TWI717336B - 硬遮罩用金屬介電膜之沉積 - Google Patents

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Abstract

用於沉積金屬介電膜的系統與方法包括：將基板設置於電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室中；供應載氣至該PECVD處理腔室；供應介電前驅物氣體至該PECVD處理腔室；供應金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中產生電漿；並且在低於500℃的製程溫度下在基板上沉積金屬介電膜。

Description

硬遮罩用金屬介電膜之沉積
本發明係關於基板處理系統與方法，且更具體而言係關於用以在基板上沉積硬遮罩的系統與方法。
提供於此之先前技術的敘述，係為了整體地呈現本發明之背景。在先前技術部分中敘述的範圍內，本案列名之發明人的成果，以及在申請期間不適格作為先前技術之敘述觀點，皆非直接或間接地被承認係對抗本發明之先前技術。
用於執行沉積及/或蝕刻的基板處理系統包括具有一支座的處理腔室。可將基板(例如半導體晶圓)設置在該支座上。例如，在化學氣相沉積(CVD)處理中，可將包含一或更多前驅物的氣體混合物引導到該處理腔室中，以在該基板上沉積膜或蝕刻該基板。在一些基板處理系統中，可使用電漿來活化化學反應，而這在本文中稱為電漿增強CVD(PECVD)。
非晶碳與矽膜可在基板處理期間當作用來蝕刻高深寬比特徵部的硬遮罩。例如，在3D記憶體應用中，硬遮罩膜應具有高的蝕刻選擇性。因此，該硬遮罩膜應具有較高模數、更稠密、且更抗蝕刻化學性的鍵結基質(bonding matrices)。能夠在開口處理期間移除硬遮罩膜並且對於介電蝕刻處理具有高的選擇性，此兩者之間應取得平衡。
鎢碳化物膜為晶體，且被視為硬化鍍膜。鎢碳化物可作為良好的硬遮罩膜。然而，鎢碳化物膜通常難以移除。鎢碳化物膜通常係使用不同於PECVD的沉積方法來沉積。若使用PECVD來沉積鎢碳化物膜，則要使用非常高的製程溫度(接近800℃)。例如，請見H.Zheng等人的「Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Nanocrystalline Tungsten Carbide Thin Film and Its Electro-catalytic Activity」，Journal of Material Science Technologies，2005年，第21卷，第4期，第545-548頁。在PECVD中使用的較高的製程溫度對於許多應用而言通常不適合。
在基板上沉積金屬介電膜的方法包含下列步驟：將基板設置於電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室中；供應載氣至該PECVD處理腔室；供應介電前驅物氣體至該PECVD處理腔室；供應金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中產生電漿；並且在低於500℃的製程溫度下在基板上沉積金屬介電膜。
在其他特徵中，該金屬前驅物氣體係選自由下列所組成之群組：鈦前驅物氣體、鉭前驅物氣體、鎢前驅物氣體、及釩前驅物氣體。
在其他特徵中，該金屬前驅物氣體包含鎢前驅物氣體。該鎢前驅物氣體包含WFa，其中a為大於或等於1的整數。該鎢前驅物氣體包含雙(三級丁基亞胺基)-雙-(二甲基胺基)鎢(BTBMW)。該載氣係選自由下列所組成之群組：氫分子(H2)、氬(Ar)、氮分子(N2)、氦(He)、及/或該者的組合。
在其他特徵中，該介電前驅物氣體包含碳氫化合物前驅物氣體。該碳氫化合物前驅物氣體包含CxHy，其中x為從2到10的整數，且y為從2到24的整數。該介電前驅物氣體包含氮化物基的前驅物氣體。該碳氫化合物前驅物氣 體係選自由下列所組成之群組：甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環己烷、苯、及甲苯。該金屬介電膜為奈米晶體。
在其他特徵中，該PECVD處理腔室包括第一電極，其設置成與支座保持間隔關係。該支座包括第二電極。來自電漿產生器的RF功率被供應到該第二電極，而該第一電極被接地。
在其他特徵中，該第一電極包括噴淋頭。該金屬前驅物氣體對該介電前驅物氣體的部分分率大於20%。
用於沉積金屬介電膜的方法，包含下列步驟：將基板設置於電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室中；供應載氣至該PECVD處理腔室；供應介電前驅物氣體至該PECVD處理腔室；供應金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中產生電漿；並且在基板上沉積金屬介電膜。該PECVD處理腔室包括第一電極，其設置成與支座保持間隔關係。該支座包括第二電極。來自電漿產生器的RF功率被供應到該第二電極，而該第一電極被接地。
在其他特徵中，該金屬前驅物氣體係選自由下列所組成之群組：鈦前驅物氣體、鉭前驅物氣體、鎢前驅物氣體、及釩前驅物氣體。
在其他特徵中，該金屬前驅物氣體包含鎢前驅物氣體。該鎢前驅物氣體包含WFa，其中a為大於或等於1的整數。該鎢前驅物氣體包含雙(三級丁基亞胺基)-雙-(二甲基胺基)鎢(BTBMW)。該載氣係選自由下列所組成之群組：氫分子(H2)、氬(Ar)、氮分子(N2)、氦(He)、及/或該者的組合。
在其他特徵中，該介電前驅物氣體包含碳氫化合物前驅物氣體。該碳氫化合物前驅物氣體包含CxHy，其中x為從2到10的整數，且y為從2到24的整數。該碳氫化合物前驅物氣體係選自由下列所組成之群組：甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環己烷、苯、及甲苯。
在其他特徵中，該介電前驅物氣體包含氮化物基的前驅物氣體。該金屬介電膜為奈米晶體。
在其他特徵中，該第一電極包括噴淋頭。該金屬前驅物氣體對該介電前驅物氣體的部分分率大於20%。
用於沉積金屬介電膜的基板處理系統，包含：一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室，其包含支座。一氣體輸送系統，其配置以選擇性地輸送下列至少一者：載氣、介電前驅物氣體、及金屬前驅物氣體。一電漿產生器，其配置以在該PECVD處理腔室中選擇性地產生電漿。一控制器，其配置以與該氣體輸送系統及該電漿產生器通訊，且進一步配置以：供應載氣、介電前驅物氣體、及金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中引發電漿；並且在低於500℃的製程溫度下在基板上沉積金屬介電膜。
用於沉積金屬介電膜的基板處理系統，包含：一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室，其包含支座。第一電極，其設置成與該支座保持間隔關係。該支座包括第二電極。而第一電極被接地。一氣體輸送系統，其配置以選擇性地輸送下列至少一者至該PECVD處理腔室：載氣、介電前驅物氣體、及金屬前驅物氣體。一電漿產生器，其配置以透過供應RF功率至該第二電極而在該PECVD處理腔室中選擇性地產生電漿。一控制器，其配置以與該氣體輸送系統及該電漿產生器通訊，且進一步配置以：供應載氣、介電前驅物氣體、及金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中引發電漿；並且在基板上沉積金屬介電膜。
從詳細的實施方式、申請專利範圍，以及圖式，本發明的實用性的更遠範圍將變得明顯。該詳細的實施方式與具體的例子僅是為了描述之目的，而非欲限制本發明之範疇。
100:基板處理系統
102:處理腔室
104:上電極
106:支座
107:下電極
108:基板
109:噴淋頭
110:RF產生系統
111:RF電壓產生器
112:匹配與分配網路
130:氣體輸送系統
132:氣體來源
134:閥
136:質流控制器
140:集流腔
142:加熱器
150:閥
152:泵浦
160:控制器
200:方法
204:步驟
208:步驟
216:步驟
220:步驟
222:步驟
224:步驟
從詳細的實施方式與隨附圖式，將會更完整地了解本發明，在其中：圖1為功能方塊圖，描繪用以在低於500℃的溫度下沉積金屬介電膜(例如鎢碳化物膜)的PECVD基板處理腔室之範例；圖2為流程圖，說明用以根據本發明來沉積金屬介電膜之方法的範例；以及圖3為圖表，描繪根據本發明來沉積的例示性鎢碳化物膜之強度(次數)作為2 θ(度)的函數。
在該等圖式中，重複使用參考數字來代表相似及/或相同的元件。
根據本發明的系統與方法係用於在低於500℃的製程溫度下於PECVD基板處理腔室中沉積金屬介電膜。在一些範例中，介電膜可為碳基或氮化物基的介電膜。在一些範例中，金屬可為鎢、鈦、鉭、或釩。
僅作為範例，該介電膜可為鎢碳化物。由於奈米晶體結構以及膜中稠密的碳之充足濃度，所以就介電蝕刻化學而言，鎢碳化物膜可被作為蝕刻選擇性硬遮罩膜。
在PECVD基板處理腔室中沉積金屬介電膜。在一些範例中，該金屬介電膜係使用PECVD在低於500℃的製程溫度下沉積。在一些範例中，該金屬介電膜係使用PECVD在介於400℃與500℃之間的製程溫度下沉積。這些製程溫度使金屬介電膜能使用在新的應用中。
雖然前述部分係關於鎢碳化物膜的沉積，但本發明適用於其他的金屬介電膜，例如鈦碳化物(TiC)、鉭碳化物(TaC)、鉭氮化物(TaN)、釩碳化物(VC)等，不限於此。
在一些範例中，處理氣體包括金屬前驅物氣體。在一些範例中，處理氣體包含鎢前驅物氣體，例如WFa(其中a為大於0的整數)、雙(三級丁基亞胺基)-雙-(二甲基胺基)鎢(BTBMW)前驅物、或其他適當的鎢前驅物。在一些範例中，鎢前驅物氣體為六氟化物(WF6)。
在一些範例中，處理氣體更包括碳氫化合物前驅物氣體，例如CxHy，其中x為從2到10的整數，且y為從2到24的整數。在一些範例中，碳氫化合物前驅物氣體可包括甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環己烷、苯、或甲苯。
在一些範例中，鎢前驅物氣體在PECVD沉積反應器中與碳氫化合物前驅物氣體及一或更多載氣混合。在一些範例中，載氣包括氫分子(H2)、氬(Ar)、氮分子(N2)、氦(He)、或該者的混合物。
所沉積的鎢碳化物膜具有奈米尺寸的晶體結構且提供足夠的蝕刻選擇性。該鎢碳化物膜亦可被輕易地移除。因此，在要求較低製程溫度限度的應用中，該鎢碳化物膜係作為硬遮罩的非常好的選擇。
在其他範例中，可使用氮化物基前驅物氣體及/或其他的金屬基前驅物氣體。
現參考圖1，顯示用以執行金屬介電膜之PECVD沉積的基板處理系統100之範例。基板處理系統100包括處理腔室102，其包圍基板處理系統100的其他元件並容納RF電漿。基板處理系統100包括上電極104以及支座106，而支 座106包括下電極107。基板108在上電極104與下電極107之間被設置在支座106上。
僅作為範例，上電極104可包括噴淋頭109，其引導並分配處理氣體。替代地，上電極104可包括傳導性板，且處理氣體可被以另一種方式來引導。下電極107可設置在非傳導性支座中。替代地，支座106可包括靜電卡盤，其包括當作下電極107的傳導性板。
RF產生系統110產生RF功率並將之輸出到上電極與下電極中的一者。上電極與下電極中的另一者可被DC接地、AC接地、或不接地。僅作為範例，RF產生系統110可包括RF電壓產生器111，其產生之RF功率由匹配與分配網路112饋送至上電極104或下電極107。在一些範例中，RF功率被輸送至下電極107，而上電極104被接地，如圖1所示。
圖1中顯示氣體輸送系統130之範例。氣體輸送系統130包括一或多個氣體來源132-1、132-2、...、及132-N(合稱為氣體來源132)，其中N為大於0的整數。氣體來源供應一或多個金屬前驅物、介電前驅物、載氣、及該者的混合物。亦可使用汽化的前驅物。氣體來源132被閥134-1、134-2、...、及134-N(合稱為閥134)及質流控制器136-1、136-2、...、及136-N(合稱為質流控制器136)連接到集流腔140。集流腔140的一輸出量被饋送到處理腔室102。僅作為範例，集流腔140的該輸出量被饋送到噴淋頭109。
加熱器142可連接到設置於支座106中的加熱器線圈(未圖示)，用以加熱支座106。加熱器142可用於控制支座106與基板108的溫度。可使用閥150與泵浦152將反應物從處理腔室102中排出。可使用控制器160來控制基板處理系 統100的各種元件。僅作為範例，控制器160可用以控制處理氣體、載氣和前驅物氣體的流動、電漿的引發與熄滅、反應物的移除、腔室參數的偵測等。
現參考圖2，顯示用以根據本發明來沉積金屬介電膜的方法200。在204，將基板設置在PECVD處理腔室中。在208，將載氣供應到該處理腔室。在一些範例中，該載氣可包括氫分子(H2)、氬(Ar)、氮分子(N2)、氦(He)、及/或該者的組合。
在216，將介電前驅物氣體供應到該處理腔室。在一些範例中，該介電前驅物氣體包括氮化物基前驅物或碳氫化合物前驅物氣體。在一些範例中，碳氫化合物前驅物氣體可包括CxHy，其中x為從2到10的整數，且y為從2到24的整數。在一些範例中，碳氫化合物前驅物氣體可包括甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環己烷、苯、或甲苯。
在220，將金屬前驅物氣體供應到該處理腔室。在一些範例中，金屬前驅物氣體包括鎢前驅物氣體、鈦前驅物氣體、鉭前驅物氣體、釩前驅物氣體等。在一些範例中，鎢前驅物氣體包括WFa(其中a為大於0的整數)、雙(三級丁基亞胺基)-雙-(二甲基胺基)鎢(BTBMW)前驅物氣體、或其他適當的鎢前驅物氣體。在222，在該處理腔室中產生電漿。在一些實施例中，RF功率被供應到下電極，而上電極被接地。在224，在該基板上沉積金屬介電膜。該金屬介電膜可在隨後的基板處理期間被作為硬遮罩。在一些範例中，該金屬介電膜包括鎢碳化物、鉭碳化物、鉭氮化物、釩碳化物等。
現參考圖3，顯示作為2 θ(度)之函數的強度(次數)。鎢碳化物膜具有相當小的晶體結構。在一範例中，該晶體結構為1.7nm +/- 0.2nm，有著100%的結晶度。
在一些範例中，該載氣為氬、該碳氫化合物前驅物氣體為CH4、且該鎢前驅物氣體為WF6。在一些範例中，該鎢前驅物氣體對該碳氫化合物前驅物氣體的部分分率大於20%。在一些範例中，WF6對CH4的部分分率大於20%。在一些範例中，製程壓力介於3 Torr與7 Torr之間。在一些範例中，製程壓力介於4 Torr與6 Torr之間。在一些範例中，製程壓力為5 Torr。
在一些範例中，高頻(HF)功率係以13.56MHz的頻率供應，但可使用其他的頻率。
在一些範例中，低頻(LF)功率係以小於或等於800kHz的頻率供應。在其他範例中，低頻功率係以小於或等於600kHz的頻率供應。在其他範例中，低頻功率係以小於或等於500kHz的頻率供應。在另外的其他範例中，低頻功率係以小於或等於400kHz的頻率供應。
在一些範例中，高頻射頻(RF)功率大於低頻RF功率。在一些範例中，高頻RF功率小於或等於2400W。在其他範例中，高頻RF功率小於或等於2200W。在另外的其他範例中，高頻RF功率為2000W。
在一些範例中，低頻(LF)RF功率小於或等於2000W。在其他範例中，低頻RF功率小於或等於1800W。在另外的其他範例中，低頻RF功率為1600W。在一些範例中，低頻RF功率比高頻功率小約20%。
下表闡述用於沉積鎢碳化物膜的製程參數之範例：
Figure 105106608-A0305-02-0011-1
Figure 105106608-A0305-02-0012-2
當沉積氮化物基膜及/或其他金屬時可使用相似的配方。
先前敘述僅係本質上地說明，而非意欲限制本發明、其應用或使用。本發明廣泛的教示可以各式各樣的形式執行。因此，即使本發明包含具體的例子，本發明的真正範圍不應如此受限制，因為一旦研讀圖式、說明書與下列之申請專利範圍，其他修改將變得顯而易見。如在此使用的語句「A、B和C其中至少一者」應解釋為使用非互斥邏輯符號OR的邏輯(A or B or C)，且不應解釋為「A中至少一者、B中至少一者、和C中至少一者」。須了解在不改變本發明的原則之下，能依不同的順序(或同時)執行一方法中一或更多的步驟。
在一些實施例中，控制器為系統的一部分，其可為前述範例之一部分。此種系統包含半導體處理設備，其包括：處理工具(或複數處理工具)、腔室(或複數腔室)、用以處理的工作台(或複數工具台)、及/或特定處理元件(例如晶圓支座、氣流系統等)。這些系統可與電子設備結合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、與之後，控制系統的操作。該等電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統(或複數系統)的各種元件或子部件。根據製程要求及/或系統的類型，可將控制器編程式，以控制本文中揭露之任何處理，包括處理氣體的輸送、溫度設定(例如加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、定位與操作設定、進出工具及連接至特定系統或與特定系統透過介面接合的其他傳送工具及/或負載鎖室之晶圓傳送。
廣泛而言，可將控制器定義為具有接收指令、發送指令、控制操作、允許清潔操作、允許終點量測等之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。該積體電路可包含儲存程式指令的韌體形式之晶片、數位信號處理器(DSPs)、定義為特殊應用積體電路(ASICs)之晶片、及/或執行程式指令(例如軟體)之一或更多的微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定(或程式檔案)之形式與控制器通訊的指令，其定義用以在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定製程的操作參數。在一些實施例中，該操作參數可為由製程工程師所定義之配方的部分，該配方係用以在一或更多的層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓之晶粒的製造期間，完成一或更多的處理步驟。
在一些實施例中，控制器可為電腦的部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、或透過網路連接至系統、或上述之組合。舉例而言，控制器係可位於「雲端」(in the“cloud”)、或為晶圓廠主機電腦系統的全部或部分，其可允許晶圓處理之遠端存取。該電腦能達成對該系統之遠端存取，以監視製造操作之目前製程、查看過去製造操作之歷史、查看來自多個製造操作之趨勢或性能指標，來改變目前處理之參數，以設定處理步驟來接續目前的處理、或開始新的製程。在一些範例中，遠端電腦(例如伺服器)可透過網路提供製程配方至系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含可達成參數及/或設定之輸入或編程的使用者介面，該等參數或設定接著自該遠端電腦傳送至該系統。在一些範例中，控制器接收資料形式之指令，在一或更多的操作期間，其針對待執行的處理步驟之每一者而指定參數。應瞭解，該等參數可特定於待執行之製程的類型、及工具(控制器係配置成透過介面與該工具接合 或控制該工具)的類型。因此，如上所述，控制器可分散，例如藉由包含一或更多的分離的控制器，其透過網路連接在一起並朝共同的目標而作業，例如本文所述之製程及控制。用於此類用途的分開之控制器的範例可為腔室上之一或更多的積體電路，其與位於遠端(例如為平台等級、或為遠端電腦的部分)之一或更多的積體電路連通，其結合以控制該腔室上的製程。
例示性系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、潔淨腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室或模組、及可與半導體晶圓之製造及/或生產有關或用於其中的任何其他半導體處理系統，但不限於此。
如上所述，依據待由工具執行之製程步驟(或複數製程步驟)，控制器可與下列一或多者通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具、其他工具介面、牽引工具、鄰近工具、遍及工廠的工具、主要電腦、另一控制器、或將晶圓之容器帶往或帶離半導體製造廠中的工具位置及/或載入埠的用於材料傳送之工具。
200‧‧‧方法
204‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
216‧‧‧步驟
220‧‧‧步驟
222‧‧‧步驟
224‧‧‧步驟

Claims (26)

  1. 一種在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，包含下列步驟：將基板設置於一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室中；供應一載氣至該PECVD處理腔室；供應一介電前驅物氣體至該PECVD處理腔室；供應一金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中產生電漿；並且使用PECVD，在低於500℃的製程溫度下在該基板上沉積鎢碳化物膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該金屬前驅物氣體包含鎢前驅物氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該鎢前驅物氣體包含WFa，其中a為大於或等於1的整數。
  4. 如申請專利範圍第2項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該鎢前驅物氣體包含雙(三級丁基亞胺基)-雙-(二甲基胺基)鎢(BTBMW)。
  5. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該載氣係選自由下列所組成之群組：氫分子(H2)、氬(Ar)、氮分子(N2)、氦(He)、及/或該者的組合。
  6. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該介電前驅物氣體包含碳氫化合物前驅物氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體包含CxHy，其中x為從2到10的整數，且y為從2到24的整數。
  8. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該介電前驅物氣體包含氮化物基的前驅物氣體。
  9. 如申請專利範圍第6項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體係選自由下列所組成之群組：甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環己烷、苯、及甲苯。
  10. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該鎢碳化物膜為奈米晶體。
  11. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中：該PECVD處理腔室包括第一電極，其設置成與一支座保持間隔關係；該支座包括第二電極；並且來自一電漿產生器的RF功率被供應到該第二電極，而該第一電極被接地。
  12. 如申請專利範圍第11項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該第一電極包括一噴淋頭。
  13. 如申請專利範圍第1項之在基板上沉積鎢碳化物膜的方法，其中該金屬前驅物氣體對該介電前驅物氣體的部分分率大於20%。
  14. 一種沉積鎢碳化物膜的方法，包含下列步驟：將基板設置於一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室中； 供應一載氣至該PECVD處理腔室；供應一介電前驅物氣體至該PECVD處理腔室；供應一金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中產生電漿；並且使用PECVD，在低於500℃的製程溫度下在該基板上沉積鎢碳化物膜；其中該PECVD處理腔室包括第一電極，其設置成與一支座保持間隔關係；其中該支座包括第二電極；並且其中來自一電漿產生器的RF功率被供應到該第二電極，而該第一電極被接地。
  15. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該金屬前驅物氣體包含鎢前驅物氣體。
  16. 如申請專利範圍第15項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該鎢前驅物氣體包含WFa，其中a為大於或等於1的整數。
  17. 如申請專利範圍第15項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該鎢前驅物氣體包含雙(三級丁基亞胺基)-雙-(二甲基胺基)鎢(BTBMW)。
  18. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該載氣係選自由下列所組成之群組：氫分子(H2)、氬(Ar)、氮分子(N2)、氦(He)、及/或該者的組合。
  19. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該介電前驅物氣體包含碳氫化合物前驅物氣體。
  20. 如申請專利範圍第19項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體包含CxHy，其中x為從2到10的整數，且y為從2到24的整數。
  21. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該介電前驅物氣體包含氮化物基的前驅物氣體。
  22. 如申請專利範圍第20項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該碳氫化合物前驅物氣體係選自由下列所組成之群組：甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環己烷、苯、及甲苯。
  23. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該鎢碳化物膜為奈米晶體。
  24. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該第一電極包括一噴淋頭。
  25. 如申請專利範圍第14項之沉積鎢碳化物膜的方法，其中該金屬前驅物氣體對該介電前驅物氣體的部分分率大於20%。
  26. 一種用於沉積鎢碳化物膜的基板處理系統，包含：一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室，其包含一支座；一氣體輸送系統，配置以選擇性地輸送下列至少一者：載氣、介電前驅物氣體、及金屬前驅物氣體；一電漿產生器，配置以在該PECVD處理腔室中選擇性地產生電漿；以及一控制器，配置以與該氣體輸送系統及該電漿產生器通訊，且進一步配置以： 供應載氣、介電前驅物氣體、及金屬前驅物氣體至該PECVD處理腔室；在該PECVD處理腔室中引發電漿；並且使用PECVD，在低於500℃的製程溫度下在基板上沉積鎢碳化物膜。
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