CN109075061B - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该基板处理装置实施规定的处理时，进行第一模式并进行第二模式，在所述第一模式中，向处理部(11a)供给HF气体和NH3气体，不对处理部(11b)供给HF气体，在所述第二模式中，对处理部(11a、11b)以相同的气体条件供给HF气体和NH3气体，其中，在进行第一模式时，阻止处理部(11a、11b)间产生压力差。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种对被处理基板实施处理的基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造中，对作为被处理基板的半导体晶圆(以下简记为晶圆)重复地进行蚀刻处理、成膜处理等各种处理来制造期望的器件。
以往，作为进行这样的基板处理的装置，大多使用对被处理基板逐张地进行基板处理的单片式的处理装置。然而，要求提高处理装置的生产率，从而也使用在维持单片式的处理装置的平台的情况下一次对两张以上的被处理基板实施基板处理的处理装置(例如专利文献1)。
在专利文献1所记载的基板处理装置中，在腔室内设置用于载置多张被处理基板的基板载置台，沿基板载置台的圆周方向交替地设置多个处理区域和使多个处理区域分离的分离区域。在进行基板处理时，使基板载置台旋转来使多张被处理基板以“处理区域、分离区域、处理区域、分离区域……”这样的顺序通过，由此对多张被处理基板实施不同的气体条件的基板处理。
专利文献1：日本特开2010-80924号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1中，为了对多张被处理基板实施不同的气体条件的基板处理，针对每个处理区域分别设置独立的排气机构。因此，导致基板处理装置的制造成本上升。
因而，本发明的目的在于提供一种在利用多个处理部对多张被处理基板分别进行处理时能够使排气机构共同化并且高精度地实施不同的气体条件的基板处理的基板处理方法和基板处理装置。
根据本发明的第一观点，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的条件供给到所述多个处理部的全部处理部其中，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。
在上述第一观点中，也可以是，在进行所述第一模式时，控制所述多个处理部中的其余的处理部内的所述第二气体的供给量，以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差。
所述第二气体能够使用非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体。另外，也可以是，在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，利用作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体进行基板处理，在所述多个处理部中的其余的处理部内，不供给作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体，供给所述第二气体来作为补充气体，以使得不进行基板处理。
在该情况下，还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，利用调压气体对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制作为处理气体的所述第一气体和作为补充气体的所述第二气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。作为所述调压气体，使用在进行所述基板处理时供给的气体的一部分且不会发生基板处理的气体，优选将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多，更优选将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的流量的3倍以上。
另外，作为所述第二气体，也可以使用被用作所述第一气体的稀释气体的气体。
根据本发明的第二观点，提供一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部中的一部分处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，对于所述多个处理部中的其余的处理部，不供给HF，供给非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体，以使得不进行蚀刻处理，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部的全部处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，其中，在进行所述第一模式时，以阻止所述多个处理部间产生压力差的方式进行气体供给。
在上述第二观点中，在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，供给非活性气体以及作为处理气体的HF气体和NH3气体，在所述多个处理部中的其余的处理部内，供给非活性气体或者供给非活性气体和NH3气体，能够将非活性气体用作用于进行所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间的压力调整的补充气体。
在该情况下，还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，将非活性气体或者将非活性气体和NH3气体用作调压气体，对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制所述处理气体和所述非活性气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。将优选使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多，更优选将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的所述调压气体的流量的3倍以上。
根据本发明的第三观点，提供一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，其中，所述控制部进行控制以使得，在对所述多张被处理基板实施基板处理时，执行第一模式并接着执行第二模式，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体来作为处理气体以相同的条件供给到所述多个处理部的全部处理部，并且所述控制部进行控制以使得，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。
根据本发明的第四观点，提供一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，其中，所述控制部使得在对所述多张被处理基板实施基板处理时，执行第一模式并接着执行第二模式，在所述第一模式在，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部中的一部分处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，对于所述多个处理部中的其余的处理部，不供给HF，供给非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体，以使得不进行蚀刻处理，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部的全部处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，并且，在所述第一模式时，所述控制部以阻止所述多个处理部间产生压力差的方式控制气体供给。
根据本发明的第五观点，提供一种存储介质，存储有在计算机上动作且用于控制基板处理装置的程序，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，所述程序在被执行时，使所述计算机控制所述基板处理装置来进行如下的基板处理方法，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到所述多个处理部的全部处理部，其中，在所述第一模式时，阻止所述多个处理部间产生压力差。
根据本发明，在利用多个处理部对多张被处理基板分别进行处理时，能够使排气机构共同化，并且以高精度实施不同的气体条件的基板处理。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的截面图。
图2是表示气体供给机构的结构例的系统结构图。
图3A是用于说明由本发明的一个实施方式所涉及的COR处理装置进行的基板处理动作的截面图，是共同基板处理模式时的图。
图3B是用于说明由本发明的一个实施方式所涉及的COR处理装置进行的基板处理动作的截面图，是独立基板处理模式时的图。
图4是概要性地示出参考例所涉及的基板处理模式的图。
图5是表示图1的基板处理装置中的处理序列的一例的流程图。
图6是表示实施图1的基板处理装置中的序列的一例时的具体的气体流的时序图。
图7是表示实施图1的基板处理装置中的序列的其它例时的具体的气体流的时序图。
图8是用于说明图7的序列的效果的图。
图9是概要性地示出基板处理装置的腔室结构的一例的图。
图10是概要性地示出基板处理装置的腔室结构的其它例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。
<基板处理装置>
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的截面图。在本例中，作为基板处理装置，对进行化学氧化物去除(Chemical Oxide Removal；COR)处理(蚀刻处理)的COR处理装置进行说明。
COR处理的代表例是如下的处理：在腔室内对存在于基板例如硅晶圆表面的氧化膜供给包含HF气体的气体和包含NH3气体的气体来进行基板处理，来从硅晶圆表面去除氧化膜。
如图1所示，COR处理装置100具备密闭构造的腔室10。腔室10例如由铝或铝合金构成，包括腔室主体51和盖部52。腔室主体51具有侧壁部51a和底部51b，在上部具有开口，该开口被盖部52封闭。侧壁部51a和盖部52被密封构件51c密封，以确保腔室10内的气密性。
在腔室10的内部设置有用于对多张被处理基板实施基板处理的两个处理部11a、11b。在两个处理部11a、11b分别设置有基板载置台61a、61b。在基板载置台61a、61b上以水平状态各载置有一张晶圆Wa、Wb，该晶圆Wa、Wb是被处理基板。在基板载置台61a、61b的上方设置有用于向腔室10内导入处理气体的气体导入构件12a、12b。气体导入构件12a、12b安装于盖部52的内侧。气体导入构件12a与基板载置台61a相向设置，气体导入构件12b与基板载置台61b相向设置。而且，以包围气体导入构件12a和基板载置台61a的方式设置有呈圆筒状的内壁71a，以包围气体导入构件12b和基板载置台61b的方式设置有呈圆筒状的内壁71b。内壁71a、71b从盖部52的上壁内侧延伸设置到腔室主体51的底部51b，所述内壁71a、71b的上部分别构成气体导入构件12a和12b的侧壁。气体导入构件12a与基板载置台61a之间的空间以及气体导入构件12b与基板载置台61b之间的空间被内壁71a、71b大致密封，来形成用于对晶圆Wa、Wb实施基板处理的处理空间S。
在腔室10的外部设置有用于向气体导入构件12a、12b供给气体的气体供给机构14、对腔室10内进行排气的排气机构15以及控制COR处理装置100的控制部16。在腔室主体51的侧壁部51a设置有用于与外部之间进行晶圆W的搬送的搬入搬出口(未图示)，该搬入搬出口能够通过闸阀(未图示)来开闭。另外，在内壁71a、72b也设置有搬入搬出口(未图示)，该搬入搬出口能够通过挡板(未图示)来开闭。
处理部11a、11b均大体呈圆状。基板载置台61a、61b分别被基底块62支承。基底块62固定于腔室主体51的底部51b。在各基板载置台61a、61b的内部设置有用于对晶圆W进行温度调节的温度调节器63。温度调节器63例如具备供温度调节用介质(例如水等)循环的管路，通过与在管路内流动的温度调节用介质进行热交换来进行晶圆W的温度控制。另外，在基板载置台61a、61b分别以能够相对于晶圆的载置面突出或退回的方式设置有在搬送晶圆W时使用的多个升降销(未图示)。
气体供给机构14经由气体导入构件12a、12b向处理部11a、11b供给HF气体、NH3气体等处理气体、Ar气体、N2气体等非活性气体(稀释气体)，该气体供给机构14具有各气体的供给源、供给配管、阀以及以质量流量控制器为代表的流量控制器等。
图2是表示气体供给机构14的系统结构的一例的系统结构图。
如图2所示，气体供给机构14具备Ar气体供给源141、HF气体供给源142、N2气体供给源143以及NH3气体供给源144来作为气体的供给源。
在本例中，将来自HF气体供给源142的HF气体用来自Ar气体供给源141的Ar气体稀释之后供给到气体导入构件12a、12b。另外，同样地，也将来自NH3气体供给源144的NH3气体用来自N2气体供给源143的N2气体稀释之后供给到气体导入构件12a、12b。
供HF气体流通的HF气体供给配管145分支为两个HF气体供给配管145a、145b，且与连接于气体导入构件12a的供给配管146a以及连接于气体导入构件12b的供给配管146b分别连接。另外，供Ar气体流通的Ar气体供给配管147也分支为两个Ar气体供给配管147a、147b，且与HF气体供给配管145a、145b分别连接。由此，能够用Ar气体稀释HF气体。
同样地，供NH3气体流通的NH3气体供给配管148也分支为两个NH3气体供给配管148a、148b，且与供给配管146a、146b分别连接。另外，供N2气体流通的N2气体供给配管149也分支为两个N2气体供给配管149a、149b，且与NH3气体供给配管148a、148b分别连接。由此，能够用N2气体稀释NH3气体。
此外，Ar气体和N2气体除了被用作稀释气体以外，还被用作吹扫气体、后述的用于调整压力的补充气体。
在HF气体供给配管145a、145b、Ar气体供给配管147a、147b、NH3气体供给配管148a、148b以及N2气体供给配管149a、149b上分别设置有质量流量控制器(以下称为MFC)150a～150h以及用于使供给配管开闭的开闭阀151a～151h。这些MFC 150a～150h以及开闭阀151a～151h能够由控制部16独立地进行控制。
例如，在两个处理部11a、11b中进行通常的COR处理的情况下，向气体导入构件12a、12b分别供给HF气体和NH3气体这两种气体。在该情况下，利用控制部16进行控制，以使开闭阀如以下的“情形a”那样全部打开。
[情形a]
·向气体导入构件12a进行供给的供给系统
开闭阀151a(Ar)打开
开闭阀151c(HF)打开
开闭阀151e(N2)打开
开闭阀151g(NH3)打开
·向气体导入构件12b进行供给的供给系统
开闭阀151b(Ar)打开
开闭阀151d(HF)打开
开闭阀151f(N2)打开
开闭阀151h(NH3)打开
另一方面，也能够进行控制，以使经由气体导入构件12a、12b向处理部11a、11b进行供给的气体条件不同。例如，也可以如以下的“情形b”、“情形c”那样进行控制。
[情形b]
·向气体导入构件12a进行供给的供给系统
开闭阀151a(Ar)打开
开闭阀151c(HF)打开
开闭阀151e(N2)打开
开闭阀151g(NH3)打开
·向气体导入构件12b进行供给的供给系统
开闭阀151b(Ar)打开
开闭阀151d(HF)关闭
开闭阀151f(N2)打开
开闭阀151h(NH3)关闭
[情形c]
·向气体导入构件12a进行供给的供给系统
开闭阀151a(Ar)打开
开闭阀151c(HF)关闭
开闭阀151e(N2)打开
开闭阀151g(NH3)关闭
·向气体导入构件12b进行供给的供给系统
开闭阀151b(Ar)打开
开闭阀151d(HF)打开
开闭阀151f(N2)打开
开闭阀151h(NH3)打开
也就是说，在情形b中，在情形a的状态的基础上将开闭阀151d和开闭阀151h关闭，使得停止向气体导入构件12b供给作为处理气体的HF气体和NH3气体，只供给Ar气体和N2气体，并且使得继续向气体导入构件12a供给作为处理气体的HF气体和NH3气体，与之相反地，在情形c中，使得停止向气体导入构件12a供给HF气体和NH3气体，继续向气体导入构件12b供给作为处理气体的HF气体和NH3气体。
因此，在进行处理时，在情形b和情形c中，能够以如下方式同时将处理部11a和处理部11b设为不同的气体条件：在情形b中，将HF气体及NH3气体分别与作为非活性气体的Ar气体及N2气体一同从气体导入构件12a供给到处理部11a，另一方面，仅将作为非活性气体的Ar气体和N2气体从气体导入构件12b供给到处理部11b；在情形c中，与情形b相反地，将HF气体及NH3气体分别与作为非活性气体的Ar气体及N2气体一同从气体导入构件12b供给到处理部11b，另一方面，仅将作为非活性气体的Ar气体和N2气体从气体导入构件12a供给到处理部11a。在后文中叙述基于这样的阀控制的基板处理模式的详情。
气体导入构件12a、12b用于将来自气体供给机构14的气体导入腔室10内并供给到处理部11a、11b。气体导入构件12a、12b分别在内部具有气体扩散空间64，并且整体形状呈圆筒状。在气体导入构件12a、12b的上表面形成有与腔室10的上壁相连的气体导入孔65，在气体导入构件12a、12b的底面具有与气体扩散空间64相连的多个气体喷出孔66。而且，从气体供给机构14供给的HF气体、NH3气体等气体经过气体导入孔65而到达气体扩散空间64，在气体扩散空间64中扩散，从气体喷出孔66呈喷淋状均匀地喷出。即，气体导入构件12a、12b作为将气体分散后喷出的气体分散头(喷淋头)发挥功能。此外，气体导入构件12a、12b也可以为通过单独的流路向腔室10内喷出HF气体和NH3气体的后混合型。
排气机构15具有与形成于腔室10的底部51b的排气口(未图示)相连的排气配管101，还具有设置于排气配管101的用于控制腔室10内的压力的自动压力控制阀(APC)102以及用于对腔室10内进行排气的真空泵103。排气口设置于内壁71a、71b的外侧，在内壁71a、71b的比基板载置台61a、61b靠下的部分以能够利用排气机构15从处理部11a、11b这两个处理部进行排气的方式形成有多个狭缝。由此，利用排气机构15对处理部11a、11b内统一进行排气。另外，APC 102和真空泵103由处理部11a、11b共有。
另外，为了测量腔室10内的压力，作为压力计，以从腔室10的底部51b插入到排气空间68的方式分别设置有高压力用的电容压力计105a和低压力用的电容压力计105b。基于由电容压力计105a或105b检测出的压力来控制自动压力控制阀(APC)102的开度。
控制部16具有工艺控制器161，该工艺控制器161具备用于控制COR处理装置100的各结构部的微处理器(计算机)。工艺控制器161与用户界面162连接，所述用户界面162具有供操作者进行命令的输入操作等以管理COR处理装置100的键盘、触摸面板显示器以及用于将COR处理装置100的工作状况以可视化的方式显示的显示器等。另外，工艺控制器161与存储部163连接。存储部163中保存有用于在工艺控制器161的控制下实现由COR处理装置100执行的各种处理的控制程序、根据处理条件使COR处理装置100的各结构部执行规定的处理的控制程序即处理制程、各种数据库等。制程被存储在存储部163中的适当的存储介质(未图示)中。而且，根据需要从存储部163中调出任意的制程并使工艺控制器161执行该任意的制程，由此在工艺控制器161的控制下通过COR处理装置100进行期望的处理。
另外，在本实施方式中，控制部16在如上述那样对气体供给机构14的MFC 150a～150h以及开闭阀151a～151h独立地进行控制方面具有显著的特征。
<基板处理动作>
接着，对这样的基板处理装置中的基板处理动作进行说明。
图3A和图3B是用于说明利用一个实施方式所涉及的COR处理装置100进行的基板处理动作的截面图。
将在表面形成有蚀刻对象膜(例如SiO2膜)的两张晶圆Wa、Wb搬入到腔室10内的处理部11a和处理部11b内，并分别载置在基板载置台61a和基板载置台61b上。然后，在利用排气机构15将腔室10内调整为规定的压力并使压力稳定的压力稳定化工序之后，实施基板处理工序。处理部11a、11b共有排气机构15，因此由共同的自动压力控制阀(APC)102进行压力稳定化工序和基板处理工序时的压力调整。
基于图3A所示的共同基板处理模式和图3B所示的独立基板处理模式进行基板处理工序。
(共同基板处理模式)
共同基板处理模式为对晶圆Wa、Wb以相同的气体条件进行处理的模式。基于该共同基板处理模式，在处理部11a、11b这两个处理部进行COR处理。在该模式中，开闭阀151a～151h的状态设为上述的情形a。由此，如图3A所示，将HF气体和NH3气体分别以用作为非活性气体的Ar气体和N2气体稀释了的状态从气体导入构件12a、12b供给到晶圆Wa、Wb，来对晶圆Wa、Wb进行相同的基板处理。
(独立基板处理模式)
独立基板处理模式为对晶圆Wa、Wb以不同的气体条件进行处理的模式。在该模式中，开闭阀151a～151h的状态例如设为上述的情形b。由此，如图3B所示，将HF气体和NH3气体分别以用Ar气体和N2气体稀释了的状态从气体导入构件12a供给到处理部11a的晶圆Wa，仅将Ar气体和N2气体从气体导入构件12b供给到处理部11b的晶圆Wb，来对晶圆Wa、Wb进行不同的基板处理。即，在处理部11a中，继续利用HF气体和NH3气体对晶圆Wa进行处理，另一方面，在处理部11b中，停止向晶圆Wb供给HF气体和NH3气体。此时，在处理部11b中，也可以只停止供给HF气体，供给NH3气体。另外，作为从气体导入构件12b供给的非活性气体，也可以为Ar气体和N2气体中的一方。
此外，也在如下的与图3B相反的情况下应用独立基板处理模式：在处理部11b中利用HF气体和NH3气体对晶圆Wb进行处理，另一方面，在处理部11a中停止向晶圆Wa供给HF气体和NH3气体的情况，开闭阀151a～151h的状态例如设为上述的情形c。此时，在处理部11a中，也可以只停止供给HF气体，供给NH3气体。另外，作为从气体导入构件12a供给的非活性气体，也可以为Ar气体和N2气体中的一方。
独立基板处理模式为用于在想要使处理部11a和处理部11b中的COR处理的时间不同的情况下，设为在一个处理部中进行处理，在另一个处理部中不进行处理的状态的模式。
还认为：在应用独立基板处理模式在处理部11a中进行COR处理且在处理部11b中不进行COR处理的情况下，如图4所示的参考例那样，只要停止从气体导入构件12b向处理部11b供给气体即可。但是，排气机构15针对处理部11a、11b是共同的，利用单一的APC进行压力控制，因此当一边继续从气体导入构件12a供给HF气体和NH3气体一边停止从气体导入构件12b供给气体时，在处理部11a与处理部11b之间产生压力差，即使处理部11a、11b的处理空间S为大致密闭空间，来自气体导入构件12a的气体也会经由内壁71a、71b的下部的狭缝逆流而流入处理部11b。因此，在处理部11b中，难以使利用HF气体和NH3气体对晶圆Wb进行的处理完全停止。因此，如图3的(b)所示，在独立基板处理模式中，虽然从气体导入构件12b供给Ar气体和N2气体，但只要它们的流量为与处理部11a相同的流量，总流量就会减少，因此仍然会产生压力差，由此发生逆流，难以使处理完全停止。因此，在本实施方式中，在通过独立基板处理模式进行处理的情况下，利用气体供给机构14控制来自气体导入构件12b的Ar气体和N2气体的流量，以使阻止在处理部11a与处理部11b之间产生压力差。
例如，优选的是，控制部16能够以如下的方式控制气体供给机构，以使处理部11a的压力与处理部11b的压力相等，该方式为：在关闭开闭阀151d和151h来停止向气体导入构件12b供给HF气体和NH3气体的同时，保持开闭阀151b和151f打开的状态，并且利用MFC150b和150f使Ar气体和N2气体的流量增加，以阻止处理部11a与处理部11b之间产生压力差。即，将Ar气体和N2气体作为压力调整用的补充气体来使用。此外，如上所述，在独立基板处理模式中，也能够向不进行处理的处理部11b供给NH3气体，但在该情况下也可以仅将Ar气体设作补充气体。
这样，关于处理部11a、11b中的想要停止基板处理的处理部，不仅仅停止处理气体，例如还将非活性气体作为用于调整压力的补充气体进行供给，来进行压力调整。由此，即使利用一个排气机构15从处理部11a、11b共同地对气体进行排气，也能够抑制处理部11a、11b相互之间流入气体。
(处理序列的一例)
在本例中，如图5的流程图所示，在使压力稳定的压力稳定化工序S1之后，像这样将共同基板处理模式下的处理和独立基板处理模式下的处理相组合地进行基板处理工序(COR处理)S2，之后进行对处理空间进行排气的排气工序S3，但在进行基板处理工序S2时，首先进行基于独立基板处理模式S2-1的处理，之后进行基于共同基板处理模式S2-2的处理。
若在基板处理工序S2中先进行基于共同基板处理模式S2-2的处理，则在之后进行基于独立基板处理模式S2-1的处理时，即使将向停止处理的处理部供给的处理气体切换为补充气体，在以高压条件停止处理时也会由于晶圆上的反应生成物和残留气体而促进蚀刻(COR处理)。
因此，在本例中，在继压力稳定化工序S1之后进行基板处理工序S2时，首先进行基于独立基板处理模式S2-1的处理，之后进行基于共同基板处理模式S2-2的处理。由此，能够排除反应生成物、残留气体的影响，能够提高蚀刻量的控制精度。
在从基于独立基板处理模式S2-1的处理转到基于共同基板处理模式S2-2的处理时，如上所述，在处理部11b中，在供给Ar气体和N2气体的状态下导入作为处理气体的HF气体和NH3气体，或者在供给Ar气体、N2气体以及NH3气体的状态下导入HF气体，因此在Ar气体、N2气体的流量多等情况下，有时发生蚀刻延迟。优选的是，在这样的情况下，预先估计蚀刻延迟来调整处理时间。
此外，在基板处理工序S2中，可以如以上那样在进行基于独立基板处理模式的处理S2-1之后以基于共同基板处理模式S2-2的处理结束，但也可以在基于共同基板处理模式S2-2的处理之后，以间隔吹扫处理的方式重复基于独立基板处理模式S2-1的处理和基于共同基板处理模式S2-2的处理。
参照图6的时序图来说明本例中的具体的气体流控制。
首先，将开闭阀151a、151b、151e、151f、151g、151h打开，来将Ar气体、N2气体、NH3气体以规定流量且以在处理部11a、11b中成为相同的流量的方式供给到处理部11a和11b来调整为规定的压力，并使压力稳定化(压力稳定化工序S1)。
在压力稳定的时间点，开始基板处理(基板处理工序S2)。在基板处理工序S2中，首先将基于独立基板处理模式的处理S2-1进行规定时间，在该处理中，将开闭阀151c打开，向处理部11a供给HF气体来开始处理部11a中的COR处理，不向处理部11b中供给HF气体，在处理部11b中不进行COR处理。此时，未向处理部11b中供给HF气体，因此使处理部11b的Ar气体相比于处理部11a增加来将Ar气体作为压力调整用的补充气体，以使处理部11b的压力成为与处理部11a相同的压力。优选的是，此时的Ar气体的增加量(补充气体流量)为与处理部11a的HF气体的供给量相当的量。
在经过规定时间后，持续规定时间地进行如下的共同基板处理模式S2-2的处理：在处理部11a中，以将全部的气体的流量维持为相同流量的方式继续COR处理，并且对于处理部11b中也是，将开闭阀151d打开来向处理部11b供给HF气体，来进行COR处理。此时，在处理部11b中，使在基于独立基板处理模式的处理S2-1中供给的Ar气体的流量减少，来使处理部11b的压力成为与处理部11a相同的压力。优选的是，此时的Ar气体的减少量为与处理部11b的HF气体的供给量相当的量。
在基板处理工序S2结束之后，关闭全部的开闭阀来停止供给气体，利用排气机构15对处理空间S进行排气(排气工序S3)。
此外，在图6的例子中，在独立基板处理模式S2-1中，不向处理部11b导入HF气体，在共同基板处理模式S2-2中，向处理部11b导入HF气体，但也可以是，在独立基板处理模式S2-1中，不向处理部11b导入HF和NH3气体，在切换为共同基板处理模式S2-2时，向处理部11b导入HF气体和NH3气体。在该情况下，在独立基板处理模式S2-1中，能够将处理部11b的补充气体设为Ar气体和N2气体。
对确认本例的方法的效果所得的结果进行说明。
在此，利用图1的处理装置进行蚀刻(COR处理)。首先，使用用于对CVD-SiO2膜以6sec×8循环进行循环蚀刻的处理制程，在各循环中，针对按照共同基板处理模式→独立基板处理模式的顺序进行处理的情况(处理A)和按照独立基板处理模式→共同基板处理模式的顺序进行处理的情况(处理B)评价蚀刻结果。在共同基板处理模式中，如上述那样向处理部11a和11b这两个处理部供给Ar气体、HF气体、N2气体、NH3气体来进行COR处理，在独立基板处理模式中，不向处理部11b供给HF气体，仅仅利用处理部11a进行COR处理。即，将处理A设为如下处理：在各循环中，在处理部11b中最初进行COR处理，之后停止处理，将处理B设为如下处理：在各循环中，在处理部11b中最初设为将处理停止了规定时间的状态，之后进行COR处理。
其结果是，在处理A中，蚀刻量相对于目标为+36.6％，与此相对，在处理B中，蚀刻量相对于目标为-10.4％。据此确认出：通过最初在独立基板处理模式下进行处理，之后在共同基板处理模式下进行处理，蚀刻量的控制性良好。
接着，使用用于对热氧化膜进行15sec×5循环的循环蚀刻的处理制程，在各循环中，对按照共同基板处理模式→独立基板处理模式的顺序进行处理的情况(处理C)和按照独立基板处理模式→共同基板处理模式的顺序进行处理的情况(处理D)评价蚀刻结果。
其结果是，在处理C中，蚀刻量相对于目标为+12.7％，与此相对，在处理D中，蚀刻量相对于目标为-5.0％。据此确认出：关于热氧化膜中也是同样的，通过最初在独立基板处理模式下进行处理，之后在共同基板处理模式下进行处理，使蚀刻量的控制性良好。
(处理序列的其它例)
在上述的处理序列例中，在基于独立基板处理模式的处理S2-1中，在不供给处理气体(HF气体、NH3气体)的处理部中增加Ar气体和N2气体的量来使Ar气体和N2气体作为补充气体发挥功能，由此阻止处理部11a与处理部11b之间产生压力差，抑制处理部11a、11b相互之间流入气体，但处理部11a、11b经由形成于内壁71a、71b的比基板载置台61a、61b靠下的部分的狭缝相连，因此难以完全防止处理气体(HF气体、NH3气体)从一个处理部向另一个处理部回流以及补充气体(Ar气体、N2气体)从另一个处理部向一个处理部回流，从而产生微少的气体的回流(气体的反向扩散)。在处理气体的流量为某程度以上的情况下，这样的微少的气体的回流不会对蚀刻量产生大的影响，能够在处理部11a、11b中实现期望的蚀刻量的处理，但在低流量区域的处理中，这样的气体的回流的影响变得无法忽视，会导致相对于所设定的蚀刻量的偏差变大，在处理部11a、11b中无法进行期望的独立处理。
另一方面，当为了防止这样的不良情况而增加处理气体(HF气体、NH3气体)和补充气体(Ar气体、N2气体)的流量时，导致蚀刻速率增加，需要通过处理时间、气体流量比等来调整蚀刻量，工艺余量变窄。
因此，在本例中，在执行压力稳定化工序S1时，以如下的流量来流通调压气体：在下一个基板处理工序S2的独立基板处理模式S2-2中能够抑制处理气体和补充气体在处理部11a与11b之间反向扩散且能够形成从气体导入构件12a、12b朝向排气机构15的调压气体流的流量。由此，在低流量区域中能够有效地抑制基板处理工序S2的独立基板处理模式S2-2中的气体的回流(反向扩散)。
具体地说，如图7的时序图所示，在处理部11a、11b中，均在执行压力稳定化工序S1时供给Ar气体、N2气体、NH3气体来作为调压气体，并且使所述气体的流量比基板处理工序S2中多。优选的是，该情况下的调压气体的总流量为基板处理工序S2时的3倍以上。作为调压气体，能够使用在执行基板处理工序S2时供给的气体的一部分且不会发生基板处理的气体。与图6的例子相同，作为调压气体，也可以在处理部11a中使用Ar气体、N2气体、NH3气体，在处理11b中使用Ar气体、N2气体。
在本例中，在之后的基板处理工序S2中，在独立基板处理模式S2-1中，关于处理部11a，使Ar气体、N2气体、NH3气体的流量减少到稳定状态，并且以规定流量供给HF气体来进行COR处理，关于处理部11b，将N2气体、NH3气体的流量设为与处理部11a中相同的量，将Ar气体的供给量调整为包含与处理部11a的HF气体对应的补充气体，在之后的共同基板处理模式S2-2中，向处理部11b也供给HF气体，将作为补充气体供给的Ar气体的流量减少与所供给的HF气体的流量相应的流量，在处理部11a和11b中以相同的条件进行COR处理。之后，停止供给气体，利用排气机构15进行对处理空间S进行排气的排气工序S3。
由此，在低流量区域中，在执行独立基板处理模式S2-2时，相比于只通过补充气体进行压力调整的情况，能够更有效地抑制处理气体和补充气体的逆流。具体地说，在低流量区域中也能够极有效地抑制处理气体(HF气体、NH3气体)从处理部11a向想要停止处理的处理部11b逆流以及补充气体(Ar气体、N2气体)从处理部11b向想要继续处理的处理部11a逆流，从而在处理部11a、11b中均能够以成为接近所设定的蚀刻量的蚀刻量的方式进行基板处理。
此外，在图7的例子中，在独立基板处理模式S2-1中，不向处理部11b导入HF气体，在共同基板处理模式S2-2中，向处理部11b导入HF气体，但也可以是，在独立基板处理模式S2-1中，不向处理部11b导入HF和NH3气体，在切换为共同基板处理模式S2-2时，向处理部11b导入HF气体和NH3气体。在该情况下，在独立基板处理模式S2-1中，能够将处理部11b的补充气体设为Ar气体和N2气体。
参照图8对在压力稳定化工序中实际上增加了调压气体的流量的情况下的效果进行说明。在此，在使用图1的装置进行压力稳定化工序之后，在基板处理工序中，最初进行基于独立基板处理模式的处理，之后在共同基板处理模式下在两个处理部中进行COR处理，其中，在独立基板处理模式下，向处理部11a中进行COR处理，在处理部11b中不供给HF气体，将Ar气体作为补充气体来补充不供给HF气体的部分。图8是表示处理部11a中的基板处理工序时的气体总流量与COR处理中的蚀刻量偏差(实际的蚀刻量与设定的蚀刻量的差)。图中黑圆为使压力稳定化工序中的调压气体(Ar气体、N2气体、NH3气体)的流量与基板处理工序中相同的情况下的蚀刻量偏差，在总流量低的区域蚀刻量偏差具有变大的倾向，在总流量为300sccm时蚀刻量偏差示出-0.33nm左右的大的值。与此相对，黑方块为将调压气体的流量设为3倍的情况，在该情况下，即使基板处理工序时的总流量为300sccm，蚀刻量偏差也为-0.03nm左右，极其接近设定值。据此确认出使调压气体的流量增加的效果。
此外，当如以上那样使用HF气体和NH3气体对晶圆的SiO2膜进行COR处理时，作为反应生成物，生成氟硅酸铵((NH4)2SiF6；AFS)，因此利用热处理装置对由COR处理装置100进行处理后的晶圆进行热处理，来将AFS分解去除。
如以上那样，根据本实施方式，在利用处理部11a和处理部11b对两张晶圆分别进行COR处理时，使排气机构15共同化，并且最初以独立基板处理模式在处理部11a或处理部11b中进行处理，之后以共同基板处理模式在这些处理部中以相同的条件实施COR处理，由此能够使蚀刻量的控制性良好。
<其它应用>
以上根据一个实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于上述一个实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。
在上述一个实施方式中，对使用HF气体和NH3气体来进行COR处理的情况进行了说明，但也能够通过图1的基板处理装置仅利用HF气体或仅利用NH3气体来进行处理。例如，也能够在将HF气体用Ar气体稀释后进行供给来进行处理的情况下，如以下的情形d所示那样控制开闭阀，使得在独立基板处理模式下仅在处理部11a中利用HF气体进行处理之后，在保持开闭阀151e、151f、151g、151h关闭的状态下将开闭阀151a、151b、151c、151d打开来供给HF气体和Ar气体，来以共同基板处理模式进行处理。
[情形d]
·向气体导入构件12a进行供给的供给系统
开闭阀151a(Ar)打开
开闭阀151c(HF)打开
开闭阀151e(N2)关闭
开闭阀151g(NH3)关闭
·向气体导入构件12b进行供给的供给系统
开闭阀151b(Ar)打开
开闭阀151d(HF)关闭
开闭阀151f(N2)关闭
开闭阀151h(NH3)关闭
另外，作为基板处理装置，其概要结构不限于图1的COR处理装置100，只要如图9所示呈如下结构即可：处理部11a、11b设置在一个共同的腔室10内，排气机构15被设置在一个共同的腔室10内的处理部11a、11b所共有。
并且，并不限于如图9所示那样将处理部11a、11b设置在一个共同的腔室10内的结构，例如图10所示，也可以设为将处理部11a、11b设置在独立的腔室10a、10b内且排气机构15由独立的腔室10a、10b所共有的结构。
在上述的一个实施方式中，作为用于调整压力的补充气体，使用作为用于稀释HF气体、NH3气体等处理气体的稀释气体的Ar气体、N2气体，但不限于此，也可以为其它非活性气体。另外，作为用于调整压力的补充气体，并不限于非活性气体，也能够使用与被处理后的晶圆Wa、Wb的蚀刻对象膜不发生反应的非反应性气体。另外，即使为反应性气体，只要为能够以不对处理产生影响的方式调整压力的气体就能够使用。
另外，在上述一个实施方式中，作为用于调整压力的补充气体，使用在进行基板处理时与处理气体同时使用的稀释气体，但除了与进行处理气体同时使用的稀释气体之外，也可以使用专用的补充气体。在该情况下，在气体供给机构14另外重新设置用于补充气体供给源、供给补充气体的供给配管、MFC以及开闭阀即可。
另外，在上述一个实施方式中，作为被处理基板以半导体晶圆为例进行了说明，但根据本发明的原理明确可知，被处理基板不限于半导体晶圆，能够应用于其它各种基板的处理，这是不言而喻的。
另外，在上述一个实施方式中，例示了具有处理部11a、11b这两个处理部来作为多个处理部的基板处理装置，但处理部的个数不限于两个。
另外，在上述一个实施方式中，例示了将本发明应用于COR处理装置的情况，但作为基板处理装置不限于COR处理装置。
附图标记说明
10、10a、10b：腔室；11a、11b：处理部；12a、12b：气体导入构件；14：气体供给机构；15：排气机构；16：控制部；71a、71b：内壁；101：排气配管；141：Ar气体供给源；142：HF气体供给源；143：N2气体供给源；144：NH3气体供给源；145、145a、145b：HF气体供给配管；146a、146b：供给配管；147、147a、147b：Ar气体供给配管；148、148a、148b：NH3气体供给配管；149、149a、149b：N2气体供给配管；150a～150h：质量流量控制器；151a～151h：开闭阀。

Claims (25)

1.一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，
所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，
在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，
在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到所述多个处理部的全部处理部，
在进行所述第一模式时，控制所述多个处理部中的其余的处理部内的所述第二气体的供给量，以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第二气体为非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
在进行所述第一模式时，
在所述多个处理部中的一部分处理部内，利用作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体进行基板处理，
在所述多个处理部中的其余的处理部内，不供给作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体，供给所述第二气体作为补充气体，以使得不进行基板处理。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，利用调压气体对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，
在所述基板处理方法中，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制作为处理气体的所述第一气体和作为补充气体的所述第二气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
作为所述调压气体，使用在进行所述基板处理时供给的气体的一部分且不会发生基板处理的气体，将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的流量的3倍以上。
7.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
作为所述第二气体，使用被用作所述第一气体的稀释气体的气体。
8.一种基板处理方法，使用基板处理装置在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，
所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，
在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部中的一部分处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，对于所述多个处理部中的其余的处理部，不供给HF，供给非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体，以使得不进行蚀刻处理；
在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部的全部处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，
其中，在进行所述第一模式时，控制所述多个处理部中的其余的处理部内的非活性气体和/或非反应性气体的供给量，以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
在进行所述第一模式时，在所述多个处理部中的一部分处理部内，供给非活性气体以及作为处理气体的HF气体和NH3气体，在所述多个处理部中的其余的处理部内，供给非活性气体或者供给非活性气体和NH3气体，将非活性气体用作用于进行所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间的压力调整的补充气体。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括以下步骤：在进行所述第一模式之前，将非活性气体用作调压气体或者将非活性气体和NH3气体用作调压气体，对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，
在所述基板处理方法中，在使所述压力稳定化时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制所述处理气体和所述非活性气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为比所述基板处理时的流量多。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
将使所述压力稳定化时的所述调压气体的流量设为所述基板处理时的流量的3倍以上。
13.一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置具备：
多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；
气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；
共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及
控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，
其中，所述控制部进行控制以使得，在对所述多张被处理基板实施基板处理时，执行第一模式并接着执行第二模式，
在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，
在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到所述多个处理部的全部处理部，
在所述第一模式时，所述控制部以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差的方式控制所述多个处理部中的其余的处理部内的所述第二气体的供给量。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二气体为非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一模式时，所述控制部进行控制以使得，
在所述多个处理部中的一部分处理部内，利用作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体执行基板处理，
在所述多个处理部中的其余的处理部内，不供给作为针对所述被处理基板的处理气体的第一气体，供给所述第二气体作为补充气体，以使得不执行基板处理。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部进行控制以使得，
在进行所述基板处理之前，执行利用调压气体对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化的处理，
在执行使所述压力稳定化的处理时，将所述调压气体的流量设为如下流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制作为处理气体的所述第一气体和作为补充气体的所述第二气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
作为所述调压气体，使用在进行所述基板处理时供给的气体的一部分且不会发生基板处理的气体，
所述控制部进行控制，使得执行使所述压力稳定化的处理时的所述调压气体的流量比所述基板处理时的流量多。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，使得执行使所述压力稳定化的处理时的所述调压气体的流量为所述基板处理时的流量的3倍以上。
19.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
作为所述第二气体，使用被用作所述第一气体的稀释气体的气体。
20.一种基板处理装置，在真空气氛下对多张被处理基板实施规定的处理，所述基板处理装置的特征在于，具备：
多个处理部，所述多个处理部对所述多张被处理基板分别实施基板处理；
气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给处理气体；
共同的排气机构，其对所述多个处理部内的处理气体统一进行排气；以及
控制部，其控制所述气体供给机构和所述排气机构，
其中，所述控制部使得在对所述多张被处理基板实施基板处理时，执行第一模式并接着执行第二模式，
在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部中的一部分处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，对于所述多个处理部中的其余的处理部，不供给HF，供给非活性气体和/或与被处理的被处理基板不发生反应的非反应性气体，以使得不进行蚀刻处理，
在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且对于所述多个处理部的全部处理部，供给HF气体和NH3气体作为处理气体来进行蚀刻处理，
并且，在所述第一模式时，所述控制部以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差的方式控制所述多个处理部中的其余的处理部内的非活性气体和/或非反应性气体的供给量。
21.根据权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一模式时，所述控制部进行控制以使得，在所述多个处理部中的一部分处理部内，供给非活性气体以及作为处理气体的HF气体和NH3气体，在所述多个处理部中的其余的处理部内，供给非活性气体或者供给非活性气体和NH3气体，其中，将非活性气体用作用于进行所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间的压力调整的补充气体。
22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部进行控制以使得，
在进行所述基板处理之前，执行使压力稳定化的处理，在该处理中，将非活性气体用作调压气体或者将非活性气体和NH3气体用作调压气体，对所述多个处理部进行调压来使压力稳定化，
在执行使所述压力稳定化的处理时，使所述调压气体的流量成为如下的流量，该流量能够形成能够在所述基板处理的所述第一模式中抑制所述处理气体和所述非活性气体在所述多个处理部间反向扩散的、所述调压气体朝向所述排气机构的流动。
23.根据权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，使得执行使所述压力稳定化的处理时的所述调压气体的流量比所述基板处理时的流量多。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，使得执行使所述压力稳定的处理时的所述调压气体的流量为所述基板处理时的流量的3倍以上。
25.一种存储介质，存储有在计算机上动作且用于控制基板处理装置的程序，所述基板处理装置具备：多个处理部，所述多个处理部对多张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构，其对所述多个处理部独立地供给气体；以及共同的排气机构，其对所述多个处理部内的气体统一进行排气，
所述程序在被执行时，使所述计算机控制所述基板处理装置来执行如下的基板处理方法，所述基板处理方法包括进行第一模式的步骤和接着进行第二模式的步骤，
在所述第一模式中，控制所述排气机构使得从所述多个处理部统一对处理气体进行排气，并且对所述多个处理部中的一部分处理部供给第一气体，对所述多个处理部中的其余的处理部供给与第一气体不同的第二气体，
在所述第二模式中，从所述多个处理部共同地对处理气体进行排气，并且将第一气体作为处理气体以相同的气体条件供给到所述多个处理部的全部处理部，
其中，在所述第一模式时，控制所述多个处理部中的其余的处理部内的所述第二气体的供给量，以阻止所述多个处理部中的一部分处理部与所述多个处理部中的其余的处理部之间产生压力差。
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