TWI721505B - 用於測試連接器組件之識別晶片插座、包含識別晶片插座之測試連接器組件及包含測試連接器組件之測試設備組 - Google Patents
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Abstract
本文中揭示一種根據一實施例之ID晶片插座,其包含:一接觸器,其經組態以固定至該框架之一上側;一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接;一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者。
Description
本發明係關於一種安置於一待檢測裝置與測試設備之間的測試連接器組件、一種安置於測試連接器組件中之ID(識別)晶片插座及一種測試設備組。
在用於判定一待檢測裝置(諸如一製成半導體裝置)是否有缺陷之一檢測程序中,一測試連接器組件經安置於待檢測裝置與一測試設備之間。已知一種用於基於在電連接一待檢測裝置及測試設備之後在待檢測裝置與測試設備之間施加一電流來判定待檢測裝置是否有缺陷之檢測方法。
若待檢測裝置之端子與測試設備之端子直接接觸而不使用測試連接器組件,則測試設備之端子可能在重複檢測期間磨損或損壞,藉此可能發生需要替換整個測試設備。習知地,測試連接器組件用來防止需要替換整個測試設備。具體而言,當測試連接器組件歸因於與待檢測裝置之端子重複接觸而磨損或損壞時,可僅替換對應測試連接器組件。
選擇性地使用測試連接器組件對於有效地使用昂貴測試設備係重要的,且藉由管理測試連接器組件之壽命來辨識替換測試連接器組件之時間以便準確地判定待檢測裝置是否有缺陷係重要的。另外,為了使測試連接器組件起作用,測試連接器組件必須以一預定姿勢定位於測試設備中。
本發明之各項實施例提供一種識別晶片插座,其藉由管理關於一測試連接器組件之壽命管理之歷史、庫存識別、資訊識別、及/或與待檢測裝置相關之位置及類似者來輔助獲得準確資料。
本發明之各項實施例提供一種降低損壞一ID晶片插座之風險之手段。
本發明之一態樣提供作為一測試連接器組件之一部件之一ID晶片插座之實施例,其中該ID晶片插座經固定至支撐一連接器以便測試之一框架。根據一代表性實施例之ID晶片插座包括:一接觸器,其經組態以固定至該框架之一上側;一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接;一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者。
在實施例中,該ID晶片之該上表面及該蓋之一內面向下表面可經安置以在該ID晶片之該上表面與該蓋之該內面向下表面之間形成一垂直間隙。
在實施例中,該垂直間隙可填充有空氣或比該蓋之材料更具撓性之一材料。
在實施例中,該ID晶片之一側向表面及該蓋之一內側向表面經安置以在該ID晶片之該側向表面與該蓋之該內側向表面之間形成一側向間隙。
在實施例中,該蓋可包括:一上部分,其覆蓋該ID晶片之該上表面;一側向部分,其覆蓋該ID晶片之一側向表面;及一附接部分,其在該側向部分下方固定至該接觸器及該框架之至少一者。
在實施例中,該蓋可藉由用矽材料塗佈該ID晶片而形成。
在實施例中,該接觸器可包括由一絕緣材料製成之一基底板,且該插座導電部分包括:一穿透部分,其由一導電材料製成且垂直穿透該基底板;至少一個上導電板,其經安置於該穿透部分之一上端與該ID晶片之間以實現電連接,該至少一個上導電板經固定至該基底板之一上表面;及一下導電板,其經安置於該穿透部分之一下端處以實現電連接,該下導電板經固定至該基底板之一下表面。
在實施例中,該至少一個上導電板可包括與該穿透部分之一者接觸且彼此隔開之兩個上導電板。
在實施例中,該插座導電部分可包括一接觸墊,該接觸墊經固定至該接觸器之一下側且經組態以被帶至與一測試設備接觸。該接觸墊可包括:一薄片,其由一可彈性變形之絕緣材料製成;及一墊導電部分,其在該薄片中沿該垂直方向延伸以實現沿該垂直方向之電連接。
在實施例中,該ID晶片可儲存識別資訊及歷史資訊之至少一者。該識別資訊係關於該測試連接器組件之識別資訊,且該歷史資訊係
與該測試連接器組件之一壽命或使用頻率相關之歷史資訊。
本發明之另一態樣提供一種安置於一待檢測裝置與測試設備之間以將該待檢測裝置及該測試設備彼此電連接之測試連接器組件之實施例。根據一代表性實施例之測試連接器組件包括:一框架,其支撐一連接器以便測試;及一ID晶片插座,其經固定至該框架之一上側。該ID晶片插座包括:一接觸器,其經固定至該框架之該上側;一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接;一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者。
在實施例中,該蓋可經固定至該框架。
在實施例中,該框架可包括複數個層,該複數個層包含至少一個第一層及該至少一個第一層下方之至少一個第二層,其等沿該垂直方向堆疊。該第一層之一部分可敞開使得該蓋經固定至該第二層之一上表面。
在實施例中,該框架可包括複數個層,該複數個層包含至少一個第一層及該至少一個第一層下方之至少一個第二層,其等沿該垂直方向堆疊。該第一層之一部分可敞開使得該接觸器經固定至該第二層之一上表面。
在實施例中,該框架可包括複數個層,該複數個層包含至少一個第一層及該至少一個第一層下方之至少一個第二層,其等沿該垂直方向堆疊。該第一層之一部分可敞開使得暴露該第二層之一上表面之一部分。該接觸器及該蓋之各者可經固定至該第二層之該上表面之該部分。
在實施例中,一孔經形成於該第二層之該上表面之該部分之一中心部分中,使得向下暴露該插座導電部分之一下端。
本發明之另一態樣提供一種測試設備組之實施例。根據一代表性實施例之測試設備組包括:一測試設備;及一測試連接器組件,其經安置於一待檢測裝置與該測試設備之間以將該待檢測裝置及該測試設備彼此電連接。該測試連接器組件進一步包括:一框架,其支撐一連接器以便測試;及一ID晶片插座,其經固定至該框架之一上側。該ID晶片插座包括:一接觸器,其經固定至該框架之該上側;一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接,該插座導電部分具有被帶至與該測試設備接觸之一下端;一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者。該ID晶片經組態以藉由自該測試設備接收一電信號或將一電信號發送至該測試設備而執行識別該待檢測裝置及該測試連接器組件之至少一者之一識別功能及追蹤該ID晶片插座之一歷史之一歷史管理功能之至少一者。
根據本發明,在一些實施例中,可準確地判定替換一測試連接器組件之時間,因此可防止一高品質之待檢測裝置歸因於測試連接器組件出故障而被處置為一有缺陷裝置。
根據本發明,在一些實施例中,可藉由精確地預測替換測試連接器組件之時間而在一暫停時間期間替換一插座,由此防止或降低對產量之不利效應。
根據本發明,在一些實施例中,可防止或降低施加至使用
蓋執行一ID晶片插座之功能之ID晶片之一負載或一衝擊。
10:測試連接器組件
11:框架
11a:第二層
11b:第一層
11bh:暴露孔
11c:部分
11h:連接孔
13:連接器
13a:連接器絕緣部分
13b:連接器導電部分
20:測試設備
21:端子
25:連接配對物
50:引導構件
100:識別(ID)晶片插座
100':ID晶片插座
100":ID晶片插座
100''':ID晶片插座
110:接觸器
111:基底板
112:蓋板
112a:上蓋板
112b:下蓋板
120:插座導電部分/插座導體
120':插座導電部分
121:穿透部分
121-1:第一穿透部分
121-2:第二穿透部分
123:導電板
123a:上導電板
123a':上導電板
123a-1:第一上導電板
123a-1':第一上導電板
123a-2:第二上導電板
123a-2':第二上導電板
123aa:上導電板
123ab:上導電板
123ac:整體上導電板
123b:下導電板
123b-1:第一下導電板
123b-2:第二下導電板
123c:上導電板
125:接觸墊
125a:墊導電部分/墊導體
125a-1:第一墊導電部分
125a-2:第二墊導電部分
125b:薄片
130:ID晶片
131:晶片主體
133:連接部分
133-1:第一連接部分
133-2:第二連接部分
133p:部分
137:上表面
138:側向表面
150:蓋
150':蓋
150":蓋
150''':蓋
150g:垂直間隙
150h:側向間隙
150s:內部空間
151:上部分
153:側向部分
155:附接部分
155':附接部分
155":附接部分
157:內面向下表面
158:內側向表面
Ch:導電通道
Ch1:第一導電通道
Ch2:第二導電通道
E1:部分
圖1係根據本發明之一實施例之一測試連接器組件10及測試設備20之一透視圖;圖2係圖1中之一部分E1之一放大透視圖;圖3係自一不同方向觀看之圖1之測試連接器組件10之一透視圖;圖4係圖1之測試連接器組件10之ID晶片插座100之一分解透視圖;圖5係自另一方向觀看之圖4之ID晶片插座100之一分解透視圖;圖6A及圖6B係繪示ID晶片插座100之部件之透視圖,其中圖6A係繪示一接觸器110及一插座導電部分120之一組件之一透視圖,且圖6B係繪示其中一ID晶片130經被添加至圖6A之組件之一組件之一透視圖;圖7係自另一方向觀看之圖6A之組件之一透視圖;圖8A及圖8B係繪示ID晶片插座100之部件之透視圖,其中圖8A係繪示根據另一實施例之接觸器110及一插座導電部分120之一組件之一透視圖,且圖8B係繪示其中一ID晶片130經添加至圖8A之組件之一組件之一透視圖;圖9係沿線S1-S1'截取之圖2之ID晶片插座100及框架11之一截面視圖,其中繪示根據第一實施例之ID晶片插座100;圖10係沿線S2-S2'截取之圖2之ID晶片插座100及框架11之
一截面視圖,其中繪示根據第一實施例之ID晶片插座100;圖11係以相同於圖10之方式截取之根據一第二實施例之一ID晶片插座100'及一框架11之一截面視圖;圖12係以相同於圖10之方式截取之根據一第三實施例之一ID晶片插座100"及一框架11之一截面視圖;圖13係根據一第四實施例之一ID晶片插座100'''及一框架11之一透視圖;圖14係沿線S3-S3'截取之圖13之ID晶片插座100'''及框架11之一截面視圖;及圖15係以相同於圖10之方式截取之一截面視圖,其中繪示一引導構件50,該引導構件50在其中圖1之測試連接器組件10經耦合至測試設備20之狀態下引導測試連接器組件10。
出於解釋本發明之技術理念之目的繪示本發明之實施例。根據本發明之權利之範疇不限於下文所提出之實施例或此等實施例之詳細描述。
除非另有定義,否則本發明中之所有技術術語及科學術語包含一般技術者通常理解之含義或定義。本發明中之所有術語係出於更清楚地描述本發明之目的而被選擇,且未被選擇來限制本發明之範疇。
如本發明中使用,諸如「包括」、「包含」、「具有」及類似者之表達應被理解為具有涵蓋其他實施例之可能性之開放式術語,除非含有此等表達之片語或句子中另有提及。
除非另有規定,否則本發明中所描述之單數表達可涵蓋複
數表達,此亦將應用於發明申請專利範圍中引述之單數表達。
本發明之各項實施例中所展示之表達(諸如「第一」、「第二」等)用來將複數個元件彼此分離,且並非意欲於限制對應元件之一順序或重要性。
為了參考圖式描述本發明,將以基於彼此正交之一X軸、一Y軸及一Z軸之一空間正交座標系為基礎進行描述。即,可在XYZ正交座標上描述實施例之各組態。各軸向方向(X軸方向、Y軸方向或Z軸方向)意謂各軸延伸所沿之相反方向。各軸(+X軸方向、+Y軸方向或+Z軸方向)前方之加(+)符號意謂正方向,其係各軸延伸所沿之相反方向之一者。各軸(-X軸方向、-Y軸方向或-Z軸方向)前方之負(-)符號意謂負方向,其係各軸延伸所沿之相反方向之剩餘者。此僅僅係用於描述本發明之一參考集,使得可清楚地理解本發明,且毋庸置疑可取決於參考之放置位置來不同地界定方向。
術語「XZ平面」意謂平行於X軸及Z軸之一平面,術語「YZ平面」意謂平行於Y軸及Z軸之一平面,且術語「XY平面」意謂平行於X軸及Y軸之一平面。
本發明中所使用之諸如「向上」及「上」之方向術語意謂+Z軸方向,諸如「向下」、「下」及「下方」之方向術語意謂-Z軸方向,且諸如「垂直方向」之方向術語意謂Z軸方向。另外,諸如「側向」之方向指示意謂垂直於Z軸方向之一方向,且可包含X軸方向及Y軸方向。此僅僅係用於描述本發明之一參考集,使得可清楚地理解本發明,且毋庸置疑,可取決於參考之放置位置不同地界定向上、向下及側向方向。
後文中,將參考隨附圖式描述本發明之實施例。在隨附圖
式中,相同或對應部件係由相同元件符號表示。在實施例之下文描述中,可省略相同或對應部件之重複描述。然而,即使省略組件之描述,此等組件仍並非意欲於不包含於任何實施例中。
一待檢測裝置(未繪示)可為一半導體裝置或類似者。待檢測裝置包含複數個端子(未繪示)。複數個端子經安置於待檢測裝置之下表面上。
圖1係根據本發明之一實施例之一測試連接器組件10及測試設備20之一透視圖。圖2係圖1中之一部分E1之一放大透視圖。圖3係自不同方向觀看之圖1之測試連接器組件10之一透視圖。
參考圖1至圖3,一測試設備組包含測試設備20及一測試連接器組件10。測試設備20包含複數個端子21。複數個端子21對應於待檢測裝置之複數個端子。複數個端子21經安置於測試設備20之上表面上。當檢測待檢測裝置時,複數個端子21可與測試連接器組件10之一連接器13之下表面接觸。
測試設備20包含與一ID晶片插座100之下表面接觸之一連接配對物25。連接配對物25與ID晶片插座100之接觸墊125接觸。連接配對物25係電連接至ID晶片插座100之一部分。
測試連接器組件10可經安置於待檢測裝置與測試設備20之間以將待檢測裝置及測試設備20彼此電連接。測試連接器組件10包含:一連接器13,其經組態以將待檢測裝置及測試設備20彼此電連接;及一框架11,其支撐連接器13以便測試。
連接器13包含一連接器絕緣部分13a及一連接器導電部分13b。當檢測待檢測裝置時,待檢測裝置之複數個端子被帶至與連接器導
電部分13b之上端接觸,且測試設備20之複數個端子21被帶至與連接器導電部分13b之下端接觸。
測試連接器組件10包含一識別(ID)晶片插座100。ID晶片插座100經固定至框架11。ID晶片插座100經固定至框架11之上側。ID晶片插座100可經安置為與連接器13側向隔開。
ID晶片插座100能夠執行資訊管理功能,諸如ID晶片插座100之壽命管理、庫存識別、及與待檢測裝置相關之資訊及/或位置之識別。另外,ID晶片插座100能夠執行各種已知功能。
ID晶片插座100之ID晶片130可自測試設備20接收一電信號或可將一電信號發送至測試設備20。具體而言,ID晶片130可經組態以能夠自測試設備20接收一電信號但不能夠將一電信號發送至測試設備20,可經組態以能夠將一電信號發送至測試設備20但不能夠自測試設備20接收一電信號,或可經組態以能夠將一電信號發送至測試設備20及自測試設備20接收一電信號。
測試設備組可藉由ID晶片自測試設備20接收一電信號或ID晶片將一電信號發送至測試設備20來執行一識別功能及一歷史管理功能之至少一者。測試設備20及ID晶片插座100之至少一者可執行一識別功能及一歷史管理功能之至少一者。例如,ID晶片插座100之ID晶片130可經組態以執行一識別功能及一歷史追蹤功能之至少一者。例如,測試設備20可經組態以執行一識別功能及一歷史追蹤功能之至少一者。
識別功能可為識別待檢測裝置及測試連接器組件10之至少一者之一功能。例如,識別功能可包含自測試設備20接收關於一待檢測裝置之資訊以識別該裝置之一功能。在另一實例中,識別功能可包含識別其
中安置有ID晶片插座100之測試連接器組件10是否正確地定位於測試設備20中之一功能。
歷史追蹤功能可為追蹤ID晶片插座100之歷史之一功能。例如,歷史追蹤功能可包含識別其中安置有ID晶片插座100之測試連接器組件10之資訊(諸如壽命或使用頻率)之一功能。在另一實例中,歷史追蹤功能可包含識別對應測試連接器組件10之庫存之一功能。
ID晶片插座100能夠獲得與上文所描述之資訊相關之準確資料。提供於ID晶片插座100中之ID晶片130可為能夠執行上文所描述之功能之一電子裝置。
在一實施例中,ID晶片130可儲存ID晶片130所屬之測試連接器組件10之識別資訊及與測試連接器組件10之壽命或使用頻率相關之歷史資訊之至少一者。測試設備20可透過一電信號自ID晶片130接收識別資訊及歷史資訊之至少一者。
圖4係圖1之測試連接器組件10之ID晶片插座100之一分解透視圖。圖5係自另一方向觀看之圖4之ID晶片插座100之一分解透視圖。
參考圖4及圖5,框架11可包含沿垂直方向堆疊之複數個層。複數個層可包含至少一個第一層11b。且,複數個層可包含至少一個第一層11b下方之至少一個第二層11a。複數個層可包含複數個第一層及/或複數個第二層。然而,在本實施例中,複數個層可包含一個第一層11b及一個第二層11a。例如,至少一個第二層11a可為一絕緣膜,且至少一個第一層11b可為一不鏽鋼(SUS)板。
例如,框架11可由僅一SUS板組成。在另一實例中,框架11可藉由用一絕緣膜僅覆蓋SUS板之下側來組態,但框架11之結構可以各
種其他方式實施。
第一層11b之一部分可敞開使得暴露第二層11a之上表面之一部分11c。第一層11b之一部分可敞開使得ID晶片插座100之接觸器110經固定至第二層11a之上表面。
一暴露孔11bh可經形成為垂直穿過第一層11b。第二層11a之部分11c可透過暴露孔11bh暴露。ID晶片插座100之接觸器110可經固定至部分11c。
一連接孔11h可經形成為垂直穿過框架11。ID晶片插座100之插座導電部分120(插座導體120)可透過連接孔11h連接至測試設備20之連接配對物25。連接孔11h經形成使得ID晶片插座100之插座導電部分120之下端暴露於框架11之下側。連接孔11h可經形成在部分11c之中心部分中。
參考圖4及圖5,ID晶片插座100包含經組態以固定至框架11之上側之一接觸器110。接觸器110之下表面可經固定至框架11之上側。框架11之上表面可包含第二層11a之部分11c之上表面,且接觸器110可經固定至部分11c之上表面。接觸器110可經形成為沿垂直方向具有一厚度之一板形狀。
在一項實例中,接觸器110可經接合至框架11。接觸器110可使用一黏合劑(諸如環氧樹脂)附接至第二層11a之部分11c。
在另一實例中,接觸器110可藉由安置於接觸器110與部分11c之間的一黏合構件(未繪示)固定至部分11c。黏合構件可由一絕緣材料製成。一黏合膜(未繪示)(諸如一片雙面膠帶)可經安置於接觸器110與部分11c之間。
ID晶片插座100包含沿垂直方向穿透接觸器110之一插座導電部分120。插座導電部分120實現沿垂直方向通電。插座導電部分120包含垂直連接之導電構件。電信號可在至少一個方向上(向上及/或向下)沿插座導電部分120傳輸。插座導電部分120之下端透過框架11中之連接孔11h向下暴露。
ID晶片插座100包含固定至插座導電部分120之上側之一ID晶片130。ID晶片130電連接至插座導電部分120。ID晶片130可電連接至插座導電部分120之上端。
ID晶片130包含經預設定以執行上文所描述之識別功能及歷史追蹤功能之至少一者之一晶片主體131。晶片主體131可包含各種電子裝置。
ID晶片130包含電連接至插座導電部分120之一連接部分133。可透過連接部分133接收自測試設備20及插座導電部分120循序地傳遞之一電信號,或可將一電信號自ID晶片130發送至插座導電部分120。晶片主體131可包含對應於後文待描述之插座導電部分120中之複數個穿透部分121-1及121-2之複數個連接部分133-1及133-2。
ID晶片插座100包含覆蓋ID晶片130之上表面之一蓋150。蓋150可與ID晶片130之上表面接觸,但在此實施例中,蓋150與ID晶片130之上表面隔開。
蓋150覆蓋ID晶片130之側表面。蓋150可與ID晶片130之側向表面接觸,但在此實施例中,蓋150與ID晶片130之側向表面隔開。
蓋150具有形成於其中之一內部空間150s。ID晶片130經容納於內部空間150s中。在蓋150中,內部空間150s向下敞開。蓋150之內
部空間150s之下開口係由接觸器110覆蓋。
蓋150經組態以固定至接觸器110及框架11之至少一者。根據一實施例,蓋150可經固定至接觸器110,或可經固定至框架11。
圖6A及圖6B係繪示ID晶片插座100之部件之透視圖,其中圖6A係繪示一接觸器110及一插座導電部分120之一組件之一透視圖,且圖6B係繪示其中一ID晶片130經添加至圖6A之組件之一組件之一透視圖。圖7係自另一方向觀看之圖6A之組件之一透視圖。
參考圖6A、圖6B及圖7,接觸器110包含由一絕緣材料製成之一基底板111。基底板111可經形成為沿垂直方向具有一厚度之一板形狀。例如,基底板111可由塑膠材料形成。
接觸器110可包含附接至基底板111之表面之蓋板112。蓋板112可包含附接至基底板111之上表面之一上蓋板112a。蓋板112可包含附接至基底板111之下表面之一下蓋板112b。
蓋板112與插座導電部分120隔開。蓋板112對應於基底板111之周邊部分而安置。上蓋板112a與一上導電板123a隔開且環繞上導電板123a之周邊。下蓋板112b與一下導電板123b隔開且環繞下導電板123b。
插座導電部分120包含由一導電材料製成且沿垂直方向穿透基底板111之一穿透部分121。例如,穿透部分121可包含鎳(Ni)材料。作為一製造方法之一實例,穿透部分121可藉由形成與一基底板111垂直連通之一孔且接著用鎳填充基底板111中之孔而形成。
插座導電部分120可包含複數個穿透部分121-1及121-2。複數個穿透部分121-1及121-2可彼此側向隔開。藉由提供複數個穿透部分
121-1及121-2,可降低插座導電部分120發生故障之可能性。
插座導電部分120可包含由一導電材料製成且與穿透部分121接觸之一導電板123。導電板123可分別安置於穿透部分121之垂直相對端處。導電板123可經附接至基底板111之表面。導電板123可防止穿透部分121與基底板111分離。例如,導電板123可由銅箔製成。
導電板123包含安置於穿透部分121之上端與ID晶片130之間且經組態為導電之一上導電板123a。上導電板123a被帶至與穿透部分121之上端接觸。上導電板123a經固定至基底板111之上表面。
上導電板123a可包含對應於複數個穿透部分121-1及121-2之複數個上導電板123a-1及123a-2。複數個上導電板123a-1及123a-2經安置為彼此隔開。一第一上導電板123a-1與第一穿透部分121-1之上端接觸,且一第二上導電板123a-2與第二穿透部分121-2之上端接觸。
上導電板123a可包含彼此分離且對應於一個穿透部分121-1或121-2之複數個上導電板123aa及123ab。可提供與一個穿透部分121-1或121-2接觸且彼此隔開之兩個上導電板123aa及123ab。具體而言,可提供與第一穿透部分121-1接觸之複數個上導電板123aa及123ab,且可提供與第二穿透部分121-2接觸之複數個上導電板123aa及123ab。藉由提供複數個上導電板123aa及123ab,ID晶片130可容易地安置於一預定位置處,且ID晶片130之連接部分133之一部分經內插於複數個上導電板123aa與123ab之間,使得可改良ID晶片130之電連接及實體接合。
在此實施例中,第一上導電板123a-1包含複數個上導電板123aa及123ab,且第二上導電板123a-2包含複數個上導電板123aa及123ab。第一上導電板123a-1及第二上導電板123a-2沿Y軸方向彼此隔開
且複數個上導電板123aa及123ab沿X軸方向彼此隔開。
導電板123包含安置於穿透部分121之下端處且經組態為導電之一下導電板123b。下導電板123b被帶至與穿透部分121之下端接觸。下導電板123b經固定至基底板111之下表面。下導電板123b可經安置於穿透部分121之下端與接觸墊125之間。下導電板123b可與一接觸墊125之墊導電部分125a(墊導體125a)之上端接觸。下導電板123b可由接觸墊125覆蓋。
下導電板123b可包含對應於複數個穿透部分121-1及121-2之複數個下導電板123b-1及123b-2。複數個下導電板123b-1及123b-2經設置為沿Y軸方向彼此隔開。第一下導電板123b-1被帶至與第一穿透部分121-1之下端接觸且第二下導電板123b-2被帶至與第二穿透部分121-2之下端接觸。
接觸器110之蓋板112及插座導電部分120之導電板123可在製造程序中構成整體板材料之一部分。例如,可對基底板111之表面進行電鍍以形成一整體板材料。一導電材料之一個板材料之一部分可經切出以形成一上蓋板112a及一上導電板123a,且可透過切出部分暴露基底板111之上表面之一部分。一導電材料之一個板材料之一部分可經切出以形成一下蓋板112b及一下導電板123b,且可透過板材料之切出部分暴露基底板111之下表面之一部分。
插座導電部分120包含固定至接觸器110之下側之一接觸墊125。接觸墊125經組態以能夠被帶至與測試設備20接觸。接觸墊125可在導電板123與測試設備20之連接配對物25之間傳輸一電信號。
接觸墊125可經組態為可彈性變形。接觸墊125可經組態為
沿垂直方向可彈性壓縮變形。
接觸墊125包含一可彈性變形之絕緣材料之一薄片125b。薄片125b可支撐墊導電部分125a。可提供用於支撐複數個墊導電部分125a-1及125b-2之單個薄片125b。薄片125b可包含矽材料。薄片125b可覆蓋複數個下導電板123b-1及123b-2。
接觸墊125包含在薄片125b內沿垂直方向延伸之一墊導電部分125a。墊導電部分125a實現沿垂直方向通電。墊導電部分125a之上端與下導電板123b接觸。墊導電部分125a之下端暴露於接觸墊125之下側。
墊導電部分125a可包含複數個導電粒子。垂直延伸之一個墊導電部分125a可包含垂直配置之複數個導電粒子。複數個導電粒子可彼此接觸以傳輸一電信號。複數個導電粒子可由薄片125b支撐。
墊導電部分125a可包含對應於複數個穿透部分121-1及121-2之複數個墊導電部分125a-1及125a-2。複數個墊導電部分125a-1及125a-2經安置使得其等沿Y軸方向彼此隔開。第一墊導電部分125a-1與第一下導電板123b-1之下端接觸,且第二墊導電部分125a-2與第二下導電板123b-2之下端接觸。
圖8A及圖8B係繪示ID晶片插座100之部件之透視圖。圖8A係繪示根據另一實施例之接觸器110及一插座導電部分120'之一組件之一透視圖,且圖8B係繪示其中一ID晶片130經添加至圖8A之組件之一組件之一透視圖。
參考圖8,根據另一實施例之一插座導電部分120'包含對應於一個穿透部分121-1或121-2之一整體上導電板123ac。即,不存在對應
於一個穿透部分121-1或121-2之分離上導電板。
上導電板123a'可包含對應於複數個穿透部分121-1及121-2之複數個上導電板123a-1'及123a-2'。在此實施例中,第一上導電板123a-1'由單個上導電板123ac組成,且第二上導電板123a-2'由單個上導電板123ac組成。第一上導電板123a-1'及第二上導電板123a-2'沿Y軸方向彼此隔開。ID晶片130之各連接部分133與上導電板123c接觸。
圖9係沿線S1-S1'截取之圖2之ID晶片插座100及框架11之一截面視圖,其中繪示根據第一實施例之ID晶片插座100。圖10係沿線S2-S2'截取之圖2之ID晶片插座100及框架11之一截面視圖,其中繪示根據第一實施例之ID晶片插座100。
參考圖9及圖10,ID晶片插座100之插座導電部分120包含電連接ID晶片130及測試設備20之一導電通道Ch。可提供對應於ID晶片130之複數個連接部分133-1及133-2之複數個導電通道Ch1及Ch2。第一導電通道Ch1經連接至ID晶片130之第一連接部分133-1且第二導電通道Ch2經連接至ID晶片130之第二連接部分133-2。
導電通道Ch包含其中循序地連接一上導電板123a、一穿透部分121及一下導電板123b之一區段。一墊導電部分125a可經定位於導電通道Ch之下部分上。
上導電板123a、穿透部分121、下導電板123b及墊導電部分125a可自上側循序地連接至下側以形成一個導電通道Ch。上導電板123a之上端經連接至ID晶片130之連接部分133。穿透部分121之上端經連接至上導電板123a之下端。下導電板123b之上端經連接至穿透部分121之下端。墊導電部分125a之上端經連接至下導電板123b之下端。
ID晶片130可經固定至插座導電部分120。ID晶片130可經固定至插座導電部分120及接觸器110。
ID晶片130之晶片主體131可包含一射頻識別(RFID)晶片。晶片主體131可包含一IC晶片及/或一PCB。
ID晶片130可藉由ID晶片130之連接部分133固定至插座導電部分120。例如,連接部分133可經組態為一表面安裝技術(SMT)接合類型。連接部分133可經組態為一O2焊接類型。
ID晶片130包含面向上之一上表面137。上表面137面向蓋150之內面向下表面157。
ID晶片130包含側向表面138。側向表面138面向蓋150之內側向表面158。
可提供對應於複數個導電通道Ch1及Ch2之複數個連接部分133-1及133-2。複數個連接部分133-1及133-2可經安置為沿Y軸方向彼此隔開。
連接部分133包含內插於與一個穿透部分121接觸之複數個上導電板123aa及123ab之間的一部分133p。連接部分133之部分133p與複數個上導電板123aa及123ab側向接觸。連接部分133之部分133p可在其下側處與穿透部分121接觸。
蓋150可由一絕緣材料形成。在此實施例中,蓋150可由塑膠材料形成。
蓋150可沿垂直方向與ID晶片130隔開。ID晶片130之上表面137及蓋150之內面向下表面157可經安置以在其等之間形成一垂直間隙150g。垂直間隙150g之垂直長度可小於ID晶片130之垂直長度。因此,當
沿垂直方向將壓力或一衝擊施加至蓋150時,可防止或減少一負載或一衝擊至ID晶片130之傳輸。特定而言,即使當在後文參考圖15所描述之使用一引導構件50之環境中由引導構件50向下推動蓋150時,仍可不將引導構件50之向下負載施加至ID晶圓130。
蓋150可與ID晶片130側向隔開。ID晶片130之側向表面138及該蓋之內側向表面158可經配置以在其等之間形成一側向間隙150h。因此,即使當透過側間隙150h將壓力或一衝擊側向施加至蓋150時,仍可防止或減少一負載或一衝擊至ID晶片130之傳輸。
垂直間隙150g可填充有空氣或比蓋150之材料更具撓性之一材料。在一實例中,垂直間隙150g可填充空氣而沒有任何其他單獨部件。在另一實例中,垂直間隙150g可填充有比蓋150之材料更具撓性之一材料。比蓋150之材料更具撓性之材料可包含環氧樹脂材料。
另外,側向間隙150h可填充有空氣或比蓋150之材料更具撓性之一材料。填充側向間隙150h之材料之一實例相同於上文所描述之填充垂直間隙150g之材料之實例。
蓋150包含覆蓋ID晶片130之上表面137之一上部分151。上部分151之下表面形成一內面向下表面157。
蓋150包含環繞ID晶片130之側向表面138之一側向部分153。側向部分153之一個側向表面形成一內側向表面158。側向部分153之上端經連接至上部分151。
蓋150包含在側向部分153之一下部分處固定至接觸器110及框架11之至少一者之一附接部分155。參考圖9及圖10所描述之根據第一實施例之蓋150之附接部分155經固定至連接器110。隨後將參考圖11及
圖12所描述之根據第二及第三實施例之蓋150'及150"之附接部分155'及155"經固定至框架11。
在第一實施例中,附接部分155可經固定至接觸器110之上表面。附接部分155可經固定至接觸器110之上表面之一邊緣部分。附接部分155可經固定至接觸器11之上蓋板112a。
圖11係以相同於圖10之方式截取之根據一第二實施例之一ID晶片插座100'及一框架11之一截面視圖。將參考圖11描述根據第二實施例之ID晶片插座100',重點在於與上文所描述之根據第一實施例之ID晶片插座100之差異。
根據第二實施例之ID晶片插座100'之蓋150'之附接部分155'經固定至框架11之上表面。附接部分155'經固定至框架11之一第一層11b之上表面。透過暴露孔11bh暴露之第二層11a之一部分11c與附接部分155'分離。蓋150'可與接觸器110隔開。在蓋150及接觸器110中,僅接觸器110可被帶至與部分11c接觸。第一層11b之一部分敞開使得接觸器110經固定至第二層11a之上表面。
圖12係以相同於圖10之方式截取之根據第三實施例之一ID晶片插座100"及一框架11之一截面視圖。將參考圖12描述根據第三實施例之ID晶片插座100",重點在於與上文所描述之根據第一實施例之ID晶片插座100之差異。
根據第三實施例之ID晶片插座100"之蓋150"之附接部分155"經固定至第二層11a之上表面。附接部分155"經固定至透過暴露孔11bh暴露之第二層11a之一部分11c。蓋150"可與接觸器110隔開。蓋150及接觸器110可被帶至與部分11c接觸。第一層11b之一部分敞開使得蓋
150"經固定至第二層11a之上表面。
接觸器110及蓋150"之各者可經固定至部分11c。第一層11b之一部分敞開使得接觸器110及蓋150"經固定至第二層11a之上表面。
附接部分155"可側向延伸以自側向部分153之外表面突出。附接部分155"之側向長度可長於側向部分153之側向長度。
當透過根據第二及第三實施例之蓋150'及150"之附接位置自外部將一負載或一衝擊施加至蓋150時,可防止蓋150之負載或衝擊至連接器110之直接傳輸。特定而言,對於根據第三實施例之蓋150",由於蓋150"之側向移動受第一層11b限制,因此可更穩定地安置蓋150"。
圖13係根據一第四實施例之一ID晶片插座100'''及一框架11之一透視圖。圖14係沿線S3-S3'截取之圖13之ID晶片插座100'''及框架11之一截面視圖。將參考圖13及圖14描述根據第四實施例之ID晶片插座100''',重點在於與上文所描述之根據第一實施例之ID晶片插座100之差異。
根據第四實施例之ID晶片插座100'''之蓋150'''可由比塑膠材料更具撓性之一材料製成。蓋150'''可由矽材料形成。蓋150'''可藉由用矽材料塗佈ID晶片130而形成。因此,可由蓋150'''更有效地吸收自外部施加至蓋150'''之一負載或一衝擊。
蓋150'''之外表面可形成一彎曲表面。蓋150'''之外上表面及側表面可在其等之間以一圓形曲率連接。
蓋150'''可經附接至接觸器110。蓋150'''可經附接至ID晶片130。蓋150'''及ID晶片130彼此垂直接觸。蓋150'''及ID晶片130彼此側向接觸。
圖15係以相同於圖10之方式截取之一截面視圖,其中繪示一引導構件50,該引導構件50在其中圖1之測試連接器組件10經耦合至測試設備20之狀態下引導測試連接器組件10。
參考圖15,可在其中使用測試設備20之環境中提供引導構件50。當測試連接器組件10被置於測試設備20上時,引導構件50能夠用於向下推動ID晶片插座100。ID晶片插座100可藉由引導構件50向下推動ID晶片插座100而平滑地連接至測試設備20之連接配對物25。
引導構件50亦可引導測試連接器組件10相對於測試設備20之定位。此外,引導構件50亦可促進測試連接器組件10之連接器13與測試設備20之端子21之間的連接。
根據本發明之實施例,引導構件50向下推動蓋150,由此引導ID晶片插座100與測試設備20之連接配對物25之間的平滑連接,且防止由引導構件50施加至蓋150之負載傳輸至ID晶片130。
儘管已關於一些實施例描述本發明,但應注意,熟習此項技術者可理解,在不脫離本發明之精神及範疇之情況下,可存在各種修改及改變。此外,此等修改及改變應被解釋為屬於本文中隨附之發明申請專利範圍之範疇。
10:測試連接器組件
11:框架
13:連接器
13a:連接器絕緣部分
13b:連接器導電部分
20:測試設備
21:端子
25:連接配對物
100:識別(ID)晶片插座
E1:部分
Claims (20)
- 一種固定至支撐一測試連接器組件之一連接器之一框架之ID (識別)晶片插座,該ID晶片插座包括: 一接觸器,其經組態以固定至該框架之一上側; 一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接; 一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及 一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者。
- 如請求項1之ID晶片插座,其中該ID晶片之該上表面及該蓋之一內面向下表面經安置以在該ID晶片之該上表面與該蓋之該內面向下表面之間形成一垂直間隙。
- 如請求項2之ID晶片插座,其中該垂直間隙填充有空氣或比該蓋之一材料更具撓性之一材料。
- 如請求項2之ID晶片插座,其中該ID晶片之一側向表面及該蓋之一內側向表面經安置以在該ID晶片之該側向表面與該蓋之該內側向表面之間形成一側向間隙。
- 如請求項1之ID晶片插座,其中該蓋包括: 一上部分,其覆蓋該ID晶片之該上表面; 一側向部分,其覆蓋該ID晶片之一側向表面;及 一附接部分,其在該側向部分下方固定至該接觸器及該框架之至少一者。
- 如請求項1之ID晶片插座,其中該蓋藉由用一矽材料塗佈該ID晶片而形成。
- 如請求項1之ID晶片插座,其中該接觸器包括由一絕緣材料製成之一基底板,且 其中該插座導電部分包括: 一穿透部分,其由一導電材料製成且垂直穿透該基底板; 至少一個上導電板,其經安置於該穿透部分之一上端與該ID晶片之間以實現電連接,該至少一個上導電板經固定至該基底板之一上表面;及 一下導電板,其經安置於該穿透部分之一下端處以實現電連接,該下導電板經固定至該基底板之一下表面。
- 如請求項7之ID晶片插座,其中該至少一個上導電板包括與該穿透部分之一者接觸且彼此隔開之兩個上導電板。
- 如請求項1之ID晶片插座,其中該插座導電部分包括一接觸墊,該接觸墊經固定至該接觸器之一下側且經組態以被帶至與一測試設備接觸,且 其中該接觸墊包括: 一薄片,其由一可彈性變形之絕緣材料製成;及 一墊導電部分,其在該薄片中沿該垂直方向延伸以實現沿該垂直方向之電連接。
- 如請求項1之ID晶片插座,其中該ID晶片儲存識別資訊及歷史資訊之至少一者, 其中該識別資訊係關於該測試連接器組件之識別資訊,且 其中該歷史資訊係與該測試連接器組件之一壽命或使用頻率相關之歷史資訊。
- 一種安置於一待檢測裝置與測試設備之間以將該待檢測裝置及該測試設備彼此電連接之測試連接器組件,該測試連接器組件包括: 一框架,其支撐一連接器以便測試;及 一ID晶片插座,其經固定至該框架之一上側, 其中該ID晶片插座包括: 一接觸器,其經固定至該框架之該上側; 一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接; 一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及 一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者。
- 如請求項11之測試連接器組件,其中該蓋經固定至該框架。
- 如請求項12之測試連接器組件,其中該框架包括複數個層,該複數個層包含至少一個第一層及該至少一個第一層下方之至少一個第二層,其等沿該垂直方向堆疊,且 其中該第一層之一部分敞開使得該蓋經固定至該第二層之一上表面。
- 如請求項11之測試連接器組件,其中該框架包括複數個層,該複數個層包含至少一個第一層及該至少一個第一層下方之至少一個第二層,其等沿該垂直方向堆疊,且 其中該第一層之一部分敞開使得該接觸器經固定至該第二層之一上表面。
- 如請求項11之測試連接器組件,其中該框架包括複數個層,該複數個層進一步包括至少一個第一層及該至少一個第一層下方之至少一個第二層,其等沿該垂直方向堆疊, 其中該第一層之一部分敞開使得暴露該第二層之一上表面之一部分,且 其中該接觸器及該蓋之各者經固定至該第二層之該上表面之該部分。
- 如請求項15之測試連接器組件,其中一孔經形成於該第二層之該上表面之該部分之一中心部分中,使得向下暴露該插座導電部分之一下端。
- 如請求項11之測試連接器組件,其中該ID晶片之該上表面及該蓋之一內面向下表面經安置以在該ID晶片之該上表面與該蓋之該內面向下表面之間形成一垂直間隙。
- 如請求項11之測試連接器組件,其中該蓋藉由用一矽材料塗佈該ID晶片而形成。
- 如請求項11之測試連接器組件,其中該接觸器包括由一絕緣材料製成之一基底板,且 其中該插座導電部分進一步包括: 一穿透部分,其由一導電材料製成且垂直穿透該基底板; 一上導電板,其經安置於該穿透部分之一上端與該ID晶片之間以實現電連接,該上導電板經固定至該基底板之一上表面;及 一下導電板,其經安置於該穿透部分之一下端處以實現電連接,該下導電板經固定至該基底板之一下表面。
- 一種測試設備組,其包括: 一測試設備;及 一測試連接器組件,其經安置於一待檢測裝置與該測試設備之間以將該待檢測裝置及該測試設備彼此電連接, 其中該測試連接器組件進一步包括: 一框架,其支撐一連接器以便測試;及 一ID晶片插座,其經固定至該框架之一上側, 其中該ID晶片插座包括: 一接觸器,其經固定至該框架之該上側; 一插座導電部分,其沿一垂直方向穿透該接觸器且經組態以實現沿該垂直方向之電連接,該插座導電部分具有被帶至與該測試設備接觸之一下端; 一ID晶片,其經固定至該插座導電部分之一上側且電連接至該插座導電部分;及 一蓋,其經組態以覆蓋該ID晶片之一上表面且經固定至該接觸器及該框架之至少一者,且 其中該ID晶片經組態以藉由自該測試設備接收一電信號或將一電信號發送至該測試設備而執行識別該待檢測裝置及該測試連接器組件之至少一者之一識別功能及追蹤該ID晶片插座之一歷史之一歷史管理功能之至少一者。
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