TWI708690B - 能夠提高輸出解析度的熱印頭結構及其製造方法 - Google Patents

能夠提高輸出解析度的熱印頭結構及其製造方法 Download PDF

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Abstract

一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法包含步驟如下。形成一蓄熱層、一第一電極圖案、一發熱電阻層、一第二電極圖案及一絕緣保護層於一基板上，其中形成發熱電阻層之步驟介於形成第一電極圖案之步驟與形成第二電極圖案之步驟之間。

Description

能夠提高輸出解析度的熱印頭結構及其製造方法
本發明有關於一種熱印頭結構，特別有關一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構。
按，採用熱能轉印原理之印表機主要係利用熱印頭(thermal print head，TPH)模組來加熱色帶，使色帶上的染料氣化，進而轉印圖案到紙或塑膠上。
然而，因為製造技術之限制，習知熱列印頭模組的所印製圖案的單位像素(pixel)的最小尺寸有限，因此，無法有效提升印製圖案之解析度。
本發明之一目的在於提供一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，用以解決以上先前技術所提到的困難，意即，有效提升印製圖案之解析度。
本發明之一實施例提供了一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構。熱印頭結構包含一基板、一蓄熱層、一第一電極層、一第二電極層、一發熱電阻層與一絕緣保護層。蓄熱層具有一條狀隆起部。條狀隆起部位於基板之一面上。第一電極層配置於條狀隆起部上。第二電極層配置於條狀隆起部上，第一電極層之最大高度小於第二電極層之最大高度。發熱電阻層配置於條狀隆起部上，且位於第一電極層與第二電極層之間。第一電極層、第二電極層、發熱電阻層共同成為一電性迴路。絕緣保護層覆蓋於發熱電阻層與第二電極層上。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，發熱電阻層至基板之這面的正投影位於條狀隆起部之範圍內。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，第一電極層位於條狀隆起部與發熱電阻層之間，且直接位於絕緣保護層與基板之這面之間，發熱電阻層位於條狀隆起部與第二電極層之間，且第二電極層直接位於絕緣保護層與基板之這面之間。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，條狀隆起部位於發熱電阻層至基板之這面的正投影之範圍內。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，發熱電阻層覆蓋條狀隆起部以及基板之這面。第一電極層直接位於發熱電阻層與基板之這面之間，且發熱電阻層直接位於第二電極層與基板之這面之間。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，第一電極層更包含一主線部及多數個第一走線。這些第一走線平行分布於條狀隆起部上，每個第一走線之末端連接主線部之同一側。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，第二電極層更包含多數個第二走線。這些第二走線平行分布於條狀隆起部上。每個第二走線位於任二相鄰之第一走線之間。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，每個第一走線至基板之這面具有一第一正投影。每個第二走線至基板之這面具有一第二正投影。這些第二正投影與第一正投影彼此交錯配置。任二相鄰之其中一第一正投影與其中一第二正投影之間的最小間距為10~15微米(um)。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，第一電極層為熱印頭結構之共用電極圖案，第二電極層為熱印頭結構之個別電極圖案。
本發明之另一實施例提供了一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構。熱印頭結構包含一基板、一條狀隆起部、一第一電極層、一第二電極層、一發熱電阻層與一絕緣保護層。條狀隆起部位於基板之一面上。第一電極層覆蓋基板之這面與條狀隆起部。第一電極層具有多數個第一走線。發熱電阻層覆蓋第一電極層、條狀隆起部與基板之這面。第二電極層覆蓋發熱電阻層相對第一電極層之一面，與第一電極層及與發熱 電阻層共同成為一電性迴路。第二電極層具有多數個第二走線。這些第二走線至基板之這面之正投影與這些第一走線至基板之這面之正投影彼此交錯配置。絕緣保護層覆蓋於發熱電阻層與第二電極層上。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，第一電極層為熱印頭結構之共用電極圖案，第二電極層為熱印頭結構之個別電極圖案。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構中，發熱電阻層完全覆蓋條狀隆起部或部分覆蓋條狀隆起部。
本發明之又一實施例提供了一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法，包含步驟如下。形成一蓄熱層於一基板之一面上，蓄熱層具有一條狀隆起部。形成一第一電極圖案於條狀隆起部與基板之這面上。形成一發熱電阻層於第一電極圖案、條狀隆起部與基板之這面上。形成一第二電極圖案於發熱電阻層與基板之這面上。形成一絕緣保護層於發熱電阻層與第二電極圖案上，其中形成發熱電阻層之步驟介於形成第一電極圖案之步驟與形成第二電極圖案之步驟之間。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法中，形成第一電極圖案之步驟更包含形成多數個第一走線於條狀隆起部與基板之這面上。形成第二電極圖案之步驟更包含形成多數個第二走線於發熱電阻層與基板之面上，這些第二走線至基板之這面之正投影與這些第一走線至基板之這面之正投影彼此交錯配置。
依據本發明一或複數個實施例，上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法更包含：在形成絕緣保護層之後，將第二電極圖案電性連接一工作單元模組，工作單元模組、第一電極圖案、發熱電阻層與第二電極圖案共同成為一電性迴路。
依據本發明一或複數個實施例，在上述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法中，第一電極圖案為熱印頭結構之共用電極圖案，第二電極圖案為熱印頭結構之個別電極圖案。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施例及相關圖式中詳細介紹。
31~36‧‧‧步驟
10‧‧‧熱印頭結構
100‧‧‧基板
110‧‧‧頂面
200‧‧‧蓄熱層
210‧‧‧條狀隆起部
210L、311L‧‧‧長軸方向
300‧‧‧第一電極層
310‧‧‧第一電極圖案
311‧‧‧主線部
312‧‧‧第一走線
400‧‧‧第二電極層
410‧‧‧第二電極圖案
411‧‧‧第二走線
420‧‧‧工作單元模組
421‧‧‧導接腳位
500、501‧‧‧發熱電阻層
600‧‧‧絕緣保護層
601‧‧‧一部分
602‧‧‧另一部分
710‧‧‧第一金屬膜
711‧‧‧一部分
712‧‧‧另一部分
720‧‧‧第一光阻層
730‧‧‧第一光罩
810‧‧‧電阻材料層
811‧‧‧一部分
812‧‧‧另一部分
820‧‧‧第二光阻層
830‧‧‧第二光罩
910‧‧‧第二金屬膜
920‧‧‧第三光阻層
930‧‧‧第三光罩
1010‧‧‧第四光阻層
1020‧‧‧第四光罩
1030‧‧‧開口
G‧‧‧最小間距
H1、H2‧‧‧最大高度
P1‧‧‧第一正投影
P2‧‧‧第二正投影
PX‧‧‧單位像素
W‧‧‧打線
S‧‧‧範圍
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A圖繪示依照本發明一實施例之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的上視示意圖；第1B圖為第1A圖的橫向剖面圖；第2A圖繪示依照本發明一實施例之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的上視示意圖；第2B圖為第2A圖的橫向剖面圖；第3圖繪示依照本發明一實施例之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法的流程圖；以及 第4A圖~第4P圖分別為第3圖之製造方法之細部操作示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施例，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1A圖繪示依照本發明一實施例之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構10的上視示意圖。第1B圖為第1A圖的橫向剖面圖。如第1A圖與第1B圖所示，此熱印頭結構10包含一基板100、一蓄熱層200、一第一電極層300、一第二電極層400、一發熱電阻層500與一絕緣保護層600。蓄熱層200用以保存熱能，使其不致輕易流失。例如蓄熱層200具有一條狀隆起部210。條狀隆起部210位於基板100之一頂面110上。條狀隆起部210具有一長軸方向210L，意即，條狀隆起部210沿此長軸方向210L延伸。第一電極層300配置於條狀隆起部210上，第一電極層300包含一第一電極圖案310。第一電極圖案310覆蓋於基板100之頂面110與條狀隆起部210上。第二電極層400配置於條狀隆起部210上，第二電極層400包含一第二電極圖案410。第二電極圖案410覆蓋於基板100之頂面110與條狀隆起部210上。第二電極層400與第一電極層300共同成為一 電性迴路，例如該第一電極層300為熱印頭結構10之共用(common)電極圖案，第二電極層400為熱印頭結構10之個別(individual)電極圖案。發熱電阻層500配置於條狀隆起部210上，且位於第一電極層300與第二電極層400之間。更具體地，發熱電阻層500覆蓋於第一電極層300上，第二電極層400覆蓋於發熱電阻層500上。絕緣保護層600覆蓋於發熱電阻層500與第二電極層400上。第一電極層300與第二電極層400實質上屬於不同平面高度，換句話說，第一電極層300之最大高度H1小於第二電極層400之最大高度H2。
在本實施例中，發熱電阻層500部分覆蓋條狀隆起部210。更具體地，發熱電阻層500至基板100之頂面110的第一正投影P1位於條狀隆起部210至基板100之頂面110之範圍S內，換句話說，上述範圍S之面積大於第一正投影P1之面積。此外，第一電極層300之一部分位於條狀隆起部210與發熱電阻層500之間，且第一電極層300之另一部分位於絕緣保護層600與基板100之頂面110之間。更具體地，第一電極層300之另一部分被直接夾合於絕緣保護層600與基板100之頂面110之間。發熱電阻層500之一部分位於條狀隆起部210與第二電極層400之間，其另一部分位於絕緣保護層600與條狀隆起部210之間，且其又一部分位於第一電極層300與絕緣保護層600之間。第二電極層400之一部分位於發熱電阻層500與絕緣保護層600之間，其另一部分位於絕緣保護層600與基板100之頂面110之間。更具體地，第二電極層400之另一部分被直接夾合於絕緣保護層600與基板100之頂面110之間。
第一電極層300更包含一主線部311及多數個第一走線312。主線部311位於基板100之頂面110，主線部311較每個第一走線312更寬。主線部311之長軸方向311L平行條狀隆起部210之長軸方向210L。這些第一走線312平行分布於條狀隆起部210上。每個第一走線312之一末端連接主線部311之同一側，且每個第一走線312跨過條狀隆起部210而延伸至條狀隆起部210相對主線部311之一側。第二電極層400更包含多數個第二走線411。這些第二走線411平行分布於條狀隆起部210上。每個第二走線411位於任二相鄰之第一走線312之間。
此外，在本實施例中，此熱印頭結構10更包含一或多個工作單元模組420(例如IC晶片)。工作單元模組420排列於基板100之頂面110，電性連接第二電極層400。每個工作單元模組420具有多個導接腳位421，這些第二走線411分別電性連接這些工作單元模組420之這些導接腳位421，以便接受這些工作單元模組420之訊號。第二電極層400之這些導接腳位421透過打線W電性連接這些工作單元模組420之這些導接腳位421，然而，本發明不限於此，其他實施例中，也能夠通過薄膜覆晶封裝結構(chip of film，COF)電性連接工作單元模組420以及第二電極層400之這些導接腳位421。如此，熱印頭結構10便能夠電連接印表機之內部電路。
更具體來說，每個第一走線312至基板100之頂面110之垂直投影具有一第二正投影P2(參考第1A圖之第一走線312)。每個第二走線411至基板100之頂面110之垂直投影具有一第三正投影P3(參考第1A圖之第二走線411)。這些第三正投 影P3(參考第1A圖之第二走線411)與這些第二正投影P2(參考第1A圖之第一走線312)彼此交錯配置。換句話說，每個第三正投影P3(參考第1A圖之第二走線411)位於任二相鄰之第二正投影P2(參考第1A圖之第一走線312)之間。任二相鄰之第二正投影P2(參考第1A圖之第一走線312)為熱列印頭模組的所印製圖案的其中一單位像素(pixel)PX，其中彼此相鄰之第二正投影P2(參考第1A圖之第一走線312)與第三正投影P3(參考第1A圖之第二走線411)之間的最小間距G，舉例來說，為10~15微米(um)。
如此，由於第一電極層300與第二電極層400為非共平面，因此，第一電極層300與第二電極層400彼此之配置位置在空間上可以更加地靠近，進而有效提升印製圖案之最大解析度，例如，熱列印頭模組所印製圖案的輸出解析度可提高為習知輸出解析度的兩倍。
第2A圖繪示依照本發明一實施例之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構11的上視示意圖。第2B圖為第2A圖的橫向剖面圖。如第2A圖與第2B圖所示，本實施例之熱印頭結構11與第1A圖之熱印頭結構10大致相同，其差異在於，第1A圖之發熱電阻層500僅部分覆蓋上述條狀隆起部210，並未完全覆蓋上述條狀隆起部210，反觀，本實施例之熱印頭結構11之發熱電阻層501全面地覆蓋上述條狀隆起部210。發熱電阻層501直接位於基板100之頂面110與第二電極層400之間，以及直接位於絕緣保護層600與第一電極層300之間，使得第一電極層300與第二電極層400之間具有更不同的水平高度。
更具體地，條狀隆起部210至基板100之頂面110之範圍S位於發熱電阻層501至基板100之頂面110的第四正投影P4內，換句話說，上述範圍S之面積小於第四正投影P4之面積。此外，第一電極層300之一部分位於條狀隆起部210與發熱電阻層501之間，其另一部分位於發熱電阻層501與基板100之間，更進一步地，第一電極層300被直接夾合於發熱電阻層501與基板100之頂面110之間。第二電極層400之一部分位於條狀隆起部210與發熱電阻層501之間，其另一部分位於發熱電阻層501與絕緣保護層600之間，更進一步地，第二電極層400被直接夾合於發熱電阻層501與絕緣保護層600之間。又，第一電極層300與部分之發熱電阻層501實質上屬於相同平面高度，換句話說，第一電極層300與發熱電阻層501皆直接接觸基板100之頂面10上。
在上述各實施例中，基板100之材質例如為玻璃、陶瓷或矽晶體等。蓄熱層200之材質例如為玻璃釉料，發熱電阻層500之材質例如為鉭氮化系(TaN group)與鉭氧化系(TaO group)等等，且第一電極層300與第二電極層400之材質例如為銅、鋁或鈦等等。絕緣保護層600之材質例如為矽氧氮化系(SiON)、矽氮化系(SiN)、矽碳化系(SiC)、累鑽系(DLC)等。
第3圖繪示依照本發明一實施例之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構10的製造方法的流程圖。如第3圖所示，上述熱印頭結構10的製造方法包含步驟31~步驟36，如下。在步驟31中，形成一蓄熱層於一基板之頂面上，蓄熱層具有一條狀隆起部。在步驟32中，形成一第一電極圖案於條狀隆起部與 基板之頂面上。在步驟33中，形成一發熱電阻層於第一電極圖案、條狀隆起部與基板之頂面上。在步驟34中，形成一第二電極圖案於發熱電阻層與基板之頂面上。在步驟35中，形成一絕緣保護層於發熱電阻層與第二電極圖案上。在步驟36中，將第二電極圖案電性連接一工作單元模組之至少一導接腳位421。
如此，無論製造技術之限制是否仍存在，由於形成發熱電阻層之步驟介於形成第一電極圖案之步驟與形成第二電極圖案之步驟之間，使得第一電極層與第二電極層實質上屬於不同平面高度，換句話說，第一電極層之最大高度小於第二電極層之最大高度，因此，第一電極層與第二電極層之配置位置在空間上可以更加靠近，進而有效提升印製圖案之最大解析度。
第4A圖~第4P圖分別為第3圖之製造方法之細部操作示意圖。如第4A圖所示，在步驟31中，舉例來說，條狀隆起部210為將玻璃釉料透過網版印刷工藝在基板100上所印刷出條狀圖案，且通過高溫所燒結而成。此外，基板100例如為玻璃、陶瓷或矽晶體等，然而本發明不限基板100之材質。此外，條狀隆起部210於基板100上之橫剖面呈弓形，意即，條狀隆起部210之頂點最遠離基板100之頂面110。
如第4B圖至第4E圖所示，在步驟32中，更具體地，依據鍍膜方式，形成一第一金屬膜710於基板100之頂面110與條狀隆起部210上(第4B圖)；接著，對第一金屬膜710圖案化，以便形成上述第一電極圖案310(第4C圖至第4E圖)。當形成上述第一金屬膜710時，舉例來說，第一金屬膜710藉 由化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或物理氣相沉積(Physical vapor deposition，PVD)法所形成，其中第一金屬膜710之材質例如為銅、鋁或鈦等等。此外，當對第一金屬膜710圖案化時，舉例來說，先配置一第一光阻層720於第一金屬膜710之一部分711上方，且配置一第一光罩730於第一光阻層720上方(第4C圖)；接著，透過第一光罩730對第一光阻層720進行曝光(第4C圖)；接著，透過濕蝕刻法移除第一金屬膜710之另一部分712(第4C圖~第4D圖)；接著，移除第一光阻層720，以留下上述第一電極圖案310(第4E圖)。
如第4F圖至第4I圖所示，在步驟33中，依據鍍膜方式，形成一電阻材料層810於第一電極圖案310、條狀隆起部210與基板100之頂面110上(第4F圖)；接著，對電阻材料層810圖案化，以便形成上述發熱電阻層501(第4G圖~第4I圖)。當形成上述電阻材料層810時，舉例來說，藉由化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或物理氣相沉積(Physical vapor deposition，PVD)法，將上述發熱電阻層501形成於第一電極圖案310、條狀隆起部210與基板100之頂面110上。發熱電阻層501之材質例如為氮化鉭(TaN)或氧化鉭(Ta2O5)等等。此外，當對電阻材料層810圖案化時，舉例來說，先配置一第二光阻層820於電阻材料層810之一部分811上方，且配置一第二光罩830於第二光阻層820上方(第4G圖)；接著，透過第二光罩830對第二光阻層820進行曝光(第4G圖)；接著，透過乾蝕刻法移除電阻材料層810之另一部分812(第4G圖~第4H圖)；接著，移除第二光阻層820，以留下 上述發熱電阻層501(第4I圖)。
如第4J圖至第4M圖所示，在步驟34中，更具體地，依據鍍膜方式，形成一第二金屬膜910於發熱電阻層501與基板100之頂面110上(第4J圖)；接著，對第二金屬膜910圖案化，以便形成上述第二電極圖案410(第4K圖至第4M圖)。當形成上述第二金屬膜910時，舉例來說，第二金屬膜910藉由化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或物理氣相沉積(Physical vapor deposition，PVD)法所形成，其中第二金屬膜910之材質例如為銅、鋁或鈦等等。此外，當對第二金屬膜910圖案化時，舉例來說，先配置一第三光阻層920於第二金屬膜910之一部分911上方，且配置一第三光罩930於第三光阻層920上方(第4K圖)；接著，透過一第三光罩930對第三光阻層920進行曝光(第4K圖)；接著，透過濕蝕刻法移除第二金屬膜910之另一部分912(第4K圖~第4L圖)；接著，移除第三光阻層920，以留下上述第二電極圖案410(第4M圖)。此時，如第4M圖所示，第一電極圖案310與第二電極圖案410分別位於條狀隆起部210之二相對側，且第一電極圖案310位於發熱電阻層501面向基板100之一側，第二電極圖案410位於發熱電阻層501背對基板100之一側。
如第4N圖至第4P圖所示，在步驟35中，依據鍍膜方式，形成一絕緣保護層600於發熱電阻層501與第二電極圖案410上；接著，對絕緣保護層600圖案化，以便外露出上述第二電極圖案410之一部分(第4O圖~第4P圖)。當形成上述絕緣保護層600時，舉例來說，藉由化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)，將上述絕緣保護層600形成於發熱電阻層501與第二電極圖案410上。此外，當對絕緣保護層600圖案化時，舉例來說，先配置一第四光阻層1010於絕緣保護層600之一部分601上方，且配置一第四光罩1020至第四光阻層1010上方(第4O圖)；接著，透過第四光罩1020對第四光阻層1010進行曝光(第4O圖)；接著，透過乾蝕刻法移除絕緣保護層600之另一部分602，以便形成一外露第二電極圖案410之開口1030；接著，移除第四光阻層1010(第4O圖~第4P圖)。
參考第2B圖所示，在步驟36中，更具體地，將工作單元模組420配置於基板100之頂面110上，且透過打線W連接開口1030內之第二電極圖案410以及工作單元模組420之導接腳位421。
最後，上述所揭露之各實施例中，並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，皆可被保護於本發明中。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
31~36‧‧‧步驟

Claims (16)

  1. 一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，包含：一基板；一蓄熱層，具有一條狀隆起部，該條狀隆起部位於該基板之一面上；一第一電極層，配置於該條狀隆起部上；一第二電極層，配置於該條狀隆起部上；一發熱電阻層，配置於該條狀隆起部上，位於該第一電極層與該第二電極層之間，且與該第一電極圖案及該第二電極圖案共同成為一電性迴路；一絕緣保護層，覆蓋於該發熱電阻層與該第二電極層上，其中該第一電極層位於該發熱電阻層與該條狀隆起部之間，且該發熱電阻層位於該條狀隆起部與該第二電極層之間，使得該第一電極層至該基板之該面的最大高度小於該第二電極層至該基板之該面的最大高度。
  2. 如請求項1所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該發熱電阻層至該基板之該面的正投影位於該條狀隆起部之範圍內。
  3. 如請求項2所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該第一電極層直接位於該絕緣保護層與該基板之該面之間，該第二電極層直接位於該絕緣保護層與該基板之該面之間。
  4. 如請求項1所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該條狀隆起部位於該發熱電阻層至該基板之該面的正投影之範圍內。
  5. 如請求項4所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該發熱電阻層覆蓋該條狀隆起部以及該基板之該面上，該第一電極層直接位於該發熱電阻層與該基板之該面之間，且該發熱電阻層直接位於該第二電極層與該基板之該面之間。
  6. 如請求項1所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該第一電極層更包含：一主線部；以及多數個第一走線，平行分布於該條狀隆起部上，每一該些第一走線之末端連接該主線部之同一側。
  7. 如請求項6所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該第二電極層更包含：多數個第二走線，平行分布於該條狀隆起部上，每一該些第二走線位於任二相鄰之該些第一走線之間。
  8. 如請求項7所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中每一該些第一走線至該基板之該面具有一第一正投影，每一該些第二走線至該基板之該面具有一第二正 投影，該些第二正投影與該些第一正投影彼此交錯配置，其中任二相鄰之該些第一正投影其中之一與該些第二正投影其中之一之間的最小間距為10~15微米(um)。
  9. 如請求項1所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該第一電極層為該熱印頭結構之共用電極圖案，該第二電極層為該熱印頭結構之個別電極圖案。
  10. 一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，包含：一基板；一條狀隆起部，位於該基板之一面上；一第一電極層，覆蓋該基板之該面與該條狀隆起部，該第一電極層具有多數個第一走線；一發熱電阻層，覆蓋該第一電極層、該條狀隆起部與該基板之該面；一第二電極層，覆蓋該發熱電阻層相對該第一電極層之一面，與該第一電極圖案及該發熱電阻層共同成為一電性迴路，其中該第二電極層具有多數個第二走線，該些第二走線至該基板之該面之正投影與該些第一走線至該基板之該面之正投影彼此交錯配置；以及一絕緣保護層，覆蓋於該發熱電阻層與該第二電極層上，其中該第一電極層位於該發熱電阻層與該條狀隆起部之間，且該發熱電阻層位於該條狀隆起部與該第二電極層之間，使得該第一電極層至該基板之該面的最大高度小於該第 二電極層至該基板之該面的最大高度。
  11. 如請求項10所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該第一電極層為該熱印頭結構之共用電極圖案，該第二電極層為該熱印頭結構之個別電極圖案。
  12. 如請求項10所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構，其中該發熱電阻層完全覆蓋該條狀隆起部或部分覆蓋該條狀隆起部。
  13. 一種能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法，包含：形成一蓄熱層於一基板之一面上，該蓄熱層具有一條狀隆起部；形成一第一電極圖案於該條狀隆起部與該基板之該面上；形成一發熱電阻層於該第一電極圖案、該條狀隆起部與該基板之該面上；形成一第二電極圖案於該發熱電阻層與該基板之該面上；以及形成一絕緣保護層於該發熱電阻層與該第二電極圖案上，其中形成該發熱電阻層之步驟介於形成該第一電極圖案之步驟與形成該第二電極圖案之步驟之間，使得該第一電極層位於該發熱電阻層與該條狀隆起部之間，且該發熱電阻層位於該條狀隆起部與該第二電極層之間，以致該第一電極層 至該基板之該面的最大高度小於該第二電極層至該基板之該面的最大高度。
  14. 如請求項13所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法，其中形成該第一電極圖案之步驟更包含：形成多數個第一走線於該條狀隆起部與該基板之該面上；以及形成該第二電極圖案之步驟更包含：形成多數個第二走線於該發熱電阻層與該基板之該面上，其中該些第二走線至該基板之該面之正投影與該些第一走線至該基板之該面之正投影彼此交錯配置。
  15. 如請求項13所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法，更包含：在形成該絕緣保護層之後，將該第二電極圖案電性連接至少一工作單元模組，其中該工作單元模組、該第一電極圖案、該發熱電阻層與該第二電極圖案共同成為一電性迴路。
  16. 如請求項13所述之能夠提高輸出解析度的熱印頭結構的製造方法，其中該第一電極圖案為該熱印頭結構之共用電極圖案，該第二電極圖案為該熱印頭結構之個別電極圖案。
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