TWI721590B - 控制光學系統之方法 - Google Patents

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Abstract

用於控制一光學系統之技術包括：存取自該光學系統發射之一脈衝式光束之一特定脈衝之一性質的一量測值，該性質與該光束之同調性之一數量有關；比較該光束之該性質的該量測值與該性質的一目標值；基於該比較而判定是否產生一控制信號；以及若基於該比較而產生一控制信號，則藉由基於該控制信號修改該光學系統之一態樣來調整該光束中之同調性之該數量，以減小在該特定脈衝之後的一脈衝之同調性之一數量。

Description

控制光學系統之方法
本發明係關於調整一光束之同調性之一數量。舉例而言，下文所論述之技術可用於減小或抑制脈衝式光束中之同調性。
光微影為藉以在諸如矽晶圓之基板上圖案化半導體電路之程序。光微影光源提供用於使晶圓上之光阻劑曝光之深紫外線(DUV)光。用於光微影之DUV光係由準分子光源產生。通常，光源為雷射光源，且脈衝式光束為脈衝式雷射光束。光束穿過光束遞送單元、主光罩或光罩，且接著投射至所準備的矽晶圓上。以此方式，晶片設計經圖案化至光阻劑上，該光阻劑接著經蝕刻及清除，且接著程序重複。
在一項一般態樣中，一種控制光學系統之方法包括：存取自該光學系統發射之一脈衝式光束之一特定脈衝之一性質的一量測值，該性質與該光束之同調性之一數量有關；比較該光束之該性質的該量測值與該性質的一目標值；基於該比較而判定是否產生一控制信號；且若基於該比較而產生一控制信號，則藉由基於該控制信號修改該光學系統之一態樣來調整該光束中之同調性之該數量，以減小在該特定脈衝之後的一脈衝之同調性之一數量。 實施可包括以下特徵中之一或多者。光束之性質可包括光束之散度。可在光學系統之外部量測光束之散度。 在特定脈衝之後的脈衝可為緊接在特定脈衝之後的脈衝。 藉由基於控制信號修改光束之性質的值來調整光束之同調性之數量可包括：將該控制信號應用於該光學系統之一光學元件，該光學元件包括一光學表面，該光學表面與該光學系統中之該光束互動以至少部分地判定自該光學系統發射之該光束之該性質的該值，該控制信號之該應用足以移動該光學表面。該控制信號之該應用足以移動該光學表面可包括：該控制信號之該應用足以改變該光學表面之形狀、改變該光學表面之位置、改變該光學表面相對於該脈衝式光束之傳播方向之角度或改變光學表面之曲率。該光學表面可包括複數個部分，且該控制信號之應用足以使該光學表面之該複數個部分中之至少一者相對於其他部分中之至少一者移動。 在一些實施中，判定該光學系統之操作條件，該操作條件與一或多個操作參數相關聯，且若基於比較並未產生控制信號，則可將該光束之該性質的該量測值宣告為該性質針對所判定操作條件的所要值。將該光束之該性質的該量測值宣告為該性質針對所判定操作條件的所要值可包括：儲存與操作條件之操作參數相關聯之量測值。操作參數可包括以下各項中之一或多者：光學系統之增益介質之壓力、光學系統之增益介質之溫度、自光學系統發射之光束之重複速率，以及施加至光學元件之力量，該光學元件包括與光學系統中之光束互動以至少部分地判定自該光學系統發射之該光束之該性質的值之光學表面。可接收光學系統之操作條件至當前操作條件之改變的指示，可自所儲存資料判定該性質針對當前操作條件的所要值；且可將目標值設定為所判定所要值。光學系統之操作條件之改變的指示可包括自光學系統發射之光束之重複速率至新重複速率之改變的指示，且重複速率之改變的指示可自接收來自光學系統之光束的微影曝光設備接收。 在一些實施中，存取光束之性質的量測值包括：在第一時間且在第二時間量測光束之性質的值，該第二時間在第一時間之後且在調整光束之同調性之數量之後發生。可比較第二時間處之光束之性質的值與目標值，且可基於該比較而判定是否產生第二控制信號。 在另一一般態樣中，控制光學系統之方法包括：獲得在複數個操作條件下自一光學系統發射之一光束之一性質的一值，該性質的該所獲得值與該光束中之同調性之一數量相關聯，且該等操作條件中之每一者與一或多個操作參數及與一光學元件有關之狀態資訊相關聯，該光學元件包括與該光束互動以至少部分地判定該光束之該性質的該所獲得值之一光學表面；針對每一操作條件儲存該性質的該所獲得值及與該光學元件有關之該狀態資訊；在一當前操作條件下操作該光學系統，該當前操作條件與該等操作參數中之一或多者之當前值及與該光學元件有關之一當前狀態資訊相關聯；接收該光學系統之該當前操作條件之一改變的一指示，一改變的該指示包括該等操作參數中之一或多者的一新值；依據該所儲存資料判定與該新值相關聯之與該光學元件有關之狀態資訊；以及基於該所判定狀態資訊而將一命令信號應用於該光學元件。 實施可包括以下特徵中之一或多者。該光束之該性質的該所獲得值可與針對該複數個操作條件中之每一者之該光束中之同調性之一可接受數量相關聯，且該光束之該性質的另一值可藉由在將該所判定狀態資訊應用於該光學元件之後量測該光束之該性質的該值來獲得；可比較該另一值與相關聯於該一或多個操作參數之該新值之該性質的該所獲得值；且可基於該比較而判定該性質的該另一值是否可接受。 該狀態資訊及該所判定狀態資訊可包括施加至該光學元件之一力量，且若該性質的該另一值不可接受，則可基於該新力及一預定常數而判定一第三力量。 與該光學元件有關之該狀態資訊可包括該光學元件之該表面之一位置。 與該光學元件有關之該狀態資訊可包括施加至該光學元件之一力量，該力足以判定該光學元件之該表面之一位置。 在另一一般態樣中，用於光源之一系統包括光學耦合器；第一光學系統，其包括第一光學元件；第二光學系統，其包括第二光學元件；以及增益介質，其介於該第一光學系統與該第二光學系統之間，其中該第一光學元件、該第二光學元件及該光學耦合器界定一閉合路徑，該閉合路徑之至少一部分穿過該增益介質，且該第一光學元件及該第二光學元件中之一或多者包括經定位以與在該閉合路徑上傳播之一光束互動之一光學反射表面，該表面包括複數個部分，該等部分中之至少一者具有不同於其他區段之表面輪廓之一表面輪廓。 實施可包括以下特徵中之一或多者。該第一光學元件可包括具有該複數個部分之該表面，該等部分中之至少一者可為一反射鏡，且該等部分中之至少一者可為一光柵。該等部分可彼此毗鄰，且一可撓性部件可介於任何兩個毗鄰部分之間，使得至少一個部分可相對於一毗鄰部分移動。在一些實施中，任何部分可相對於一毗鄰部分移動。一部分之該表面輪廓可藉由該部分之一曲率半徑及一表面特性中之一或多者判定。 在另一一般態樣中，用於光源之一系統包括光學耦合器；第一光學系統，其包括第一反射光學元件；第二光學系統，其包括第二反射光學元件；以及增益介質，其介於該第一光學系統與該第二光學系統之間，其中該第一反射光學元件、該第二反射光學元件及該光學耦合器界定一閉合路徑，該閉合路徑之至少一部分穿過該增益介質，該第二反射光學元件包括複數個相異反射表面，該等相異反射表面中之一第一者經定位以接收來自該增益介質之一光束並將該光束反射至該等相異反射表面中之一第二者，該等相異反射表面中之該第二者經定位以接收來自該第一相異反射表面之該光束並將該光束反射至該增益介質，且該等相異反射表面中之至少一者為與其他反射表面實體上分離且可相對於該等其他反射表面移動之一或多個反射表面。 該第二光學元件之該等相異反射表面中之至少一者可相對於其他反射表面移動，且該第二光學系統亦可包括耦接至該至少一個可移動反射表面之一致動器，該致動器經組態以使得該可移動反射表面回應於一命令信號而移動。 在另一一般態樣中，一種系統包括經組態以放大脈衝式光束之光學系統，該脈衝式光束具有重複速率，該光學系統包括：光學耦合器；第一光學元件；增益介質；以及第二光學元件，該增益介質介於該第一光學元件與該第二光學元件之間，且該第一光學元件、該第二光學元件及該光學耦合器界定穿過該增益介質之一閉合路徑；微影曝光設備，其經組態以接收該經放大脈衝式光束；以及控制系統，其耦合至該光學系統及該微影曝光設備，該控制系統經組態以：接收用以將該脈衝式光束之該重複速率自第一重複速率改變至第二重複速率之請求，判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之性質的值，判定該性質的該值是否可接受，且若該性質的該值不可接受，則基於該性質的該所判定值而產生命令信號，以及將該命令信號提供至該光學系統，該命令信號足以實體上修改與在該光學系統之該閉合路徑上傳播之光互動之可控光學元件。 實施可包括以下特徵中之一或多者。該脈衝式光束之該性質的該值可為該脈衝式光束之一或多個脈衝之同調性之一量度。 該控制系統可經進一步組態以在將該命令信號提供至該光學系統之後判定該性質的該值是否可接受。 判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之該性質的一值可包括：存取施加至該可控光學元件之一力量的一值，且將該命令信號提供至該可控光學元件可包括：將一不同力量施加至該可控光學元件。 判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之該性質的一值可包括：在該光學系統以該第二重複速率操作時量測該脈衝式光束之一散度。 判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之該性質的一值可包括：存取儲存在一電子儲存器中之該脈衝式光束之該性質的一值。儲存在一電子儲存器中之該脈衝式光束之該性質的該值可為先前在該光學系統以該第二重複速率操作時所量測之一值。 可自該微影曝光設備接收用以改變該重複速率之該請求。 該控制系統亦可包括一操作者介面，該操作者介面經組態以允許操作者與該微影曝光設備互動，且可自該操作者介面接收用以改變該重複速率之該請求。 該光學系統亦可包括經組態以激勵該增益介質之電極，且該脈衝式光束之該重複速率可藉由控制該等電極之一激發型樣來加以控制，該激發型樣規定該等電極處於足以激勵該增益介質之一作用中狀態之時間。 該可控光學元件可為該第一光學元件及該第二光學元件中之一或多者。 上文及本文中所描述之該等技術中之任何者之實施可包括處理程序、設備、控制系統、儲存在非暫時性機器可讀電腦媒體上之指令，及/或方法。下文之隨附圖式及描述中闡明一或多個實施之細節。自該描述及圖式以及申請專利範圍將明瞭其他特徵。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張在2016年9月2日提出申請且以全文引用的方式併入本文中之美國申請案第15/256,196號之優先權。 參考圖1A，光微影系統100包括將光束160提供至微影曝光設備115之光源105，該微影曝光設備處理晶圓120。光束160為包括在時間上彼此分離之光之脈衝的脈衝式光束。微影曝光設備115包括：投射光學系統125，光束160在到達晶圓120之前穿過該投射光學系統；以及偵測器122。偵測器122可為(例如)能夠捕獲晶圓120或晶圓120處之光束160之影像的相機或其他裝置，或能夠捕獲描述光束160之特性之資料(諸如在晶圓120處在x-y平面中之光束160之強度)的光學偵測器。微影曝光設備115可為液體浸漬系統或乾式系統。光微影系統100亦可包括控制光源105之控制系統150。在包括控制系統150之實施中，控制系統150耦接至光源105，且亦可耦接至微影曝光設備115。 微電子特徵係藉由例如用光束160將晶圓120上之輻射敏感光阻劑材料層曝光來形成在晶圓120上。亦參考圖1B，投射光學系統125包括狹縫126、光罩124以及投射透鏡127。在到達投射光學系統125之後，光束160穿過狹縫126。在圖1A及圖1B之實例中，狹縫126為矩形，且將光束160塑形成細長矩形形狀光束。此經塑形光束接著穿過光罩124。在光罩124上形成圖案，且該圖案判定經塑形光束之哪些部分由光罩124透射且哪些被光罩124阻擋。圖案之設計係由形成在晶圓120上之特定微電子電路設計判定。由光罩124透射之經塑形光束之部分穿過投射透鏡127 (且可由其聚焦)，且使晶圓120曝光。 可由系統100印刷在晶圓120上之最小特徵大小之臨界尺寸(CD)取決於光束160之波長。光源105產生具有標稱地處於中心波長之波長的光。為維持由系統100曝光的印刷在晶圓120上及其他晶圓上之微電子特徵之統一CD，光束160之中心波長應保持處於預期或目標中心波長或在目標波長周圍之一定波長範圍內。因此，除使中心波長維持在目標中心波長外，亦期望使光束160之頻寬(光束160中之波長範圍)變小或變窄。可使用各種技術來減小光束160之頻寬。舉例而言，光束160可經由與色散光學元件(諸如光柵)互動而變窄，該色散光學元件將一些波長自光束160移除，同時保持其他波長。然而，此頻寬減小技術可增加光束160之同調性。增加同調性可導致斑點，斑點的存在可造成CD之不想要變化。 光束160為電磁場，且可展現空間及/或時間同調性。在不同位置處之電磁場之相位相同時，光束160具有空間同調性。在單個位置處之電磁場之相位在不同時間處相同時，光束160具有時間同調性。在光束160具有空間及/或時間同調性時，光束160中之波前可能會隨機地干擾彼此以產生斑點。斑點在光束160中造成空間及/或時間雜訊，且斑點可能會在光學系統125及/或晶圓120處在x-y平面中造成具有不統一強度剖面之斑點圖案。 因此，當光束160高度同調時，斑點存在於光束160中，且遞送至投射光學系統125及/或晶圓120之光包括雜訊。舉例而言，由光束160遞送之在晶圓120處之光可能在x-y平面中具有不統一強度，且此不統一性可能導致光阻劑之不均勻曝光及CD之變化。舉例而言，斑點可能導致構成微電子特徵之光阻劑之曝光區域之大小的變化，從而導致特徵不恰當形成且有缺陷。 下文所論述之技術降低光束160之同調性，藉此減少斑點之數量，而不會增加光束160之頻寬。如下文更詳細論述，藉由改變光束160之波型內容來減小光束160之同調性。可藉由修改光源105之諧振器空腔，例如，經由操縱或重新定位界定諧振器空腔之一或多個光學元件來改變波型內容。下文關於圖2、圖4、圖5A、圖5B及圖5C論述諧振器空腔之實例。圖6至圖13展示可以允許改變光束160之同調性之方式調整之一或多個光學元件的光學元件。對諧振器空腔之修改可在製造時進行，由所屬領域中的人類操作者執行，或在光源105操作且產生光時用控制系統150以閉環方式控制。在一些實施(諸如關於圖5、圖14及圖15所論述之實例)中，可回應於來自微影曝光設備115之命令而改變光束160之同調性。 在一些實施中，與光束160之同調性有關之特性(諸如，光束160之散度)經量測以判定是否應調整光束160中之同調性之數量。電磁光束(諸如光束160)之散度為在光束自平行於傳播方向的平面中之孔隙傳播出去時，光束大小增加的角量度。因此，光束160之散度可基於垂直於傳播之方向之平面中之光束160之直徑的增加。舉例而言，在光束160在垂直於傳播方向之平面中具有圓形剖面之實施中，光束160之散度可基於光束160之半徑的增加。在一些實施中，光束160可具有矩形剖面，且光束之散度可基於垂直及水平方向中之任一者或兩者之增加。電磁波(諸如光束160)之散度隨著波之同調性減小而增加。關於圖5、圖14及圖15論述光束160之性質可經量測以判定光束160之同調性是否應減小之實施的實例。 在論述用於減小光束160之同調性之技術之細節之前，關於圖2及圖3A至圖3C論述光源105之實例實施。 亦參考圖2，展示例示性光微影系統200之方塊圖。在光微影系統200中，例示性光源205用作光源105 (圖1)。光源205產生脈衝式光束260，該脈衝式光束提供至微影曝光設備115。光源205可為例如輸出脈衝式光束260 (其可為雷射光束)之準分子光源。隨著脈衝式光束260進入微影曝光設備115，其經引導穿過投射光學系統125且投射至晶圓120上。以此方式，一或多個微電子特徵經圖案化至晶圓120上之光阻劑上，接著在隨後程序步驟之前顯影並清除該光阻劑，且重複該程序。光微影系統200亦包括控制系統150，該控制系統在圖2之實例中連接至光源205之組件以及微影曝光設備115以控制系統200之各種操作。 在圖2中所展示之實例中，光源205為雙級雷射系統，該雙級雷射系統包括將種子光束224提供至功率放大器(PA) 230之主控振盪器(MO) 212。MO 212及PA 230可被視為光源205之子系統或為光源205之部分的系統。功率放大器230接收來自主控振盪器212之種子光束224，且放大種子光束224以產生光束260供用於微影曝光設備115中。舉例而言，主控振盪器212可發射具有大約1毫焦耳(mJ)/脈衝之種子脈衝能量的脈衝式種子光束，且此等種子脈衝可由功率放大器230放大至約10至15 mJ。 主控振盪器212包括放電腔室214，具有兩個細長電極217、為氣體混合物之增益介質219，以及用於使氣體在電極217之間循環的風扇。諧振器形成在放電腔室214之一側上之線窄化模組216與放電腔室214之第二側上之輸出耦合器218之間。線窄化模組216可包括諸如精細調諧放電腔室214之光譜輸出之光柵的繞射光學裝置。主控振盪器212亦包括接收來自輸出耦合器218之輸出光束之線中心分析模組220及視需要修改輸出光束之大小或形狀以形成種子光束224之光束耦合光學系統222。線中心分析模組220為可用於量測或監視種子光束224之波長之量測系統。線中心分析模組220可置放在光源205中之其他位置處，或其可置放在光源205之輸出處。 放電腔室240中所使用之氣體混合物可為適合於以應用所需要之波長及頻寬產生光束的任何氣體。對於準分子源，氣體混合物可含有惰性氣體(稀有氣體) (諸如，氬氣或氪氣)、鹵素(諸如，氟氣或氯氣)以及作為緩衝氣體之除氦氣及/或氖氣外的痕量氙氣。氣體混合物之特定實例包括氟化氬(ArF) (其以約193 nm之波長發射光)、氟化氪(KrF) (其以約248 nm之波長發射光)，或氯化氙(XeCl)(其以約351 nm之波長發射光)。準分子增益介質(氣體混合物)係藉由將電壓施加至細長電極217而在高電壓放電中以短(例如，奈秒)電流脈衝泵送。 功率放大器230包括光束耦合光學系統232，該光束耦合光學系統接收來自主控振盪器212之種子光束224且將光束引導穿過放電腔室240，且引導至光束轉向光學元件252，該光束轉向光學元件修改或改變種子光束224之方向以使得將其發送回至放電腔室240中。 放電腔室240包括一對細長電極241、為氣體混合物之增益介質219，及用於使氣體混合物在電極241之間循環之風扇。 將輸出光束260引導穿過頻寬分析模組262，在該頻寬分析模組處，可量測光束260之各種參數(諸如頻寬或波長)。亦可將輸出光束260引導穿過脈衝拉伸器，在該脈衝拉伸器處，例如在光學延遲單元中在時間上拉伸輸出光束260之脈衝中之每一者以針對照射微影曝光設備115之光束之效能性質進行調整。 控制系統150可連接至光源205之各種組件。舉例而言，控制系統150可藉由將一或多個信號發送至光源205來控制光源205發射光脈衝或包括一或多個光脈衝之光脈衝叢發的時間。光束260可包括在時間上彼此分離之一或多個叢發。每一叢發可包括一或多個光脈衝。在一些實施中，一叢發包括數百個脈衝，例如，100至400個脈衝。 光束260 (及光束160)為脈衝式光束。可逐脈衝地應用下文所論述之同調性減小技術。換言之，可針對每一個別脈衝控制同調性之數量(且，因此，斑點之數量)。另外，可基於來自微影曝光設備115之命令信號而控制每一脈衝中之斑點之數量。在論述同調性減小技術之前，圖3A至圖3C提供光源205中之脈衝之產生之概述。圖3A展示隨時間而變之晶圓曝光信號300之振幅，圖3B展示隨時間而變之閘控信號315之振幅，且圖3C展示隨時間而變之觸發信號之振幅。 控制系統150可經組態以將晶圓曝光信號300發送至光源205以控制光源205產生光束260。在圖3A中所展示之實例中，晶圓曝光信號300對於在光源205產生光脈衝叢發期間的時間週期307具有高值305 (例如，1)。晶圓曝光信號300在晶圓120未曝光時另外具有低值310 (例如，0)。 參考圖3B，光束260為脈衝式光束，且光束260包括脈衝叢發。控制系統150亦藉由將閘控信號315發送至光源205來控制脈衝叢發之持續時間及頻率。閘控信號315在脈衝叢發期間具有高值320 (例如，1)且在連續叢發之間的時間期間具有低值325 (例如，0)。在所展示之實例中，閘控信號315具有高值之持續時間亦為叢發316之持續時間。各叢發在時間上由叢發間時間間隔分開。在叢發間時間間隔期間，微影掃描設備115可將下一晶粒定位在晶圓120上以進行曝光。 參考圖3C，控制系統150亦用觸發信號330控制每一叢發內之脈衝之重複速率。觸發信號330包括觸發項340，該等觸發項中之一者提供至光源205以使得光源205產生光脈衝。控制系統150可在每次產生脈衝時將觸發項340發送至源205。因此，由光源205產生之脈衝之重複速率(兩個連續脈衝之間的時間)可由觸發信號330設定。 如上文所論述，在藉由將電壓施加至電極217來泵送增益介質219時，增益介質219發射光。在將電壓以脈衝施加至電極217時，自介質219發射之光亦脈動。因此，藉由將電壓施加至電極217之速率來判定脈衝式光束260之重複速率，其中電壓之每一施加產生光脈衝。光脈衝傳播穿過增益介質219，且穿過輸出耦合器218退出腔室214。因此，藉由將電壓週期性地重複施加至電極217來形成一系列脈衝。舉例而言，可使用觸發信號330來控制電壓至電極217之施加及脈衝之重複速率，重複速率之範圍對於大部分應用可介於約500 Hz與6,000 Hz之間。在一些實施中，重複速率可大於6,000 Hz，且可為例如12,000 Hz或更大。 來自控制系統150之信號亦可用於控制主控振盪器212與功率放大器230內之各別電極217與241以用於控制主控振盪器212及功率放大器230之各別脈衝能量，且因此控制光束260之能量。提供至電極217之信號與提供至電極241之信號之間可能存在延遲。延遲之量可能影響脈衝式光束260中之同調性之數量。舉例而言，種子光束224之脈衝之同調性可能在時間上變化，其中前邊緣(在時間上首先發生之脈衝之部分)具有最少同調性，且脈衝之最後發生部分具有最多同調性。提供至電極217之信號與提供至電極241之信號之間的延遲判定將脈衝之哪一部分放大。因此，較大延遲導致具有較多同調性之脈衝，且較短延遲導致具有較少同調性之脈衝。 脈衝式光束260可具有在數十瓦特範圍(例如，自約50 W至約130 W)中之平均輸出功率。輸出處之光束260之輻照度(亦即，每單位面積之平均功率)之範圍可為自60 W/cm2 至80 W/cm2 。 參考圖4，展示實例光學微影系統400的方塊圖。光學微影系統400包括將光束460提供至微影曝光設備115之光學系統405。光學系統405可類似於關於圖2所論述之功率放大器(PA) 230。光學系統405接收光束耦合光學系統432處之輸入光束424。輸入光束424可由雷射或類似於圖2之主控振盪器(MO) 212的源產生。在一些實施中，光學微影系統400中包括類似於MO 212之主控振盪器。 在圖4中所展示之實施中，光束耦合光學系統432包括光學耦合器433及反射光學元件434。光學耦合器433由透射輸入光束424中之波長中之至少一些的材料製成，且可透射輸入光束424中的所有波長。輸入光束424穿過光學耦合器433，且自反射光學元件434反射。反射光學元件434可為能夠反射光束424之任何類型之光學元件。舉例而言，反射光學元件434可為反射鏡。圖6至圖9展示可用作光學元件434之光學元件之實例。 光學耦合器433及反射光學元件434相對於彼此及輸入光束424之傳播方向配置，使得輸入光束424穿過光學耦合器433且自光學元件434反射至放電腔室440中，放電腔室包括增益介質419。放電腔室440及增益介質419可分別類似於上文關於圖2所論述之放電腔室240及增益介質219。 在圖4之實例中，光學耦合器433與反射光學元件434彼此實體接觸，且成角度而使得反射光學元件434將輸入光束424引導至放電腔室440中。然而，在其他實施中，光學耦合器433與反射光學元件434可相對於彼此成角度而無需進行實體接觸。 在自反射光學元件434反射之後，輸入光束424在放電腔室440及增益介質419中傳播至光束轉向光學系統452。光束轉向光學系統452包括經定位以使光束424轉向而使得光束424改變傳播方向且再次穿過增益介質419的至少一個光學元件。光束424可在藉由光束轉向光學系統452轉向之後沿著不與在其朝向光束轉向光學系統452行進時的光束424之路徑一致的路徑穿過增益介質419。以此方式，光束424沿循閉合環形路徑443 (虛線)穿過放電腔室440。舉例而言，光束轉向光學系統452可包括反射鏡、角錐反射器、部分反射光學元件及/或此等元件之組合。圖10至圖13展示可用作光束轉向光學系統452之元件之實例。 在由光束轉向光學系統452轉向之後，輸入光束424在增益介質419中朝向光束耦合光學系統432傳播且被放大。輸入光束424照射於光學耦合器433上，該光學耦合器至少部分地透射輸入光束424中之波長，且輸入光束424之部分穿過光學耦合器433作為輸出光束460。輸出光束460提供至微影曝光設備115。不透射穿過光學耦合器433之輸入光束424之部分自光學耦合器433反射且再次在閉合路徑443周圍行進。 光學耦合器433、反射光學元件434及光束轉向光學系統452界定諧振器空腔457。空腔457界定光束424在其上傳播之閉合路徑443。在圖4及圖5A中，用虛線表示閉合路徑443。閉合路徑443之至少一部分穿過增益介質419。路徑443為閉合的，此係因為進入路徑443之光在沿著路徑443之一或多個點處相交且與自身重疊。在圖4之實例中，在光學耦合器433處發生相交。閉合路徑443可為環形、圓形或橢圓形迴路、多邊形迴路或至少一部分不在其自身上往回反射之任何其他迴路狀閉合路徑。在一些實施中，諸如圖4之實例，閉合路徑443之部分可與空腔457中之閉合路徑443之另一部分相交。 諧振器空腔457亦可包括圖4中未展示之額外元件。舉例而言，諧振器空腔457可包括在光束耦合光學系統432與增益介質419之間的色散光學系統。色散光學系統接收來自反射元件434之光束424且縮小光，從而產生穿過增益介質419之空間較窄之光束。在光束424自光束轉向系統452返回且穿過增益介質419之後，色散光學系統在光束424到達光學耦合器433之前放大光束424。色散光學系統可包括色散光學元件之集合，諸如稜鏡及/或光柵。色散光學系統可為光束耦合光學系統432之部分。 參考圖5A，展示包括光學系統505之另一例示性光學微影系統500的方塊圖。光學微影系統500與光學微影系統400 (圖4)相同，惟光學微影系統500包括控制系統550除外。控制系統550將可為命令信號555及557中之任一者或兩者之命令信號提供至光學系統505，以在光學系統505之使用期間調整空腔457。 光學微影系統500可包括將光束460之部分551提供至控制系統550之光束監視光學系統562。在包括光束監視光學系統562之實施中，控制系統550及光束監視光學系統562實施用於在光學系統505操作之同時調整光束460中之同調性之數量的閉環回饋系統。替代接收來自光束監視光學系統562之部分551或作為其補充，控制系統可接收來自微影曝光設備115之命令信號553。命令信號553可包括來自偵測器122之指示光束460中之同調性之數量的資料。 無論光束監視光學系統562還是控制信號553將資料提供至控制系統550，控制系統550皆實施閉環回饋系統，該閉環回饋系統基於所量測資料來判定光束460之性質的值且在該值指示光束460之同調性超過可接受數量時調整空腔457。同調性之可接受數量可為一範圍或單一值。範圍可由超過其時同調性不可接受之臨限值界定。閉環回饋系統可用於逐脈衝地控制光束460之同調性。 可藉由控制光束460之波型內容來調整光束460之同調性(及散度)。光束460包括波型(mode)，波型為至少部分地由空腔457之幾何結構判定之離散諧振條件。光束460僅包括匹配空腔457能夠支援之波型的彼等電磁波。因此，由空腔457支援之波型共同構成光束460之波型內容。亦參考圖5B及圖5C (其分別為空腔457在x-y及y-z平面中之空腔457之側視剖面圖)，諧振器空腔457支援縱向或軸向波型(在x-y平面中且沿著空腔之縱軸413)及側向或橫向波型(在y-z平面中，其垂直於縱軸413)。 縱向波型可被視為由空腔457中之電磁波形成之駐波型樣，其中駐波之頻率對應於光束460中所包括之離散頻率。由空腔457支援之駐波至少部分地由空腔457在x-y平面中之剖面幾何結構判定。側向波型至少部分地由空腔457在y-z平面中之幾何結構控管。側向波型可具有水平分量(y方向)及垂直分量(z方向)，且側向波型判定光束460在y-z平面中之強度分佈。因此，藉由改變空腔457之幾何結構，例如，藉由改變與空腔457中之光互動之光學元件之形狀，可改變光束460之波型內容。舉例而言，包括在反射光學元件434及/或光束轉向系統452中之元件可藉由如關於圖6至圖13所論述進行調整而改變形狀。 光束460之波型內容亦可受操作條件影響，諸如空腔457中之溫度、空腔457中之壓力、光束460之重複速率及光束460之工作循環。增益介質419係藉由使空腔457中之電極放電來激勵，且光束460之重複速率及工作循環由放電之頻率及持續時間判定。在電極放電時，在介質419中形成聲波。聲波造成擾動介質419之折射率之壓力變化。折射率之擾動為局部的，因此，聲波可能造成介質419之折射率在放電腔室440中在空間上不同。折射率之變化可能變更在腔室440中傳播之光束424之方向，且介質419可被視為充當具有未知及/或變化的轉換函數之空腔457中之孔隙。由於介質419充當空腔457中之孔隙，因此介質419亦部分地判定能夠在空腔457中傳播之波型。介質419之折射率之擾動因此亦影響自空腔457發射之光束之波型內容，藉此影響光束460之同調性及散度。擾動之特性(諸如，擾動之振幅、位置及數量)可隨空腔457中之條件而變化。由此，改變光束460之重複速率或任何其他操作條件可能以不可預知方式改變光束460之同調性。因此，可能需要監視光束460以判定在系統500正操作且產生光束460之同時是否應調整空腔457以減少光束460之同調性。 控制系統550允許在系統500之操作期間監視光束460且經由調整反射光學元件434及/或光束轉向光學系統452來控制光束460之同調性。 控制系統550可經由輸入/輸出(I/O)介面567來接收命令。命令可源自微影曝光設備115及/或直接來自操作者或自動化處理程序。控制系統550亦可接收來自偵測器122之命令信號553，該命令信號可包括與光束460有關之資料。在一些實施中，控制系統550接收來自計量模組568之與光束460有關之資料。控制系統550將命令信號555、557分別提供至光束轉向系統452及光束耦合光學系統432中之任一者或兩者。 控制系統550包括電子處理器564、電子儲存器566、輸入/輸出(I/O)介面567以及計量模組568。計量模組568接收來自光束監視光學系統562之光束460之部分551，且基於部分551而判定光束460之性質。計量模組568可包括任何光學元件、光學元件之集合，及/或量測光束460之一或多個性質之儀器。舉例而言，計量模組568可包括使由光束監視光學系統562提供之光束460之部分成像之相機。可使用來自相機之影像來判定光束460之性質，諸如光束散度及強度。計量模組568可包括能夠存取光束460之性質之其他元件。舉例而言，計量模組568可包括可用於量測光束散度之可變孔隙、針孔及其他空間濾波器。計量模組568亦可包括接收及引導來自光束監視光學系統562之光之諸如反射鏡及透鏡之其他光學元件。 光束監視光學系統562可包括能夠將光束460之部分引導至計量模組568的任何裝置。舉例而言，光束監視光學系統562可為將光束460之一些引導朝向控制件之光束分光器。在圖5A中所展示之實例中，光束監視光學系統562獲得已穿過光束耦合光學系統432之光束460之樣本。然而，光束監視光學系統562可置放在其他位置中。舉例而言，光束監視光學系統562可在微影曝光設備115內部。在一些實施中，光學微影系統500包括在光束耦合光學系統432與微影曝光設備115之間的頻寬分析模組(BAM)。BAM可類似於圖2之頻寬分析模組262，且BAM量測光束560之各種參數，諸如，頻寬及/或波長。在此等實施中，光束監視光學系統562可置放在BAM與微影曝光設備115之間。 控制系統550亦包括電子處理器564、電子儲存器566以及I/O介面567。電子處理器564包括適於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如通用或專用微處理器，及任何種類之數位電腦之任何一或多個處理器。通常，電子處理器自唯讀記憶體、隨機存取記憶體或兩者接收指令及資料。電子處理器564可為任何類型之電子處理器。 電子儲存器566可為揮發性記憶體(諸如RAM)或非揮發性記憶體。在一些實施中，且電子儲存器566包括非揮發性及揮發性部分或組件。電子儲存器566可儲存用於控制系統550及/或控制系統550之組件之操作中之資料及資訊。資訊可儲存在例如查找表或資料庫中。舉例而言，電子儲存器566可儲存指示光束460之各種性質在不同操作條件及效能情景下的值之資料。舉例而言，電子儲存器566可儲存對應於光學系統505在不同重複速率及空腔457溫度下之最佳效能之光束散度值。另外或替代地，電子儲存器566可儲存關於光束轉向系統452及光束耦合光學系統432中之任一者或兩者之設定。 電子儲存器566亦可儲存在被執行時使得處理器564與控制系統550、光學系統505及/或微影曝光設備115中之組件進行通信的指令，可能作為電腦程式。舉例而言，指令可為使得電子處理器564基於來自計量模組568之資訊而判定光束460之散度之量的指令。在一些實施中，指令為使得控制系統550產生命令信號並將其提供至光束轉向系統452或光束耦合光學系統432之一或多個組件以使該組件移動來修改諧振器空腔457並減小光束460之同調性的指令。使組件移動可包括組件或組件之部分(諸如組件之與光互動之表面)的任何類型之運動。舉例而言，移動可包括組件之全部或部分之移位、旋轉、轉向、側向運動、任何種類之形狀改變(包括曲率量之變形或改變)及角度相對於入射光之改變中之一或多者。 I/O介面567為允許控制系統550接收及/或提供資料及信號之任何種類之電子介面，其中操作者、光學系統505、光束轉向系統452、光束耦合光學系統432、微影曝光設備115及/或自動化處理程序在另一電子裝置上執行。舉例而言，I/O介面567可包括視覺顯示器、鍵盤及通信介面中之一或多者。 圖6至圖13展示反射光學元件434及光束轉向光學系統452之各種實施。圖6至圖9中所展示之反射光學元件中之任一者可用作反射光學元件434，且圖10至圖13中所展示之光束轉向光學系統中之任一者可用作光束轉向光學系統452。光學系統可包括在圖6至圖9中展示為反射光學元件434的反射光學元件中之任一者及/或在圖10至13中展示為光束轉向光學系統452之光束轉向光學系統中之任一者。換言之，圖6至圖9中所展示之反射光學元件中之任一者可與圖10至圖13中所展示之光束轉向光學系統中之任一者一起使用。 圖6至圖9分別為反射光學元件634、734、834、934之側視圖。反射光學元件634、734、834、934中之每一者具有反射表面，該反射表面經定向以接收光束424，且該表面具有判定表面反射入射光之方式的表面輪廓。表面輪廓可由表面之曲率半徑、表面之材料及/或表面之物理特性判定(例如，表面可包括炫耀光柵)。由於反射光學元件434形成諧振器空腔457之部分，因此光學元件434之表面輪廓判定諧振器空腔457中之光之波型內容。 圖6為光學元件634在x-y平面中之側視圖。光學元件634沿著軸679在z方向(進及/或出頁面)上延伸。光學元件634包括本體672，該本體具有光學反射表面674。光學反射表面674可為反射光束424中之波長之任何類型之材料。舉例而言，光學反射表面674可為經設計以反射光束424中之波長之反射鏡或多層介電堆疊。 表面674界定表面法線671。反射表面674沿著表面法線671發射入射光(包括光束424)。反射表面674在x-y平面中彎曲，因此，表面法線671在x-y平面中在多於一個方向上延伸。發射表面674可為例如環形反射表面(諸如圓柱形反射表面)或任何類型之非球面反射表面。在圖6中所展示之實例中，反射表面674具有導致表面674在x-y平面中相對於光束424為凸面之曲率，且表面法線671自表面674徑向向外延伸。 光學元件634亦包括一或多個剛性扣件675。本體672能夠回應於所施加力676而變形。所施加力676可為例如由壓電(PZT)致動器提供之機械力及/或施加至氣壓缸之氣動壓力。所施加力676可為任何種類之力，包括扭矩。剛性扣件675在施加力676時將本體 672之一部分保持在固定位置處。藉由在施加力676時將本體672之一部分保持在固定位置處，剛性扣件675允許未由剛性扣件675保持之本體672之另一部分回應於力676之施加而變形(例如，改變形狀)。 剛性扣件675可為藉由與本體672之一部分進行實體接觸而將該部分保持在固定位置中之剛性柱。在圖6之實例中，剛性扣件675包括兩個柱。柱中之一者在末端677a處附接至本體672，且另一柱在末端677b處附接至本體672。 在圖6中所展示之實例中，將力676施加至本體672之側面678。側面678與表面674相對。沿著使得表面674之曲率改變之方向施加力676。在所展示之實例中，在平行於自表面674之中心延伸之表面法線671之方向上將力676施加至本體672之中心處。藉由在側面678處施加力676，表面674變形。舉例而言，表面674之曲率半徑可回應於力676之施加而改變1至10微米(µm)。變形之量係由施加至側面678之力量判定。因此，表面674之曲率可藉由將適當力施加至側面678處而變化。 光學元件634可用作光學微影系統400或光學微影系統500中之反射光學元件434。在光學系統400中，光學元件434不接收來自控制系統之命令信號。當用於光學微影系統400中時，光學元件634之反射表面674變形以具有特定曲率，例如，在組裝光學微影系統400時或在維修期間，且在系統400之操作期間不會有目的地調整該變形。 當用於光學微影系統500中時，光學元件434可接收來自控制系統550之命令信號557。光學元件434藉由移動或調整來對命令信號557之例項作出回應。舉例而言，命令信號557可包括判定將多大力施加至本體672之資訊，且命令信號557可用於將特定力量施加在側面678處。控制系統550在系統505正操作之同時提供命令信號557，且可每當系統505產生光脈衝時提供命令信號557之例項。因此，當光學元件634用於光學系統505中時，表面674可變形，且可針對輸出光束460中之每一光脈衝以不同方式變形。 圖7展示反射光學元件734在x-y平面中之側視圖。反射光學元件734在z方向(進及/或出頁面)上延伸。反射光學元件734包括本體772。本體772包括複數個區段781，該等區段中之每一者具有反射表面774。每一反射表面774可具有不同表面輪廓。舉例而言，區段781中之一或多者可具有反射表面，該反射表面具有不同於與其他區段相關聯之反射表面之曲率。儘管本體772包括區段781，且每一區段781包括反射表面774，但本體772與表面774實體接合或接觸，使得反射表面774並不在兩個鄰接區段781之間有意地包括不反射光之任何不連續部或區域。 在所展示實例中，本體772包括三個區段781a、781b、781c。區段781a、781b、781c具有對應反射表面774a、774b、774c。反射表面774a、774b、774c中之至少一者具有不同於區段中之另一者之曲率量。在一些實施中，反射表面774a、774b、774c中之每一者具有不同曲率。 圖8為反射光學元件834在x-y平面中之側視圖。光學反射元件834包括本體872。本體872包括複數個區段，該等區段中之每一者具有反射表面874。該等區段經接合而使得反射表面形成缺少不反射光之區域之連續反射表面。在圖8之實例中，本體872包括區段881a、881b、881c。區段881a、881c包括各別基底部分882a、882c以及反射表面874a、874c。反射表面874a及874c為光柵。光柵874a與874c可為相同或不同的。區段881b為具有反射表面874b之反射鏡。反射鏡可為在z方向(進及/或出頁面)上延伸之圓柱形反射鏡881b。反射表面874b為彎曲的。在圖8之實例中，反射表面874b相對於光束424在x-y平面中為凸面。反射表面874 (其為反射表面874a、874b、874c之集合)相對於光束424在x-y平面中亦為凸面。 反射光學元件834可在系統400中用作反射光學元件434。 圖9為包括反射表面974之反射光學元件934在x-y平面中之側視圖。反射光學元件934類似於反射光學元件834 (圖8)，惟反射表面974之表面輪廓可在正使用反射光學元件934時改變除外。 反射光學元件934包括具有反射表面974之本體972。本體972包括區段981a、981b、981c，該等區段具有各別基底982a、982b、982c以及反射表面974a、974b、974c。區段981a、981b、981c經接合而使得反射表面974 (其由反射表面974a、974b、974c構成)為不包括不具有光學反射性之任何區域的連續反射表面。 反射光學元件934包括可撓性連接器983。連接器983中之一者介於區段981a與981b之間，且另一可撓性連接器983介於區段981b與981c之間。可撓性連接器983中之一者連接區段981a與981b，且可撓性連接器983中之另一者連接區段981b與981c。可撓性連接器983連接側面978上之各種區段，使得可撓性連接器983不影響反射表面974之表面輪廓。可撓性連接器983保持區段981a至981c，允許區段981a至981c回應於施加至特定區段之力而獨立於彼此移動。然而，可撓性連接器983具有足夠強度及剛性，使得區段981a至981c在未施加力時不相對於彼此移動。可撓性連接器983可為例如形成在各部分之間的凹槽。在x-y平面中，凹槽向側面978開放。凹槽可為向側面978開放且朝向反射表面974錐形化至x-y平面中之點的V形凹槽(諸如圖9中所展示)。在一些實施中，凹槽可為向側面978開放且朝向反射表面974修圓之圓形凹槽。圓形凹槽可比其他類型之可撓性連接器更高效地分佈機械應力，且可能導致反射光學元件934在將力施加至區段中之一或多者時更易於破裂。 在圖9之實例中，區段981b藉由在側面978處附接至區段981b之柱975而固定在適當位置中。可分別將獨立的力976a、976c施加至區段981a、981c。力976a、976c可使用例如PZT換能器來施加。力976a、976c係自側面978施加至x-y平面中。在圖9中所展示之實例中，力976a、976b係在朝向各別表面974a、974c之方向上。然而，力976a、976b可在其他方向上施加至x-y平面中。 力976a至區段981a之施加使得區段981a及反射表面974a相對於區段981b移動。力976c至區段981c之施加使得區段981c及反射表面974c相對於區段981c移動。藉由使反射表面974a、974c中之任一者或兩者移動，可將自表面974a、974c反射之光引導至增益介質419且朝向光束轉向系統252。 反射光學元件934可在系統500中用作反射光學元件434，且反射光學元件934之反射表面1374之表面輪廓可在系統500在操作中時改變。舉例而言，反射表面974之表面輪廓可針對光束424之每一脈衝而改變。 圖10至圖13為光束轉向系統1052、1152、1252、1352之側視圖，其全部為光束轉向系統452之實施的實例。在諧振器空腔457中傳播之光束424可由光學射線表示。在圖10至圖13之實例中，標記為424a之射線為表示在尚未改變光束之波型內容以減小光束460之同調性時之光束424之傳播的射線。舉例而言，在反射光學元件434為不可調整之圓柱形反射鏡，且光束轉向光學系統452為在x-y平面中不可調整且不足夠大以適應射線424b之角錐反射器時，射線424a可出現。 射線424b為以與射線424a相比增加側向波型之方式傳播穿過諧振器空腔457之射線。射線424b可由於使用圖6至圖9之反射光學元件作為反射光學元件434而出現。圖10展示不可調整但具有用以適應射線424b之足夠廣闊反射表面的實例光束轉向系統1052。如下文所論述，圖11至圖13之光束轉向系統可調整以適應諸如射線424b之射線。以此方式，使用圖11至圖13之光束轉向系統中之一者作為光束轉向系統452可允許光束424之波型內容增加，藉此減小光束424之同調性且減少斑點之存在。 參考圖10，展示光束轉向系統1052之側視圖。圖10自頂側展示x-y平面中之光束轉向系統1052。光束轉向系統1052包括本體1092及反射表面1094。本體1092包括兩個部分1091a、1091b，該兩個部分自頂點1093延伸。部分1091a、1091b相對於彼此成角度。在圖10之實例中，部分1091a、1091b在頂點1093處形成直角。然而，部分1091a、1091b可在頂點1093處形成其他角。本體1092可為單個整體組件，或部分1091a、1091b可由實體接合之兩個單獨部分製成。 兩個部分1091a、1091b包括各別反射表面1094a、1094b。射線424b在介質419中傳播且入射在反射表面1094b上，該反射表面將射線424b朝向反射表面1094a反射。射線424b被表面1094a反射且經引導回至介質419中。射線424b在介質中朝向光學耦合器433 (圖4及圖5)傳播。 參考圖11A，展示光束轉向系統1152之側視圖。光束轉向系統1152類似於光束轉向系統1052 (圖10)，惟光束轉向系統1152包括次要部分1191c除外，該次要部分相對於部分1191a、1192b定位或移動。在所展示之實例中，部分1191a、1191b以直角自頂點1193延伸。部分1191c實體連接至部分1191b，但可相對於部分1191b移動。舉例而言，部分1191b與1191c可藉由可撓性部分1183連接，該可撓性部分可類似於上文關於圖9所論述之可撓性部分983。 部分1191a、1191b、1191c中之每一者包括各別反射表面1194a、1194b、1194c。反射表面1194a、1194b、1194c共同形成光束轉向系統1152之反射表面1194。反射表面1194為連續反射表面。來自介質419之光入射於反射表面1194b或1194c上，且此等表面將入射光反射至反射表面1194a。反射表面1194a將光往回引導至介質419中且朝向光學耦合器433。 亦參考圖11B，在部分1191b、1191c藉由可撓性部分1183連接時，次要部分1191c可藉由使次要部分1191c在x-y平面中沿著弧A移動來相對於部分1191b定位。以此方式，反射表面1194b、1194c之間的角度可改變。角度在圖11中展示為角度B。藉由改變角度B，可增強諧振器空腔457中之側向波型增長。舉例而言，使角度B減小可導致光束轉向系統1152能夠反射自額外側向波型出現之更多射線(諸如射線424b)。 光束轉向系統1152可用作系統400或系統500中之光束轉向系統452。在一些實施中，諸如，在光束轉向系統1152用於系統400中時，次要部分1191c在組裝諧振器空腔457時或在維護期間相對於部分1191b定位，且在系統400之操作期間並不有意地改變角度B。 在一些實施中，次要部分1191c可在包括光束轉向系統1152之光學系統之操作期間相對於部分1191b移動。舉例而言，光束轉向系統1152可用作系統500中之光束轉向系統452。在此等實施中，光束轉向系統1152包括使得部分1191回應於接收到命令信號555而移動之致動器。致動器可為例如PZT致動器，該PZT致動器將力施加至部分1191c以使得部分1191在光學系統之操作期間沿著弧A移動。在此等實施中，部分1191c可沿著弧A移動至不同位置，例如，每當產生光束脈衝時。光束脈衝之校正係基於來自先前脈衝之資訊。先前脈衝可為在時間上在光束脈衝之前的任何脈衝。舉例而言，先前脈衝可為在時間上緊接在光束脈衝之前的脈衝，及/或在緊接於前的脈衝之前發生之脈衝。 參考圖12，展示光束轉向系統1252之側視圖。光束轉向系統包括基體1292a，該基體相對於第一翼形本體1292b及第二翼形本體1292c而定位。第一翼形本體1292b及第二翼形本體1292c並不實體連接至基體1292a。第一翼形本體1292b自基體1292a在x及y方向上移位。第二翼形本體1292c自基體1292a在x及y方向上移位。光束轉向系統1252可具有關於平行於x方向之軸1213對稱之反射鏡。基體1292a、第一翼形本體1292b及第二翼形本體1292c分別包括反射表面1294a、1294b、1294c。共同地，反射表面1294a、1294b、1294c形成反射表面1294。反射表面1294具有間隙1295，各部分在該等間隙處分離。因此，不同於反射表面1194，例如，反射表面1294並非連續的。 第一翼形本體1292c之反射表面1294c接收來自增益介質419之射線424b，且將射線424b引導朝向第二翼形本體1292b之反射表面1294b。射線424b係自反射表面1294b反射，回至增益介質419中且朝向光學耦合器433。反射表面1294b、1294c經定位以分別接收並反射射線424b。以此方式，如與不包括第一翼形本體1292b及第二翼形本體1292c之設計相比，第一翼形本體1292b及第二翼形本體1292c使得額外側向波型在諧振器空腔457中傳播。光束轉向系統1252可在系統400中用作光束轉向系統452。 參考圖13，展示光束轉向系統1352之側視圖。光束轉向系統1352與光束轉向系統1252 (圖12)相同，惟力1376b、1376c在光束轉向系統1352在使用中且與光束424 (其包括射線424a及424b)互動時分別可施加至第一翼形本體1292b及第二翼形本體1292c除外。舉例而言，可用PZT致動器施加力1376b及力1376c。 光束轉向系統1352可在系統500中用作光束轉向系統452。控制信號555 (圖5)可用於控制第一翼形本體1392b及/或第二翼形本體1392c之位置。 參考圖14，展示例示性程序1400之流程圖。可使用程序1400來控制光學系統。舉例而言，可使用程序1400來控制為光源(諸如圖1中之光源105)之部分的光學系統。程序1400可與任何光學系統(諸如，光學系統405或505)一起使用。程序1400可與包括一或多個光學系統之光源(諸如，光源105或205)一起使用。舉例而言，可使用程序1400來控制光源205及/或光源205之PA 230。程序1400可在諸如系統500 (圖5)之閉環控制系統中使用及實施。首先關於圖5之系統500 (其包括光學系統505)論述程序1400。可在系統505產生光束460時藉由控制系統550之一或多個電子處理器564來執行程序1400。程序1400可逐脈衝地執行，使得對特定脈衝及緊隨其後的脈衝或對脈衝子集內之所有脈衝執行程序1400。脈衝子集為光束460中之任何脈衝集，且可由非連續脈衝構成。 存取光束460之特定脈衝之性質的量測值(1410)。特定脈衝可為光束460中之任何脈衝。該性質與特定脈衝中之同調性之數量有關。舉例而言，該性質可為特定脈衝沿著傳播方向之散度或脈衝在垂直於脈衝之傳播方向之平面中之強度剖面。性質的量測值可自計量模組568獲得，該計量模組接收來自光束監視光學系統562或來自在微影曝光設備中之偵測器122之光束460之部分551。在一些實施中，可自電子儲存器566存取特定脈衝之性質的量測值。 可沿著特定脈衝之傳播路徑在任何點處量測特定脈衝之量測值。舉例而言，量測值可為該性質在空腔457外部(例如，在光束監視光學系統562處)的值，或量測值可為該性質在空腔457內部之值。在一些實施中，量測值係自由在微影曝光設備115中之偵測器122收集之資料獲得或導出。使用來自偵測器122之資料可在將在晶圓120 (圖1)之邊緣上之微電子特徵曝光時提供額外靈活性及準確度。另外，使用來自偵測器122之資料可消除對光束監視光學系統562之需要。 比較性質的所存取量測值與性質的目標值(1420)。性質的目標值可為性質的與光學系統505之最佳、恰當及/或可接受操作相關聯之值。目標值可儲存在電子儲存器566上。可藉由使量測值與目標值相減來比較量測值與目標值以判定特定脈衝之誤差值。 可基於該比較而產生控制信號(1430)。在表示目標值與量測值之間的量值差之誤差值或其他量度超過臨限值時產生控制信號。臨限值可涵蓋關於目標值之性質的值範圍。因此，取決於臨限值，接近於但小於目標值或大於但不與目標值相同之量測值可能不會導致控制信號之產生。若量測值與目標值相同，則不產生控制信號。可自針對每一脈衝量測性質(諸如散度或強度)之值並對此等值求平均來判定量測值。舉例而言，可針對脈衝叢發中之每一脈衝量測性質的值，且對整個叢發之值求平均。在一些實施中，可針對不同於叢發中之所有脈衝之複數個脈衝(例如，脈衝群組)量測該值。舉例而言，可針對叢發中之每隔一個脈衝，或針對叢發中之連續脈衝子集(例如，脈衝窗)量測該值。在另一實例中，針對第一脈衝叢發中之所有脈衝且針對下一脈衝叢發中之少於全部脈衝的脈衝量測該值。 若產生控制信號，則藉由基於該控制信號修改光學系統405來調整光束460中之同調性之數量，以減小在特定脈衝之後的脈衝中之同調性之數量(1440)。所產生控制信號可為提供至反射光學元件434之控制信號557，及/或提供至光束轉向光學系統452之控制信號555。可藉由基於所產生控制信號而移動或定位反射光學元件434及光束轉向光學系統452中之任一者或兩者之全部或部分來修改光學系統405。 舉例而言，反射光學元件634 (圖6)可用作元件434，且光束轉向系統1352 (圖13)可用作光束轉向系統452。在此實例中，光束460之性質係由計量模組基於自光束監視光學系統562接收之部分551而判定。據判定，光束460之性質的值與性質的目標值之間的差之量值超過臨限值。產生命令信號，且在此實例中，命令信號包括提供至光束轉向系統1352之命令信號555及提供至反射光學元件634之命令信號557。 命令信號557包括足以使得將力676 (圖6)施加至反射光學元件634之側面678之資訊。所施加之力676之量可能基於性質的量測值與目標值之間的差之量。在將力676施加至反射光學元件634時，表面674移動。由於表面674之部分由扣件675保持，因此移動表面674改變表面674之曲率。藉由調整表面674之曲率，修改空腔457，使得額外側向波型能夠在空腔457中傳播。此導致光束460具有較大散度及較少同調性。 類似地，提供至光束轉向系統1352之命令信號555包括足以使得將力1376b、1376c (圖13)中之任一者或兩者分別施加至第一翼形本體1392b及第二翼形本體1392c的資訊。所施加力導致第一翼形本體1392b及/或第二翼形本體1392c相對於基體1392a移動。藉由使第一翼形本體1392b及/或第二翼形本體1392c移動，空腔457可經進一步修改以適應額外側向波型，且光束460之同調性得以減小。 另外，在產生控制信號時，在基於控制信號修改光學系統505之後再次量測性質的值，以獲得性質的新值。比較性質的新值與目標值。若性質的新值與目標值之間的差之量值仍超過臨限值，則產生第二命令信號，且進一步修改光學系統505。可重複在將所產生控制信號應用於光學系統505之後量測性質的值的程序。在一些實施中，可重複在應用所產生控制信號之後量測性質之程序，直至目標值與量測值之間的差之量值低於臨限值(指示光束460之同調性小於可接受數量)為止。在一些實施中，可量測性質的值，且可針對光束460中之每一脈衝產生控制信號且將其提供至光學系統505。 若未產生控制信號，則性質的量測值接近於或等於目標值的值。在性質的量測值接近於或等於目標值之值時，光學系統505可如所預期、以最佳方式或以可接受方式操作，且光束460可具有相對低量之呈斑點形式之雜訊。因此，在未產生控制信號時，性質的值可為可用作光學系統505之特定操作條件下之目標值的值。操作條件可包括(例如)空腔457中之溫度、空腔457中之壓力、重複速率、工作循環、空腔457之使用壽命期間累積的脈衝計數、自最近氣體注入起用於空腔457之累積脈衝計數，以及總操作小時數。在未產生命令信號時之性質值可與指示操作條件之一或多個參數相關聯地儲存在電子儲存器中。操作參數可包括以下各項中之一或多者：溫度、重複速率、工作循環、反射光學元件434及/或光束轉向光學系統452之定向，及施加至反射光學元件434及/或光束轉向光學系統452之力量。所儲存值可用作在相同條件下操作光學系統505之未來例項中之目標值。 以此方式，除了能夠調整光束460之同調性外，程序1400亦可藉由允許快速調整光學系統505以在廣泛操作條件範圍下最佳地執行來改良光學系統505之效能。舉例而言，藉由以不同重複速率儲存與性質的量測值有關之參數，光學系統505可依賴於此等所儲存值來在接收到來自微影曝光設備115之命令信號553或經由I/O介面567接收到來自操作者之改變光束460之重複速率的命令之後快速地調適以產生低同調性脈衝。 參考圖15，展示用於控制光學系統之程序1500之實例的流程圖。程序1500可用於實施光學系統之閉環控制以監視由光學系統產生之光束(或由包括光學系統之光源產生之光束)之同調性以確保同調性不將呈斑點形式之過量雜訊添加至光束。程序1500修改光學系統之態樣以在同調性之數量超過預定量時減小同調性。舉例而言，程序1500可修改光學系統中之光學元件之物理性質。 程序1500可與任何光源(諸如，光源105或205)一起使用。程序1500可與包括一或多個光學系統之光源(諸如，光源105或205)一起使用。舉例而言，可使用程序1500來控制光源205及/或光源205之PA 230。程序1500可與光學系統405或505一起使用。關於圖5之系統500來論述程序1500。可在系統500產生光束460時藉由控制系統550之一或多個電子處理器564來執行程序1500。程序1500可逐脈衝地執行，使得對特定脈衝及緊隨其後的脈衝或對脈衝子集內之所有脈衝執行程序1500，其中脈衝子集為光束460中之任何脈衝集。 獲得光束460之性質的值(1510)。光束460為由光學系統505產生之脈衝式光束。該性質可為與光束460中之同調性之數量有關之任何性質，或可供導出或判定光束460之同調性之數量之任何性質。舉例而言，該性質可為光束460之散度或表徵光束460在垂直於光束460之傳播方向之平面中之強度剖面的值。在一些實施中，在光學系統505正至少如所需而執行或可能正以理想或最佳方式執行時，獲得所獲得值。因此，在此等實施中，所獲得值可為對應於存在於光束460中之同調性之可接受數量的值。 在光學系統505之多於一個操作條件下獲得性質的值。系統505之操作條件係由一或多個參數界定，諸如空腔457中之溫度及/或壓力、光束460之重複速率、光束460之工作循環，及與包括與空腔中之光束424互動之光學表面之光學元件有關之狀態資訊。該光學元件可為(例如)反射光學元件634至934 (圖6至9)或光束轉向光學系統1052至1352 (圖10至圖13)中之任一者。 與該光學元件有關之狀態資訊可為指示光學元件之光學表面與在空腔457中傳播之光互動之方式的任何資訊。舉例而言，狀態資訊可指示光學表面相對於光束424、相對於光學元件之其他部分及/或相對於空腔中之其他光學元件之位置。狀態資訊可為光學表面相對於在空腔457中傳播之光的定向之指示。舉例而言，狀態資訊可包括光學表面相對於空腔之縱軸413 (圖5B)或閉合路徑443之一部分之角度。針對包括回應於力之施加而移動的光學表面之光學元件，諸如光學元件634 (圖6)、光學元件934 (圖9)、光束轉向光學系統1152 (圖11)以及光束轉向光學系統1352 (圖13)，狀態資訊可包括施加至光學元件之力量。 針對每一操作條件將性質的所獲得值及狀態資訊儲存在電子儲存器566中(1520)。性質的所獲得值及所施加力的量與界定操作條件之參數相關聯地儲存。性質的所獲得值及所施加力的量可儲存於由操作條件參數加索引之查找表中。在一些實施中，性質的所獲得值及所施加力的量儲存於由操作條件參數加索引之資料庫中。 在當前操作條件下操作光學系統505 (1530)。在正產生光束460時，可將光學系統505視為操作。當前操作條件係由光學系統之操作參數(諸如光束460之重複速率及增益介質419之溫度)以及在產生光束460時的光學元件之狀態資訊來界定。當前操作條件可為用於光束460中之任何數目個脈衝之操作條件的條件。舉例而言，操作條件可應用於脈衝叢發中之所有脈衝、複數個叢發，或單個脈衝。舉例而言，光束460之重複速率可界定光學系統505之操作條件。 接收當前操作條件之改變的指示(1540)。改變的指示包括光學系統505之一或多個操作參數之新值。舉例而言，改變的指示可包括光束460之新重複速率。因此，在此實例中，新值為新重複速率。可經由命令信號553自微影曝光設備115接收改變的指示。因此，微影曝光設備115可命令光學系統505改變參數中之一或多者，使得光學系統505具有新操作條件。可自系統500之操作者接收當前操作條件之改變的指示。舉例而言，操作者可將與新操作條件相關聯之參數直接鍵入至I/O介面567。 判定與光學元件有關且與操作參數中之一或多者之新值相關聯之狀態資訊(1550)。可依據所儲存之資料判定與新值相關聯之狀態資訊(1520)。舉例而言，新值可為新重複速率，且可自所儲存資料擷取與新重複速率相關聯的與該光學元件有關之狀態資訊。若所儲存資料不包括針對新值之狀態資訊，則可使用與最類似於新值之參數值相關聯之狀態資訊來估計針對新值之狀態資訊。舉例而言，若與光學元件有關之狀態資訊對於大於以及小於新重複速率之數個重複速率已知，則可自可用之狀態資訊估計與該光學元件有關之狀態資訊。舉例而言，狀態資訊可為描述處於數個不同重複速率之光學表面之位置之俯仰傾斜(tip-tilt)資訊。傾斜為在由光學表面提供之傳播方向上之偏差之量，且俯仰為正交於傾斜之方向。俯仰傾斜資訊可經求平均或擬合至多項式以估計針對新重複速率之俯仰傾斜值。 將基於所判定狀態資訊之命令信號應用於光學元件(1560)。該命令信號可為(例如)提供至光束轉向光學系統452之命令信號555及/或提供至反射光學元件434之命令信號557。將命令信號應用於光學元件可使得光學元件434之光學表面根據命令信號而移動。舉例而言，命令信號可能足以驅動PZT致動器，該PZT致動器使得光學表面相對於空腔457中之其他元件移動或具有不同曲率。 在一些實施中，在將命令信號提供至光學元件之後獲得光束460之性質的另一值，以判定光束460之同調性是否已由於將命令信號應用於光學元件而減小。可比較所獲得其他值與已知相關聯於同調性之可接受數量之性質值。若所獲得其他值並不指示同調性之可接受數量，則可施加額外命令信號且量測該值，直至性質的值指示同調性之可接受數量。舉例而言，額外命令信號可具有使得光學元件在初始位置周圍抖動直至光學表面經定位而使得性質的值指示光束460中之同調性之可接受數量的效果。 在性質的值指示光束460中之同調性之可接受數量時，可將與該光學元件有關之狀態資訊儲存在電子儲存器566中。舉例而言，狀態資訊可替換或更新先前與操作條件相關聯地儲存於查找表或資料庫中之狀態資訊。以此方式，程序1500允許自適應性地改變可能影響光學系統505在給定操作條件下之效能的境況。舉例而言，組件(諸如反射光學元件434、光束轉向光學系統452及/或質419)可能隨時間推移而降級，使得針對給定操作條件之先前所判定狀態資訊變得不準確。 在程序1500中，可使用系統505在不同於(1530至1560)之時間處執行(1510)及(1520)。換言之，使光學元件之狀態資訊與操作條件相關聯之所儲存資料可係先驗地形成，且在稍後時間用於操作系統505。所儲存資料可重複地使用。另外，如上文所論述，所儲存資料可經更新以考慮系統505之不斷改變的境況。 其他實施在申請專利範圍之範疇內。
105‧‧‧光源 115‧‧‧微影曝光設備 120‧‧‧晶圓 122‧‧‧偵測器 124‧‧‧光罩 125‧‧‧投射光學系統 126‧‧‧狹縫 127‧‧‧投射透鏡 150‧‧‧控制系統 160‧‧‧光束 200‧‧‧光微影系統 205‧‧‧光源 212‧‧‧主控振盪器(MO) 214‧‧‧腔室 216‧‧‧線窄化模組 217‧‧‧電極 218‧‧‧輸出耦合器 219‧‧‧增益介質 220‧‧‧線中心分析模組 222‧‧‧光束耦合光學系統 224‧‧‧種子光束 230‧‧‧功率放大器(PA) 232‧‧‧光束耦合光學系統 240‧‧‧放電腔室 241‧‧‧電極 252‧‧‧光束轉向系統/光束轉向光學元件 260‧‧‧脈衝式光束/輸出光束 262‧‧‧頻寬分析模組 300‧‧‧晶圓曝光信號 305‧‧‧高值 310‧‧‧低值 315‧‧‧閘控信號 316‧‧‧叢發 320‧‧‧高值 325‧‧‧低值 330‧‧‧觸發信號 340‧‧‧觸發項 400‧‧‧光學微影系統 405‧‧‧光學系統 413‧‧‧縱軸 419‧‧‧增益介質 424‧‧‧輸入光束 424a‧‧‧射線 424b‧‧‧射線 432‧‧‧光束耦合光學系統 433‧‧‧光學耦合器 434‧‧‧反射光學元件 440‧‧‧放電腔室 443‧‧‧閉合環形路徑 452‧‧‧光束轉向光學系統 457‧‧‧諧振器空腔 460‧‧‧光束 500‧‧‧光學微影系統 505‧‧‧光學系統 550‧‧‧控制系統 551‧‧‧部分 553‧‧‧命令信號 555‧‧‧命令信號 557‧‧‧命令信號 562‧‧‧光束監視光學系統 564‧‧‧電子處理器 566‧‧‧電子儲存器 567‧‧‧輸入/輸出(I/O)介面 568‧‧‧計量模組 634‧‧‧反射光學元件 671‧‧‧表面法線 672‧‧‧本體 674‧‧‧光學反射表面 675‧‧‧剛性扣件 676‧‧‧力 677a‧‧‧末端 677b‧‧‧末端 678‧‧‧側面 679‧‧‧軸 734‧‧‧反射光學元件 772‧‧‧本體 774a‧‧‧反射表面 774b‧‧‧反射表面 774c‧‧‧反射表面 781a‧‧‧區段 781b‧‧‧區段 781c‧‧‧區段 834‧‧‧反射光學元件 872‧‧‧本體 874‧‧‧反射表面 874a‧‧‧光柵 874b‧‧‧光柵 874c‧‧‧光柵 881a‧‧‧區段 881b‧‧‧區段 881c‧‧‧區段 882a‧‧‧基底部分 882b‧‧‧基底部分 882c‧‧‧基底部分 934‧‧‧反射光學元件 972‧‧‧本體 974‧‧‧反射表面 974a‧‧‧反射表面 974b‧‧‧反射表面 974c‧‧‧反射表面 975‧‧‧柱 976a‧‧‧力 976c‧‧‧力 978‧‧‧側面 981a‧‧‧區段 981b‧‧‧區段 981c‧‧‧區段 982a‧‧‧基底 982c‧‧‧基底 983‧‧‧可撓性連接器 1052‧‧‧光束轉向系統 1091a‧‧‧部分 1091b‧‧‧部分 1092‧‧‧本體 1093‧‧‧頂點 1094‧‧‧反射表面 1094a‧‧‧反射表面 1094b‧‧‧反射表面 1094c‧‧‧反射表面 1152‧‧‧光束轉向系統 1183‧‧‧可撓性部分 1191a‧‧‧部分 1191b‧‧‧部分 1191c‧‧‧部分 1193‧‧‧頂點 1194b‧‧‧反射表面 1194c‧‧‧反射表面 1213‧‧‧軸 1252‧‧‧光束轉向系統 1292a‧‧‧基體 1292b‧‧‧第一翼形本體 1292c‧‧‧第二翼形本體 1294a‧‧‧反射表面 1294b‧‧‧反射表面 1294c‧‧‧反射表面 1295‧‧‧間隙 1352‧‧‧光束轉向系統 1376b‧‧‧力 1376c‧‧‧力 1392a‧‧‧基體 1392b‧‧‧第一翼形本體 1392c‧‧‧第二翼形本體 1400‧‧‧程序 1410‧‧‧步驟 1420‧‧‧步驟 1430‧‧‧步驟 1440‧‧‧步驟 1500‧‧‧程序 1510‧‧‧步驟 1520‧‧‧步驟 1530‧‧‧步驟 1540‧‧‧步驟 1550‧‧‧步驟 1560‧‧‧步驟
圖1A為光微影系統之實例的方塊圖。 圖1B為圖1A中之光微影系統中所使用之光罩之實例的方塊圖。 圖2為另一例示性光微影系統的方塊圖。 圖3A、圖3B及圖3C為用於控制光微影系統之部分之光源之信號之實例的圖形。 圖4及圖5A為光微影系統之另一實例的方塊圖。 圖5B為圖4及圖5A之系統之諧振器空腔之x-y平面中的側視圖。 圖5C為圖5B的諧振器空腔的y-z平面中的側視圖。 圖6至圖9為例示性反射光學元件的側視圖。 圖10、圖11A、圖11B、圖12及圖13為例示性光束轉向光學系統的側視圖。 圖14及圖15為用於控制光學系統的例示性程序的流程圖。
115‧‧‧微影曝光設備
122‧‧‧偵測器
419‧‧‧增益介質
424‧‧‧輸入光束
432‧‧‧光束耦合光學系統
433‧‧‧光學耦合器
434‧‧‧反射光學元件
440‧‧‧放電腔室
443‧‧‧閉合環形路徑
452‧‧‧光束轉向光學系統
457‧‧‧諧振器空腔
460‧‧‧光束
500‧‧‧光學微影系統
505‧‧‧光學系統
550‧‧‧控制系統
551‧‧‧部分
553‧‧‧命令信號
555‧‧‧命令信號
557‧‧‧命令信號
562‧‧‧光束監視光學系統
564‧‧‧電子處理器
566‧‧‧電子儲存器
567‧‧‧輸入/輸出(I/O)介面
568‧‧‧計量模組

Claims (17)

  1. 一種用於一光源之系統，該系統包含： 一光學耦合器； 一第一光學系統，其包含一第一光學元件； 一第二光學系統，其包含一第二光學元件；以及 一增益介質，其介於該第一光學系統與該第二光學系統之間，其中 該第一光學元件、該第二光學元件及該光學耦合器界定一閉合路徑，該閉合路徑之至少一部分穿過該增益介質，且 該第一光學元件及該第二光學元件中之一或多者包含經定位以與在該閉合路徑上傳播(propagate)之一光束互動之一光學反射表面，該表面包含複數個部分，該等部分中之至少一者具有不同於其他區段之表面輪廓(profile)之一表面輪廓。
  2. 如請求項1之系統，其中該第一光學元件包含該表面，該表面包含複數個部分，該等部分中之至少一者包含一反射鏡，且該等部分中之至少一者包含一光柵。
  3. 如請求項1之系統，其中該等部分彼此毗鄰，且一可撓性部件介於任何兩個毗鄰部分之間，使得至少一個部分可相對於一毗鄰部分移動。
  4. 如請求項3之系統，其中任何部分可相對於一毗鄰部分移動。
  5. 如請求項3之系統，其中一部分之該表面輪廓藉由該部分之一曲率半徑及一表面特性中之一或多者判定。
  6. 一種用於一光源之系統，該系統包含： 一光學耦合器； 一第一光學系統，其包含一第一反射光學元件； 一第二光學系統，其包含一第二反射光學元件；以及 一增益介質，其介於該第一光學系統與該第二光學系統之間，其中 該第一反射光學元件、該第二反射光學元件及該光學耦合器界定一閉合路徑，該閉合路徑之至少一部分穿過該增益介質， 該第二反射光學元件包含複數個相異反射表面，該等相異反射表面中之一第一者經定位以接收來自該增益介質之一光束並將該光束反射至該等相異反射表面中之一第二者，該等相異反射表面中之該第二者經定位以接收來自該第一相異反射表面之該光束並將該光束反射至該增益介質，且 該等相異反射表面中之至少一者為與其他反射表面實體上分離且可相對於該等其他反射表面移動之一或多個反射表面。
  7. 如請求項6之系統，其中該第二光學元件之該等相異反射表面中之至少一者可相對於該等其他反射表面移動，且該第二光學系統進一步包含耦接至該至少一個可移動反射表面之一致動器，該致動器經組態以使得該可移動反射表面回應於一命令信號而移動。
  8. 一種用於一光源之系統，其包含： 一光學系統，其經組態以放大一脈衝式光束，該脈衝式光束具有一重複速率，該光學系統包含： 一光學耦合器； 一第一光學元件； 一增益介質；以及 一第二光學元件，該增益介質介於該第一光學元件與該第二光學元件之間，且該第一光學元件、該第二光學元件及該光學耦合器界定穿過該增益介質之一閉合路徑； 一微影曝光設備，其經組態以接收該經放大脈衝式光束；以及 一控制系統，其耦接至該光學系統及該微影曝光設備，該控制系統經組態以： 接收用以將該脈衝式光束之該重複速率自一第一重複速率改變至一第二重複速率之一請求， 判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之性質的一值， 判定該性質的該值是否可接受，以及 若該性質的該值不可接受，則基於該性質的該所判定值而產生一命令信號，且將該命令信號提供至該光學系統，該命令信號足以在實體上修改一可控光學元件，該可控光學元件與在該光學系統之該閉合路徑上傳播之光互動。
  9. 如請求項8之系統，其中該脈衝式光束之該性質的該值為該脈衝式光束之一或多個脈衝之同調性之一量度。
  10. 如請求項8之系統，其中該控制系統經進一步組態以在將該命令信號提供至該光學系統之後判定該性質的該值是否可接受。
  11. 如請求項9之系統，其中判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之該性質的一值包含：存取施加至該可控光學元件之一力量之一值，且其中將該命令信號提供至該可控光學元件包含：將一不同力量施加至該可控光學元件。
  12. 如請求項9之系統，其中判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之該性質的一值包含：在該光學系統以該第二重複速率操作時量測該脈衝式光束之一散度(divergence)。
  13. 如請求項9之系統，其中判定在該第二重複速率下之該脈衝式光束之該性質的一值包含：存取儲存在一電子儲存器中之該脈衝式光束之該性質的一值。
  14. 如請求項13之系統，其中儲存在一電子儲存器中之該脈衝式光束之該性質的該值包含先前在該光學系統以該第二重複速率操作時所量測之一值。
  15. 如請求項8之系統，其中用以改變該重複速率之該請求係自該微影曝光設備接收。
  16. 如請求項8之系統，其中該控制系統進一步包含一操作者介面，該操作者介面經組態以允許操作者與該微影曝光設備互動，且用以改變該重複速率之該請求係自該操作者介面接收。
  17. 如請求項8之系統，其中該可控光學元件為該第一光學元件及該第二光學元件中之一或多者。
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