻璃，其中該核心玻璃具有的一熱膨脹係數大於該包覆層之一熱膨脹係數，且其中該包覆層處在至少100MPa之一壓縮應力下。
6. 一種製造一玻璃的方法，該方法包含下列步驟：a.提供一玻璃熔體，該玻璃熔體包含SiO₂、B₂O₃、視情況之Al₂O₃與自10.03莫耳%至20莫耳%之P₂O₅，其中該玻璃熔體不含鹼金屬改質劑與鹼土金屬改質劑；以及b.向下抽拉該玻璃熔體，以形成該玻璃，其中該玻璃具有下列至少一者：小於78GPa之一楊氏模數，及在自20℃至300℃之一溫度範圍內平均小於38×10^-7/℃之一熱膨脹係數；及其中該玻璃具有小於800℃的一應變點。
7. 如請求項6所述之方法，其中該玻璃熔體係一包覆玻璃熔體，且其中該方法進一步包含下列步驟：a.提供一核心玻璃熔體；b.熔融抽拉該核心玻璃熔體，以形成一核心玻璃；以及 c.熔融抽拉該包覆玻璃熔體，以形成一包圍該核心玻璃的包覆層玻璃，其中該核心玻璃具有的一熱膨脹係數大於該包覆玻璃的熱膨脹係數，且其中該包覆層處在至少100MPa之一壓縮應力下。
8. 一種玻璃，該玻璃包含SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、及自3莫耳%至20莫耳%之P₂O₅，其中該玻璃實質上不含鹼金屬改質劑，及其中：該玻璃包含至少一種澄清劑，該至少一種澄清劑包含SnO₂、CeO₂、Sb₂O₃、及Cl^-中之至少一者；該玻璃實質上不含鹼土金屬改質劑；該玻璃具有小於800℃的一應變點；及該玻璃具有下列至少一者：小於78GPa之一楊氏模數，及在自20℃至300℃之一溫度範圍內平均小於38×10^-7/℃之一熱膨脹係數。
9. 如請求項8所述之玻璃，其中該玻璃形成一玻璃積層中之一包覆層，該玻璃積層包含一核心玻璃，其中該核心玻璃具有的一熱膨脹係數大於該包覆層之一熱膨脹係數。

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