TWI708861B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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戶田聡
高橋哲朗
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

提供一種在以複數個處理部對複數片被處理基板分別進行處理時，可一面使排氣機構共通化，一面高精度地施予不同氣體條件的基板處理之基板處理方法及基板處理裝置。

在使用基板處理裝置而施予預定處理之際，進行第1模式，其次，進行第2模式，在第1模式之際，阻止處理部(11a)，(11b)中產生壓力差，該基板處理裝置，係具備有：2個處理部(11a)，(11b)，分別對2片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構(14)，對處理部(11a)，(11b)獨立地供給氣體；及共通之排氣機構(15)，將處理部(11a)，(11b)內的氣體總括地排氣，該第1模式，係對處理部(11a)供給HF氣體及NH3氣體，並對處理部(11b)不供給HF氣體，該第2模式，係以相同氣體條件來對處理部(11a)，(11b)供給HF氣體及NH3氣體。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明，係關於對被處理基板施予處理之基板處理方法及基板處理裝置。
在半導體元件之製造中，係對被處理基板即半導體晶圓(以下僅記為晶圓)重複進行蝕刻處理或成膜處理等的各種處理，以製造所期望的元件。
以往，就進行像這樣之基板處理的裝置而言，大多使用對被處理基板逐片進行基板處理的單片式處理裝置。然而，處理裝置，係被要求提升處理量，且亦使用維持著單片式處理裝置的平台而一次對2片以上之被處理基板施予基板處理的處理裝置(例如專利文獻1)。
專利文獻1所記載的基板處理裝置，係在腔室內設置有載置複數片被處理基板的基板載置台，且沿著基板載置台之圓周方向交互地設置複數個處理區域與分離複數個處理區域的分離區域。在基板處理之際，係使基板載置台旋轉，使得複數片被處理基板依“處理區域、分離區域、處理區域、分離區域…”般的順序通過，藉此，對複數片被處理基板施予不同氣體條件的基板處理。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2010-80924號公報
在專利文獻1中，為了對複數片被處理基板施予不同氣體條件的基板處理，排氣機構，係依各處理區域而個別獨立設置。因此，導致基板處理裝置的製造成本上升。
本發明，係有鑑於此點而進行研究者，其課題在於提供一種在以複數個處理部對複數片被處理基板分別進行處理時，可一面使排氣機構共通化，一面高精度地施予不同氣體條件的基板處理之基板處理方法及基板處理裝置。
為了解決上述課題，本發明之第1觀點，提供一種基板處理方法，係使用基板處理裝置，在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，係具備有：複數個處理部，分別對複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給氣體；及共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的氣 體總括地排氣，該基板處理方法，其特徵係，進行第1模式，其次，進行第2模式，在前述第1模式之際，阻止前述複數個處理部中產生壓力差，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給第1氣體，並對剩餘的前述複數個處理部供給不同於第1氣體的第2氣體，該第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面以相同氣體條件來對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的第1氣體。
在上述第1觀點中，在第1模式之際，以阻止前述複數個處理部之一部分中的壓力與剩餘的前述複數個處理部中產生壓力差的方式，控制剩餘的前述複數個處理部中之前述第2氣體的供給量。
前述第2氣體，係惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體為較佳。又，亦可在前述第1模式之際，在前述複數個處理部的一部分中，對前述被處理基板進行處理氣體即第1氣體所致之基板處理，在剩餘的前述複數個處理部中，對前述被處理基板不供給處理氣體即第1氣體而供給前述第2氣體作為補足氣體，不進行基板處理。
該情況下，在前述基板處理之前，藉由調壓氣體對前述複數個處理部進行調壓，並且執行使壓力穩定化的壓力穩定化工程，在該壓力穩定化工程之際，在前述基板處理之前述第1模式下，且於前述複數個處理部之 間，將前述調壓氣體之流量設成為可形成能抑制處理氣體即前述第1氣體與補足氣體即前述第2氣體逆擴散之前述調壓氣體朝向前述排氣機構之流動的流量為較佳。作為前述調壓氣體，使用前述基板處理之際所供給之氣體的一部分且不產生基板處理者，使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量多於前述基板處理時的流量為較佳，將前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量設成為前述基板處理時的流量之3倍以上為更佳。
又，作為前述第2氣體，亦可使用作為前述第1氣體之稀釋氣體所使用者。
本發明之第2觀點，提供一種基板處理方法，係使用基板處理裝置，在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，係具備有：複數個處理部，分別對複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給氣體；及共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的氣體總括地排氣，該基板處理方法，其特徵係，進行第1模式，其次，進行第2模式，在前述第1模式之際，阻止前述複數個處理部中產生壓力差，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理，並對剩餘的前述複數個處理部不供給HF而供給惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體而不進行蝕刻處理，該 第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理。
在上述第2觀點中，在前述第1模式之際，在前述複數個處理部的一部分中，供給作為處理氣體之HF氣體及NH3氣體和惰性氣體，在剩餘的前述複數個處理部中，供給惰性氣體或惰性氣體與NH3氣體，將惰性氣體使用作為前述複數個處理部的一部分與剩餘的前述複數個處理部之間之壓力調整用的補足氣體。
該情況下，在前述基板處理之前，使用惰性氣體或惰性氣體及NH3氣體作為調壓氣體來對前述複數個處理部進行調壓，並且執行使壓力穩定化的壓力穩定化工程，在該壓力穩定化工程之際，在前述基板處理之前述第1模式下，且於前述複數個處理部之間，將前述調壓氣體之流量設成為可形成能抑制前述處理氣體與前述惰性氣體逆擴散之前述調壓氣體朝向前述排氣機構之流動的流量為較佳。使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量多於前述基板處理時的流量為較佳，將前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量設成為前述基板處理時的流量之3倍以上為更佳。
本發明之第3觀點，提供一種基板處理裝置，係在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：複數個處理部，分別對前述複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機 構，對前述複數個處理部獨立地供給處理氣體；共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的處理氣體總括地排氣；及控制部，控制前述氣體供給機構及前述排氣機構，前述控制部，係在對前述複數片被處理基板施予基板處理之際，執行第1模式，其次，執行第2模式，在前述第1模式之際，以阻止前述複數個處理部中產生壓力差的方式而控制，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給第1氣體，並對剩餘的前述複數個處理部供給不同於第1氣體的第2氣體，該第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面以相同氣體條件來對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的第1氣體。
本發明之第4觀點，提供一種基板處理裝置，係在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：複數個處理部，分別對前述複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給處理氣體；共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的處理氣體總括地排氣；及控制部，控制前述氣體供給機構及前述排氣機構，前述控制部，係在對前述複數片被處理基板施予基板處理之際，執行第1模式，其次，執行第2模式，在前述第1模式之際，以阻止前述複數個處理部中產生壓力差的方式來控制氣體供給，該第1模式，係一面從前述複數個處理 部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理，並對剩餘的前述複數個處理部不供給HF而供給惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體而不進行蝕刻處理，該第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理。
本發明之第5觀點，提供一種記憶媒體，係在電腦上動作並記憶有用以控制基板處理裝置的程式，該記憶媒體，其特徵係，前述程式在執行時，使電腦控制前述基板處理裝置，以進行上述第1觀點或上述第2觀點之基板處理方法。
根據本發明，設成為在對複數片被處理基板施予預定處理之際，進行第1模式，其次，進行第2模式，在第1模式之際，阻止複數個處理部中產生壓力差，該第1模式，係一面從複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制排氣機構，一面對複數個處理部的一部分供給第1氣體，並對剩餘的前述複數個處理部供給不同於第1氣體的第2氣體，該第2模式，係一面從複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面以相同氣體條件來對所有的複數個處理部供給作為處理氣體的第1氣體。藉 此，可在以複數個處理部分別對複數片被處理基板進行處理時，一面使排氣機構共通化，一面高精度地施予不同氣體條件的基板處理。
10、10a、10b‧‧‧腔室
11a、11b‧‧‧處理部
12a、12b‧‧‧氣體導入構件
14‧‧‧氣體供給機構
15‧‧‧排氣機構
16‧‧‧控制部
71a，71b‧‧‧內壁
101‧‧‧排氣配管
141‧‧‧Ar氣體供給源
142‧‧‧HF氣體供給源
143‧‧‧N2氣體供給源
144‧‧‧NH3氣體供給源
145、145a、145b‧‧‧HF氣體供給配管
146a、146b‧‧‧供給配管
147、147a、147b‧‧‧Ar氣體供給配管
148、148a、148b‧‧‧NH3氣體供給配管
149、149a、149b‧‧‧N2氣體供給配管
150a~150h‧‧‧質流控制器
151a~151h‧‧‧開關閥
[圖1]表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之一例的剖面圖。
[圖2]表示氣體供給機構之構成例的系統構成圖。
[圖3]用以說明本發明之一實施形態之COR處理裝置所致之基板處理動作的剖面圖，(a)，係共通基板處理模式，(b)，係獨立基板處理模式。
[圖4]概略地表示參考例之基板處理模式的圖。
[圖5]表示圖1之基板處理裝置中之處理順序之一例的流程圖。
[圖6]表示實施圖1之基板處理裝置中之順序的一例之際之具體之氣體流的時序圖。
[圖7]表示實施圖1之基板處理裝置中之順序的其他例之際之具體之氣體流的時序圖。
[圖8]用以說明圖7之順序之效果的圖。
[圖9]概略地表示基板處理裝置之腔室構成之一例的圖。
[圖10]概略地表示基板處理裝置之腔室構成之其他例的圖。
以下，參閱圖面，說明關於本發明之實施形態。
<基板處理裝置>
圖1，係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之一例的剖面圖。在本例中，作為基板處理裝置，說明關於進行化學氧化物去除(Chemical Oxide Removal；COR)處理(蝕刻處理)的COR處理裝置。
COR處理之典型的例子，係在腔室內，對基板例如存在於矽晶圓表面之氧化膜供給含有HF氣體的氣體以及含有NH3氣體的氣體，以進行基板處理，而從矽晶圓表面去除氧化膜之處理。
如圖1所示，COR處理裝置100，係具備有密閉構造的腔室10。腔室10，係例如由鋁或鋁合金所構成，並藉由腔室本體51與蓋部52而構成。腔室本體51，係具有側壁部51a與底部51b，上部成為開口，該開口以蓋部52而予以封閉。側壁部51a與蓋部52，係藉由密封構件51c而密封，以確保腔室10內的氣密性。
腔室10的內部，係設置有對複數片被處理基板施予基板處理的2個處理部11a、11b。2個處理部11a、11b，係分別設置有基板載置台61a、61b。在基板載置台61a、61b，係於水平狀態下，逐片地載置有被處理 基板即晶圓Wa、Wb。在基板載置台61a、61b的上方，係設置有用以將處理氣體導入至腔室10內的氣體導入構件12a、12b。氣體導入構件12a、12b，係安裝於蓋部52的內側。氣體導入構件12a與基板載置台61a，及氣體導入構件12b與基板載置台61b，係分別對向而設置。而且，以包圍氣體導入構件12a與基板載置台61a的方式而設置有成為圓筒狀的內壁71a，以包圍氣體導入構件12b與基板載置台61b的方式而設置有成為圓筒狀的內壁71b。內壁71a、71b，係從蓋部52之上壁內側橫跨至腔室本體51之底部51b而設置，該些上部，係分別構成氣體導入構件12a及12b的側壁。氣體導入構件12a與基板載置台61a之間，及氣體導入構件12b與基板載置台61b之間的空間，係藉由內壁71a、71b而大致密閉，形成對晶圓Wa、Wb施予基板處理的處理空間S。
在腔室10的外部，係設置有將氣體供給至氣體導入構件12a、12b的氣體供給機構14、對腔室10內進行排氣的排氣機構15及控制COR處理裝置100的控制部16。在腔室本體51的側壁部51a，係設置有用以在與外部之間搬送晶圓W的搬入搬出口(未圖示)，該搬入搬出口，係可藉由閘閥(未圖示)而進行開關。又，在內壁71a，72b亦設置有搬入搬出口(未圖示)，該搬入搬出口，係可藉由擋板(未圖示)而進行開關。
處理部11a、11b，係分別成為大致圓狀。基板載置台61a、61b，係分別藉由基塊62而支撐。基塊 62，係固定於腔室本體51的底部51b。在基板載置台61a、61b的內部，係分別設置有對晶圓W進行調溫的溫度調節器63。溫度調節器63，係具備有例如溫度調節用媒體(例如水等)所循環的管路，藉由與在管路內流動之溫度調節用媒體進行熱交換的方式，進行晶圓W之溫度控制。又，在基板載置台61a、61b，係以可對晶圓之載置面突出/沒入的方式，分別設置有在搬送晶圓W之際所使用的複數個升降銷(未圖示)。
氣體供給機構14，係經由氣體導入構件12a、12b，對處理部11a、11b供給HF氣體、NH3氣體等的處理氣體及Ar氣體或N2氣體等的惰性氣體(稀釋氣體)者，且具有各氣體之供給源、供給配管、閥及以質流控制器為代表的流量控制器等。
圖2，係表示氣體供給機構14之系統構成之一例的系統構成圖。
如圖2所示，氣體供給機構14，係具備有Ar氣體供給源141、HF氣體供給源142、N2氣體供給源143及NH3氣體供給源144作為氣體之供給源。
在本例中，來自HF氣體供給源142的HF氣體，係在藉由來自Ar氣體供給源141的Ar氣體而稀釋後，被供給至氣體導入構件12a、12b。又，來自NH3氣體供給源144的NH3氣體亦同樣地，在藉由來自N2氣體供給源143的N2氣體而稀釋後，被供給至氣體導入構件12a、12b。
流通有HF氣體的HF氣體供給配管145，係分歧成2個HF氣體供給配管145a、145b，且各自連接於氣體導入構件12a所連接的供給配管146a及氣體導入構件12b所連接的供給配管146b。又，流通有Ar氣體的Ar氣體供給配管147亦又分歧成2個Ar氣體供給配管147a、147b，且各自連接於HF氣體供給配管145a、145b。藉此，HF氣體，係可藉由Ar氣體加以稀釋。
同樣地，流通有NH3氣體的NH3氣體供給配管148亦分歧成2個NH3氣體供給配管148a、148b，且各自連接於供給配管146a、146b。流通有N2氣體的N2氣體供給配管149亦又分歧成2個N2氣體供給配管149a、149b，且各自連接於NH3氣體供給配管148a、148b。藉此，NH3氣體，係可藉由N2氣體加以稀釋。
另外，Ar氣體及N2氣體，係除了作為稀釋氣體而使用以外，亦可作為沖洗氣體或後述之壓力調整用的補足氣體而使用。
在HF氣體供給配管145a、145b、Ar氣體供給配管147a、147b、NH3氣體供給配管148a、148b及N2氣體供給配管149a、149b，係分別設置有質流控制器(以下稱為MFC)150a~150h及開關供給配管的開關閥151a~151h。該些MFC150a~150h及開關閥151a~151h，係可分別藉由控制部16來獨立控制。
例如，在2個處理部11a，11b中，在進行一般之COR處理的情況下，在氣體導入構件12a、12b，係 分別供給有HF氣體及NH3氣體兩者。在該情況下，藉由控制部16，將開關閥控制為如以下“案例a”般，使成為全部開啟。
[案例a] ‧朝氣體導入構件12a之供給系統
開關閥151a(Ar)開啟
開關閥151c(HF)開啟
開關閥151e(N2)開啟
開關閥151g(NH3)開啟
‧朝氣體導入構件12b之供給系統
開關閥151b(Ar)開啟
開關閥151d(HF)開啟
開關閥151f(N2)開啟
開關閥151h(NH3)開啟
另一方面，亦可經由氣體導入構件12a、12b，將供給至處理部11a，11b的氣體條件控制為不同。例如，亦可控制為以下之“案例b”、“案例c”。
[案例b] ‧朝氣體導入構件12a之供給系統
開關閥151a(Ar)開啟
開關閥151c(HF)開啟
開關閥151e(N2)開啟
開關閥151g(NH3)開啟
‧朝氣體導入構件12b之供給系統
開關閥151b(Ar)開啟
開關閥151d(HF)關閉
開關閥151f(N2)開啟
開關閥151h(NH3)關閉
[案例c] ‧朝氣體導入構件12a之供給系統
開關閥151a(Ar)開啟
開關閥151c(HF)關閉
開關閥151e(N2)開啟
開關閥151g(NH3)關閉
‧朝氣體導入構件12b之供給系統
開關閥151b(Ar)開啟
開關閥151d(HF)開啟
開關閥151f(N2)開啟
開關閥151h(NH3)開啟
亦即，案例b，係從案例a的狀態，關閉開關閥151d及開關閥151h，以停止朝氣體導入構件12b供給處理氣體即HF氣體及NH3氣體，僅供給Ar氣體及N2氣體，關於氣體導入構件12a，係接著供給處理氣體即HF氣體及NH3氣體，案例c，係相反地，停止朝氣體導入構件12a供給HF氣體及NH3氣體，關於氣體導入構件12b，係接 著供給處理氣體即HF氣體及NH3氣體。
因此，以在案例b中，從氣體導入構件12a將HF氣體及NH3氣體分別與惰性氣體即Ar氣體及N2氣體一起供給至處理部11a，另一方面，從氣體導入構件12b僅將惰性氣體即Ar氣體及N2氣體供給至處理部11b，而在案例c中則是相反地，從氣體導入構件12b將HF氣體及NH3氣體分別與惰性氣體即Ar氣體及N2氣體一起供給至處理部11b，另一方面，從氣體導入構件12a僅將惰性氣體即Ar氣體及N2氣體供給至處理部11a的方式，可在處理之際，對處理部11a與處理部11b同時地設成為不同氣體條件。關於像這樣的閥控制所致之基板處理模式的細節，係如後述。
氣體導入構件12a、12b，係將來自氣體供給機構14的氣體導入至腔室10內，並用以對處理部11a、11b進行供給者。氣體導入構件12a、12b，係分別於內部具有氣體擴散空間64，且整體形狀成為圓筒狀。在氣體導入構件12a、12b的上面，係形成有從腔室10之上壁連接的氣體導入孔65，在底面具有連接於氣體擴散空間64的多數個氣體吐出孔66。而且，從氣體供給機構14所供給之HF氣體、NH3氣體等的氣體，係經由氣體導入孔65直至氣體擴散空間64而在氣體擴散空間64擴散，並從氣體噴出孔66以噴灑狀的方式均勻地吐出。亦即，氣體導入構件12a、12b，係具有將氣體分散而吐出之氣體分散頭(噴頭)的作用。另外，氣體導入構件12a、12b，係 亦可為以個別之流路將HF氣體與NH3氣體吐出至腔室10內的後續混合型。
排氣機構15，係具有連接於排氣口(未圖示)的排氣配管101，而且，具有設置於排氣配管101之用以控制腔室10內之壓力的自動壓力控制閥(APC)102及用以對腔室10內進行排氣的真空泵103，該排氣口，係形成於腔室10的底部51b。排氣口，係設置於內壁71a、71b的外側，在較內壁71a、71b之基板載置台61a、61b更往下的部分，係以可藉由排氣機構15從處理部11a、11b兩者進行排氣的方式，形成有多數個狹縫。藉此，處理部11a、11b內藉由排氣機構15而總括地排氣。又，APC102及真空泵103，係處理部11a、11b所共有。
又，為了計測腔室10內的壓力，而以從腔室10之底部51b朝排氣空間68插入的方式，分別設置有高壓力用之電容式壓力計105a及低壓用之電容式壓力計105b作為壓力計。自動壓力控制閥(APC)102的開合度，係基於藉由電容式壓力計105a或105b所檢測到的壓力而控制。
控制部16，係具有具備了控制COR處理裝置100的各構成部之微處理器(電腦)的程序控制器161。在程序控制器161，係連接有具有操作員為了管理COR處理裝置100而進行指令之輸入操作等的鍵盤或觸控式面板顯示，及使COR處理裝置100之運轉狀況可視化而顯示 之顯示器等的使用者介面162。又，在程序控制器161，係連接有記憶部163。又，記憶部163，係儲存有用以在程序控制器161之控制下實現COR處理裝置100所實行之各種處理的控制程式，或用以因應處理條件使COR處理裝置100之各構成部執行預定處理的控制程式即處理配方，或各種資料庫等。配方，係記憶於記憶部163中之適當的記憶媒體(未圖示)。而且，因應所需，從記憶部163讀出任意配方而使程序控制器161執行，藉此，在程序控制器161的控制下，於COR處理裝置100進行所期望的處理。
又，在本實施形態中，控制部16，係具有如上述般地獨立控制氣體供給機構14之MFC150a~150h及開關閥151a~151h的重大特徵。
<基板處理動作>
其次，說明關於像這樣的基板處理裝置中的基板處理動作。
圖3，係用以說明一實施形態之COR處理裝置100所致之基板處理動作的剖面圖。
將於表面形成有蝕刻對象膜(例如SiO2膜)的2片晶圓Wa、Wb搬入至腔室10內的處理部11a及處理部11b內，並分別載置於基板載置台61a及基板載置台61b上。而且，在藉由排氣機構15來將腔室10內調整至預定壓力而使壓力穩定的壓力穩定化工程後，實施基板處 理工程。由於處理部11a、11b，係共有排氣機構15，因此，壓力穩定化工程及基板處理工程之際的壓力調整，係藉由共通之自動壓力控制閥(APC)102而進行。
基板處理工程，係藉由圖3(a)所示的共通基板處理模式與圖3(b)所示的獨立基板處理模式而進行。
(共通基板處理模式)
共通基板處理模式，係在相同氣體條件下，對晶圓Wa、Wb進行處理的模式。藉由該共通基板處理模式，在處理部11a、11b兩者中進行COR處理。在該模式中，開關閥151a~151h的狀態，係成為上述的案例a。藉此，如圖3(a)所示，在晶圓Wa、Wb中，係於分別以惰性氣體即Ar氣體及N2氣體所稀釋的狀態下，從氣體導入構件12a、12b供給有HF氣體及NH3氣體，而對晶圓Wa、Wb進行相同基板處理。
(獨立基板處理模式)
獨立基板處理模式，係在不同氣體條件下，對晶圓Wa、Wb進行處理的模式。在該模式中，開關閥151a~151h的狀態，係成為例如上述的案例b。藉此，如圖3(b)所示，在處理部11a的晶圓Wa中，係於分別以Ar氣體及N2氣體所稀釋的狀態下，從氣體導入構件12a供給有HF氣體及NH3氣體，在處理部11b的晶圓Wb 中，係從氣體導入構件12b僅供給Ar氣體及N2氣體，而對晶圓Wa、Wb進行不同基板處理。亦即，在處理部11a中，對晶圓Wa繼續進行HF氣體及NH3氣體所致之處理，另一方面，在處理部11b中，對晶圓Wb停止HF氣體及NH3氣體之供給。此時，在處理部11b中，亦可僅停止HF氣體而供給NH3氣體。又，作為從氣體導入構件12b所供給的惰性氣體，係亦可為Ar氣體或N2氣體的一者。
另外，獨立基板處理模式，係與圖3(b)相反地，亦應用於在處理部11b中，對晶圓Wb進行HF氣體及NH3氣體所致之處理，另一方面，在處理部11a中，對晶圓Wa停止HF氣體及NH3氣體之供給的情況，而開關閥151a~151h的狀態，係成為例如上述的案例c。此時，在處理部11a中，亦可僅停止HF氣體而供給NH3氣體。又，作為從氣體導入構件12a所供給的惰性氣體，係亦可為Ar氣體或N2氣體的一方。
獨立基板處理模式，係用以在欲使COR處理之時間於處理部11a與處理部11b不同的情況下，設成為於一方之處理部進行處理，並於另一方之處理部不進行處理之狀態的模式。
吾人亦考慮，在應用獨立基板處理模式，而於處理部11a進行COR處理並於處理部11b不進行COR處理的情況下，如圖4所示的參考例般，只要停止從氣體導入構件12b朝處理部11b供給氣體即可。但是，由於排 氣機構15，係在處理部11a、11b為共通，且以單一之APC進行壓力控制，因此，當一面繼續來自氣體導入構件12a之HF氣體及NH3氣體的供給，一面停止來氣體導入構件12b之氣體的供給時，則處理部11a與處理部11b之間會產生壓力差，而即便處理部11a、11b的處理空間S為大致密閉空間，亦使得來自氣體導入構件12a之氣體經由內壁71a、71b之下部的狹縫逆流，而朝處理部11b流入。因此，在處理部11b中，對晶圓Wb難以使HF氣體及NH3氣體所致之處理完全地停止。因此，在獨立基板處理模式中，雖係如圖3(b)所示，從氣體導入構件12b供給Ar氣體及N2氣體，但由於只要該些流量與處理部11a為相同流量，則總流量便減少，故仍會產生壓力差而因此產生逆流，進而難以使處理完全地停止。因此，在本實施形態中，在以獨立基板處理模式進行處理的情況下，以阻止處理部11a與處理部11b之間產生壓力差的方式，藉由氣體供給機構14控制來自氣體導入構件12b之Ar氣體及N2氣體流量的流量。
例如，控制部16，係能以一面關閉開關閥151d及151h而停止HF氣體及NH3氣體朝氣體導入構件12b的供給，一面維持開啟開關閥151b及151f，且藉由MFC150b及150f使Ar氣體及N2氣體的流量增加，以阻止處理部11a與處理部11b之間產生壓力差的方式，較佳為以使處理部11a之壓力與處理部11b之壓力成為相等的方式控制氣體供給機構。亦即，將Ar氣體及N2氣體使用 作為壓力調整用之補足氣體。另外，如上述般，雖亦可在獨立基板處理模式中，將NH3氣體供給至不進行處理的處理部11b，但該情況，係亦可僅設成為Ar氣體作為補足氣體。
如此般，在處理部11a、11b中，關於欲使基板處理停止的處理部，係不僅只停止處理氣體，例如，可將惰性氣體作為壓力調整用之補足氣體而供給，以進行壓力調整。藉此，即便藉由1個排氣機構15而從處理部11a、11b將氣體共通地排氣，亦可抑制處理部11a、11b相互間之氣體的流入。
(處理順序之一例)
在本例中，雖係如圖5的流程圖所示，在使壓力穩定的壓力穩定化工程S1後，組合共通基板處理模式的處理與獨立基板處理模式的處理而進行基板處理工程(COR處理)S2，其後，進行對處理空間進行排氣的排氣工程S3，但在進行基板處理工程S2之際，首先，進行獨立基板處理模式S2-1所致之處理，其後，進行共通基板處理模式S2-2所致之處理。
在基板處理工程S2中，當先進行共通基板處理模式S2-2的處理時，則即便在其後進行獨立基板處理模式S2-1的處理之際，將朝停止處理之處理部的處理氣體切換成補足氣體，亦有在以高壓條件停止處理之際，因晶圓上之反應生成物與殘留氣體而導致蝕刻進行(COR處 理)的情況。
因此，在本例中，係在壓力穩定化工程S1後接著進行基板處理工程S2之際，首先，進行獨立基板處理模式S2-1所致之處理，其後，進行共通基板處理模式S2-2所致之處理。藉此，可排除反應生成物或殘留氣體的影響，並使蝕刻量之控制精度提升。
在從獨立基板處理模式S2-1的處理移行至共通基板處理模式S2-2的處理之際，如上述，由於處理部11b，係從供給Ar氣體及N2氣體的狀態導入處理氣體即HF氣體及NH3氣體，或從供給Ar氣體、N2氣體及NH3氣體的狀態導入HF氣體，因此，在Ar氣體及N2氣體之流量較多的情況下等，有產生蝕刻延遲之情形。在像這像的情況下，係事先預料蝕刻延遲而調整處理時間為較佳。
另外，基板處理工程S2，係如上述般，雖亦可在獨立基板處理模式所致之處理S2-1後進行共通基板處理模式S2-2所致之處理而結束，但亦可在共通基板處理模式S2-2所致之處理後，挾持沖洗而重複獨立基板處理模式S2-1所致之處理與共通基板處理模式S2-2所致之處理。
參閱圖6之時序圖，說明關於本例中之具體的氣體流控制。
首先，開啟開關閥151a，151b，151e，151f，151g，151h，並以預定流量且以在處理部11a，11b成為相同流量的方式，將Ar氣體、N2氣體、NH3氣體供給至處理部 11a及11b而調整至預定壓力，使壓力穩定化(壓力穩定化工程S1)。
於壓力穩定的時點，開始基板處理(基板處理工程S2)。基板處理工程S2，係首先開啟開關閥151c，將HF氣體供給至處理部11a，開始處理部11a的COR處理，處理部11b則不供給HF氣體並不進行COR處理，而進行獨立基板處理模式的處理S2-1一預定時間。此時，由於處理部11b未供給HF氣體，因此，以使處理部11b成為與處理部11a相同壓力的方式，使處理部11b的Ar氣體較處理部11a增加，以成為壓力調整用之補足氣體。此時之Ar氣體的增加部分(補足氣體流量)，係相當於處理部11a之HF氣體的供給量之量為較佳。
經過預定時間後，處理部11a，係將所有氣體的流量維持為相同流量而繼續COR處理，並且即便為處理部11b，亦開啟開關閥151d，將HF氣體供給至處理部11b並進行COR處理，且進行共通基板處理模式S2-2之處理一預定時間。此時，處理部11b，係使在獨立基板處理模式之處理S2-1所供給之Ar氣體的流量減少，而使處理部11b成為與處理部11a相同壓力。此時之Ar氣體的減少部分，係相當於處理部11b之HF氣體的供給量之量為較佳。
基板處理工程S2結束後，關閉所有的開關閥而停止氣體的供給，藉由排氣機構15對處理空間S進行 排氣(排氣工程S3)。
另外，在圖6的例子中，雖係在獨立基板處理模式S2-1中，不將HF氣體導入至處理部11b，而在共通基板處理模式S2-2中，將HF氣體導入至處理部11b，但亦可在獨立基板處理模式S2-1中，不將HF及NH3氣體導入至處理部11b，而在切換成共通基板處理模式S2-2之際，將HF氣體及NH3氣體導入至處理部11b。在該情況下，係可在獨立基板處理模式S2-1中，將處理部11b的補足氣體設成為Ar氣體及N2氣體。
說明關於確認了本例之方法的效果。
在此，藉由圖1的處理裝置，進行了蝕刻(COR處理)。首先，使用以6sec×8循環來循環蝕刻CVD-SiO2膜的處理配方，在各循環中，針對依共通基板處理模式→獨立基板處理模式之順序而進行處理的情況(處理A)與依獨立基板處理模式→共通基板處理模式之順序而進行處理的情況(處理B)，評估蝕刻結果。共通基板處理模式，係如上述般，將Ar氣體、HF氣體、N2氣體、NH3氣體供給至處理部11a及11b兩者而進行COR處理，獨立基板處理模式，係處理部11b不供給HF氣體而僅在處理部11a進行COR處理。亦即，處理A，係於各循環，在處理部11b中，首先進行COR處理後而停止處理的處理，處理B，係於各循環，在處理部11b中，首先成為停止了預定時間處理的狀態後而進行COR處理的處理。
其結果，在處理A中，蝕刻量對於靶材為 +36.6%，相對於此，在處理B中，蝕刻量對於靶材為-10.4%。由此可確認到，藉由首先以獨立基板處理模式進行處理而其後以共通基板處理模式進行處理的方式，蝕刻量之控制性會變得良好。
其次，使用以15sec×5循環來循環蝕刻熱氧化膜的處理配方，在各循環中，針對依共通基板處理模式→獨立基板處理模式之順序而進行處理的情況(處理C)與依獨立基板處理模式→共通基板處理模式之順序而進行處理的情況(處理D)，評估蝕刻結果。
其結果，在處理C中，蝕刻量對於靶材為+12.7%，相對於此，在處理D中，蝕刻量對於靶材為-5.0%。由此可確認到，熱氧化膜亦同樣地，藉由首先以獨立基板處理模式進行處理而其後以共通基板處理模式進行處理的方式，蝕刻量之控制性會變得良好。
(處理順序之其他例)
上述的處理順序例，係在獨立基板處理模式的處理S2-1中，於不供給處理氣體(HF氣體、NH3氣體)的處理部，使Ar氣體及N2氣體增量而具有補足氣體的作用，藉此，可阻止處理部11a與處理部11b之間產生壓力差，以抑制處理部11a、11b相互間之氣體的流入，但由於處理部11a，11b，係經由形成於較內壁71a、71b之基板載置台61a、61b更往下的部分的狹縫而連接，因此，難以完全地防止處理氣體(HF氣體、NH3氣體)從一方之處 理部朝其他處理部的回流，及補足氣體(Ar氣體、N2氣體)從另一方之處理部朝一方之處理部的回流，進而產生少量氣體的回流(氣體之逆擴散)。在處理氣體之流量達某種程度以上的情況下，像這樣之少量氣體的回流雖不會對蝕刻量帶來重大的影響，而可在處理部11a，11b實現所期望之蝕刻量的處理，但在低流量區域的處理中，像這樣之氣體回流的影響便變得無法忽視，進而使得相對於所設定之蝕刻量的偏差變大，而無法在處理部11a，11b中進行所期望的獨立處理。
另一方面，為了防止像這樣的不良狀況，而當使處理氣體(HF氣體、NH3氣體)及補足氣體(Ar氣體、N2氣體)大流量化時，則導致蝕刻速率增加，而必需以處理時間或氣體流量比等來調整蝕刻量，使得製程界限變得狹窄。
因此，在本例中，係在壓力穩定化工程S1之際，於其次之基板處理工程S2的獨立基板處理模式S2-2下，且在處理部11a與11b之間，以如可形成能抑制處理氣體及補足氣體逆擴散之從氣體導入構件12a，12b朝向排氣機構15的調壓氣體之流動般的流量，使調壓氣體流通。藉此，可在低流量區域中，有效果地抑制基板處理工程S2的獨立基板處理模式S2-2中之氣體的回流(逆擴散)。
具體而言，如圖7的時序圖所示，於處理部11a、11b之任一者，皆在壓力穩定化工程S1之際，供給 Ar氣體、N2氣體、NH3氣體作為調壓氣體並使其流量多於基板處理工程S2。該情況之調壓氣體的總流量，係基板處理工程S2之際的3倍以上為較佳。作為調壓氣體，係可使用基板處理工程S2之際所供給之氣體的一部分且不產生基板處理者。與圖6的例子相同地，作為調壓氣體，亦可在處理部11a使用Ar氣體、N2氣體、NH3氣體，並在處理部11b使用Ar氣體、N2氣體。
在本例中，在其後的基板處理工程S2中，獨立基板處理模式S2-1，係在處理部11a中，使Ar氣體、N2氣體、NH3氣體的流量減少至穩定狀態，並且以預定流量供給HF氣體而進行COR處理，在處理部11b中，使N2氣體、NH3氣體的流量成為與處理部11a相同量，Ar氣體的供給量，係以包含有對應於處理部11a的HF氣體之補足氣體的方式而進行調整，其後的共通基板處理模式S2-2，係在處理部11b亦供給HF氣體，減少作為該部分補足氣體而供給之Ar氣體的流量，以同樣的條件，於處理部11a及11b進行COR處理。其後，停止氣體，藉由排氣機構15進行對處理空間S進行排氣的排氣工程S3。
藉此，在低流量區域中，在獨立基板處理模式S2-2之際，可較僅藉由補足氣體進行壓力調整的情況，更有效果地抑制處理氣體及補足氣體的逆流。具體而言，即便在低流量區域，亦可極有效果地抑制處理氣體(HF氣體、NH3氣體)從處理部11a逆流至欲停止處理的處理部11b，及補足氣體(Ar氣體、N2氣體)從處理 部11b逆流至欲繼續處理的處理部11a，且即便在處理部11a、11b之任一者中，亦可以成為接近所設定之蝕刻量的蝕刻量之方式來進行基板處理。
另外，在圖7的例子中，雖係在獨立基板處理模式S2-1中，不將HF氣體導入至處理部11b，而在共通基板處理模式S2-2中，將HF氣體導入至處理部11b，但亦可在獨立基板處理模式S2-1中，不將HF及NH3氣體導入至處理部11b，而在切換成共通基板處理模式S2-2之際，將HF氣體及NH3氣體導入至處理部11b。在該情況下，係可在獨立基板處理模式S2-1中，將處理部11b的補足氣體設成為Ar氣體及N2氣體。
參閱圖8，說明關於實際上在壓力穩定化工程中，增加了調壓氣體之流量之情況的效果。在此，係在使用圖1之裝置而進行了壓力穩定化工程後，於基板處理工程中，首先在處理部11a中進行COR處理，並在處理部11b中不供給HF氣體而將該部分作為補足氣體，進行以Ar氣體補充之獨立基板處理模式的處理，其後，以共通基板處理模式，在兩者處理部進行COR處理。圖8，係表示處理部11a中之基板處理工程之際之總氣體流量與COR處理中之蝕刻量偏差(實際之蝕刻量與所設定之蝕刻量的差)的圖。圖中黑色圓形，係使壓力穩定化工程中之調壓氣體(Ar氣體、N2氣體、NH3氣體)的流量成為與基板處理工程相同之情況的蝕刻量偏差，在總流量較低之區域中，係有蝕刻量偏差變大的傾向，在總流量為300sccm 時，係表示蝕刻量偏差大至-0.33nm左右的值。相對於此，黑色四方形，係使調壓氣體之流量成為3倍的情況，在該情況下，即便基板處理工程之際的總流量為300sccm，蝕刻量偏差亦極接近-0.03nm左右的設定值。由此可確認到使調壓氣體之流量增加的效果。
另外，如以上般，當使用HF氣體及NH3氣體來對晶圓的SiO2膜進行COR處理時，由於會生成作為反應生成物之六氟矽酸銨((NH4)2SiF6；AFS)，因此，以熱處理裝置來對COR處理裝置100所處理後的晶圓進行熱處理，以分解去除AFS。
如以上般，根據本實施形態，在對2片晶圓分別在處理部11a及處理部11b進行COR處理時，一面使排氣機構15共通化，一面首先以獨立基板處理模式，僅在處理部11a及處理部11b的一方進行處理，其後，以共通基板處理模式，在該些處理部，藉由相同條件施予COR處理，藉此，可使蝕刻量的控制性成為良好。
<其他應用>
以上，雖依照一實施形態說明了該發明，但該發明並不限定於上述一實施形態，可在不脫離其意旨的範圍內進行各種變形。
在上述一實施形態中，雖係說明了關於使用HF氣體及NH3氣體來進行COR處理的情況，但亦可藉由圖1之基板處理裝置來進行僅有HF氣體或僅有NH3氣體 的處理。例如，亦可在以Ar氣體稀釋HF氣體來進行供給並進行處理的情況下，如以下的案例d所示，控制開關閥，在以獨立基板處理模式而僅在處理部11a進行HF氣體所致之處理後，維持關閉開關閥151e、151f、151g、151h，使開關閥151a、151b、151c、151d開啟而供給HF氣體及Ar氣體，以共通基板處理模式進行處理。
[案例d]
‧朝氣體導入構件12a之供給系統
開關閥151a(Ar)開啟
開關閥151c(HF)開啟
開關閥151e(N2)關閉
開關閥151g(NH3)關閉
‧朝氣體導入構件12b之供給系統
開關閥151b(Ar)開啟
開關閥151d(HF)關閉
開關閥151f(N2)關閉
開關閥151h(NH3)關閉
又，作為基板處理裝置，係如圖9所示，其概略構成只要為處理部11a、11b設置於一個共通的腔室10內，且排氣機構15為設置於一個共通的腔室10內之處理部11a、11b所共有的構成，則不限於圖1之COR處理裝置100。
而且，並不限於如圖9般之在一個共通之腔 室10內分別設置有處理部11a、11b的構成，亦可設成為例如如圖10所示之處理部11a、11b設置於各自獨立的腔室10a、10b內，排氣機構15為各自獨立的腔室10a、10b所共有之構成。
在上述一實施形態中，作為壓力調整用的補足氣體，雖係使用了稀釋HF氣體或NH3氣體等之處理氣體的稀釋氣體即Ar氣體或N2氣體，但並不限於此，亦可為其他的惰性氣體。又，作為壓力調整用的補足氣體，係並不限於惰性氣體，亦可使用相對於所處理之晶圓Wa、Wb的蝕刻對象膜呈不反應的非反應性氣體。又，即便為反應性氣體，亦只要為不會對處理造成影響而可調整壓力者，則可加以使用。
又，在上述一實施形態中，作為壓力調整用的補足氣體，雖使用了基板處理之際與處理氣體所同時使用的稀釋氣體，但除了與處理氣體所同時使用的稀釋氣體以外，亦可使用專用之補足氣體。在該情況下，在氣體供給機構14，係只要另外設置有新的補足氣體供給源、供給補足氣體的供給配管、MFC、及開關閥即可。
再者，在上述一實施形態中，雖係以半導體晶圓作為被處理基板而進行了說明，但從本發明之原理來看，被處理基板顯然不限於半導體晶圓，且當然可應用於其他各種基板的處理。
再者，在上述一實施形態中，雖係例示了具有2個處理部11a、11b作為複數個處理部的基板處理裝 置，但處理部的個數並不限於2個。
再者，在上述一實施形態中，雖係例示了將本發明應用於COR處理裝置的情況，但作為基板處理裝置，係不限於COR處理裝置。
10‧‧‧腔室
11a‧‧‧處理部
11b‧‧‧處理部
12a‧‧‧氣體導入構件
12b‧‧‧氣體導入構件
14‧‧‧氣體供給機構
15‧‧‧排氣機構
16‧‧‧控制部
51‧‧‧腔室本體
51a‧‧‧側壁部
51b‧‧‧底部
51c‧‧‧密封構件
52‧‧‧蓋部
61a‧‧‧基板載置台
61b‧‧‧基板載置台
62‧‧‧基塊
63‧‧‧溫度調節器
64‧‧‧氣體擴散空間
65‧‧‧氣體導入孔
66‧‧‧氣體吐出孔
68‧‧‧排氣空間
71a‧‧‧內壁
71b‧‧‧內壁
100‧‧‧COR處理裝置
101‧‧‧排氣配管
102‧‧‧自動壓力控制閥
103‧‧‧真空泵
105a‧‧‧電容式壓力計
105b‧‧‧電容式壓力計
161‧‧‧程序控制器
162‧‧‧使用者介面
163‧‧‧記憶部
S‧‧‧處理空間
Wa‧‧‧晶圓
Wb‧‧‧晶圓

Claims (27)

  1. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置，在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，係具備有：複數個處理部，分別對複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給氣體；及共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的氣體總括地排氣，該基板處理方法，其特徵係，進行第1模式，其次，進行第2模式，在前述第1模式之際，阻止前述複數個處理部中產生壓力差，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給第1氣體，並對剩餘的前述複數個處理部供給不同於第1氣體的第2氣體，該第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面以相同氣體條件來對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的第1氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在前述第1模式之際，以阻止前述複數個處理部之一部分中的壓力與剩餘的前述複數個處理部中產生壓力差的方式，控制剩餘的前述複數個處理部中之前述第2氣體的供給量。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，前述第2氣體，係惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，在前述第1模式之際，在前述複數個處理部的一部分中，對前述被處理基板進行處理氣體即第1氣體所致之基板處理，在剩餘的前述複數個處理部中，對前述被處理基板不供給處理氣體即第1氣體而供給前述第2氣體作為補足氣體，不進行基板處理。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，在前述基板處理之前，藉由調壓氣體對前述複數個處理部進行調壓，並且執行使壓力穩定化的壓力穩定化工程，在該壓力穩定化工程之際，在前述基板處理之前述第1模式下，且於前述複數個處理部之間，將前述調壓氣體之流量設成為可形成能抑制處理氣體即前述第1氣體與補足氣體即前述第2氣體逆擴散之前述調壓氣體朝向前述排氣機構之流動的流量。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，作為前述調壓氣體，使用前述基板處理之際所供給之 氣體的一部分且不產生基板處理者，使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量多於前述基板處理時的流量。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，將前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量設成為前述基板處理時的流量之3倍以上。
  8. 如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中，作為前述第2氣體，使用作為前述第1氣體之稀釋氣體所使用者。
  9. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置，在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，係具備有：複數個處理部，分別對複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給氣體；及共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的氣體總括地排氣，該基板處理方法，其特徵係，進行第1模式，其次，進行第2模式，在前述第1模式之際，阻止前述複數個處理部中產生壓力差，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理，並對剩餘的前述複數個處理部不供給HF而供 給惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體而不進行蝕刻處理，該第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，在前述第1模式之際，在前述複數個處理部的一部分中，供給作為處理氣體之HF氣體及NH3氣體和惰性氣體，在剩餘的前述複數個處理部中，供給惰性氣體或惰性氣體與NH3氣體，將惰性氣體使用作為前述複數個處理部的一部分與剩餘的前述複數個處理部之間之壓力調整用的補足氣體。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，在前述基板處理之前，使用惰性氣體或惰性氣體及NH3氣體作為調壓氣體來對前述複數個處理部進行調壓，並且執行使壓力穩定化的壓力穩定化工程，在該壓力穩定化工程之際，在前述基板處理之前述第1模式下，且於前述複數個處理部之間，將前述調壓氣體之流量設成為可形成能抑制前述處理氣體與前述惰性氣體逆擴散之前述調壓氣體朝向前述排氣機構之流動的流量。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中， 將前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量多於前述基板處理時的流量。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中，將前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量設成為前述基板處理時的流量之3倍以上。
  14. 一種基板處理裝置，係在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：複數個處理部，分別對前述複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給處理氣體；共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的處理氣體總括地排氣；及控制部，控制前述氣體供給機構及前述排氣機構，前述控制部，係在對前述複數片被處理基板施予基板處理之際，執行第1模式，其次，執行第2模式，在前述第1模式之際，以阻止前述複數個處理部中產生壓力差的方式而控制，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給第1氣體，並對剩餘的前述複數個處理部供給不同於第1氣體的第2氣體，該 第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面以相同氣體條件來對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的第1氣體。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第1模式之際，以阻止前述複數個處理部之一部分中的壓力與剩餘的前述複數個處理部中產生壓力差的方式，控制剩餘的前述複數個處理部中之前述第2氣體的供給量。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之基板處理裝置，其中，前述第2氣體，係惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第1模式之際，在前述複數個處理部的一部分中，對前述被處理基板執行處理氣體即第1氣體所致之基板處理，在剩餘的前述複數個處理部中，對前述被處理基板不供給處理氣體即第1氣體而供給前述第2氣體作為補足氣體，不執行基板處理。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中， 前述控制部，係以如下述的方式來加以控制：在前述基板處理之前，藉由調壓氣體對前述複數個處理部進行調壓，並且執行使壓力穩定化的壓力穩定化工程，在該壓力穩定化工程之際，在前述基板處理之前述第1模式下，且於前述複數個處理部之間，將前述調壓氣體之流量設成為可形成能抑制處理氣體即前述第1氣體與補足氣體即前述第2氣體逆擴散之前述調壓氣體朝向前述排氣機構之流動的流量。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，作為調壓氣體，係使用前述基板處理之際所供給之氣體的一部分且不產生基板處理者，前述控制部，係以使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量多於前述基板處理時的流量之方式來加以控制。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係以使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量成為前述基板處理時的流量之3倍以上的方式來加以控制。
  21. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，作為前述第2氣體，使用作為前述第1氣體之稀釋氣 體所使用者。
  22. 一種基板處理裝置，係在真空氛圍下對複數片被處理基板施予預定處理，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：複數個處理部，分別對前述複數片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構，對前述複數個處理部獨立地供給處理氣體；共通之排氣機構，將前述複數個處理部內的處理氣體總括地排氣；及控制部，控制前述氣體供給機構及前述排氣機構，前述控制部，係在對前述複數片被處理基板施予基板處理之際，執行第1模式，其次，執行第2模式，在前述第1模式之際，以阻止前述複數個處理部中產生壓力差的方式來控制氣體供給，該第1模式，係一面從前述複數個處理部，以將處理氣體總括地排氣的方式，控制前述排氣機構，一面對前述複數個處理部的一部分供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理，並對剩餘的前述複數個處理部不供給HF而供給惰性氣體及/或相對於所處理之被處理基板呈不反應的非反應性氣體而不進行蝕刻處理，該第2模式，係一面從前述複數個處理部，將處理氣體共通地排氣，一面對所有的前述複數個處理部供給作為處理氣體的HF氣體及NH3氣體而進行蝕刻處理。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第1模式之際，以在前述複數個處理部的一部分中，供給作為處理氣體之HF氣體及NH3氣體和惰性氣體，在剩餘的前述複數個處理部中，供給惰性氣體或惰性氣體與NH3氣體的方式來加以控制，並將惰性氣體使用作為前述複數個處理部的一部分與剩餘的前述複數個處理部之間之壓力調整用的補足氣體。
  24. 如申請專利範圍第23項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係以如下述的方式來加以控制：在前述基板處理之前，使用惰性氣體或惰性氣體及NH3氣體作為調壓氣體來對前述複數個處理部進行調壓，並且執行使壓力穩定化的壓力穩定化工程，在該壓力穩定化工程之際，在前述基板處理之前述第1模式下，且於前述複數個處理部之間，使前述調壓氣體之流量成為可形成能抑制前述處理氣體與前述惰性氣體逆擴散之前述調壓氣體朝向前述排氣機構之流動的流量。
  25. 如申請專利範圍第24項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係以使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量成為多於前述基板處理時的流量之方式來加以控制。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係以使前述壓力穩定化工程之際之前述調壓氣體的流量成為前述基板處理時的流量之3倍以上的方式來加以控制。
  27. 一種記憶媒體，係在電腦上動作並記憶有用以控制基板處理裝置的程式，該記憶媒體，其特徵係，前述程式在執行時，使電腦控制前述基板處理裝置，以進行申請專利範圍第1~13項中任一項之基板處理方法。
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