TWI715513B - 電感裝置 - Google Patents

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TWI715513B
TWI715513B TW109127421A TW109127421A TWI715513B TW I715513 B TWI715513 B TW I715513B TW 109127421 A TW109127421 A TW 109127421A TW 109127421 A TW109127421 A TW 109127421A TW I715513 B TWI715513 B TW I715513B
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顏孝璁
陳建祐
陳家源
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瑞昱半導體股份有限公司
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Abstract

一種電感裝置，其包括第一走線、第二走線、第三走線、第四走線、第一電容及第二電容。第一走線包括至少兩個子走線，至少兩個子走線的一端耦接於第一節點。第二走線包括至少兩個子走線，至少兩個子走線的一端耦接於第二節點。第三走線之一端耦接於第二走線，第三走線之另一端耦接於第一輸入輸出端。第四走線之一端耦接於第一走線，第四走線之另一端耦接於第二輸入輸出端。第一電容耦接於第一節點及第二節點之間。第二電容耦接於第一節點及第一輸入輸出端之間，或於第一節點及第二輸入輸出端之間，或於第一輸入輸出端及第二輸入輸出端之間。

Description

電感裝置
本案係有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種電感裝置。
射頻(Radio frequency, RF)裝置於運作時會產生兩倍頻諧波(harmonic)、三倍頻諧波…等等，上述諧波會對其餘電路產生不良影響。例如2.4GHz電路的兩倍頻諧波會產生5GHz訊號進而於集成電路(SOC)產生不良影響。
一般解決上述諧波對電路產生影響的方式，是在電路外部設置濾波器以感應相鄰元件的高頻訊號並可自行設計選擇需要的頻率以及不需要被濾除的頻率。然而，設置於電路外部的濾波器會影響到電路本身的性能和額外的費用，例如:設置於印刷電路板(Printed circuit board, PCB)的費用。
本案內容之一技術態樣係關於一種電感裝置，其包括第一走線、第二走線、第三走線、第四走線、第一電容及第二電容。第一走線包括至少兩個子走線，且至少兩個子走線的一端耦接於第一節點。第二走線包括至少兩個子走線，且至少兩個子走線的一端耦接於第二節點。第三走線與第一走線配置於第一側，第三走線之一端耦接於第二走線之至少兩個子走線其中一者，第三走線之另一端耦接於第一輸入輸出端。第四走線與第二走線配置於第二側，第四走線之一端耦接於第一走線之至少兩個子走線其中一者，第四走線之另一端耦接於第二輸入輸出端。第一電容耦接於第一節點及第二節點之間。第二電容耦接於第一節點及第一輸入輸出端之間，或耦接於第一節點及第二輸入輸出端之間，或耦接於第一輸入輸出端及第二輸入輸出端之間。
因此，根據本案之技術內容，本案實施例所示之電感裝置中的電容可形成一個低頻阻隔的功能，以使於電感裝置感應的低頻訊號無法通過而高頻訊號能直接通過。低頻訊號舉例而言，如2.4GHz主要操作頻率，藉由電感裝置之曲折的電感架構(folded inductor)對主要操作頻率的感應訊號進行相消，所以曲折的電感架構並不會影響電感操作頻率的特性，並且感應在曲折二線上的訊號會因反向而相消而若中央電感架構有高頻訊號，例如2倍諧波5GHz，則因高頻訊號電容為導通之故，使得高頻訊號由曲折的電感架構通過電容而形成一個繞圍一圈的感應電感，進而在本案主張之電感架構感應出相對應2.4GHz十倍以上的5GHz諧波訊號。使用者再把此5GHz訊號於電路中應用，例如放大訊號之後再把操作頻率的5GHz諧波進行相消，另其應用放大電路可為熟知電路設計者最佳化調整而定。如此，即可降低對5GHz之電路所產生的不良影響。
再者，由於本案將濾波器設置於電感裝置內，因此，不需於電感裝置外部設置濾波器，從而避免外部濾波器影響到電路本身的性能或是增加額外的費用。另外，本案實施例之電感裝置中的電容除可形成一個低頻濾除的功能(例如濾除二階諧波)外，更可藉由多個電容間的配置以將更高頻的訊號(例如四階諧波)藉由短路的方式導引濾除，以避免原先電路四階諧波的不良影響。
第1圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置1000的示意圖。為使第1圖之電感裝置1000易於理解，茲將第1圖之電感裝置1000的結構設計圖簡化為第2圖之電感裝置1000的示意圖。
請同時參閱第1圖及第2圖，電感裝置1000包括第一走線1100、第二走線1200、第三走線1300、第四走線1400、第一電容C1及第二電容C2。再者，第一走線1100包括至少兩個子走線1110、1120。第二走線1200包括至少兩個子走線1210、1220。
於一實施例中，至少兩個子走線1110、1120的一端(如下端)耦接於第一節點N1。至少兩個子走線1210、1220的一端(如下端)耦接於第二節點N2。第一電容C耦接於第一節點N1及第二節點N2之間。
此外，第一走線1100與第三走線1300配置於電感裝置1000的第一側。舉例而言，第一走線1100與第三走線1300皆配置於電感裝置1000的左側，且第三走線1300設置於第一走線1100之外側。第三走線1300之一端耦接於第二走線1200之至少兩個子走線1210、1220其中一者，第三走線1300之另一端耦接於第一輸入輸出端IO1。
另外，第二走線1200與第四走線1400配置於電感裝置1000的第二側。舉例而言，第二走線1200與第四走線1400皆配置於電感裝置1000的右側，且第四走線1400設置於第二走線1200之外側。此外，第四走線1400之一端耦接於第一走線1100之至少兩個子走線1110、1120其中一者，第四走線1400之另一端耦接於第二輸入輸出端IO2。在一實施例中，上述第一側與第二側位於電感裝置1000的相對兩側。
再者，第一電容C1耦接於第一節點N1及第二節點N2之間。第二電容C2則耦接於第一節點N1及第一輸入輸出端IO1之間。如此一來，當低頻訊號欲由第一節點N1往第二節點N2傳輸時，將被第一電容C1所阻擋，例如2.4GHz之訊號會被第一電容C1所阻擋。此外，當高頻訊號欲由第一節點N1往第二節點N2傳輸時，則可透過第一電容C1進行傳輸，例如5GHz之訊號可由第一節點N1透過第一電容C1傳輸到第二節點N2。再者，若更高頻的訊號欲由第一節點N1往第二節點N2傳輸，則會透過第二電容C2形成短路，而將更高頻的訊號導引到第一輸入輸出端IO1濾除，例如10GHz之訊號會被第二電容C2導引濾除。
於一實施例中，第一走線1100之至少兩個子走線1110、1120的每一者包括U型子走線。舉例而言，子走線1110、1120皆為U型之子走線。此外，第二走線1200的至少兩個子走線1210、1220的每一者亦包括U型子走線。舉例而言，子走線1210、1220皆為U型之子走線。此外，第三走線1300包括U型走線，第四走線1400包括U型走線。然本案不以第2圖之實施例為限，在其餘實施例中，走線及子走線亦可為其它適當之形狀，端視實際需求而定。
於另一實施例中，第一走線1100、第二走線1200、第三走線1300及第四走線1400於第三側(如上側)交錯耦接(crossing)。於一實施例中，第一電容C1及第二電容C2位於第四側(如下側)。此外，上述第三側與第四側係位於電感裝置1000相對之兩側。
於一實施例中，如第1圖及第2圖所示，電感裝置1000更包括第三電容C3。第三電容C3耦接於第二節點N2及第二輸入輸出端IO2之間。如此一來，當低頻訊號欲由第二節點N2往第一節點N1傳輸時，將被第一電容C1所阻擋。當高頻訊號欲由第二節點N2往第一節點N1傳輸時，則可透過第一電容C1進行傳輸。再者，若更高頻的訊號欲由第二節點N2往第一節點N1傳輸，則會透過第三電容C3形成短路，而將更高頻的訊號導引到第二輸入輸出端IO2濾除，例如10GHz之訊號會被第三電容C3導引濾除。
請同時參閱第1圖及第2圖，第一走線1100包括第一子走線1110及第二子走線1120。再者，第一子走線1110及第二子走線1120皆包括第一端及第二端。如圖所示，第一子走線1110的第二端(如下端)耦接於第二子走線1120的第二端(如下端)。
此外，第二走線1200包括第三子走線1210及第四子走線1220。再者，第三子走線1210及第四子走線1220皆包括第一端及第二端。如圖所示，第三子走線1210的第二端(如下端)耦接於第四子走線1220的第二端(如下端)。
請同時參閱第1圖及第2圖，第三走線1300包括第五子走線1310及第六子走線1320。再者，第五子走線1310及第六子走線1320皆包括第一端及第二端。如圖所示，第五子走線1310的第一端(如上端)耦接於第四子走線1220之第一端(如上端)。第六子走線1320的第一端(如上端)耦接於第三子走線1210之第一端(如上端)。此外，第六子走線1320的第二端(如下端)耦接於第一輸入輸出端IO1。再者，第六子走線1320的第二端(如下端)透過第二電容C2耦接於第一節點N1。在一實施例中，第一輸入輸出端IO1不耦接於第五子走線1310。
請同時參閱第1圖及第2圖，第四走線1400包括第七子走線1410及第八子走線1420。再者，第七子走線1410及第八子走線1420皆包括第一端及第二端。如圖所示，第七子走線1410的第一端(如上端)耦接於第二子走線1120之第一端(如上端)，第七子走線1410的第二端(如下端)耦接於第二輸入輸出端IO2。再者，第七子走線1410的第二端(如下端)透過第三電容C3耦接於第二節點N2。第八子走線1420的第一端(如上端)耦接於第一子走線1110之第一端(如上端)，第八子走線1420的第二端(如下端)耦接於第五子走線1310之第二端(如下端)。在一實施例中，第二輸入輸出端IO2不耦接於第八子走線1420。
在另一實施例中，電感裝置1000更包括中央抽頭端1500。中央抽頭端1500設置並耦接於於第三走線1300及第四走線1400之交界處。需說明的是，本案不以第2圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第3圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置1000A的示意圖。相較於第2圖所示之電感裝置1000，第3圖之電感裝置1000A的第二電容C2及第三電容C3之耦接方式不同。如第3圖所示，第二電容C2耦接於第一節點N1及第二輸入輸出端IO2之間，且第三電容C3耦接於第二節點N2及第一輸入輸出端IO1之間。需說明的是，於第3圖之實施例中，元件標號類似於第2圖中的元件標號者，具備類似的結構特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第3圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第4圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置1000B的示意圖。相較於第2圖所示之電感裝置1000，第4圖之電感裝置1000B的第二電容C2耦接方式不同。如第4圖所示，第二電容C2耦接於第一輸入輸出端IO1及第二輸入輸出端IO2之間。需說明的是，於第4圖之實施例中，元件標號類似於第2圖中的元件標號者，具備類似的結構特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。此外，本案不以第4圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第5圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置1000C的示意圖。相較於第1圖所示之電感裝置1000，第5圖之電感裝置1000C的內部可配置一個電感5000C。需說明的是，於第5圖之實施例中，元件標號類似於第1圖中的元件標號者，具備類似的結構特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。再者，本案不以第5圖之實施例為限，在其餘實施例中，電感裝置1000C的內部可配置其餘型態、種類之電感，端視實際需求而定。此外，本案不以第5圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第6圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。相較於第5圖將電感5000C配置於電感裝置1000C之內，第6圖係將電感裝置1000D配置於電感5000D之內。需說明的是，於第6圖之實施例中，元件標號類似於第5圖中的元件標號者，具備類似的結構特徵，為使說明書簡潔，於此不作贅述。再者，本案不以第6圖之實施例為限，在其餘實施例中，電感5000D的內部可配置其餘型態、種類之電感裝置，例如配置第1圖至第4圖所示之電感裝置1000~1000B，端視實際需求而定。此外，本案不以第6圖所示之結構為限，其僅用以例示性地繪示本案的實現方式之一。
第7圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的實驗數據示意圖。如圖所示，採用本案之架構配置，其S參數(散射參數)之實驗曲線為E1、E2，曲線E1為電感裝置採用相同電容值之電容的實驗曲線，舉例而言，電感裝置的所有電容等皆採用330fF(法拉)。曲線E2則為電感裝置採用不同電容值之電容的實驗曲線，舉例而言，電感裝置的部分電容採用330fF，而部分電容採用150fF。由圖中可知，無論是曲線E1或曲線E2，均可有效濾除2.4GHz處之訊號，並讓5GHz處之訊號通過。再者，如圖所示，無論是曲線E1或曲線E2，於8GHz以上之訊號均往下降，因此，採用本案之架構配置可進一步濾除8GHz以上之訊號，例如可有效濾除10GHz處之訊號。
由上述本案實施方式可知，應用本案具有下列優點。本案實施例所示之電感裝置可感應中央電感(如第5圖之電感5000C)的高頻訊號，例如二階諧波，於額外的電路放大後，以相消原先電路二階諧波的不良影響。舉例而言，藉由電感裝置之電容主要使用於讓高頻通過和阻擋低頻的功效，如此，即可讓同一個電感裝置相對於高低頻有二種不同的訊號感應方式。
再者，由於本案將濾波器設置於積體電路(integrated circuit,IC)內，因此，不需於電感裝置外部設置濾波器，從而避免外部濾波器影響到電路本身的性能以及其額外的費用。另外，本案實施例之電感裝置中的電容除可形成一個低頻濾除的功能(例如濾除二階諧波)外，更可藉由多個電容間的配置以將更高頻的訊號(例如四階諧波)藉由短路的方式導引濾除，以避免原先電路四階諧波的不良影響。
1000、1000A~1000D:電感裝置 1100、1100A~1100C:第一走線 1110、1110A~1110C:第一子走線 1120、1120A~1120C:第二子走線 1200、1200A~1200C:第二走線 1210、1210A~1210C:第三子走線 1220、1220A~1220C:第四子走線 1300、1300A~1300C:第三走線 1310、1310A~1310C:第五子走線 1320、1320A~1320C:第六子走線 1400、1400A~1400C:第四走線 1410、1410A~1410C:第七子走線 1420、1420A~1420C:第八子走線 1500、1500A~1500C:中央抽頭端 5000C、5000D:電感 C1、C2、C3:電容 E1、E2:曲線 IO1、IO2:輸入輸出端 N1:第一節點 N2:第二節點
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第2圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第3圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第4圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第5圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第6圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的示意圖。 第7圖係依照本揭露一實施例繪示一種電感裝置的實驗數據示意圖。 根據慣常的作業方式，圖中各種特徵與元件並未依比例繪製，其繪製方式是為了以最佳的方式呈現與本揭露相關的具體特徵與元件。此外，在不同圖式間，以相同或相似的元件符號來指稱相似的元件/部件。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
1000:電感裝置
1100:第一走線
1110、1120:子走線
1200:第二走線
1210、1220:子走線
1300:第三走線
1310、1320:子走線
1400:第四走線
1410、1420:子走線
1500:中央抽頭端
C1、C2、C3:電容
IO1、IO2:輸入輸出端
N1:第一節點
N2:第二節點

Claims (10)

  1. 一種電感裝置，包括： 一第一走線，包括至少兩個子走線，其中該至少兩個子走線的一端耦接於一第一節點； 一第二走線，包括至少兩個子走線，其中該至少兩個子走線的一端耦接於一第二節點； 一第三走線，與該第一走線配置於一第一側，其中該第三走線之一端耦接於該第二走線之該至少兩個子走線其中一者，該第三走線之另一端耦接於一第一輸入輸出端； 一第四走線，與該第二走線配置於一第二側，其中該第四走線之一端耦接於該第一走線之該至少兩個子走線其中一者，該第四走線之另一端耦接於一第二輸入輸出端； 一第一電容，耦接於該第一節點及該第二節點之間；及 一第二電容，耦接於該第一節點及該第一輸入輸出端之間，或耦接於該第一節點及該第二輸入輸出端之間，或耦接於該第一輸入輸出端及該第二輸入輸出端之間。
  2. 如請求項1所述之電感裝置，更包括： 一第三電容，耦接於該第二節點及該第一輸入輸出端之間，或耦接於該第二節點及該第二輸入輸出端之間，其中該第二電容耦接於該第一節點及該第一輸入輸出端之間，且該第三電容耦接於該第二節點及該第二輸入輸出端之間。
  3. 如請求項2所述之電感裝置，其中該第一走線之該至少兩個走線包括： 一第一子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端；以及 一第二子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端，與該第一子走線之該第二端耦接於該第一節點； 其中該第二走線之該至少兩個走線包括： 一第三子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端；以及 一第四子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端，與該第三子走線之該第二端耦接於該第二節點。
  4. 如請求項3所述之電感裝置，其中該第三走線包括： 一第五子走線，包括： 一第一端，耦接於該第四子走線之該第一端；以及 一第二端；以及 一第六子走線，包括： 一第一端，耦接於該第三子走線之該第一端；以及 一第二端，耦接於該第一輸入輸出端，並透過該第二電容耦接於該第一節點； 其中該第四走線之該至少兩個走線包括： 一第七子走線，包括： 一第一端，耦接於該第二子走線之該第一端；以及 一第二端，耦接於該第二輸入輸出端，並透過該第三電容耦接於該第二節點；以及 一第八子走線，包括： 一第一端，耦接於該第一子走線之該第一端；以及 一第二端，耦接於該五子走線之該第二端。
  5. 如請求項1所述之電感裝置，更包括： 一第三電容，耦接於該第二節點及該第一輸入輸出端之間，或耦接於該第二節點及該第二輸入輸出端之間，其中該第二電容耦接於該第一節點及該第二輸入輸出端之間，且該第三電容耦接於該第二節點及該第一輸入輸出端之間。
  6. 如請求項5所述之電感裝置，其中該第一走線之該至少兩個走線包括： 一第一子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端；以及 一第二子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端，與該第一子走線之該第二端耦接於該第一節點； 其中該第二走線之該至少兩個走線包括： 一第三子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端；以及 一第四子走線，包括： 一第一端；以及 一第二端，與該第三子走線之該第二端耦接於該第二節點。
  7. 如請求項6所述之電感裝置，其中該第三走線包括： 一第五子走線，包括： 一第一端，耦接於該第四子走線之該第一端；以及 一第二端；以及 一第六子走線，包括： 一第一端，耦接於該第三子走線之該第一端；以及 一第二端，耦接於該第一輸入輸出端，並透過該第三電容耦接於該第二節點； 其中該第四走線之該至少兩個走線包括： 一第七子走線，包括： 一第一端，耦接於該第二子走線之該第一端；以及 一第二端，耦接於該第二輸入輸出端，並透過該第二電容耦接於該第一節點；以及 一第八子走線，包括： 一第一端，耦接於該第一子走線之該第一端；以及 一第二端，耦接於該五子走線之該第二端。
  8. 如請求項1所述之電感裝置，其中該第一走線之該至少兩個子走線的每一者包括U型子走線，其中該第二走線的該至少兩個子走線的每一者包括U型子走線，其中該第三走線包括U型走線，其中該第四走線包括U型走線。
  9. 如請求項1所述之電感裝置，其中該第三走線設置於該第一走線之外側，其中該第四走線設置於該第二走線之外側，其中該第一側與該第二側係位於該電感裝置相對之兩側。
  10. 如請求項1所述之電感裝置，其中該第一走線、該第二走線、該第三走線及該第四走線於一第三側交錯耦接，其中該第一電容及該第二電容位於一第四側，其中該第三側與該第四側係位於該電感裝置相對之兩側。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11869700B2 (en) 2019-09-11 2024-01-09 Realtek Semiconductor Corporation Inductor device
US11901399B2 (en) 2019-09-11 2024-02-13 Realtek Semiconductor Corporation Enhanced sensing coil for semiconductor device
TWI831083B (zh) * 2021-11-17 2024-02-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
CN115188559B (zh) * 2022-09-08 2022-12-09 东南大学 一种基于折纸结构的mems电感

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645426B (zh) * 2018-03-07 2018-12-21 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6577219B2 (en) * 2001-06-29 2003-06-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multiple-interleaved integrated circuit transformer
JP4318417B2 (ja) * 2001-10-05 2009-08-26 ソニー株式会社 高周波モジュール基板装置
US8169185B2 (en) * 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
US7589392B2 (en) * 2006-06-16 2009-09-15 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Filter having integrated floating capacitor and transient voltage suppression structure and method of manufacture
TWI341538B (en) * 2007-01-24 2011-05-01 Via Tech Inc Symmetrical differential inductor
US8242872B2 (en) * 2007-05-18 2012-08-14 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Transformer with effective high turn ratio
TWI371766B (en) * 2007-12-26 2012-09-01 Via Tech Inc Inductor structure
US7576607B2 (en) * 2008-01-03 2009-08-18 Samsung Electro-Mechanics Multi-segment primary and multi-turn secondary transformer for power amplifier systems
CN101483418B (zh) * 2008-01-10 2011-08-17 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 滤波器布线及其设计方法
NZ575304A (en) * 2009-03-03 2011-02-25 Eaton Ind Co Series resonant power convertor with composite spiral wound inductor/capacitor
JP5131260B2 (ja) * 2009-09-29 2013-01-30 株式会社村田製作所 積層型コイル装置
US8552812B2 (en) * 2010-12-09 2013-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transformer with bypass capacitor
KR101196842B1 (ko) * 2011-11-08 2012-11-01 숭실대학교산학협력단 나선형 인덕터를 이용한 ｌｃ 회로의 제어 장치
TW201342402A (zh) * 2012-04-06 2013-10-16 Realtek Semiconductor Corp 晶載式多繞組變壓器
JP5912808B2 (ja) * 2012-04-25 2016-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN108028248B (zh) * 2015-07-17 2020-12-25 无锡中感微电子股份有限公司 低共模耦合效应的集成电路
WO2017110952A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社村田製作所 コイル内蔵部品
CN105933011B (zh) * 2016-03-28 2019-03-26 豪威科技(上海)有限公司 功率合成器
US10522282B2 (en) * 2017-04-07 2019-12-31 Realtek Semiconductor Corp. High isolation integrated inductor and method thereof
TWI634570B (zh) * 2017-06-19 2018-09-01 瑞昱半導體股份有限公司 非對稱式螺旋狀電感
CN107731793B (zh) * 2017-09-14 2019-12-17 建荣半导体（深圳）有限公司 一种半导体片上集成的8字形电感结构及半导体结构
CN108511174A (zh) * 2017-12-25 2018-09-07 宁波微鹅电子科技有限公司 一种线圈模组、无线电能发射电路及接收电路
TWI645429B (zh) * 2018-01-29 2018-12-21 瑞昱半導體股份有限公司 變壓器結構
US10862424B2 (en) * 2018-02-07 2020-12-08 Mediatek Inc. Parallel-based switching inductor device
NL2021654B1 (en) * 2018-09-18 2020-05-07 Prodrive Tech Bv Balun transformer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645426B (zh) * 2018-03-07 2018-12-21 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置

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