TWI711879B - 控制裝置、微影蝕刻設備和物件的製造方法 - Google Patents

控制裝置、微影蝕刻設備和物件的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供控制裝置，該控制裝置透過向控制對象提供前饋操縱值來進行控制對象的位置控制，其中，所述裝置針對所述控制對象將被配置的複數個位置中的各位置，獲得當向所述控制對象提供第一操縱值時獲得的所述控制對象的第一輸出回應的測量結果；基於在所述複數個位置處分別獲得的所述測量結果，確定所述第一輸出回應的基準值；基於所述第一操縱值與所述基準值之間的關係，透過按時間序列排列複數個第一操縱值以確定第二操縱值；及基於所述第二操縱值以設置所述前饋操縱值。

Description

控制裝置、微影蝕刻設備和物件的製造方法
本發明涉及一種控制裝置、微影蝕刻設備和物件的製造方法。
在用於製造半導體裝置等的微影蝕刻設備中，在生產量方面有利的是，快速減小當諸如保持原版或基板的載台(stage)的控制對象(要控制的對象)移動到目標位置時的控制偏差。日本特許第5968017號公報提出了，當將諸如脈衝信號的預定操縱值(操作量)提供給載台時測量載台(控制對象)的回應，及基於測量結果，產生要提供給載台的前饋操縱值，以減小控制偏差。透過將以這種方式產生的前饋操縱值提供給載台並進行載台的位置控制，可以快速減小移動到目標位置的載台的控制偏差並縮短穩定時間(settling time)。
在微影蝕刻設備中，存在載台要移動到的複數個目標位置，及在複數個目標位置處，當將預定的操縱值提供給載台時獲得的載台的回應可能彼此不同。因此，當根據在一個位置將預定操縱值提供給載台時獲得的載台的回應的測量結果來產生前饋操縱值時，取決於目標位置，可能難以透過使用該前饋操縱值來快速地減小載台的控制偏差。
本發明提供了一種有利於例如快速減小控制對象的控制偏差的技術。
根據本發明的一個態樣，提供了一種控制裝置，其透過向控制對象提供前饋操縱值來進行控制對象的位置控制，其中，所述控制裝置被構造為：針對控制對象將被配置的複數個位置中的各位置，獲得當向控制對象提供第一操縱值時獲得的控制對象的第一輸出回應的測量結果；基於在所述複數個位置處分別獲得的測量結果，確定第一輸出回應的基準值；透過按時間序列排列複數個第一操縱值並將所述複數個第一操縱值中的各第一操縱值乘以係數來確定第二操縱值，其中，調整係數使得當向控制對象提供第二操縱值時預測的控制對象的第二輸出回應與目標回應之間的差值落在允許範圍內，及基於第一操縱值與基準值之間的關係預測第二輸出回應；及基於第二操縱值來設置前饋操縱值。
根據下面參照附圖對示例性實施例的描述，本發明的其他特徵將變得顯而易見。
下面將參照附圖描述本發明的示例性實施例。注意，在所有附圖中，相同的附圖標記表示相同的構件，並且將不給出其重複描述。
在以下實施例中，將描述將本發明應用於將光罩(原版)的圖案轉印到基板上的曝光設備的示例，但是本發明不限於此。例如，本發明可以應用於其他微影蝕刻設備，例如使用模具在基板上形成壓印材料圖案的壓印設備，或者透過用帶電粒子束照射基板來在基板上形成圖案的繪圖設備。此外，本發明不限於微影蝕刻設備，及可以應用於任何設備，只要其定位控制對象即可。另外，在以下實施例中，可以在保持基板的同時移動的基板台被描述為控制對象，但是即使當假設可以在保持光罩(原版)等的同時移動的光罩台是控制對象時，也可以應用本發明。
＜第一實施例＞ 將描述根據本發明的第一實施例的曝光設備1。圖1是示意性地示出該實施例的曝光設備1的配置的圖。曝光設備1是透過步進掃描方法將光罩(原版)的圖案轉印到基板上的掃描曝光設備。然而，也可以將步進重複方法或其他曝光方法應用於曝光設備1。
曝光設備1包括：照明光學系統104，其利用來自光源102的光照射光罩106；光罩台108，其可以在保持光罩106的同時移動；以及投影光學系統110，其將光罩106的圖案投射到基板上。曝光設備1還包括可在保持基板112的同時移動的基板台114、移動鏡116、雷射干涉儀118和控制裝置120。
作為光源102，可以使用諸如波長為約365 nm的I-線光源、波長為約248nm的KrF準分子雷射或波長為193nm的ArF準分子雷射等光源。然而，光源102的類型和光源102的數量沒有特別限制，例如，可以使用波長為約157nm的F2 雷射作為光源102。
照明光學系統104是利用來自光源102的光照射光罩106的光學系統。照明光學系統104包括用於整形來自光源102的光的形狀的光束整形光學系統、用於形成用於以均勻的照度分佈照射光罩106的複數個二次光源的光學積分器等。
光罩106具有要轉印到基板112上的圖案，並由光罩台108保持和驅動。由光罩106(的圖案)繞射的光經由投影光學系統110投射到基板112上。光罩106和基板112以光學共軛關係配置。由於曝光設備1是步進掃描曝光設備，因此它透過同步掃描光罩106和基板112來將光罩106的圖案轉印到基板112上。
光罩台108包括用於保持(夾持)光罩106的光罩卡盤，及被構造為在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向和各軸的旋轉方向上可移動。這裡，假設光罩106或基板112的平面中的掃描方向是Y軸，假設與Y軸垂直的方向是X軸，及假設與光罩106或基板112垂直的平面的方向是Z軸。
投影光學系統110是將光罩106的圖案投射到基板112上的光學系統。作為投影光學系統110，可以使用折射系統、反射折射系統或反射系統。
基板112是光罩106的圖案被投射(轉印)到其上的基板。將抗蝕劑(光敏劑)應用到基板112。基板112包括晶片、玻璃板或任何其他基板。
基板台114包括用於保持(夾持)基板112的基板卡盤，並且被構造為可在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向和各軸的旋轉方向上移動。移動鏡116固定到基板台114，並且雷射干涉儀118使用移動鏡116檢測基板台114的位置和速度。也就是說，雷射干涉儀118可以用作測量基板台114的位置和速度的測量單元。測量單元可包括複數個雷射干涉儀118，使得可以測量基板台114在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向和各軸的旋轉方向上的位置和速度。
控制裝置120由例如包括CPU和記憶體126的電腦(資訊處理裝置)形成，並控制(整個)曝光設備1的操作。例如，控制裝置120執行作為控制對象的基板台114的位置控制，並控制與光罩台108和基板台114的同步掃描相關的操作。控制裝置120的記憶體126是儲存單元，其儲存與基板台114的控制相關的資料。在該實施例中，記憶體126儲存由稍後將描述的前饋控制器124提供給基板台114的前饋操縱值等。
在曝光設備中，通常，僅可以進行基板台114的回饋控制，以便減小基板台114的當前位置與目標位置之間的偏差。圖2A是示出僅進行回饋控制時獲得的基板台114的時間序列位置的曲線圖，並且圖2B是示出此時的時間序列位置控制偏差(即，基板台114的當前位置與目標位置之間的偏差)的曲線圖。在圖2A中，縱座標表示基板台114的位置，橫座標表示時間。在圖2B中，縱座標表示基板台114的位置控制偏差，橫座標表示時間。在以下描述中，基板台114的位置控制偏差可以簡稱為“控制偏差”。
參照圖2A，可以看出基板台114在時間0開始移動並在大約時間300到達目標位置。然而，如圖2B所示，在大約時間300，基板台114的控制偏差保持很大，並且不能說基板台114已完全到達目標位置。用於製造半導體裝置的曝光設備需要具有奈米量級的準確度以便定位基板台。因此，在這種情況下，可以開始曝光處理的時間是在基板台114的控制偏差穩定的時間450之後，這在生產量方面是不利的。
因此，除了用於進行基板台114的回饋控制的回饋控制器122之外，該實施例的控制裝置120還包括用於進行基板台114的前饋控制的前饋控制器124。回饋控制器122執行基板台114的回饋控制，以減小基板台114的當前位置(輸出回應)與目標位置(目標值)之間的偏差。前饋控制器(FF控制器)124透過向作為控制對象的基板台114提供前饋操縱值來執行基板台114的前饋控制，使得基板台114的輸出回應變為目標值(目標資料)。
圖3是示出該實施例中的基板台114的位置控制的方塊圖。減法器202計算由包括上述雷射干涉儀118的測量單元204測量的基板台114的當前位置與目標位置r之間的偏差e，並將偏差e輸出到FB控制器122。FB控制器122包括例如PID補償器並獲得用於驅動基板台114的回饋操縱值，以便減小由減法器202計算的偏差(例如，為零)並將獲得的回饋操縱值提供給基板台114。另一方面，FF控制器124透過加法器206將用於減小基板台114的控制偏差的前饋操縱值i與回饋操縱值相加，並將其提供給基板台114。
接下來，將參照圖4描述確定要由FF控制器124提供給基板台114的前饋操縱值的方法。圖4是示出確定前饋操縱值的方法的流程圖。圖4中所示的各步驟可以由控制裝置120執行。在下文中，前饋操縱值可以被稱為“FF操縱值”，並且回饋操縱值可以被稱為“FB操縱值”。
在步驟S11中，控制裝置120將第一操縱值提供給配置在目標位置處的基板台114，並使測量單元204測量此時的基板台114的位置的輸出回應(第一輸出回應)。在該實施例中，如圖5A所示的脈衝信號被用作第一操縱值，但是諸如步進信號或斜坡信號的另一信號可以用作第一操縱值。在圖5A中，縱座標表示操縱值(振幅)，橫座標表示時間。圖5B是示出當將圖5A中所示的脈衝信號作為第一操縱值提供給基板台114時由測量單元204測量的基板台114的時間序列位置(輸出回應)的曲線圖。在圖5B中，縱座標表示基板台114的位置，橫座標表示時間。如圖5B所示的基板台114的輸出回應也稱為“脈衝回應”。
在步驟S12中，控制裝置120確定是否已經針對複數個目標位置中的各目標位置獲得了基板台114的輸出回應的測量結果。例如，當將光罩106的圖案轉印到基板上的照射區域時，目標位置可以被設置在要配置基板台114的位置處。在這種情況下，可以設置複數個目標位置以包括用於在基板上的複數個照射區域上進行圖案形成的基板台114的所有位置。可選地，可以設置複數個目標位置，以便僅包括用於在基板上的複數個照射區域中的幾個照射區域(樣品照射區域)上進行圖案形成的基板台114的位置。在步驟S12中，如果針對複數個目標位置中的各目標位置獲得輸出回應的測量結果，則處理進入步驟S13。另一方面，如果存在尚未獲得輸出回應的測量結果的任何目標位置，則處理返回到步驟S11，並且將基板台114配置在目標位置處以測量輸出回應。
在步驟S13中，控制裝置120基於在複數個目標位置中的各目標位置處獲得的輸出回應的測量結果，確定當將第一操縱值(例如，脈衝信號)提供給基板台114時獲得的輸出回應的基準值(代表值、指定值)。在稍後描述的步驟S14和S15中，控制裝置120可以設置在複數個目標位置處共同使用的FF操縱值，或者可以針對複數個目標位置中的各目標位置單獨地設置FF操縱值。當設置在複數個目標位置處共同使用的FF操縱值時，控制裝置120可以將在複數個目標位置處獲得的輸出回應的測量結果的平均值(指示每次的平均值的資料)確定為基準值。代替輸出回應的測量結果的平均值，控制裝置120可以將測量結果的最大值、最小值、中值等確定為基準值。當針對各目標位置單獨地設置FF操縱值時，控制裝置120可以將在複數個目標位置處獲得的輸出回應的測量結果的平均值等確定為基準值，但是它可以針對各目標位置單獨地確定基準值。例如，控制裝置120可以將在複數個目標位置處獲得的輸出回應的測量結果當中的在要為其確定FF操縱值的目標位置處獲得的輸出回應的測量結果確定(選擇)作為基準值。
在步驟S14中，控制裝置120基於第一操縱值(脈衝信號)與在步驟S13中確定的輸出回應的基準值之間的關係來確定第二操縱值。第二操縱值是透過將第一操縱值乘以係數(增益)來組合(耦合)第一操縱值和係數而獲得的操縱值，該係數(增益)可以在多次中的每一次都不同。換句話說，第二操縱值是透過按時間序列排列複數個第一操縱值並將複數個第一操縱值中的各第一操縱值乘以係數而確定的操縱值。基於第一操縱值和基準值以線性關係變化的假設，控制裝置120預測當將第二操縱值提供給基板台114時可獲得的基板台114的輸出回應(第二輸出回應)。然後，進行用於每次調整係數的近似計算，使得基板台114的預測輸出回應與目標回應之間的差值落入允許範圍內(較佳地，差值變為零)，從而確定第二操縱值。
目標回應例如是與僅進行回饋控制時獲得的基板台114相對各時間的控制偏差(圖2B中所示的曲線圖)。目標回應可以包括在從基板台114到達目標位置的時間(圖2B中的時間300)到基板台114的穩定時間(圖2B中的時間450)的時段中的基板台114的輸出回應(控制偏差)。然而，目標回應不限於從到達時間到穩定時間的時段，並且可以包括在其他時段中的基板台114的輸出回應。
存在這樣的情況：由於在向其提供第一操縱值時獲得的基板台114的輸出回應(例如，脈衝回應)中包括的高頻分量，該誤差在用於確定第二操縱值的近似計算中不會收斂，因此不能正確地獲得第二操縱值。在這種情況下，控制裝置120可以將諸如低通濾波器或窗函數的濾波處理應用於基板台114的輸出回應。
在步驟S15中，控制裝置120基於在步驟S14中確定的第二操縱值來設置FF操縱值。例如，控制裝置120將用於減小在步驟S14中確定的第二操縱值的操縱值設置為FF操縱值。更具體地，透過反向(反轉)在步驟S14中確定的第二操縱值的操縱方向(即，基板台114將被驅動的方向)而獲得的操縱值被設置為FF操縱值。透過將如此設置的FF操縱值與回饋操縱值一起提供給基板台114，可以減小(抵消)可以保留在回饋控制中的基板台114的控制偏差。也就是說，可以縮短基板台114的穩定時間。注意，在日本特許第5968017號公報中描述了用於在步驟S14中確定第二操縱值並在步驟S15中設置FF操縱值的具體方法。
如上所述，該實施例的控制裝置120針對複數個目標位置中的各目標位置獲得當將第一操縱值提供給配置在目標位置處的基板台114時獲得的基板台114的輸出回應的測量結果。然後，基於針對複數個目標位置中的各目標位置獲得的測量結果確定基板台114的輸出回應的基準值，並且基於所確定的基準值，設置用於減小基板台114的控制偏差的FF操縱值。透過將如此設置的FF操縱值與FB操縱值一起提供給基板台114來進行基板台114的位置控制，控制裝置120可以縮短基板台114的穩定時間。
在該實施例中，已經描述了使用回饋控制和前饋控制來進行基板台114的位置控制的示例，但是可以在不使用回饋控制的情況下僅進行前饋控制。例如，在不對基板台114移動到目標位置時獲得的控制偏差進行回饋控制的情況下，控制裝置120透過上述方法設置FF操縱值，以減小控制偏差。然後，控制裝置120可以透過將設置的FF操作值提供給基板台114(即，不提供FB操縱值)來進行基板台114的位置控制。
＜第二實施例＞ 將描述根據本發明的第二實施例的曝光設備。由於本實施例的曝光設備具有與第一實施例的曝光設備1相同的配置，因此將省略對設備的配置的描述。
在曝光設備(微影蝕刻設備)中，希望準確且快速地將諸如保持原版或基板等的載台的控制對象移動到目標位置。透過使用如第一實施例中所述的那樣設置的FF操縱值來進行載台(基板台114)的位置控制，可以在寬帶上準確且快速地減小基板台114的控制偏差。然而，在曝光設備1中，當設備中的部件(例如，安裝在基板台114上的電纜和管道)隨時間劣化時，在向基板台114提供第一操縱值時獲得的基板台114的輸出回應(即，脈衝回應)可能會改變。在這種情況下，如果在不更新的情況下使用FF操縱值，則可能難以準確且快速地減小基板台114的控制偏差。因此，本實施例的曝光設備1獲得關於當透過提供FF操縱值來進行基板台114的位置控制時獲得的控制偏差的評估值，及當評估值等於或大於臨限值時更新FF操縱值。
圖6是示出將光罩106的圖案轉印到基板112上的複數個照射區域中的各照射區域上的處理(曝光處理)和FF操縱值的更新處理的流程圖。這裡，與第一實施例中一樣，本實施例中的複數個目標位置中的各目標位置可以是當在基板112上的複數個照射區域中的各照射區域上進行圖案形成時要配置基板台114的位置。在該實施例中，將描述確定是否更新各基板的FF操縱值的示例。然而，本發明不限於此，並且可以針對例如每批進行確定。
步驟S21至S24用於對基板112上的各照射區域進行曝光處理。在步驟S21至S24中，控制裝置120透過將預設的FF操縱值與預設的FB操縱值一起提供給基板台114來進行基板台114的位置控制，並將在此期間由測量單元204測量的控制偏差儲存在記憶體126中。
在步驟S21中，為了將複數個照射區域當中的一照射區域配置成要在投影光學系統110下方進行曝光處理(以下稱為目標照射區域)，控制裝置120將基板台114移動到目標照射區域的目標位置。在步驟S22中，控制裝置120確定基板台114的控制偏差是否已經穩定(即，控制偏差是否在允許範圍內)。如果確定控制偏差已經穩定，則處理進入步驟S23。如果確定控制偏差尚未穩定，則重複步驟S22。在步驟S23中，控制裝置120曝光目標照射區域並將光罩106的圖案轉印到目標照射區域上(曝光處理)。在步驟S24中，控制裝置120確定未經歷曝光處理的任何照射區域(未處理的照射區域)是否在基板112上。如果存在任何未處理的照射區域，則處理返回到步驟S21，並且在將未處理的照射區域之一設置為目標照射區域的同時進行步驟S21到S24。另一方面，如果不存在未處理的照射區域，則處理進入步驟S25。
步驟S25至S30用於進行FF操縱值的更新處理。
在步驟S25中，控制裝置120基於在步驟S21至S24中由測量單元204測量並儲存在記憶體126中的控制偏差來獲得關於控制偏差的評估值。例如，控制裝置120可以使用透過對複數個照射區域的評估時段中的控制偏差的時間平均值和標準偏差求平均而獲得的值作為評估值。更具體地，控制裝置120透過使用下式(1)和(2)獲得各照射區域的評估時段中的控制偏差的時間平均值M(i)和標準偏差S(i)。在式(1)和(2)中，“I”表示照射區域編號，“err (t)”表示評估時段中的控制偏差(時間序列資料)，“T”表示評估時段(時間)。
Figure 02_image001
然後，透過使用式(3)和(4)，控制裝置120對複數個照射區域的針對各個照射區域獲得的時間平均值M(i)和標準偏差S(i)求平均，並使用獲得的值Mmean和Smean作為評估值。在式(3)和(4)中，“N”表示基板上的照射區域的數量。注意，評估值不限於透過分別對時間平均值M(i)和標準偏差S(i)求平均而獲得的值Mmean和值Smean，及可以使用複數個照射區域的諸如最大值和方差值等的其他統計值作為評估值。
Figure 02_image003
這裡，儘管可以任意地設置評估時段，但是可以將其設置為例如從基板台114到達目標位置的時間到曝光處理的結束時間的時段(圖2B中的時段A)，或從基板台114的穩定時間到曝光處理的結束時間的時段(圖2B中的時段B)。另外，評估時段可以被設置為從基板台114到達目標位置的時間到基板台114的穩定時間的時段(圖2B中的時段C)，從基板台114的移動開始時間到曝光處理的結束時間的時段(圖2B中的時段D)等。
當曝光設備1是掃描曝光設備時，控制裝置120可以從同步移動平均MA和同步移動標準偏差MSD獲得評估值，同步移動平均MA和同步移動標準偏差MSD是光罩台108與基板台114之間的同步誤差的指數。在這種情況下，控制裝置120分別透過使用下式(5)和(6)獲得各照射區域的同步移動平均值MA和同步移動標準偏差MSD。對於複數個照射區域的同步移動平均值MA和同步移動標準偏差MSD中的各值的諸如平均值、最大值或方差值等的統計值也可以用作評估值。在式(5)和(6)中，“y”表示基板台114在掃描方向(Y軸方向)上的位置，“S”表示曝光狹縫的尺寸，並且“sync(y)”表示在基板台114的位置y處的同步誤差。“N”表示曝光狹縫中的取樣點的數量。由於光罩台108與基板台114之間的同步準確度受到已經形成在基板上的下層圖案的不均勻性的影響，因此可以在排除由聚焦感測器測量的不均勻性差異等於或大於預定值的部分的同時獲得評估值。
Figure 02_image005
返回圖6，在步驟S26中，控制裝置120確定在步驟S25中獲得的評估值是否等於或大於臨限值(等於或大於第一臨限值)。可以基於基板上的圖案轉印準確度(例如，基板台114的定位準確度)等預先設置臨限值。如果評估值等於或大於臨限值，則處理進入步驟S27，並且控制裝置120輸出指示評估值等於或大於臨限值的資訊，即，指示FF操縱值將被更新(輸出警告)的資訊。例如，當在曝光設備1中提供諸如LCD顯示器等的顯示單元時，控制裝置120可以將資訊輸出到顯示單元，或者可以將資訊輸出到操作者所使用的電腦、行動終端等。另一方面，如果評估值小於臨限值，則處理進入步驟S30。
在步驟S28中，控制裝置120根據在步驟S25中獲得的評估值，確定要在FF操縱值的更新處理中使用的第一操縱值。
例如，如圖7A所示，當在步驟S21至S24中獲得的基板台114的控制偏差包含許多幾十Hz以下的低頻分量時，透過使用式(3)獲得作為評估值的值Mmean變大，使得重疊準確度可以降低。在這種情況下，較佳的是增加第一操縱值的應用時間(例如，脈衝信號的時間寬度)，使得用於獲得FF操縱值的取樣週期變得更長。因此，當值Mmean大於預定值時，控制裝置120可以確定第一操縱值，使得其應用時間變得比在更新之前確定FF操縱值時使用的第一操縱值的應用時間長(例如，使得值Mmean越大，應用時間就越長)。
另一方面，如圖7B所示，當在步驟S21至S24中獲得的基板台114的控制偏差包含許多幾十Hz以上的高頻分量時，透過使用式(4)獲得作為評估值的值Smean變大，使得曝光線寬度可以偏離允許範圍。在這種情況下，較佳的是減小第一操縱值的應用時間(例如，脈衝信號的時間寬度)。因此，當值Smean大於預定值時，控制裝置120可以確定第一操縱值，使得其應用時間變得比在更新之前確定FF操縱值時使用的第一操縱值的應用時間短(例如，使得Smean值越大，應用時間就越短)。
第一操縱值的振幅(例如，脈衝信號的振幅)較佳地等於在進行前饋控制的時段中提供給基板台114的操縱值的振幅。該實施例的前饋控制基於這樣的假設：當向基板台114提供第一操縱值(脈衝信號)時獲得的基板台114的輸出回應與第一操縱值的振幅線性相關。相反，用於驅動基板台114的驅動機構(驅動電路)可以在高輸出與低輸出之間具有不同的動態特性。因此，控制裝置120可以透過將在更新之前確定FF操縱值所使用的(先前使用過)第一操縱值的振幅增加或減小與在步驟S21至S24中提供給基板台114的操縱值的變化相對應的量來確定第一操縱值。
在步驟S29中，控制裝置120透過在使用在步驟S28中確定的第一操縱值的同時根據圖4所示的流程圖重新確定FF操縱值來更新FF操縱值。這裡，當在從基板台114的移動開始時間到曝光處理的結束時間的整個時段內更新FF操縱值時，在更新處理上花費很長時間並且要獲得的資料的數量可以變為很大。因此，控制裝置120可以僅在從基板台114到達目標位置的時間到曝光處理的結束時間的時段(圖2B中的時段A)內更新FF操縱值。可選地，控制裝置120可以在從基板台114的到達時間到穩定時間的時段(圖2B中的時段C)或者從曝光處理的穩定時間到結束時間的時段(圖2B中的時段B)內更新FF操縱值。
在步驟S30中，控制裝置120確定是否存在未經歷曝光處理的任何基板(未處理的基板)。如果存在任何未處理的基板，則處理返回到步驟S21。如果沒有未處理的基板，則該處理結束。
如上所述，本實施例的控制裝置120獲得關於當透過提供FF操縱值來進行基板台114的位置控制時獲得的控制偏差的評估值，並且當評估值等於或大於臨限值時更新FF操縱值。當更新FF操縱值時，使用根據評估值新設置的第一操縱值。利用這種配置，即使當控制偏差由於設備中的部件的老化等而改變時，也可以在適當的定時更新FF操縱值，使得基板台114準確且快速地移動到目標位置。
＜第三實施例＞ 將描述根據本發明的第三實施例的曝光設備。基本上，該實施例的曝光設備接管第二實施例的曝光設備，並且這裡將描述與第二實施例不同的部分。圖8是示出根據該實施例的曝光處理和FF操縱值的更新處理的流程圖。在圖8所示的流程圖中，步驟S31和S32被添加到圖6所示的流程圖中，並且其餘步驟與第二實施例中描述的步驟相同。
在步驟S31中，對於複數個目標位置中的各目標位置，控制裝置120使測量單元204重新測量當提供在步驟S28中確定的第一操縱值時獲得的基板台114的輸出回應。在步驟S32中，對於複數個目標位置中的各目標位置，控制裝置120獲得在步驟S31中新獲得的輸出回應的測量結果與先前獲得的輸出回應的測量結果之間的差值(即，輸出回應的變化)，並確定所獲得的差值是否等於或大於臨限值(等於或大於第二臨限值)。如果差值等於或大於臨限值，則處理進入步驟S29。如果差值小於臨限值，則處理進入步驟S30。
這裡，在步驟S32中，當存在所獲得的差值等於或大於臨限值的預定數量的目標位置時，控制裝置120可以確定更新FF操縱值。此外，在步驟S29中，控制裝置120可以僅針對在步驟S32中獲得的差值等於或大於臨限值的目標位置獲得FF操縱值。此外，在步驟S29中，控制裝置120可以使用在步驟S31中獲得的基板台114的輸出回應的測量結果。
本實施例的控制裝置120基於在提供新確定的第一操縱值時獲得的基板台114的輸出回應的測量結果與當提供先前確定的第一操縱值時獲得的基板台114的輸出回應的測量結果之間的差值來確定是否更新FF操縱值。利用這種配置，可以在適當的定時更新FF操縱值，使得基板台114準確且快速地移動到目標位置。
＜第四實施例＞ 將描述根據本發明的第四實施例的曝光設備。圖9是示出根據該實施例的曝光處理和FF操縱值的更新處理的流程圖。圖9所示的流程圖中的步驟S21至S24和S30與圖6所示的流程圖中的步驟S21至S24和S30相同。
在步驟S41中，控制裝置120獲得自從先前(上次)獲得透過提供第一操縱值而獲得的基板台114的輸出回應的測量結果以來所經過的時間。這裡，在步驟S41中，代替自從先前獲得輸出回應的測量結果起所經過的時間，可以獲得自從先前(上次)設置FF操縱值起所經過的時間。在步驟S42中，控制裝置120確定在步驟S41中獲得的經過時間是否等於或大於臨限值(等於或大於第三臨限值)。如果經過的時間等於或大於臨限值，則處理進入步驟S43。如果經過的時間小於臨限值，則處理進入步驟S21。在步驟S43中，控制裝置120透過根據圖4所示的流程圖新確定FF操縱值來更新FF操縱值。
如上所述，該實施例的控制裝置120根據自從先前獲得基板台114的輸出回應的測量結果以來所經過的時間來更新FF操縱值。利用這種配置，可以在控制偏差落在允許範圍以外之前週期性地更新FF操縱值。這裡，本實施例的步驟S41至S43可以添加到第二實施例中描述的圖6所示的流程圖或第三實施例中描述的圖8所示的流程圖中。
＜製造物件的方法的實施例＞ 根據本發明的實施例的製造物件的方法適於製造物件，例如，諸如半導體裝置的微型裝置或具有微型結構的元件。根據該實施例的製造物件的方法包括透過使用上述微影蝕刻設備(曝光設備)在基板上形成圖案的步驟，以及對在上述步驟中已經在其上形成圖案的基板進行處理的步驟。另外，製造方法包括其他眾所眾所周知的步驟(例如，氧化、膜形成、沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑去除、切割、黏合和包裝)。根據該實施例的製造物件的方法在物件的效能、品質、生產率和生產成本中的至少一個方面是更有利的。
＜其它實施例＞ 本發明的(複數個)實施例也可以透過如下實現：一種系統或設備的電腦，該系統或設備讀出並執行在儲存媒體(其也可被更充分地稱為“非暫態電腦可讀儲存媒體”)上記錄的電腦可執行指令(例如，一個或複數個程式)，以執行上述(複數個)實施例中的一個或複數個的功能，及/或，該系統或裝置包括用於執行上述(複數個)實施例中的一個或複數個的功能的一個或複數個電路(例如，特殊應用積體電路(ASIC))；以及由該系統或者設備的電腦執行的方法，例如，從儲存媒體讀出並執行電腦可執行指令，以執行上述(複數個)實施例中的一個或複數個的功能，及/或，控制所述一個或複數個電路以執行上述(複數個)實施例中的一個或複數個的功能。所述電腦可以包括一個或更多處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，及可以包括分開的電腦或分開的處理器的網路，以讀出並執行所述電腦可執行指令。所述電腦可執行指令可以例如從網路或儲存媒體被提供給電腦。例如，儲存媒體可以包括如下中的一個或複數個：硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式計算系統的記憶體、光碟(例如，壓縮光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)、或藍光光碟(BD)™)、快閃記憶體裝置、記憶卡，等等。
雖然參照示例性實施例描述了本發明，但是，應該理解，本發明不限於公開的示例性實施例。下述申請專利範圍應當被賦予最寬的解釋，以便涵蓋所有這類修改以及等同的結構和功能。
1‧‧‧曝光設備 102‧‧‧光源 104‧‧‧照明光學系統 106‧‧‧光罩 108‧‧‧光罩台 110‧‧‧投影光學系統 112‧‧‧基板 114‧‧‧基板台 116‧‧‧移動鏡 118‧‧‧雷射干涉儀 120‧‧‧控制裝置 122‧‧‧回饋控制器 124‧‧‧前饋控制器 126‧‧‧記憶體 A‧‧‧時段 B‧‧‧時段 C‧‧‧時段 202‧‧‧減法器 204‧‧‧測量單元 206‧‧‧加法器 e‧‧‧偏差 i‧‧‧前饋操縱值 r‧‧‧目標位置 S11‧‧‧步驟 S12‧‧‧步驟 S13‧‧‧步驟 S14‧‧‧步驟 S15‧‧‧步驟 S21‧‧‧步驟 S22‧‧‧步驟 S23‧‧‧步驟 S24‧‧‧步驟 S25‧‧‧步驟 S26‧‧‧步驟 S27‧‧‧步驟 S28‧‧‧步驟 S29‧‧‧步驟 S30‧‧‧步驟 S31‧‧‧步驟 S32‧‧‧步驟 S41‧‧‧步驟 S42‧‧‧步驟 S43‧‧‧步驟
圖1是示意性地示出曝光設備1的配置的圖；
圖2A是示出僅進行回饋控制時獲得的基板台的時間序列位置的曲線圖；
圖2B是示出僅進行回饋控制時獲得的基板台的時間序列位置控制偏差的曲線圖；
圖3是示出基板台的位置控制的方塊圖；
圖4是示出確定前饋操縱值的方法的流程圖；
圖5A是示出第一操縱值的曲線圖；
圖5B是示出基板台的輸出回應的曲線圖；
圖6是示出根據第二實施例的曝光處理和FF操縱值的更新處理的流程圖；
圖7A是示出基板台的控制偏差的曲線圖；
圖7B是示出基板台的控制偏差的曲線圖；
圖8是示出根據第三實施例的曝光處理和FF操縱值的更新處理的流程圖；以及
圖9是示出根據第四實施例的曝光處理和FF操縱值的更新處理的流程圖。
1‧‧‧曝光設備
102‧‧‧光源
104‧‧‧照明光學系統
106‧‧‧光罩
108‧‧‧光罩台
110‧‧‧投影光學系統
112‧‧‧基板
114‧‧‧基板台
116‧‧‧移動鏡
118‧‧‧雷射干涉儀
120‧‧‧控制裝置
122‧‧‧回饋控制器
124‧‧‧前饋控制器
126‧‧‧記憶體

Claims (25)

  1. 一種控制裝置，其透過向載台提供前饋操縱值以在基板的複數個照射區域的每一個上形成圖案的情況下進行構造為保持所述基板的所述載台的位置控制，其中，所述控制裝置被構造為：針對其中所述載台分別配置在用於在所述複數個照射區域形成圖案的複數個位置中的複數個狀態的各狀態，獲得當將第一操縱值作為參考操縱值提供給所述載台時獲得的所述載台的第一輸出回應的測量結果；基於在所述複數個狀態中分別獲得的所述第一輸出回應，當所述第一操縱值提供給所述載台時，確定所述載台的輸出回應的基準；透過按時間序列分別乘以係數排列複數個第一操縱值以產生第二操縱值，其中，分別調整所述係數使得當向所述載台提供所述第二操縱值時預測的所述載台的第二輸出回應與目標回應之間的差值落在允許範圍內，及基於所述第一操縱值與所述基準輸出回應之間的關係預測所述第二輸出回應；及基於所述第二操縱值以設置所述前饋操縱值。
  2. 根據請求項1所述的控制裝置，其中，所述控制裝置被構造為針對所述複數個狀態設置共同使用的所述前饋操縱值。
  3. 根據請求項1所述的控制裝置，其中，所述控制裝置被構造為針對所述複數個狀態中的各狀態單獨地設置所述前饋操縱值。
  4. 根據請求項3所述的控制裝置，其中，所述控制裝置被構造為確定為所述基準輸出回應，在複數個狀態之間所述前饋操縱值應該被設置的狀態獲得所述第一輸出回應。
  5. 根據請求項1所述的控制裝置，其中，所述控制裝置被構造為將在所述複數個位置處分別獲得的所述第一輸出回應的平均，確定為所述基準輸出回應。
  6. 根據請求項1所述的控制裝置，其中，所述控制裝置被構造為基於當透過提供所述前饋操縱值以進行對所述載台的位置控制時獲得的控制偏差以確定評估值，及當所確定的所述評估值不小於臨限值時更新所述前饋操縱值。
  7. 根據請求項6所述的控制裝置，其中所述控制裝置被構造為基於從所述載台至目標位置的到達時間直到在所述目標位置處對基板的圖案形成的結束時間的時段中的控制偏差，以獲得所述評估值。
  8. 根據請求項7所述的控制裝置，其中 所述控制裝置被構造為將當所述載台被配置在所述目標位置時獲得的所述控制偏差的平均值和標準偏差中的至少一者，確定為所述評估值。
  9. 根據請求項6所述的控制裝置，其中所述控制裝置被構造為基於從所述載台到達並穩定在目標位置處的時間直到在所述目標位置處對基板的圖案形成的結束時間的時段中的所述控制偏差，以獲得所述評估值。
  10. 根據請求項9所述的控制裝置，其中所述控制裝置被構造為將當所述載台被配置在所述目標位置時獲得的所述控制偏差的平均值和標準偏差中的至少一者，確定為所述評估值。
  11. 根據請求項6所述的控制裝置，其中，所述控制裝置被構造為在根據所述評估值改變所述第一操縱值的應用時間的同時，透過使用所述第一操縱值以更新所述前饋操縱值。
  12. 根據請求項6所述的控制裝置，其中，所述控制裝置在根據向所述控制對象提供的操縱值的變化改變所述第一操縱值的振幅的同時，透過使用所述第一操縱值以更新所述前饋操縱值。
  13. 根據請求項6所述的控制裝置，其中，如果所述評估值不小於所述臨限值，則所述控制裝置被構造為輸出指示要更新所述前饋操縱值的資訊。
  14. 根據請求項6所述的控制裝置，其中，如果所述評估值不小於所述臨限值，則所述控制裝置被構造為獲得所述第一輸出回應的測量結果，及如果新獲得的測量結果與先前獲得的測量結果之間的差值不小於第二臨限值，則所述控制裝置更新所述前饋操縱值。
  15. 根據請求項1所述的控制裝置，其中，如果自測量所述第一輸出回應起所經過的時間不小於第三臨限值，則所述控制裝置更新所述前饋操縱值。
  16. 根據請求項1所述的控制裝置，其中，所述第一操縱值是脈衝信號、步進信號和斜坡信號中的一者。
  17. 根據請求項1所述的控制裝置，其中所述目標回應設置為當沒有提供所述回饋操縱值執行所述載台的所述位置控制時所獲得的所述載台的輸出回應。
  18. 根據請求項1所述的控制裝置，其中所述控制裝置構造為透過平均在所述複數個狀態中分別獲得的所述第一輸出回應，確定所述基準輸出回應。
  19. 根據請求項1所述的控制裝置，其中所述控制裝置構造為透過共同使用基於在所述複數個狀態中分別獲得的所述第一輸出回應確定的所述基準輸出回應，針對所述複數個狀態的各狀態單獨產生所述第二操縱值。
  20. 一種控制裝置，通過提供前饋操縱值至控制對象執行所述控制對象的位置控制，其中所述控制裝置被構造為：針對要配置所述控制對象的複數個位置，分別獲得回應於提供給所述控制對象的第一操縱值而測量的所述控制對象的第一輸出回應；獲得針對所述複數個位置分別獲得的所述第一輸出回應的基準值；基於所述第一操縱值，針對所述複數個位置分別獲得的所述第一輸出回應，確定第二操縱值，所述基準值及係數多次彼此不同；及基於所述第二操縱值設置所述前饋操縱值。
  21. 根據請求項20所述的控制裝置，其中所述控制裝置被構造為通過調節所述係數以確定所述第二操縱值，使得回應於提供所述控制對象的所述第二操縱值的所述控制對象的第二輸出回應與對象回應之間的差在允許範圍內。
  22. 根據請求項20所述的控制裝置，其中所述控制裝置被 構造為將針對所述複數個位置分別獲得的所述第一輸出回應的平均值確定為基準值。
  23. 根據請求項20所述的控制裝置，其中所述控制裝置被構造為透過耦合透過將所述第一操縱值分別乘以所述係數而獲得的值確定所述第二操縱值
  24. 一種在基板上形成圖案的微影蝕刻設備，所述微影蝕刻設備包括：根據請求項1-23之任一項所述之控制裝置；以及載台，其被構造為在保持基板的同時可移動；其中，所述控制裝置，其被構造為進行作為控制對象的所述載台的位置控制。
  25. 一種物件的製造方法，所述製造方法包括：使用根據請求項24所述的微影蝕刻設備在基板上形成圖案；對已經形成有圖案於其上的基板進行處理，以製造物件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10747119B2 (en) 2018-09-28 2020-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for monitoring reflectivity of the collector for extreme ultraviolet radiation source
JP7301695B2 (ja) * 2019-09-19 2023-07-03 キヤノン株式会社 制御装置、制御方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900707A (en) * 1996-06-19 1999-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Stage-drive control apparatus and method, and scan-projection type exposure apparatus
TW200804995A (en) * 2006-03-14 2008-01-16 Asml Netherlands Bv System and method for moving a component through a setpoint profile, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100198371A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Control device
TWI355567B (en) * 2006-04-20 2012-01-01 Asml Netherlands Bv A method for obtaining improved feedforward data,
JP6236543B2 (ja) * 2014-02-28 2017-11-22 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド リソグラフィマシンワークピーステーブル、及びその垂直位置初期化方法
CN107429995A (zh) * 2015-04-06 2017-12-01 科磊股份有限公司 在计量系统中计量数据的前向馈送
WO2018043423A1 (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 キヤノン株式会社 照明光学系、リソグラフィ装置、及び物品製造方法
CN107885044A (zh) * 2011-11-17 2018-04-06 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
CN107924119A (zh) * 2015-08-12 2018-04-17 Asml荷兰有限公司 检查设备、检查方法及制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332045A (ja) 2000-05-16 2001-11-30 Hitachi Ltd 磁気ディスク装置
JP2004199289A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Mitsubishi Electric Corp 周期的な目標値に追従する出力の制御装置
US7084958B2 (en) * 2004-04-14 2006-08-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP2007094952A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Brother Ind Ltd 駆動制御装置
US7446854B2 (en) * 2006-02-07 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7576832B2 (en) * 2006-05-04 2009-08-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8014881B2 (en) * 2007-02-15 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010027686A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Lintec Corp 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2010272686A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Yokohama National Univ 移動体制御装置、露光装置、及び移動体制御方法
JP5968017B2 (ja) * 2012-04-06 2016-08-10 キヤノン株式会社 制御装置、リソグラフィー装置、物品の製造方法、及びフィードフォワード操作量データ列を生成する方法
JP5747129B2 (ja) * 2012-06-26 2015-07-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ ステージ装置および試料観察装置
JP6741525B2 (ja) * 2015-08-31 2020-08-19 キヤノン株式会社 駆動装置、位置決め装置、リソグラフィー装置、および、物品製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900707A (en) * 1996-06-19 1999-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Stage-drive control apparatus and method, and scan-projection type exposure apparatus
TW200804995A (en) * 2006-03-14 2008-01-16 Asml Netherlands Bv System and method for moving a component through a setpoint profile, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI355567B (en) * 2006-04-20 2012-01-01 Asml Netherlands Bv A method for obtaining improved feedforward data,
US20100198371A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Control device
CN107885044A (zh) * 2011-11-17 2018-04-06 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
JP6236543B2 (ja) * 2014-02-28 2017-11-22 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド リソグラフィマシンワークピーステーブル、及びその垂直位置初期化方法
CN107429995A (zh) * 2015-04-06 2017-12-01 科磊股份有限公司 在计量系统中计量数据的前向馈送
CN107924119A (zh) * 2015-08-12 2018-04-17 Asml荷兰有限公司 检查设备、检查方法及制造方法
WO2018043423A1 (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 キヤノン株式会社 照明光学系、リソグラフィ装置、及び物品製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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